JP2003156731A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003156731A JP2003156731A JP2001398317A JP2001398317A JP2003156731A JP 2003156731 A JP2003156731 A JP 2003156731A JP 2001398317 A JP2001398317 A JP 2001398317A JP 2001398317 A JP2001398317 A JP 2001398317A JP 2003156731 A JP2003156731 A JP 2003156731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
- G02F1/133757—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle with different alignment orientations
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/30—Gray scale
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低階調における応答速度の遅延を改善して中
間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等の動画
性能を有する信頼性の高い画像表示を実現する。 【解決手段】 画素電極５に帯状部位を中心とした左右
対称の微細な櫛歯状にパターン形成された微細電極パタ
ーン２１が等間隔に形成され、更にこれを覆うように帯
状の誘電体層２２が表示画素内に等間隔でパターン形成
される。誘電体層２２及びこれを補完する微細電極パタ
ーン２１の存在により、その形成部位が高閾値領域２３
となり、相対的に誘電体層２２の存在しない低閾値領域
２４が形成される。
間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等の動画
性能を有する信頼性の高い画像表示を実現する。 【解決手段】 画素電極５に帯状部位を中心とした左右
対称の微細な櫛歯状にパターン形成された微細電極パタ
ーン２１が等間隔に形成され、更にこれを覆うように帯
状の誘電体層２２が表示画素内に等間隔でパターン形成
される。誘電体層２２及びこれを補完する微細電極パタ
ーン２１の存在により、その形成部位が高閾値領域２３
となり、相対的に誘電体層２２の存在しない低閾値領域
２４が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極を有する一対
の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置及びその
製造方法に関し、特に、負の誘電率異方性を有する液晶
を用い、基板上に設けた構造物やスリットによって液晶
配向を制御する液晶表示装置を主な対象とする。
の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置及びその
製造方法に関し、特に、負の誘電率異方性を有する液晶
を用い、基板上に設けた構造物やスリットによって液晶
配向を制御する液晶表示装置を主な対象とする。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイの中で、現
在最も多用途に利用されているのが液晶表示装置（Liqu
id Crystal Display：ＬＣＤ）である。パーソナルコン
ピュータ（ＰＣ）やワードプロセッサ、ＯＡ機器、携帯
電話はもちろんのこと、最近では大画面テレビ、或いは
ＡＶパソコンと呼ばれるようなＰＣとＴＶが融合した製
品などへの応用まで期待されるようになってきた、ＬＣ
Ｄの表示品質は近年において格段の進歩を遂げ、正面で
のコントラスト及び色再現についてはＣＲＴと対等以上
にまで到達しており、特に、ＰＣ用モニターとしては十
分なスペックを有するに至っている。
在最も多用途に利用されているのが液晶表示装置（Liqu
id Crystal Display：ＬＣＤ）である。パーソナルコン
ピュータ（ＰＣ）やワードプロセッサ、ＯＡ機器、携帯
電話はもちろんのこと、最近では大画面テレビ、或いは
ＡＶパソコンと呼ばれるようなＰＣとＴＶが融合した製
品などへの応用まで期待されるようになってきた、ＬＣ
Ｄの表示品質は近年において格段の進歩を遂げ、正面で
のコントラスト及び色再現についてはＣＲＴと対等以上
にまで到達しており、特に、ＰＣ用モニターとしては十
分なスペックを有するに至っている。
【０００３】ＬＣＤは、正面でのコントラスト及び色再
現に優れる反面、視野角、動画性能（応答特性）につい
ては依然として大きな課題を残している。そこで、液晶
ディスプレイの視角特性改善の見地から、いわゆるＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）方式の液晶表
示モードが着目されている。ＭＶＡ方式とは、基板上に
設けた構造物やスリットを利用して垂直配向型液晶の配
向分割を行う方式である。具体的には、帯状の構造物ま
たは電極の抜き（スリット）を上下基板表面に互い違い
に配置することにより、構造物やスリットを境界として
配向方位がほぼ１８０°異なるような液晶ドメインを形
成して配向分割を実現する。このＭＶＡ方式により液晶
表示装置の視角特性が大きく改善された。
現に優れる反面、視野角、動画性能（応答特性）につい
ては依然として大きな課題を残している。そこで、液晶
ディスプレイの視角特性改善の見地から、いわゆるＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）方式の液晶表
示モードが着目されている。ＭＶＡ方式とは、基板上に
設けた構造物やスリットを利用して垂直配向型液晶の配
向分割を行う方式である。具体的には、帯状の構造物ま
たは電極の抜き（スリット）を上下基板表面に互い違い
に配置することにより、構造物やスリットを境界として
配向方位がほぼ１８０°異なるような液晶ドメインを形
成して配向分割を実現する。このＭＶＡ方式により液晶
表示装置の視角特性が大きく改善された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＭＶＡ方式は、視野角
の広さから高画質液晶モードの代表格と見なされてお
り、実際、ＰＣ用モニタとして必要な性能を殆ど満たし
ている。しかしながら、ＴＶやＡＶ用ＰＣヘの応用を考
えた場合、黒から暗いグレーへの中間調応答が遅いとい
う問題がある。
の広さから高画質液晶モードの代表格と見なされてお
り、実際、ＰＣ用モニタとして必要な性能を殆ど満たし
ている。しかしながら、ＴＶやＡＶ用ＰＣヘの応用を考
えた場合、黒から暗いグレーへの中間調応答が遅いとい
う問題がある。
【０００５】ＭＶＡ方式では、電圧無印加時に液晶が垂
直に配向している。従って、傾斜初期（黒→低階調時）
は液晶の回転速度が非常に遅くなる。この低階調におけ
る応答速度の遅延はＭＶＡ方式の基本的構成に係わる問
題であり、宿命的とも言える欠点である。
直に配向している。従って、傾斜初期（黒→低階調時）
は液晶の回転速度が非常に遅くなる。この低階調におけ
る応答速度の遅延はＭＶＡ方式の基本的構成に係わる問
題であり、宿命的とも言える欠点である。
【０００６】そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、低階調における応答速度の遅延を改善し
て中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴと比較しても
違和感なく使用できる動画性能を有する信頼性の高い画
像表示を実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
たものであり、低階調における応答速度の遅延を改善し
て中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴと比較しても
違和感なく使用できる動画性能を有する信頼性の高い画
像表示を実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】本発明は、電極を有する一対の基板間に液
晶層を挟持してなる液晶表示装置を対象としている。
晶層を挟持してなる液晶表示装置を対象としている。
【０００９】本発明の液晶表示装置は、表示画素内に閾
値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾値電圧が
調節され、所望の階調表示特性に制御されてなることを
特徴とする。
値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾値電圧が
調節され、所望の階調表示特性に制御されてなることを
特徴とする。
【００１０】本発明の液晶表示装置の他の態様は、前記
液晶配向膜の配向制御により、表示画素内に閾値電圧の
異なる領域が形成されており、前記閾値電圧が調節さ
れ、所望の階調表示特性に制御されてなることを特徴と
する。
液晶配向膜の配向制御により、表示画素内に閾値電圧の
異なる領域が形成されており、前記閾値電圧が調節さ
れ、所望の階調表示特性に制御されてなることを特徴と
する。
【００１１】本発明の液晶表示装置の他の態様は、その
表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以
上の領域に分割されるとともに、前記距離の相違を補う
膜厚の絶縁体が前記電極上に設けられてなることを特徴
とする。
表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以
上の領域に分割されるとともに、前記距離の相違を補う
膜厚の絶縁体が前記電極上に設けられてなることを特徴
とする。
【００１２】本発明の液晶表示装置の他の態様は、その
表示画素が、容量結合により静電容量の異なる２つ以上
の領域に分割されており、駆動電圧の印加時に、前記各
領域に静電容量に応じた電圧がそれぞれ印加されること
を特徴とする。
表示画素が、容量結合により静電容量の異なる２つ以上
の領域に分割されており、駆動電圧の印加時に、前記各
領域に静電容量に応じた電圧がそれぞれ印加されること
を特徴とする。
【００１３】本発明の液晶表示装置の他の態様は、前記
電極の所定部位に複数の微細な透孔が形成されており、
当該部位に対応して表示画素が異なる２つ以上の領域に
分割されていることを特徴とする。
電極の所定部位に複数の微細な透孔が形成されており、
当該部位に対応して表示画素が異なる２つ以上の領域に
分割されていることを特徴とする。
【００１４】本発明の液晶表示装置の他の態様は、その
表示画素内において、少なくとも一方の前記基板上に、
前記電極の一部を露出させる絶縁構造物が設けられ、前
記絶縁構造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる
領域が形成されており、前記閾値電圧が調節され、所望
の階調表示特性に制御されてなることを特徴とする。
表示画素内において、少なくとも一方の前記基板上に、
前記電極の一部を露出させる絶縁構造物が設けられ、前
記絶縁構造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる
領域が形成されており、前記閾値電圧が調節され、所望
の階調表示特性に制御されてなることを特徴とする。
【００１５】本発明の液晶表示装置の他の態様は、一方
の前記基板に表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成
され、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示特性に
制御されるとともに、他方の前記基板に帯状の土手状突
起が複数形成されており、前記土手状突起は、その幅及
び高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成
されていることを特徴とする。
の前記基板に表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成
され、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示特性に
制御されるとともに、他方の前記基板に帯状の土手状突
起が複数形成されており、前記土手状突起は、その幅及
び高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成
されていることを特徴とする。
【００１６】本発明の液晶表示装置の他の態様は、表示
画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の
領域に分割されるように、一方の前記基板上に部分的に
絶縁部材が設けられ、所望の階調表示特性に制御されて
なるものである。
画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の
領域に分割されるように、一方の前記基板上に部分的に
絶縁部材が設けられ、所望の階調表示特性に制御されて
なるものである。
【００１７】また、本発明は、上記構成の液晶表示装置
の製造方法もその対象とする。
の製造方法もその対象とする。
【００１８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１
の電極及び薄膜トランジスタが形成されてなる第１の基
板と、第２の電極が形成されてなる第２の基板とが液晶
配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製
造方法であって、前記第１の基板上に絶縁膜を介して透
明導電膜を形成し、前記透明導電膜を加工して、前記第
1の電極と共に周辺接続配線を形成し、前記薄膜トラン
ジスタを構成するゲートバスラインとドレインバスライ
ンとを前記周辺接続配線により接続する。
の電極及び薄膜トランジスタが形成されてなる第１の基
板と、第２の電極が形成されてなる第２の基板とが液晶
配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製
造方法であって、前記第１の基板上に絶縁膜を介して透
明導電膜を形成し、前記透明導電膜を加工して、前記第
1の電極と共に周辺接続配線を形成し、前記薄膜トラン
ジスタを構成するゲートバスラインとドレインバスライ
ンとを前記周辺接続配線により接続する。
【００１９】本発明の液晶表示装置の製造方法の他の態
様は、第１の電極及び薄膜トランジスタが形成されてな
る第１の基板と、第２の電極が形成されてなる第２の基
板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを構
成するゲート絶縁膜を形成する際に、同一材料を用いて
当該ゲート絶縁膜と共に前記第１の電極上に所望の階調
表示特性に制御するための所定形状の絶縁部材を形成す
る。
様は、第１の電極及び薄膜トランジスタが形成されてな
る第１の基板と、第２の電極が形成されてなる第２の基
板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを構
成するゲート絶縁膜を形成する際に、同一材料を用いて
当該ゲート絶縁膜と共に前記第１の電極上に所望の階調
表示特性に制御するための所定形状の絶縁部材を形成す
る。
【００２０】本発明の液晶表示装置の製造方法の他の態
様は、第１の電極及び薄膜トランジスタが形成されてな
る第１の基板と、第２の電極が形成されてなる第２の基
板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法であって、前記第１の基板上に絶縁膜
を介して透明導電膜を形成し、前記透明導電膜を加工し
て、前記第1の電極と共に周辺接続配線を形成し、前記
薄膜トランジスタを構成するゲートバスラインとドレイ
ンバスラインとを前記周辺接続配線により接続するとと
もに、前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を
形成する際に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共
に前記第１の電極上に所望の階調表示特性に制御するた
めの所定形状の絶縁部材を形成する。
様は、第１の電極及び薄膜トランジスタが形成されてな
る第１の基板と、第２の電極が形成されてなる第２の基
板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表
示装置の製造方法であって、前記第１の基板上に絶縁膜
を介して透明導電膜を形成し、前記透明導電膜を加工し
て、前記第1の電極と共に周辺接続配線を形成し、前記
薄膜トランジスタを構成するゲートバスラインとドレイ
ンバスラインとを前記周辺接続配線により接続するとと
もに、前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を
形成する際に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共
に前記第１の電極上に所望の階調表示特性に制御するた
めの所定形状の絶縁部材を形成する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な諸
実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【００２２】（第１の実施形態）先ず、本発明の第１の
実施形態について説明する。本実施形態では、ＭＶＡ方
式の液晶表示装置を例示する。
実施形態について説明する。本実施形態では、ＭＶＡ方
式の液晶表示装置を例示する。
【００２３】−液晶表示装置の概略構成−
図１は、本発明の液晶表示装置の概略的な主要構成を示
す断面図である。この液晶表示装置は、所定間隔をあけ
て対向する一対の透明ガラス基板１，２と、これら透明
ガラス基板間に狭持される液晶層３とを備えて構成され
ている。
す断面図である。この液晶表示装置は、所定間隔をあけ
て対向する一対の透明ガラス基板１，２と、これら透明
ガラス基板間に狭持される液晶層３とを備えて構成され
ている。
【００２４】一方の透明ガラス基板１上には、絶縁層４
を介して複数のＩＴＯ画素電極５が形成され、ＩＴＯ画
素電極５を覆うように透明の液晶配向膜６ａが形成され
ており、他方の透明ガラス基板２上には、カラーフィル
ター７、ＩＴＯ共通電極８及び液晶配向膜６ｂが順次積
層されている。そして、液晶層３を狭持するように液晶
配向膜（垂直配向膜）６ａ，６ｂが突き合わせられてガ
ラス基板１，２が固定され、各基板１，２の外側に偏光
子９，１０が設けられる。ＩＴＯ画素電極５はアクティ
ブマトリクスと共に形成され、図示の例ではアクティブ
マトリクスのデータバスライン１１が示されている。な
お、電極は一方の基板のみに設けられることもある（例
えば、ＩＰＳモードの場合）。
を介して複数のＩＴＯ画素電極５が形成され、ＩＴＯ画
素電極５を覆うように透明の液晶配向膜６ａが形成され
ており、他方の透明ガラス基板２上には、カラーフィル
ター７、ＩＴＯ共通電極８及び液晶配向膜６ｂが順次積
層されている。そして、液晶層３を狭持するように液晶
配向膜（垂直配向膜）６ａ，６ｂが突き合わせられてガ
ラス基板１，２が固定され、各基板１，２の外側に偏光
子９，１０が設けられる。ＩＴＯ画素電極５はアクティ
ブマトリクスと共に形成され、図示の例ではアクティブ
マトリクスのデータバスライン１１が示されている。な
お、電極は一方の基板のみに設けられることもある（例
えば、ＩＰＳモードの場合）。
【００２５】液晶層３は、誘電率異方性が負の液晶から
なり、電圧の無印加時には液晶分子がほぼ垂直に配向
し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に配向す
る、いわゆるＶＡモード（Vertically Aligned Mode）
とされている。
なり、電圧の無印加時には液晶分子がほぼ垂直に配向
し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に配向す
る、いわゆるＶＡモード（Vertically Aligned Mode）
とされている。
【００２６】−本実施形態の原理的説明−
本実施形態では、表示画素内に閾値電圧の異なる領域、
即ち低閾値領域と高閾値領域とを形成し、閾値電圧を低
閾値領域で高速応答するように調節することにより、所
望の階調表示特性、即ち各階調で応答速度を平均化して
一定となるように制御する。
即ち低閾値領域と高閾値領域とを形成し、閾値電圧を低
閾値領域で高速応答するように調節することにより、所
望の階調表示特性、即ち各階調で応答速度を平均化して
一定となるように制御する。
【００２７】図２は、本実施形態の原理を説明するため
の透過率と応答時間との関係を示す特性図である。ＶＡ
モードの液晶表示装置では、電圧無印加時に液晶がほぼ
垂直に配向することから、実線Ｉのように本質的に低階
調における応答速度の遅延が生じる。理想的には、例え
ば図３に示すような階調バーが移動する画面を想定した
場合、移動による残像がなく動体の形状が正しく表示さ
れること、即ち図２中理想状態として示す実線ＩＩのよ
うに、応答速度が階調によらず一定となれば良い。
の透過率と応答時間との関係を示す特性図である。ＶＡ
モードの液晶表示装置では、電圧無印加時に液晶がほぼ
垂直に配向することから、実線Ｉのように本質的に低階
調における応答速度の遅延が生じる。理想的には、例え
ば図３に示すような階調バーが移動する画面を想定した
場合、移動による残像がなく動体の形状が正しく表示さ
れること、即ち図２中理想状態として示す実線ＩＩのよ
うに、応答速度が階調によらず一定となれば良い。
【００２８】しかしながら、例えばセル厚を薄くするな
どの一般的な手法により、全ての階調にわたって全体的
に応答速度を向上させても、上記したＶＡモードの本質
的構造により、破線Ｉのように実線Ｉとほぼ同一形状で
全体的に応答時間が短縮されるだけであり、同様に低階
調では高階調に比して応答速度が遅く、実線ＩＩの如き
階調に依存しない応答速度を得ることはできない（低階
調では高階調に比して応答が遅い。）。
どの一般的な手法により、全ての階調にわたって全体的
に応答速度を向上させても、上記したＶＡモードの本質
的構造により、破線Ｉのように実線Ｉとほぼ同一形状で
全体的に応答時間が短縮されるだけであり、同様に低階
調では高階調に比して応答速度が遅く、実線ＩＩの如き
階調に依存しない応答速度を得ることはできない（低階
調では高階調に比して応答が遅い。）。
【００２９】本実施形態では、低階調の応答速度の向上
を目的とし、以下のポイントを基本的骨子とする。 （１）表示する階調に応じて表示画素の点灯する面積を
変化させる（明るい表示ではより広い面積を点灯させ、
暗い表示ではより狭い面積を点灯させる。 （２）ある階調を表示させた場合、より低階調で動作し
ていた領域と、追加で点灯した領域の動作とを平均化さ
せる。
を目的とし、以下のポイントを基本的骨子とする。 （１）表示する階調に応じて表示画素の点灯する面積を
変化させる（明るい表示ではより広い面積を点灯させ、
暗い表示ではより狭い面積を点灯させる。 （２）ある階調を表示させた場合、より低階調で動作し
ていた領域と、追加で点灯した領域の動作とを平均化さ
せる。
【００３０】即ち、表示領域を低閾値領域と高閾値領域
とに分割し、低閾値領域で応答速度を高速化させること
（部分応答）により、破線ＩＩのように高閾値領域では
実線Ｉと同様の高速応答を保ちつつ、低閾値領域のみで
応答速度が向上し、全体として理想的な実線ＩＩに近い
ほぼ平均的な応答速度が得られることになる。実際、階
調間における応答時間の最大格差を１．５〜３倍程度以
内に抑えることで、ＶＡ液晶の動画表示性能を大幅に向
上させることが可能となる。
とに分割し、低閾値領域で応答速度を高速化させること
（部分応答）により、破線ＩＩのように高閾値領域では
実線Ｉと同様の高速応答を保ちつつ、低閾値領域のみで
応答速度が向上し、全体として理想的な実線ＩＩに近い
ほぼ平均的な応答速度が得られることになる。実際、階
調間における応答時間の最大格差を１．５〜３倍程度以
内に抑えることで、ＶＡ液晶の動画表示性能を大幅に向
上させることが可能となる。
【００３１】−具体的な実施例−
以下、上述の部分応答原理を踏まえ、部分応答を実現す
る具体的な諸実施例を説明する。
る具体的な諸実施例を説明する。
【００３２】［実施例１］図４は、実施例１の液晶表示
装置における主要構成を示す概略図である。ここで、
（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。本例では、図
示のように、透明ガラス基板１の画素電極５に帯状部位
を中心とした左右対称の微細な櫛歯状にパターン形成さ
れた微細電極パターン２１が等間隔に形成され、更に画
素電極５上の微細電極パターン２１を覆うように帯状の
誘電体層２２が表示画素内に等間隔でパターン形成され
ている。更に図示は省略するが、これら誘電体層２２を
覆うように配向膜６ａが形成されている。誘電体層２２
及びこれを補完する微細電極パターン２１の存在によ
り、その形成部位が高閾値領域２３となり、相対的に誘
電体層２２の存在しない低閾値領域２４が形成される。
この構造により、低階調では誘電体層２２の存在しない
低閾値領域２４の方が閾値が低いために低閾値領域２４
のみが動作し、前記部分応答が実現することになる。
装置における主要構成を示す概略図である。ここで、
（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。本例では、図
示のように、透明ガラス基板１の画素電極５に帯状部位
を中心とした左右対称の微細な櫛歯状にパターン形成さ
れた微細電極パターン２１が等間隔に形成され、更に画
素電極５上の微細電極パターン２１を覆うように帯状の
誘電体層２２が表示画素内に等間隔でパターン形成され
ている。更に図示は省略するが、これら誘電体層２２を
覆うように配向膜６ａが形成されている。誘電体層２２
及びこれを補完する微細電極パターン２１の存在によ
り、その形成部位が高閾値領域２３となり、相対的に誘
電体層２２の存在しない低閾値領域２４が形成される。
この構造により、低階調では誘電体層２２の存在しない
低閾値領域２４の方が閾値が低いために低閾値領域２４
のみが動作し、前記部分応答が実現することになる。
【００３３】前記部分応答を実現するにあたり、先ず、
図４の構造で動作を確認した。微細電極パターン２１上
に膜厚０．５μｍ程度の誘電体層２２（シプレイ社製フ
ォトレジストＳ１８０８）を部分的に設けた。誘電体層
２２の存在する領域では閾値電圧が高くなり、誘電体層
２２の無い領域では通常の閾値で動作する。
図４の構造で動作を確認した。微細電極パターン２１上
に膜厚０．５μｍ程度の誘電体層２２（シプレイ社製フ
ォトレジストＳ１８０８）を部分的に設けた。誘電体層
２２の存在する領域では閾値電圧が高くなり、誘電体層
２２の無い領域では通常の閾値で動作する。
【００３４】図５は、実施例１の構造における液晶配向
状態を示す顕微鏡写真である。３．０Ｖの電圧印加では
非誘電体領域のみ動作しており、前記部分応答が実現さ
れていることが分かる（図５（ａ））。３．５〜４．０
Ｖでは、非誘電体部及び非微細スリット部（微細電極パ
ターン２１の存しない部位）が動作し、微細電極パター
ン２１上の領域では動作しない（図５（ｂ），
（ｃ））。５Ｖ以上印加することではじめて全体が動作
する（図５（ｄ）〜（ｆ））。
状態を示す顕微鏡写真である。３．０Ｖの電圧印加では
非誘電体領域のみ動作しており、前記部分応答が実現さ
れていることが分かる（図５（ａ））。３．５〜４．０
Ｖでは、非誘電体部及び非微細スリット部（微細電極パ
ターン２１の存しない部位）が動作し、微細電極パター
ン２１上の領域では動作しない（図５（ｂ），
（ｃ））。５Ｖ以上印加することではじめて全体が動作
する（図５（ｄ）〜（ｆ））。
【００３５】図６は部分応答の効果と誘電体膜厚の依存
性を調べた結果を示す特性図、図７は３．０Ｖ印加時に
おける誘電体膜厚と部分応答との関係を示す顕微鏡写真
である。図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、ある程度安
定して効果を得るためには誘電体層２２の膜厚で０．５
μｍ以上が必要であった。膜厚０．５μｍでは０％→
２．５％階調間の応答が３８ｍｓ（従来のＭＶＡ方式は
１８０ｍｓ）、０．７μｍでは３０ｍｓにまで改善され
た。黒→白（０％→１００％階調）間応答は各膜厚条件
ともに約１５ｍｓ（従来のＭＶＡ方式でも１５ｍｓ）で
あった。部分応答は高階調応答改善には寄与しないが、
低階調応答改善効果が非常に大きいこと、即ち、階調間
の応答平均化に有効な手段であることが確認できた。
性を調べた結果を示す特性図、図７は３．０Ｖ印加時に
おける誘電体膜厚と部分応答との関係を示す顕微鏡写真
である。図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、ある程度安
定して効果を得るためには誘電体層２２の膜厚で０．５
μｍ以上が必要であった。膜厚０．５μｍでは０％→
２．５％階調間の応答が３８ｍｓ（従来のＭＶＡ方式は
１８０ｍｓ）、０．７μｍでは３０ｍｓにまで改善され
た。黒→白（０％→１００％階調）間応答は各膜厚条件
ともに約１５ｍｓ（従来のＭＶＡ方式でも１５ｍｓ）で
あった。部分応答は高階調応答改善には寄与しないが、
低階調応答改善効果が非常に大きいこと、即ち、階調間
の応答平均化に有効な手段であることが確認できた。
【００３６】［実施例２］図８は、実施例２の液晶表示
装置における主要構成を示す概略図であり、（ａ）が平
面図、（ｂ）が断面図である。実施例１では、透明ガラ
ス基板１において、スリット２１の形成された画素電極
５上に誘電体層２２を設けた場合について示したが、本
例では、プロセスの負担低減のために、微細電極パター
ン２１の形成を省き、幅１０μｍ程度の帯状スリット２
５のみを形成した画素電極５上に誘電体層２２を設けた
構造を作製し、実施例１と同様に、部分応答の効果と誘
電体膜厚の依存性を調べた。
装置における主要構成を示す概略図であり、（ａ）が平
面図、（ｂ）が断面図である。実施例１では、透明ガラ
ス基板１において、スリット２１の形成された画素電極
５上に誘電体層２２を設けた場合について示したが、本
例では、プロセスの負担低減のために、微細電極パター
ン２１の形成を省き、幅１０μｍ程度の帯状スリット２
５のみを形成した画素電極５上に誘電体層２２を設けた
構造を作製し、実施例１と同様に、部分応答の効果と誘
電体膜厚の依存性を調べた。
【００３７】図９は、実施例２の構造における液晶配向
状態を示す顕微鏡写真である。図示のように、３．０Ｖ
の電圧印加時における配向を観察すると部分応答が認め
られた。しかしながら、注意深く観察すると非誘電体領
域の液晶も微妙に動作していることが分かった。これ
は、微細電極パターン２１が無くなり帯状スリット２５
のみとなったことにより、液晶層３に加わる電圧が若干
高くなったためと考えられる。
状態を示す顕微鏡写真である。図示のように、３．０Ｖ
の電圧印加時における配向を観察すると部分応答が認め
られた。しかしながら、注意深く観察すると非誘電体領
域の液晶も微妙に動作していることが分かった。これ
は、微細電極パターン２１が無くなり帯状スリット２５
のみとなったことにより、液晶層３に加わる電圧が若干
高くなったためと考えられる。
【００３８】［実施例３］図１０は、実施例３の液晶表
示装置における主要構成を示す概略図であり、（ａ）が
平面図、（ｂ）が断面図である。本例では、実施例１の
構造に加え、透明ガラス基板２上に、透明ガラス基板１
の非誘電体領域に対応する部位に、誘電材料からなる帯
状の土手状突起２６を設ける構造を作製し、実施例１と
同様に、部分応答の効果と誘電体膜厚の依存性を調べ
た。
示装置における主要構成を示す概略図であり、（ａ）が
平面図、（ｂ）が断面図である。本例では、実施例１の
構造に加え、透明ガラス基板２上に、透明ガラス基板１
の非誘電体領域に対応する部位に、誘電材料からなる帯
状の土手状突起２６を設ける構造を作製し、実施例１と
同様に、部分応答の効果と誘電体膜厚の依存性を調べ
た。
【００３９】図１１は、実施例３の構造における液晶配
向状態を示す顕微鏡写真である。本例では、実施例１と
同様に、３．０Ｖ以下の印加電圧で部分応答が実現でき
た。透過率は単セル実験において５．４Ｖで１９％（従
来のＭＶＡ方式では２１％）が得られた。この場合、損
失は１割以内であり、これは、誘電体領域の閾値が高く
なり透過率飽和点が高電圧側にシフトしたためと考えら
れる。
向状態を示す顕微鏡写真である。本例では、実施例１と
同様に、３．０Ｖ以下の印加電圧で部分応答が実現でき
た。透過率は単セル実験において５．４Ｖで１９％（従
来のＭＶＡ方式では２１％）が得られた。この場合、損
失は１割以内であり、これは、誘電体領域の閾値が高く
なり透過率飽和点が高電圧側にシフトしたためと考えら
れる。
【００４０】［実施例１〜３の比較検討］実施例１，２
を比較した場合、図１２に示すように、実施例１では実
施例２に比して、低階調の優れた応答速度が得られた。
これは、実施例２の場合では、実施例１に比較して部分
応答効果が弱まったため、低階調応答改善効果も低下を
示したものと考えられる。従って実施例２の構造では、
十分な効果を得るためには更に誘電体層を厚く形成する
ことを要する。
を比較した場合、図１２に示すように、実施例１では実
施例２に比して、低階調の優れた応答速度が得られた。
これは、実施例２の場合では、実施例１に比較して部分
応答効果が弱まったため、低階調応答改善効果も低下を
示したものと考えられる。従って実施例２の構造では、
十分な効果を得るためには更に誘電体層を厚く形成する
ことを要する。
【００４１】実施例１，３を比較した場合、図１３に示
すように、実施例３では実施例１に比して低階調の応答
速度が劣るものの、実施例３でも、０％→２．５％の階
調間で５５ｍｓの優れた応答時間が得られた（従来のＭ
ＶＡ方式では１８０ｍｓ）。
すように、実施例３では実施例１に比して低階調の応答
速度が劣るものの、実施例３でも、０％→２．５％の階
調間で５５ｍｓの優れた応答時間が得られた（従来のＭ
ＶＡ方式では１８０ｍｓ）。
【００４２】図１５は、実施例１，３の構造で非誘電体
領域の幅を５μｍ程度に統一し、横軸を階調に替わって
電圧とした応答特性図である。このように開口部の幅が
同一であれば、電圧を基準にして比較した場合にどちら
の構造も殆ど同じ応答特性を示す（階調を横軸とした図
１３では、実施例１の方が応答速度は高速となる。）。
これは、Ｔ−Ｖ特性の違いが低階調動作に影響を与え、
実施例１がより高速の低階調動作を示すものと考えられ
る。
領域の幅を５μｍ程度に統一し、横軸を階調に替わって
電圧とした応答特性図である。このように開口部の幅が
同一であれば、電圧を基準にして比較した場合にどちら
の構造も殆ど同じ応答特性を示す（階調を横軸とした図
１３では、実施例１の方が応答速度は高速となる。）。
これは、Ｔ−Ｖ特性の違いが低階調動作に影響を与え、
実施例１がより高速の低階調動作を示すものと考えられ
る。
【００４３】図１５は、実施例１，３の構造で電圧と透
過率との関係を示す特性図である。図示のように、実施
例１の方が実施例３に比べ特性曲線が沈み込んでいるこ
とが分かる。即ち、同一の諸調を表示するためにより高
い電圧を必要とする。低階調を表示するために必要な電
圧が実施例１の方が高いことが判る。これが実施例１が
実施例３より高速化を達成できた理由である。
過率との関係を示す特性図である。図示のように、実施
例１の方が実施例３に比べ特性曲線が沈み込んでいるこ
とが分かる。即ち、同一の諸調を表示するためにより高
い電圧を必要とする。低階調を表示するために必要な電
圧が実施例１の方が高いことが判る。これが実施例１が
実施例３より高速化を達成できた理由である。
【００４４】本発明はパネル設計にも画期的な進歩をも
たらす。例えば、肉眼にとっては階調３０％程度の応答
が最も目に付くが、その階調での応答時間を２０ｍｓ以
下に抑えれば、それが気にならなくなることが分かった
とする。従来技術ではそれが分かったとしても、それに
合わせてＴ−Ｖ特性を変更することは不可能であった。
これに対して本発明では、誘電体領域と非誘電体領域と
の面積比率を変化させることで、自在にＴ−Ｖ特性をコ
ントロールできる。具体的には、図１５で２０ｍｓを達
成するために必要な電圧は４Ｖであり、図１４で４Ｖ印
加時に階調３０％が表示されるＴ−Ｖ特性を実現すれば
良いことになる。これは、面積比、或いは誘電体層の膜
厚、誘電率等の設計条件を変更するだけで容易に実現で
きる。
たらす。例えば、肉眼にとっては階調３０％程度の応答
が最も目に付くが、その階調での応答時間を２０ｍｓ以
下に抑えれば、それが気にならなくなることが分かった
とする。従来技術ではそれが分かったとしても、それに
合わせてＴ−Ｖ特性を変更することは不可能であった。
これに対して本発明では、誘電体領域と非誘電体領域と
の面積比率を変化させることで、自在にＴ−Ｖ特性をコ
ントロールできる。具体的には、図１５で２０ｍｓを達
成するために必要な電圧は４Ｖであり、図１４で４Ｖ印
加時に階調３０％が表示されるＴ−Ｖ特性を実現すれば
良いことになる。これは、面積比、或いは誘電体層の膜
厚、誘電率等の設計条件を変更するだけで容易に実現で
きる。
【００４５】［実施例４］図１６は、実施例４の液晶表
示装置における主要構成を示す概略断面図である。本例
の構造では、紫外線が部分的に透明ガラス基板１側の液
晶配向膜６ａの表面に照射され、閾値電圧の異なる領
域、即ち高閾値領域３１及びこれと相対的な低閾値領域
３２が形成されている。この場合、未照射部位である高
閾値領域３１では通常閾値で動作するが、照射部位であ
る低閾値領域３２では閾値電圧が低電圧側にシフトし、
低電圧では照射部位のみが点灯することになり、前記部
分応答が実現する。
示装置における主要構成を示す概略断面図である。本例
の構造では、紫外線が部分的に透明ガラス基板１側の液
晶配向膜６ａの表面に照射され、閾値電圧の異なる領
域、即ち高閾値領域３１及びこれと相対的な低閾値領域
３２が形成されている。この場合、未照射部位である高
閾値領域３１では通常閾値で動作するが、照射部位であ
る低閾値領域３２では閾値電圧が低電圧側にシフトし、
低電圧では照射部位のみが点灯することになり、前記部
分応答が実現する。
【００４６】本例では、初めに紫外線によって閾値（Ｔ
−Ｖ）特性を変化させられるか否かを調べた。実験用セ
ルは、スリットの形成されたＩＴＯ画素電極５を有する
一方の透明ガラス基板１に設けられた液晶配向膜６ａ
（垂直配向膜：ＪＳＲ製）の表面に紫外線を照射し、当
該基板と土手状突起２６の形成されたＩＴＯ共通電極８
を有する他方の透明ガラス基板２とを貼り合わせ、誘電
率異方性が負である液晶（メルク社製）を注入して液晶
層３を形成してなるものである。セル厚は４μｍとし
た。なお本例では、平行光源（ＵＳＨＩＯ社製ＵＶ照射
装置）と非平行光源（ＯＲＣ社製ＵＶ照射装置）の２種
類の紫外線光源を用い、照射エネルギーを変えて電圧と
透過率との関係を調べた。
−Ｖ）特性を変化させられるか否かを調べた。実験用セ
ルは、スリットの形成されたＩＴＯ画素電極５を有する
一方の透明ガラス基板１に設けられた液晶配向膜６ａ
（垂直配向膜：ＪＳＲ製）の表面に紫外線を照射し、当
該基板と土手状突起２６の形成されたＩＴＯ共通電極８
を有する他方の透明ガラス基板２とを貼り合わせ、誘電
率異方性が負である液晶（メルク社製）を注入して液晶
層３を形成してなるものである。セル厚は４μｍとし
た。なお本例では、平行光源（ＵＳＨＩＯ社製ＵＶ照射
装置）と非平行光源（ＯＲＣ社製ＵＶ照射装置）の２種
類の紫外線光源を用い、照射エネルギーを変えて電圧と
透過率との関係を調べた。
【００４７】前者の結果を図１７（ａ）に、後者の結果
を図１７（ｂ）にそれぞれ示す。このように、液晶配向
膜６ａの表面に紫外線を照射することにより、閾値を変
化させることができることが分かった。
を図１７（ｂ）にそれぞれ示す。このように、液晶配向
膜６ａの表面に紫外線を照射することにより、閾値を変
化させることができることが分かった。
【００４８】続いて、本例の構造において、液晶配向膜
の表面に局所的に紫外線を照射することによる部分応答
の実現を調べるため、紫外線光源の照射量を変えて、電
圧と透過率との関係、及び透過率と応答時間との関係を
それぞれ調べた。
の表面に局所的に紫外線を照射することによる部分応答
の実現を調べるため、紫外線光源の照射量を変えて、電
圧と透過率との関係、及び透過率と応答時間との関係を
それぞれ調べた。
【００４９】前者の結果を図１８（ａ）に、後者の結果
を図１８（ｂ）にそれぞれ示す。に示す。図示のよう
に、照射量４５００ｍＪ／ｃｍ2で若干閾値を低電圧側
にシフトすることが確認された。応答特性についても同
様に、照射量４５００ｍＪ／ｃｍ2により紫外線照射の
ない場合に比して最大応答時間が１０５ｍｓから７５ｍ
ｓに短縮され、低階調動作の改善が確認された。
を図１８（ｂ）にそれぞれ示す。に示す。図示のよう
に、照射量４５００ｍＪ／ｃｍ2で若干閾値を低電圧側
にシフトすることが確認された。応答特性についても同
様に、照射量４５００ｍＪ／ｃｍ2により紫外線照射の
ない場合に比して最大応答時間が１０５ｍｓから７５ｍ
ｓに短縮され、低階調動作の改善が確認された。
【００５０】［実施例５］本例では、スリットの形成さ
れたＩＴＯ画素電極５を有する一方の透明ガラス基板１
に設ける液晶配向膜６ａと、土手状突起２６の形成され
たＩＴＯ共通電極８を有する他方の透明ガラス基板２に
設ける液晶配向膜６ｂとの間で、紫外線の照射量を変え
て閾値（垂直配向成分）の異なる状態とした。
れたＩＴＯ画素電極５を有する一方の透明ガラス基板１
に設ける液晶配向膜６ａと、土手状突起２６の形成され
たＩＴＯ共通電極８を有する他方の透明ガラス基板２に
設ける液晶配向膜６ｂとの間で、紫外線の照射量を変え
て閾値（垂直配向成分）の異なる状態とした。
【００５１】具体的に、他方の透明ガラス基板２には液
晶配向膜６ｂとして垂直配向成分２５％の垂直配向膜
（ＪＳＲ製）を、一方の透明ガラス基板１には液晶配向
膜６ａとして垂直配向成分を５％まで減らした垂直配向
膜を設けた。後者の垂直配向性の低い垂直配向膜では、
電圧印加によって、より倒れ易い状態が得られるため、
図１９（（ａ）は電圧と応答時間との関係、（ｂ）は透
過率と応答時間との関係を表す。）に示すように、閾値
を大きく下げることができた。また、低階調の応答特性
も、最大応答時間で垂直配向成分を調節（減少調節）し
ない場合に比して９５ｍｓから５５ｍｓに短縮され、実
施例４の場合以上に優れた改善が確認された。
晶配向膜６ｂとして垂直配向成分２５％の垂直配向膜
（ＪＳＲ製）を、一方の透明ガラス基板１には液晶配向
膜６ａとして垂直配向成分を５％まで減らした垂直配向
膜を設けた。後者の垂直配向性の低い垂直配向膜では、
電圧印加によって、より倒れ易い状態が得られるため、
図１９（（ａ）は電圧と応答時間との関係、（ｂ）は透
過率と応答時間との関係を表す。）に示すように、閾値
を大きく下げることができた。また、低階調の応答特性
も、最大応答時間で垂直配向成分を調節（減少調節）し
ない場合に比して９５ｍｓから５５ｍｓに短縮され、実
施例４の場合以上に優れた改善が確認された。
【００５２】［実施例６］本例では、帯状スリット２５
の形成されたＩＴＯ画素電極５を有する一方の透明ガラ
ス基板１と、土手状突起２６の形成されたＩＴＯ共通電
極８を有する他方の透明ガラス基板２とに液晶配向膜６
ａ，６ｂとして同一の垂直配向膜（ＪＳＲ製）を設け、
他方の透明ガラス基板２の垂直配向膜のみに非平行光源
（ＯＲＣ社製ＵＶ照射装置）により紫外線を３０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2照射した。その結果、実施例４と同様に低階
調の応答特性が最大応答時間で９５ｍｓから６０ｍｓに
短縮され、優れた改善が確認された。
の形成されたＩＴＯ画素電極５を有する一方の透明ガラ
ス基板１と、土手状突起２６の形成されたＩＴＯ共通電
極８を有する他方の透明ガラス基板２とに液晶配向膜６
ａ，６ｂとして同一の垂直配向膜（ＪＳＲ製）を設け、
他方の透明ガラス基板２の垂直配向膜のみに非平行光源
（ＯＲＣ社製ＵＶ照射装置）により紫外線を３０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2照射した。その結果、実施例４と同様に低階
調の応答特性が最大応答時間で９５ｍｓから６０ｍｓに
短縮され、優れた改善が確認された。
【００５３】［実施例７］図２０は、実施例７による液
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例で
は、表示画素が、対向する透明ガラス基板１，２の各電
極（ＩＴＯ画素電極５とＩＴＯ共通電極８）間距離の異
なる２つの領域３１，３２に分割されるとともに、前記
距離の相違を補う膜厚の絶縁体、ここでは誘電体層３３
が領域３１の溝部を充填するように透明ガラス基板１の
ＩＴＯ画素電極５上に設けられ、誘電体層３３とＳｉＯ
2等の絶縁層３４により略平坦面が形成される。なお、
誘電体層３３としては、透明度の高いフォトレジスト
（例えば、ＪＳＲ製ＰＣ−３３５ポジ型フォトレジス
ト）を用いることが好適である。更に、領域３２上、即
ち透明ガラス基板１の絶縁層３４を介したＩＴＯ画素電
極５上に土手状突起３５が、透明ガラス基板２のＩＴＯ
共通電極８上における領域３１に対向する部位に土手状
突起３６がそれぞれ設けられている。
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例で
は、表示画素が、対向する透明ガラス基板１，２の各電
極（ＩＴＯ画素電極５とＩＴＯ共通電極８）間距離の異
なる２つの領域３１，３２に分割されるとともに、前記
距離の相違を補う膜厚の絶縁体、ここでは誘電体層３３
が領域３１の溝部を充填するように透明ガラス基板１の
ＩＴＯ画素電極５上に設けられ、誘電体層３３とＳｉＯ
2等の絶縁層３４により略平坦面が形成される。なお、
誘電体層３３としては、透明度の高いフォトレジスト
（例えば、ＪＳＲ製ＰＣ−３３５ポジ型フォトレジス
ト）を用いることが好適である。更に、領域３２上、即
ち透明ガラス基板１の絶縁層３４を介したＩＴＯ画素電
極５上に土手状突起３５が、透明ガラス基板２のＩＴＯ
共通電極８上における領域３１に対向する部位に土手状
突起３６がそれぞれ設けられている。
【００５４】そして、透明ガラス基板１側には、前記平
坦面及び土手状突起３５を覆うように液晶配向膜６ａが
形成され、透明ガラス基板２側には、ＩＴＯ共通電極８
及び土手状突起３６を覆うように液晶配向膜６ｂが形成
されて、これら基板１，２により液晶層３を挟持して、
液晶表示装置が構成される。
坦面及び土手状突起３５を覆うように液晶配向膜６ａが
形成され、透明ガラス基板２側には、ＩＴＯ共通電極８
及び土手状突起３６を覆うように液晶配向膜６ｂが形成
されて、これら基板１，２により液晶層３を挟持して、
液晶表示装置が構成される。
【００５５】本例の液晶表示装置においては、誘電体層
３３と絶縁層３４との誘電率の相違により、領域３１が
高閾値領域、領域３２が低閾値領域となり、これによっ
て低階調では領域３２のみが動作し、応答時間が短縮さ
れて前記部分応答が実現する。また、土手状突起３５，
３６の存在により液晶分子のプレチルトを惹起し、液晶
の配向性を短時間で安定化させることができ、応答特性
の向上が助長されることになる。更に本例では、誘電体
層３３と絶縁層３４により前記平坦面が形成され、これ
により液晶層３の厚みが略均一化されるため、透過率及
び視覚特性の改善も図ることができる。
３３と絶縁層３４との誘電率の相違により、領域３１が
高閾値領域、領域３２が低閾値領域となり、これによっ
て低階調では領域３２のみが動作し、応答時間が短縮さ
れて前記部分応答が実現する。また、土手状突起３５，
３６の存在により液晶分子のプレチルトを惹起し、液晶
の配向性を短時間で安定化させることができ、応答特性
の向上が助長されることになる。更に本例では、誘電体
層３３と絶縁層３４により前記平坦面が形成され、これ
により液晶層３の厚みが略均一化されるため、透過率及
び視覚特性の改善も図ることができる。
【００５６】［実施例８］図２１は、実施例８による液
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例は
実施例７の変形例であり、図２０で説明した構造におけ
る領域３１，３２のピッチを変えて（細かくして）、透
明ガラス基板２側の土手状突起３６が透明ガラス基板１
側の領域３１（絶縁層３４）と対向するように液晶表示
装置を構成する。
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例は
実施例７の変形例であり、図２０で説明した構造におけ
る領域３１，３２のピッチを変えて（細かくして）、透
明ガラス基板２側の土手状突起３６が透明ガラス基板１
側の領域３１（絶縁層３４）と対向するように液晶表示
装置を構成する。
【００５７】この場合、土手状突起３５，３６の近傍の
みに強い電圧が印加される。土手状突起３５，３６の近
傍では液晶にプレチルトがあるため、低電圧で液晶配向
が変化しやすい。従ってこの構造により、土手状突起３
５，３６の近傍の電圧を強くして当該近傍の液晶の動き
を補助することができる。
みに強い電圧が印加される。土手状突起３５，３６の近
傍では液晶にプレチルトがあるため、低電圧で液晶配向
が変化しやすい。従ってこの構造により、土手状突起３
５，３６の近傍の電圧を強くして当該近傍の液晶の動き
を補助することができる。
【００５８】［実施例９］図２２は、実施例９による液
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例は
実施例７の変形例であり、土手状突起３５，３６の替わ
りに、ＩＴＯ画素電極５及びＩＴＯ共通電極８の土手状
突起３５，３６に対応する部位にそれぞれ帯状スリット
３７，３８が形成されている。これにより、応答時間を
短縮して前記部分応答を実現するとともに、土手状突起
３５，３６を設ける場合と同様に、液晶のプレチルトを
惹起し、液晶の配向性を短時間で安定化させることがで
き、応答特性の向上を助長する。なお、土手状突起と電
極のスリットとを混在させることも可能である。
晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本例は
実施例７の変形例であり、土手状突起３５，３６の替わ
りに、ＩＴＯ画素電極５及びＩＴＯ共通電極８の土手状
突起３５，３６に対応する部位にそれぞれ帯状スリット
３７，３８が形成されている。これにより、応答時間を
短縮して前記部分応答を実現するとともに、土手状突起
３５，３６を設ける場合と同様に、液晶のプレチルトを
惹起し、液晶の配向性を短時間で安定化させることがで
き、応答特性の向上を助長する。なお、土手状突起と電
極のスリットとを混在させることも可能である。
【００５９】本例では、帯状スリットの替わりに、図２
３に示すような帯状部位を中心とした左右対称の微細な
櫛歯状にパターン形成された微細スリット３９をＩＴＯ
画素電極５（ＩＴＯ共通電極８）に形成しても好適であ
る。これにより、前記部分応答を更に際立たせることが
可能となる。
３に示すような帯状部位を中心とした左右対称の微細な
櫛歯状にパターン形成された微細スリット３９をＩＴＯ
画素電極５（ＩＴＯ共通電極８）に形成しても好適であ
る。これにより、前記部分応答を更に際立たせることが
可能となる。
【００６０】［実施例１０］図２４は、実施例１０によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例の液晶表示装置では、表示画素が、容量結合により静
電容量の異なる２つの領域４１，４２に分割されてお
り、駆動電圧の印加時に、各領域４１，４２に静電容量
に応じた電圧がそれぞれ印加される。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例の液晶表示装置では、表示画素が、容量結合により静
電容量の異なる２つの領域４１，４２に分割されてお
り、駆動電圧の印加時に、各領域４１，４２に静電容量
に応じた電圧がそれぞれ印加される。
【００６１】具体的には、透明ガラス基板１において、
ＩＴＯ画素電極に替わる駆動電極４３の有無により各領
域４１，４２が形成されるとともに、駆動電極４３の下
層に誘電体層４４を介して当該駆動電極４３と容量結合
する分割電極４５が設けられ、実施例７の液晶表示装置
と同様の部位に土手状突起３５，３６が設けられてい
る。誘電体層４４としては、例えば薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の層間絶縁膜として使用されるＳｉＮ等を膜
厚１５０ｎｍ程度に形成する。
ＩＴＯ画素電極に替わる駆動電極４３の有無により各領
域４１，４２が形成されるとともに、駆動電極４３の下
層に誘電体層４４を介して当該駆動電極４３と容量結合
する分割電極４５が設けられ、実施例７の液晶表示装置
と同様の部位に土手状突起３５，３６が設けられてい
る。誘電体層４４としては、例えば薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の層間絶縁膜として使用されるＳｉＮ等を膜
厚１５０ｎｍ程度に形成する。
【００６２】本例では、上記の構造により、駆動電極４
３に印加された電圧は、駆動電極４３と分割電極４５と
が成す静電容量と画素の静電容量とで分圧され、分割電
極４３に印加される。これにより、一画素内において、
駆動電極４３の存する領域４１と存しない領域４２とで
印加電圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮さ
れて前記部分応答が実現する。なお、分割電極４３を隣
接する土手状突起３５，３６間の中央部位に配置しても
よい。
３に印加された電圧は、駆動電極４３と分割電極４５と
が成す静電容量と画素の静電容量とで分圧され、分割電
極４３に印加される。これにより、一画素内において、
駆動電極４３の存する領域４１と存しない領域４２とで
印加電圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮さ
れて前記部分応答が実現する。なお、分割電極４３を隣
接する土手状突起３５，３６間の中央部位に配置しても
よい。
【００６３】［実施例１１］図２５は、実施例１１によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例は実施例１０の変形例であり、透明ガラス基板１上の
所定部位に容量結合電極５１が等間隔に形成され、この
容量結合電極５１上に誘電体層５２を介して駆動電極５
３及び分割電極５４が隣接して形成される。ここで、駆
動電極５３と分割電極５４との間隙が容量結合電極５１
上の所定部位に位置するように調節されており、駆動電
極５３に印加された電圧は、駆動電極５３と容量結合電
極５１、及び駆動電極５３と分割電極５４とで成す各静
電容量と、画素の静電容量とで分圧されて分割電極５４
に印加される。これにより、一画素内において、容量結
合電極５１の存する領域４１と存しない領域４２とで印
加電圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮され
て前記部分応答が実現する。なお、分割電極５４は、土
手状突起３５，３６間の中央部位に配置してもよい。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例は実施例１０の変形例であり、透明ガラス基板１上の
所定部位に容量結合電極５１が等間隔に形成され、この
容量結合電極５１上に誘電体層５２を介して駆動電極５
３及び分割電極５４が隣接して形成される。ここで、駆
動電極５３と分割電極５４との間隙が容量結合電極５１
上の所定部位に位置するように調節されており、駆動電
極５３に印加された電圧は、駆動電極５３と容量結合電
極５１、及び駆動電極５３と分割電極５４とで成す各静
電容量と、画素の静電容量とで分圧されて分割電極５４
に印加される。これにより、一画素内において、容量結
合電極５１の存する領域４１と存しない領域４２とで印
加電圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮され
て前記部分応答が実現する。なお、分割電極５４は、土
手状突起３５，３６間の中央部位に配置してもよい。
【００６４】［実施例１２］図２６は、実施例１２によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例の液晶表示装置では、ＩＴＯ画素電極５の所定部位に
微細な（直径１μｍ程度の）透孔６１が密集形成されて
おり、当該部位に対応して表示画素が異なる２つの領域
に分割される。この場合、表示画素において、透孔６１
の形成された領域４１では平均電界強度が低下し、透孔
６１の形成されていない領域４２では相対的に平均電界
強度が高くなるため、画素の領域によって液晶の動作電
圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮されて前
記部分応答が実現する。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略断面図である。本
例の液晶表示装置では、ＩＴＯ画素電極５の所定部位に
微細な（直径１μｍ程度の）透孔６１が密集形成されて
おり、当該部位に対応して表示画素が異なる２つの領域
に分割される。この場合、表示画素において、透孔６１
の形成された領域４１では平均電界強度が低下し、透孔
６１の形成されていない領域４２では相対的に平均電界
強度が高くなるため、画素の領域によって液晶の動作電
圧を異ならしめることができ、応答時間が短縮されて前
記部分応答が実現する。
【００６５】［実施例１３］図２７は、実施例１３によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
の液晶表示装置は、表示画素内において、透明ガラス基
板１上に形成されたＩＴＯ画素電極である微細電極パタ
ーン７１の一部を露出させる帯状の開口７５の形成され
た絶縁構造物７２が設けられ、この絶縁構造物７２によ
り表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成されてい
る。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
の液晶表示装置は、表示画素内において、透明ガラス基
板１上に形成されたＩＴＯ画素電極である微細電極パタ
ーン７１の一部を露出させる帯状の開口７５の形成され
た絶縁構造物７２が設けられ、この絶縁構造物７２によ
り表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成されてい
る。
【００６６】微細電極パターン７１には、同一方位に伸
びる複数のストライプパターン７３からなるパターン群
７４が形成されており、隣接するパターン群７４同士で
は各ストライプパターン７３の伸びる方位が異なる。そ
して、帯状の開口７５から隣接するスリット群７４の中
央部位を露出させるように絶縁構造物７２が形成され、
閾値電圧が調節されて所望の階調表示特性に制御されて
いる。この場合、表示画素において、絶縁構造物７２の
存する領域７６が高閾値領域、絶縁構造物７２の存しな
い、即ち開口７５の領域７７が低閾値領域となる。従っ
て、低階調では低閾値領域７７のみが動作し、中間調に
おける応答時間が短縮されて前記部分応答が実現する。
びる複数のストライプパターン７３からなるパターン群
７４が形成されており、隣接するパターン群７４同士で
は各ストライプパターン７３の伸びる方位が異なる。そ
して、帯状の開口７５から隣接するスリット群７４の中
央部位を露出させるように絶縁構造物７２が形成され、
閾値電圧が調節されて所望の階調表示特性に制御されて
いる。この場合、表示画素において、絶縁構造物７２の
存する領域７６が高閾値領域、絶縁構造物７２の存しな
い、即ち開口７５の領域７７が低閾値領域となる。従っ
て、低階調では低閾値領域７７のみが動作し、中間調に
おける応答時間が短縮されて前記部分応答が実現する。
【００６７】本例では、開口７５の部位及びその近傍に
存する液晶のみが傾斜配向し、絶縁構造物７２上の液晶
分子は略垂直配向の状態を保つ。このとき、偏光軸は上
下及び左右方向に配置しているため、真下を向いた液晶
分子は光を透過しない。下方向から僅かに右又は左を向
いた液晶分子が光を透過することで、中間調表示が実現
できる。このようにして、低電圧印加時には絶縁構造物
７２の存しない開口７５の部位（領域７７）の液晶分子
のみを応答させることで前記部分応答が実現できる。
存する液晶のみが傾斜配向し、絶縁構造物７２上の液晶
分子は略垂直配向の状態を保つ。このとき、偏光軸は上
下及び左右方向に配置しているため、真下を向いた液晶
分子は光を透過しない。下方向から僅かに右又は左を向
いた液晶分子が光を透過することで、中間調表示が実現
できる。このようにして、低電圧印加時には絶縁構造物
７２の存しない開口７５の部位（領域７７）の液晶分子
のみを応答させることで前記部分応答が実現できる。
【００６８】これにより、高速応答である黒から白への
応答を利用した中問調応答が実現できるため、中問調応
答を高速化されることになる。一方、白表示時には、構
造物のある領域の液晶分子にも十分電圧が印加され、絶
縁構造物７２の存する領域７６および存しない領域７７
の全体が応答する。
応答を利用した中問調応答が実現できるため、中問調応
答を高速化されることになる。一方、白表示時には、構
造物のある領域の液晶分子にも十分電圧が印加され、絶
縁構造物７２の存する領域７６および存しない領域７７
の全体が応答する。
【００６９】本例の液晶表示装置の具体的構成について
説明する。本例では、透明ガラス基板１上にＩＴＯ画素
電極を形成し、これを微細ストライプ状にパターニング
してパターン群７４を形成し、微細電極パターン７１と
した。基板材料には板厚０．７ｍｍのガラス基板ＯＡ−
２（日本電気硝子製）を用いた。微細電極パターン７１
は、線状構造の伸びる方位が基板面内で略９０°異なる
ようなＶ字形状の繰り返しとして、Ｖ字の中央部位で各
電極材料を接続し形成した。Ｖ字の幅は３μｍ程度、一
辺の長さは４０μｍ程度、各Ｖ字間の距離は３μｍ程度
とした。Ｖ字同士の接続部は幅３μｍ程度とした。
説明する。本例では、透明ガラス基板１上にＩＴＯ画素
電極を形成し、これを微細ストライプ状にパターニング
してパターン群７４を形成し、微細電極パターン７１と
した。基板材料には板厚０．７ｍｍのガラス基板ＯＡ−
２（日本電気硝子製）を用いた。微細電極パターン７１
は、線状構造の伸びる方位が基板面内で略９０°異なる
ようなＶ字形状の繰り返しとして、Ｖ字の中央部位で各
電極材料を接続し形成した。Ｖ字の幅は３μｍ程度、一
辺の長さは４０μｍ程度、各Ｖ字間の距離は３μｍ程度
とした。Ｖ字同士の接続部は幅３μｍ程度とした。
【００７０】このようにして形成した微細電極パターン
７１上のうち、Ｖ字の中央部（幅５μｍ）を除く領域
に、選択的に絶縁構造物７２を形成した。絶縁構造物７
２の高さは０．５μｍ程度とした。絶縁構造物材料には
感光性アクリル樹脂ＰＣ−３３５（ＪＳＲ製）を用い
た。絶縁構造物７２の形成は、透明ガラス基板１上に当
該樹脂をスピンコートし、９０℃で２０分のベーク（ク
リーンオーブン使用）を行い、フォトマスクを用いて選
択的に紫外光を照射し、有機アルカリ系現像液（ＴＭＡ
Ｈ０．２重量％水溶液）で現像し、２００℃で６０分間
のベーク（クリーンオーブン使用）して行った。
７１上のうち、Ｖ字の中央部（幅５μｍ）を除く領域
に、選択的に絶縁構造物７２を形成した。絶縁構造物７
２の高さは０．５μｍ程度とした。絶縁構造物材料には
感光性アクリル樹脂ＰＣ−３３５（ＪＳＲ製）を用い
た。絶縁構造物７２の形成は、透明ガラス基板１上に当
該樹脂をスピンコートし、９０℃で２０分のベーク（ク
リーンオーブン使用）を行い、フォトマスクを用いて選
択的に紫外光を照射し、有機アルカリ系現像液（ＴＭＡ
Ｈ０．２重量％水溶液）で現像し、２００℃で６０分間
のベーク（クリーンオーブン使用）して行った。
【００７１】この透明ガラス基板１上に、液晶配向膜６
ａ（垂直配向膜）を形成した。配向膜材料にはＪＳＲ社
製の垂直配向膜を用い、透明ガラス基板１上に当該材料
をスピンコートし、８０℃で１分間（ホットプレート使
用）のプリベークを行った後、１８０℃で６０分間（ク
リーンオーブン使用）の本ベークを行った。
ａ（垂直配向膜）を形成した。配向膜材料にはＪＳＲ社
製の垂直配向膜を用い、透明ガラス基板１上に当該材料
をスピンコートし、８０℃で１分間（ホットプレート使
用）のプリベークを行った後、１８０℃で６０分間（ク
リーンオーブン使用）の本ベークを行った。
【００７２】本例では、絶縁構造物７２をＶ字中央の接
続部位に重ねたが、図２８に示すように、一部重複させ
ても良い。また、図２９に示すように、絶縁構造物７２
を微細パターン７１の対向部位に設けても良い。更に、
図３０に示すように、絶縁構造物７２の形成された微細
電極パターン７１を有する透明ガラス基板１の対向部位
に帯状の絶縁構造物７８を設けても好適である。この場
合、帯状の絶縁構造物７８の高さを０．７μｍ程度、幅
を３μｍ程度とした。
続部位に重ねたが、図２８に示すように、一部重複させ
ても良い。また、図２９に示すように、絶縁構造物７２
を微細パターン７１の対向部位に設けても良い。更に、
図３０に示すように、絶縁構造物７２の形成された微細
電極パターン７１を有する透明ガラス基板１の対向部位
に帯状の絶縁構造物７８を設けても好適である。この場
合、帯状の絶縁構造物７８の高さを０．７μｍ程度、幅
を３μｍ程度とした。
【００７３】また、他方の透明ガラス基板２上には、Ｉ
ＴＯ共通電極８を全面に形成し、その上に液晶配向膜６
ｂを形成した。このようにして得た基板１，２を、直径
４μｍのスペーサ（積水ファインケミカル製）を介して
はり合わせて空セルを作製し、基板１，２間にはメルク
社製の誘電率異方性が負の液晶材料を注入し、液晶層３
を形成した。
ＴＯ共通電極８を全面に形成し、その上に液晶配向膜６
ｂを形成した。このようにして得た基板１，２を、直径
４μｍのスペーサ（積水ファインケミカル製）を介して
はり合わせて空セルを作製し、基板１，２間にはメルク
社製の誘電率異方性が負の液晶材料を注入し、液晶層３
を形成した。
【００７４】［実施例１４］図３１は、実施例１４によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１３の変形例であり、微細電極パターン７１の
末端を先細り形状とし、当該パターンに方向性が付与さ
れている。具体的には、微細電極パターン７１の末端の
太い部分の幅を６μｍ程度、細い部分の幅を２μｍ程度
とした。これにより、液晶分子の配向をきめ細かく制御
することが可能となる。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１３の変形例であり、微細電極パターン７１の
末端を先細り形状とし、当該パターンに方向性が付与さ
れている。具体的には、微細電極パターン７１の末端の
太い部分の幅を６μｍ程度、細い部分の幅を２μｍ程度
とした。これにより、液晶分子の配向をきめ細かく制御
することが可能となる。
【００７５】［実施例１５］図３２は、実施例１５によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１３の変形例であり、実施例１３とは微細電極
パターン７１が異なるとともに、それに伴って絶縁構造
物７２の形状が異なる点で相違する。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１３の変形例であり、実施例１３とは微細電極
パターン７１が異なるとともに、それに伴って絶縁構造
物７２の形状が異なる点で相違する。
【００７６】具体的には、ＩＴＯ画素電極に、先ず格子
状電極パターン８１を形成した。格子の幅は５μｍとし
た。更に、格子状電極パターン８１で区切られた４つの
領域に方向性を有する微細電極パターン８２を形成し、
微細電極パターン８２の形状を、格子状電極パターン８
１に接する部分の幅が太くなるようにした。微細電極パ
ターン８２の長さは、格子状電極パターン８１の交点付
近から伸びるものを４０μｍとし、他の微細電極パター
ン８２は、その頂点が格子状電極パターン８１の伸びる
方位と直交または平行になるように合わせた。このよう
な電極パターン８１，８２が形成されてなる電極パター
ン７１を有する透明ガラス基板１上に、選択的に絶縁構
造物７２を形成した。ここでは、絶縁構造物７２を格子
状に分離するように帯状の開口７５を形成した。開口７
５の線幅は５μｍとした。
状電極パターン８１を形成した。格子の幅は５μｍとし
た。更に、格子状電極パターン８１で区切られた４つの
領域に方向性を有する微細電極パターン８２を形成し、
微細電極パターン８２の形状を、格子状電極パターン８
１に接する部分の幅が太くなるようにした。微細電極パ
ターン８２の長さは、格子状電極パターン８１の交点付
近から伸びるものを４０μｍとし、他の微細電極パター
ン８２は、その頂点が格子状電極パターン８１の伸びる
方位と直交または平行になるように合わせた。このよう
な電極パターン８１，８２が形成されてなる電極パター
ン７１を有する透明ガラス基板１上に、選択的に絶縁構
造物７２を形成した。ここでは、絶縁構造物７２を格子
状に分離するように帯状の開口７５を形成した。開口７
５の線幅は５μｍとした。
【００７７】なお、絶縁構造物７２の形状は格子状に限
られたものではなく、例えば、図３３，３４に示すよう
に、四角形状の開口７５（図３３では中央部位、図３４
では四隅部位）を形成しても良い。更に、図３５に示す
ように、四角形状の開口７５を中央部位に形成するとと
もに、図３２〜図３４の例のように微細電極パターン８
２を全体的に形成するのではなく、部分的、ここでは図
３５（ｃ）に示すように、微細電極パターン群がほぼ菱
形となるように形成しても好適である。なお、図３３〜
３５においては、対向する透明ガラス基板２側に帯状の
構造物である土手状突起３６を形成した例を示す。
られたものではなく、例えば、図３３，３４に示すよう
に、四角形状の開口７５（図３３では中央部位、図３４
では四隅部位）を形成しても良い。更に、図３５に示す
ように、四角形状の開口７５を中央部位に形成するとと
もに、図３２〜図３４の例のように微細電極パターン８
２を全体的に形成するのではなく、部分的、ここでは図
３５（ｃ）に示すように、微細電極パターン群がほぼ菱
形となるように形成しても好適である。なお、図３３〜
３５においては、対向する透明ガラス基板２側に帯状の
構造物である土手状突起３６を形成した例を示す。
【００７８】また、図３６に示すように、微細電極パタ
ーン７１の替わりに、ＩＴＯ画素電極に格子状電極パタ
ーン８１を形成するのみとし、絶縁構造物７２の四隅に
それぞれ四角形状の開口７５を形成し、透明ガラス基板
２側に帯状の構造物である土手状突起３６を形成しても
良い。また、図３７に示すように、微細電極パターン７
１の替わりに、ＩＴＯ画素電極に格子状電極パターン８
１に形成するのみとし、絶縁構造物７２を四角形状にパ
ターン形成し、この絶縁構造物７２を囲むように帯状の
土手状突起３６を形成しても良い。更には、図３８に示
すように、微細電極パターン７１の替わりに、ＩＴＯ画
素電極に格子状電極パターン８１に形成するのみとし、
絶縁構造物７２を格子状に分離するように帯状の開口７
５を形成しても好適である。
ーン７１の替わりに、ＩＴＯ画素電極に格子状電極パタ
ーン８１を形成するのみとし、絶縁構造物７２の四隅に
それぞれ四角形状の開口７５を形成し、透明ガラス基板
２側に帯状の構造物である土手状突起３６を形成しても
良い。また、図３７に示すように、微細電極パターン７
１の替わりに、ＩＴＯ画素電極に格子状電極パターン８
１に形成するのみとし、絶縁構造物７２を四角形状にパ
ターン形成し、この絶縁構造物７２を囲むように帯状の
土手状突起３６を形成しても良い。更には、図３８に示
すように、微細電極パターン７１の替わりに、ＩＴＯ画
素電極に格子状電極パターン８１に形成するのみとし、
絶縁構造物７２を格子状に分離するように帯状の開口７
５を形成しても好適である。
【００７９】［実施例１６］図３９は、実施例１６によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１５の変形例であり、実施例１５とは絶縁構造
物７２が透明ガラス基板２側に形成されている点で相違
する。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１５の変形例であり、実施例１５とは絶縁構造
物７２が透明ガラス基板２側に形成されている点で相違
する。
【００８０】具体的には、透明ガラス基板１上にＩＴＯ
画素電極を形成し、これに格子状スリット８１を形成
し、微細電極パターン７１とした。そして、これと対向
する透明ガラス基板２上に絶縁構造物７２を設け、中央
部位に四角形状の開口７５を形成した。更に、絶縁構造
物７２上に帯状格子パターンの構造物である土手状突起
３６を形成した。なお、実施例１３と同様に、格子状電
極パターン８１に加えてＩＴＯ画素電極に微細スリット
８２を形成し、微細電極パターン７１とするようにして
もよい。
画素電極を形成し、これに格子状スリット８１を形成
し、微細電極パターン７１とした。そして、これと対向
する透明ガラス基板２上に絶縁構造物７２を設け、中央
部位に四角形状の開口７５を形成した。更に、絶縁構造
物７２上に帯状格子パターンの構造物である土手状突起
３６を形成した。なお、実施例１３と同様に、格子状電
極パターン８１に加えてＩＴＯ画素電極に微細スリット
８２を形成し、微細電極パターン７１とするようにして
もよい。
【００８１】なお、絶縁構造物７２及び土手状突起３６
の形成としては上記に限られたものではなく、例えば、
図４０に示すように開口７５を菱形としたり、図４１に
示すように絶縁構造物７２を格子状に分離するように帯
状の開口７５を形成したり、図４２に示すように絶縁構
造物７２を格子状スリット８１の中央部位と対向するよ
うに四角形状にパターン形成するとともに、これを囲む
ような帯状に土手状突起３６を形成するようにしても良
い。
の形成としては上記に限られたものではなく、例えば、
図４０に示すように開口７５を菱形としたり、図４１に
示すように絶縁構造物７２を格子状に分離するように帯
状の開口７５を形成したり、図４２に示すように絶縁構
造物７２を格子状スリット８１の中央部位と対向するよ
うに四角形状にパターン形成するとともに、これを囲む
ような帯状に土手状突起３６を形成するようにしても良
い。
【００８２】［実施例１７］図４３は、実施例１７によ
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１５，１６の変形例であり、絶縁構造物が透明
ガラス基板１側のみならず、透明ガラス基板２側にも形
成されている。
る液晶表示装置の主要構成を示す概略図であり、（ａ）
が平面図、（ｂ）がＩ−Ｉに沿った断面図である。本例
は実施例１５，１６の変形例であり、絶縁構造物が透明
ガラス基板１側のみならず、透明ガラス基板２側にも形
成されている。
【００８３】具体的に、透明ガラス基板１側には、ＩＴ
Ｏ画素電極に格子状スリット８１を形成して微細電極パ
ターン７１とし、その上に四角形状にパターニングして
なる絶縁構造物７２ａを設けた。他方、透明ガラス基板
２側には、四隅にそれぞれ四角形状の絶縁構造物７２ｂ
をパターン形成するとともに、対向する絶縁構造物７２
ａを囲むような帯状に土手状突起３６を形成する。この
場合、上方から見たときに絶縁構造物７２ａ，７２ｂが
一部重複するように形成されているが、必ずしもこのよ
うに形成する必要はなく、図４４に示すように絶縁構造
物７２ａ，７２ｂを重複しないように形成しても良い。
Ｏ画素電極に格子状スリット８１を形成して微細電極パ
ターン７１とし、その上に四角形状にパターニングして
なる絶縁構造物７２ａを設けた。他方、透明ガラス基板
２側には、四隅にそれぞれ四角形状の絶縁構造物７２ｂ
をパターン形成するとともに、対向する絶縁構造物７２
ａを囲むような帯状に土手状突起３６を形成する。この
場合、上方から見たときに絶縁構造物７２ａ，７２ｂが
一部重複するように形成されているが、必ずしもこのよ
うに形成する必要はなく、図４４に示すように絶縁構造
物７２ａ，７２ｂを重複しないように形成しても良い。
【００８４】なお、絶縁構造物７２ａ，７２ｂの形成と
しては上記に限られたものではなく、例えば、図４５に
示すように絶縁構造物７２ａを菱形に形成し、これに対
応するように透明ガラス基板２の四隅にそれぞれ三角形
状に絶縁構造物７２ｂを形成しても良い。
しては上記に限られたものではなく、例えば、図４５に
示すように絶縁構造物７２ａを菱形に形成し、これに対
応するように透明ガラス基板２の四隅にそれぞれ三角形
状に絶縁構造物７２ｂを形成しても良い。
【００８５】更に、図４６に示すように、透明ガラス基
板１側には、ＩＴＯ画素電極に格子状スリット８１を形
成して微細電極パターン７１とし、図４３の場合とは逆
に、四隅にそれぞれ四角形状の絶縁構造物７２ｂをパタ
ーン形成し、他方、透明ガラス基板２側には、四角形状
にパターニングしてなる絶縁構造物７２ａを設け、更に
この絶縁構造物７２ａを囲むような帯状に土手状突起３
６を形成しても良い。この場合、上方から見たときに絶
縁構造物７２ａ，７２ｂが一部重複するように形成され
ているが、必ずしもこのように形成する必要はなく、絶
縁構造物７２ａ，７２ｂを重複しないように形成しても
好適である。
板１側には、ＩＴＯ画素電極に格子状スリット８１を形
成して微細電極パターン７１とし、図４３の場合とは逆
に、四隅にそれぞれ四角形状の絶縁構造物７２ｂをパタ
ーン形成し、他方、透明ガラス基板２側には、四角形状
にパターニングしてなる絶縁構造物７２ａを設け、更に
この絶縁構造物７２ａを囲むような帯状に土手状突起３
６を形成しても良い。この場合、上方から見たときに絶
縁構造物７２ａ，７２ｂが一部重複するように形成され
ているが、必ずしもこのように形成する必要はなく、絶
縁構造物７２ａ，７２ｂを重複しないように形成しても
好適である。
【００８６】以上説明したように、本実施形態の液晶表
示装置によれば、低階調における応答速度の遅延を改善
して中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等
の動画性能を有する信頼性の高い画像表示を実現するこ
とができる。
示装置によれば、低階調における応答速度の遅延を改善
して中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等
の動画性能を有する信頼性の高い画像表示を実現するこ
とができる。
【００８７】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態の液晶表示装
置は上記の構成に加え、帯状の土手状突起がその幅及び
高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成さ
れている。
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態の液晶表示装
置は上記の構成に加え、帯状の土手状突起がその幅及び
高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成さ
れている。
【００８８】−本実施形態の基本的構成−
以下、本実施形態における特徴的な形状の土手状突起に
ついて説明する。本実施形態の液晶表示装置の概略構成
は、図４７に示すように、第１の実施形態の図１で示し
た構造と同様であり、更に第１の実施形態における実施
例１の図４と同様に、透明ガラス基板１には微細電極パ
ターン２１が形成されたＩＴＯ画素電極５を備え、微細
電極パターン２１を覆うように帯状の誘電体層２２がパ
ターン形成されている。そして、透明ガラス基板２に
は、ＩＴＯ共通電極８上における透明ガラス基板１の非
誘電体領域に対応する部位に、誘電材料からなる帯状の
土手状突起９１〜９６が形成されている。
ついて説明する。本実施形態の液晶表示装置の概略構成
は、図４７に示すように、第１の実施形態の図１で示し
た構造と同様であり、更に第１の実施形態における実施
例１の図４と同様に、透明ガラス基板１には微細電極パ
ターン２１が形成されたＩＴＯ画素電極５を備え、微細
電極パターン２１を覆うように帯状の誘電体層２２がパ
ターン形成されている。そして、透明ガラス基板２に
は、ＩＴＯ共通電極８上における透明ガラス基板１の非
誘電体領域に対応する部位に、誘電材料からなる帯状の
土手状突起９１〜９６が形成されている。
【００８９】垂直配向型の液晶表示装置の基板表面に土
手状突起を形成することにより、電圧印加に伴う液晶配
向制御に有効に行うことができることは広く知られてい
る。これは、土手状突起が絶縁体として機能し、液晶層
における法線方向の電界が歪められ、それに伴い液晶分
子が一様に配向することに起因する。
手状突起を形成することにより、電圧印加に伴う液晶配
向制御に有効に行うことができることは広く知られてい
る。これは、土手状突起が絶縁体として機能し、液晶層
における法線方向の電界が歪められ、それに伴い液晶分
子が一様に配向することに起因する。
【００９０】図４８は、本実施形態における土手状突起
の第１の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９１は、図４８（ａ），（ｂ）に示すように、その幅及
び高さが徐々に変化するように形成されている。このよ
うに、土手幅を大（幅ａ）から小（幅ｂ）へ、且つ土手
高さを大（高さｃ）から小（高さｄ）へ異ならせた構造
にすることにより、液晶分子の倒れる方向が制御し易く
なる。図４８（ｃ），（ｄ）に示すように、土手状突起
９１の形状に倣って液晶分子が配向するため、土手状突
起９１の中心ライン上における液晶分子が図中下側に傾
斜するようになり、その中央部位での配向制御が可能と
なる。配向が安定するまでの時間の遅延もなくなり、全
体として応答速度が速くなる。
の第１の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９１は、図４８（ａ），（ｂ）に示すように、その幅及
び高さが徐々に変化するように形成されている。このよ
うに、土手幅を大（幅ａ）から小（幅ｂ）へ、且つ土手
高さを大（高さｃ）から小（高さｄ）へ異ならせた構造
にすることにより、液晶分子の倒れる方向が制御し易く
なる。図４８（ｃ），（ｄ）に示すように、土手状突起
９１の形状に倣って液晶分子が配向するため、土手状突
起９１の中心ライン上における液晶分子が図中下側に傾
斜するようになり、その中央部位での配向制御が可能と
なる。配向が安定するまでの時間の遅延もなくなり、全
体として応答速度が速くなる。
【００９１】土手状突起９１は、通常感光性材料のパタ
ーニングによって作製されるが、土手幅が大きい場合に
はその高さが高く、土手幅が小さい場合には高さが低く
なることが知られており、この場合、土手状突起９１の
部分は連続的に傾斜した構造となることが分かった。こ
れは、閾値電圧以下の駆動時において、液晶分子が垂直
に配向しながらも、土手状突起９１の傾斜に沿って、わ
ずかながらも傾斜角をもつことを意味する。傾斜角をも
った垂直配向型の液晶表示装置は、電圧印加蒔の配向方
向が規定され、高速な応答性を示すことから、ＭＶＡ型
の液晶表示装置においても、土手状突起９１上の配向制
御が可能となり、応答性を更に高めることが可能とな
る。
ーニングによって作製されるが、土手幅が大きい場合に
はその高さが高く、土手幅が小さい場合には高さが低く
なることが知られており、この場合、土手状突起９１の
部分は連続的に傾斜した構造となることが分かった。こ
れは、閾値電圧以下の駆動時において、液晶分子が垂直
に配向しながらも、土手状突起９１の傾斜に沿って、わ
ずかながらも傾斜角をもつことを意味する。傾斜角をも
った垂直配向型の液晶表示装置は、電圧印加蒔の配向方
向が規定され、高速な応答性を示すことから、ＭＶＡ型
の液晶表示装置においても、土手状突起９１上の配向制
御が可能となり、応答性を更に高めることが可能とな
る。
【００９２】図４９は、本実施形態における土手状突起
の第２の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９２は、その幅及び高さの変化パターンが隣接する当該
土手状突起９２間で逆となるように形成されている。こ
の場合、図中上面から見て隣り合う土手状突起９２は、
互いに土手幅の大小が入れ替りながら周期的に配置され
ることになり、液晶分子の配向方向に歪みが生じること
なく、安定した配向性を得ることが可能となり、透過率
不良となるドメインの発生を防止することが可能とな
る。
の第２の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９２は、その幅及び高さの変化パターンが隣接する当該
土手状突起９２間で逆となるように形成されている。こ
の場合、図中上面から見て隣り合う土手状突起９２は、
互いに土手幅の大小が入れ替りながら周期的に配置され
ることになり、液晶分子の配向方向に歪みが生じること
なく、安定した配向性を得ることが可能となり、透過率
不良となるドメインの発生を防止することが可能とな
る。
【００９３】図５０は、本実施形態における土手状突起
の第３の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９３は、その一部が分断されて空隙部９３ａが形成され
ている。この場合、空隙部９３ａで液晶分子の配向を特
に制御し易くなることが確認された。
の第３の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９３は、その一部が分断されて空隙部９３ａが形成され
ている。この場合、空隙部９３ａで液晶分子の配向を特
に制御し易くなることが確認された。
【００９４】この土手状突起９３の構造における発想
と、土手状突起９２の構造における発想とを併合した結
果想到したものが、図５１に示すような形状の空隙部９
３ａを有する土手状突起９４である。
と、土手状突起９２の構造における発想とを併合した結
果想到したものが、図５１に示すような形状の空隙部９
３ａを有する土手状突起９４である。
【００９５】図５２は、本実施形態における土手状突起
の第４の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９５は、その幅及び高さの少なくとも一方が周期的に変
化する形状に形成されており、具体的には長手方向の一
辺に切れ込み９５ａが形成されている（図５２
（ａ））。
の第４の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９５は、その幅及び高さの少なくとも一方が周期的に変
化する形状に形成されており、具体的には長手方向の一
辺に切れ込み９５ａが形成されている（図５２
（ａ））。
【００９６】このように切れ込み９５ａを形成すること
により、液晶分子は切れ込み９５ａに従って、電圧印加
時に配向しようとする。切れ込み９５ａにおいて、土手
状突起９５と垂直方向の辺よりも、斜め方向の線を長く
しておくことで、液晶分子の配向方向を制御することが
可能となる（図５２（ｂ））。これは言わば、切れ込み
９５ａの配向方向に基づいて土手状突起９５上の配向方
向を制御し、配向安定化を短時間で可能とすることを意
味する。
により、液晶分子は切れ込み９５ａに従って、電圧印加
時に配向しようとする。切れ込み９５ａにおいて、土手
状突起９５と垂直方向の辺よりも、斜め方向の線を長く
しておくことで、液晶分子の配向方向を制御することが
可能となる（図５２（ｂ））。これは言わば、切れ込み
９５ａの配向方向に基づいて土手状突起９５上の配向方
向を制御し、配向安定化を短時間で可能とすることを意
味する。
【００９７】切れ込み９５ａは、そのパターニングの精
度限界もあるため、直角三角形状形成することが好まし
い。また、切れ込み９５ａの大きさは、全て同じである
必要はなく、とくに配向を大きくしたい位置の部分、ま
たは本来の電界とは異なる電界の影響を受け易い部分に
は、若干大きめに切れ込み９５ａを形成するなど、その
バランスは任意に設けることが可能である。
度限界もあるため、直角三角形状形成することが好まし
い。また、切れ込み９５ａの大きさは、全て同じである
必要はなく、とくに配向を大きくしたい位置の部分、ま
たは本来の電界とは異なる電界の影響を受け易い部分に
は、若干大きめに切れ込み９５ａを形成するなど、その
バランスは任意に設けることが可能である。
【００９８】隣接する切れ込み９５ａの間隔について
も、切れ込み９５ａの大きさと同様に任意に規定するこ
とができる。即ち、上述した切れ込み９５ａの効果をよ
り顕著に要する場合には、その間隔を短くして切れ込み
９５ａを密に配置すれば良い。切れ込み９５ａの密と疎
の領域を混在させても構わない。更に、切れ込み９５ａ
の大きさを交互に変えるように形成しても好適である
（図５２（ｃ））
も、切れ込み９５ａの大きさと同様に任意に規定するこ
とができる。即ち、上述した切れ込み９５ａの効果をよ
り顕著に要する場合には、その間隔を短くして切れ込み
９５ａを密に配置すれば良い。切れ込み９５ａの密と疎
の領域を混在させても構わない。更に、切れ込み９５ａ
の大きさを交互に変えるように形成しても好適である
（図５２（ｃ））
【００９９】図５３は、本実施形態における土手状突起
の第５の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９６は、図５３（ａ）に示すように、当該土手状突起９
６の一方の辺Ｉ側と他方の辺ＩＩ側とに交互に切れ込み
９６ａが形成されてなるものである。この構成によれ
ば、切れ込みをより大きく形成しながらも密に形成でき
るといった利点がある。
の第５の例を示す概略構成図である。本例の土手状突起
９６は、図５３（ａ）に示すように、当該土手状突起９
６の一方の辺Ｉ側と他方の辺ＩＩ側とに交互に切れ込み
９６ａが形成されてなるものである。この構成によれ
ば、切れ込みをより大きく形成しながらも密に形成でき
るといった利点がある。
【０１００】この場合、図５３（ｂ）に示すように、切
れ込み９６ａを左右の辺Ｉ，ＩＩで対称に形成しても好
適である。
れ込み９６ａを左右の辺Ｉ，ＩＩで対称に形成しても好
適である。
【０１０１】−具体的な実施例−
以下、上述の基本的構成を踏まえ、本実施形態の具体的
な諸実施例を説明する。
な諸実施例を説明する。
【０１０２】［実施例１］透明ガラス基板２に、図４８
で示した土手状突起９１を形成した。即ち、ＩＴＯ共通
電極８を形成した後、レジスト（シプレイ社製）を１５
００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、土手幅ａが１０
μｍ程度、土手幅ｂが４μｍ程度、長手方向の土手長さ
が４５μｍ程度となるように、フォトマスクを介して露
光し、現像した。現像後、１２０℃で４０分間、更に２
００℃で４０分間ベークした後、アッシング処理を行っ
た。
で示した土手状突起９１を形成した。即ち、ＩＴＯ共通
電極８を形成した後、レジスト（シプレイ社製）を１５
００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、土手幅ａが１０
μｍ程度、土手幅ｂが４μｍ程度、長手方向の土手長さ
が４５μｍ程度となるように、フォトマスクを介して露
光し、現像した。現像後、１２０℃で４０分間、更に２
００℃で４０分間ベークした後、アッシング処理を行っ
た。
【０１０３】その後、土手状突起９１の高さを測定する
と、土手幅ａ側では約１．７μｍ程度、土手幅ｂ側では
１．０μｍ程度に形成されており、土手状突起９１には
約０．９°の傾斜の形成が確認できた。通常、ラビング
処理をしたＶＡセルは、約８９°のプレチルト角を有し
ているため、今回、この土手傾斜が約１°であること
は、緩やかな傾斜部を持たせる意味で、妥当な結果とな
った。
と、土手幅ａ側では約１．７μｍ程度、土手幅ｂ側では
１．０μｍ程度に形成されており、土手状突起９１には
約０．９°の傾斜の形成が確認できた。通常、ラビング
処理をしたＶＡセルは、約８９°のプレチルト角を有し
ているため、今回、この土手傾斜が約１°であること
は、緩やかな傾斜部を持たせる意味で、妥当な結果とな
った。
【０１０４】透明ガラス基板１には、図４７に示したよ
うに、ＩＴＯ画素電極５に微細電極パターン２１をパタ
ーン形成した後、レジストを薄く塗布し、パターニング
して微細電極パターン２１を覆う誘電体層２２を形成し
た。これら基板１，２に液層配向膜６ａ，６ｂとして、
ＪＳＲ製垂直配向膜を用いて形成し、液晶（メルク社
製）を注入して、液晶セルを作製した（セル厚：４．０
μｍ程度）。この液晶セルに電圧を印加したところ、液
晶分子が配向し、特に土手状突起９１上において傾斜面
に沿ったかたちで良好な液晶配向が得られることを確認
した。
うに、ＩＴＯ画素電極５に微細電極パターン２１をパタ
ーン形成した後、レジストを薄く塗布し、パターニング
して微細電極パターン２１を覆う誘電体層２２を形成し
た。これら基板１，２に液層配向膜６ａ，６ｂとして、
ＪＳＲ製垂直配向膜を用いて形成し、液晶（メルク社
製）を注入して、液晶セルを作製した（セル厚：４．０
μｍ程度）。この液晶セルに電圧を印加したところ、液
晶分子が配向し、特に土手状突起９１上において傾斜面
に沿ったかたちで良好な液晶配向が得られることを確認
した。
【０１０５】［実施例２］実施例１とほぼ同様の要領
で、透明ガラス基板１，２に各構成要素を形成した。但
し本例では、透明ガラス基板２に図４９で示した土手幅
及び高さの変化パターンが隣接する当該土手状突起９２
間で逆となる形状の土手状突起９２を形成し（液晶セル
Ａ）、土手幅及び高さが一定とされた土手状突起を形成
した従来の場合（液晶セルＢ）と透過率を比較した。
で、透明ガラス基板１，２に各構成要素を形成した。但
し本例では、透明ガラス基板２に図４９で示した土手幅
及び高さの変化パターンが隣接する当該土手状突起９２
間で逆となる形状の土手状突起９２を形成し（液晶セル
Ａ）、土手幅及び高さが一定とされた土手状突起を形成
した従来の場合（液晶セルＢ）と透過率を比較した。
【０１０６】その結果、従来の液晶セルＢでは隣接する
土手状突起間で歪が生じるのに対して、本例の液晶セル
Ａでは均一な配向性を示した。５．４Ｖを印加したと
き、液晶セルＢでは透過率１９．４％であったのに対し
て、液晶セルＡでは２１．１％と高い透過率を得ること
ができ、本例の構造がＭＶＡ型の液晶表示装置に適して
いることを確認した。
土手状突起間で歪が生じるのに対して、本例の液晶セル
Ａでは均一な配向性を示した。５．４Ｖを印加したと
き、液晶セルＢでは透過率１９．４％であったのに対し
て、液晶セルＡでは２１．１％と高い透過率を得ること
ができ、本例の構造がＭＶＡ型の液晶表示装置に適して
いることを確認した。
【０１０７】［実施例３］実施例１とほぼ同様の要領
で、透明ガラス基板１，２に各構成要素を形成した。但
し本例では、透明ガラス基板２に図５２で示した長手方
向の一辺に切れ込み９５ａを有する形状の土手状突起９
５を形成し（液晶セルＣ）、土手幅及び高さが一定とさ
れた土手状突起を形成した従来の場合（液晶セルＤ）と
透過率を比較した。ここで、液晶セルＣには、土手状突
起９５の土手幅を１０μｍ程度とし、土手状突起９５の
長手方向に直交する辺が５μｍ程度、斜辺が１２μｍ程
度の直角三角形状に切れ込み９５ａを形成し、液晶セル
Ｄには、土手幅が１０μｍ程度の土手状突起を形成し
た。
で、透明ガラス基板１，２に各構成要素を形成した。但
し本例では、透明ガラス基板２に図５２で示した長手方
向の一辺に切れ込み９５ａを有する形状の土手状突起９
５を形成し（液晶セルＣ）、土手幅及び高さが一定とさ
れた土手状突起を形成した従来の場合（液晶セルＤ）と
透過率を比較した。ここで、液晶セルＣには、土手状突
起９５の土手幅を１０μｍ程度とし、土手状突起９５の
長手方向に直交する辺が５μｍ程度、斜辺が１２μｍ程
度の直角三角形状に切れ込み９５ａを形成し、液晶セル
Ｄには、土手幅が１０μｍ程度の土手状突起を形成し
た。
【０１０８】その結果、本例の液晶セルＣでは、土手状
突起９５上のドメインが均一となり、瞬時に配向が安定
化するのに対し、従来の液晶セルＤでは、その中心部位
で配向が安定に長時間を要した。また、液晶セルＤでは
印加電圧３Ｖで４５ｍｓを要したのに対して、液晶セル
Ｃでは３５ｍ秒の速い応答性を示し、本例における応答
性の高速化の効果を確認できた。
突起９５上のドメインが均一となり、瞬時に配向が安定
化するのに対し、従来の液晶セルＤでは、その中心部位
で配向が安定に長時間を要した。また、液晶セルＤでは
印加電圧３Ｖで４５ｍｓを要したのに対して、液晶セル
Ｃでは３５ｍ秒の速い応答性を示し、本例における応答
性の高速化の効果を確認できた。
【０１０９】以上説明したように、本実施形態の液晶表
示装置によれば、低階調における応答速度の遅延を改善
して中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等
の動画性能を実現するとともに、土手状突起９１〜９６
のように土手形状を規定することにより、液晶分子の配
向が安定化するまでに要する時間を大幅に短縮させるこ
とができる。これにより、動画表示の際に違和感の少な
い表示を得ることができ、極めて信頼性の高い画像表示
を実現することができる。
示装置によれば、低階調における応答速度の遅延を改善
して中間調応答の高速化を可能とし、ＣＲＴとほぼ同等
の動画性能を実現するとともに、土手状突起９１〜９６
のように土手形状を規定することにより、液晶分子の配
向が安定化するまでに要する時間を大幅に短縮させるこ
とができる。これにより、動画表示の際に違和感の少な
い表示を得ることができ、極めて信頼性の高い画像表示
を実現することができる。
【０１１０】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態の液晶表示装
置は、表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる
２つ以上の領域に分割されるように、一方の基板上に部
分的に絶縁部材が設けられてなるものである。
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態の液晶表示装
置は、表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる
２つ以上の領域に分割されるように、一方の基板上に部
分的に絶縁部材が設けられてなるものである。
【０１１１】−本実施形態の基本的構成−
以下、本実施形態の基本的構成について説明する。本実
施形態の液晶表示装置の概略構成は、図５４に示すよう
に、画素電極１０２の形成されたＴＦＴ基板１０１と、
ＩＴＯ透明電極１０４の形成されたカラーフィルタ（Ｃ
Ｆ）基板１０３とが液晶層１０５等を挟んで対向配置さ
れており、ＴＦＴ基板１０１とＩＴＯ電極１０４との間
の所定部位に、透明の絶縁部材１０６が設けられてい
る。この絶縁部材１０６により、基板１０１，１０３間
の距離（ｄ１，ｄ２）が部分的に調節される。
施形態の液晶表示装置の概略構成は、図５４に示すよう
に、画素電極１０２の形成されたＴＦＴ基板１０１と、
ＩＴＯ透明電極１０４の形成されたカラーフィルタ（Ｃ
Ｆ）基板１０３とが液晶層１０５等を挟んで対向配置さ
れており、ＴＦＴ基板１０１とＩＴＯ電極１０４との間
の所定部位に、透明の絶縁部材１０６が設けられてい
る。この絶縁部材１０６により、基板１０１，１０３間
の距離（ｄ１，ｄ２）が部分的に調節される。
【０１１２】一般的に、応答速度は、理想的には表示の
階調によらず一定であることが望ましい。しかしなが
ら、従来のＭＶＡやＴＮ方式の液晶表示装置の場合、階
調間の応答速度には最大で７〜９倍もの差があるため、
動画表示の際に一部の階調で残像として認識される（図
２参照）。パネル全体として低階調領域での応答速度を
向上させるものとして、ＴＦＴ基板側に誘電体層を設け
た部分応答が案出されているが、本実施形態では、さら
なる改善策として、表示画素の一部分のセル厚を変化さ
せ、セル厚が薄く液晶の応答速度が速い部分を低階調で
有効に利用する。
階調によらず一定であることが望ましい。しかしなが
ら、従来のＭＶＡやＴＮ方式の液晶表示装置の場合、階
調間の応答速度には最大で７〜９倍もの差があるため、
動画表示の際に一部の階調で残像として認識される（図
２参照）。パネル全体として低階調領域での応答速度を
向上させるものとして、ＴＦＴ基板側に誘電体層を設け
た部分応答が案出されているが、本実施形態では、さら
なる改善策として、表示画素の一部分のセル厚を変化さ
せ、セル厚が薄く液晶の応答速度が速い部分を低階調で
有効に利用する。
【０１１３】またＭＶＡの場合に、明るい表示（高階
調）では広い面積が点灯し、暗い表示（低階調）では狭
い面積のみが点灯するような、表示する階調に応じて点
灯する面積が変化する構成とし、更に、各階調で応答速
度を一定にするため、ある階調で表示させた場合、それ
より低階調側で動作する部分を高速に応答させること
で、パネル全体としては階調によらずほぼ一定の応答速
度を得られるような部分応答となる。
調）では広い面積が点灯し、暗い表示（低階調）では狭
い面積のみが点灯するような、表示する階調に応じて点
灯する面積が変化する構成とし、更に、各階調で応答速
度を一定にするため、ある階調で表示させた場合、それ
より低階調側で動作する部分を高速に応答させること
で、パネル全体としては階調によらずほぼ一定の応答速
度を得られるような部分応答となる。
【０１１４】上記を実現する手段として図５４のような
構造を考え、表示画素の一部に透明絶縁部材１０６を形
成することでセル厚の一部が薄い領域を設ける。セル厚
の薄い部分は液品の応答速度が速いため、この部分にΔ
ｎを合わせた液晶を用いると、セル厚の厚い部分（図
中、距離ｄ１で示す部分）では透過率が下がるため、低
電圧ではセル厚の薄い部分（図中、距離ｄ２で示す部
分）のみ明るくなる。
構造を考え、表示画素の一部に透明絶縁部材１０６を形
成することでセル厚の一部が薄い領域を設ける。セル厚
の薄い部分は液品の応答速度が速いため、この部分にΔ
ｎを合わせた液晶を用いると、セル厚の厚い部分（図
中、距離ｄ１で示す部分）では透過率が下がるため、低
電圧ではセル厚の薄い部分（図中、距離ｄ２で示す部
分）のみ明るくなる。
【０１１５】このため、低階調ではセル厚の薄い高速に
応答する部分しか見えないことから（部分応答）、パネ
ル全体の表示としては、低階調領域における高速化を実
現できる。
応答する部分しか見えないことから（部分応答）、パネ
ル全体の表示としては、低階調領域における高速化を実
現できる。
【０１１６】セル厚の薄い部分の面積は、絶縁部材１０
６などをパターニングする必要があるものの、厚い部分
と同じ面積である必要はなく、所望のＴ−Ｖ特性（階調
表示特性）を得るために、そのバランスは任意に設ける
ことができる。
６などをパターニングする必要があるものの、厚い部分
と同じ面積である必要はなく、所望のＴ−Ｖ特性（階調
表示特性）を得るために、そのバランスは任意に設ける
ことができる。
【０１１７】また、セル厚の薄い部分は、絶縁部材の膜
厚を変えることによってセル厚を変化させることが可能
であるため、この部分のＴ−Ｖ特性は絶縁部材１０６の
膜厚で変化させることが可能である。
厚を変えることによってセル厚を変化させることが可能
であるため、この部分のＴ−Ｖ特性は絶縁部材１０６の
膜厚で変化させることが可能である。
【０１１８】−具体的な実施例−
以下、上述の基本的構成を踏まえ、本実施形態の具体的
な諸実施例を説明する。
な諸実施例を説明する。
【０１１９】［実施例１］図５５（（ａ）は平面図、
（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示すように、ＣＦ基板
１０３の着色樹脂上に、感光性のアクリル、ポリイミ
ド、エポキシなどの絶縁部材用透明樹脂を約０．７μｍ
の膜厚で塗布し、フォトマスクを介して露光、現像を行
うことにより、表示画素の一部分にのみ絶縁部材１０６
を残し、それ以外の部分は通常のセル厚になるように絶
縁部材１０６を取り除く。その後、ｌＴＯ透明電極１０
４を成膜し、ＣＦ基板１０３を完成させる。
（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示すように、ＣＦ基板
１０３の着色樹脂上に、感光性のアクリル、ポリイミ
ド、エポキシなどの絶縁部材用透明樹脂を約０．７μｍ
の膜厚で塗布し、フォトマスクを介して露光、現像を行
うことにより、表示画素の一部分にのみ絶縁部材１０６
を残し、それ以外の部分は通常のセル厚になるように絶
縁部材１０６を取り除く。その後、ｌＴＯ透明電極１０
４を成膜し、ＣＦ基板１０３を完成させる。
【０１２０】ＴＦＴ基板１０１については、従来と同じ
ように画素電極１０２にスリット１０２ａが形成された
基板を用いる。この際のスリット１０２ａの形状は、図
示のものでも、また図５５（ｃ）に示すような櫛歯状と
しても良い。
ように画素電極１０２にスリット１０２ａが形成された
基板を用いる。この際のスリット１０２ａの形状は、図
示のものでも、また図５５（ｃ）に示すような櫛歯状と
しても良い。
【０１２１】これらのＴＦＴ基板１０１及びＣＦ基板１
０３に配向膜を形成し、貼り合わせ、切断後に狭ギャッ
プ用にΔｎを調整した液品を注入して、通常部分のセル
厚が４．２μｍ、狭ギャップ部分が３．５μｍのＭＶＡ
液晶パネルを作製した。電圧の印加とともにギャップの
狭い部分から明るくなり始め、特に低階調領域でも応答
特性の良いパネルを得ることができた。
０３に配向膜を形成し、貼り合わせ、切断後に狭ギャッ
プ用にΔｎを調整した液品を注入して、通常部分のセル
厚が４．２μｍ、狭ギャップ部分が３．５μｍのＭＶＡ
液晶パネルを作製した。電圧の印加とともにギャップの
狭い部分から明るくなり始め、特に低階調領域でも応答
特性の良いパネルを得ることができた。
【０１２２】［実施例２］実施例１と同様に、ＴＦＴ基
板１０１及びＣＦ基板１０３を作製した。但し、図５６
（（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示
すように、ＣＦ基板１０３側には、セル厚が変化するギ
ャップの境界部分となる絶縁部材１０６の端部に、レジ
ストを用いて線幅１０μｍ、膜厚１．２μｍの土手状突
起１１１を形成した。
板１０１及びＣＦ基板１０３を作製した。但し、図５６
（（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示
すように、ＣＦ基板１０３側には、セル厚が変化するギ
ャップの境界部分となる絶縁部材１０６の端部に、レジ
ストを用いて線幅１０μｍ、膜厚１．２μｍの土手状突
起１１１を形成した。
【０１２３】これらの基板を実施例１と同様にパネルに
すると、セル厚が変化する段差の部分で発生する配向の
乱れによる透過率低下を抑えることができ、低階調領域
でも応答特性がよく、透過率の高いパネルを得ることが
できた。
すると、セル厚が変化する段差の部分で発生する配向の
乱れによる透過率低下を抑えることができ、低階調領域
でも応答特性がよく、透過率の高いパネルを得ることが
できた。
【０１２４】［実施例３］実施例２と同様に、ＴＦＴ基
板１０１及びＣＦ基板１０３を作製した。但し、図５７
（（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示
すように、ＴＦＴ基板１０１には、スリット１０２ａ部
分にこれを覆うように薄膜絶縁体としてレジストを約
０．５μｍの膜厚で塗布し、パターニングして誘電体層
１１２を形成した。
板１０１及びＣＦ基板１０３を作製した。但し、図５７
（（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉによる断面図）に示
すように、ＴＦＴ基板１０１には、スリット１０２ａ部
分にこれを覆うように薄膜絶縁体としてレジストを約
０．５μｍの膜厚で塗布し、パターニングして誘電体層
１１２を形成した。
【０１２５】このようにスリット１０２ａを含む領域に
構造物を形成した場合、特に中間調部分の応答が大幅に
改善できることが分かっている。この方式と組み合わせ
た場合においては、低階調領域ではセル厚の狭い領域の
液晶分子のみを黒から白へ応答させ、それ以外の誘電体
層１１２の存在する領域では黒のままとする部分応答に
よって中間調表示を実現する。パネル全体として見た場
合、高速応答を示す黒から白への応答を中間調応答に用
いることができるため、低階調での応答速度は更に速く
なる。
構造物を形成した場合、特に中間調部分の応答が大幅に
改善できることが分かっている。この方式と組み合わせ
た場合においては、低階調領域ではセル厚の狭い領域の
液晶分子のみを黒から白へ応答させ、それ以外の誘電体
層１１２の存在する領域では黒のままとする部分応答に
よって中間調表示を実現する。パネル全体として見た場
合、高速応答を示す黒から白への応答を中間調応答に用
いることができるため、低階調での応答速度は更に速く
なる。
【０１２６】本実施形態の液晶表示装置によれば、表示
画素の一部分のセル厚を薄くすることによって、液晶の
応答速度を各階調で均一にし、従来のＭＶＡパネルで見
られた低階調領域での応答速度の遅延が無く、パネルの
低階調での応答特性を高めることが可能となる。また実
際のユニットでも残像の発生が抑えられるため、動画で
も違和感の無い表示を得ることができ、表示品質の向上
に寄与する、
画素の一部分のセル厚を薄くすることによって、液晶の
応答速度を各階調で均一にし、従来のＭＶＡパネルで見
られた低階調領域での応答速度の遅延が無く、パネルの
低階調での応答特性を高めることが可能となる。また実
際のユニットでも残像の発生が抑えられるため、動画で
も違和感の無い表示を得ることができ、表示品質の向上
に寄与する、
【０１２７】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態では、液晶表
示装置の製造方法に特徴がある。
実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実
施形態と同様に、表示画素内に閾値電圧の異なる領域
（低閾値領域及び高閾値領域）を備え、閾値電圧を低閾
値領域で高速応答するように調節されてなるＭＶＡ方式
の液晶表示装置を例示するが、本実施形態では、液晶表
示装置の製造方法に特徴がある。
【０１２８】−本実施形態の基本的構成−
以下、本実施形態の基本的構成について説明する。ＭＶ
Ａ型液晶表示装置には、その製造プロセスについて、以
下に示すような問題が発生している。 （１）ＭＶＡ型液晶表示装置においては、低階調の応答
速度を改善するために、上述したように例えば薄膜トラ
ンジスタを設ける基板（ＴＦＴ基板）側の画素電極上に
誘電体膜に選択的に設ける必要がある。このため製造工
程数が増える。 （２）薄膜トランジスタ製造工程において、トランジス
タに不良が生じる主な理由の一つとして、絶縁膜の静電
気破壊がある。導電膜や絶縁膜を堆積するＰＶＤ，ＣＶ
Ｄ等の成膜工程あるいはゲート電極や配線を加工するた
めのドライエッチング工程で行われるプラズマを利用す
る処理において、浮遊状態にあるゲート電極及びソース
／ドレイン電極に静電気が蓄積し、絶縁膜、特にゲート
絶縁膜が絶縁破壊してしまうのである。また、ソース／
ドレイン電極を形成するためのフォトリソグラフィ工程
において、レジストが塗布された基板をベーキングした
後に支持台から取り外す際に発生するいわゆる剥離帯電
により電極に蓄積した静電気によっても生じる。また、
上記のような静電気の蓄積によって、ＴＦＴ特性の劣
化、特に閾値電圧が変動する場合もある。一般に静電破
壊を防止する方法としては、ゲートバスラインとドレイ
ンバスラインを基板周辺で束ねて接続し同電位とする手
法がある。この配線は工程数削減のためゲートバスライ
ンあるいはドレインバスラインと同様の配線で接続する
が、ゲートバスライン、ドレインバスラインは配線抵抗
を下げるため、Ａ１あるいはＡ１合金を用いる。この場
合、パネル工程おいて、スクライブ後に接続配線の端面
が大気に晒され腐食するという問題が発生した。
Ａ型液晶表示装置には、その製造プロセスについて、以
下に示すような問題が発生している。 （１）ＭＶＡ型液晶表示装置においては、低階調の応答
速度を改善するために、上述したように例えば薄膜トラ
ンジスタを設ける基板（ＴＦＴ基板）側の画素電極上に
誘電体膜に選択的に設ける必要がある。このため製造工
程数が増える。 （２）薄膜トランジスタ製造工程において、トランジス
タに不良が生じる主な理由の一つとして、絶縁膜の静電
気破壊がある。導電膜や絶縁膜を堆積するＰＶＤ，ＣＶ
Ｄ等の成膜工程あるいはゲート電極や配線を加工するた
めのドライエッチング工程で行われるプラズマを利用す
る処理において、浮遊状態にあるゲート電極及びソース
／ドレイン電極に静電気が蓄積し、絶縁膜、特にゲート
絶縁膜が絶縁破壊してしまうのである。また、ソース／
ドレイン電極を形成するためのフォトリソグラフィ工程
において、レジストが塗布された基板をベーキングした
後に支持台から取り外す際に発生するいわゆる剥離帯電
により電極に蓄積した静電気によっても生じる。また、
上記のような静電気の蓄積によって、ＴＦＴ特性の劣
化、特に閾値電圧が変動する場合もある。一般に静電破
壊を防止する方法としては、ゲートバスラインとドレイ
ンバスラインを基板周辺で束ねて接続し同電位とする手
法がある。この配線は工程数削減のためゲートバスライ
ンあるいはドレインバスラインと同様の配線で接続する
が、ゲートバスライン、ドレインバスラインは配線抵抗
を下げるため、Ａ１あるいはＡ１合金を用いる。この場
合、パネル工程おいて、スクライブ後に接続配線の端面
が大気に晒され腐食するという問題が発生した。
【０１２９】従来、薄膜トランジスタ基板の画素電極上
に堆積する誘電体膜は、薄膜トランジスタを形成した後
にレジスト等を堆積していた。これに対して本実施形態
では、薄膜トランジスタ製造工程の過程でゲート絶縁
膜、最終保護膜を用いて誘電体膜を形成する。
に堆積する誘電体膜は、薄膜トランジスタを形成した後
にレジスト等を堆積していた。これに対して本実施形態
では、薄膜トランジスタ製造工程の過程でゲート絶縁
膜、最終保護膜を用いて誘電体膜を形成する。
【０１３０】また、本実施形態では、薄膜トランジスタ
の製造方法において、ゲート電極及びゲートバスライン
を形成した後に、絶縁膜を介して透明導電膜である画素
電極を形成すると共にゲートバスラインとドレインバス
ラインを接続するための配線を周辺部に透明導電膜で形
成する。更に、そのマスクで絶縁膜を除去し、ゲート絶
縁膜、半導体膜、高不純物濃度半導体膜を連続的に堆積
し、半導体膜、高不純物濃度半導体膜を選択的にパター
ニングにより残存させる。更に、画素電極、ゲートバス
ライン端子及び透明導電膜で形成された周辺接続配線に
コンタクトホールを形成する。次に、ソース／ドレイン
電極及びドレインバスラインを形成すると同時に、透明
導電膜で形成された周辺接続配線とドレインバスライン
との接続及び透明導電膜で形成された周辺接続配線とゲ
ートバスライン端子をソース／ドレイン電極と同層の配
線で接続する。
の製造方法において、ゲート電極及びゲートバスライン
を形成した後に、絶縁膜を介して透明導電膜である画素
電極を形成すると共にゲートバスラインとドレインバス
ラインを接続するための配線を周辺部に透明導電膜で形
成する。更に、そのマスクで絶縁膜を除去し、ゲート絶
縁膜、半導体膜、高不純物濃度半導体膜を連続的に堆積
し、半導体膜、高不純物濃度半導体膜を選択的にパター
ニングにより残存させる。更に、画素電極、ゲートバス
ライン端子及び透明導電膜で形成された周辺接続配線に
コンタクトホールを形成する。次に、ソース／ドレイン
電極及びドレインバスラインを形成すると同時に、透明
導電膜で形成された周辺接続配線とドレインバスライン
との接続及び透明導電膜で形成された周辺接続配線とゲ
ートバスライン端子をソース／ドレイン電極と同層の配
線で接続する。
【０１３１】本実施形態では、誘電体膜としてゲート絶
縁膜あるいは最終保護膜を適用するため、製造工程数を
増やさずに効率良くＭＶＡ型液晶表示装置の応答速度が
改善される。
縁膜あるいは最終保護膜を適用するため、製造工程数を
増やさずに効率良くＭＶＡ型液晶表示装置の応答速度が
改善される。
【０１３２】また、絶縁基板上に形成されたゲートバス
ラインの端部とドレインバスラインとが、透明導電膜で
形成された周辺接続配線でＴＦＴが作製されるまでに接
続されて同電位となる。詳しくは、ソース／ドレイン電
極及びドレインバスラインを構成する導電膜を堆積した
段階でこの導電膜とゲート電極間が自動的に短絡される
ため、ゲート絶縁膜の静電気破壊やＴＦＴ特性の劣化が
防止される。また、接続配線が透明導電膜、例えばＩＴ
Ｏであるため、パネル工程のスクライブ後に配線の端面
が大気に晒されても腐食することはない。
ラインの端部とドレインバスラインとが、透明導電膜で
形成された周辺接続配線でＴＦＴが作製されるまでに接
続されて同電位となる。詳しくは、ソース／ドレイン電
極及びドレインバスラインを構成する導電膜を堆積した
段階でこの導電膜とゲート電極間が自動的に短絡される
ため、ゲート絶縁膜の静電気破壊やＴＦＴ特性の劣化が
防止される。また、接続配線が透明導電膜、例えばＩＴ
Ｏであるため、パネル工程のスクライブ後に配線の端面
が大気に晒されても腐食することはない。
【０１３３】−具体的な実施例−
以下、上述の基本的構成を踏まえ、本実施形態の具体的
な実施例を説明する。
な実施例を説明する。
【０１３４】図５８，図５９は、ＴＦＴ基板の平面図で
あり、図６０，図６１は、本実施例のＴＦＴの製造工程
を示す断面図、図６２はゲートバスラインの端子近傍を
示す平面図、図６３は、ゲートバスラインの端子を形成
する工程を示す断面図、図６４はドレインバスラインの
端子近傍を示す平面図、図６５は、ドレインバスライン
の端子を形成する工程を示す断面図である。
あり、図６０，図６１は、本実施例のＴＦＴの製造工程
を示す断面図、図６２はゲートバスラインの端子近傍を
示す平面図、図６３は、ゲートバスラインの端子を形成
する工程を示す断面図、図６４はドレインバスラインの
端子近傍を示す平面図、図６５は、ドレインバスライン
の端子を形成する工程を示す断面図である。
【０１３５】初めに、ＴＦＴの形成工程を図６０，図６
１に基づいて説明し、その後にゲートバスラインの製造
工程、ドレインバスラインの製造工程を説明する。ま
ず、図６０（ａ）に示すように、ガラス基板の上にＡｌ
膜２０１を形成した後に、Ａｌ膜２０１をパターングし
てゲート電極を形成すると共にゲートバスラインを同時
に形成する。この場合、Ａｌ膜２０１のエッチャントと
してはリン酸、酢酸、硝酸と水の混合液を使用する。
１に基づいて説明し、その後にゲートバスラインの製造
工程、ドレインバスラインの製造工程を説明する。ま
ず、図６０（ａ）に示すように、ガラス基板の上にＡｌ
膜２０１を形成した後に、Ａｌ膜２０１をパターングし
てゲート電極を形成すると共にゲートバスラインを同時
に形成する。この場合、Ａｌ膜２０１のエッチャントと
してはリン酸、酢酸、硝酸と水の混合液を使用する。
【０１３６】続いて、図６０（ｂ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮ等の絶縁膜２０３を全体に堆積し、連
続して、スパッタ法により全体にＩＴＯ膜２０４を５０
ｎｍ程度の厚みに堆積し、これをパターニングして画素
電極２０４ｂと周辺接続用配線２０４ａを形成する。な
お、画素電極２０４ｂには、図５８に示すように、ドメ
イン規制用スリット２０５を形成する。この場合、フォ
トレジストをマスクに使用すると共に、エッチング液と
して塩酸塩化第二鉄塩酸水溶液、塩酸・硝酸・水混合液
等を用いてＩＴＯ膜２０４をエッチングし、フッ素系の
ガスを用い反応性イオンエッチング法により、絶縁膜２
０３をエッチングする。
Ｄ法によりＳｉＮ等の絶縁膜２０３を全体に堆積し、連
続して、スパッタ法により全体にＩＴＯ膜２０４を５０
ｎｍ程度の厚みに堆積し、これをパターニングして画素
電極２０４ｂと周辺接続用配線２０４ａを形成する。な
お、画素電極２０４ｂには、図５８に示すように、ドメ
イン規制用スリット２０５を形成する。この場合、フォ
トレジストをマスクに使用すると共に、エッチング液と
して塩酸塩化第二鉄塩酸水溶液、塩酸・硝酸・水混合液
等を用いてＩＴＯ膜２０４をエッチングし、フッ素系の
ガスを用い反応性イオンエッチング法により、絶縁膜２
０３をエッチングする。
【０１３７】続いて、図６０（ｃ）に示すように、プラ
ズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜６，ａ−Ｓｉ動作半導
体膜７及びｎ+ａ−Ｓｉ膜８を順に形成し、フォトレジ
ストをマスクにしてｎ+ａ−Ｓｉ膜８及びａ−Ｓｉ動作
半導体膜７を反応性イオンエッチング法によりパターニ
ングして少なくともゲート電極及びソース／ドレイン電
極となる部分のみ残存させる。ｎ+ａ−Ｓｉ膜８及びａ
−Ｓｉ動作半導体膜７をパターニングする際は、フッ素
系ガスを用い反応性イオンエッチング法によりエッチン
グする。
ズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜６，ａ−Ｓｉ動作半導
体膜７及びｎ+ａ−Ｓｉ膜８を順に形成し、フォトレジ
ストをマスクにしてｎ+ａ−Ｓｉ膜８及びａ−Ｓｉ動作
半導体膜７を反応性イオンエッチング法によりパターニ
ングして少なくともゲート電極及びソース／ドレイン電
極となる部分のみ残存させる。ｎ+ａ−Ｓｉ膜８及びａ
−Ｓｉ動作半導体膜７をパターニングする際は、フッ素
系ガスを用い反応性イオンエッチング法によりエッチン
グする。
【０１３８】続いて、図６０（ｄ）に示すように、ゲー
ト絶縁膜に画素電極、周辺接続用配線端子及びゲートバ
スライン端子のコンタクトホール２０９を形成すると共
に画素電極上にゲート絶縁膜（誘電体膜）２０６のスリ
ット２１０を形成する。この場合、フォトレジストをマ
スクに使用し、フッ素系のガスを用いた反応性イオンエ
ッチング法により、ゲート絶縁膜（誘電体膜）２０６を
エッチングする。なお、ゲート絶縁膜は、ＳｉＮ，Ｓｉ
Ｏ．ＳｉＯＮ，酸化Ａｌ，窒化Ａｌ，ノボラック樹脂，
アクリル樹脂，及びポリイミド樹脂から選ばれた少なく
とも一種であり、単層又は多層に形成されてなるもので
ある。
ト絶縁膜に画素電極、周辺接続用配線端子及びゲートバ
スライン端子のコンタクトホール２０９を形成すると共
に画素電極上にゲート絶縁膜（誘電体膜）２０６のスリ
ット２１０を形成する。この場合、フォトレジストをマ
スクに使用し、フッ素系のガスを用いた反応性イオンエ
ッチング法により、ゲート絶縁膜（誘電体膜）２０６を
エッチングする。なお、ゲート絶縁膜は、ＳｉＮ，Ｓｉ
Ｏ．ＳｉＯＮ，酸化Ａｌ，窒化Ａｌ，ノボラック樹脂，
アクリル樹脂，及びポリイミド樹脂から選ばれた少なく
とも一種であり、単層又は多層に形成されてなるもので
ある。
【０１３９】続いて、図６０（ｅ）に示すように、スパ
ッタ法によりＴｉ膜１３とＡｌ膜１４を積層してから、
フォトレジストのマスクを用いて、Ａｌ膜１４からＳｉ
Ｎ膜６までをパターニングして、Ｔｉ膜１３，Ａｌ膜１
４及びｎ+ａ−Ｓｉ膜８をａ−Ｓｉ動作半導体膜７の上
で分割してその両側に延在させることにより、ドレイン
電極とソース電極をＴＦＴ形成領域に形成し、これと同
時に、ドレイン電極に繋がるドレインバスラインを周辺
接続配線４ａに接続し、ゲートバスラインをドレインメ
タルのパターンで周辺接続配線４ａに接続させる．これ
により、ＴＦＴが完成する。なお、パターニングの際に
は、Ａｌ膜１３とＴｉ膜１４は反応性イオンエッチング
方を使用して、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガスによりエッチ
ングする。その平面状態は、図５８に示すようになり、
ガラス基板１の上には、図６０（ｅ）のように、ＴＦＴ
がマトリクス状に形成されている。なお、図５８の中央
部位に容量バスライン２０２が形成されている。
ッタ法によりＴｉ膜１３とＡｌ膜１４を積層してから、
フォトレジストのマスクを用いて、Ａｌ膜１４からＳｉ
Ｎ膜６までをパターニングして、Ｔｉ膜１３，Ａｌ膜１
４及びｎ+ａ−Ｓｉ膜８をａ−Ｓｉ動作半導体膜７の上
で分割してその両側に延在させることにより、ドレイン
電極とソース電極をＴＦＴ形成領域に形成し、これと同
時に、ドレイン電極に繋がるドレインバスラインを周辺
接続配線４ａに接続し、ゲートバスラインをドレインメ
タルのパターンで周辺接続配線４ａに接続させる．これ
により、ＴＦＴが完成する。なお、パターニングの際に
は、Ａｌ膜１３とＴｉ膜１４は反応性イオンエッチング
方を使用して、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガスによりエッチ
ングする。その平面状態は、図５８に示すようになり、
ガラス基板１の上には、図６０（ｅ）のように、ＴＦＴ
がマトリクス状に形成されている。なお、図５８の中央
部位に容量バスライン２０２が形成されている。
【０１４０】次に、エッチングストッパタイプのＴＦＴ
の作製方法について説明する。上述で図６０ではチャネ
ルエッチタイプのＴＦＴの作製方法を説明したが、図６
１ではエッチングストッパタイプの作製方法を示す。先
ず、図６１（ａ）に示すように、ガラス基板の上にＡｌ
膜２０１を形成した後に、Ａｌ膜２０１をパターニング
してゲート電極を形成すると共にゲートバスラインを同
時に形成する。この場合、Ａｌ膜２０１のエッチャント
としてはリン酸、酢酸、硝酸と水の混合液を使用する。
の作製方法について説明する。上述で図６０ではチャネ
ルエッチタイプのＴＦＴの作製方法を説明したが、図６
１ではエッチングストッパタイプの作製方法を示す。先
ず、図６１（ａ）に示すように、ガラス基板の上にＡｌ
膜２０１を形成した後に、Ａｌ膜２０１をパターニング
してゲート電極を形成すると共にゲートバスラインを同
時に形成する。この場合、Ａｌ膜２０１のエッチャント
としてはリン酸、酢酸、硝酸と水の混合液を使用する。
【０１４１】続いて、図６１（ｂ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮ等の絶縁膜２０３を全体に堆積し、連
続して、スパッタ法によりＩＴＯ膜２０４を５０ｎｍ程
度の厚みに堆積し、これをパターニングして画素電極と
周辺接続用配線２０４ａを形成する。なお、画素電極２
０４には、図５９に示すように、ドメイン規制用スリッ
ト２０５を形成する。この場合、フォトレジストをマス
クに使用すると共に、エッチング液として塩酸塩化第二
鉄塩酸水溶液、塩酸・硝酸・水混合液等を用いてＩＴＯ
膜２０４をエッチングし、フッ素系のガスを用い反応性
イオンエッチング法により、絶縁膜２０３をエッチング
する。
Ｄ法によりＳｉＮ等の絶縁膜２０３を全体に堆積し、連
続して、スパッタ法によりＩＴＯ膜２０４を５０ｎｍ程
度の厚みに堆積し、これをパターニングして画素電極と
周辺接続用配線２０４ａを形成する。なお、画素電極２
０４には、図５９に示すように、ドメイン規制用スリッ
ト２０５を形成する。この場合、フォトレジストをマス
クに使用すると共に、エッチング液として塩酸塩化第二
鉄塩酸水溶液、塩酸・硝酸・水混合液等を用いてＩＴＯ
膜２０４をエッチングし、フッ素系のガスを用い反応性
イオンエッチング法により、絶縁膜２０３をエッチング
する。
【０１４２】続いて、図６１（ｃ）に示すように、プラ
ズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜２０６、ａ−Ｓｉ動作
半導体膜２０７及びＳｉＮチャネル絶縁保護膜２１７を
順に堆積し、次いで、フォトレジストをマスクにしてチ
ャネル絶縁保護膜ＳｉＮ２１７を反応性イオンエッチン
グ法によりパターニングして少なくともゲート電極上の
チャネルとなる部分のみ残存させる。チャネル絶縁保護
膜ＳｉＮ２１７をパターニングする際には、フッ素系ガ
スを用い反応性イオンエッチング法によりエッチングす
る。
ズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮ膜２０６、ａ−Ｓｉ動作
半導体膜２０７及びＳｉＮチャネル絶縁保護膜２１７を
順に堆積し、次いで、フォトレジストをマスクにしてチ
ャネル絶縁保護膜ＳｉＮ２１７を反応性イオンエッチン
グ法によりパターニングして少なくともゲート電極上の
チャネルとなる部分のみ残存させる。チャネル絶縁保護
膜ＳｉＮ２１７をパターニングする際には、フッ素系ガ
スを用い反応性イオンエッチング法によりエッチングす
る。
【０１４３】続いて、図６１（ｄ）に示すように、ａ−
Ｓｉ動作半導体膜２０７及びゲート絶縁膜２０６に画素
電極。周辺接続用中線端子及びゲートバスライン端子の
コンタクトホールを形成すると共に、画素電極上にゲー
ト絶縁膜（誘電体膜）２０６のスリット２１０を形成す
る。この場合、フォトレジストをマスクに使用し、フッ
素系のガスを用い反応性イオンエッチング法により、絶
縁膜をエッチングする。
Ｓｉ動作半導体膜２０７及びゲート絶縁膜２０６に画素
電極。周辺接続用中線端子及びゲートバスライン端子の
コンタクトホールを形成すると共に、画素電極上にゲー
ト絶縁膜（誘電体膜）２０６のスリット２１０を形成す
る。この場合、フォトレジストをマスクに使用し、フッ
素系のガスを用い反応性イオンエッチング法により、絶
縁膜をエッチングする。
【０１４４】続いて、図６１（ｅ）に示すように、プラ
ズマＣＶＤ法によって、ｎ+ａ−Ｓｉ膜２０８を形成
し、続いて、スパッタ法によりＴｉ膜２１３とＡｌ膜２
１４を積層してから、フォトレジストのマスクを用い
て、Ａｌ膜２１３からＳｉＮ膜２０６までをパターニン
グして、ゲート電極の両側に延在させることにより、ド
レイン電極とソース電極をＴＦＴ形成領域に形成し、こ
れと同時に、ドレイン電極に繋がるドレインバスライン
を周辺接続配線に接続し、ゲートバスラインと周辺接続
配線をドレインメタルのパターンで接続させる。これに
より、ＴＦＴが完成する。なお、パターニングの際に
は、Ａｌ膜２１３とＴｉ膜２１４は反応性イオンエッチ
ング方を使用して、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガスによりエ
ッチングし、ｎ +ａ−Ｓｉ膜８とａ−Ｓｉ動作半導体膜
２０７はフッ素系のガスによりエッチングする。その平
面状態は、図５９に示すようになり、ガラス基板１の上
には、図６１（ｅ）のように、ＴＦＴがマトリクス状に
形成されている。
ズマＣＶＤ法によって、ｎ+ａ−Ｓｉ膜２０８を形成
し、続いて、スパッタ法によりＴｉ膜２１３とＡｌ膜２
１４を積層してから、フォトレジストのマスクを用い
て、Ａｌ膜２１３からＳｉＮ膜２０６までをパターニン
グして、ゲート電極の両側に延在させることにより、ド
レイン電極とソース電極をＴＦＴ形成領域に形成し、こ
れと同時に、ドレイン電極に繋がるドレインバスライン
を周辺接続配線に接続し、ゲートバスラインと周辺接続
配線をドレインメタルのパターンで接続させる。これに
より、ＴＦＴが完成する。なお、パターニングの際に
は、Ａｌ膜２１３とＴｉ膜２１４は反応性イオンエッチ
ング方を使用して、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガスによりエ
ッチングし、ｎ +ａ−Ｓｉ膜８とａ−Ｓｉ動作半導体膜
２０７はフッ素系のガスによりエッチングする。その平
面状態は、図５９に示すようになり、ガラス基板１の上
には、図６１（ｅ）のように、ＴＦＴがマトリクス状に
形成されている。
【０１４５】次に、ゲートバスライン端子とドレインバ
スライン端子の形成工程をそれぞれ図６３及び図６５に
基づいて説明する。まず、図６３（ａ）に示すように、
上述したように、ガラス基板の上にＡｌ膜２０１を堆積
した後に、パターニングしてゲート電極とゲートバスラ
イン及びその端子を形成し、ゲートバスラインは、ガラ
ス基板上で例えばＸ方向に延在し、これに繋がるゲート
バスラインの端子は、ガラス基板の対向する２つの辺に
沿って複数形成される。
スライン端子の形成工程をそれぞれ図６３及び図６５に
基づいて説明する。まず、図６３（ａ）に示すように、
上述したように、ガラス基板の上にＡｌ膜２０１を堆積
した後に、パターニングしてゲート電極とゲートバスラ
イン及びその端子を形成し、ゲートバスラインは、ガラ
ス基板上で例えばＸ方向に延在し、これに繋がるゲート
バスラインの端子は、ガラス基板の対向する２つの辺に
沿って複数形成される。
【０１４６】続いて、図６３（ｂ），図６５（ａ）に示
すように、絶縁性膜２０３，ＩＴＯ膜２０４を成長して
画素電極を形成することになるが、併せて、ゲートバス
ラインとドレインバスラインの先端を一体化する周辺接
続配線２０４ａをガラス基板の周縁に沿って形成する。
そして、このマスタパターンで絶縁性膜２０３を除去す
る。
すように、絶縁性膜２０３，ＩＴＯ膜２０４を成長して
画素電極を形成することになるが、併せて、ゲートバス
ラインとドレインバスラインの先端を一体化する周辺接
続配線２０４ａをガラス基板の周縁に沿って形成する。
そして、このマスタパターンで絶縁性膜２０３を除去す
る。
【０１４７】続いて、図６３（ｃ），図６５（ｂ）に示
すように、全体にＳｉＮ膜２０６、ａ−Ｓｉ動作半導体
膜２０７及びｎ+ａ−Ｓｉ膜２０８を形成し、パターニ
ングによりゲート電極及びソース／ドレイン電極となる
部分のみ残存させるため、ｎ +ａ−Ｓｉ膜２０８及びａ
−Ｓｉ動作半導体膜２０７は、ゲートバスラインとその
端子の上からは除去される。
すように、全体にＳｉＮ膜２０６、ａ−Ｓｉ動作半導体
膜２０７及びｎ+ａ−Ｓｉ膜２０８を形成し、パターニ
ングによりゲート電極及びソース／ドレイン電極となる
部分のみ残存させるため、ｎ +ａ−Ｓｉ膜２０８及びａ
−Ｓｉ動作半導体膜２０７は、ゲートバスラインとその
端子の上からは除去される。
【０１４８】次に、図６３（ｃ）のように、ゲートバス
ライン側では、ゲートバスライン端子２２０上で、ゲー
ト絶縁膜２０６に画素電極、周辺接続用配線端子及びゲ
ートバスライン端子のコンタクトホール１８，１９を形
成する。一方、図６５（ｂ）のように、ドレインバスラ
イン側では、ドレインバスライン端子２２２上で、ゲー
ト絶縁膜２０６にドレイン端子のコンタクトホール２１
を形成する。
ライン側では、ゲートバスライン端子２２０上で、ゲー
ト絶縁膜２０６に画素電極、周辺接続用配線端子及びゲ
ートバスライン端子のコンタクトホール１８，１９を形
成する。一方、図６５（ｂ）のように、ドレインバスラ
イン側では、ドレインバスライン端子２２２上で、ゲー
ト絶縁膜２０６にドレイン端子のコンタクトホール２１
を形成する。
【０１４９】続いて、図６３（ｄ），図６５（ｃ）に示
すように、全体にＴｉ膜２１３とＡｌ膜２１４を形成
し、これをパターニングしてソース電極及びドレイン電
極を形成するが、同時にドレイン電極と一体となるドレ
インバスラインをＹ方向に延在し、ドレインバスライン
端子を周辺接続配線に接続させる。同時に、コンタクト
ホール２１９を形成したゲートバスライン端子２２０と
周辺接続配線端子を同層の配線で接続する。このとき、
ゲートバスライン端子２２０とドレインバスライン端子
２２２は、この周辺接続配線２０４ａ自体が端子とな
る。
すように、全体にＴｉ膜２１３とＡｌ膜２１４を形成
し、これをパターニングしてソース電極及びドレイン電
極を形成するが、同時にドレイン電極と一体となるドレ
インバスラインをＹ方向に延在し、ドレインバスライン
端子を周辺接続配線に接続させる。同時に、コンタクト
ホール２１９を形成したゲートバスライン端子２２０と
周辺接続配線端子を同層の配線で接続する。このとき、
ゲートバスライン端子２２０とドレインバスライン端子
２２２は、この周辺接続配線２０４ａ自体が端子とな
る。
【０１５０】このときの平面状態は、図６２、図６４に
示すようになり、ドレインバスラインは、周辺接続端子
に接続した状態になっている。この結果、ドレイン電極
を形成するためにＴｉ膜２１３を形成する時には、その
Ｔｉ膜２１３は、ゲートバスライン及び周辺接続配線２
０４ａに導通した状態になっており、同時に、ゲートバ
スラインは、ドレインメタルと同層の配線で周辺接続配
線と接続されているので、ゲート層とドレイン層は同電
位となり、静電破壊が未然に防止される。なお、ドレイ
ン電極を形成する以前には、静電破壊が生じる恐れはな
い。従って、静電気によりゲート絶縁膜の破壊が生ずる
ことはなく、ＴＦＴ形成工程におけるゲートとドレイン
との短絡問題はこれにより回避される。以上によりドレ
インバスライン、ゲートバスラインとそれらの引出端子
の形成工程が終了する。
示すようになり、ドレインバスラインは、周辺接続端子
に接続した状態になっている。この結果、ドレイン電極
を形成するためにＴｉ膜２１３を形成する時には、その
Ｔｉ膜２１３は、ゲートバスライン及び周辺接続配線２
０４ａに導通した状態になっており、同時に、ゲートバ
スラインは、ドレインメタルと同層の配線で周辺接続配
線と接続されているので、ゲート層とドレイン層は同電
位となり、静電破壊が未然に防止される。なお、ドレイ
ン電極を形成する以前には、静電破壊が生じる恐れはな
い。従って、静電気によりゲート絶縁膜の破壊が生ずる
ことはなく、ＴＦＴ形成工程におけるゲートとドレイン
との短絡問題はこれにより回避される。以上によりドレ
インバスライン、ゲートバスラインとそれらの引出端子
の形成工程が終了する。
【０１５１】ところで、上記した実施例によれば、ＩＴ
Ｏ膜２０４により画素電極を形成した後に、電池効果防
止用のＴｉ膜２１３を形成し、その後にＡｌ膜２１４を
形成し、ドレイン電極２１１、ソース電極２１２を形成
するので、ＩＴＯ画素電極がＡＬ膜２０１に接触するこ
とはなく、Ａｌ膜２０１のパターニング時に電池効果に
よる腐食は発生しない。この場合のＡｌ膜２０１は低抵
抗化のために形成し、その下のＴｉ膜２１３はバリアメ
タル層及び電池効果防止層として設けたものである。な
お、低抵抗化金属膜としては、その他にＡｕ，Ｃｕ，Ａ
ｇ等があり、また電池効果防止金属膜としては、Ｔａ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗなどがある。なお、画素電極としてはＩ
ＴＯ膜の他に酸化錫等を使用してもよい。
Ｏ膜２０４により画素電極を形成した後に、電池効果防
止用のＴｉ膜２１３を形成し、その後にＡｌ膜２１４を
形成し、ドレイン電極２１１、ソース電極２１２を形成
するので、ＩＴＯ画素電極がＡＬ膜２０１に接触するこ
とはなく、Ａｌ膜２０１のパターニング時に電池効果に
よる腐食は発生しない。この場合のＡｌ膜２０１は低抵
抗化のために形成し、その下のＴｉ膜２１３はバリアメ
タル層及び電池効果防止層として設けたものである。な
お、低抵抗化金属膜としては、その他にＡｕ，Ｃｕ，Ａ
ｇ等があり、また電池効果防止金属膜としては、Ｔａ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗなどがある。なお、画素電極としてはＩ
ＴＯ膜の他に酸化錫等を使用してもよい。
【０１５２】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、低階調側における応答速度を高速としたＭＶＡ型液
晶表示装置を実現するとともに、製造工程数を増加させ
ることなく効率よくこれを製造することが可能となる。
ば、低階調側における応答速度を高速としたＭＶＡ型液
晶表示装置を実現するとともに、製造工程数を増加させ
ることなく効率よくこれを製造することが可能となる。
【０１５３】また、本実施形態によれば、ドレイン電極
とドレインバスラインをその成膜時点から周辺接続配線
及びゲートバスラインを介してゲート電極と同電位とし
ているので、成膜工程やドライエッチング工程における
ゲート絶縁膜の静電破壊を未然に防止できる。
とドレインバスラインをその成膜時点から周辺接続配線
及びゲートバスラインを介してゲート電極と同電位とし
ているので、成膜工程やドライエッチング工程における
ゲート絶縁膜の静電破壊を未然に防止できる。
【０１５４】以下、本発明の諸態様を付記としてまとめ
て記載する。
て記載する。
【０１５５】（付記１）電極を有する一対の基板間に液
晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素内
に閾値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾値電
圧が調節され、所望の階調表示特性に制御されてなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素内
に閾値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾値電
圧が調節され、所望の階調表示特性に制御されてなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【０１５６】（付記２）高閾値領域が低閾値領域より面
積的に広くなる範囲内で、前記閾値電圧が調節されてい
ることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
積的に広くなる範囲内で、前記閾値電圧が調節されてい
ることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１５７】（付記３）前記閾値電圧の調節により、前
記表示画素全体における応答特性を平均化されてなるこ
とを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
記表示画素全体における応答特性を平均化されてなるこ
とを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【０１５８】（付記４）液晶配向方位が、前記低閾値領
域を挟んでほぼ対称な方位とされていることを特徴とす
る付記２又は３に記載の液晶表示装置。
域を挟んでほぼ対称な方位とされていることを特徴とす
る付記２又は３に記載の液晶表示装置。
【０１５９】（付記５）前記表示画素内に誘電体層が形
成され、当該誘電体層の有無により前記閾値電圧の異な
る領域が設けられていることを特徴とする付記１〜４の
いずれか１項に記載の液晶表示装置。
成され、当該誘電体層の有無により前記閾値電圧の異な
る領域が設けられていることを特徴とする付記１〜４の
いずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１６０】（付記６）前記電極の前記高閾値領域に対
応する部位にスリットが形成されてなることを特徴とす
る付記２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
応する部位にスリットが形成されてなることを特徴とす
る付記２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１６１】（付記７）前記低閾値領域に対向する側の
前記基板に誘電体突起が形成されてなることを特徴とす
る付記２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
前記基板に誘電体突起が形成されてなることを特徴とす
る付記２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【０１６２】（付記８）前記液晶層は誘電率異方性が負
の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂直
に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に配
向することを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記
載の液晶表示装置。
の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂直
に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に配
向することを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記
載の液晶表示装置。
【０１６３】（付記９）電極を有する一対の基板間に液
晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置で
あって、前記液晶配向膜による配向制御により、表示画
素内に閾値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾
値電圧が調節され、所望の階調表示特性に制御されてな
ることを特徴とする液晶表示装置。
晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置で
あって、前記液晶配向膜による配向制御により、表示画
素内に閾値電圧の異なる領域が形成されており、前記閾
値電圧が調節され、所望の階調表示特性に制御されてな
ることを特徴とする液晶表示装置。
【０１６４】（付記１０）前記閾値電圧の異なる領域が
同一の前記液晶配向膜に形成されていることを特徴とす
る付記９に記載の液晶表示装置。
同一の前記液晶配向膜に形成されていることを特徴とす
る付記９に記載の液晶表示装置。
【０１６５】（付記１１）前記閾値電圧の異なる領域が
対向配置された一対の前記液晶配向膜間で形成されてい
ることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
対向配置された一対の前記液晶配向膜間で形成されてい
ることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
【０１６６】（付記１２）前記液晶配向膜は、その材料
の垂直配向成分の含有率が調整されて前記配向制御され
てなることを特徴とする付記９〜１１のいずれか１項に
記載の液晶表示装置。
の垂直配向成分の含有率が調整されて前記配向制御され
てなることを特徴とする付記９〜１１のいずれか１項に
記載の液晶表示装置。
【０１６７】（付記１３）前記液晶層は誘電率異方性が
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に
配向することを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項
に記載の液晶表示装置。
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に
配向することを特徴とする付記９〜１２のいずれか１項
に記載の液晶表示装置。
【０１６８】（付記１４）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の領域
に分割されるとともに、前記距離の相違を補う膜厚の絶
縁体が前記電極上に設けられてなることを特徴とする液
晶表示装置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の領域
に分割されるとともに、前記距離の相違を補う膜厚の絶
縁体が前記電極上に設けられてなることを特徴とする液
晶表示装置。
【０１６９】（付記１５）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、容量結合により静電容量の異なる２つ以上の領域に
分割されており、駆動電圧の印加時に、前記各領域に静
電容量に応じた電圧がそれぞれ印加されることを特徴と
する液晶表示装置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、容量結合により静電容量の異なる２つ以上の領域に
分割されており、駆動電圧の印加時に、前記各領域に静
電容量に応じた電圧がそれぞれ印加されることを特徴と
する液晶表示装置。
【０１７０】（付記１６）一方の前記基板上に、前記電
極の有無により前記各領域が形成されるとともに、当該
電極の下層にこれと容量結合する容量電極が設けられて
いることを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。
極の有無により前記各領域が形成されるとともに、当該
電極の下層にこれと容量結合する容量電極が設けられて
いることを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。
【０１７１】（付記１７）一方の前記基板の前記電極の
下層における所定の前記領域に対応する部位に、当該電
極と容量結合する容量電極が設けられていることを特徴
とする付記１５に記載の液晶表示装置。
下層における所定の前記領域に対応する部位に、当該電
極と容量結合する容量電極が設けられていることを特徴
とする付記１５に記載の液晶表示装置。
【０１７２】（付記１８）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記電極
の所定部位に複数の微細な透孔が形成されており、当該
部位に対応して表示画素が異なる２つ以上の領域に分割
されていることを特徴とする液晶表示装置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記電極
の所定部位に複数の微細な透孔が形成されており、当該
部位に対応して表示画素が異なる２つ以上の領域に分割
されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１７３】（付記１９）前記液晶層は誘電率異方性が
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に
配向することを特徴とする付記１５〜１８のいずれか１
項に記載の液晶表示装置。
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が略水平に
配向することを特徴とする付記１５〜１８のいずれか１
項に記載の液晶表示装置。
【０１７４】（付記２０）前記所定電圧より小さい電圧
を印加した時に、前記液晶分子の配向が斜めになる方向
が、前記各表示画素内において複数の方向になるように
前記液晶分子を規制するドメイン規制手段を備えること
を特徴とする付記１９に記載の液晶表示装置。
を印加した時に、前記液晶分子の配向が斜めになる方向
が、前記各表示画素内において複数の方向になるように
前記液晶分子を規制するドメイン規制手段を備えること
を特徴とする付記１９に記載の液晶表示装置。
【０１７５】（付記２１）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
内において、少なくとも一方の前記基板上に、前記電極
の一部を露出させる絶縁構造物が設けられ、前記絶縁構
造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形
成されており、前記閾値電圧が調節され、所望の階調表
示特性に制御されてなることを特徴とする液晶表示装
置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
内において、少なくとも一方の前記基板上に、前記電極
の一部を露出させる絶縁構造物が設けられ、前記絶縁構
造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形
成されており、前記閾値電圧が調節され、所望の階調表
示特性に制御されてなることを特徴とする液晶表示装
置。
【０１７６】（付記２２）前記電極には、同一方位に伸
びる複数の線状電極パターンからなる電極パターン群が
形成され、隣接する前記電極パターン群同士では前記線
状電極パターンの伸びる方位が異なるとともに、前記電
極パターン群の形成された前記電極、及び前記電極パタ
ーン群と対向する前記基板の前記電極の少なくとも一方
を覆うように、前記絶縁構造物が部分的に形成されてい
ることを特徴とする付記２１に記載の液晶表示装置。
びる複数の線状電極パターンからなる電極パターン群が
形成され、隣接する前記電極パターン群同士では前記線
状電極パターンの伸びる方位が異なるとともに、前記電
極パターン群の形成された前記電極、及び前記電極パタ
ーン群と対向する前記基板の前記電極の少なくとも一方
を覆うように、前記絶縁構造物が部分的に形成されてい
ることを特徴とする付記２１に記載の液晶表示装置。
【０１７７】（付記２３）前記絶縁構造物は、前記電極
パターン群を構成する前記線状電極パターンと伸びる方
位が異なるような構造物の抜きを有しており、当該抜き
パターンから前記電極の一部が露出することを特徴とす
る付記２２に記載の液晶表示装置。
パターン群を構成する前記線状電極パターンと伸びる方
位が異なるような構造物の抜きを有しており、当該抜き
パターンから前記電極の一部が露出することを特徴とす
る付記２２に記載の液晶表示装置。
【０１７８】（付記２４）前記液晶層は誘電率異方性が
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が前記電極
パターン群を構成する前記線状電極パターンの伸びる方
位に傾斜することを特徴とする付記２２又は２３に記載
の液晶表示装置。
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が前記電極
パターン群を構成する前記線状電極パターンの伸びる方
位に傾斜することを特徴とする付記２２又は２３に記載
の液晶表示装置。
【０１７９】（付記２５）前記電極には、少なくとも１
本の線状電極パターンが形成されており、前記線状電極
パターンの形成された前記電極、及び前記線状電極と対
向する前記基板の前記電極の少なくとも一方を覆うよう
に、前記絶縁構造物が部分的に形成されていることを特
徴とする付記２３に記載の液晶表示装置。
本の線状電極パターンが形成されており、前記線状電極
パターンの形成された前記電極、及び前記線状電極と対
向する前記基板の前記電極の少なくとも一方を覆うよう
に、前記絶縁構造物が部分的に形成されていることを特
徴とする付記２３に記載の液晶表示装置。
【０１８０】（付記２６）前記液晶層は誘電率異方性が
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が前記線状
電極パターンの伸びる方位に傾斜することを特徴とする
付記２５に記載の液晶表示装置。
負の液晶からなり、電圧の無印加時には液晶分子が略垂
直に配向し、所定電圧の印加時には液晶分子が前記線状
電極パターンの伸びる方位に傾斜することを特徴とする
付記２５に記載の液晶表示装置。
【０１８１】（付記２７）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、一方の前
記基板に表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成さ
れ、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示特性に制
御されるとともに、他方の前記基板に帯状の土手状突起
が複数形成されており、前記土手状突起は、その幅及び
高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、一方の前
記基板に表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成さ
れ、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示特性に制
御されるとともに、他方の前記基板に帯状の土手状突起
が複数形成されており、前記土手状突起は、その幅及び
高さの少なくとも一方が場所により異なる形状に形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１８２】（付記２８）前記土手状突起は、その幅及
び高さが徐々に変化する形状に形成されていることを特
徴とする付記２７に記載の液晶表示装置。
び高さが徐々に変化する形状に形成されていることを特
徴とする付記２７に記載の液晶表示装置。
【０１８３】（付記２９）前記土手状突起は、その一部
が分断されて空隙部が形成されていることを特徴とする
付記２７又は２８に記載の液晶表示装置。
が分断されて空隙部が形成されていることを特徴とする
付記２７又は２８に記載の液晶表示装置。
【０１８４】（付記３０）前記土手状突起は、その幅及
び高さの少なくとも一方が周期的に変化する形状に形成
されていることを特徴とする付記２７に記載の液晶表示
装置。
び高さの少なくとも一方が周期的に変化する形状に形成
されていることを特徴とする付記２７に記載の液晶表示
装置。
【０１８５】（付記３１）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素内に閾値電圧の異なる領域を形成し、前記
閾値電圧を調節して、所望の階調表示特性に制御するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素内に閾値電圧の異なる領域を形成し、前記
閾値電圧を調節して、所望の階調表示特性に制御するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１８６】（付記３２）紫外線を部分的に液晶配向膜
の表面に照射し、前記閾値電圧の異なる領域を形成する
ことを特徴とする付記３１に記載の液晶表示装置の製造
方法。
の表面に照射し、前記閾値電圧の異なる領域を形成する
ことを特徴とする付記３１に記載の液晶表示装置の製造
方法。
【０１８７】（付記３３）電極を有する一対の基板間に
液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置
の製造方法であって、前記液晶配向膜を配向制御するこ
とにより、表示画素内に閾値電圧の異なる領域を形成
し、前記閾値電圧が調節して、所望の階調表示特性に制
御することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
液晶配向膜を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置
の製造方法であって、前記液晶配向膜を配向制御するこ
とにより、表示画素内に閾値電圧の異なる領域を形成
し、前記閾値電圧が調節して、所望の階調表示特性に制
御することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１８８】（付記３４）前記液晶配向膜に電磁波を照
射し、当該液晶配向膜を配向制御することを特徴とする
付記３３に記載の液晶表示装置の製造方法。
射し、当該液晶配向膜を配向制御することを特徴とする
付記３３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【０１８９】（付記３５）前記電磁波を、照射エネルギ
ー量、波長、及び強度の少なくとも１種を調節して照射
することを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置の
製造方法。
ー量、波長、及び強度の少なくとも１種を調節して照射
することを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置の
製造方法。
【０１９０】（付記３６）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素を、対向する前記各電極間距離の異なる２
つ以上の領域に分割するとともに、前記距離の相違を補
う膜厚の絶縁体を前記電極上に設けることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素を、対向する前記各電極間距離の異なる２
つ以上の領域に分割するとともに、前記距離の相違を補
う膜厚の絶縁体を前記電極上に設けることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
【０１９１】（付記３７）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、前記電極の所定部位に微細なスリットを形成し、当
該部位に対応して表示画素を異なる２つ以上の領域に分
割することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、前記電極の所定部位に微細なスリットを形成し、当
該部位に対応して表示画素を異なる２つ以上の領域に分
割することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１９２】（付記３８）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素内において、少なくとも一方の前記基板上
に、前記電極の一部を露出させる絶縁構造物を設け、前
記絶縁構造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる
領域を形成し、前記閾値電圧を調節して、所望の階調表
示特性に制御することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、表示画素内において、少なくとも一方の前記基板上
に、前記電極の一部を露出させる絶縁構造物を設け、前
記絶縁構造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる
領域を形成し、前記閾値電圧を調節して、所望の階調表
示特性に制御することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
【０１９３】（付記３９）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、一方の前記基板の表示画素内に閾値電圧の異なる領
域を形成し、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示
特性に制御するとともに、他方の前記基板に、幅及び高
さの少なくとも一方が場所により異なる形状に帯状の土
手状突起を複数形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であっ
て、一方の前記基板の表示画素内に閾値電圧の異なる領
域を形成し、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示
特性に制御するとともに、他方の前記基板に、幅及び高
さの少なくとも一方が場所により異なる形状に帯状の土
手状突起を複数形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
【０１９４】（付記４０）電極を有する一対の基板間に
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の領域
に分割されるように、一方の前記基板上に部分的に絶縁
部材が設けられ、所望の階調表示特性に制御されてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、表示画素
が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以上の領域
に分割されるように、一方の前記基板上に部分的に絶縁
部材が設けられ、所望の階調表示特性に制御されてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０１９５】（付記４１）他方の前記基板上の前記電極
にスリットが形成されていることを特徴とする付記４０
に記載の液晶表示装置。
にスリットが形成されていることを特徴とする付記４０
に記載の液晶表示装置。
【０１９６】（付記４２）前記絶縁部材の一端部に土手
状突起が設けられていることを特徴とする付記４０又は
４１に記載の液晶表示装置。
状突起が設けられていることを特徴とする付記４０又は
４１に記載の液晶表示装置。
【０１９７】（付記４３）第１の電極及び薄膜トランジ
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記第
１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成し、前記
透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に周辺接続
配線を形成し、前記薄膜トランジスタを構成するゲート
バスラインとドレインバスラインとを前記周辺接続配線
により接続することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記第
１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成し、前記
透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に周辺接続
配線を形成し、前記薄膜トランジスタを構成するゲート
バスラインとドレインバスラインとを前記周辺接続配線
により接続することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【０１９８】（付記４４）第１の電極及び薄膜トランジ
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄
膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を形成する際
に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共に前記第１
の電極上に所望の階調表示特性に制御するための所定形
状の絶縁部材を形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄
膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を形成する際
に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共に前記第１
の電極上に所望の階調表示特性に制御するための所定形
状の絶縁部材を形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
【０１９９】（付記４５）第１の電極及び薄膜トランジ
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記第
１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成し、前記
透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に周辺接続
配線を形成し、前記薄膜トランジスタを構成するゲート
バスラインとドレインバスラインとを前記周辺接続配線
により接続するとともに、前記薄膜トランジスタを構成
するゲート絶縁膜を形成する際に、同一材料を用いて当
該ゲート絶縁膜と共に前記第１の電極上に所望の階調表
示特性に制御するための所定形状の絶縁部材を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
スタが形成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成
されてなる第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、前記第
１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成し、前記
透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に周辺接続
配線を形成し、前記薄膜トランジスタを構成するゲート
バスラインとドレインバスラインとを前記周辺接続配線
により接続するとともに、前記薄膜トランジスタを構成
するゲート絶縁膜を形成する際に、同一材料を用いて当
該ゲート絶縁膜と共に前記第１の電極上に所望の階調表
示特性に制御するための所定形状の絶縁部材を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０２００】（付記４６）前記ゲート絶縁膜は、Ｓｉ
Ｎ，ＳｉＯ．ＳｉＯＮ，酸化Ａｌ，窒化Ａｌ，ノボラッ
ク樹脂，アクリル樹脂，及びポリイミド樹脂から選ばれ
た少なくとも一種であり、単層又は多層に形成されてな
るものであることを特徴とする付記４４又は４５に記載
の液晶表示装置の製造方法。
Ｎ，ＳｉＯ．ＳｉＯＮ，酸化Ａｌ，窒化Ａｌ，ノボラッ
ク樹脂，アクリル樹脂，及びポリイミド樹脂から選ばれ
た少なくとも一種であり、単層又は多層に形成されてな
るものであることを特徴とする付記４４又は４５に記載
の液晶表示装置の製造方法。
【０２０１】
【発明の効果】本発明によれば、低階調における応答速
度の遅延を改善して中間調応答の高速化を可能とし、Ｃ
ＲＴとほぼ同等の動画性能を有する信頼性の高い画像表
示を実現することができる。
度の遅延を改善して中間調応答の高速化を可能とし、Ｃ
ＲＴとほぼ同等の動画性能を有する信頼性の高い画像表
示を実現することができる。
【０２０２】更に本発明によれば、低階調における応答
速度の遅延を改善して中間調応答の高速化を可能とし、
ＣＲＴとほぼ同等の動画性能を実現するとともに、土手
状突起形状を規定することにより、液晶分子の配向が安
定化するまでに要する時間を大幅に短縮させることがで
きる。これにより、動画表示の際に違和感の少ない表示
を得ることができ、極めて信頼性の高い画像表示を実現
することができる。
速度の遅延を改善して中間調応答の高速化を可能とし、
ＣＲＴとほぼ同等の動画性能を実現するとともに、土手
状突起形状を規定することにより、液晶分子の配向が安
定化するまでに要する時間を大幅に短縮させることがで
きる。これにより、動画表示の際に違和感の少ない表示
を得ることができ、極めて信頼性の高い画像表示を実現
することができる。
【図１】本発明の液晶表示装置の概略的な主要構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】第１の実施形態の原理を説明するための透過率
と応答時間との関係を示す特性図である。
と応答時間との関係を示す特性図である。
【図３】階調バーを示す模式図である。
【図４】第１の実施形態における実施例１の液晶表示装
置における主要構成を示す概略図である。
置における主要構成を示す概略図である。
【図５】実施例１の構造における液晶配向状態を示す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図６】部分応答の効果と誘電体膜厚の依存性を調べた
結果を示す特性図である。
結果を示す特性図である。
【図７】３．０Ｖ印加時における誘電体膜厚と部分応答
との関係を示す顕微鏡写真である。
との関係を示す顕微鏡写真である。
【図８】第１の実施形態における実施例２の液晶表示装
置における主要構成を示す概略図である。
置における主要構成を示す概略図である。
【図９】実施例２の構造における液晶配向状態を示す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図１０】第１の実施形態における実施例３の液晶表示
装置における主要構成を示す概略図である。
装置における主要構成を示す概略図である。
【図１１】実施例３の構造における液晶配向状態を示す
顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
【図１２】実施例１，２の応答速度を比較した特性図で
ある。
ある。
【図１３】実施例１，３の応答速度を比較した特性図で
ある。
ある。
【図１４】実施例１，３の構造で非誘電体領域の幅を５
μｍ程度に統一し、横軸を階調に替わって電圧とした特
性図（Ｔ−Ｖ特性図）である。
μｍ程度に統一し、横軸を階調に替わって電圧とした特
性図（Ｔ−Ｖ特性図）である。
【図１５】実施例１，３の構造で電圧と応答時間との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図１６】第１の実施形態における実施例４の液晶表示
装置における主要構成を示す概略図である。
装置における主要構成を示す概略図である。
【図１７】平行光源と非平行光源の２種類の紫外線光源
を用い、照射エネルギーを変えて電圧と透過率との関係
を調べた結果を示す特性図である。
を用い、照射エネルギーを変えて電圧と透過率との関係
を調べた結果を示す特性図である。
【図１８】紫外線光源の照射量を変えて、電圧と透過率
との関係及び透過率と応答時間との関係を調べた結果を
示す特性図である。
との関係及び透過率と応答時間との関係を調べた結果を
示す特性図である。
【図１９】低階調の応答特性を示す特性図である。
【図２０】第１の実施形態における実施例７の液晶表示
装置の主要構成を示す概略図である。
装置の主要構成を示す概略図である。
【図２１】第１の実施形態における実施例８の液晶表示
装置の主要構成を示す概略図である。
装置の主要構成を示す概略図である。
【図２２】第１の実施形態における実施例９の液晶表示
装置の主要構成を示す概略図である。
装置の主要構成を示す概略図である。
【図２３】第１の実施形態における実施例９の液晶表示
装置の他の例を示す概略図である。
装置の他の例を示す概略図である。
【図２４】第１の実施形態における実施例１０の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図２５】第１の実施形態における実施例１１の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図２６】第１の実施形態における実施例１２の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図２７】第１の実施形態における実施例１３の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図２８】第１の実施形態における実施例１３の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図２９】第１の実施形態における実施例１３の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３０】第１の実施形態における実施例１３の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３１】第１の実施形態における実施例１４の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図３２】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図３３】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３４】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３５】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３６】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３７】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３８】第１の実施形態における実施例１５の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図３９】第１の実施形態における実施例１６の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図４０】第１の実施形態における実施例１６の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４１】第１の実施形態における実施例１６の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４２】第１の実施形態における実施例１６の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４３】第１の実施形態における実施例１７の液晶表
示装置の主要構成を示す概略図である。
示装置の主要構成を示す概略図である。
【図４４】第１の実施形態における実施例１７の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４５】第１の実施形態における実施例１７の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４６】第１の実施形態における実施例１７の液晶表
示装置の他の例を示す概略図である。
示装置の他の例を示す概略図である。
【図４７】第２の実施形態における液晶表示装置の概略
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図４８】第２の実施形態における土手状突起の第１の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図４９】第２の実施形態における土手状突起の第２の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図５０】第２の実施形態における土手状突起の第３の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図５１】第２の実施形態における土手状突起の第２，
第３の例を併合した際の概略構成図である。
第３の例を併合した際の概略構成図である。
【図５２】第２の実施形態における土手状突起の第４の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図５３】第２の実施形態における土手状突起の第５の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図５４】第３の実施形態における液晶表示装置の概略
構成を示す概略断面図である。
構成を示す概略断面図である。
【図５５】第３の実施形態における実施例１の液晶表示
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図５６】第３の実施形態における実施例２の液晶表示
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図５７】第３の実施形態における実施例３の液晶表示
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図５８】第４の実施形態における液晶表示装置を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図５９】第４の実施形態における液晶表示装置を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図６０】第４の実施形態におけるチャネルエッチタイ
プのＴＦＴの作製方法を示す概略断面図である。
プのＴＦＴの作製方法を示す概略断面図である。
【図６１】第４の実施形態におけるエッチングストッパ
タイプのＴＦＴの作製方法を示す概略断面図である。
タイプのＴＦＴの作製方法を示す概略断面図である。
【図６２】第４の実施形態におけるゲートバスライン端
子近傍を示す概略平面図である。
子近傍を示す概略平面図である。
【図６３】ゲートバスライン端子の形成工程を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図６４】第４の実施形態におけるドレインバスライン
端子近傍を示す概略平面図である。
端子近傍を示す概略平面図である。
【図６５】ドレインバスライン端子の形成工程を示す概
略断面図である。
略断面図である。
１，２ 透明ガラス基板
３，１０５ 液晶層
４，３４ 絶縁層
５ ＩＴＯ画素電極
６ａ，６ｂ 液晶配向膜
７ カラーフィルタ
８ ＩＴＯ共通電極
９，１０ 偏光子
１１ データバスライン
２１，８２ 微細電極パターン
２２，３３，４４，５２ 誘電体層
２３，３１ 高閾値領域
２４，３２ 低閾値領域
２５，３７，３８ 帯状スリット
２６，３５，３６，９１〜９６ 土手状突起
４１，４２，７６，７７ 領域
４３，５３ 駆動電極
４５，５４ 分割電極
５１ 容量結合電極
６１ 透孔
７１ 微細電極パターン
７２，８２，８３ 絶縁構造物
７３，１０２ａ スリット
７４ スリット群
７５ 開口
８１ 格子状スリット
９５ａ 切れ込み
１０１ ＴＦＴ基板
１０２ 画素電極
１０３ ＣＦ基板
１０４ ｌＴＯ透明電極
１０６ 絶縁部材
１１１ 土手状突起
１１２ 誘電体膜
２０１ Ａｌ膜
２０４ ＩＴＯ膜
２０４ａ 周辺接続用配線
２０４ｂ 画素電極
２０５ ドメイン規制用スリット
２０９，２１８，１２９，２２１ コンタクトホール
２２０ ゲートバスライン端子
２２２ ドレインバスライン端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１Ｌ
21/336 29/78 ６１２Ｄ
29/786
(72)発明者 片岡 真吾
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 中村 公昭
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 津田 英昭
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 佐々木 貴啓
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 上田 一也
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 池田 政博
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 美▲崎▼ 克紀
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 近藤 直人
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 小森田 章
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H089 HA16 KA11 QA16 RA08 SA01
TA02 TA04 TA05 TA09
2H090 HA03 HA05 HB07X HC11
HC19 HD07 KA07 LA01 LA04
MA01 MA15 MB01
2H092 GA14 GA17 GA32 HA12 JA26
JA34 JB56 JB61 KA12 MA37
NA05 QA09
4M104 AA01 AA09 AA10 BB02 BB13
BB14 BB16 BB17 BB18 BB36
CC01 CC05 DD15 DD16 DD17
DD18 DD20 DD37 DD64 DD65
EE03 EE14 EE16 EE17 EE18
FF17 FF22 GG09 HH20
5F110 AA01 BB01 CC07 DD02 EE03
FF01 FF02 FF03 FF04 FF09
FF30 GG02 GG15 GG45 HK03
HK04 HK09 HK16 HK22 HK35
NN12 NN24 NN72
Claims (25)
- 【請求項１】 電極を有する一対の基板間に液晶層を挟
持してなる液晶表示装置であって、 表示画素内に閾値電圧の異なる領域が形成されており、 前記閾値電圧が調節され、所望の階調表示特性に制御さ
れてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 高閾値領域が低閾値領域より面積的に広
くなる範囲内で、前記閾値電圧が調節されていることを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記閾値電圧の調節により、前記表示画
素全体における応答特性を平均化されてなることを特徴
とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶配向方位が、前記低閾値領域を挟ん
でほぼ対称な方位とされていることを特徴とする請求項
２又は３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記表示画素内に誘電体層が形成され、
当該誘電体層の有無により前記閾値電圧の異なる領域が
設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 電極を有する一対の基板間に液晶配向膜
を介して液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、 前記液晶配向膜による配向制御により、表示画素内に閾
値電圧の異なる領域が形成されており、 前記閾値電圧が調節され、所望の階調表示特性に制御さ
れてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記閾値電圧の異なる領域が同一の前記
液晶配向膜に形成されていることを特徴とする請求項６
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記閾値電圧の異なる領域が対向配置さ
れた一対の前記液晶配向膜間で形成されていることを特
徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記液晶配向膜は、その材料の垂直配向
成分の含有率が調整されて前記配向制御されてなること
を特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１０】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以
上の領域に分割されるとともに、前記距離の相違を補う
膜厚の絶縁体が前記電極上に設けられてなることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 表示画素が、容量結合により静電容量の異なる２つ以上
の領域に分割されており、 駆動電圧の印加時に、前記各領域に静電容量に応じた電
圧がそれぞれ印加されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１２】 一方の前記基板上に、前記電極の有無
により前記各領域が形成されるとともに、当該電極の下
層にこれと容量結合する容量電極が設けられていること
を特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 一方の前記基板の前記電極の下層にお
ける所定の前記領域に対応する部位に、当該電極と容量
結合する容量電極が設けられていることを特徴とする請
求項１１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 前記電極の所定部位に複数の微細な透孔が形成されてお
り、当該部位に対応して表示画素が異なる２つ以上の領
域に分割されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１５】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 表示画素内において、少なくとも一方の前記基板上に、
前記基板の一部を露出させる絶縁構造物が設けられ、前
記絶縁構造物により前記表示画素内に閾値電圧の異なる
領域が形成されており、 前記閾値電圧が調節され、所望の階調表示特性に制御さ
れてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１６】 前記電極には、同一方位に伸びる複数
の線状電極パターンからなる電極パターン群が形成さ
れ、隣接する前記電極パターン群同士では前記線状電極
パターンの伸びる方位が異なるとともに、 前記電極パターン群の形成された前記電極、及び前記電
極パターン群と対向する前記基板の前記電極の少なくと
も一方を覆うように、前記絶縁構造物が部分的に形成さ
れていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１７】 前記絶縁構造物は、前記電極パターン
群を構成する前記線状電極パターンと伸びる方位が異な
るような構造物の抜きを有しており、当該抜きパターン
から前記電極の一部が露出することを特徴とする請求項
１６に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１８】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 一方の前記基板に表示画素内に閾値電圧の異なる領域が
形成され、前記閾値電圧の調節により所望の階調表示特
性に制御されるとともに、他方の前記基板に帯状の土手
状突起が複数形成されており、 前記土手状突起は、その幅及び高さの少なくとも一方が
場所により異なる形状に形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項１９】 電極を有する一対の基板間に液晶層を
挟持してなる液晶表示装置であって、 表示画素が、対向する前記各電極間距離の異なる２つ以
上の領域に分割されるように、一方の前記基板上に部分
的に絶縁部材が設けられ、所望の階調表示特性に制御さ
れてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】 他方の前記基板上の前記電極にスリッ
トが形成されていることを特徴とする請求項１９に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項２１】 前記絶縁部材の一端部に土手状突起が
設けられていることを特徴とする請求項１９又は２０に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項２２】 第１の電極及び薄膜トランジスタが形
成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成されてな
る第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持して
なる液晶表示装置の製造方法であって、 前記第１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成
し、前記透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に
周辺接続配線を形成し、 前記薄膜トランジスタを構成するゲートバスラインとド
レインバスラインとを前記周辺接続配線により接続する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２３】 第１の電極及び薄膜トランジスタが形
成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成されてな
る第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持して
なる液晶表示装置の製造方法であって、 前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を形成す
る際に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共に前記
第１の電極上に所望の階調表示特性に制御するための所
定形状の絶縁部材を形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項２４】 第１の電極及び薄膜トランジスタが形
成されてなる第１の基板と、第２の電極が形成されてな
る第２の基板とが液晶配向膜を介して液晶層を挟持して
なる液晶表示装置の製造方法であって、 前記第１の基板上に絶縁膜を介して透明導電膜を形成
し、前記透明導電膜を加工して、前記第1の電極と共に
周辺接続配線を形成し、 前記薄膜トランジスタを構成するゲートバスラインとド
レインバスラインとを前記周辺接続配線により接続する
とともに、 前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を形成す
る際に、同一材料を用いて当該ゲート絶縁膜と共に前記
第１の電極上に所望の階調表示特性に制御するための所
定形状の絶縁部材を形成することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記ゲート絶縁膜は、ＳｉＮ，Ｓｉ
Ｏ．ＳｉＯＮ，酸化Ａｌ，窒化Ａｌ，ノボラック樹脂，
アクリル樹脂，及びポリイミド樹脂から選ばれた少なく
とも一種であり、単層又は多層に形成されてなるもので
あることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の液晶
表示装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398317A JP2003156731A (ja) | 2001-09-07 | 2001-12-27 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR1020020029831A KR100866339B1 (ko) | 2001-09-07 | 2002-05-29 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TW091120396A TW559871B (en) | 2001-09-07 | 2002-09-05 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US10/236,002 US7110063B2 (en) | 2001-09-07 | 2002-09-05 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US11/250,879 US7656465B2 (en) | 2001-09-07 | 2005-10-15 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| KR1020070098018A KR100921422B1 (ko) | 2001-09-07 | 2007-09-28 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272355 | 2001-09-07 | ||
| JP2001-272355 | 2001-09-07 | ||
| JP2001398317A JP2003156731A (ja) | 2001-09-07 | 2001-12-27 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007154376A Division JP2007241316A (ja) | 2001-09-07 | 2007-06-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156731A true JP2003156731A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=26621854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398317A Pending JP2003156731A (ja) | 2001-09-07 | 2001-12-27 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7110063B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003156731A (ja) |
| KR (2) | KR100866339B1 (ja) |
| TW (1) | TW559871B (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005208309A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006139046A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2006189610A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006208995A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006330605A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007133054A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008203524A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toppoly Optoelectronics Corp | マルチドメイン化液晶ディスプレイ |
| JP2009237444A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子 |
| US7692755B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including protrusion with recessed portion for accepting spherical spacer |
| JP2010079316A (ja) * | 2010-01-12 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2010198046A (ja) * | 2010-06-18 | 2010-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2011028295A (ja) * | 2003-06-10 | 2011-02-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2012115033A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| WO2012115032A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI403811B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-08-01 | Innolux Corp | 具有多域垂直配向式畫素結構的基板及其製作方法、液晶顯示面板、液晶顯示裝置 |
| US8842246B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-09-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004279904A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2004301979A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置 |
| JP4749678B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2011-08-17 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びこの製造方法 |
| JP4813050B2 (ja) | 2003-12-03 | 2011-11-09 | 三星電子株式会社 | 表示板及びこれを含む液晶表示装置 |
| JP2005227745A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP2006084860A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Sharp Corp | 液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置 |
| JP4215019B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2009-01-28 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP4460488B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2010-05-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7924382B2 (en) * | 2005-05-25 | 2011-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device substrate, method of manufacturing liquid crystal display device substrate, liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device |
| JP4767588B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4689352B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
| KR101201969B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP2008046148A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4475303B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| US8446350B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Liquid crystal panel, liquid crystal panel device, display device, and projector |
| US9024907B2 (en) * | 2009-04-03 | 2015-05-05 | Synaptics Incorporated | Input device with capacitive force sensor and method for constructing the same |
| US20110137185A1 (en) * | 2009-05-21 | 2011-06-09 | Starr Life Sciences Corp. | Saddle Faced Small Animal Sensor Clip |
| US8358322B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-01-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Display |
| US9057653B2 (en) | 2010-05-11 | 2015-06-16 | Synaptics Incorporated | Input device with force sensing |
| JP5821328B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2015-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器装置、ロボットハンド及びロボット |
| CN102566170B (zh) * | 2010-12-24 | 2015-04-01 | 群创光电股份有限公司 | 像素基板及其制作方法、液晶显示面板、液晶显示装置 |
| US9557857B2 (en) | 2011-04-26 | 2017-01-31 | Synaptics Incorporated | Input device with force sensing and haptic response |
| US9748952B2 (en) * | 2011-09-21 | 2017-08-29 | Synaptics Incorporated | Input device with integrated deformable electrode structure for force sensing |
| US9041418B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-05-26 | Synaptics Incorporated | Input device with force sensing |
| US20130155363A1 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Chiayu Lee | Array Substrate, LCD and Manufacturing Method of Array Substrate |
| US10126861B2 (en) | 2015-05-08 | 2018-11-13 | Synaptics Incorporated | Force sensor substrate |
| US10452211B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-10-22 | Synaptics Incorporated | Force sensor with uniform response in an axis |
| CN108196404B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示器 |
| EP3837582B1 (en) * | 2018-08-14 | 2024-10-09 | E Ink Corporation | Piezo electrophoretic display |
| CN113460954B (zh) * | 2021-05-24 | 2024-03-12 | 北京量子信息科学研究院 | 含钽膜的微纳米结构元件及其制备方法 |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182828A (ja) | 1988-01-13 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| US5576858A (en) * | 1991-10-14 | 1996-11-19 | Hosiden Corporation | Gray scale LCD control capacitors formed between a control capacitor electrode on one side of an insulating layer and two subpixel electrodes on the other side |
| JP3077096B2 (ja) | 1991-12-20 | 2000-08-14 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| DE69221102T2 (de) * | 1991-12-20 | 1998-01-08 | Fujitsu Ltd | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit verschiedenen aufgeteilten Orientierungsbereichen |
| JP3081357B2 (ja) | 1992-04-15 | 2000-08-28 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH05341318A (ja) | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
| JP3401049B2 (ja) | 1993-05-26 | 2003-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 階調液晶表示パネル |
| US5777700A (en) | 1993-07-14 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
| JP2590693B2 (ja) | 1993-07-14 | 1997-03-12 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5689322A (en) * | 1993-07-30 | 1997-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having regions with different twist angles |
| JP3127069B2 (ja) | 1993-12-15 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH07225389A (ja) | 1994-02-16 | 1995-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
| JPH07270822A (ja) | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP3005418B2 (ja) | 1994-05-18 | 2000-01-31 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH0850281A (ja) | 1994-05-31 | 1996-02-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH07325323A (ja) | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0822023A (ja) | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
| US5717474A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-10 | Honeywell Inc. | Wide-viewing angle multi-domain halftone active matrix liquid crystal display having compensating retardation |
| JP3142739B2 (ja) | 1994-11-29 | 2001-03-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH08292422A (ja) | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示素子 |
| JPH10123547A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP3748137B2 (ja) | 1996-11-07 | 2006-02-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6104450A (en) | 1996-11-07 | 2000-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device, and methods of manufacturing and driving same |
| JP3395877B2 (ja) | 1996-12-20 | 2003-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6344883B2 (en) * | 1996-12-20 | 2002-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| JP4201862B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2008-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI269250B (en) * | 1997-06-12 | 2006-12-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
| JP3796050B2 (ja) | 1998-07-22 | 2006-07-12 | シャープ株式会社 | 液晶電気光学装置およびその製造方法 |
| US6384889B1 (en) * | 1998-07-24 | 2002-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with sub pixel regions defined by sub electrode regions |
| JP3104687B2 (ja) | 1998-08-28 | 2000-10-30 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4251697B2 (ja) | 1998-12-28 | 2009-04-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3583627B2 (ja) | 1998-10-12 | 2004-11-04 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100662059B1 (ko) * | 1998-10-12 | 2006-12-27 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4041610B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2008-01-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4162313B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2008-10-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100379287B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2003-04-10 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 멀티 도메인 액정 표시장치 |
| JP4364381B2 (ja) | 1999-12-28 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6927824B1 (en) * | 1999-09-16 | 2005-08-09 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001398317A patent/JP2003156731A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-29 KR KR1020020029831A patent/KR100866339B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-05 US US10/236,002 patent/US7110063B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-05 TW TW091120396A patent/TW559871B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-15 US US11/250,879 patent/US7656465B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-28 KR KR1020070098018A patent/KR100921422B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011028295A (ja) * | 2003-06-10 | 2011-02-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7605874B2 (en) | 2004-01-22 | 2009-10-20 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2005208309A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4515102B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2010-07-28 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7692755B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including protrusion with recessed portion for accepting spherical spacer |
| JP2006139046A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US8508702B2 (en) | 2004-11-12 | 2013-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP4549819B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2010-09-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7911573B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7978290B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US9007553B2 (en) | 2005-01-06 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7710523B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8804079B2 (en) | 2005-01-06 | 2014-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP2006189610A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US8432518B2 (en) | 2005-01-06 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8325306B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8212981B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8208106B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8125600B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7920239B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP4551230B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-09-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2006208995A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8896803B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US7944541B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US7786965B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| JP2006330605A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007133054A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4734503B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2011-07-27 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | マルチドメイン化液晶ディスプレイ |
| JP2008203524A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toppoly Optoelectronics Corp | マルチドメイン化液晶ディスプレイ |
| JP2009237444A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子 |
| US8842246B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-09-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US9429783B2 (en) | 2009-09-30 | 2016-08-30 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| US9785001B2 (en) | 2009-09-30 | 2017-10-10 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display apparatus |
| TWI403811B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-08-01 | Innolux Corp | 具有多域垂直配向式畫素結構的基板及其製作方法、液晶顯示面板、液晶顯示裝置 |
| JP2010079316A (ja) * | 2010-01-12 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2010198046A (ja) * | 2010-06-18 | 2010-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| WO2012115032A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| WO2012115033A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7656465B2 (en) | 2010-02-02 |
| KR100866339B1 (ko) | 2008-11-03 |
| US7110063B2 (en) | 2006-09-19 |
| KR20070106658A (ko) | 2007-11-05 |
| US20060097970A1 (en) | 2006-05-11 |
| US20030058374A1 (en) | 2003-03-27 |
| KR100921422B1 (ko) | 2009-10-14 |
| KR20030022012A (ko) | 2003-03-15 |
| TW559871B (en) | 2003-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003156731A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US7542120B2 (en) | Vertical alignment active matrix liquid crystal display device having particular transparent step films | |
| JPH1096929A (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP1284433A2 (en) | Transflective liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
| US20130070177A1 (en) | Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view | |
| US20110211137A1 (en) | Liquid crystal display | |
| US8169575B2 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display | |
| JP2004184967A (ja) | 広視野角ディスプレイ装置とその製造方法 | |
| EP1643298A1 (en) | Method of manufacturing a liquid crystal display and a mask for use in same | |
| US20060146241A1 (en) | Vertically aligned mode liquid crystal display | |
| JP4391634B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100358872B1 (ko) | Ｌｃｄ 및 그 제조 방법 | |
| US7652739B2 (en) | Liquid crystal display apparatus using switching devices and a method of manufacturing the same | |
| EP1480070B1 (en) | LCD - TFT array with electrode cutouts for multi-domain pixels | |
| JP4235615B2 (ja) | 多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板 | |
| JP4575776B2 (ja) | 多重ドメイン液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 | |
| US6587173B2 (en) | Multidomain liquid crystal display device | |
| JP2005338388A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3208189B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4489253B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4166849B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP4520498B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10319433A (ja) | Ｔｆｔアレイ基板およびこれを用いた電気光学表示装置並びにｔｆｔアレイ基板の製造方法 | |
| JP2007241316A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2003222869A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040416 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040416 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050712 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050713 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070611 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071009 |