JP2000122065A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面に設けた突起を利用して電圧印加時
における液晶分子の傾斜方向を制御する垂直配向型の液
晶表示装置及びその製造方法に関し、輝度を改善しうる
液晶表示装置の構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 能動素子と、画素電極と、液晶分子を膜
面に垂直な方向に配向する第１の配向膜とを有する第１
の基板と；共通電極と、液晶分子を膜面に垂直方向に配
向する第２の配向膜とを有する第２の基板と；第１の基
板と第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
もつ液晶層とを有する液晶表示装置であって、電極と配
向膜との間に液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有
し、突起が形成された領域の配向膜の垂直配向規制力
が、突起が形成されていない領域の垂直配向規制力より
も弱められている。
における液晶分子の傾斜方向を制御する垂直配向型の液
晶表示装置及びその製造方法に関し、輝度を改善しうる
液晶表示装置の構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 能動素子と、画素電極と、液晶分子を膜
面に垂直な方向に配向する第１の配向膜とを有する第１
の基板と；共通電極と、液晶分子を膜面に垂直方向に配
向する第２の配向膜とを有する第２の基板と；第１の基
板と第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
もつ液晶層とを有する液晶表示装置であって、電極と配
向膜との間に液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有
し、突起が形成された領域の配向膜の垂直配向規制力
が、突起が形成されていない領域の垂直配向規制力より
も弱められている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に係り、特に、基板表面に設けた突起を利
用して電圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御す
る垂直配向型の液晶表示装置及びその製造方法に関す
る。
その製造方法に係り、特に、基板表面に設けた突起を利
用して電圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御す
る垂直配向型の液晶表示装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アクティブマトリクスを用い
た液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）と
しては、正の誘電率異方性をもつ液晶材料を基板面に水
平に、且つ、対向する基板間で９０度ツイストするよう
に配向させた、ＴＮ（TwistedNematic）モードの液晶表
示装置が広く用いられている。しかしながら、ＴＮモー
ドの液晶表示装置は視角特性が悪いという大きな問題を
有しており、視角特性を改善すべく種々の検討が行われ
ている。
た液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）と
しては、正の誘電率異方性をもつ液晶材料を基板面に水
平に、且つ、対向する基板間で９０度ツイストするよう
に配向させた、ＴＮ（TwistedNematic）モードの液晶表
示装置が広く用いられている。しかしながら、ＴＮモー
ドの液晶表示装置は視角特性が悪いという大きな問題を
有しており、視角特性を改善すべく種々の検討が行われ
ている。
【０００３】本願発明者等は、係る観点から鋭意検討を
行い、ＴＮモードに替わる方式として、負の誘電率異方
性をもつ液晶材料を垂直配向させ、且つ、基板表面に設
けた突起により電圧印加時の液晶分子傾斜方向を規制す
るＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）方式の
液晶表示装置を提案し、視角特性の大幅な改善に成功し
ている（例えば、同一出願人による特願平９−３６１３
８４号明細書を参照）。
行い、ＴＮモードに替わる方式として、負の誘電率異方
性をもつ液晶材料を垂直配向させ、且つ、基板表面に設
けた突起により電圧印加時の液晶分子傾斜方向を規制す
るＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）方式の
液晶表示装置を提案し、視角特性の大幅な改善に成功し
ている（例えば、同一出願人による特願平９−３６１３
８４号明細書を参照）。
【０００４】上記ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、図１６
（ａ）に示すように、負の誘電率異方性をもつ液晶材料
を垂直配向させるＶＡ（Vertically Aligned）モードの
液晶表示装置において、基板上に突起を設け、電圧印加
時の液晶分子が斜めに配向される方向が、一画素内にお
いて複数の方向になるように規制し、視角特性の改善を
図るものである。
（ａ）に示すように、負の誘電率異方性をもつ液晶材料
を垂直配向させるＶＡ（Vertically Aligned）モードの
液晶表示装置において、基板上に突起を設け、電圧印加
時の液晶分子が斜めに配向される方向が、一画素内にお
いて複数の方向になるように規制し、視角特性の改善を
図るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＭＶＡ方式を用いた液晶表示装置では、表示画素領
域内に突起を設けるため、その原理上どうしても開口率
が低下し、ＴＮモードと比較すると明状態の透過率は低
くなっていた。すなわち、ＭＶＡ方式では突起を設ける
ことにより突起形成領域の液晶分子に印加される電圧が
低下するため、図１６（ｂ）に示すように、突起頂点部
の液晶分子は傾斜せず、その結果、突起上のすべての液
晶分子が傾斜しにくくなる。また、突起上の液晶分子が
電圧印加時に傾斜する場合、その方向は突起と垂直方
向、すなわち、間隙部の液晶分子の傾斜方向とほぼ一致
する。そのため、液晶パネルを通過する光の透過率曲線
は図１６（ｃ）に示すようになり、突起面積分だけ開口
率が低下していた。
来のＭＶＡ方式を用いた液晶表示装置では、表示画素領
域内に突起を設けるため、その原理上どうしても開口率
が低下し、ＴＮモードと比較すると明状態の透過率は低
くなっていた。すなわち、ＭＶＡ方式では突起を設ける
ことにより突起形成領域の液晶分子に印加される電圧が
低下するため、図１６（ｂ）に示すように、突起頂点部
の液晶分子は傾斜せず、その結果、突起上のすべての液
晶分子が傾斜しにくくなる。また、突起上の液晶分子が
電圧印加時に傾斜する場合、その方向は突起と垂直方
向、すなわち、間隙部の液晶分子の傾斜方向とほぼ一致
する。そのため、液晶パネルを通過する光の透過率曲線
は図１６（ｃ）に示すようになり、突起面積分だけ開口
率が低下していた。
【０００６】パネルの省電力化やノートパソコンへの搭
載を考えた場合、ＭＶＡ方式の輝度改善は大きな課題で
あり、突起状及びエッジ部の透過率の低下を最低限に抑
えるとともに、間隙部における液晶分子が電圧印加時に
傾斜しやすいようにすることが望まれている。本発明の
目的は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置における輝度を改善
する液晶表示装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
載を考えた場合、ＭＶＡ方式の輝度改善は大きな課題で
あり、突起状及びエッジ部の透過率の低下を最低限に抑
えるとともに、間隙部における液晶分子が電圧印加時に
傾斜しやすいようにすることが望まれている。本発明の
目的は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置における輝度を改善
する液晶表示装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、液晶を駆動
するための能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が
印加される画素電極と、前記画素電極上に形成され、前
記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な
方向に配向する第１の配向膜とを有する第１の基板と；
前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極上に
形成され、前記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を
膜面に垂直方向に配向する第２の配向膜とを有する第２
の基板と；前記第１の基板と前記第２の基板との間に封
入された負の誘電率異方性をもつ液晶層とを有する液晶
表示装置であって、前記画素電極と前記第１の配向膜と
の間、及び／又は、前記共通電極と前記第２の配向膜と
の間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜
方向を規制する突起を有し、前記第１の配向膜及び／又
は前記第２の配向膜は、前記突起が形成された領域の垂
直配向規制力が、前記突起が形成されていない領域の垂
直配向規制力よりも弱められていることを特徴とする液
晶表示装置によって達成される。
するための能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が
印加される画素電極と、前記画素電極上に形成され、前
記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な
方向に配向する第１の配向膜とを有する第１の基板と；
前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極上に
形成され、前記駆動電圧を印加しないときに液晶分子を
膜面に垂直方向に配向する第２の配向膜とを有する第２
の基板と；前記第１の基板と前記第２の基板との間に封
入された負の誘電率異方性をもつ液晶層とを有する液晶
表示装置であって、前記画素電極と前記第１の配向膜と
の間、及び／又は、前記共通電極と前記第２の配向膜と
の間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜
方向を規制する突起を有し、前記第１の配向膜及び／又
は前記第２の配向膜は、前記突起が形成された領域の垂
直配向規制力が、前記突起が形成されていない領域の垂
直配向規制力よりも弱められていることを特徴とする液
晶表示装置によって達成される。
【０００８】また、上記の液晶表示装置において、前記
第１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記突起
が形成された領域の膜厚を前記突起が形成されていない
領域の膜厚よりも薄くすることにより、前記突起が形成
された領域の垂直配向規制力が弱められているようにし
てもよい。また、上記の液晶表示装置において、前記第
１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記突起が
形成された領域に、前記配向膜が形成されていない微細
な領域を散在することにより、前記突起が形成された領
域の垂直配向規制力が弱められているようにしてもよ
い。
第１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記突起
が形成された領域の膜厚を前記突起が形成されていない
領域の膜厚よりも薄くすることにより、前記突起が形成
された領域の垂直配向規制力が弱められているようにし
てもよい。また、上記の液晶表示装置において、前記第
１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記突起が
形成された領域に、前記配向膜が形成されていない微細
な領域を散在することにより、前記突起が形成された領
域の垂直配向規制力が弱められているようにしてもよ
い。
【０００９】また、上記目的は、液晶を駆動するための
能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が印加される
画素電極と、前記画素電極上に形成され、前記駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する配向膜とを有する基板であって、前記画素電極と前
記配向膜との間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶
分子の傾斜方向を規制する突起を有し、前記配向膜は、
前記突起が形成された領域の垂直配向規制力が、前記突
起が形成されていない領域の垂直配向規制力よりも弱め
られていることを特徴とする液晶表示装置用基板によっ
ても達成される。
能動素子と、前記能動素子により駆動電圧が印加される
画素電極と、前記画素電極上に形成され、前記駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する配向膜とを有する基板であって、前記画素電極と前
記配向膜との間に、前記駆動電圧を印加したときの液晶
分子の傾斜方向を規制する突起を有し、前記配向膜は、
前記突起が形成された領域の垂直配向規制力が、前記突
起が形成されていない領域の垂直配向規制力よりも弱め
られていることを特徴とする液晶表示装置用基板によっ
ても達成される。
【００１０】また、上記目的は、共通電極と、前記共通
電極上に形成され、駆動電圧を印加しないときに液晶分
子を膜面に垂直方向に配向する配向膜とを有する基板で
あって、前記共通電極と前記配向膜との間に、前記駆動
電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突
起を有し、前記配向膜は、前記突起が形成された領域の
垂直配向規制力が、前記突起が形成されていない領域の
垂直配向規制力よりも弱められていることを特徴とする
液晶表示装置用基板によっても達成される。
電極上に形成され、駆動電圧を印加しないときに液晶分
子を膜面に垂直方向に配向する配向膜とを有する基板で
あって、前記共通電極と前記配向膜との間に、前記駆動
電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突
起を有し、前記配向膜は、前記突起が形成された領域の
垂直配向規制力が、前記突起が形成されていない領域の
垂直配向規制力よりも弱められていることを特徴とする
液晶表示装置用基板によっても達成される。
【００１１】また、上記目的は、表面に垂直配向処理を
施した一対の基板間に負の誘電率異方性をもつ液晶層が
封入された液晶表示装置の製造方法であって、基板上
に、液晶分子の傾斜方向を規制する突起を形成する工程
と、前記突起が形成された前記基板上に、前記突起が形
成された領域の垂直配向規制力が、前記突起が形成され
ていない領域の垂直配向規制力よりも弱い配向膜を形成
する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法によっても達成される。
施した一対の基板間に負の誘電率異方性をもつ液晶層が
封入された液晶表示装置の製造方法であって、基板上
に、液晶分子の傾斜方向を規制する突起を形成する工程
と、前記突起が形成された前記基板上に、前記突起が形
成された領域の垂直配向規制力が、前記突起が形成され
ていない領域の垂直配向規制力よりも弱い配向膜を形成
する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法によっても達成される。
【００１２】また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記配向膜を形成する工程では、前記突起上の配
向膜の膜厚が前記突起が形成されていない領域の膜厚よ
りも薄い前記配向膜を形成することにより、前記突起が
形成されていない領域の垂直配向規制力を弱めるように
してもよい。また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記配向膜を形成する工程では、前記突起上にお
いて前記配向膜が形成されていない微細な領域が散在す
る前記配向膜を形成することにより、前記突起が形成さ
れていない領域の垂直配向規制力を弱めるようにしても
よい。
いて、前記配向膜を形成する工程では、前記突起上の配
向膜の膜厚が前記突起が形成されていない領域の膜厚よ
りも薄い前記配向膜を形成することにより、前記突起が
形成されていない領域の垂直配向規制力を弱めるように
してもよい。また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記配向膜を形成する工程では、前記突起上にお
いて前記配向膜が形成されていない微細な領域が散在す
る前記配向膜を形成することにより、前記突起が形成さ
れていない領域の垂直配向規制力を弱めるようにしても
よい。
【００１３】また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記配向膜を形成する工程は、垂直配向規制力が
ほぼ均一な配向膜を形成する工程と、前記突起が形成さ
れた領域の前記配向膜に選択的に紫外線を照射すること
により、前記突起が形成された領域の垂直配向規制力を
弱める工程とを有するようにしてもよい。また、上記の
液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜を形成す
る工程の後に、前記配向膜の全体の垂直配向規制力を弱
める処理を行う工程を更に有するようにしてもよい。
いて、前記配向膜を形成する工程は、垂直配向規制力が
ほぼ均一な配向膜を形成する工程と、前記突起が形成さ
れた領域の前記配向膜に選択的に紫外線を照射すること
により、前記突起が形成された領域の垂直配向規制力を
弱める工程とを有するようにしてもよい。また、上記の
液晶表示装置の製造方法において、前記配向膜を形成す
る工程の後に、前記配向膜の全体の垂直配向規制力を弱
める処理を行う工程を更に有するようにしてもよい。
【００１４】また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記突起を形成する工程の後に、前記突起の表面
張力を高める工程を更に有するようにしてもよい。
いて、前記突起を形成する工程の後に、前記突起の表面
張力を高める工程を更に有するようにしてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態による液晶表
示装置及びその製造方法について図１乃至図１３を用い
て説明する。はじめに、本実施形態による液晶表示装置
の構造について図１乃至図５を用いて説明する。図１は
本実施形態による液晶表示装置における画素部の平面
図、図２は図１のＡ−Ａ′線断面図、図３は本発明の原
理を説明する図、図４は本実施形態による液晶表示装置
における液晶分子の傾斜の態様を示す図及び光透過率を
示すグラフ、図５は突起上の配向規制力を間隙部の配向
規制力よりも弱くした場合としない場合とにおける透過
光の状態を示す図である。
示装置及びその製造方法について図１乃至図１３を用い
て説明する。はじめに、本実施形態による液晶表示装置
の構造について図１乃至図５を用いて説明する。図１は
本実施形態による液晶表示装置における画素部の平面
図、図２は図１のＡ−Ａ′線断面図、図３は本発明の原
理を説明する図、図４は本実施形態による液晶表示装置
における液晶分子の傾斜の態様を示す図及び光透過率を
示すグラフ、図５は突起上の配向規制力を間隙部の配向
規制力よりも弱くした場合としない場合とにおける透過
光の状態を示す図である。
【００１６】図１及び図２に示すように、ガラス基板１
０上には、補助容量を形成するためのＣＳ電極１２と、
ＴＦＴのゲート電極を含むゲートバスライン１４が形成
されている。ＣＳ電極１２及びゲートバスライン１４が
形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜１６が
形成されている。ゲート絶縁膜１６上には、ＴＦＴのチ
ャネル領域を構成する活性層１８が形成されている。活
性層１８が形成されたゲート絶縁膜１６上には、活性層
１８の一方の側に接続されたソース電極２０と、活性層
１８の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレイ
ンバスライン２２とが形成されている。ソース電極２０
及びドレインバスライン２２が形成されたゲート絶縁膜
１６上には、絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４
上には、ソース電極２０に接続された画素電極２６が形
成されている。絶縁膜２４上及び画素電極２６上には、
ジグザグ状に屈曲して設けられた光透過性の材料よりな
る突起２８が形成されている。画素電極２６、突起２８
が形成された絶縁膜２４上には、液晶分子を垂直方向に
配向する配向膜３０が形成されている。
０上には、補助容量を形成するためのＣＳ電極１２と、
ＴＦＴのゲート電極を含むゲートバスライン１４が形成
されている。ＣＳ電極１２及びゲートバスライン１４が
形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜１６が
形成されている。ゲート絶縁膜１６上には、ＴＦＴのチ
ャネル領域を構成する活性層１８が形成されている。活
性層１８が形成されたゲート絶縁膜１６上には、活性層
１８の一方の側に接続されたソース電極２０と、活性層
１８の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレイ
ンバスライン２２とが形成されている。ソース電極２０
及びドレインバスライン２２が形成されたゲート絶縁膜
１６上には、絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４
上には、ソース電極２０に接続された画素電極２６が形
成されている。絶縁膜２４上及び画素電極２６上には、
ジグザグ状に屈曲して設けられた光透過性の材料よりな
る突起２８が形成されている。画素電極２６、突起２８
が形成された絶縁膜２４上には、液晶分子を垂直方向に
配向する配向膜３０が形成されている。
【００１７】一方、ガラス基板４０上には、ブラックマ
トリクス層４２が形成されている。ブラックマトリクス
層４２が形成されたガラス基板４０上には、カラーフィ
ルタを形成する着色（ＣＦ）樹脂層４６が形成されてい
る。着色樹脂層４６上には、コモン電極４８が形成され
ている。コモン電極４８上には、基板１０上に形成され
た突起２８に対して半ピッチずらしてジグザグ状に屈曲
して設けられた光透過性の材料よりなる突起５０が形成
されている。突起５０が形成されたコモン電極上には、
液晶分子を垂直方向に配向する配向膜５２が形成されて
いる。
トリクス層４２が形成されている。ブラックマトリクス
層４２が形成されたガラス基板４０上には、カラーフィ
ルタを形成する着色（ＣＦ）樹脂層４６が形成されてい
る。着色樹脂層４６上には、コモン電極４８が形成され
ている。コモン電極４８上には、基板１０上に形成され
た突起２８に対して半ピッチずらしてジグザグ状に屈曲
して設けられた光透過性の材料よりなる突起５０が形成
されている。突起５０が形成されたコモン電極上には、
液晶分子を垂直方向に配向する配向膜５２が形成されて
いる。
【００１８】このように構成されたガラス基板１０（Ｔ
ＦＴ基板）及びガラス基板４０（ＣＦ基板）は、配向膜
３０、５２が互いに向かい合うように対向して配置さ
れ、これら基板の間には誘電率異方性が負であるネガ型
の液晶材料６０が封止される。こうして、本実施形態に
よる液晶表示装置が構成されている。ここで、本実施形
態による液晶表示装置は、液晶材料に接する面に設けら
れた配向膜３０、５２に主たる特徴がある。すなわち、
図３に示すように、本実施形態による液晶表示装置は、
突起２８（又は突起５０）が形成された領域の配向膜３
０（又は配向膜５２）の垂直配向規制力が、他の領域の
配向膜３０の垂直配向規制力よりも弱くなっていること
に特徴がある。
ＦＴ基板）及びガラス基板４０（ＣＦ基板）は、配向膜
３０、５２が互いに向かい合うように対向して配置さ
れ、これら基板の間には誘電率異方性が負であるネガ型
の液晶材料６０が封止される。こうして、本実施形態に
よる液晶表示装置が構成されている。ここで、本実施形
態による液晶表示装置は、液晶材料に接する面に設けら
れた配向膜３０、５２に主たる特徴がある。すなわち、
図３に示すように、本実施形態による液晶表示装置は、
突起２８（又は突起５０）が形成された領域の配向膜３
０（又は配向膜５２）の垂直配向規制力が、他の領域の
配向膜３０の垂直配向規制力よりも弱くなっていること
に特徴がある。
【００１９】このように突起２８、５０上の配向膜３
０、５２の垂直配向規制力を弱めることにより、突起２
８、５０の頂点部の液晶分子も電圧印加時に傾斜するよ
うになり、突起上においても光が透過するようになる。
したがって、画素部の開口率を向上することができる。
なお、突起部では、液晶分子は突起の走査方向、すなわ
ち、間隙部と垂直方向に傾斜するため、突起のエッジ近
傍では弾性的にスプレイ状態となりディスクリネーショ
ンラインのような細い光を透過しない領域が発生する
（図４（ａ）参照）。しかしながら、突起形成領域の中
央近傍では光が透過する領域が発生するため、図１６
（ｃ）に示す従来の液晶表示装置の場合と比較すると、
画素部全体では輝度特性を大幅に改善することができる
（図４（ｂ）参照）。
０、５２の垂直配向規制力を弱めることにより、突起２
８、５０の頂点部の液晶分子も電圧印加時に傾斜するよ
うになり、突起上においても光が透過するようになる。
したがって、画素部の開口率を向上することができる。
なお、突起部では、液晶分子は突起の走査方向、すなわ
ち、間隙部と垂直方向に傾斜するため、突起のエッジ近
傍では弾性的にスプレイ状態となりディスクリネーショ
ンラインのような細い光を透過しない領域が発生する
（図４（ａ）参照）。しかしながら、突起形成領域の中
央近傍では光が透過する領域が発生するため、図１６
（ｃ）に示す従来の液晶表示装置の場合と比較すると、
画素部全体では輝度特性を大幅に改善することができる
（図４（ｂ）参照）。
【００２０】図５（ａ）は突起上の配向規制力と間隙部
の配向規制力とがほぼ等しい場合の透過光の状態を示す
図、図５（ｂ）は突起上の配向規制力が間隙部の配向規
制力よりも弱い場合の透過光の状態を示す図である。図
示するように、突起上の配向規制力を弱めた図５（ｂ）
では、突起が形成された領域においても光が透過してお
り、図５（ａ）と比較して輝度が向上していることが判
る（後述の実施例１及び比較例１を参照）。
の配向規制力とがほぼ等しい場合の透過光の状態を示す
図、図５（ｂ）は突起上の配向規制力が間隙部の配向規
制力よりも弱い場合の透過光の状態を示す図である。図
示するように、突起上の配向規制力を弱めた図５（ｂ）
では、突起が形成された領域においても光が透過してお
り、図５（ａ）と比較して輝度が向上していることが判
る（後述の実施例１及び比較例１を参照）。
【００２１】次に、本実施形態による液晶表示装置の製
造方法について図６乃至図１３を用いて説明する。図６
乃至図８は本実施形態による液晶表示装置の製造方法を
示す工程断面図、図９は突起上の配向膜の膜厚を薄くし
た試料の断面形状を示すＴＥＭ像、図１０は突起上に配
向膜が形成されていない微細な領域を形成した試料の断
面形状を示すＴＥＭ像、図１１は突起の表面張力を変え
た場合の透過光の状態を示す図、図１２はアッシング処
理による表面張力の変化を示すグラフ、図１３は配向膜
のプリベークの温度を変えた場合の光透過率の変化を示
す図である。
造方法について図６乃至図１３を用いて説明する。図６
乃至図８は本実施形態による液晶表示装置の製造方法を
示す工程断面図、図９は突起上の配向膜の膜厚を薄くし
た試料の断面形状を示すＴＥＭ像、図１０は突起上に配
向膜が形成されていない微細な領域を形成した試料の断
面形状を示すＴＥＭ像、図１１は突起の表面張力を変え
た場合の透過光の状態を示す図、図１２はアッシング処
理による表面張力の変化を示すグラフ、図１３は配向膜
のプリベークの温度を変えた場合の光透過率の変化を示
す図である。
【００２２】まず、ガラス基板１０上に金属膜を堆積し
てパターニングし、ＣＳ電極１２及びゲート電極を含む
ゲートバスライン１４を形成する。次いで、ＣＳ電極１
２及びゲートバスライン１４が形成されたガラス基板１
０上に、ゲート絶縁膜１６となる絶縁膜を形成する（図
６（ａ））。次いで、ゲート絶縁膜１６上にアモルファ
スシリコン層やポリシリコン層などの半導体層を堆積し
てパターニングし、半導体層よりなる活性層１８を形成
する。
てパターニングし、ＣＳ電極１２及びゲート電極を含む
ゲートバスライン１４を形成する。次いで、ＣＳ電極１
２及びゲートバスライン１４が形成されたガラス基板１
０上に、ゲート絶縁膜１６となる絶縁膜を形成する（図
６（ａ））。次いで、ゲート絶縁膜１６上にアモルファ
スシリコン層やポリシリコン層などの半導体層を堆積し
てパターニングし、半導体層よりなる活性層１８を形成
する。
【００２３】次いで、活性層１８が形成されたゲート絶
縁膜１６上に金属膜を堆積してパターニングし、活性層
１８の一方の側に接続されたソース電極２０と、活性層
１８の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレイ
ンバスライン２２とを形成する（図６（ｂ））。次い
で、全面に絶縁膜を堆積してパターニングし、ソース電
極上に開口部が形成された絶縁膜２４を形成する。
縁膜１６上に金属膜を堆積してパターニングし、活性層
１８の一方の側に接続されたソース電極２０と、活性層
１８の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレイ
ンバスライン２２とを形成する（図６（ｂ））。次い
で、全面に絶縁膜を堆積してパターニングし、ソース電
極上に開口部が形成された絶縁膜２４を形成する。
【００２４】次いで、全面にＩＴＯ膜などの透明電極材
料を堆積してパターニングし、開口部を介してソース電
極２０に接続された画素電極２６を形成する（図６
（ｃ））。次いで、絶縁膜２４上及び画素電極２６上
に、突起２８を形成する（図７（ａ））。突起２８とし
ては、例えば通常のリソグラフィー技術を用いてパター
ニングしたレジスト膜を適用することができる。突起の
材料として感光性樹脂を用いる場合、多少の色付きはあ
っても光を透過させるものを選択することができる。そ
のような材料を用い、突起上の液晶分子を傾斜しやすい
状態にしておき、電圧印加時に光を透過させる方向へ傾
斜させるようにすると、透過率のロスを最低限に抑える
ことができる。感光性樹脂の材料としては、例えば、シ
プレイ株式会社製のＬＣ−２００、Ｓ１８０１を適用す
ることができる。なお、突起２８のパラメータ（突起形
状、高さ、幅、間隙等）は、液晶表示装置の輝度に影響
を与える重要なパラメータであり、これらパラメータ
は、レジスト材料や全体のデバイスパラメータ等に応じ
て適宜設定することが望ましい。
料を堆積してパターニングし、開口部を介してソース電
極２０に接続された画素電極２６を形成する（図６
（ｃ））。次いで、絶縁膜２４上及び画素電極２６上
に、突起２８を形成する（図７（ａ））。突起２８とし
ては、例えば通常のリソグラフィー技術を用いてパター
ニングしたレジスト膜を適用することができる。突起の
材料として感光性樹脂を用いる場合、多少の色付きはあ
っても光を透過させるものを選択することができる。そ
のような材料を用い、突起上の液晶分子を傾斜しやすい
状態にしておき、電圧印加時に光を透過させる方向へ傾
斜させるようにすると、透過率のロスを最低限に抑える
ことができる。感光性樹脂の材料としては、例えば、シ
プレイ株式会社製のＬＣ−２００、Ｓ１８０１を適用す
ることができる。なお、突起２８のパラメータ（突起形
状、高さ、幅、間隙等）は、液晶表示装置の輝度に影響
を与える重要なパラメータであり、これらパラメータ
は、レジスト材料や全体のデバイスパラメータ等に応じ
て適宜設定することが望ましい。
【００２５】次いで、全面に、液晶分子を垂直方向に配
向する配向膜３０を形成する。このような配向膜として
は、例えば、ＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−２００８−
Ｒ２、ＪＡＬＳ−６８４、ＪＡＬＳ−６８４−Ｒ３、Ｊ
ＡＬＳ−２０１６−Ｒ２等を用いることができる。な
お、配向膜３０は、突起２８が形成された領域の垂直配
向規制力を他の領域の垂直配向規制力よりも弱くなるよ
うに形成するが、これについては後述する。
向する配向膜３０を形成する。このような配向膜として
は、例えば、ＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−２００８−
Ｒ２、ＪＡＬＳ−６８４、ＪＡＬＳ−６８４−Ｒ３、Ｊ
ＡＬＳ−２０１６−Ｒ２等を用いることができる。な
お、配向膜３０は、突起２８が形成された領域の垂直配
向規制力を他の領域の垂直配向規制力よりも弱くなるよ
うに形成するが、これについては後述する。
【００２６】こうして、ＴＦＴ基板を形成する（図７
（ｂ））。一方、カラーフィルタ（ＣＦ）を有するＣＦ
基板の形成は、まず、ガラス基板４０上に、金属膜を堆
積してパターニングし、遮光用のブラックマトリクス層
４２を形成する。次いで、ブラックマトリクス層４２が
形成されたガラス基板４０上の所定の領域に、所定の色
のＣＦ樹脂層４６を形成する（図８（ａ））。
（ｂ））。一方、カラーフィルタ（ＣＦ）を有するＣＦ
基板の形成は、まず、ガラス基板４０上に、金属膜を堆
積してパターニングし、遮光用のブラックマトリクス層
４２を形成する。次いで、ブラックマトリクス層４２が
形成されたガラス基板４０上の所定の領域に、所定の色
のＣＦ樹脂層４６を形成する（図８（ａ））。
【００２７】次いで、ＣＦ樹脂層４６及びブラックマト
リクス層４２が形成されたガラス基板４０上にＩＴＯ膜
を堆積してパターニングし、コモン電極４８を形成す
る。次いで、コモン電極４８上に、基板１０上に形成し
た突起２８と同様の形成方法により、突起５０を形成す
る。突起５０は、例えば図１に示すように突起２８に対
して半ピッチずらしてジグザグ状に屈曲したパターンと
する（図８（ｂ））。
リクス層４２が形成されたガラス基板４０上にＩＴＯ膜
を堆積してパターニングし、コモン電極４８を形成す
る。次いで、コモン電極４８上に、基板１０上に形成し
た突起２８と同様の形成方法により、突起５０を形成す
る。突起５０は、例えば図１に示すように突起２８に対
して半ピッチずらしてジグザグ状に屈曲したパターンと
する（図８（ｂ））。
【００２８】次いで、突起５０が形成されたコモン電極
４８上に、基板１０上に形成した配向膜３０と同様の形
成方法により、突起５０が形成された領域の垂直配向規
制力が他の領域の垂直配向規制力よりも弱い配向膜５２
を形成する。こうして、ＣＦ基板を形成する（図８
（ｃ））。この後、液晶材料を封止した状態でＴＦＴ基
板とＣＦ基板とを貼り合わせ、液晶表示装置を完成す
る。
４８上に、基板１０上に形成した配向膜３０と同様の形
成方法により、突起５０が形成された領域の垂直配向規
制力が他の領域の垂直配向規制力よりも弱い配向膜５２
を形成する。こうして、ＣＦ基板を形成する（図８
（ｃ））。この後、液晶材料を封止した状態でＴＦＴ基
板とＣＦ基板とを貼り合わせ、液晶表示装置を完成す
る。
【００２９】ここで、本実施形態による液晶表示装置の
製造方法は、突起２８、５０上の配向膜３０、５２の垂
直配向規制力を選択的に弱めるための処理を行うことに
主たる特徴がある。配向膜３０、５２の垂直配向規制力
を選択的に弱める方法としては、例えば以下に示す３つ
の方法が考えられる。第１の方法は、突起２８、５０上
の配向膜３０、５２の厚さを突起間隙部よりも薄くする
方法である。配向膜は、その膜厚が数ｎｍ程度若しくは
それ以下であっても垂直配向性を示すが、このときの垂
直配向規制力は膜厚が厚い場合と比較して弱くなるとい
う特徴を有している。したがって、このように配向膜３
０、５２を形成することにより、突起２８、５０上の配
向膜３０、５２の垂直規制力を選択的に弱めることがで
きる。
製造方法は、突起２８、５０上の配向膜３０、５２の垂
直配向規制力を選択的に弱めるための処理を行うことに
主たる特徴がある。配向膜３０、５２の垂直配向規制力
を選択的に弱める方法としては、例えば以下に示す３つ
の方法が考えられる。第１の方法は、突起２８、５０上
の配向膜３０、５２の厚さを突起間隙部よりも薄くする
方法である。配向膜は、その膜厚が数ｎｍ程度若しくは
それ以下であっても垂直配向性を示すが、このときの垂
直配向規制力は膜厚が厚い場合と比較して弱くなるとい
う特徴を有している。したがって、このように配向膜３
０、５２を形成することにより、突起２８、５０上の配
向膜３０、５２の垂直規制力を選択的に弱めることがで
きる。
【００３０】一般に、突起のある基板上に膜形成を行う
場合、突起部では突起の形成されていない領域と比較し
て膜厚が薄くなる。このような物理的な性質を利用する
ことにより、突起２８、５０上の配向膜３０、５２の膜
厚を選択的に薄くすることができる。例えばスピンコー
ト法により配向膜３０、５２を形成する場合、突起の形
状と回転数とを適宜制御することにより、突起２８、５
０上の配向膜３０、５２の厚さを制御することができ
る。突起２８、５０上の配向膜３０、５２は、突起の頂
部において約０．５〜１ｎｍ程度の厚さにすることが望
ましい。
場合、突起部では突起の形成されていない領域と比較し
て膜厚が薄くなる。このような物理的な性質を利用する
ことにより、突起２８、５０上の配向膜３０、５２の膜
厚を選択的に薄くすることができる。例えばスピンコー
ト法により配向膜３０、５２を形成する場合、突起の形
状と回転数とを適宜制御することにより、突起２８、５
０上の配向膜３０、５２の厚さを制御することができ
る。突起２８、５０上の配向膜３０、５２は、突起の頂
部において約０．５〜１ｎｍ程度の厚さにすることが望
ましい。
【００３１】図９は、シプレイ株式会社製のレジストＳ
１８０１を用いて突起を形成後、ＪＳＲ株式会社製のＪ
ＡＬＳ−６８４をスピナー回転数１５００ｒｐｍとして
回転塗布することにより配向膜を形成した試料における
突起部の形状を示す断面ＴＥＭ像である。図９に示され
るように、幅約８μｍ、高さ約１．４５μｍの突起上に
形成された配向膜の膜厚は、突起の頂部において約１ｎ
ｍであり、突起間隙部の膜厚である約０．３μｍに対し
てきわめて薄くすることができた。
１８０１を用いて突起を形成後、ＪＳＲ株式会社製のＪ
ＡＬＳ−６８４をスピナー回転数１５００ｒｐｍとして
回転塗布することにより配向膜を形成した試料における
突起部の形状を示す断面ＴＥＭ像である。図９に示され
るように、幅約８μｍ、高さ約１．４５μｍの突起上に
形成された配向膜の膜厚は、突起の頂部において約１ｎ
ｍであり、突起間隙部の膜厚である約０．３μｍに対し
てきわめて薄くすることができた。
【００３２】第２の方法は、突起２８、５０上に配向膜
３０、５２が形成されていない微細な領域を形成する方
法である。配向膜３０、５２が形成されていない領域で
は液晶分子は配向膜の垂直配向規制力を受けないので、
このように配向膜３０、５２を形成することにより、突
起２８、５０上の配向膜３０、５２の垂直規制力を選択
的に弱めることができる。なお、配向膜のない領域は基
本的には水平配向となるが、その領域が微細で且つ周辺
が垂直配向であれば、液晶は連続体であるため配向膜の
ない領域も垂直配向となる。したがって、配向膜のない
領域が十分に微細であれば配向膜３０、５２を形成しな
い領域を形成することに不都合はない。
３０、５２が形成されていない微細な領域を形成する方
法である。配向膜３０、５２が形成されていない領域で
は液晶分子は配向膜の垂直配向規制力を受けないので、
このように配向膜３０、５２を形成することにより、突
起２８、５０上の配向膜３０、５２の垂直規制力を選択
的に弱めることができる。なお、配向膜のない領域は基
本的には水平配向となるが、その領域が微細で且つ周辺
が垂直配向であれば、液晶は連続体であるため配向膜の
ない領域も垂直配向となる。したがって、配向膜のない
領域が十分に微細であれば配向膜３０、５２を形成しな
い領域を形成することに不都合はない。
【００３３】例えば、突起２８、５０を形成した後にア
ッシングを行って突起２８、５０表面を荒らし、その後
に配向膜３０、５２の形成を行い、突起２８、５０の窪
み内部にのみ配向膜３０、５２が残るようにすれば、こ
のような状態を形成することができる。図１０は、シプ
レイ株式会社製のレジストＳ１８０１を用いて突起を形
成し、次いでプラズマアッシングを１０秒間行って突起
の表面を荒らし、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−
６８４をスピナー回転数２０００ｒｐｍとして回転塗布
することにより配向膜を形成した試料における突起部の
形状を示す断面ＴＥＭ像である。図示するように、突起
の頂部には細かい窪みが多数形成されており、その窪み
内には配向膜が埋め込まれている。
ッシングを行って突起２８、５０表面を荒らし、その後
に配向膜３０、５２の形成を行い、突起２８、５０の窪
み内部にのみ配向膜３０、５２が残るようにすれば、こ
のような状態を形成することができる。図１０は、シプ
レイ株式会社製のレジストＳ１８０１を用いて突起を形
成し、次いでプラズマアッシングを１０秒間行って突起
の表面を荒らし、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−
６８４をスピナー回転数２０００ｒｐｍとして回転塗布
することにより配向膜を形成した試料における突起部の
形状を示す断面ＴＥＭ像である。図示するように、突起
の頂部には細かい窪みが多数形成されており、その窪み
内には配向膜が埋め込まれている。
【００３４】第３の方法は、配向膜３０、５２に処理を
施すことにより所定の領域の垂直配向規制力を弱める方
法である。一般に、配向膜材料に紫外線を照射すると、
垂直配向成分のアルキル鎖を断ち切ることができ、これ
により垂直配向規制力の弱い状態を実現することができ
る。したがって、突起２８、５０の形成領域上の配向膜
３０、５２に選択的に紫外線照射を行うことにより、垂
直配向規制力が弱い領域を選択的に形成することができ
る。選択的に紫外線を照射するためには、例えば、金属
マスクやレジスト材により突起形成領域以外の領域を覆
った状態で紫外線照射を行えばよい。
施すことにより所定の領域の垂直配向規制力を弱める方
法である。一般に、配向膜材料に紫外線を照射すると、
垂直配向成分のアルキル鎖を断ち切ることができ、これ
により垂直配向規制力の弱い状態を実現することができ
る。したがって、突起２８、５０の形成領域上の配向膜
３０、５２に選択的に紫外線照射を行うことにより、垂
直配向規制力が弱い領域を選択的に形成することができ
る。選択的に紫外線を照射するためには、例えば、金属
マスクやレジスト材により突起形成領域以外の領域を覆
った状態で紫外線照射を行えばよい。
【００３５】配向膜材料を構成する有機物の状態を変化
させるには、短波長のエネルギーの高い紫外線を照射す
ることにより効率を上げることが有効である。例えば、
２５０ｎｍ付近の波長帯にピークをもつ光源、例えばシ
ョートアーク型のキセノン水銀ランプを利用することが
できる。なお、突起２８、５０部の表面張力が小さいと
配向膜３０、５２の焼成時に突起２８、５０上の配向膜
３０、５２がエッジ部に寄せられ、突起２８、５０上に
ほとんど残らず、電圧無印加時に既に水平配向してしま
うことがある。これによって起こる光漏れはコントラス
トの低下及び表示むらの原因となる。これを防ぐために
は、突起の表面張力を高める処理を行うことが望まし
く、例えば、突起２８、５０を形成した後にアッシング
処理を行うプロセスにより達成することができる。
させるには、短波長のエネルギーの高い紫外線を照射す
ることにより効率を上げることが有効である。例えば、
２５０ｎｍ付近の波長帯にピークをもつ光源、例えばシ
ョートアーク型のキセノン水銀ランプを利用することが
できる。なお、突起２８、５０部の表面張力が小さいと
配向膜３０、５２の焼成時に突起２８、５０上の配向膜
３０、５２がエッジ部に寄せられ、突起２８、５０上に
ほとんど残らず、電圧無印加時に既に水平配向してしま
うことがある。これによって起こる光漏れはコントラス
トの低下及び表示むらの原因となる。これを防ぐために
は、突起の表面張力を高める処理を行うことが望まし
く、例えば、突起２８、５０を形成した後にアッシング
処理を行うプロセスにより達成することができる。
【００３６】図１１は突起の表面張力と光透過率の関係
を示す図である。図１１（ａ）はシプレイ株式会社製の
レジストＬＣ−２００を用いて高さ１．５μｍ突起を形
成し、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−６８４をス
ピナー回転数２０００ｒｐｍとして回転塗布することに
より配向膜を形成した試料における電圧印加時の透過光
の様子を示す図、図１１（ｂ）はシプレイ株式会社製の
レジストＬＣ−２００を用いて高さ１．５μｍの突起を
形成し、次いでプラズマアッシングを１０秒間行って突
起の表面張力を向上し、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡ
ＬＳ−６８４をスピナー回転数２０００ｒｐｍとして回
転塗布することにより配向膜を形成した試料における電
圧印加時の透過光の様子を示す図である。なお、図１１
（ａ）に示す試料は突起の表面張力は約４６ｍＮ／ｍで
あり、図１１（ｂ）に示す試料は突起の表面張力は６５
ｍＮ／ｍであった。
を示す図である。図１１（ａ）はシプレイ株式会社製の
レジストＬＣ−２００を用いて高さ１．５μｍ突起を形
成し、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡＬＳ−６８４をス
ピナー回転数２０００ｒｐｍとして回転塗布することに
より配向膜を形成した試料における電圧印加時の透過光
の様子を示す図、図１１（ｂ）はシプレイ株式会社製の
レジストＬＣ−２００を用いて高さ１．５μｍの突起を
形成し、次いでプラズマアッシングを１０秒間行って突
起の表面張力を向上し、次いでＪＳＲ株式会社製のＪＡ
ＬＳ−６８４をスピナー回転数２０００ｒｐｍとして回
転塗布することにより配向膜を形成した試料における電
圧印加時の透過光の様子を示す図である。なお、図１１
（ａ）に示す試料は突起の表面張力は約４６ｍＮ／ｍで
あり、図１１（ｂ）に示す試料は突起の表面張力は６５
ｍＮ／ｍであった。
【００３７】図示するように、表面張力を向上していな
い図１１（ａ）の試料では突起間隙の一部において光の
透過率が劣っている領域が存在しており配向膜の配向性
に乱れがあることが判るが、表面張力を向上した図１１
（ｂ）の試料ではこのような現象はみられなかった。ま
た、電圧無印加時の光透過率についても同様の観察をし
た結果、表面張力を向上していない試料では突起上に配
向膜がほとんど残っておらず突起部において光が透過し
ていたが、表面張力を向上した試料ではこのような現象
はみられなかった。
い図１１（ａ）の試料では突起間隙の一部において光の
透過率が劣っている領域が存在しており配向膜の配向性
に乱れがあることが判るが、表面張力を向上した図１１
（ｂ）の試料ではこのような現象はみられなかった。ま
た、電圧無印加時の光透過率についても同様の観察をし
た結果、表面張力を向上していない試料では突起上に配
向膜がほとんど残っておらず突起部において光が透過し
ていたが、表面張力を向上した試料ではこのような現象
はみられなかった。
【００３８】なお、本願発明者が検討した突起材料の範
囲では、アッシング処理を行わない状態の表面張力は５
０ｍＮ／ｍより低かった。また、表面張力を改善する効
果は少しのアッシング処理によっても得られると考えら
れる。したがって、突起の表面張力が５０ｍＮ／ｍ以上
になるように表面処理を行うことにより、上記効果を得
ることができると考えられる。
囲では、アッシング処理を行わない状態の表面張力は５
０ｍＮ／ｍより低かった。また、表面張力を改善する効
果は少しのアッシング処理によっても得られると考えら
れる。したがって、突起の表面張力が５０ｍＮ／ｍ以上
になるように表面処理を行うことにより、上記効果を得
ることができると考えられる。
【００３９】図１２はアッシング処理による表面張力
（表面エネルギー）の変化を示すグラフである。図中、
「Ｓ１８０８」とあるのは突起材料としてシプレイ株式
会社製のレジストＳ１８０８を用いた場合を、「ＬＣ−
２００」とあるのはシプレイ株式会社製のレジストＬＣ
−２００を用いた場合を示している。図示するように、
５０ｍＮ／ｍ以上の表面張力を得るためには約１０秒程
度のアッシングを行えばよいことがわかる（後述の実施
例２及び比較例２を参照）。
（表面エネルギー）の変化を示すグラフである。図中、
「Ｓ１８０８」とあるのは突起材料としてシプレイ株式
会社製のレジストＳ１８０８を用いた場合を、「ＬＣ−
２００」とあるのはシプレイ株式会社製のレジストＬＣ
−２００を用いた場合を示している。図示するように、
５０ｍＮ／ｍ以上の表面張力を得るためには約１０秒程
度のアッシングを行えばよいことがわかる（後述の実施
例２及び比較例２を参照）。
【００４０】また、紫外線照射、特に、エキシマＵＶを
照射することにより、突起２８、５０の高さを低くする
ことなく表面張力を向上することができる。また、配向
膜３０、５２を形成した後のプリベーク時の温度を低く
設定し、溶媒をゆっくりと飛ばすようにすれば、上記の
ような突起２８、５０の処理を行わずとも突起２８、５
０上に配向膜３０、５２を残存させることができる。
照射することにより、突起２８、５０の高さを低くする
ことなく表面張力を向上することができる。また、配向
膜３０、５２を形成した後のプリベーク時の温度を低く
設定し、溶媒をゆっくりと飛ばすようにすれば、上記の
ような突起２８、５０の処理を行わずとも突起２８、５
０上に配向膜３０、５２を残存させることができる。
【００４１】図１３はプリベークの温度と光透過率の関
係を示す図である。図１３（ａ）はプリベークを８０℃
で行った場合、図１３（ｂ）はプリベークを３０℃で行
った場合である。図示するように、プリベークを８０℃
で行った試料では突起部において光が透過しており突起
上の配向膜がほとんど残っていないが、プリベークを３
０℃で行った試料ではこのような領域は存在せず突起部
にも配向膜が十分残存していることが判る（後述の実施
例３及び比較例３を参照）。このように、配向膜３０、
５２形成後のプリベークの温度は、８０℃よりも低い温
度、望ましくは５０℃以下に設定すればよい。
係を示す図である。図１３（ａ）はプリベークを８０℃
で行った場合、図１３（ｂ）はプリベークを３０℃で行
った場合である。図示するように、プリベークを８０℃
で行った試料では突起部において光が透過しており突起
上の配向膜がほとんど残っていないが、プリベークを３
０℃で行った試料ではこのような領域は存在せず突起部
にも配向膜が十分残存していることが判る（後述の実施
例３及び比較例３を参照）。このように、配向膜３０、
５２形成後のプリベークの温度は、８０℃よりも低い温
度、望ましくは５０℃以下に設定すればよい。
【００４２】ＭＶＡ方式をはじめとする表面構造を用い
て表示領域全面の配向を制御する液晶表示装置では、特
に、配向膜面の液晶分子に与えるアンカリングエネルギ
ーが液晶表示装置の輝度に大きく関与する。ＭＶＡ方式
においても、間隙部の垂直配向規制力が強すぎると、ま
ず、配向膜と液晶との界面近傍に位置する液晶分子が垂
直のまま傾斜しにくくなり、それに伴いバルクの液晶分
子も傾斜しにくくなる。そのため、透過率が飽和し始め
る電圧が高くなり、ひいては実駆動上の輝度及びコント
ラストの低下をもたらすことにもなる。
て表示領域全面の配向を制御する液晶表示装置では、特
に、配向膜面の液晶分子に与えるアンカリングエネルギ
ーが液晶表示装置の輝度に大きく関与する。ＭＶＡ方式
においても、間隙部の垂直配向規制力が強すぎると、ま
ず、配向膜と液晶との界面近傍に位置する液晶分子が垂
直のまま傾斜しにくくなり、それに伴いバルクの液晶分
子も傾斜しにくくなる。そのため、透過率が飽和し始め
る電圧が高くなり、ひいては実駆動上の輝度及びコント
ラストの低下をもたらすことにもなる。
【００４３】これを改善するためには、配向膜全体の配
向規制力を一段階下げることが望ましい。配向膜全体の
配向規制力を弱める処理としては、上述の紫外線照射に
よる方法や、純水洗浄を適用することができる。ラビン
グ後洗浄のような純水洗浄を行えば、洗浄処理と同時に
工程中に付着した異物を取り除くことができるので、製
品の歩留まりを改善する上でもきわめて有効である（後
述の実施例４を参照）。
向規制力を一段階下げることが望ましい。配向膜全体の
配向規制力を弱める処理としては、上述の紫外線照射に
よる方法や、純水洗浄を適用することができる。ラビン
グ後洗浄のような純水洗浄を行えば、洗浄処理と同時に
工程中に付着した異物を取り除くことができるので、製
品の歩留まりを改善する上でもきわめて有効である（後
述の実施例４を参照）。
【００４４】紫外線照射により配向規制力を弱めるに
は、前述のように、短波長のエネルギーの高い紫外線を
照射することが有効である。例えば、２５０ｎｍ付近の
波長帯にピークをもつ光源、例えばショートアーク型の
キセノン水銀ランプを利用することができる。なお、紫
外線照射処理や純水洗浄処理の詳細な条件は、配向膜材
料や必要とする垂直配向規制力などに応じて適宜調整す
ることが望ましい。
は、前述のように、短波長のエネルギーの高い紫外線を
照射することが有効である。例えば、２５０ｎｍ付近の
波長帯にピークをもつ光源、例えばショートアーク型の
キセノン水銀ランプを利用することができる。なお、紫
外線照射処理や純水洗浄処理の詳細な条件は、配向膜材
料や必要とする垂直配向規制力などに応じて適宜調整す
ることが望ましい。
【００４５】このように、本実施形態によれば、ＭＶＡ
方式の液晶表示装置において、突起が形成された領域上
の配向膜の垂直配向規制力を、突起間隙部の垂直配向規
制力に対して選択的に弱めることにより、突起上の液晶
分子が電圧印加時に傾斜しやすくなるので、突起形成領
域における透過光を増加することができる。すなわち、
ＭＶＡ方式の液晶表示装置における輝度を改善すること
ができる。
方式の液晶表示装置において、突起が形成された領域上
の配向膜の垂直配向規制力を、突起間隙部の垂直配向規
制力に対して選択的に弱めることにより、突起上の液晶
分子が電圧印加時に傾斜しやすくなるので、突起形成領
域における透過光を増加することができる。すなわち、
ＭＶＡ方式の液晶表示装置における輝度を改善すること
ができる。
【００４６】本発明は上記実施形態に限らず種々の変形
が可能である。例えば、上記実施形態では、ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤを例にとって本発明を説明したが、ＴＦＴ−ＬＣＤ
に限らず種々の液晶表示装置に適用することが可能であ
る。すなわち、本発明は液晶分子の傾斜方向を規制する
突起を設けた場合の不具合を改善すべく配向膜の垂直配
向規制力に分布を持たせることを特徴とするものであ
り、このような突起を有する液晶表示装置であれば、例
えば、単純マトリクス型のＬＣＤにおいても同様に適用
することができる。
が可能である。例えば、上記実施形態では、ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤを例にとって本発明を説明したが、ＴＦＴ−ＬＣＤ
に限らず種々の液晶表示装置に適用することが可能であ
る。すなわち、本発明は液晶分子の傾斜方向を規制する
突起を設けた場合の不具合を改善すべく配向膜の垂直配
向規制力に分布を持たせることを特徴とするものであ
り、このような突起を有する液晶表示装置であれば、例
えば、単純マトリクス型のＬＣＤにおいても同様に適用
することができる。
【００４７】また、上記実施形態では、突起をジグザグ
状に配置することにより、液晶分子の傾斜方向を４方向
に規制したが、突起の配置パターンは上記実施形態に限
定されるものではない。例えば、突起をストライプ状に
配置し、液晶分子の傾斜方向を２方向に規制するように
してもよい。また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板及び
ＣＦ基板の両方に突起を有する液晶表示装置に本発明を
適用したが、必ずしも両方の基板に突起が形成されてい
る必要はなく、一方の基板のみに突起が形成されている
液晶表示装置であっても同様に適用することができる。
状に配置することにより、液晶分子の傾斜方向を４方向
に規制したが、突起の配置パターンは上記実施形態に限
定されるものではない。例えば、突起をストライプ状に
配置し、液晶分子の傾斜方向を２方向に規制するように
してもよい。また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板及び
ＣＦ基板の両方に突起を有する液晶表示装置に本発明を
適用したが、必ずしも両方の基板に突起が形成されてい
る必要はなく、一方の基板のみに突起が形成されている
液晶表示装置であっても同様に適用することができる。
【００４８】
【実施例】［実施例１］突起材料としてシプレイ株式会
社製のレジストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μ
ｍ、突起幅７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成
した。次いで、配向膜材料としてＪＳＲ株式会社製のＪ
ＡＬＳ−２００８−Ｒ２を用い、突起上に微細な配向膜
のない領域を設けて垂直配向規制力を弱めた配向膜を形
成した。こうして、４分割ＭＶＡ評価セルを作成した。
なお、セル厚は３．５μｍとした。
社製のレジストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μ
ｍ、突起幅７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成
した。次いで、配向膜材料としてＪＳＲ株式会社製のＪ
ＡＬＳ−２００８−Ｒ２を用い、突起上に微細な配向膜
のない領域を設けて垂直配向規制力を弱めた配向膜を形
成した。こうして、４分割ＭＶＡ評価セルを作成した。
なお、セル厚は３．５μｍとした。
【００４９】このように作成した評価セルについて配向
状態を観察したところ、電圧無印加時には全体的に光漏
れはなかった。また、５Ｖ印加時の配向状態では突起上
の液晶分子は突起の走査方向に傾斜しており、画素全体
において高い透過光量を得ることができた（図５（ｂ）
参照）。 ［比較例１］実施例１と同様の突起材料及び配向膜材料
を用い、突起部全体が配向膜で覆われた垂直配向規制力
を均一とした評価セルを作成した。
状態を観察したところ、電圧無印加時には全体的に光漏
れはなかった。また、５Ｖ印加時の配向状態では突起上
の液晶分子は突起の走査方向に傾斜しており、画素全体
において高い透過光量を得ることができた（図５（ｂ）
参照）。 ［比較例１］実施例１と同様の突起材料及び配向膜材料
を用い、突起部全体が配向膜で覆われた垂直配向規制力
を均一とした評価セルを作成した。
【００５０】このように作成した評価セルについて配向
状態を観察したところ、電圧無印加時には実施例１の評
価セルと同様に全体的に光漏れはみられなかった。しか
しながら、５Ｖ印加時の配向状態においても突起上の液
晶分子は垂直配向のままであり、突起形成領域において
透過光が減少していた（図５（ａ）参照）。 ［実施例２］突起材料としてシプレイ株式会社製のレジ
ストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μｍ、突起幅
７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成した。次い
で、アッシング処理を行い、突起の表面エネルギーを６
０ｍＮ／ｍまで向上した。次いで、配向膜材料にＪＳＲ
株式会社製のＪＡＬＳ−６８４を用い、突起を覆う配向
膜を形成した。こうして、４分割ＭＶＡ評価セルを作成
した。なお、セル厚は３．５μｍとした。
状態を観察したところ、電圧無印加時には実施例１の評
価セルと同様に全体的に光漏れはみられなかった。しか
しながら、５Ｖ印加時の配向状態においても突起上の液
晶分子は垂直配向のままであり、突起形成領域において
透過光が減少していた（図５（ａ）参照）。 ［実施例２］突起材料としてシプレイ株式会社製のレジ
ストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μｍ、突起幅
７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成した。次い
で、アッシング処理を行い、突起の表面エネルギーを６
０ｍＮ／ｍまで向上した。次いで、配向膜材料にＪＳＲ
株式会社製のＪＡＬＳ−６８４を用い、突起を覆う配向
膜を形成した。こうして、４分割ＭＶＡ評価セルを作成
した。なお、セル厚は３．５μｍとした。
【００５１】このように作成した評価セルについて配向
状態を観察したところ、突起上配向は電圧無印加時に垂
直配向、電圧印加時に突起の走査方向に傾斜する理想的
な配向状態であった。ＪＡＬＳ−６８４よりも垂直配向
規制力の弱い材料ＪＡＬＳ−２０１６−Ｒ２についても
表面エネルギーを６５ｍＮ／ｍまで上げたところ同様の
配向状態を得ることができた。また、突起の材料にシプ
レイ株式会社製のＳ１８０１を代わりに用いた場合にお
いてもほとんど同じ結果が得られた。
状態を観察したところ、突起上配向は電圧無印加時に垂
直配向、電圧印加時に突起の走査方向に傾斜する理想的
な配向状態であった。ＪＡＬＳ−６８４よりも垂直配向
規制力の弱い材料ＪＡＬＳ−２０１６−Ｒ２についても
表面エネルギーを６５ｍＮ／ｍまで上げたところ同様の
配向状態を得ることができた。また、突起の材料にシプ
レイ株式会社製のＳ１８０１を代わりに用いた場合にお
いてもほとんど同じ結果が得られた。
【００５２】［比較例２］実施例２の評価セルを、突起
のパターニング後の処理（アッシング処理）を行わずに
形成した。この結果、電圧無印加時に既に突起上の液晶
分子は水平配向しており、光漏れが生じていた。なお、
このときのレジスト膜面の表面エネルギーを測定したと
ころ、およそ４５ｍＮ／ｍであった。
のパターニング後の処理（アッシング処理）を行わずに
形成した。この結果、電圧無印加時に既に突起上の液晶
分子は水平配向しており、光漏れが生じていた。なお、
このときのレジスト膜面の表面エネルギーを測定したと
ころ、およそ４５ｍＮ／ｍであった。
【００５３】また、スピンコートによる成膜に代えてＪ
ＡＬＳ−６８４−Ｒ３を用いた印刷により配向膜を形成
した場合にも同様の結果であった。 ［実施例３］突起材料としてシプレイ株式会社製のレジ
ストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μｍ、突起幅
７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成した。次い
で、配向膜材料としてＪＡＬＳ−６８４を塗布し、３０
℃のプリベークをホットプレート上で行い。配向膜を形
成した。この配向膜の推奨焼成温度は８０℃である。ま
た、間隙部の配向膜膜厚は４５ｎｍであった。こうし
て、４分割ＭＶＡ評価セルを作成した。なお、セル厚は
３．５μｍとした。
ＡＬＳ−６８４−Ｒ３を用いた印刷により配向膜を形成
した場合にも同様の結果であった。 ［実施例３］突起材料としてシプレイ株式会社製のレジ
ストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５μｍ、突起幅
７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形成した。次い
で、配向膜材料としてＪＡＬＳ−６８４を塗布し、３０
℃のプリベークをホットプレート上で行い。配向膜を形
成した。この配向膜の推奨焼成温度は８０℃である。ま
た、間隙部の配向膜膜厚は４５ｎｍであった。こうし
て、４分割ＭＶＡ評価セルを作成した。なお、セル厚は
３．５μｍとした。
【００５４】このように作成した評価セルについて配向
状態を観察したところ、電圧無印加時に突起上の液晶分
子は垂直配向を維持しており、全体的に光漏れは生じて
いなかった。また、電圧印加時には突起の走査方向に傾
斜する理想の配向状態であり、画素全体において高い透
過光量を得ることができた（図１３（ｂ）参照）。ま
た、配向膜膜厚を１０〜２０ｎｍ程度厚く塗布した場合
には５０℃の焼成温度であっても同様の配向状態を実現
することができた。
状態を観察したところ、電圧無印加時に突起上の液晶分
子は垂直配向を維持しており、全体的に光漏れは生じて
いなかった。また、電圧印加時には突起の走査方向に傾
斜する理想の配向状態であり、画素全体において高い透
過光量を得ることができた（図１３（ｂ）参照）。ま
た、配向膜膜厚を１０〜２０ｎｍ程度厚く塗布した場合
には５０℃の焼成温度であっても同様の配向状態を実現
することができた。
【００５５】［比較例３］実施例３の評価セルを、配向
膜のプリベーク温度を８０℃として作成した。このよう
に作成した評価セルについて配向状態を観察したとこ
ろ、電圧無印加時において突起上の液晶分子はすでに水
平配向しており、突起形成領域において光漏れが生じて
いた（図１３（ａ）参照）。
膜のプリベーク温度を８０℃として作成した。このよう
に作成した評価セルについて配向状態を観察したとこ
ろ、電圧無印加時において突起上の液晶分子はすでに水
平配向しており、突起形成領域において光漏れが生じて
いた（図１３（ａ）参照）。
【００５６】［実施例４］突起材料としてシプレイ株式
会社製のレジストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５
μｍ、突起幅７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形
成した。次いで、配向膜材料として粘性の高いＪＡＬＳ
−６８４−Ｒ３を用い、突起部もある程度の厚みで配向
膜により覆われるようにした。次いで、純水による超音
波洗浄を２０分間行った。こうして、４分割ＭＶＡ評価
セルを作成した。また、比較のため洗浄処理を行わない
評価セルも作成した。なお、セル厚は３．５μｍとし
た。
会社製のレジストＬＣ−２００を用い、突起高さ１．５
μｍ、突起幅７．５μｍ、突起間隙１５μｍの突起を形
成した。次いで、配向膜材料として粘性の高いＪＡＬＳ
−６８４−Ｒ３を用い、突起部もある程度の厚みで配向
膜により覆われるようにした。次いで、純水による超音
波洗浄を２０分間行った。こうして、４分割ＭＶＡ評価
セルを作成した。また、比較のため洗浄処理を行わない
評価セルも作成した。なお、セル厚は３．５μｍとし
た。
【００５７】このようにして作成した評価セルについて
表示画素平均の透過光強度を測定した結果、洗浄処理を
行うことにより、電圧５Ｖの印加時で約２２％の向上が
みられた（図１４）。また、１５μｍのスポット系で間
隙部中央及び突起部を分離して電圧５Ｖ印加時の透過光
強度を波長スペクトル値にて測定した結果、洗浄処理を
行うことにより、間隙部（図１５（ａ））も突起上（図
１５（ｂ））も傾斜しやすくなったことが確認された。
また、紫外線照射によっても同様の効果が得られた。
表示画素平均の透過光強度を測定した結果、洗浄処理を
行うことにより、電圧５Ｖの印加時で約２２％の向上が
みられた（図１４）。また、１５μｍのスポット系で間
隙部中央及び突起部を分離して電圧５Ｖ印加時の透過光
強度を波長スペクトル値にて測定した結果、洗浄処理を
行うことにより、間隙部（図１５（ａ））も突起上（図
１５（ｂ））も傾斜しやすくなったことが確認された。
また、紫外線照射によっても同様の効果が得られた。
【００５８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、液晶を駆
動するための能動素子と、能動素子により駆動電圧が印
加される画素電極と、画素電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する第１の配向膜とを有する第１の基板と；画素電極と
対をなす共通電極と、共通電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向す
る第２の配向膜とを有する第２の基板と；第１の基板と
第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性をもつ
液晶とを有する液晶表示装置であって、画素電極と第１
の配向膜との間、及び／又は、共通電極と第２の配向膜
との間に、駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方
向を規制する突起を有し、第１の配向膜及び／又は第２
の配向膜は、突起が形成された領域の垂直配向規制力
が、突起が形成されていない領域の垂直配向規制力より
も弱められている液晶表示装置を構成するので、突起上
の液晶分子を駆動電圧印加時に傾斜しやすくすることが
できる。これにより、突起形成領域における透過光を増
加することができるので、すなわち、ＭＶＡ方式の液晶
表示装置における輝度を改善することができる。
動するための能動素子と、能動素子により駆動電圧が印
加される画素電極と、画素電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直な方向に配向
する第１の配向膜とを有する第１の基板と；画素電極と
対をなす共通電極と、共通電極上に形成され、駆動電圧
を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向す
る第２の配向膜とを有する第２の基板と；第１の基板と
第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性をもつ
液晶とを有する液晶表示装置であって、画素電極と第１
の配向膜との間、及び／又は、共通電極と第２の配向膜
との間に、駆動電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方
向を規制する突起を有し、第１の配向膜及び／又は第２
の配向膜は、突起が形成された領域の垂直配向規制力
が、突起が形成されていない領域の垂直配向規制力より
も弱められている液晶表示装置を構成するので、突起上
の液晶分子を駆動電圧印加時に傾斜しやすくすることが
できる。これにより、突起形成領域における透過光を増
加することができるので、すなわち、ＭＶＡ方式の液晶
表示装置における輝度を改善することができる。
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置及びその製造方法の
原理を説明する図である。
原理を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置におけ
る液晶分子の傾斜の態様を示す図及び光透過率を示すグ
ラフである。
る液晶分子の傾斜の態様を示す図及び光透過率を示すグ
ラフである。
【図５】突起上の垂直配向規制力を突起間隙部の垂直配
向規制力よりも弱くした場合としない場合とにおける透
過光の状態を示す写真を模写した図である。
向規制力よりも弱くした場合としない場合とにおける透
過光の状態を示す写真を模写した図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を示す工程断面図（その１）である。
方法を示す工程断面図（その１）である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を示す工程断面図（その２）である。
方法を示す工程断面図（その２）である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造
方法を示す工程断面図（その３）である。
方法を示す工程断面図（その３）である。
【図９】突起上の配向膜の膜厚を薄くした試料の断面形
状を示すＴＥＭ像を模写した図である。
状を示すＴＥＭ像を模写した図である。
【図１０】配向膜が形成されていない微細な領域を突起
上に形成した試料の断面形状を示すＴＥＭ像を模写した
図である。
上に形成した試料の断面形状を示すＴＥＭ像を模写した
図である。
【図１１】突起の表面張力を変えた場合の透過光の状態
を示す写真を模写した図である。
を示す写真を模写した図である。
【図１２】アッシング処理による突起の表面張力の変化
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１３】配向膜のプリベーク温度を変えた場合の透過
光の状態を示す写真を模写した図である。
光の状態を示す写真を模写した図である。
【図１４】洗浄を行った場合と行わない場合とにおける
画素全体の光透過率の変化を示すグラフである。
画素全体の光透過率の変化を示すグラフである。
【図１５】洗浄を行った場合と行わない場合とにおける
突起間隙部及び突起部の光透過率の変化を示すグラフで
ある。
突起間隙部及び突起部の光透過率の変化を示すグラフで
ある。
【図１６】従来の液晶表示装置の構造及び動作を説明す
る図である。
る図である。
１０…ガラス基板 １２…ＣＳ電極 １４…ゲートバスライン １６…ゲート絶縁膜 １８…活性層 ２０…ソース電極 ２２…ドレインバスライン ２４…絶縁膜 ２６…画素電極 ２８…突起 ３０…配向膜 ４０…ガラス基板 ４２…ブラックマトリクス層 ４６…ＣＦ樹脂層 ４８…コモン電極 ５０…突起 ５２…配向膜 ６０…液晶材料 ６２…液晶分子
Claims (11)
- 【請求項１】 液晶を駆動するための能動素子と、前記
能動素子により駆動電圧が印加される画素電極と、前記
画素電極上に形成され、前記駆動電圧を印加しないとき
に液晶分子を膜面に垂直な方向に配向する第１の配向膜
とを有する第１の基板と；前記画素電極と対向する共通
電極と、前記共通電極上に形成され、前記駆動電圧を印
加しないときに液晶分子を膜面に垂直方向に配向する第
２の配向膜とを有する第２の基板と；前記第１の基板と
前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
もつ液晶層とを有する液晶表示装置であって、 前記画素電極と前記第１の配向膜との間、及び／又は、
前記共通電極と前記第２の配向膜との間に、前記駆動電
圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突起
を有し、 前記第１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記
突起が形成された領域の垂直配向規制力が、前記突起が
形成されていない領域の垂直配向規制力よりも弱められ
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記第１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記
突起が形成された領域の膜厚を前記突起が形成されてい
ない領域の膜厚よりも薄くすることにより、前記突起が
形成された領域の垂直配向規制力が弱められていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の液晶表示装置において、 前記第１の配向膜及び／又は前記第２の配向膜は、前記
突起が形成された領域に、前記配向膜が形成されていな
い微細な領域を散在することにより、前記突起が形成さ
れた領域の垂直配向規制力が弱められていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を駆動するための能動素子と、前記
能動素子により駆動電圧が印加される画素電極と、前記
画素電極上に形成され、前記駆動電圧を印加しないとき
に液晶分子を膜面に垂直な方向に配向する配向膜とを有
する基板であって、 前記画素電極と前記配向膜との間に、前記駆動電圧を印
加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有
し、 前記配向膜は、前記突起が形成された領域の垂直配向規
制力が、前記突起が形成されていない領域の垂直配向規
制力よりも弱められていることを特徴とする液晶表示装
置用基板。 - 【請求項５】 共通電極と、前記共通電極上に形成さ
れ、駆動電圧を印加しないときに液晶分子を膜面に垂直
方向に配向する配向膜とを有する基板であって、 前記共通電極と前記配向膜との間に、前記駆動電圧を印
加したときの液晶分子の傾斜方向を規制する突起を有
し、 前記配向膜は、前記突起が形成された領域の垂直配向規
制力が、前記突起が形成されていない領域の垂直配向規
制力よりも弱められていることを特徴とする液晶表示装
置用基板。 - 【請求項６】 表面に垂直配向処理を施した一対の基板
間に負の誘電率異方性をもつ液晶層が封入された液晶表
示装置の製造方法であって、 基板上に、液晶分子の傾斜方向を規制する突起を形成す
る工程と、 前記突起が形成された前記基板上に、前記突起が形成さ
れた領域の垂直配向規制力が、前記突起が形成されてい
ない領域の垂直配向規制力よりも弱い配向膜を形成する
工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】 請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
において、 前記配向膜を形成する工程では、前記突起上の配向膜の
膜厚が前記突起が形成されていない領域の膜厚よりも薄
い前記配向膜を形成することにより、前記突起が形成さ
れていない領域の垂直配向規制力を弱めることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
において、 前記配向膜を形成する工程では、前記突起上において前
記配向膜が形成されていない微細な領域が散在する前記
配向膜を形成することにより、前記突起が形成されてい
ない領域の垂直配向規制力を弱めることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６記載の液晶表示装置の製造方法
において、 前記配向膜を形成する工程は、垂直配向規制力がほぼ均
一な配向膜を形成する工程と、前記突起が形成された領
域の前記配向膜に選択的に紫外線を照射することによ
り、前記突起が形成された領域の垂直配向規制力を弱め
る工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１０】 請求項６乃至９のいずれか１項に記載
の液晶表示装置の製造方法において、 前記配向膜を形成する工程の後に、前記配向膜の全体の
垂直配向規制力を弱める処理を行う工程を更に有するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項６乃至１０のいずれか１項に記
載の液晶表示装置の製造方法において、 前記突起を形成する工程の後に、前記突起の表面張力を
高める工程を更に有することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
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