JP4215019B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
液晶装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4215019B2 JP4215019B2 JP2005097192A JP2005097192A JP4215019B2 JP 4215019 B2 JP4215019 B2 JP 4215019B2 JP 2005097192 A JP2005097192 A JP 2005097192A JP 2005097192 A JP2005097192 A JP 2005097192A JP 4215019 B2 JP4215019 B2 JP 4215019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- crystal device
- dielectric film
- strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 133
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 144
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
このような液晶装置の一形態として、液晶層に基板平面方向の電界を印加して液晶分子の配向制御を行う方式(以下、横電界方式と称する。)が知られており、液晶に電界を印加する電極の形態によりIPS(In-Plane Switching)方式や、FFS(Frige-Field Switching)方式と呼ばれるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
このように誘電体膜と電極露出部の中央部とを対向させることで、誘電体膜から電極露出部の中央部の両側に向けて斜め電界が生じる。そして、当該斜め電界によって、液晶分子を時計回りや反時計回りに生じさせることができる。従って、液晶装置を見る方向が異なる場合でも、着色や色合いを同一にすることができる。
このようにすれば、電極露出部と誘電体膜との間で生じる斜め電界の分布を第1電極及び第2電極の間において、互い違いに生じさせることができる。従って、互い違いに生じる斜め電界に応じて液晶分子を時計回りに生じさせたり、反時計回りに生じさせたりすることができる。従って、液晶装置を見る方向が異なる場合でも、着色や色合いを同一にすることができる。
即ち、前記第1電極及び第2電極が、同層で平面的に対向する構成の横電界方式を採用することができる。例えば、第1電極及び第2電極のいずれも平面視略櫛歯状の電極とし、それらの櫛歯部分を構成する帯状電極が、互いに噛み合うように配置されている電極形態とすることができる。
このようにすれば、第1電極及び第2電極の間の液晶層に、薄膜トランジスタのスイッチング駆動に伴わせて電圧を印加することができる。
このようにすれば、第1電極及び第2電極の間の液晶層に、薄膜ダイオードのスイッチング駆動に伴わせて電圧を印加することができる。
このようにすれば、液晶装置を見る方向が異なる場合でも、同一の着色や色合いで画像表示可能な電子機器を実現できる。
なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板平面方向の電界を生じさせ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、IPS方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。
また、本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のドットで1個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「ドット領域」、一組(R,G,B)のドットから構成される表示領域を「画素領域」と称する。
帯状電極9cにおいて複数の誘電体膜9dが設けられている間隔と、帯状電極19cにおいて誘電体膜19dが設けられている間隔とは、同じになっている。更に、帯状電極9cにおける電極露出部9eの中央部と、帯状電極19cの誘電体膜19dとは、互いに対向して配置されている。また、帯状電極19cにおける電極露出部19eの中央部と、帯状電極9cの誘電体膜9dとは、互いに対向して配置されている。即ち、一方の帯状電極9cに形成された電極露出部9eと、他方の帯状電極19cの形成された電極露出部19eは、帯状電極9c,19cの延在する方向において互い違いとなる位置に配置されたものとなっている。
これにより、帯状電極9c,19cの間において、誘電体膜9d,19dは等間隔で配置されたものとなる。
TFTアレイ基板10は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体10Aを基体としてなり、基板本体10Aの内面側(液晶層50側)には、走査線3a及び容量線3bが形成され、走査線3a及び容量線3bを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜11が形成されている。
誘電体膜9d,19dの材料としては、無機物や有機物の透明性材料が採用される。このように誘電体膜9d,19dが透明性を有することにより、誘電体膜9d,19dを透過する表示光が利用可能となるので、開口率低下を招くことがなくなる。
ここで、誘電体膜9d,19dが無機物である場合には、SiO2等の透明性材料が好適に採用される。SiO2膜からなる誘電体膜9d,19dを形成する方法としては、公知のフォトリソグラフィ技術が用いられる。具体的には、画素電極9及び共通電極19の全面にSiO2膜を成膜し、フォトマスクを介したエッチング処理を行うことで、画素電極9及び共通電極19上の一部に誘電体膜9d,19dがパターニング形成される。
一方、誘電体膜9d,19dが有機物である場合には、アクリル樹脂等の透明性材料が好適に採用される。アクリル樹脂からなる誘電体膜9d,19dを形成する方法としては、液滴吐出法(インクジェット法)等の湿式成膜法が用いられる。具体的には、アクリル樹脂の液体材料を液滴吐出ヘッドから吐出することで、画素電極9及び共通電極19上の一部に誘電体膜9d,19dがパターニング形成される。
図5は、図2の要部を拡大した拡大図であって、誘電体膜9d,19d及び電極露出部9e,19eの周辺の電界方向と液晶分子の回転方向を説明するための図である。
また、誘電体膜9dと電極露出部19eとが対向し、かつ、誘電体膜19dと電極露出部9eとが対向しているので、帯状電極9c,19cの延在方向に向けて等電位線Vが歪んで生じ、帯状電極9c,19c間に電界(電気力線)E1,E2が生じる。当該電界E1,E2は、Y方向成分とX方向成分とを有する斜め電界であり、各々は非平行に生じる。即ち、電界E1は、誘電体膜19dから図5の上側の誘電体膜9dに向かう方向に生じ、電界E2は、誘電体膜19dから図5の下側の誘電体膜9dに向かう方向に生じる。そして、電界E1,E2の方向に応じて、液晶分子LC1,LC2は各々が異なる回転方向で回転する。電界E1は、液晶分子LC1を反時計回りに回転させ、電界E2は、液晶分子LC2を時計回りに回転させる。
また、電界E1,E2は、図2における誘電体膜9d,19d及び電極露出部9e,19eの周辺に生じるため、ドット領域内の液晶50は、液晶分子LC1の回転方向と、液晶分子LC2の回転方向とによって、回転することとなる。
また、一方の帯状電極9cに形成された電極露出部9eと、他方の帯状電極19cの形成された電極露出部19eは、帯状電極9c,19cの延在する方向において互い違いとなる位置に配置された構成となっているので、電極露出部9e,19eと誘電体膜膜9d,19dとの間で生じる斜め電界E1,E2の分布を帯状電極9c,19cの間において、互い違いに生じさせることができる。従って、互い違いに生じる斜め電界E1,E2に応じて液晶分子を時計回りに生じさせたり、反時計回りに生じさせたりすることができる。従って、上記の効果を相乗的に得ることができる。従って、着色や色合いを同一にすることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る液晶装置について、図6を参照して説明する。
本実施形態においては、既述の第1実施形態と異なる部分についてのみ説明し、同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図6に示すように、本実施形態においては、帯状電極9c,19cの各々に凹部9f,19fを設け、当該凹部9f,19fを埋設するよう誘電体膜9d,19dが設けられている。また、帯状電極9c,19cの各々において、誘電体膜9d,19dの表面と電極露出部9e,19eとの面は連続する平坦面が形成されたものとなる。
従って、本実施形態と第1実施形態と比較すると、第1実施形態においては、帯状電極9c,19cに誘電体膜9d,19dの突起部が形成されていたのに対し、本実施形態においては、帯状電極9c,19cに誘電体膜9d,19dが埋設され、突起部が設けられていない構成となっている。
従って、既述の第1実施形態と同様に、等電位線Vが歪んで生じ、電界E1,E2の方向に応じて、液晶分子LC1,LC2は各々が異なる回転方向で回転する。電界E1は、液晶分子LC1を反時計回りに回転させ、電界E2は、液晶分子LC2を時計回りに回転させる。
また、電界E1,E2は、図2における誘電体膜9d,19d及び電極露出部9e,19eの周辺に生じるため、ドット領域内の液晶50は、液晶分子LC1の回転方向と、液晶分子LC2の回転方向とによって、回転することとなる。
次に、本発明の第3実施形態に係る液晶装置について、図7及び図8を参照して説明する。
図7は、本実施形態の液晶装置300における任意の1ドット領域を示す平面構成図である。図8は、図7のD−D’線に沿う断面構成図である。
本実施形態の場合、共通電極119はITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料からなる導電膜である。
図7に示すように、3本の帯状電極9cのうち、左側及び右側の帯状電極9cに設けられている誘電体膜9dの間隔は同じになっている。更に、中央の帯状電極9cの誘電体膜9dは、左側及び右側の帯状電極9cにおける電極露出部9eの中央部とは、互いに対向して配置されている。即ち、一方の帯状電極9cに形成された電極露出部9eと、他方の帯状電極19cの形成された電極露出部19eは、帯状電極9cの延在する方向において互い違いとなる位置に配置されたものとなっている。これにより、帯状電極9cの間において、誘電体膜9dは等間隔で配置されたものとなる。
容量電極131は、ゲート絶縁膜11を介して容量線3bと対向配置されており、容量電極131と容量線3bとが対向する領域に、ゲート絶縁膜11を誘電体膜とする蓄積容量70が形成されている。
本実施形態においては、共通電極を形成した後、プラズマCVD法等によって窒化シリコンを400nm程堆積させて第2層間絶縁膜13を形成している。また、第2層間絶縁膜13上にITO等の透明導電材料からなる画素電極9が形成されている。更に、第1層間絶縁膜12及び第2層間絶縁膜13を貫通して容量電極31に達する画素コンタクトホール45が形成されており、この画素コンタクトホール45内に画素電極9のコンタクト部9bが一部埋設されることで、画素電極9と容量電極31とが電気的に接続されている。なお、上記画素コンタクトホール45の形成領域に対応して共通電極119にも開口部が設けられており、共通電極119と画素電極9とが接触しないようになっている。画素電極9上には、当該画素電極9を覆う第2層間絶縁膜13上の領域に配向膜18が形成されている。
また、帯状電極9cと共通電極119の一部とが対向配置していることから、当該第2層間絶縁膜13を誘電体とする保持容量が形成される。従って、本実施形態においては、蓄積容量70による容量と、帯状電極9cと共通電極119とによる保持容量とを利用する構成となる。
これにより、誘電体膜9d及び電極露出部9eの周辺には、等電位線が歪んで生じて、斜め電界が生じ、当該斜め電界の方向に応じて液晶分子は回転する。また、斜め電界は、図7の誘電体膜9dと電極露出部9eとが設けられている部分の周辺に生じるため、ドット領域内の液晶50は、反時計回りに液晶分子を回転させたり、時計回りに液晶分子を回転させたりする。
また、本実施形態においては、FFS方式による画像表示を行っていることから、帯状電極9cから略基板平面方向の電界を生じると共に、帯状電極9cの側方から生じる電気力線が帯状電極9cから遠ざかる程に共通電極119に向けて生じるものとなる。従って、帯状電極9cにおける誘電体膜9d及び電極露出部9eの周辺の等電位線を歪ませて液晶分子を回転させるだけでなく、共通電極119に向けた電界を利用して、液晶分子を回転させることができる。
次に、本発明の第4実施形態に係る液晶装置について、図9を参照して説明する。
図9は、本実施形態の液晶装置400における任意の1ドット領域を示す平面構成図である。
なお、本実施形態で参照する各図において、図1から図5に示した第1実施形態の液晶装置100と共通の構成要素には同一の符号を付すこととし、以下ではそれら共通構成要素の説明は省略する。
また、共通電極線41においては、その途中から分岐して共通電極(第1電極)19が形成されている。これら共通電極線41及び共通電極19は、例えばタンタル(Ta)等の金属から構成されている。更に、共通電極19は、共通電極線41から分岐して横方向に延びる本線部19aと、当該本線部19aからさらに分岐して縦方向に延びる2本の帯状電極19cとを有している。この中で帯状電極19cが主に共通電極として機能する。
TFD素子43の概略構成としては、下部電極と上部電極との間に絶縁膜が挟持されたものとなっている。TFD素子43を具体的に説明すると、下部電極44と、下部電極44の上面を覆う素子絶縁膜46と、素子絶縁膜46を介して下部電極44と対向するように設けられた信号線47及び画素電極(第2電極)9とによってTFD素子43は構成されている。
即ち、本実施形態では、信号線47や画素電極9がそのままTFD素子43の上部電極として機能させている。なお、信号線47や画素電極9と電気的に接続された上部電極を別途設けてもよい。このようなTFD素子43は、2つのダイオードが背中合わせに接続された、いわゆるバック・トゥー・バック(Back-to-Back)構造のTFD素子となっている。
また、共通電極19の帯状電極19c、及び画素電極9の帯状電極9cは、図中縦方向に延在し、両者は等間隔で対向して配設されている。
図10は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
Claims (5)
- 第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持されており、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と第2電極との間に電界を印加して液晶の配向を制御する液晶装置において、
前記第2電極は前記第1電極の延在方向に延びており、
前記第1電極および前記第2電極には、電極面の一部を被覆する誘電体膜および前記誘電体膜から露出した電極露出部が設けられてなり、
前記第1電極に設けられた前記誘電体膜と前記第2電極に設けられた前記電極露出部とが対向し、且つ前記第1電極に設けられた前記電極露出部と前記第2電極に設けられた前記誘電体膜とが対向してなることを特徴とする液晶装置。 - 前記電極露出部の電極の延在方向における両側には、前記誘電体膜が設けられていること、を特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。
- 少なくとも前記第1電極および前記第2電極の一方には、電極の幅が部分的に細くなる凹部が設けられ、前記誘電体膜は前記凹部に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶装置。
- 前記第1電極及び第2電極が、前記第1基板の同層に形成されてなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097192A JP4215019B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶装置及び電子機器 |
US11/324,561 US7400372B2 (en) | 2005-03-30 | 2006-01-04 | Liquid crystal device and electronic apparatus |
KR1020060027895A KR100811974B1 (ko) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | 액정 장치 및 전자기기 |
CNB2006100659832A CN100397167C (zh) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | 液晶装置及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097192A JP4215019B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008096839A Division JP4730388B2 (ja) | 2008-04-03 | 2008-04-03 | 液晶装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006276581A JP2006276581A (ja) | 2006-10-12 |
JP2006276581A5 JP2006276581A5 (ja) | 2008-04-10 |
JP4215019B2 true JP4215019B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=37030224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005097192A Active JP4215019B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶装置及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7400372B2 (ja) |
JP (1) | JP4215019B2 (ja) |
KR (1) | KR100811974B1 (ja) |
CN (1) | CN100397167C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101179233B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2012-09-04 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP4860333B2 (ja) * | 2006-04-10 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | 液晶表示装置 |
US8106865B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
KR100729084B1 (ko) | 2006-09-21 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
JP4952166B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | 液晶装置 |
US8619225B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-12-31 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
JP4978817B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2012-07-18 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子および表示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW354380B (en) * | 1995-03-17 | 1999-03-11 | Hitachi Ltd | A liquid crystal device with a wide visual angle |
JPH09171187A (ja) | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
DE19710173A1 (de) * | 1997-03-12 | 1998-09-17 | Itt Mfg Enterprises Inc | Druckregelventil |
KR100253704B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2000-04-15 | 김영환 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP3019819B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその表示方法 |
JPH11223830A (ja) | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH11305266A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2000002872A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP2000029028A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその形成方法 |
JP2001027764A (ja) | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネル及びその製造方法 |
JP2002341375A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100833955B1 (ko) * | 2001-07-27 | 2008-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시장치용 어레이 기판 |
KR100835969B1 (ko) * | 2001-08-11 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시장치 |
JP2003156731A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-05-30 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4186767B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
TW554223B (en) * | 2003-01-03 | 2003-09-21 | Ind Tech Res Inst | Structure for improving diffraction effect in periodic electrode arrangements and liquid crystal device including same |
JP3794393B2 (ja) * | 2003-03-13 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005097192A patent/JP4215019B2/ja active Active
-
2006
- 2006-01-04 US US11/324,561 patent/US7400372B2/en active Active
- 2006-03-28 KR KR1020060027895A patent/KR100811974B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-29 CN CNB2006100659832A patent/CN100397167C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7400372B2 (en) | 2008-07-15 |
CN1841137A (zh) | 2006-10-04 |
KR100811974B1 (ko) | 2008-03-10 |
JP2006276581A (ja) | 2006-10-12 |
CN100397167C (zh) | 2008-06-25 |
KR20060106717A (ko) | 2006-10-12 |
US20060221285A1 (en) | 2006-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4111203B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP5246782B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP4434166B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP5121529B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
US20110109859A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus having the same | |
JP2007226175A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
US10712852B2 (en) | Display device with position inputting function | |
US11106072B2 (en) | Display device | |
JP4215019B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP4172460B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP4952166B2 (ja) | 液晶装置 | |
US11366540B2 (en) | Display device | |
US11294216B2 (en) | Display substrate and display device | |
JP2007226200A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP5175133B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
US8294862B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
JP4905011B2 (ja) | 液晶装置、及び電子機器 | |
JP2008083208A (ja) | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
US10203808B2 (en) | Position input device and display device having position input function | |
JP2006337888A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP4730388B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP2006154120A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
US11762253B2 (en) | Active matrix substrate and display device | |
JP5175043B2 (ja) | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2007226199A (ja) | 液晶装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4215019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |