JPH11305266A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

Info

Publication number
JPH11305266A
JPH11305266A JP11537198A JP11537198A JPH11305266A JP H11305266 A JPH11305266 A JP H11305266A JP 11537198 A JP11537198 A JP 11537198A JP 11537198 A JP11537198 A JP 11537198A JP H11305266 A JPH11305266 A JP H11305266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
insulating film
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11537198A
Other languages
English (en)
Inventor
Akimasa Toyama
晃正 外山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11537198A priority Critical patent/JPH11305266A/ja
Publication of JPH11305266A publication Critical patent/JPH11305266A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 IPS型等の横電界駆動方式の液晶表示装
置において、駆動電圧及び消費電力を低減することがで
き、また、コントラストを改善することができるものを
提供する。 【解決手段】アレイ基板2上に並列される画素電極21
及び対向電極22を、誘電率のより小さい絶縁膜31
と、誘電率のより大きい絶縁膜33とによって、この順
に被覆する。このような構成により、絶縁膜同士の界面
で電気力線6がアレイ基板2側に屈折して、電気力線6
がなす弓なり形状が、より扁平になるので、液晶51を
駆動するのに実際に寄与する電気力線成分の比率が向上
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板面に対して略
水平方向の駆動電圧を液晶層に印加する横方向電界駆動
型の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電
力、及び、目に与える疲労の少なさといった優れた特性
により、ノートパソコン、携帯可能なワープロ専用機の
表示装置等に広範に利用されており、ますます用途及び
市場が拡大している。
【0003】近年、中小型の液晶表示装置の市場が引き
続き拡大するのみならず、表示画面が13インチ以上の
大型の液晶表示装置の市場が急速に立ち上がっている。
このような大型の液晶表示装置にあっては、色調やコン
トラストの視野角依存性を低減することが課題となって
いる。特に、CAD等に使用可能な大型液晶モニタや、
会議・面談用ディスプレイ等では表示画像の視野角依存
性の低減が大きな課題となる。
【0004】この視野角依存性を解決する方法の一つと
して、基板平面に対して略平行な横方向電界を用いて画
像表示を行なう横方向電界駆動型の液晶表示装置、特に
はIPS(In-Plane Swithching)型液晶表示装置の研究
及び開発が盛んに行われている。
【0005】IPS型液晶表示装置の液晶表示の原理に
ついて図5の模式図を用いて説明する。
【0006】例えば正の誘電率異方性を有する液晶分子
は、一対の基板間で、一対の電極21,22間の法線方
向に対して略70°の角度θをもって略平行に、また基
板平面に対して略水平に配向される。
【0007】アレイ基板2の外面(図5中では下方の基
板の下面)と、表示面側の対向基板の外面(図5中では
上方の基板の上面)とに配される偏光板15,28は、
それぞれ透過軸が互いに直交し、一方の透過軸は液晶分
子の配向方向と一致するように配される。
【0008】これにより、電圧無印加状態では、図5中
左に示すように、液晶分子は捻じれることなく平行に配
向し、また偏光板15,28の透過軸は互いに直交して
いるため、バックライトからの光源光は透過されること
なく、輝度は最小となる。
【0009】これに対して、電圧印加状態では、図5右
に示すように、基板界面を除いて液晶分子は電極21,
22間の電界に沿って配列し、これにより偏光板28を
透過した光は、液晶分子の複屈折作用により、偏光板1
5を透過して出射され、輝度は最大となる。
【0010】ところで、図6に示すように、画素電極2
1及び対向電極22は、共にアレイ基板上に配され、両
電極間に電圧が印加されたときに形成される電気力線6
は、通常、これら電極間を結ぶ直線上、すなわちアレイ
基板2表面近傍で強くなり、これから遠ざかるほど弱く
なる。また、弓なり状をなす電気力線6は、互いに反発
するので、液晶51層を越えて対向基板中にも分布す
る。
【0011】ところが、液晶分子のダイレクタ方向5を
水平回転させる上で基板表面に近接した領域の電界の寄
与は小さく、アレイ基板2表面から離れた領域も含めて
液晶層5の厚さ方向寸法の全体わたって液晶分子のダイ
レクタ方向5を変えるのに必要な強さの電界が形成され
るようにする必要がある。したがって、このような電気
力線6の偏りや無駄を克服するだけの充分に大きい電圧
を画素電極21と対向電極22との間に印加する必要が
あった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、横電界駆動
方式の液晶表示装置では、駆動電圧が高くなり、このた
め消費電力が増大し、また高耐圧の駆動素子を使用する
必要が生じるため、装置の低廉化を達成することが困難
となる。
【0013】駆動電圧を低減する方策として、画素電極
21と対向電極22との間の領域に絶縁膜31を配置し
ない、またより弱い電界によってダイレクタ方向5を変
えることのできる液晶材料の開発などが種々試みられて
いるが、いずれも充分に満足すべきものではない。
【0014】一方、電気力線6の密度、すなわち電界の
強さは、画素電極21の近傍、及び、対向電極22の近
傍の領域で大きくなり、これら電極間の中央の領域では
小さくなる。このため、表示画素内での液晶分子のダイ
レクタ方向にばらつきが生じ、このため輝度差が生じる
こととなり、それだけコントラストが低下する。
【0015】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、横電界駆動方式の液晶表示装置において、駆動
電圧及び消費電力を低減することができ、コントラスト
を改善することができるものを提供する。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明の液晶表
示装置は、細状の第1電極と、前記第1電極と所定の間
隙を隔てて略平行に配置される第2電極とを主面上に備
えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向基板
と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置される
液晶層とを備えた液晶表示装置において、前記アレイ基
板は、前記第1電極及び前記第2電極上を被覆する絶縁
膜を含み、前記絶縁膜の前記第1及び第2電極に近接す
る第1面側よりも対向する第2面側の誘電率が大きいこ
とを特徴とする液晶表示装置にある。
【0017】上記構成により、電気力線を効果的に収束
させて使用することができ、これにより駆動電圧及び消
費電力を低減することができ、また、コントラストを改
善することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、IPS
型の液晶表示装置の例により、図1〜4を用いて説明す
る。
【0019】まず、図1〜2を用いて、実施例の要部の
構成について概念的に説明する。
【0020】図1は、実施例の液晶表示装置の概念的な
縦断面図である。
【0021】実施例の液晶表示装置においては、アレイ
基板2上に互いに略平行に配される線状の画素電極21
及び対向電極22が、誘電率のより小さい絶縁膜31と
誘電率のより大きい絶縁膜33がこの順に堆積された2
層絶縁膜30によって被覆される。
【0022】画素電極21と対向電極22との間に電圧
が印加されて液晶51中に形成される横方向電界は、図
示のような電気力線6により表わされる。
【0023】画素電極21から斜め上へと出て対向電極
22へと入る電気力線6は、誘電率がより小さい絶縁膜
31と誘電率がより大きい絶縁膜33との界面で、アレ
イ基板2側へと屈折している。
【0024】そのため、図1に示す実施例の電気力線
と、図6に示す従来技術のものとの比較により明らかな
ように、絶縁膜から液晶51中に出ていく電気力線6
は、このような屈折がなかった場合に比べて、基板面と
の角度がより小さいものとなっている。すなわち、液晶
51中に伸びる弓なりの電気力線6は、より扁平な弓な
り状になるように変形されている。また、誘電率のより
大きい、下層の絶縁膜31中にあっては、電気力線6
は、基板に垂直な方向に引き延ばされた形に変形されて
いる。
【0025】すなわち、2層絶縁膜30の存在により、
斜めに伸びる電気力線6の形状及び分布に関して、以下
のような効果が得られる。
【0026】(1) 液晶51中に伸びる電気力線6が、よ
り扁平な形になる結果、電気力線同士の反発によって対
向基板1中にまで迂回していた電気力線6が液晶51中
に引き戻されるので、液晶51中での電気力線の密度、
すなわち電界の強さが大きくなる。
【0027】(2) また、1本の電気力線6について見た
場合にも、液晶51分子の水平回転に寄与することので
きる、水平方向成分の比率が増加する。
【0028】したがって、画素電極21と対向電極22
との間に印加される電圧が一定である場合には、液晶5
1に実際に作用する電界の強さが増大し、コントラスト
の増加につながる。液晶51に実際に作用する電界の強
さを一定とした場合には、電極間に印加する電圧を小さ
くすることができるので、液晶表示装置の駆動に必要な
消費電力を低減することができる。
【0029】また、画素電極21の近傍及び対向電極2
2の近傍において、電気力線6の水平成分比率が増大す
る結果、両電極21,22の近傍と、両電極21,22
間の中央線近傍との間で、実際に作用する電界の強さの
差が減少し、これにより、輝度差が減少する。したがっ
て、画像表示のコントラストを増大させる効果も得られ
る。
【0030】図2は、誘電率の異なる材料間の界面での
電気力線の屈折に関する式を視覚的に示す概念図であ
る。
【0031】誘電率の異なる材料間の界面から出射され
る電気力線E1と界面の垂線とがなす出射角θ1と、界
面に入射される電気力線E2と界面の垂線とがなす入射
角θ2との間には、図示のような関係がある。ここで、
ε1及びε2は、それぞれ、出射側及び入射側の材料の
誘電率であり、係数σは界面に存在する表面電荷の電荷
密度である。式から導かれるように、ε1>ε2のとき
に、θ1>θ2となる。
【0032】また、界面の表面電荷の電荷密度を無視す
れば、tanθ1/tanθ2=ε1/ε2で表すことが
でき、ε1>ε2のときに、θ1>θ2となることが理
解できる。
【0033】次に、図3〜4を用いて、より具体的な実
施例について説明する。
【0034】図4は、この実施例の液晶表示装置のアレ
イ基板の一部概略斜視図であり、ガラス等の透明絶縁基
板20上に、複数本の信号線24と走査線23とがマト
リクス状に配置され、これら配線23,24の交差部近
傍には薄膜トランジスタ(TFT)26が配置される。
このTFT26は、走査線23自体をゲート電極とし、
この上に非晶質シリコン半導体(a−Si:H)層が配
置される。そして、このa−Si:H層に低抵抗半導体
(n+a−Si:H)層を介して信号線24から導出され
るドレイン電極24aが接続される。また、このa−S
i:H層には低抵抗半導体(n+a−Si:H)層を介し
て画素電極21から導出されるソース電極21aが接続
される。この画素電極21は信号線24に沿って細状に
延び、その終端部は幅広の補助容量部21bを構成す
る。
【0035】また、走査線23と略平行に、走査線23
と同一工程でコモン配線25が形成されている。そし
て、このコモン配線25は、画素電極21の補助容量部
21bに対向する補助容量部22bを含み、この補助容
量部21bからは画素電極21と等間隔に配置される細
状の一対の対向電極22,27が配置される。そして、
この一対の対向電極22,27はその終端側で連結部2
2aにより電気的に連結される。この連結部22aによ
って、両対向電極22,27の電位差のばらつきが低減
されている。
【0036】図3は、図4中のAA’線に沿って切断し
た概略断面図であり、走査線(図示せず)及び対向電極
22上にはTFT26のゲート絶縁膜を成す窒化ケイ素
膜32が配置される。この上に、画素電極21が配置さ
れ、さらにこの上に酸化ケイ素膜31、窒化ケイ素膜3
3、及び、有機樹脂からなる配向膜34がこの順に連続
的に積層される。
【0037】ここで、下層の酸化ケイ素膜31の誘電率
は約5.1であり、上層の窒化ケイ素膜33の誘電率は
約6.8であり、酸化ケイ素膜31の誘電率よりも大き
い。
【0038】尚、この実施例の液晶表示装置の他の構成
は、従来と同様であるため説明を省略する。
【0039】上述した構成により、画素電極21と対向
電極22との間を基板平面に沿った扁平な形にでき、こ
れにより液晶中での電気力線の密度、すなわち電界を増
大させることができ、これにより低電圧化、低消費電力
化を達成することができる。同時に、両電極21,22
間での電界のばらつきが軽減され、これにより輝度差が
減少し、画像表示のコントラストを増大させる効果も得
られる。
【0040】上述した実施例では、画素電極21と対向
電極22,27とは、窒化ケイ素膜32を介して配置さ
れるが、例えば対向電極22,27を窒化ケイ素膜32
にコンタクトホールを形成し、画素電極21と同一工程
で作成してコモン配線25に接続することができる。こ
のような構成によれば、画素電極21と対向電極22,
27との上に配置される膜構造は同一であり、これによ
り電気力線の電極間での対称性を確保することができ、
表示画素内での輝度差を軽減できる。
【0041】また、上述した実施例では、電極21,2
2を覆う絶縁膜を少なくとも2層構造としたが、場合に
よっては、電極側から液晶側へと誘電率が順次大きくな
る3種以上の材料からなる積層構造を用いることが可能
である。
【0042】また、CVD工程における窒素源ガス化合
物の比率と酸素ガス化合物の比率を連続的に変化させる
ことにより、窒化ケイ素成分と酸化ケイ素成分との含有
比率を連続的に変化させて堆積した膜を用いることも可
能である。また、堆積時に基板温度を徐々に変更する等
により、誘電率を変化させたものであってもよい。
【0043】上述した実施例では、正の誘電率異方性を
有する液晶分子を用いたが、誘電率異方性が負のもので
あっても、また初期の配向状態が捻れ配向するものであ
っても、基板平面に対して略平行な横方向電界を使用す
る液晶表示装置であれば好適に使用することができる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
横電界駆動方式の液晶表示装置において、駆動電圧及び
消費電力を低減することができ、コントラストを改善す
ることができるものを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の液晶表示装置の要部を説明するための
模式的な縦断面図である。
【図2】電気力線の屈折に関する式を視覚的に示す概念
図である。
【図3】具体的な実施例におけるアレイ基板の積層構造
について模式的に示す縦断面図である。
【図4】IPS型液晶表示装置におけるアレイ基板の各
画素の基本構成について模式的に示す断面斜視図であ
る。
【図5】IPS型液晶表示装置の液晶表示の原理につい
て説明するための概念的な断面斜視図である。
【図6】従来の液晶表示装置の要部を説明するための模
式的な縦断面図である。
【符号の説明】
1 対向基板 2 アレイ基板 21 画素電極 22 対向電極 31 誘電率のより小さい無機膜(窒化ケイ素膜) 32 誘電率のより大きい無機膜(酸化ケイ素膜)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】細状の第1電極と、前記第1電極と所定の
    間隙を隔てて略平行に配置される第2電極とを主面上に
    備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向基
    板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置され
    る液晶層とを備えた液晶表示装置において、 前記アレイ基板は、前記第1電極及び前記第2電極上を
    被覆する絶縁膜を含み、前記絶縁膜の前記第1及び第2
    電極に近接する第1面側よりも対向する第2面側の誘電
    率が大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】前記絶縁膜は、前記第1及び第2電極上に
    配置される第1誘電率の第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜
    上に配置され前記第1誘電率よりも大きい第2誘電率の
    第2絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項1記載の液
    晶表示装置。
  3. 【請求項3】前記第1及び第2絶縁膜が、無機材料同士
    の積層物であることを特徴とする請求項2記載の液晶表
    示装置。
  4. 【請求項4】前記第1絶縁膜が窒化ケイ素膜であり、前
    記第2絶縁膜が酸化ケイ素膜であることを特徴とする請
    求項3記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】前記絶縁膜が、窒素、酸素及びケイ素の各
    元素を含み、前記酸素元素の含有率が連続的に増大され
    て成ることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】前記アレイ基板は、信号線及び走査線と、
    前記信号線及び走査線の交点近傍に配置される薄膜トラ
    ンジスタを介して前記第1電極が配置されることを特徴
    とする請求項1記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】前記アレイ基板は、前記走査線と略平行な
    コモン配線を含み、前記コモン配線から前記第2電極が
    導出されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装
    置。
  8. 【請求項8】前記第1及び第2電極は、同一工程で形成
    された配線パターンであることを特徴とする請求項7記
    載の液晶表示装置。
JP11537198A 1998-04-24 1998-04-24 液晶表示装置 Pending JPH11305266A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11537198A JPH11305266A (ja) 1998-04-24 1998-04-24 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11537198A JPH11305266A (ja) 1998-04-24 1998-04-24 液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11305266A true JPH11305266A (ja) 1999-11-05

Family

ID=14660883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11537198A Pending JPH11305266A (ja) 1998-04-24 1998-04-24 液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11305266A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917392B2 (en) 1999-12-22 2005-07-12 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display apparatus of a lateral direction electric field drive type
KR100811974B1 (ko) * 2005-03-30 2008-03-10 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 액정 장치 및 전자기기
JP2011008241A (ja) * 2009-05-29 2011-01-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US8059241B2 (en) 2008-03-13 2011-11-15 Sony Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2012008542A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2015146042A (ja) * 2010-04-12 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2018007561A (ja) * 2017-09-27 2018-01-11 株式会社リューテック 無線電力伝送システム
WO2018230151A1 (ja) * 2017-06-12 2018-12-20 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP2019187237A (ja) * 2019-05-24 2019-10-24 株式会社リューテック 無線電力伝送システム

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917392B2 (en) 1999-12-22 2005-07-12 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display apparatus of a lateral direction electric field drive type
KR100811974B1 (ko) * 2005-03-30 2008-03-10 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 액정 장치 및 전자기기
US8059241B2 (en) 2008-03-13 2011-11-15 Sony Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2011008241A (ja) * 2009-05-29 2011-01-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN102326122A (zh) * 2009-05-29 2012-01-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
JP2014078031A (ja) * 2009-05-29 2014-05-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US8854586B2 (en) 2009-05-29 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2015146042A (ja) * 2010-04-12 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2012008542A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
WO2018230151A1 (ja) * 2017-06-12 2018-12-20 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP2018007561A (ja) * 2017-09-27 2018-01-11 株式会社リューテック 無線電力伝送システム
JP2019187237A (ja) * 2019-05-24 2019-10-24 株式会社リューテック 無線電力伝送システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8259271B2 (en) Color filter substrate and liquid crystal display panel including the same
US7940359B2 (en) Liquid crystal display comprising a dielectric layer having a first opening surrounding a patterned structure and exposing a portion of a first pixel electrode and a second pixel electrode formed on the dielectric layer
KR100250702B1 (ko) 액정표시소자
US7492429B2 (en) In-plane switching liquid crystal display with bent electrodes
US20090046232A1 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using the same
WO2000077569A1 (fr) Affichage a cristaux liquides et son procede de production
TW200825586A (en) Liquid crystal display
US7760279B2 (en) Display panel and method of forming thereof
US7385661B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US20120182509A1 (en) Liquid crystal display device
US6583841B2 (en) In-Plane switching LCD panel wherein pixel electrodes and common electrodes having plurality of first tips and second tips respectively
US7420640B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal device and method for manufacturing the same
JPH10260431A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH11305266A (ja) 液晶表示装置
US7414689B2 (en) Continuous domain in-plane switching liquid crystal display
KR100577991B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
JP3257783B2 (ja) 液晶表示装置
JPH1010556A (ja) 液晶表示装置
US7102719B2 (en) In-plane switching mode thin film transistor liquid crystal display device with alternating pixel and common electrode bones
US7268847B2 (en) In-plane switching mode thin film transistor liquid crystal display device with two domains
US8742416B2 (en) Display panel, method of manufacturing display panel, display device, and electronic apparatus
JPH1048643A (ja) アクティブマトリクス表示装置
JP2002196348A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2001311956A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2000047256A (ja) 液晶表示素子