JP2007133054A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品位の良い液晶セルを提供する。
【解決手段】アレイ基板2の画素5内の画素電極6の高電圧領域6aを挟んだ両側に低電圧領域6bを配置して対称にする。対向基板31の対向電極34から画素電極6の高電圧領域6aおよび低電圧領域6bへの電圧の印加による液晶分子41の動きが、高電圧領域6aの中心を基準に対称になる。印加電圧が異なる高電圧領域6aと低電圧領域6bとの間での配向揺らぎが対称になる。画素5の液晶配向安定性を向上できる。液晶層42中の液晶分子41の印加電圧の高低に基づく配向揺らぎによる表示むらや表示不良を回避できる。
【選択図】図1
【解決手段】アレイ基板2の画素5内の画素電極6の高電圧領域6aを挟んだ両側に低電圧領域6bを配置して対称にする。対向基板31の対向電極34から画素電極6の高電圧領域6aおよび低電圧領域6bへの電圧の印加による液晶分子41の動きが、高電圧領域6aの中心を基準に対称になる。印加電圧が異なる高電圧領域6aと低電圧領域6bとの間での配向揺らぎが対称になる。画素5の液晶配向安定性を向上できる。液晶層42中の液晶分子41の印加電圧の高低に基づく配向揺らぎによる表示むらや表示不良を回避できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、アレイ基板と対向基板との間に液晶層が介在された液晶表示装置に関する。
従来、この種の液晶表示装置は、液晶素子を用いており、軽量、薄型および低消費電力などの特徴を有することから、OA機器や、情報端末装置、時計、テレビジョンなどの様々な分野に用いられている。特に、液晶表示装置の中で、薄膜トランジスタ(TFT)素子を用いた液晶表示装置は、TFT素子が応答性に優れている点から、携帯電話器や、テレビジョン、コンピュータなどの多くの表示装置として用いられている。
近年、情報端末装置の小型軽量化に伴い、高精細で視野角の広い表示装置が要求されている。そして、この高精細化には、TFT素子が設けられているアレイ基板の構造の微細化によって対応がなされている。一方、視野角については、ネマチック液晶を用いたOCB(Optically Compensated Bend)方式や、MVA(Multi-domain Vertical Alignment)方式、IPS(In-Plane Switching:横電界)方式を用いた広視野角な液晶モードを有する表示装置などが知られている。
特に、MVA方式を用いた表示装置は、スリットや誘電体リブなどの配向分割構造が画素電極に設けられており、この配向分割機構にて液晶分子の動きを制御して視野角を広くしているため、テレビジョンや携帯電話器用の表示素子として広く用いられている。そして、この種のMVA方式を用いた液晶表示装置としては、配向分割用の導電体層を用いて誘電体層を形成し、この誘電体層による電圧降下によって液晶層のリタデーションを制御する構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
さらに近年では、CR(Computed Radiography:コンピュータX線画像法)視野角や輝度視野角、色視野角といったテレビジョン用としての画質項目での性能改善も強く求められている。特に、MVA方式の表示装置では、従来、階調輝度視野角の点でIPS方式の表示装置と比べて劣るなどの問題があり、この問題を回避するために1つの画素電極内に複数の電圧を加えるなどの方法を用いている。そして、画素サイズが大きなテレビジョン用パネルなどでは、1画素内に複数の配向分割領域を設計するため、それぞれの配向分割領域で印加電圧が異なる領域を配置できる。
特開2003−107508号公報
しかしながら、上述したMVA方式の液晶表示装置では、画素サイズが小さい場合に各画素内での光透過率を確保するために、配向分割数をできるだけ少なくするなどの設計変更が必要である。したがって、これら画素内に印加電圧の異なる領域を配置した場合には、印加電圧が高い領域と低い領域とでの配向揺らぎが生じるなどのおそれがあるので、視野角特性やざらつきなどの表示むらが発生してしまうおそれがあるから、表示品位の向上が容易でないという問題を有している。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、表示品位の良い液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、透光性基板、およびこの透光性基板の一主面上にマトリクス状に設けられた複数の画素を備えたアレイ基板と、このアレイ基板の透光性基板の一主面に対向して配設された透光性基板、およびこの透光性基板の一主面上に設けられた対向電極を備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層とを具備し、前記アレイ基板の複数の画素は、第1の電圧印加領域と、この第1の電圧領域を挟んだ前記第1の電圧印加領域の両側に設けられ前記第1の電圧印加領域に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第2の電圧印加領域とを有するものである。
そして、アレイ基板の各画素の第1の電圧領域を挟んだ両側に、この第1の電圧印加領域に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第2の電圧印加領域を設けた。
本発明によれば、第1の電圧印加領域への電圧の印加によって制御される液晶層の動きが、この第1の電圧印加領域の両側に位置する第2の電圧印加領域によって対称となる。このため、複数の画素での印加電圧が高い領域と低い領域との間の配向揺らぎが対称になる。したがって、配向揺らぎによる表示むらや視角の対称性を確保できるので、表示品位を向上できる。
以下、本発明の液晶表示装置の第1の実施の形態の構成を図1ないし図3を参照して説明する。
図1ないし図3において、1は液晶表示装置としての液晶セルで、この液晶セル1は、広視野の半透過型(反透過型)の液晶表示素子である。また、この液晶セル1は、1画素内で複数の電圧を印加するMVA(Multi-domain Vertical Alignment:マルチドメイン垂直配向)方式と呼ばれる広視野角モードを用いた垂直配向型の液晶モードを有する表示装置である。
そして、この液晶セル1は、略矩形平板状のアレイ基板2を備えている。このアレイ基板2は、略透明な矩形平板状のガラス基板3を有している。このガラス基板3は、透光性を有するとともに電気的な絶縁性を有する透明基板としての透光性基板である。そして、このガラス基板3の一主面である表面上には、複数の画素5がマトリクス状に設けられて配置されている。これら複数の画素5のそれぞれは、ガラス基板3の縦方向に沿った長尺状である平面視細長矩形状に形成されている。さらに、これら複数の画素5のそれぞれには、画素電極6、蓄積容量としての画素補助容量である図示しない補助容量および薄膜トランジスタ(TFT)7のそれぞれが1画素構成素子として1つずつ配置されている。
また、このガラス基板3上には、第1の配線としての複数の走査線11が、このガラス基板3の幅方向に沿って配設されている。これら走査線11は、導電性膜にて構成されたゲート電極配線であって、ガラス基板3の横方向に向けて等間隔に平行に離間されている。さらに、このガラス基板3上には、第2の配線としての複数の信号線12が、このガラス基板3の縦方向に沿って配設されている。これら信号線12は、導電性膜にて構成された電極配線としての画像信号配線であって、ガラス基板3の横方向に向けて等間隔に平行に離間されている。そして、これら走査線11および信号線12は、導電性膜をスパッタ法などで成膜した後にパターニングして作成されている。
さらに、これら走査線11および信号線12は、ガラス基板3上に直交して交差して格子状に配線されている。そして、これら走査線11および信号線12にて囲まれた矩形状の各領域に画素5がそれぞれ設けられている。さらに、これら走査線11および信号線12の各交点に対応して、画素電極6、補助容量および薄膜トランジスタ7のそれぞれが各画素5毎に設けられている。
そして、これら画素5の画素電極6は、複数の走査線11および信号線12にて仕切られた矩形状の領域内に設けられている。また、これら画素電極6は、透明なITO(Indium Tin Oxide)にて構成された透過画素電極であり、各画素5内の走査線11および信号線12にて仕切られた矩形状の領域を覆っている。
さらに、これら各画素電極6を含んだガラス基板3上には、ポリイミドの配向処理にて形成された配向膜14が積層されている。この配向膜14は、画素電極6を覆うガラス基板3の表面上に配向手段が施されて構成されている。また、この配向膜14は、垂直配向膜を70nm以上90nm以下の膜厚で塗布して形成された配向処理層である。そして、この配向膜14は、一定の方向に配向処理され、各画素5内の画素電極6、薄膜トランジスタ7、走査線11および信号線12のそれぞれを覆っている。
一方、アレイ基板2に対向してコモン基板としての矩形平板状の対向基板31が配設されている。この対向基板31は、略透明な矩形平板状のガラス基板32を備えている。このガラス基板32は、透光性を有するとともに電気的な絶縁性を有する透明な透明基板としての透光性基板である。そして、このガラス基板32のアレイ基板2に対向した側の一主面である表面には、ITOにて構成されたコモン電極としての共通電極である対向電極34が積層されている。
そして、この対向電極34上には、この対向電極34の表面より突出した凸状の凸構造である第1の誘電体層35が積層されて配置されている。この第1の誘電体層35は、印加電圧を制御するものであって、1.0μm±0.2μm程度の膜厚に形成されている。また、この第1の誘電体層35の誘電体材料としては、既存のアレイ基板1の製造プロセスで処理が可能な絶縁体である感光性アクリルレジストなどが用いられている。なお、この第1の誘電体層35としては、MVA用の配向制御用凸構造材料を用いることによって、配向制御性および省プロセスの観点から好ましい。
また、この第1の誘電体層35は、略一定の膜厚に形成されており、配向安定性の観点から長手方向および幅方向のそれぞれの中心を基準とした点対称な形状に形成されている。さらに、この第1の誘電体層35は、対向基板31をアレイ基板2に対向させた際に、このアレイ基板2の各画素5内の画素電極6の長手方向の中央部に、この画素電極6の幅方向に沿って設けられている。また、この第1の誘電体層35は、アレイ基板2の各画素5の幅寸法に等しい長手寸法を有する平面視細長矩形状であるとともに、これら画素5内の画素電極6の幅方向の全体に亘った平面視細長矩形状に設けられている。
さらに、この第1の誘電体層35は、この第1の誘電体層35の周縁部である周辺部のエッジ形状が、画素電極6の長手方向の中心に対して対称となるように配置されている。したがって、アレイ基板2の各画素5の画素電極6の周縁部である周辺部のエッジ形状もまた、第1の誘電体層35の長手方向の中心に対して対称となるように配置されている。
ここで、対向基板31をアレイ基板2に対向させた状態で、このアレイ基板2の各画素5内の第1の誘電体層35に対向する領域が、光の反射を利用して視認可能な反射方式の表示が可能な反射領域としての反射表示領域21となる。すなわち、この反射表示領域21は、光の反射の有無によって視認可能となる領域である。
したがって、第1の誘電体層35は、アレイ基板2の各画素5内の反射表示領域21に対向して設けられている反射部凸構造としての反射領域絶縁層である。すなわち、この第1の誘電体層35は、アレイ基板2の反射表示領域21に重なる位置に設けられており、対向基板31のガラス基板32の横方向に沿って配線されている。したがって、各画素5内には、これら各画素5内の画素電極6の長手方向の中央部に反射表示領域21が、これら各画素5の幅方向の全体に亘って矩形平板状に配置されて設けられている。
さらに、アレイ基板2の画素電極6の反射表示領域21に対向している部分は、対向基板31の第1の誘電体層35に対向していることにより、この対向基板31の対向電極34との間で常に比較的高い電圧が印加される第1の電圧印加領域としての高電圧部である高電圧領域6aとなる。すなわち、この高電圧領域6aは、画素電極6の長手方向の中央部に、この画素電極6の幅方向に亘って設けられた平面視矩形平板状の領域である。
ここで、この高電圧領域6aは、走査線11の長手方向に沿った複数の金属電極である容量線としての図示しない補助容量(Cs)線上に設けられている。この補助容量線は、ガラス基板3の幅方向に沿って配設されている。すなわち、補助容量線は、走査線11間のガラス基板3の縦方向に沿った略中央部に、これら走査線11に対して平行に離間されて設けられている。そして、これら補助容量線は、各画素5内に設けられている補助容量に電気的に接続されている。さらに、この補助容量線の一主面である表面には、この補助容量線の表面へと入射した光を反射させる反射面が形成されている。
一方、各画素5内の第1の誘電体層35に対向していない領域が、光の透過を利用して視認可能な透過方式の表示が可能な透過領域としての透過表示領域22となる。すなわち、この透過表示領域22は、光の透過の有無によって視認可能となる領域である。
そして、これら透過表示領域22は、各画素5内の反射表示領域21を挟んだ、この反射表示領域21の両側にそれぞれ設けられている。また、これら反射表示領域21および透過表示領域22は、第1の誘電体層35および第2の誘電体層36それぞれの表面が面一であることから、これら反射表示領域21および透過表示領域22でのセルギャップ23,24が等しく形成されている。
よって、液晶セル1は、各画素5内に反射表示領域21と透過表示領域22とのそれぞれが設けられていることにより、これら反射表示領域21および透過表示領域22を有する半透過型(反透過型)である。
さらに、これら各画素5内には、反射表示領域21の画素電極6の長手方向に沿った両側部に透過表示領域22が、これら各画素5の幅方向の全体に亘って矩形平板状に配置されて設けられている。このため、これら画素5内には、反射表示領域21の両側に透過表示領域22が対称的、すなわち線対称に設けられている。
また、対向基板31の対向電極34上には、対向基板31のガラス基板32の縦方向に沿って配線された凸構造である複数の凸状の第2の誘電体層36が積層されて設けられている。この第2の誘電体層36は、アレイ基板2の各画素5内の透過表示領域22に対向して設けられている透過部凸構造としての透過領域絶縁層である。さらに、これら第2の誘電体層36は、例えば1.0μm±0.2μm程度の膜厚に形成され、第1の誘電体層35と同じ層に設けられている。また、これら第2の誘電体層36は、感光性のアクリルレジストにて構成され、第1の誘電体層35と等しい同一材料および同一工程、すなわち同一のプロセスにて同時に形成されている。
すなわち、これら第2の誘電体層36は、第1の誘電体層35を挟んだ、この第1の誘電体層35の両側に設けられている。そして、これら第2の誘電体層36は、対向基板31をアレイ基板2に対向させた際に、このアレイ基板2の透過表示領域22に対向して重なる位置に設けられている。よって、これら第2の誘電体層36は、アレイ基板2の信号線12間の幅方向の中央部に位置するように、このアレイ基板2の縦方向に沿って形成されている。したがって、これら第2の誘電体層36は、アレイ基板2の信号線12間の幅寸法と等しいピッチで対向基板31の対向電極34上に積層されている。また、この第2の誘電体層36は、第1の誘電体層35の長手方向に直交する長手方向を有しており、アレイ基板2の信号線12の幅寸法より若干大きな幅寸法に形成されている。
ここで、アレイ基板2の画素電極6の各透過表示領域22に対向している部分は、対向基板31の第1の誘電体層35でなく第2の誘電体層36に対向していることにより、この対向基板31の対向電極34との間で比較的低い電圧が印加される第2の電圧印加領域としての低電圧部である低電圧領域6bとなる。すなわち、これら低電圧領域6bは、各画素電極6の高電圧領域6aに対向基板31から印加される電圧より低い電圧が印加される。
さらに、これら低電圧領域6bは、画素電極6の長手方向の両側部に、この画素電極6の幅方向に亘って設けられた平面視矩形平板状の領域である。したがって、アレイ基板2の各画素5の画素電極6は、高電圧領域6aを挟んだ、この画素電極6の長手方向に沿った高電圧領域6aの両側に低電圧領域6bが順次設けられている。すなわち、これら画素電極6は、一対の低電圧領域6bの間に高電圧領域6aが設けられて構成されている。
また、この画素電極6は、長手方向および幅方向のそれぞれの中心線を基準とした線対称な形状に形成されている。よって、アレイ基板2の複数の画素5は、これら画素5内で複数の電圧が印加できる構造とされている。したがって、これら画素電極6の高電圧領域6aおよび低電圧領域6bは、対向基板31の第1の誘電体層35および第2の誘電体層36にて形成されている。
一方、対向基板31の第1の誘電体層35、第2の誘電体層36および対向電極34を含むガラス基板32上には、ポリイミドの配向処理にて形成された配向膜38が積層されている。この配向膜38は、第1の誘電体層35、第2の誘電体層36および対向電極34を覆うガラス基板32の表面に配向手段が施されて構成されている。また、この配向膜38は、垂直配向膜を70nm以上90nm以下の膜厚で塗布して形成された配向処理層である。そして、この配向膜38は、一定の方向に配向処理されており、ガラス基板32上の対向電極34、第1の誘電体層35および第2の誘電体層36のそれぞれを覆っている。
さらに、この配向膜38とアレイ基板2の配向膜14とは、これら配向膜14,38間に基板間隙材としての図示しないスペーサを介して所定の間隙、例えば3.65μm±0.3μmとなるように図示しないシール材によって、液晶注入空間である液晶封止領域Aが形成されるように対向して配設されて貼り合わされている。そして、この液晶封止領域Aには、液晶組成物としての液晶分子41が注入されて封止されて光変調層としての液晶層42が形成されている。よって、この液晶層42は、アレイ基板2の配向膜14と対向基板31の配向膜38との間に挟持されて保持されている。ここで、アレイ基板2の各画素5の反射表示領域21および透過表示領域22のそれぞれに対向している液晶層42は、これら各画素5の反射表示領域21および透過表示領域22のそれぞれに対向している対向電極34を介して電圧が印加される。
また、この液晶層42の液晶分子41としては、誘電異方性が負(Nn)の液晶材料が用いられている。したがって、液晶セル1としては、液晶分子41を垂直に配向した垂直配向型の液晶モードが設けられている。さらに、この液晶セル1のアレイ基板2および対向基板31それぞれのガラス基板3,32の他主面である裏面には、矩形平板状の直線偏光板45,46がそれぞれ積層されて貼り付けられている。
この結果、液晶セル1は、各画素5の薄膜トランジスタ7をスイッチングして画素電極6に映像用信号を印加して液晶層42中の液晶分子41の配向を制御することによって、これら各画素5内の画素電極6の反射表示領域21にて反射される光と、これら画素電極6の透過表示領域22を透過する光とのそれぞれを変調することで、所定の画像を視認可能にさせる。
次に、上記第1の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明する。
まず、画素電極6がマトリクス状に配置されたアレイ基板2を作成する。
さらに、このアレイ基板2の画素電極6と対向する位置となるように、感光性アクリルレジストを用いて対向基板31の対向電極34上に第1の誘電体層35および第2の誘電体層36をそれぞれ形成する。
このとき、このアレイ基板2上の画素電極6中の対向基板31の第1の誘電体層35と向かい合う領域が反射表示領域21となる。また同時に、このアレイ基板2上の画素電極6中の対向基板31の第2の誘電体層36に向かい合う領域が透過表示領域22となる。
さらに、これらアレイ基板2および対向基板31それぞれの液晶層42と接する面に垂直配向膜をそれぞれ塗布して配向膜14,38を形成する。
次いで、これらアレイ基板2と対向基板31との間隙を確保しつつスペーサを介してシール材にて貼り合わせる。
この後、これらアレイ基板2と対向基板31との間の液晶封止領域Aに、液晶分子41を充填してから封止して液晶層42を形成する。
さらに、これらアレイ基板2および対向基板31それぞれの裏面に直線偏光板45,46のそれぞれを配置して、1画素5内に反射表示領域21および透過表示領域22のそれぞれを有する半透過型の液晶セル1を形成する。
この結果、この液晶セル1の階調視野角特性および表示品位を確認したところ、図4および図5に示すように、ΔL*の最大値(ΔL*max)が11%となり目標値の10%に略等しいので、IPS(In-Plane Switching:横電界)方式を用いた液晶セル1と同等の階調視野角特性が確認でき、ざらつきなどの表示むらの無い品位であることを確認できた。
ここで、ΔL*とは、225階調を100%とした場合の液晶セル1の最大輝度であって、これら各階調の輝度を規格化したとき、明度L*が視野角によってどれだけ変化するかを示す指標である。したがって、このΔL*が小さいほど、視野角を振ったときの明度変化が少なくなり特性が良いということになる。
これに対し、図14ないし図17に示す一比較例のように、対向基板31の対向電極34上の長手方向の一端部に第1の誘電体層35を形成した液晶セル1の場合には、この液晶セル1の階調視野角特性および表示品位を確認したところ、図16および図17に示すように、ΔL*の最大値が28%となり目標値の10%より明らかに大きいのでので、階調視野角特性の改善が不十分で、ざらつきなどの表示むらが発生していることを確認できた。
すなわち、対向基板31の対向電極34上の長手方向の一端部または他端部のみに第1の誘電体層35を配置させた従来の液晶セル1では、この液晶セル1のアレイ基板2の画素電極6の長手方向の一端部に高電圧領域6aが形成され、この画素電極6の他端部に低電圧領域6bが形成された構成であるから、これら高電圧領域6aおよび低電圧領域6bの周縁部によって制御される液晶分子41の動きが画素5内で非対称となり、配向揺らぎに伴うむらや視野角の非対称性などの問題が生じやすかった。
そこで、上記第1の実施の形態の液晶セル1では、上述のように、アレイ基板2の各画素5内の画素電極6の高電圧領域6aを挟んだ両側に低電圧領域6bをそれぞれ配置させて対称な構成とした。この結果、対向基板31の対向電極34から画素電極6の高電圧領域6aおよび低電圧領域6bへの電圧の印加によって、これら画素電極6の高電圧領域6aおよび低電圧領域6bの周縁部で制御される液晶分子41の動きが、これら低電圧領域6b間に配置された高電圧領域6aの長手方向および幅方向それぞれの中心を基準として対称になる。
したがって、これら複数の画素5内での印加電圧が異なる高電圧領域6aと低電圧領域6bとの間での配向揺らぎが対称になる。よって、これら各画素5それぞれの液晶配向安定性を向上できるとともに、液晶層42中の液晶分子41の印加電圧の高低に基づく配向揺らぎによるざらつき表示むらなどの欠陥や表示不良を回避できるから、視野角の非対称性を回避できる。このため、液晶セル1の各画素5それぞれでの視野角の対称性を確保でき、この液晶セル1の画質全般の特性を向上できる。よって、この液晶セル1の表示品位を向上できるので、広い視野角を有する半透過型の液晶セル1を容易に提供できる。
また、各画素5の画素電極6の高電圧領域6aの両側に低電圧領域6bを設けた構成であることから、MVA方式固有の配向制御用の第2の誘電体層36と、印加電圧制御用の第1の誘電体層35とを、MVA用の第2の誘電体層36と同じ材料で同じプロセスにて形成できる。よって、液晶セル1を製造するためのプロセス数やマスク数といったコストアップや、液晶層42の厚さを制度良く制御するための第1の誘電体層35および第2の誘電体層36の膜厚管理項目を増やす必要がない。したがって、従来のMVAと同程度まで製造工程を減少できるので、従来の製造工程を変更することなく、階調視野角特性の優れた半透過型の液晶セル1を歩留まり良く製造できる。
さらに、対向基板31の対向電極34上の第1の誘電体層35の両側に、この第1の誘電体層35の厚さに等しい第2の誘電体層36をそれぞれ形成した。この結果、各画素電極6の高電圧領域6aでの液晶層42の厚さが、低電圧領域6bでの液晶層42の厚さと略等しくなる。したがって、これら高電圧領域6aおよび低電圧領域6bに対応した反射表示領域21および透過表示領域22それぞれでの液晶層42の厚さが異なることによる、各透過表示領域21での液晶分子41の動きが非対称となることを防止できる。よって、液晶分子41の非対称な動きによる視野角の非対称性や、配向安定性の低下に伴うざらつきなどの表示むらの発生をより確実に防止できるので、液晶セル1の表示品位をより向上できる。
さらに、液晶セル1の液晶表示モードとしては、誘電異方性が負の液晶分子41を垂直に配向した垂直配向型の液晶表示方式が用いられ、特にMVA方式である広視野角モードが採用されている。したがって、MVA方式を用いた垂直配向型の液晶表示モードを有する液晶セル1とすることによって、従来から実用化されているTN(Twist Nematic:ツイストネマティック)方式やIPS方式などに代表される水平配向型の液晶セル1の製造工程、すなわち製造プロセス中のラビング処理を不要にできる。したがって、この液晶セル1を製造する際のラビング処理工程でのごみの発生や、ラビングむらなどの不良を回避できるので、この液晶セル1の生産性を向上できるから、視野角特性の優れた半透過型の液晶セル1を歩留まり良く製造できる。
また、MVA方式は、液晶層42中の液晶分子41の傾斜方向を、対向基板31の対向電極34上に形成した第1の誘電体層35や、この対向電極34の切り欠き部である外周縁(fringe-field:フリンジフィールド)で制御している。したがって、上述のように対向基板31の第1の誘電体層35の両側に第2の誘電体層36をそれぞれ形成したことにより、これら第1の誘電体層35および第2の誘電体層36にて液晶分子41の傾斜方向を制御できる。このとき、感光性レジストを用いたパターンにて第1の誘電体層35および第2の誘電体層36を構成することによって、アレイ基板2の各画素5内の液晶分子41の傾斜方向を任意の方向に制御できる。
また、液晶セル1の各画素5の画素電極6の高電圧領域6aの構造としては、この画素電極6の周縁部であるエッジ部による液晶分子41の動きに整合させることが重要である。このため、これら画素電極6の外周部のエッジ形状と、第1の誘電体層35の周辺部であるエッジ形状とが、高電圧領域6aの長手方向の中心に対して対称的に配置させると良い。すなわち、この高電圧領域6aを画素電極6の長手方向の中心に設けることが最も好ましい配置状態となる。ただし、実用上においては、高電圧領域6aの両側に低電圧領域6bが配置されていれば良い。
なお、上記第1の実施の形態では、対向基板31の対向電極34上の第1の誘電体層35を略膜厚の等しい平坦な平面視矩形状に形成したが、図6ないし図8に示す第2の実施の形態のように、この第1の誘電体層35を平面視で凹凸状に形成することもできる。ここで、この第1の誘電体層35および第2の誘電体層36のそれぞれは、例えば1.5μm±0.2μmの厚さに形成されている。
そして、この第1の誘電体層35は、平面視略矩形状に形成されており、この第1の誘電体層35の表面には、細長溝状の溝部51が複数形成されている。これら溝部51は、液晶層42に印加される電圧と液晶分子41の傾斜方向とを制御する目的に設けられており、例えば8μm±2μmのピッチで凹凸構造に形成されている。具体的に、これら溝部51は、第1の誘電体層35の幅方向の中央部から、この第1の誘電体層35の長手方向に沿って形成された第1の溝部52を有している。また、これら溝部51は、第1の誘電体層35の長手方向の中央部から、この第1の誘電体層35の幅方向に沿って形成された第2の溝部53を有している。
さらに、これら溝部51は、第1の溝部52および第2の溝部53にて4分の1に仕切られた第1の誘電体層35の各領域を、これら第1の溝部52および第2の溝部53それぞれの端部をつなぐ対角線に沿って平行に離間されて形成された第3の溝部54を備えている。これら第3の溝部54は、第1の溝部52および第2の溝部53それぞれの長手方向に対して約45度の角度に傾斜した方向に沿った長手方向を有している。さらに、これら第3の溝部54は、これら第3の溝部54が設けられている第1の誘電体層35内の領域から第1の溝部52を介して隣接する領域の一部に跨がって形成されている。すなわち、これら第3の溝部54は、第1の溝部52に交差して形成されている。
そして、液晶セル1のアレイ基板2と対向基板31とは、これらアレイ基板2と対向基板31との間の間隙が、3.5μm±0.3μmとなるようにスペーサを介してシール材にて貼り合わされている。
この結果、この液晶セル1の階調視野角特性および表示品位を確認したところ、図7および図8に示すように、ΔL*の最大値が11%となり目標値の10%に略等しいので、IPS方式を用いた液晶セル1と同等の階調視野角特性が確認でき、ざらつきなどの表示むらの無い品位であることを確認できたので、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、第1の誘電体層35にて印加電圧を微妙に制御するために、従来は第1の誘電体層35を対向基板31側に埋め込むなどしていたが、上述した第2の実施の形態の液晶セル1のように、第1の誘電体層35の表面に溝部51を設けて微細な凹凸形状を形成することによって、この第1の誘電体層35の見掛け上の厚さを制御できるとともに、液晶分子41の極角である傾斜方向と、これら液晶分子41の方位角である面内方向とのそれぞれを同時に制御できる。
ここで、この第1の誘電体層35の溝部51としては、配向均一性を向上する観点から、例えば3μm以上15μm以下の微細な周期に形成することが好ましいが、液晶層42に印加される電圧の調整や透過率、画質などのバランスの観点から、これら溝部51の周期をより広くしたり狭くしたりすることもできる。
さらに、図9ないし図13に示す第3の実施の形態のように、アレイ基板2の画素電極6の長手方向の中央部に、この画素電極6を幅方向に沿って分断する欠落部56を設けて、この欠落部56上である画素電極6上に第1の誘電体層35を形成するとともに、対向基板31の対向電極34上の画素電極6に対向する部分に第2の誘電体層36を形成する構成とすることもできる。ここで、これら第1の誘電体層35および第2の誘電体層36のそれぞれは、例えば1.0μm±0.2μm程度の膜厚に形成されている。
そして、欠落部56は、画素電極6の幅方向に沿って設けられており、この画素電極6を長手方向の中央部にて分割するよう設けられている。さらに、この欠落部56を跨ぐように画素電極6の長手方向の中央部に、この画素電極6の幅方向に亘って第1の誘電体層35が積層されている。さらに、この第1の誘電体層35は、画素電極6の長手方向の略2分の1の領域を覆っている。したがって、この第1の誘電体層35にて覆われている画素電極6の部分が高電圧領域6aとなる。よって、この高電圧領域6aは、欠落部56を中心とした画素電極6の長手方向の中央部に設けられている。
また、この第1の誘電体層35にて覆われていない画素電極6の部分が低電圧領域6bとなる。したがって、この低電圧領域6bは、高電圧領域6bを挟んだ画素電極6の長手方向の両側にそれぞれ設けられている。さらに、第2の誘電体層36は、対向電極34の各画素5に対向する領域の幅方向の中央部に、これら各画素5に対向する領域の長手方向に沿って平面視細長棒状に形成されている。また、この第2の誘電体層36は、対向電極34の各画素5に対向する領域の長手方向の全体に亘って設けられている。
この結果、液晶セル1の階調視野角特性および表示品位を確認したところ、図12および図13に示すように、ΔL*の最大値が11%となり目標値の10%に略等しいので、IPS方式を用いた液晶セル1と同等の階調視野角特性が確認でき、ざらつきなどの表示むらの無い品位であることを確認できたので、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。この場合、画素電極6の長手方向の中央部に欠落部56を設けたことにより、この画素電極6の長手方向の配向がさらに安定するので、液晶セル1の配向安定性をさらに向上できる。
なお、上記各実施の形態では、アレイ基板2の各画素5の画素電極6の長手方向の中央部に高電圧領域6aを設けて、この高電圧領域6aの長手方向の両側に低電圧領域6bを設けた構成としたが、これら画素電極6の長手方向の中央部に低電圧領域6bを設けて、この低電圧領域6bの長手方向の両側に高電圧領域6aを順次設けた構成としても、上記各実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
このとき、これら画素電極6の長手方向の中央部に低電圧領域6bを設けた設計であり、かつアレイ基板2の画素電極6上に第1の誘電体層35を形成した構成の場合には、画素電極6の長手方向の中央部に欠落部56を設けることによって、この画素電極6の長手方向の配向がより安定するので、液晶セル1の配向安定性をより向上できる。
また、各画素5内の画素電極6を薄膜トランジスタ7にて制御する構成としたが、例えば薄膜ダイオードなどの薄膜トランジスタ7以外のスイッチング素子で画素電極6を制御する構成とすることもできる。さらに、アクティブマトリクス型の液晶セル1以外の、単純マトリクス型の液晶セル1であっても、対応させて用いることができる。
1 液晶表示装置としての液晶セル
2 アレイ基板
3 透光性基板としてのガラス基板
5 画素
6a 第1の電圧印加領域である高電圧領域
6b 第2の電圧印加領域である低電圧領域
31 対向基板
32 透光性基板としてのガラス基板
34 対向電極
35 誘電体層としての第1の誘電体層
42 液晶層
2 アレイ基板
3 透光性基板としてのガラス基板
5 画素
6a 第1の電圧印加領域である高電圧領域
6b 第2の電圧印加領域である低電圧領域
31 対向基板
32 透光性基板としてのガラス基板
34 対向電極
35 誘電体層としての第1の誘電体層
42 液晶層
Claims (5)
- 透光性基板、およびこの透光性基板の一主面上にマトリクス状に設けられた複数の画素を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板の透光性基板の一主面に対向して配設された透光性基板、およびこの透光性基板の一主面上に設けられた対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層とを具備し、
前記アレイ基板の複数の画素は、第1の電圧印加領域と、この第1の電圧領域を挟んだ前記第1の電圧印加領域の両側に設けられ前記第1の電圧印加領域に印加される電圧とは異なる電圧が印加される第2の電圧印加領域とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の電圧印加領域は、第2の電圧印加領域に印加される電圧より高い電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 第1の電圧印加領域は、第2の電圧印加領域に印加される電圧より低い電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - アレイ基板および対向基板のいずれか一方の透光性基板の一主面上に設けられた誘電体層を具備し、
第1の電圧印加領域は、前記誘電体層に対向する位置に設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の液晶表示装置。 - 複数の画素は、それぞれ長尺状に設けられ、
第1の電圧印加領域は、前記画素の長手方向の中央部に設けられ、
第2の電圧印加領域は、前記長手方向に沿った前記第1の電圧印加領域の両側に設けられている
ことを特徴とした請求項1ないし4いずれか記載の液晶表示装置。
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