JP4172460B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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したがって本発明の目的は、反射表示と透過表示の双方で高品質の表示を得ることができる横電界方式の半透過反射型液晶装置を提供することにある。
この液晶装置は、第1基板上に形成された第1電極と第2電極との間に形成した概略基
板面方向の電界を液晶層に印加して液晶を駆動するIPS方式を採用した横電界方式の液
晶装置である。本発明の液晶装置では、半透過反射型の反射偏光層を設けたことで、透過
表示と反射表示の双方を良好なものとしており、簡便な構成を用いて横電界方式の半透過
反射型液晶装置を実現することができるようになる。また本発明によれば、半透過反射型
液晶装置の構成として従来から知られているマルチギャップ構造を採用することなく反射
表示と透過表示の双方で高輝度、高コントラストの表示を得ることができる。
このような構成とすることで、前記電極に電圧を印加した際の液晶の配向方向を基板面内に分散させることができ、表示の視角を容易に広げることができる。
以下、本発明の第1実施形態に係る液晶装置について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶装置は、液晶に対して基板面方向の電界(横電界)を印加し、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、IPS(In-Plane Switching)方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。
また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のドットで1個の画素を構成するものとなっている。したがって表示を構成する最小単位となる表示領域を「ドット領域」、一組(R,G,B)のドットから構成される表示領域を「画素領域」と称する。
なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
図2に示すドット領域では、Y軸方向に延びる3本の帯状電極9cと、これらの帯状電極9cの間に配置された2本の帯状電極19cとの間に電圧を印加し、当該ドット領域の液晶にXY面方向(基板面方向)の電界(横電界)を印加するようになっている。
TFTアレイ基板10は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体10Aを基体としてなり、基板本体10Aの内面側(液晶層50側)には、走査線3a及び容量線3bが形成されており、走査線3a及び容量線3bを覆って、酸化シリコン等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜11が形成されている。
容量電極31は、ゲート絶縁膜11を介して容量線3bと対向して配置されており、容量電極31と容量線3bとが対向する領域に、ゲート絶縁膜11をその誘電体膜とする蓄積容量70が形成されている。
図5(a)及び図5(b)に示すように、反射偏光層29はアルミニウム等の光反射性金属からなる金属反射膜71を主体としてなり、金属反射膜71に所定ピッチで平面視ストライプ状を成す複数の微細なスリット(開口部)72が形成された構成を備えている。上記複数のスリット72は、互いに平行に同一幅を有して形成されている。スリット72の幅は30nm〜300nm程度であり、複数のスリット72が所定ピッチで形成された結果線状とされた金属膜71の線幅は30nm〜300nm程度である。
なお、ラビング方向151は、液晶装置100の画素配列方向(Y軸方向)に平行に延びる帯状電極9c、19cの延在方向に対して約30°の角度を成している。
液晶装置100において、バックライト90から射出された光は、偏光板24を透過することで偏光板24の透過軸155に平行な直線偏光に変換され、反射偏光層29の非形成領域を介して液晶層50に入射する。そして、液晶層50がオン状態(画素電極9と共通電極19との間に選択電圧が印加された状態)であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与され、偏光板14の透過軸153と平行な直線偏光に変換される。これにより偏光板14を透過した光が表示光として視認され、当該ドットは明表示となる。
なお、偏光板24を透過して光のうち、反射偏光層29に入射した光は、当該直線偏光と平行な反射軸を有する反射偏光層29によって反射されるので、液晶層50に入射することなくバックライト90側へ戻される。
反射表示において、偏光板14の上方(外側)から入射した光は、偏光板14を透過することで偏光板14の透過軸153に平行な直線偏光に変換されて液晶層50に入射する。このとき液晶層50がオン状態であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与されて反射偏光層29に入射する。図2(b)に示したように、反射偏光層である反射偏光層29は、偏光板24の透過軸153と平行な透過軸157と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層50を透過して反射偏光層29に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射される。再度液晶層50に入射した反射光は、液晶層50の作用により入射時の偏光状態(偏光板14の透過軸と平行な直線偏光)に戻されて偏光板14に入射する。これにより偏光板14を透過した反射光が表示光として視認され、当該ドットが明表示となる。
次に、図8から図12を参照して本発明の第2実施形態の液晶装置について説明する。
図8は、本実施形態の液晶装置200を構成するマトリクス状に配列された複数のドット領域の回路構成図である。図9(a)は、本実施形態の液晶装置200における任意の1ドット領域を示す平面構成図であり、図9(b)は、本実施形態の液晶装置200における光学軸配置を示す説明図である。図10は、図9のD−D’線に沿う断面構成図である。
以上のような回路構成により、TFD素子60のスイッチング特性に基づいて液晶が駆動制御されるとともに、その液晶の駆動に基づいてドット55毎に明暗表示がなされ、液晶装置200の表示領域において画像表示が行われるものとなっている。
画素電極(第2電極)59は、TFD素子60からX軸方向に延びる基端部59aと、基端部59aのTFD素子60と反対側の先端部及びTFD素子60近傍から−Y側へ延びる2本の帯状電極59c、59cとを有し、帯状電極59c、59cの基端部59aと反対側の端部は、平面視矩形状の容量電極59bと電気的に接続されている。
また容量電極59bは、共通電極69の基端部69aと平面視で重なるように配置されており、基端部69aとともに当該位置で保持容量52を形成している。
素子基板110は、ガラスや石英等の透光性基板からなる基板本体10Aと基体として備えており、基板本体10A上に、タンタルやその合金からなる第1電極63と、第1配線56と、共通電極69とが形成されている。前記第1電極63の表面は、例えばタンタル酸化膜からなる素子絶縁膜63aにより覆われている。また、第1配線56の表面に、例えばタンタル酸化膜からなる配線絶縁膜56aが形成されており、共通電極69の表面には、例えばタンタル酸化膜からなる容量絶縁膜69dが形成されている。本実施形態の場合、素子絶縁膜63aは、配線絶縁膜56a、容量絶縁膜69dより薄く形成されており、配線絶縁膜56aと容量絶縁膜69dとはほぼ同一の膜厚を有して形成されている。
また、画素電極59の基端部59aと、第1電極63とが素子絶縁膜63aを介して対向する位置に、第2素子部62が形成されている。共通電極69の基端部69aの容量絶縁膜69dを介した上に容量電極59bが形成されており、基端部69aと容量電極59bとを電極とし、容量絶縁膜69dを誘電体膜とする保持容量52が形成されている。
本実施形態の液晶装置200に備えられた反射偏光層39は、図11(a)に示すように、基板本体20A上に形成されるアクリル樹脂等の熱硬化性または光硬化性の透明樹脂からなるプリズムアレイ81と、屈折率の異なる2種類の誘電体膜を交互に複数積層してなる誘電体干渉膜85とを備えて構成されている。
液晶装置200において、バックライト90から射出された光は、偏光板24を透過することで偏光板24の透過軸155に平行な直線偏光に変換されて反射偏光層39に入射し、反射偏光層39の反射軸(透過軸159に直交する光学軸)に平行な直線偏光であるこの入射光の一部(約30%)が、反射偏光層39を透過して液晶層50に入射する。そして、液晶層50がオン状態(画素電極59と共通電極69との間に選択電圧が印加された状態)であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与され、偏光板14の透過軸153と平行な直線偏光に変換される。これにより偏光板14を透過した光が表示光として視認され、当該ドットは明表示となる。
なお、偏光板24を透過して反射偏光層39に入射した光のうち、当該反射偏光層39で反射された光は、偏光板24を再度透過してバックライト90側へ戻される。そして、この戻り光はバックライト90の反射板92により反射されて再び液晶パネル側へ向かう光となり、照明光として再利用される。
反射表示において、偏光板14の上方(外側)から入射した光は、偏光板14を透過することで偏光板14の透過軸153に平行な直線偏光に変換されて液晶層50に入射する。このとき液晶層50がオン状態であれば、上記入射光は液晶層50により所定の位相差(λ/2)を付与されて反射偏光層39に入射する。図9(b)に示したように、反射偏光層39は、偏光板24の透過軸153と平行な透過軸159と、それに直交する反射軸を有しているので、上記オン状態の液晶層50を透過して反射偏光層39に入射した光は、その一部(約30%)が偏光状態を保持したまま反射され、残部(約70%)が反射偏光層39を透過する。反射偏光層39で反射されて再度液晶層50に入射した光は、液晶層50の作用により入射時の偏光状態(偏光板24の透過軸と平行な直線偏光)に戻されて偏光板24に入射する。これにより偏光板24を透過した反射光が表示光として視認され、当該ドットが明表示となる。
図13は、本発明に係る液晶装置を表示部に備えた電子機器の一例である携帯電話の斜視構成図であり、この携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上記実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示を得ることができる。
Claims (8)
- 液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板とを備え、1つのドット領域で反射表示と透過表示とを行う半透過反射型の液晶装置であって、
前記第1基板の前記液晶層側に、前記ドット領域内で前記液晶層に略基板平面方向の電界を印加する第1電極及び第2電極が設けられており、
前記第2基板の前記ドット領域には、透過軸と該透過軸に交差する反射軸とを有して、入射する光のうち前記反射軸に平行な偏光成分の光を反射し、前記透過軸に平行な偏光成分の光を透過する反射偏光層が部分的に形成されていることを特徴とする液晶装置。 - 前記1つのドット領域には前記反射表示を行う領域と前記透過表示を行う領域とが個別に設けられており、前記反射偏光層は前記反射表示を行う領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記第1電極及び第2電極の帯状電極が、互いに平行に配置されており、該互いに平行に配置されている前記帯状電極の延在方向と、前記反射偏光層の透過軸の方向とが、平行となる部分を有さずに交差していることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。
- 前記帯状電極の延在方向と、前記反射偏光層の透過軸との成す角度が30°であることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。
- 前記反射偏光層が、微細なスリット状の開口部が複数設けられた金属反射膜を備えていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶装置。
- 前記反射偏光層が、複数のプリズムを配列してなるプリズムアレイと、該プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶装置。
- 前記反射表示を行う領域の前記液晶層の層厚と、前記透過表示を行う領域の前記液晶層の層厚が等しく設定されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の液晶装置。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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