JP2002014350A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2002014350A JP2002014350A JP2000194170A JP2000194170A JP2002014350A JP 2002014350 A JP2002014350 A JP 2002014350A JP 2000194170 A JP2000194170 A JP 2000194170A JP 2000194170 A JP2000194170 A JP 2000194170A JP 2002014350 A JP2002014350 A JP 2002014350A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率が高く、かつ良好な視野角特性と良好
な画質を得ることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板側の画素電極１８にスリット
１９を形成し、対向基板側にドメイン規制用突起物３６
及び補助突起物３６ａを形成する。補助突起物３６ａの
位置がずれたときに隣接画素のドレインバスライン１５
からの横電界により配向が不安定となる領域２１のＴＦ
Ｔ基板側の配向膜にプレチルト角発現処理を施し、その
部分における液晶分子のプレチルト角を４５°以上９０
°未満、好ましくは８７°〜８９°とする。プレチルト
角発現処理として、例えばＵＶによりプレチルト角が発
現する配向膜に対するＵＶ照射や、ラビング処理があ
る。
な画質を得ることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴ基板側の画素電極１８にスリット
１９を形成し、対向基板側にドメイン規制用突起物３６
及び補助突起物３６ａを形成する。補助突起物３６ａの
位置がずれたときに隣接画素のドレインバスライン１５
からの横電界により配向が不安定となる領域２１のＴＦ
Ｔ基板側の配向膜にプレチルト角発現処理を施し、その
部分における液晶分子のプレチルト角を４５°以上９０
°未満、好ましくは８７°〜８９°とする。プレチルト
角発現処理として、例えばＵＶによりプレチルト角が発
現する配向膜に対するＵＶ照射や、ラビング処理があ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、より詳しくはＭＶＡ（Multi-domain VerticalAlign
ment ）型液晶表示装置に関する。
し、より詳しくはＭＶＡ（Multi-domain VerticalAlign
ment ）型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、携帯型コンピュータの
ディスプレイだけでなく、ディスクトップ型コンピュー
タのディスプレイやテレビ、投射型プロジェクタ及び携
帯端末のディスプレイなど、種々の電子機器に使用され
るようになった。一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型
液晶表示装置では、２枚の透明基板の間に液晶を封入し
た構造を有している。それらの透明基板の相互に対向す
る２つの面のうち、一方の面側には共通電極（コモン電
極）、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の
面側にはＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジ
スタ）、画素電極及び配向膜等が形成されている。ま
た、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏
光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、
例えば偏光軸が互いに直交するように配置されており、
画素電極と共通電極との間に電圧をかけない状態では光
が透過して明表示となり、電圧を印加した状態では遮光
して暗表示となる。また、２枚の偏光板の偏光軸を互い
に平行に配置した場合は、画素電極と共通電極との間に
電圧をかけない状態では暗表示となり、電圧を印加した
状態では明表示となる。以下、ＴＦＴ及び画素電極が形
成された基板をＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタ及び
共通電極が形成された基板を対向基板と呼ぶ。
ディスプレイだけでなく、ディスクトップ型コンピュー
タのディスプレイやテレビ、投射型プロジェクタ及び携
帯端末のディスプレイなど、種々の電子機器に使用され
るようになった。一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型
液晶表示装置では、２枚の透明基板の間に液晶を封入し
た構造を有している。それらの透明基板の相互に対向す
る２つの面のうち、一方の面側には共通電極（コモン電
極）、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の
面側にはＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジ
スタ）、画素電極及び配向膜等が形成されている。ま
た、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏
光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、
例えば偏光軸が互いに直交するように配置されており、
画素電極と共通電極との間に電圧をかけない状態では光
が透過して明表示となり、電圧を印加した状態では遮光
して暗表示となる。また、２枚の偏光板の偏光軸を互い
に平行に配置した場合は、画素電極と共通電極との間に
電圧をかけない状態では暗表示となり、電圧を印加した
状態では明表示となる。以下、ＴＦＴ及び画素電極が形
成された基板をＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタ及び
共通電極が形成された基板を対向基板と呼ぶ。
【０００３】ＴＮ型液晶表示装置では、視野角が狭く、
解像度も十分でないという欠点がある。このような欠点
を解消するものとして、ＭＶＡ（Multi-domain Vertica
l Alignment ）型液晶表示装置やＩＰＳ（In-Plane Swi
tching）型液晶表示装置が開発されている。これらの液
晶表示装置では、ＣＲＴと同等以上の画質が得られるよ
うになってきた。
解像度も十分でないという欠点がある。このような欠点
を解消するものとして、ＭＶＡ（Multi-domain Vertica
l Alignment ）型液晶表示装置やＩＰＳ（In-Plane Swi
tching）型液晶表示装置が開発されている。これらの液
晶表示装置では、ＣＲＴと同等以上の画質が得られるよ
うになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置のより一
層の低消費電力化を進めていく上では、開口率を上げる
ことが重要な課題の一つである。ＭＶＡ型液晶表示装置
では、ＴＦＴ基板及び対向基板にそれぞれドメイン規制
用突起物（いわゆる土手）を形成することにより配向分
割（マルチドメイン）を実現し、良好な視野角特性と良
好な画質を得ている。しかし、画素領域内の突起物によ
り、開口率が低下してしまう。
層の低消費電力化を進めていく上では、開口率を上げる
ことが重要な課題の一つである。ＭＶＡ型液晶表示装置
では、ＴＦＴ基板及び対向基板にそれぞれドメイン規制
用突起物（いわゆる土手）を形成することにより配向分
割（マルチドメイン）を実現し、良好な視野角特性と良
好な画質を得ている。しかし、画素領域内の突起物によ
り、開口率が低下してしまう。
【０００５】以上から、本発明は、開口率が高く、かつ
良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる液晶
表示装置を提供することを目的とする。
良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる液晶
表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願請求項１に記載の液
晶表示装置は、第１の電極及び該第１の電極に信号を伝
達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電
極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記
第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規
制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のう
ちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数
のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第
１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
おいて、前記バスラインからの横電界により液晶分子の
配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜
に、プレチルト角発現処理が施されていることを特徴と
する。
晶表示装置は、第１の電極及び該第１の電極に信号を伝
達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電
極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記
第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規
制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のう
ちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数
のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第
１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
おいて、前記バスラインからの横電界により液晶分子の
配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜
に、プレチルト角発現処理が施されていることを特徴と
する。
【０００７】本発明においては、一方の基板にドメイン
規制用突起物を設け、他方の基板の電極にスリットを設
けて、これらの突起物とスリットにより配向分割（マル
チドメイン）を達成する。これにより、両方の基板に突
起物を設ける場合に比べて開口率が向上する。また、本
発明においては、バスラインからの横電界により液晶分
子の配向が不安定となる領域の配向膜に、プレチルト角
発現処理が施されている。これにより、その領域の液晶
分子は電荷を印加していないときに所定の方向に傾いた
状態となり、バスラインからの横電界による影響を小さ
くすることができる。従って、良好な視野角特性が得ら
れるとともに、良好な画質が得られる。なお、プレチル
ト角は、４５°以上９０°未満であればよく、８７°〜
８９°の範囲内とすることが好ましい。
規制用突起物を設け、他方の基板の電極にスリットを設
けて、これらの突起物とスリットにより配向分割（マル
チドメイン）を達成する。これにより、両方の基板に突
起物を設ける場合に比べて開口率が向上する。また、本
発明においては、バスラインからの横電界により液晶分
子の配向が不安定となる領域の配向膜に、プレチルト角
発現処理が施されている。これにより、その領域の液晶
分子は電荷を印加していないときに所定の方向に傾いた
状態となり、バスラインからの横電界による影響を小さ
くすることができる。従って、良好な視野角特性が得ら
れるとともに、良好な画質が得られる。なお、プレチル
ト角は、４５°以上９０°未満であればよく、８７°〜
８９°の範囲内とすることが好ましい。
【０００８】プレチルト角発現処理としては、例えば光
（主に紫外線：以下、ＵＶともいう）を照射する方法や
ラビング処理がある。この場合、光の照射方向や、ラビ
ング方向、ラビング深さ、ラビング回数などにより、プ
レチルト角を制御することができる。本願請求項３に記
載の液晶表示装置は、第１の電極及び該第１の電極に信
号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第
２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及
び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメ
イン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基
板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並ん
だ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記複数
のスリットのうち前記バスラインに近い第１のスリット
の前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリ
ットに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端
部の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする。
（主に紫外線：以下、ＵＶともいう）を照射する方法や
ラビング処理がある。この場合、光の照射方向や、ラビ
ング方向、ラビング深さ、ラビング回数などにより、プ
レチルト角を制御することができる。本願請求項３に記
載の液晶表示装置は、第１の電極及び該第１の電極に信
号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第
２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及
び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメ
イン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基
板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並ん
だ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の基板と
前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を
有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記複数
のスリットのうち前記バスラインに近い第１のスリット
の前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリ
ットに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端
部の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする。
【０００９】本発明においては、一方の基板に設けられ
た複数のスリットのうちバスラインに近い第１のスリッ
トのバスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリッ
トに隣接する第２のスリットのバスライン側の端部の幅
よりも小さく設定されている。第１のスリット内のバス
ラインと反対側端部の液晶分子は、バスラインと反対側
に向けて配向する必要があり、第２のスリット内のバス
ライン側端部の液晶分子は、バスライン側に向けて配向
する必要がある。これらのスリットの幅が均一であると
仮定すると、第２のスリット内のバスライン側端部の液
晶分子は第１のスリット内のバスラインと反対側端部の
液晶分子の影響を受けるとともに、バスラインからの電
界の影響を受けて本来の方向と異なる方向に配向し、配
向異常が発生する。しかし、上述の如く、第１のスリッ
トのバスラインと反対側の端部の幅を、第２のスリット
のバスライン側の端部の幅よりも小さく設定しておくこ
とにより、第１のスリット内の液晶分子の影響が小さく
なり、第２のスリット内のバスライン側の液晶分子を所
定の方向に配向させることができる。これにより、配向
異常が回避され、良好な視野角特性とともに、良好な画
質が得られる。
た複数のスリットのうちバスラインに近い第１のスリッ
トのバスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリッ
トに隣接する第２のスリットのバスライン側の端部の幅
よりも小さく設定されている。第１のスリット内のバス
ラインと反対側端部の液晶分子は、バスラインと反対側
に向けて配向する必要があり、第２のスリット内のバス
ライン側端部の液晶分子は、バスライン側に向けて配向
する必要がある。これらのスリットの幅が均一であると
仮定すると、第２のスリット内のバスライン側端部の液
晶分子は第１のスリット内のバスラインと反対側端部の
液晶分子の影響を受けるとともに、バスラインからの電
界の影響を受けて本来の方向と異なる方向に配向し、配
向異常が発生する。しかし、上述の如く、第１のスリッ
トのバスラインと反対側の端部の幅を、第２のスリット
のバスライン側の端部の幅よりも小さく設定しておくこ
とにより、第１のスリット内の液晶分子の影響が小さく
なり、第２のスリット内のバスライン側の液晶分子を所
定の方向に配向させることができる。これにより、配向
異常が回避され、良好な視野角特性とともに、良好な画
質が得られる。
【００１０】本願請求項５に記載の液晶表示装置は、電
極が設けられた一対の基板間に液晶を封入した液晶表示
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板にド
メイン規制部が設けられ、前記一対の基板のうちの他方
の基板に誘電率が高い部分と誘電率が低い部分とを有す
る誘電体膜が設けられ、前記誘電率が低い部分が前記ド
メイン規制手段に対し斜め方向の位置に配置され、前記
誘電率が高い部分が前記ドメイン規制手段に対向する位
置に配置され、前記誘電率が高い部分と前記誘電率が低
い部分との比誘電率の差が０．５以上あることを特徴と
する。
極が設けられた一対の基板間に液晶を封入した液晶表示
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板にド
メイン規制部が設けられ、前記一対の基板のうちの他方
の基板に誘電率が高い部分と誘電率が低い部分とを有す
る誘電体膜が設けられ、前記誘電率が低い部分が前記ド
メイン規制手段に対し斜め方向の位置に配置され、前記
誘電率が高い部分が前記ドメイン規制手段に対向する位
置に配置され、前記誘電率が高い部分と前記誘電率が低
い部分との比誘電率の差が０．５以上あることを特徴と
する。
【００１１】本発明においては、一方の基板にドメイン
規制部が設けられ、他方の基板に設けられた誘電体膜
に、誘電率が高い部分と低い部分とが設けられている。
この場合、誘電率の高い部分と低い部分との比誘電率の
差が０．５以上であり、ドメイン規制部に対し斜めの位
置に誘電率が低い部分を配置し、ドメイン規制部に対向
する位置に誘電率が高い部分を配置することが必要であ
る。これにより、一対の基板間に電圧を印加したとき
に、等電位線が誘電率の低い部分で液晶層の外側に押し
出された形状となり、配向分割（マルチドメイン）が達
成される。
規制部が設けられ、他方の基板に設けられた誘電体膜
に、誘電率が高い部分と低い部分とが設けられている。
この場合、誘電率の高い部分と低い部分との比誘電率の
差が０．５以上であり、ドメイン規制部に対し斜めの位
置に誘電率が低い部分を配置し、ドメイン規制部に対向
する位置に誘電率が高い部分を配置することが必要であ
る。これにより、一対の基板間に電圧を印加したとき
に、等電位線が誘電率の低い部分で液晶層の外側に押し
出された形状となり、配向分割（マルチドメイン）が達
成される。
【００１２】従って、一対の基板の両方にドメイン規制
用突起物を形成する場合に比べて開口率が向上し、良好
な視野角特性が得られるとともに良好な画質が得られ
る。
用突起物を形成する場合に比べて開口率が向上し、良好
な視野角特性が得られるとともに良好な画質が得られ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
のＭＶＡ方式の液晶表示装置の平面図、図２は同じくそ
の液晶表示装置の断面図である。なお、図２は図１のＡ
−Ａ線の位置における断面を示している。図１は液晶表
示装置の１画素を示し、図１中の２点鎖線は対向基板側
に形成された突起物（ドメイン規制用突起物及び補助突
起物）の位置を示している。
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
のＭＶＡ方式の液晶表示装置の平面図、図２は同じくそ
の液晶表示装置の断面図である。なお、図２は図１のＡ
−Ａ線の位置における断面を示している。図１は液晶表
示装置の１画素を示し、図１中の２点鎖線は対向基板側
に形成された突起物（ドメイン規制用突起物及び補助突
起物）の位置を示している。
【００１４】ガラス基板（ＴＦＴ基板）１１の上には複
数のゲートバスライン１２が相互に平行に形成されてい
る。また、各ゲートバスライン１２の間にはそれぞれ容
量バスライン１３がゲートバスライン１２に平行に形成
されている。更に、ガラス基板１１の上にはＴＦＴ１６
のゲート電極１６ｇが形成されている。このゲート電極
１６ｇはゲートバスライン１２に接続している。これら
のゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バ
スライン１３は、同じ配線層（第１の配線層）に形成さ
れている。すなわち、ゲートバスライン１２、ゲート電
極１６ｇ及び容量バスライン１３は同一の導電膜をパタ
ーニングすることにより形成されたものである。また、
これらのゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び
容量バスライン１３は、ガラス基板１１の上に形成され
た第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１４に覆われている。
数のゲートバスライン１２が相互に平行に形成されてい
る。また、各ゲートバスライン１２の間にはそれぞれ容
量バスライン１３がゲートバスライン１２に平行に形成
されている。更に、ガラス基板１１の上にはＴＦＴ１６
のゲート電極１６ｇが形成されている。このゲート電極
１６ｇはゲートバスライン１２に接続している。これら
のゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バ
スライン１３は、同じ配線層（第１の配線層）に形成さ
れている。すなわち、ゲートバスライン１２、ゲート電
極１６ｇ及び容量バスライン１３は同一の導電膜をパタ
ーニングすることにより形成されたものである。また、
これらのゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び
容量バスライン１３は、ガラス基板１１の上に形成され
た第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１４に覆われている。
【００１５】ゲート電極１６ｇの上方の第１の絶縁膜１
４の上には、ＴＦＴ１６の活性領域となるシリコン膜
（図示せず）が形成されている。また、絶縁膜１４の上
には、複数本のドレインバスライン（データバスライン
ともいう）１５と、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓ及び
ドレイン電極１６ｄが形成されている。ドレインバスラ
イン１５はゲートバスライン１２に対し直角に交差する
ように形成されている。ソース電極１６ｓ及びドレイン
電極１６ｄは、ゲート電極１６ｇの上方のシリコン膜の
両側に相互に離隔して形成されている。そして、ドレイ
ン電極１６ｄはドレインバスライン１５に接続してい
る。
４の上には、ＴＦＴ１６の活性領域となるシリコン膜
（図示せず）が形成されている。また、絶縁膜１４の上
には、複数本のドレインバスライン（データバスライン
ともいう）１５と、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓ及び
ドレイン電極１６ｄが形成されている。ドレインバスラ
イン１５はゲートバスライン１２に対し直角に交差する
ように形成されている。ソース電極１６ｓ及びドレイン
電極１６ｄは、ゲート電極１６ｇの上方のシリコン膜の
両側に相互に離隔して形成されている。そして、ドレイ
ン電極１６ｄはドレインバスライン１５に接続してい
る。
【００１６】ゲートバスライン１２及びドレインバスラ
イン１５で区画された矩形の領域がそれぞれ画素領域と
なっている。これらのドレインバスライン１５、ソース
電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄは同じ配線層（第２
の配線層）に形成されている。ドレインバスライン１５
及びＴＦＴ１６は、第１の絶縁膜１４の上に形成された
第２の絶縁膜１７に覆われている。
イン１５で区画された矩形の領域がそれぞれ画素領域と
なっている。これらのドレインバスライン１５、ソース
電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄは同じ配線層（第２
の配線層）に形成されている。ドレインバスライン１５
及びＴＦＴ１６は、第１の絶縁膜１４の上に形成された
第２の絶縁膜１７に覆われている。
【００１７】第２の絶縁膜１７の上には、各画素領域毎
に、画素電極１８が形成されている。この画素電極１８
は例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化ス
ズ）等の透明導電体により形成される。画素電極１８に
は斜め方向に延びる直線上に並んだスリット１９が設け
られている。この実施の形態では、スリット１９が一つ
の画素電極１８内で上下対称形となるように配置されて
いる。また、画素電極１８は、第２の絶縁膜１７に形成
されたコンタクトホールを介してソース電極１６ｓに電
気的に接続されている。
に、画素電極１８が形成されている。この画素電極１８
は例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化ス
ズ）等の透明導電体により形成される。画素電極１８に
は斜め方向に延びる直線上に並んだスリット１９が設け
られている。この実施の形態では、スリット１９が一つ
の画素電極１８内で上下対称形となるように配置されて
いる。また、画素電極１８は、第２の絶縁膜１７に形成
されたコンタクトホールを介してソース電極１６ｓに電
気的に接続されている。
【００１８】画素電極１８の上には垂直配向膜２０が形
成されている。垂直配向膜２０は例えばポリイミドによ
り形成される。この配向膜２０には、後述するように部
分的（図中網掛け線で示す部分２１）にプレチルト角が
発現するような処理（プレチルト角発現処理）が施され
ている。プレチルト角発現処理には、例えばＵＶ照射又
はラビング処理がある。プレチルト角発現処理を施すこ
とにより、電圧無印加の状態で液晶分子が所定の方向に
傾き、配向膜２０と液晶分子の長軸との角度（プレチル
ト角）が４５°以上９０°未満となる。なお、本実施の
形態において、プレチルト角の好ましい範囲は８７〜８
９°である。
成されている。垂直配向膜２０は例えばポリイミドによ
り形成される。この配向膜２０には、後述するように部
分的（図中網掛け線で示す部分２１）にプレチルト角が
発現するような処理（プレチルト角発現処理）が施され
ている。プレチルト角発現処理には、例えばＵＶ照射又
はラビング処理がある。プレチルト角発現処理を施すこ
とにより、電圧無印加の状態で液晶分子が所定の方向に
傾き、配向膜２０と液晶分子の長軸との角度（プレチル
ト角）が４５°以上９０°未満となる。なお、本実施の
形態において、プレチルト角の好ましい範囲は８７〜８
９°である。
【００１９】一方、ガラス基板（対向基板）３１の下側
にはブラックマトリクス３２が形成されており、このブ
ラックマトリクス３２でＴＦＴ基板側のゲートバスライ
ン１２、容量バスライン１３、ドレインバスライン１５
及びＴＦＴ１６が形成された領域、並びに表示領域の外
側の領域を遮光するようになっている。本実施の形態で
は、ブラックマトリクス３２はＣｒ（クロム）等の遮光
性の金属膜により形成されているものとする。しかし、
ブラックマトリクス３２は黒色の樹脂により形成しても
よい。また、次に説明する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び
青色（Ｂ）のカラーフィルタのうちの少なくとも２色の
カラーフィルタを積層してブラックマトリクス３２とす
ることもできる。
にはブラックマトリクス３２が形成されており、このブ
ラックマトリクス３２でＴＦＴ基板側のゲートバスライ
ン１２、容量バスライン１３、ドレインバスライン１５
及びＴＦＴ１６が形成された領域、並びに表示領域の外
側の領域を遮光するようになっている。本実施の形態で
は、ブラックマトリクス３２はＣｒ（クロム）等の遮光
性の金属膜により形成されているものとする。しかし、
ブラックマトリクス３２は黒色の樹脂により形成しても
よい。また、次に説明する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び
青色（Ｂ）のカラーフィルタのうちの少なくとも２色の
カラーフィルタを積層してブラックマトリクス３２とす
ることもできる。
【００２０】ガラス基板３１の下側には、各画素毎に赤
色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか
１色のカラーフィルタ３３が形成されている。この実施
の形態では、水平方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青
色（Ｂ）のカラーフィルタが順番に繰り返し並び、垂直
方向には同色のカラーフィルタ並んでいるものとする。
色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか
１色のカラーフィルタ３３が形成されている。この実施
の形態では、水平方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青
色（Ｂ）のカラーフィルタが順番に繰り返し並び、垂直
方向には同色のカラーフィルタ並んでいるものとする。
【００２１】カラーフィルタ３３の下には、各画素共通
の共通電極３４が形成されている。この共通電極３４
も、ＩＴＯ等の透明導電体により形成されている。共通
電極３４の下には、ドメイン規制用突起物（土手）３６
が形成されている。突起物３６は、図１に示すように、
ＴＦＴ基板側の画素電極１８に設けられたスリット１９
の列間の中央の位置に配置されている。また、画素電極
１８の水平方向の両側のエッジ部分に整合する位置、よ
り詳しくは突起物３６が画素電極１８のエッジに対し鈍
角となる部分に、補助突起物（補助土手）３６ａが形成
されている。この補助突起物３６ａは、ドメイン規制用
突起物３６と同一材料により同時に形成されたものであ
る。
の共通電極３４が形成されている。この共通電極３４
も、ＩＴＯ等の透明導電体により形成されている。共通
電極３４の下には、ドメイン規制用突起物（土手）３６
が形成されている。突起物３６は、図１に示すように、
ＴＦＴ基板側の画素電極１８に設けられたスリット１９
の列間の中央の位置に配置されている。また、画素電極
１８の水平方向の両側のエッジ部分に整合する位置、よ
り詳しくは突起物３６が画素電極１８のエッジに対し鈍
角となる部分に、補助突起物（補助土手）３６ａが形成
されている。この補助突起物３６ａは、ドメイン規制用
突起物３６と同一材料により同時に形成されたものであ
る。
【００２２】ガラス基板３１の下側には垂直配向膜３５
が形成されており、この配向膜３５により共通電極３
４、突起物３６及び補助突起物３６ａの表面が覆われて
いる。配向膜３５は、 例えばポリイミドにより形成され
ている。ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）と対向基板（ガ
ラス基板３１）との間には、負の誘電率異方性を有する
液晶材料２９が封入されている。ＴＦＴ基板（ガラス基
板１１）と対向基板（ガラス基板３１）との間は例えば
直径が均一の球形のスペーサが配置され、ＴＦＴ基板と
対向基板との間隔（セルギャップ）が一定に維持され
る。また、ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）の下側及び対
向基板（ガラス基板３１）の上側にはそれぞれ偏光板
（図示せず）が配置されている。
が形成されており、この配向膜３５により共通電極３
４、突起物３６及び補助突起物３６ａの表面が覆われて
いる。配向膜３５は、 例えばポリイミドにより形成され
ている。ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）と対向基板（ガ
ラス基板３１）との間には、負の誘電率異方性を有する
液晶材料２９が封入されている。ＴＦＴ基板（ガラス基
板１１）と対向基板（ガラス基板３１）との間は例えば
直径が均一の球形のスペーサが配置され、ＴＦＴ基板と
対向基板との間隔（セルギャップ）が一定に維持され
る。また、ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）の下側及び対
向基板（ガラス基板３１）の上側にはそれぞれ偏光板
（図示せず）が配置されている。
【００２３】本実施の形態では、上述の如く、ＴＦＴ基
板側の配向膜２０のうち、画素電極１８の水平方向の両
側のエッジ部分であって突起物３６が画素電極１８のエ
ッジに対し鈍角となる部分（換言すると、スリット列が
補助突起物３６ａに対し鋭角となる部分）と、図１で右
側に隣接する画素（以下、隣接画素という）側の端部が
閉じたスリット１９のうち最も隣接画素に近いスリット
１９ａの内側の隣接画素側半分の領域（図１中に符号２
１で示す網掛けの部分）に、プレチルト角発現処理が施
されている。以下、これらの領域にプレチルト角発現処
理を施すことによる効果について、図３〜図５に示す画
素電極の模式図を参照して説明する。なお、図３〜図５
では、液晶分子２８の黒丸の部分が共通電極側を向いて
いることを示している。
板側の配向膜２０のうち、画素電極１８の水平方向の両
側のエッジ部分であって突起物３６が画素電極１８のエ
ッジに対し鈍角となる部分（換言すると、スリット列が
補助突起物３６ａに対し鋭角となる部分）と、図１で右
側に隣接する画素（以下、隣接画素という）側の端部が
閉じたスリット１９のうち最も隣接画素に近いスリット
１９ａの内側の隣接画素側半分の領域（図１中に符号２
１で示す網掛けの部分）に、プレチルト角発現処理が施
されている。以下、これらの領域にプレチルト角発現処
理を施すことによる効果について、図３〜図５に示す画
素電極の模式図を参照して説明する。なお、図３〜図５
では、液晶分子２８の黒丸の部分が共通電極側を向いて
いることを示している。
【００２４】ＴＦＴ基板と対向基板との貼合わせ時の位
置ずれがないとすると、図３に示すように、隣接画素側
の補助突起物３６ａは、画素電極１８のエッジに整合し
た位置に配置される。この補助突起物３６ａの近傍で
は、補助突起物３６ａの傾斜面に垂直な方向に液晶分子
２８が配向する。また、隣接画素側が閉じたスリットの
うち最も隣接画素に近いスリット１９ａの隣接画素側半
分の領域の液晶分子も、補助突起物３６ａの近傍の液晶
分子２８の影響を受けて、所定の方向（図３に示す方
向）に配向する。
置ずれがないとすると、図３に示すように、隣接画素側
の補助突起物３６ａは、画素電極１８のエッジに整合し
た位置に配置される。この補助突起物３６ａの近傍で
は、補助突起物３６ａの傾斜面に垂直な方向に液晶分子
２８が配向する。また、隣接画素側が閉じたスリットの
うち最も隣接画素に近いスリット１９ａの隣接画素側半
分の領域の液晶分子も、補助突起物３６ａの近傍の液晶
分子２８の影響を受けて、所定の方向（図３に示す方
向）に配向する。
【００２５】補助突起物３６ａがない場合、又は図４に
示すように補助突起物３６ａの位置が隣接画素側にずれ
た場合、画素電極１８と共通電極３４との間に電圧を印
加すると、画素電極１８のエッジ近傍の液晶分子は隣接
画素のドレインバスライン１５に最も近いスリット１９
ｂの内側の液晶分子２８が倒れる方向（図中矢印Ｂで示
す方向）に倒れようとする。しかし、この方向は隣接画
素のドレインバスライン１５から発生した電界により倒
れる方向と異なるので、配向が不安定になって、応答特
性が低下したり配向不良が発生する。
示すように補助突起物３６ａの位置が隣接画素側にずれ
た場合、画素電極１８と共通電極３４との間に電圧を印
加すると、画素電極１８のエッジ近傍の液晶分子は隣接
画素のドレインバスライン１５に最も近いスリット１９
ｂの内側の液晶分子２８が倒れる方向（図中矢印Ｂで示
す方向）に倒れようとする。しかし、この方向は隣接画
素のドレインバスライン１５から発生した電界により倒
れる方向と異なるので、配向が不安定になって、応答特
性が低下したり配向不良が発生する。
【００２６】図５に示すように、隣接画素のドレインバ
スライン１５から発生する横電界により液晶分子の配向
が不安定となる部分２１、すなわちスリット１９ａの内
側の隣接画素側の部分及び突起物３６が画素電極１８の
エッジに対し鈍角となる部分の配向膜２０にプレチルト
角発現処理を施すと、初期状態で液晶分子が所定の方向
（図中矢印Ｃで示す方向）に傾くので、隣接画素のドレ
インバスライン１５から発生する横方向の電界の影響を
受けにくくなる。これにより、配向不良が回避されると
ともに、応答特性が改善される。
スライン１５から発生する横電界により液晶分子の配向
が不安定となる部分２１、すなわちスリット１９ａの内
側の隣接画素側の部分及び突起物３６が画素電極１８の
エッジに対し鈍角となる部分の配向膜２０にプレチルト
角発現処理を施すと、初期状態で液晶分子が所定の方向
（図中矢印Ｃで示す方向）に傾くので、隣接画素のドレ
インバスライン１５から発生する横方向の電界の影響を
受けにくくなる。これにより、配向不良が回避されると
ともに、応答特性が改善される。
【００２７】以下、本実施の形態に係る液晶表示装置の
製造方法について、図１、図２を参照して説明する。ま
ず、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法により、
ガラス基板（ＴＦＴ基板）１１の上に導電膜として例え
ばＣｒを約１５０ｎｍの厚さに成膜し、フォトリソグラ
フィにより導電膜をパターニングして、ゲートバスライ
ン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３を形
成する。
製造方法について、図１、図２を参照して説明する。ま
ず、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法により、
ガラス基板（ＴＦＴ基板）１１の上に導電膜として例え
ばＣｒを約１５０ｎｍの厚さに成膜し、フォトリソグラ
フィにより導電膜をパターニングして、ゲートバスライ
ン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３を形
成する。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基
板１１の上側全面に、ＴＦＴ１６のゲート絶縁膜となる
絶縁膜１４、ＴＦＴ１６の活性領域となるｎ- 型アモル
ファスシリコン膜及びチャネル保護膜となる絶縁膜を順
次形成する。絶縁膜１４は、例えば窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により約１００〜６
００ｎｍの厚さに形成する。また、ｎ- 型アモルファス
シリコン膜の厚さは約１５〜５０ｎｍとする。更に、チ
ャネル保護膜となる絶縁膜は、例えば窒化シリコンによ
り約５０〜２００ｎｍの厚さに形成する。
板１１の上側全面に、ＴＦＴ１６のゲート絶縁膜となる
絶縁膜１４、ＴＦＴ１６の活性領域となるｎ- 型アモル
ファスシリコン膜及びチャネル保護膜となる絶縁膜を順
次形成する。絶縁膜１４は、例えば窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により約１００〜６
００ｎｍの厚さに形成する。また、ｎ- 型アモルファス
シリコン膜の厚さは約１５〜５０ｎｍとする。更に、チ
ャネル保護膜となる絶縁膜は、例えば窒化シリコンによ
り約５０〜２００ｎｍの厚さに形成する。
【００２９】次に、フォトリソグラフィにより最上層の
絶縁膜をパターニングしてチャネル保護膜を形成する。
その後、ＴＦＴ１６のオーミックコンタクト層となるｎ
+ 型アモルファスシリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成
し、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜の上に、ＰＶＤ法に
より、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを順次積層して、これらのＴ
ｉ、Ａｌ及びＴｉの３層構造の導電膜を形成する。下層
のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍ、Ａｌ層の厚さは例え
ば７５ｎｍ、上層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍとす
る。なお、この導電膜は、Ａｌ、Ａｌ合金又はその他の
低抵抗金属により形成してもよい。
絶縁膜をパターニングしてチャネル保護膜を形成する。
その後、ＴＦＴ１６のオーミックコンタクト層となるｎ
+ 型アモルファスシリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成
し、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜の上に、ＰＶＤ法に
より、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを順次積層して、これらのＴ
ｉ、Ａｌ及びＴｉの３層構造の導電膜を形成する。下層
のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍ、Ａｌ層の厚さは例え
ば７５ｎｍ、上層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍとす
る。なお、この導電膜は、Ａｌ、Ａｌ合金又はその他の
低抵抗金属により形成してもよい。
【００３０】次に、フォトレジストを使用して導電膜の
上に所定のパターンのレジスト膜を形成する。そして、
このレジスト膜をエッチングマスクとして、導電膜、ｎ
+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルファスシ
リコン膜をエッチングし、図２に示すように、ＴＦＴ１
６のソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄを形成す
るとともに、ドレインバスライン１５を形成する。導電
膜、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルフ
ァスシリコン膜のエッチングは、例えばＣｌ2とＢＣｌ
3 との混合ガスを用いたドライエッチングにより行う。
その後、エッチングマスクとして使用したレジスト膜を
除去する。
上に所定のパターンのレジスト膜を形成する。そして、
このレジスト膜をエッチングマスクとして、導電膜、ｎ
+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルファスシ
リコン膜をエッチングし、図２に示すように、ＴＦＴ１
６のソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄを形成す
るとともに、ドレインバスライン１５を形成する。導電
膜、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルフ
ァスシリコン膜のエッチングは、例えばＣｌ2とＢＣｌ
3 との混合ガスを用いたドライエッチングにより行う。
その後、エッチングマスクとして使用したレジスト膜を
除去する。
【００３１】次に、ＣＶＤ法により、ガラス基板１１の
上側全面に、絶縁膜（保護膜）１７として例えば窒化シ
リコン膜を約１００〜６００ｎｍの厚さに形成する。そ
して、この絶縁膜１７に、ＴＦＴ１６のソース電極１６
ｓに到達するコンタクトホールを形成する。次に、ＰＶ
Ｄ法により、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ膜を約
７０ｎｍの厚さに形成する。そして、フォトリソグラフ
ィによりＩＴＯ膜をパターニングして、図１に示すよう
にスリット１９を有する画素電極１８を形成する。
上側全面に、絶縁膜（保護膜）１７として例えば窒化シ
リコン膜を約１００〜６００ｎｍの厚さに形成する。そ
して、この絶縁膜１７に、ＴＦＴ１６のソース電極１６
ｓに到達するコンタクトホールを形成する。次に、ＰＶ
Ｄ法により、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ膜を約
７０ｎｍの厚さに形成する。そして、フォトリソグラフ
ィによりＩＴＯ膜をパターニングして、図１に示すよう
にスリット１９を有する画素電極１８を形成する。
【００３２】次いで、ガラス基板１１の上側全面に配向
膜２０を形成する。そして、この配向膜２０の所定の部
分（図１中に符号２１で示す部分）にプレチルト角発現
処理を施す。プレチルト角発現処理としては、例えばＵ
Ｖ照射及びラビング処理がある。ＵＶ照射によりプレチ
ルト角を発現させる場合は、配向膜材料としてＵＶ照射
によりプレチルト角が発現する材料、例えばＵＶ配向の
配向膜材料であるポリイミド又はポリアミック酸を使用
し、配向膜２０のうちの所定の部分２１以外の部分を遮
光性マスクで覆い、基板１１に対し斜め方向、例えば図
５に矢印Ｃで示す方向から偏光ＵＶを照射する。配向膜
２０の材料によっては、非偏光ＵＶを照射してプレチル
ト角を発現することができる。
膜２０を形成する。そして、この配向膜２０の所定の部
分（図１中に符号２１で示す部分）にプレチルト角発現
処理を施す。プレチルト角発現処理としては、例えばＵ
Ｖ照射及びラビング処理がある。ＵＶ照射によりプレチ
ルト角を発現させる場合は、配向膜材料としてＵＶ照射
によりプレチルト角が発現する材料、例えばＵＶ配向の
配向膜材料であるポリイミド又はポリアミック酸を使用
し、配向膜２０のうちの所定の部分２１以外の部分を遮
光性マスクで覆い、基板１１に対し斜め方向、例えば図
５に矢印Ｃで示す方向から偏光ＵＶを照射する。配向膜
２０の材料によっては、非偏光ＵＶを照射してプレチル
ト角を発現することができる。
【００３３】また、ラビング処理によりプレチルト角を
発現する場合は、配向膜材料として例えばＪＳＲ株式会
社製の配向膜ＪＡＬＳ６８４を使用し、配向膜２０のう
ち所定部分２１以外の領域をレジストマスク等により覆
い、所定部分２１の配向膜２０の表面をナイロン等のブ
ラシにより所定の方向、例えば図５に矢印Ｃで示す方向
にラビングする。このとき、ブラシの回転数、ラビング
深さ及びラビング回数を調整することにより、プレチル
ト角を変化させることができる。このようにして、ＴＦ
Ｔ基板が完成する。
発現する場合は、配向膜材料として例えばＪＳＲ株式会
社製の配向膜ＪＡＬＳ６８４を使用し、配向膜２０のう
ち所定部分２１以外の領域をレジストマスク等により覆
い、所定部分２１の配向膜２０の表面をナイロン等のブ
ラシにより所定の方向、例えば図５に矢印Ｃで示す方向
にラビングする。このとき、ブラシの回転数、ラビング
深さ及びラビング回数を調整することにより、プレチル
ト角を変化させることができる。このようにして、ＴＦ
Ｔ基板が完成する。
【００３４】一方、突起物３６，３６ａを有する対向基
板を用意する。対向基板は公知の方法により製造するこ
とができる。すなわち、ガラス基板３１の上に、Ｃｒ等
の遮光性材料により所定のパターンのブラックマトリク
ス３２を形成する。その後、ガラス基板３１の上に、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ３３を
形成し、カラーフィルタの上にＩＴＯからなる共通電極
３４を形成する。次いで、共通電極３４の上に、例えば
フォトレジストによりドメイン規制用の突起物３６及び
補助突起物３６ａを形成した後、共通電極３４、突起物
３６及び補助突起物３６ａの表面をポリイミドからなる
配向膜３４で被覆する。これにより対向基板が完成す
る。
板を用意する。対向基板は公知の方法により製造するこ
とができる。すなわち、ガラス基板３１の上に、Ｃｒ等
の遮光性材料により所定のパターンのブラックマトリク
ス３２を形成する。その後、ガラス基板３１の上に、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ３３を
形成し、カラーフィルタの上にＩＴＯからなる共通電極
３４を形成する。次いで、共通電極３４の上に、例えば
フォトレジストによりドメイン規制用の突起物３６及び
補助突起物３６ａを形成した後、共通電極３４、突起物
３６及び補助突起物３６ａの表面をポリイミドからなる
配向膜３４で被覆する。これにより対向基板が完成す
る。
【００３５】その後、ドメイン規制用突起が設けられた
対向基板と、上記の方法により形成したＴＦＴ基板とを
接合し、両者の間に液晶材料２９を封入する。これによ
り、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。なお、上
記製造方法では突起物３６及び補助突起物は３６ａをフ
ォトレジストにより形成するものとしたが、これに限定
するものではない。例えば、突起物３６及び補助突起物
３６ａをフォトレジスト以外の誘電体材料で形成しても
よい。
対向基板と、上記の方法により形成したＴＦＴ基板とを
接合し、両者の間に液晶材料２９を封入する。これによ
り、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。なお、上
記製造方法では突起物３６及び補助突起物は３６ａをフ
ォトレジストにより形成するものとしたが、これに限定
するものではない。例えば、突起物３６及び補助突起物
３６ａをフォトレジスト以外の誘電体材料で形成しても
よい。
【００３６】（第２の実施の形態）図６は本発明の第２
の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。な
お、本実施の形態が第１の形態と異なる点は、画素電極
に設けられたスリットの形状が異なることにあるので、
第１の実施の形態と重複する部分の説明は省略する。ま
た、図６では、補助突起物３６ａが隣接画素のドレイン
バスライン１５側にずれた位置に配置された場合を示し
ている。
の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。な
お、本実施の形態が第１の形態と異なる点は、画素電極
に設けられたスリットの形状が異なることにあるので、
第１の実施の形態と重複する部分の説明は省略する。ま
た、図６では、補助突起物３６ａが隣接画素のドレイン
バスライン１５側にずれた位置に配置された場合を示し
ている。
【００３７】本実施の形態においては、図６に示すよう
に、画素電極１８に設けられたスリット１９のうち隣接
画素に最も近いスリット１９ｂ（隣接画素側端部が開い
たスリット）の形状を、隣接画素側の端部（以下、後端
側という）の幅が広く、隣接画素と反対側の端部（以
下、先端側という）が幅が狭いテーパー形状としてい
る。また、スリット１９ｂに連なるスリット１９、すな
わち後端側が閉じたスリット１９のうち隣接画素に最も
近いスリット１９ａの後端側の幅が広い形状としてい
る。つまり、本実施の形態では、スリット１９ｂの先端
側の幅がスリット１９ａの後端側の幅よりも広く設定し
ている。
に、画素電極１８に設けられたスリット１９のうち隣接
画素に最も近いスリット１９ｂ（隣接画素側端部が開い
たスリット）の形状を、隣接画素側の端部（以下、後端
側という）の幅が広く、隣接画素と反対側の端部（以
下、先端側という）が幅が狭いテーパー形状としてい
る。また、スリット１９ｂに連なるスリット１９、すな
わち後端側が閉じたスリット１９のうち隣接画素に最も
近いスリット１９ａの後端側の幅が広い形状としてい
る。つまり、本実施の形態では、スリット１９ｂの先端
側の幅がスリット１９ａの後端側の幅よりも広く設定し
ている。
【００３８】画素電極１８と共通電極３４との間に電圧
を印加すると、図６に示しているように、スリット１９
ｂの内側の液晶分子２８は、図中矢印Ｄに示す方向に倒
れる。一方、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は
図中矢印Ｅに示す方向に倒れようとする。このとき、ス
リット１９ｂの先端側の幅よりもスリット１９ａの後端
側の幅が大きく、スリット１９ｂの先端側の液晶分子２
８に比べてスリット１９ａの後端側の液晶分子２８の数
が多いので、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は
所定の方向（矢印Ｅで示す方向）に配向する。また、ス
リット１９ａの近傍の液晶分子も、スリット１９ａの内
側の液晶分子２８の影響を受けて、所定の方向に配向す
る。これにより、配向不良が回避される。
を印加すると、図６に示しているように、スリット１９
ｂの内側の液晶分子２８は、図中矢印Ｄに示す方向に倒
れる。一方、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は
図中矢印Ｅに示す方向に倒れようとする。このとき、ス
リット１９ｂの先端側の幅よりもスリット１９ａの後端
側の幅が大きく、スリット１９ｂの先端側の液晶分子２
８に比べてスリット１９ａの後端側の液晶分子２８の数
が多いので、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は
所定の方向（矢印Ｅで示す方向）に配向する。また、ス
リット１９ａの近傍の液晶分子も、スリット１９ａの内
側の液晶分子２８の影響を受けて、所定の方向に配向す
る。これにより、配向不良が回避される。
【００３９】なお、本実施の形態においては、上述の如
く隣接画素に近いスリット１９ｂ及スリット１９ａの形
状をテーパー状とすることを特徴としているが、スリッ
ト１９ａ，１９ｂの形状をテーパー状とすることに加え
て、第１の実施の形態のように、配向膜の所定部分にプ
レチルト角発現処理を施すことにより、隣接画素のドレ
インバスライン１５からの横電界による配向不良をより
確実に防止することができる。
く隣接画素に近いスリット１９ｂ及スリット１９ａの形
状をテーパー状とすることを特徴としているが、スリッ
ト１９ａ，１９ｂの形状をテーパー状とすることに加え
て、第１の実施の形態のように、配向膜の所定部分にプ
レチルト角発現処理を施すことにより、隣接画素のドレ
インバスライン１５からの横電界による配向不良をより
確実に防止することができる。
【００４０】また、第１及び第２の実施の形態では、Ｔ
ＦＴ基板側の画素電極にスリットを設け、対向基板側に
ドメイン規制用突起物及び補助突起物を設ける構造とし
たが、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、ＴＦＴ基板側の画素電極の上にドメイン規制用突起
物及び補助突起物を設け、対向基板側の共通画素電極に
スリットを設けた液晶表示装置に適用することもでき
る。
ＦＴ基板側の画素電極にスリットを設け、対向基板側に
ドメイン規制用突起物及び補助突起物を設ける構造とし
たが、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、ＴＦＴ基板側の画素電極の上にドメイン規制用突起
物及び補助突起物を設け、対向基板側の共通画素電極に
スリットを設けた液晶表示装置に適用することもでき
る。
【００４１】（第３の実施の形態）以下、本発明の第３
の実施の形態について説明する。本願と同一出願人の特
開平１１−８４４１４号では、樹脂の誘電率分布を徐々
に変化させて対称に配置することが提案されている。し
かし、突起やスリットとの最適な組み合わせについては
開示がない。
の実施の形態について説明する。本願と同一出願人の特
開平１１−８４４１４号では、樹脂の誘電率分布を徐々
に変化させて対称に配置することが提案されている。し
かし、突起やスリットとの最適な組み合わせについては
開示がない。
【００４２】図７は本発明の第３の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図、図８は同じくその模式断面図であ
る。なお、図７，図８において、第１の実施の形態と同
一物には同一符号を付している。また、図８では、ＴＦ
Ｔ基板側の絶縁膜及び配向膜、並びに対向基板側のブラ
ックマトリクス、カラーフィルタ及び配向膜等の図示を
省略している。
示装置を示す平面図、図８は同じくその模式断面図であ
る。なお、図７，図８において、第１の実施の形態と同
一物には同一符号を付している。また、図８では、ＴＦ
Ｔ基板側の絶縁膜及び配向膜、並びに対向基板側のブラ
ックマトリクス、カラーフィルタ及び配向膜等の図示を
省略している。
【００４３】ＴＦＴ基板１１側には、第１の実施の形態
と同様に、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン
１５、ＴＦＴ１６、画素電極１８及び垂直配向膜が形成
されている。また、画素電極１８には、ドメイン規制用
スリット１９が設けられている。これらのドメイン規制
用スリット１９は、図７に示すように斜め方向に延びる
直線上に並び、かつ一つの画素電極１８内で上下対称形
となるように配置されている。
と同様に、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン
１５、ＴＦＴ１６、画素電極１８及び垂直配向膜が形成
されている。また、画素電極１８には、ドメイン規制用
スリット１９が設けられている。これらのドメイン規制
用スリット１９は、図７に示すように斜め方向に延びる
直線上に並び、かつ一つの画素電極１８内で上下対称形
となるように配置されている。
【００４４】一方、対向基板３１側には、ブラックマト
リクス、カラーフィルタ及び共通電極３４が形成されて
おり、共通電極３４の下側には厚さが約２〜３μｍの誘
電体膜３８が形成されている。この誘電体膜３８は、誘
電率が低い部分３８ａと誘電率が高い部分３８ｂとによ
り構成されている。誘電率が低い部分３８ａは、ＴＦＴ
基板１１側のドメイン規制用スリット１９の列間の中央
に、スリット１９と平行に配置されている。また、誘電
率が高い部分３８ｂは、それ以外の領域（スリット１９
に対向する部分を含む）に配置されている。そして、誘
電率が低い部分３８ａの比誘電率は例えば３．０、誘電
率が高い部分３８ｂの比誘電率は例えば３．５となって
いる。
リクス、カラーフィルタ及び共通電極３４が形成されて
おり、共通電極３４の下側には厚さが約２〜３μｍの誘
電体膜３８が形成されている。この誘電体膜３８は、誘
電率が低い部分３８ａと誘電率が高い部分３８ｂとによ
り構成されている。誘電率が低い部分３８ａは、ＴＦＴ
基板１１側のドメイン規制用スリット１９の列間の中央
に、スリット１９と平行に配置されている。また、誘電
率が高い部分３８ｂは、それ以外の領域（スリット１９
に対向する部分を含む）に配置されている。そして、誘
電率が低い部分３８ａの比誘電率は例えば３．０、誘電
率が高い部分３８ｂの比誘電率は例えば３．５となって
いる。
【００４５】このように比誘電率が相互に異なる部分を
有する誘電体膜３８を形成する方法として、以下の方法
がある。第１の方法として、比誘電率が異なる物質をリ
ソグラフィによりパターニングする方法がある。具体的
にはＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を形成し、フォトリソグラ
フィによりＳｉＮをパターニングして、誘電率が高い部
分３８ｂを形成する。その後、誘電率が低い部分３８ａ
の材料としてフォトレジストを塗布し、露光及び現像工
程を経て誘電率が高い部分３８ｂの上のレジスト膜を除
去する。これにより、誘電率が低い部分３８ａと高い部
分３８ｂとを有する誘電体膜３８が形成される。なお、
ＳｉＮの比誘電率は約７であり、レジストの比誘電率は
約３である。
有する誘電体膜３８を形成する方法として、以下の方法
がある。第１の方法として、比誘電率が異なる物質をリ
ソグラフィによりパターニングする方法がある。具体的
にはＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を形成し、フォトリソグラ
フィによりＳｉＮをパターニングして、誘電率が高い部
分３８ｂを形成する。その後、誘電率が低い部分３８ａ
の材料としてフォトレジストを塗布し、露光及び現像工
程を経て誘電率が高い部分３８ｂの上のレジスト膜を除
去する。これにより、誘電率が低い部分３８ａと高い部
分３８ｂとを有する誘電体膜３８が形成される。なお、
ＳｉＮの比誘電率は約７であり、レジストの比誘電率は
約３である。
【００４６】第２の方法として、光を誘電体膜に照射し
て、誘電体膜の比誘電率を部分的に変化させる方法があ
る。例えば、共通電極３４の上にポリビニールシンナメ
ート又は光反応基を有するポリイミド等を塗布して誘電
体膜３８を形成する。ポリビニールシンナメートの場合
は、光を照射することにより架橋反応が進み、光を照射
した部分の比誘電率が高くなる。また、ポリイミドのよ
うな光により断裂する材料を用いた場合は、光を照射し
た部分の分子量が小さくなり、誘電率が低下する。光の
照射により誘電率が変化する材料としては、その他にア
クリル樹脂（メタクリレート）等がある。
て、誘電体膜の比誘電率を部分的に変化させる方法があ
る。例えば、共通電極３４の上にポリビニールシンナメ
ート又は光反応基を有するポリイミド等を塗布して誘電
体膜３８を形成する。ポリビニールシンナメートの場合
は、光を照射することにより架橋反応が進み、光を照射
した部分の比誘電率が高くなる。また、ポリイミドのよ
うな光により断裂する材料を用いた場合は、光を照射し
た部分の分子量が小さくなり、誘電率が低下する。光の
照射により誘電率が変化する材料としては、その他にア
クリル樹脂（メタクリレート）等がある。
【００４７】図９は、画素電極と共通電極との間に電圧
を印加したときの等電位線を示す図である。この図９に
示すように、画素電極１８のスリット１９の部分及び誘
電体膜３８の誘電率が低い部分３８ａ（図中破線で囲ん
だ部分）では、等電位線が液晶層の外側に押し出された
状態となる。負の誘電率異方性を有する液晶分子は、等
電位線に沿って配向しようとするので、図８に示すよう
に、スリット１９及び誘電率が低い部分３８ａのそれぞ
れ両側で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割（マル
チドメイン）が達成される。
を印加したときの等電位線を示す図である。この図９に
示すように、画素電極１８のスリット１９の部分及び誘
電体膜３８の誘電率が低い部分３８ａ（図中破線で囲ん
だ部分）では、等電位線が液晶層の外側に押し出された
状態となる。負の誘電率異方性を有する液晶分子は、等
電位線に沿って配向しようとするので、図８に示すよう
に、スリット１９及び誘電率が低い部分３８ａのそれぞ
れ両側で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割（マル
チドメイン）が達成される。
【００４８】本実施の形態では、ドメイン規制用突起部
に替えて誘電率が低い部分３８ａと高い部分３８ｂとを
有する誘電体膜３８により配向分割（マルチドメイン）
を達成するので、開口率が向上し、明るくて解像度が高
い液晶表示装置を実現することができる。また、フォト
リソグラフィ又は光の照射により、誘電率が異なる部分
を比較的容易に形成することができる。
に替えて誘電率が低い部分３８ａと高い部分３８ｂとを
有する誘電体膜３８により配向分割（マルチドメイン）
を達成するので、開口率が向上し、明るくて解像度が高
い液晶表示装置を実現することができる。また、フォト
リソグラフィ又は光の照射により、誘電率が異なる部分
を比較的容易に形成することができる。
【００４９】図１０は、２種類の誘電体材料を使用して
誘電体膜３８を形成し、ディスクリネーション発生の有
無を調べた結果を示す図である。この図１０では、スリ
ットに対向する位置に配置された誘電体材料を第１の誘
電体とし、スリットの列間の中央に配置された誘電体材
料を第２の誘電体としている。この図１０に示すよう
に、第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率
よりも低く、その差が０．５未満の場合は、ディスクリ
ネーションは発生しないものの、配向状態が不安定な領
域が発生した。
誘電体膜３８を形成し、ディスクリネーション発生の有
無を調べた結果を示す図である。この図１０では、スリ
ットに対向する位置に配置された誘電体材料を第１の誘
電体とし、スリットの列間の中央に配置された誘電体材
料を第２の誘電体としている。この図１０に示すよう
に、第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率
よりも低く、その差が０．５未満の場合は、ディスクリ
ネーションは発生しないものの、配向状態が不安定な領
域が発生した。
【００５０】また、第２の誘電体の比誘電率が第１の誘
電体の比誘電率よりも０．５以上低い場合は、ディスク
リネーションが発生せず、良好な表示品質が得られた。
第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率と同
じ又はそれよりも高い場合はディスクリネーションが発
生した。スリット１９の列間の中央に誘電率が高い部分
３８ｂが配置され、スリット１９に対向する部分に誘電
率が低い部分３８ａが配置された場合は、図１１に示す
ように誘電率が高い部分３８ｂのエッジからスリット１
９までの間の不確定な位置（例えば図中破線で囲んだ位
置）に配向状態の特異点としてディスクリネーションが
発生し、表示輝度が暗い、応答が遅いといった問題が発
生する。従って、スリット１９の列間の中央には誘電率
が低い部分３８ａを配置し、スリット１９に対向する位
置に誘電率が高い部分３８ｂを配置し、かつ、誘電率が
高い部分３８ａと低い部分３８ｂとの比誘電率の差を
０．５以上とすることが必要である。
電体の比誘電率よりも０．５以上低い場合は、ディスク
リネーションが発生せず、良好な表示品質が得られた。
第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率と同
じ又はそれよりも高い場合はディスクリネーションが発
生した。スリット１９の列間の中央に誘電率が高い部分
３８ｂが配置され、スリット１９に対向する部分に誘電
率が低い部分３８ａが配置された場合は、図１１に示す
ように誘電率が高い部分３８ｂのエッジからスリット１
９までの間の不確定な位置（例えば図中破線で囲んだ位
置）に配向状態の特異点としてディスクリネーションが
発生し、表示輝度が暗い、応答が遅いといった問題が発
生する。従って、スリット１９の列間の中央には誘電率
が低い部分３８ａを配置し、スリット１９に対向する位
置に誘電率が高い部分３８ｂを配置し、かつ、誘電率が
高い部分３８ａと低い部分３８ｂとの比誘電率の差を
０．５以上とすることが必要である。
【００５１】図１２，図１３は本実施の形態の変形例を
示している。図１２（ａ）は、誘電率が低い部分３８ａ
を、ゲートバスライン１２に平行に画素の中央に配置し
た例を示している。また、図１２（ｂ）は、比誘電率が
低い部分３８ａを、ドレインバスライン１５に平行に画
素の中央に配置した例を示している。いずれの場合も誘
電体膜を対向基板側に形成し、誘電率が高い部分と低い
部分との比誘電率の差を０．５以上としている。これに
より、上記実施の形態と同様に、ディスクリネーション
を防止することができる。
示している。図１２（ａ）は、誘電率が低い部分３８ａ
を、ゲートバスライン１２に平行に画素の中央に配置し
た例を示している。また、図１２（ｂ）は、比誘電率が
低い部分３８ａを、ドレインバスライン１５に平行に画
素の中央に配置した例を示している。いずれの場合も誘
電体膜を対向基板側に形成し、誘電率が高い部分と低い
部分との比誘電率の差を０．５以上としている。これに
より、上記実施の形態と同様に、ディスクリネーション
を防止することができる。
【００５２】図１３は、スリット１９の列間の中央に配
置された誘電率が低い部分３８ａ（比誘電率は３）とス
リット１９に対向して配置された誘電率が高い部分３８
ｂ（比誘電率は３．５）との間に、中間の誘電率（誘電
率は３．２５）を有する部分３８ｃを設けている。この
場合も、上記と同様の効果を得ることができる。なお、
上記実施の形態ではＴＦＴ基板側の画素電極にスリット
を設け、対向基板側に比誘電率が異なる誘電体膜を形成
した場合について説明したが、ＴＦＴ基板側に誘電体膜
を設け、対向基板側の共通電極にドメイン規制用スリッ
ト又は突起物を設けても、上記実施の形態と同様の効果
を得ることができる。また、ＴＦＴ基板及び対向基板の
両方に、誘電率が高い部分と低い部分とを有する誘電体
膜を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板側の誘電体膜
の誘電率が高い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜
の誘電率が低い部分を配置し、ＴＦＴ基板側の誘電体膜
の誘電率が低い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜
の誘電率が高い部分を配置する。
置された誘電率が低い部分３８ａ（比誘電率は３）とス
リット１９に対向して配置された誘電率が高い部分３８
ｂ（比誘電率は３．５）との間に、中間の誘電率（誘電
率は３．２５）を有する部分３８ｃを設けている。この
場合も、上記と同様の効果を得ることができる。なお、
上記実施の形態ではＴＦＴ基板側の画素電極にスリット
を設け、対向基板側に比誘電率が異なる誘電体膜を形成
した場合について説明したが、ＴＦＴ基板側に誘電体膜
を設け、対向基板側の共通電極にドメイン規制用スリッ
ト又は突起物を設けても、上記実施の形態と同様の効果
を得ることができる。また、ＴＦＴ基板及び対向基板の
両方に、誘電率が高い部分と低い部分とを有する誘電体
膜を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板側の誘電体膜
の誘電率が高い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜
の誘電率が低い部分を配置し、ＴＦＴ基板側の誘電体膜
の誘電率が低い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜
の誘電率が高い部分を配置する。
【００５３】（付記１）第１の電極及び該第１の電極に
信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板
及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたド
メイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の
基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並
んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極
を覆う第１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配
向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入
された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表
示装置において、前記バスラインからの横電界により液
晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の
配向膜に、プレチルト角発現処理が施されていることを
特徴とする液晶表示装置。
信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板
及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたド
メイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の
基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並
んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極
を覆う第１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配
向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入
された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表
示装置において、前記バスラインからの横電界により液
晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の
配向膜に、プレチルト角発現処理が施されていることを
特徴とする液晶表示装置。
【００５４】（付記２）前記プレチルト角発現処理は、
電圧無印加時での配向膜と液晶との界面におけるプレチ
ルト角を４５°以上９０°未満とするものであることを
特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。 （付記３）前記一方の基板に、前記他方の基板の電極の
エッジに沿って配置された補助突起物を有することを特
徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
電圧無印加時での配向膜と液晶との界面におけるプレチ
ルト角を４５°以上９０°未満とするものであることを
特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。 （付記３）前記一方の基板に、前記他方の基板の電極の
エッジに沿って配置された補助突起物を有することを特
徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００５５】（付記４）前記プレチルト角発現処理は、
前記ドメイン規制用突起物と前記画素電極のエッジとの
なす角度が鈍角となる領域に施されていることを特徴と
する付記３に記載の液晶表示装置。 （付記５）前記プレチルト角発現処理は、前記バスライ
ン側の端部が閉じた前記スリットのうちバスラインに最
も近いスリット内の前記バスライン側の領域に施されて
いることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記
載の液晶表示装置。
前記ドメイン規制用突起物と前記画素電極のエッジとの
なす角度が鈍角となる領域に施されていることを特徴と
する付記３に記載の液晶表示装置。 （付記５）前記プレチルト角発現処理は、前記バスライ
ン側の端部が閉じた前記スリットのうちバスラインに最
も近いスリット内の前記バスライン側の領域に施されて
いることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記
載の液晶表示装置。
【００５６】（付記６）第１の電極及び該第１の電極に
信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板
及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたド
メイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の
基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並
んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性
を有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記複
数のスリットのうちバスラインに近い第１のスリットの
前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリッ
トに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端部
の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。
信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板
及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたド
メイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の
基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並
んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の基板
と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性
を有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記複
数のスリットのうちバスラインに近い第１のスリットの
前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリッ
トに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端部
の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。
【００５７】（付記７）前記一方の基板に、前記他方の
基板の電極のエッジに沿って配置された補助突起物を有
することを特徴とする付記６に記載の液晶表示装置。 （付記８）第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達す
るバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が
設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２
の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用
突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの
他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のド
メイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第１の
配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘
電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向
が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プ
レチルト角発現処理が施され、かつ、前記複数のスリッ
トのうち前記バスラインに近い第１のスリットの前記バ
スラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリットに隣
接する第２のスリットの前記バスライン側の端部の幅よ
りも小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装
置。
基板の電極のエッジに沿って配置された補助突起物を有
することを特徴とする付記６に記載の液晶表示装置。 （付記８）第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達す
るバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が
設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２
の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用
突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの
他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のド
メイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第１の
配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、前記
第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘
電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置におい
て、前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向
が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プ
レチルト角発現処理が施され、かつ、前記複数のスリッ
トのうち前記バスラインに近い第１のスリットの前記バ
スラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリットに隣
接する第２のスリットの前記バスライン側の端部の幅よ
りも小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【００５８】（付記９）電極が設けられた一対の基板間
に液晶を封入した液晶表示装置において、前記一対の基
板のうちの一方の基板にドメイン規制部が設けられ、前
記一対の基板のうちの他方の基板に誘電率が高い部分と
誘電率が低い部分とを有する誘電体膜が設けられ、前記
誘電率が低い部分が前記ドメイン規制手段に対し斜め方
向の位置に配置され、前記誘電率が高い部分が前記ドメ
イン規制手段に対向する位置に配置され、前記誘電率が
高い部分と前記誘電率が低い部分との比誘電率の差が
０．５以上あることを特徴とする液晶表示装置。
に液晶を封入した液晶表示装置において、前記一対の基
板のうちの一方の基板にドメイン規制部が設けられ、前
記一対の基板のうちの他方の基板に誘電率が高い部分と
誘電率が低い部分とを有する誘電体膜が設けられ、前記
誘電率が低い部分が前記ドメイン規制手段に対し斜め方
向の位置に配置され、前記誘電率が高い部分が前記ドメ
イン規制手段に対向する位置に配置され、前記誘電率が
高い部分と前記誘電率が低い部分との比誘電率の差が
０．５以上あることを特徴とする液晶表示装置。
【００５９】（付記１０）前記一方の基板の電極には、
前記ドメイン規制部としてスリットが設けられているこ
とを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。 （付記１１）前記一方の基板には、前記ドメイン規制部
として突起物が設けられていることを特徴とする付記９
に記載の液晶表示装置。 （付記１２）前記誘電体膜の前記誘電率が高い部分と前
記誘電率が低い部分との間は、誘電率が段階的に変化し
ていることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
前記ドメイン規制部としてスリットが設けられているこ
とを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。 （付記１１）前記一方の基板には、前記ドメイン規制部
として突起物が設けられていることを特徴とする付記９
に記載の液晶表示装置。 （付記１２）前記誘電体膜の前記誘電率が高い部分と前
記誘電率が低い部分との間は、誘電率が段階的に変化し
ていることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によれば、一方の基板にドメイン規制用突起物を設
け、他方の基板の電極にスリットを設け、更にバスライ
ンからの横電界により液晶分子の配向が不安定になる領
域の他方の基板の配向膜にプレチルト角発現処理が施さ
れているので、バスラインからの横電界による配向不良
が回避され、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良
好な画質を得ることができる。
装置によれば、一方の基板にドメイン規制用突起物を設
け、他方の基板の電極にスリットを設け、更にバスライ
ンからの横電界により液晶分子の配向が不安定になる領
域の他方の基板の配向膜にプレチルト角発現処理が施さ
れているので、バスラインからの横電界による配向不良
が回避され、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良
好な画質を得ることができる。
【００６１】本発明の他の液晶表示装置によれば、一方
の基板にドメイン規制用突起物を設け、他方の基板の電
極にスリットを設け、更に隣接画素のバスラインに最も
近い第１のスリットのバスラインと反対側の端部の幅
を、第１のスリットに隣接する第２のスリットのバスラ
イン側の端部の幅よりも小さく設定しているので、隣接
画素のバスラインからの横電界による配向不良が回避さ
れ、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良好な画質
を得ることができる。
の基板にドメイン規制用突起物を設け、他方の基板の電
極にスリットを設け、更に隣接画素のバスラインに最も
近い第１のスリットのバスラインと反対側の端部の幅
を、第１のスリットに隣接する第２のスリットのバスラ
イン側の端部の幅よりも小さく設定しているので、隣接
画素のバスラインからの横電界による配向不良が回避さ
れ、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良好な画質
を得ることができる。
【００６２】本発明の更に他の液晶表示装置によれば、
一方の基板にドメイン規制部を設け、他方の基板に誘電
率が高い部分と誘電率が低い部分とを有する誘電体膜を
設けて、これらのドメイン規制部と誘電体膜により配向
分割（マルチドメイン）を達成するので、開口率が高
く、且つ良好な視野角特性と良好な画質を得ることがで
きる。
一方の基板にドメイン規制部を設け、他方の基板に誘電
率が高い部分と誘電率が低い部分とを有する誘電体膜を
設けて、これらのドメイン規制部と誘電体膜により配向
分割（マルチドメイン）を達成するので、開口率が高
く、且つ良好な視野角特性と良好な画質を得ることがで
きる。
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態のＭＶＡ方式
の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。
の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。
【図２】図２は図１のＡ−Ａ線の位置における断面図で
ある。
ある。
【図３】図３は第１の実施の形態の効果を示す図（その
１）であり、補助突起物が所定の位置に配置されている
ときの液晶分子の配向状態を示している。
１）であり、補助突起物が所定の位置に配置されている
ときの液晶分子の配向状態を示している。
【図４】図４は第１の実施の形態の効果を示す図（その
２）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置さ
れ、配向不良が発生している状態を示している。
２）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置さ
れ、配向不良が発生している状態を示している。
【図５】図５は第１の実施の形態の効果を示す図（その
３）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置さ
れても、プレチルト角発現処理により配向不良が発生し
ていない状態を示している。
３）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置さ
れても、プレチルト角発現処理により配向不良が発生し
ていない状態を示している。
【図６】図６は本発明の第２の実施の形態の液晶表示装
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
【図７】図７は本発明の第３の実施の形態の液晶表示装
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
【図８】図８は第３の実施の形態の液晶表示装置の模式
断面図である。
断面図である。
【図９】図９は画素電極と共通電極との間に電圧を印加
したときの等電位線を示す図である。
したときの等電位線を示す図である。
【図１０】図１０は２種類の誘電体材料を使用して誘電
体膜を形成し、ディスクリネーション発生の有無を調べ
た結果を示す図である。
体膜を形成し、ディスクリネーション発生の有無を調べ
た結果を示す図である。
【図１１】図１１はスリットの列間の中央に誘電率が高
い部分を配置し、スリットに対向する部分に誘電率が低
い部分を配置したときの問題点を示す図である。
い部分を配置し、スリットに対向する部分に誘電率が低
い部分を配置したときの問題点を示す図である。
【図１２】図１２は第３の実施の形態の変形例（その
１）を示す図である。
１）を示す図である。
【図１３】図１３は第３の実施の形態の変形例（その
２）を示す図である。
２）を示す図である。
１１…ガラス基板（ＴＦＴ基板）、 １２…ゲートバスライン、 １３…容量バスライン、 １４，１７…絶縁膜、 １５…ドレインバスライン（データバスライン）、 １６…ＴＦＴ、 １８…画素電極、 １９…スリット、 ２０，３５…垂直配向膜、 ２１…プレチルト角発現処理を施した部分、 ２８…液晶分子、 ２９…液晶材料、 ３１…ガラス基板（対向基板）、 ３２…ブラックマトリクス、 ３３…カラーフィルタ、 ３４…共通電極（コモン電極）、 ３６…ドメイン規制用突起物、 ３６ａ…補助突起物、 ３８…誘電体膜、 ３８ａ…誘電率が低い部分、 ３８ｂ…誘電率が高い部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田沼 清治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 間山 剛宗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 吉田 秀史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC16 HD14 JA03 JC03 KA04 LA01 LA04 LA15 MA01 MA10 MA15 MB01 2H092 GA13 JA24 JB05 NA04 NA07 PA02 QA06
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の電極及び該第１の電極に信号を伝
達するバスラインが形成された第１の基板と、 第２の電極が設けられた第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板
に設けられたドメイン規制用突起物と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板
の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制
用スリットと、 前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、 前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
おいて、 前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不
安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プレチ
ルト角発現処理が施されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記一方の基板に、前記他方の基板の電
極のエッジに沿って配置された補助突起物を有すること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 第１の電極及び該第１の電極に信号を伝
達するバスラインが形成された第１の基板と、 第２の電極が設けられた第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板
に設けられたドメイン規制用突起物と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板
の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制
用スリットと、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
おいて、 前記複数のスリットのうち前記バスラインに近い第１の
スリットの前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第
１のスリットに隣接する第２のスリットの前記バスライ
ン側の端部の幅よりも小さく設定されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 第１の電極及び該第１の電極に信号を伝
達するバスラインが形成された第１の基板と、 第２の電極が設けられた第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板
に設けられたドメイン規制用突起物と、 前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板
の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制
用スリットと、 前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、 前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負
の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置に
おいて、 前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不
安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プレチ
ルト角発現処理が施され、かつ、前記複数のスリットの
うち前記バスラインに近い第１のスリットの前記バスラ
インと反対側の端部の幅が、該第１のスリットに隣接す
る第２のスリットの前記バスライン側の端部の幅よりも
小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 電極が設けられた一対の基板間に液晶を
封入した液晶表示装置において、 前記一対の基板のうちの一方の基板にドメイン規制部が
設けられ、 前記一対の基板のうちの他方の基板に誘電率が高い部分
と誘電率が低い部分とを有する誘電体膜が設けられ、 前記誘電率が低い部分が前記ドメイン規制手段に対し斜
め方向の位置に配置され、前記誘電率が高い部分が前記
ドメイン規制手段に対向する位置に配置され、前記誘電
率が高い部分と前記誘電率が低い部分との比誘電率の差
が０．５以上あることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194170A JP4489253B2 (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 液晶表示装置 |
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| TW089118840A TWI288284B (en) | 1999-09-16 | 2000-09-14 | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate |
| US10/423,086 US6888602B2 (en) | 1999-09-16 | 2003-04-25 | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate |
| US10/657,996 US6897929B2 (en) | 1999-09-16 | 2003-09-08 | Liquid crystal display device and thin flim transistor substrate |
| US10/791,163 US7110074B2 (en) | 1999-09-16 | 2004-03-02 | Liquid crystal display device |
| US10/922,549 US7193672B2 (en) | 1999-09-16 | 2004-08-20 | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate |
| US11/496,941 US7505103B2 (en) | 1999-09-16 | 2006-07-31 | Liquid crystal display device |
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| JP2000194170A JP4489253B2 (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 液晶表示装置 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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