KR19980016700A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

액정표시소자는 기판 위에 종횡으로 교차하여 화소영역을 한정하는 주사선 및 신호선과, 화소영역내의 주사선과 신호선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와, 화소영역을 덮고 있는 복수의 사각형, 띠형상, 또는 원형의 홀을 보유하는 보호막과, 보호막 위에 형성된 배향막으로 구성된다. 화소전극은 보호막 밑에 형성되거나 위에 형성되며, 박막트랜지스터의 소스/드레인전극과 전기적으로 연결된다. 보호막에 형성된 홀은 테이퍼에칭에 의해 기판쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상으로 구성되어 전압이 인가될 때, 홀을 보유하는 보호막 위의 액정분자가 서로 대칭되는 형상으로 배향된다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 시야각 특성을 향상시키기 위해 보호막에 홀을 형성하여 전압의 인가시 한 화소내에서의 액정분자의 배향을 서로 달리함으로써 시야각특성이 향상되고 제조공정이 간단한 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래에 주로 사용되고 있는 액정표시소자(LCD)는 트위스트네마틱(Twisted Nematic) 액정표시소자로서, 이 TN-LCD에는 시야각에 따라서 각 계조표시(gray level)에서의 광투과도가 달라지는 결정적인 결함이 있다. 특히, 좌우방향의 시야각에 대해서는 광투과도가 대칭적으로 분포하지만, 상하방향에 대해서는 광투과도가 비대칭적으로 분포하기 때문에 상하방향의 시야각에서는 이미지가 반전되는 범위가 발생되어 시야각이 좁아지는 문제가 있었다.

도 1은 상기한 종래의 액티브매트릭스(active matrix) 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 화소는 종횡으로 배열되어 매트릭스형상을 이루고 있는 주사선(8) 및 신호선(11)에 의해 정의된다. 화소내의 주사선(8) 및 신호선(11)의 교차점에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 형성되어, 게이트전극(7)은 주사선(8)에 연결되고 소스/드레인전극(12)은 신호선(11)에 연결된다. 그리고, 화소내에는 화소전극(16)이 형성되어 TFT의 소스/드레인전극(12)과 전기적으로 연결된다.

상기와 같은 수많은 화소로 이루어진 액정패널(liquid crystal panel)의 외부에는 게이트구동회로 및 데이타구동회로가 부착되어 있다. 게이트구동회로로부터 주사선(8)을 통해 TFT의 게이트전극(7)에 전압이 인가되면 TFT가 온되며, 동시에 데이타구동회로에서 신호선(11)에 인가된 화상신호가 소스/드레인전극(12)을 통해 화소전극(16)에 인가되어 원하는 형상을 얻을 수 있게 된다.

도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다. 기판(1) 위에는 게이트전극(7) 및 게이트 절연막(9)이 형성되어 있고, 그 위에 반도체층(10) 및 소스/드레인전극(12)이 형성되어 있다. 반도체층(10) 및 소스/드레인전극(12) 위에는 콘택홀을 보유하는 보호막(14)이 형성되어 있으며, 그 위의 화소영역에 화소전극(16)이 형성되어 상기한 콘택홀을 통해 소스/드레인전극(12)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 상기한 보호막(14) 위에는 제1배향막(20)이 형성되어 기계적인 러빙(rubbing)에 의해 배향방향이 결정된다. 제2기판(2)에는 주사선(8), 신호선(11) 및 TFT로 누설되는 빛을 차단하기 위한 차광층(3), 즉 블랙매트릭스(black matrix)가 형성되어 있으며, 그 위에 컬러필터층(color filter layer)(15)이 형성되어 있다. 컬러필터층(15) 위에는 대향전극(17) 및 제2배향막(21)이 차례로 형성되어 있으며, 역시 기계적인 러빙에 의해 상기한 제1배향막(20)과는 다른 방향의 배향방향이 제2배향막(21)에 결정된다.

일반적으로, 러빙에 의해 배향방향이 결정된 LCD에는 시야각특성에 많은 문제가 있기 때문에, 화소를 2개의 도메인으로 구성한 2도메인 TN(Two-Domain TN:TDTN) LCD 및 도메인 분할된 TN(Domain-Divided TN:DDTN) LCD와 4개의 도메인으로 구성한 4도메인 TN-LCD와 같은 멀티도메인(multi domain) LCD가 최근 활발히 연구되고 있다. 2도메인 LCD에서는 각 화소(pixel)가 프리틸트방향(pretilted direction)이 서로 반대인 2개의 액정방향자(LC directiors)의 배열도메인을 보유하여 계조표시전압을 인가할 때, 2도메인의 액정방향자가 서로 반대방향으로 경사지게 되어 상하방향으로의 광투과도가 보상되게 되고, 결국 시야각이 넓어지게 된다.

도메인 분할된 TN-LCD는 화소의 각 도메인에 각각 다른 프리틸트각을 보유하는 물질로 제1배향막 및 제2방향막을 형성하여 각 배향막에서의 평균배향각도가 반대방향으로 되게 하고, 상기한 배향막을 상하기판에서 각각 교대로 외부에 노출시켜서 시야각이 보상되게 한다. 이러한 도메인 분할된 TN-LCD는 2도메인 TN-LCD와는 달리 배향막을 서로 다른 프리틸트각을 보유하는 물질, 예를 들면, 유기배향막이나 무기배향막 등을 사용하여 러빙을 실행하므로써 각각 프리틸트각을 보유하는 TN-LCD를 만들 수 있다.

또한, 4도메인 TN-LCD는 2도메인 TN-LCD와 달리 액정방향자가 서로 반대방향인 4개의 도메인을 형성하여 시야각특성이 향상된다.

이러한 멀티도메인 LCD를 만들기 위해서는, 우선 배향막(주로, 폴리이미드)이 형성된 기판의 한 도메인에 포토레지스트(photoresist)를 도포한 후, 일정방향으로 러빙을 실시하여 배향방향을 결정한다. 그 후, 상기한 포토레지스트를 제거하고 다시 다른 도메인에 포토레지스트를 도포한 후, 다른 방향으로 러빙을 실시하여 각 도메인이 서로 다른 방향의 배향방향을 갖도록 한다. 또한, 2도메인 이상의 멀티도메인인 경우에는, 상기한 공정을 여러차례 반복하여 원하는 수의 도메인을 얻을 수 있다.

따라서, 종래의 멀티도메인 액정표시소자는 제조공정이 복잡하여 수율이 저하될 뿐만 아니라, 제조비용도 대단히 높기 때문에 현실적으로 제품으로 생산되기는 대단히 어려운 실정이었다. 또한, 포토레지스트의 도포 및 제거, 그리고 러빙이 여러번 실시되어야만 하기 때문에 기판 자체가 파손되는 문제도 있었다.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 보호막에 홀을 형성하여 기판에 전압이 인가될 때 한 화소내에서 형성되는 전기장의 방향을 다르게 하여 전기장에 따라 액정분자를 배향함으로써 시야각특성이 향상된 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은, 제조공정을 간단히 하여 제조비용이 절감되며 수율이 향상된 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 액정표시소자는 제1기판 및 제2기판과, 상기한 제1기판 위에 종횡으로 형성되어 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선과, 상기한 신호선 및 주사선의 교차점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기한 화소영역에 형성된 화소전극과, 상기한 박막트랜지스터 및 화소영역에 형성된 복수의 홀을 포함하는 보호막과, 상기한 보호막 위에 형성된 제1배향막과, 상기한 제2기판 위에 형성된 차광층과, 상기한 차광층 위에 형성된 컬러필터층과, 상기한 컬러필터층 위에 형성된 대향전극과, 상기한 대향전극 위에 형성된 제2배향막과, 제1기판 및 제2기판 사이의 액정층으로 구성된다. 홀은 테이퍼에칭에 의해 기판쪽으로 갈수록 폭이 좁아지는 완만한 형태로 형성된다.

또한, 화소전극 위에 보호막이 형성되어 있는 구조 대신에 보호막 위에 화소전극이 형성되어 있는 구조도 가능하다.

제1기판 및 제2기판의 전극에 전압이 인가되면, 제1기판 근처에서는 전기장의 방향이 보호막의 홀에 의해 서로 다른 방향을 갖게 되며, 제2기판에서의 전기장의 방향은 기판에 수직하게 되어 액정층의 액정분자가 제1기판에서는 홀의 중앙을 기준으로 그 양쪽에서 서로 대칭되며 제2기판에서는 모두 한 방향을 가지게 된다.

도 1은 종래 액정표시소자의 평면도.

도 2는 도 1의 A-A'선 단면도.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시소자의 평면도.

도 4는 도 3의 B-B'선 단면도로서,

도 4(a)는 탑 ITO구조의 박막트랜지스터가 적용된 액정표시소자의 단면도이고,

도 4(b)는 IOP구조의 박막트랜지스터가 적용된 액정표시소자의 단면도.

도 5는 도 3의 C-C'선 확대단면도로서,

도 5(a)는 탑 ITO구조의 박막트랜지스터가 적용된 액정표시소자의 단면도이고,

도 5(b)는 IOP구조의 박막트랜지스터가 적용된 액정표시소자의 단면도.

도 6은 본 발명에 따른 액정표시소자의 작동을 나타내는 도면.

*도면부호의 주요부분에 대한 부호의 설명*

101:제1기판102:제2기판

103:차광층107:게이트전극

108:주사선109:게이트절연막

110:반도체층111:신호선

112:소스/드레인전극114:보호막

115:컬러필터층116:화소전극

117:대향전극119:홀

120:제1배향막121:제2배향막

123:액정층125:액정분자

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자을 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시소자의 평면도이다. 도면에 나타낸 바와 같이 본 발명에 따른 액정표시소자도 종래의 액정표시소자와 마찬가지로 복수의 주사선(108) 및 신호선(111)이 종횡으로 형성되어 화소영역을 한정한다. 주사선(108) 및 신호선(111)의 교차점에는 TFT가 형성되어 있고 화소영역에는 화소전극(116)이 형성되어 있다.

도 4(a) 및 (b)는 각각 도 3의 B-B'선 단면도로서, 도 4(a)는 탑 ITO(top indium tin oxide)의 구조를 TFT를, 도 4(b)는 IOP(indium tin oxide on passivation layer) 구조의 TFT이다.

우선, 탑 ITO구조인 도 4(a)에 대하여 설명한다. 도면에 나타낸 바와 같이, 제1기판(101) 위에는 게이트전극(107)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트절연막(109)이 형성되어 있다. 게이트전극(107)은 Cr, Mo, Al 또는 Al합금 등의 금속을 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후, 포토에칭(photoetching)하여 형성하며, 게이트절연막(109)은 SiNx나 SiO₂등을 플라즈마 CVD(plasma Chemical Vapor Deposition)방법에 의해 적층하여 형성한다.

게이트절연막(109) 위에는 반도체층(110)이 형성되어 있고 그 위에 소스/드레인전극(112)이 형성되어 있다. 반도체층(110)은 비정질실리콘층으로 플라즈마 CVD방법에 의해 적층된 후 에칭하여 형성되고, 소스/드레인전극(112)은 게이트전극(107)과 마찬가지로 Cr, Mo, Al 또는 Al합금의 금속층을 포토에칭방법에 의해 에칭하여 형성된다. 상기한 반도체층(110)과 소스/드레인전극(112) 사이에는 도면표시하지 않은 n⁺층이 적층되어 오우믹콘택층(ohmic contact layer)이 되는데, 이 n⁺층은 반도체층(110)에 n⁺이온을 도핑(doping)하여 형성하거나 n⁺비정질실리콘을 직접 적층하여 형성한다.

주사선(108)과 신호선(111)에 의해 한정되는 화소영역에는 소스/드레인전극(112)과 일부분이 겹치는 상태로 ITO와 같은 투명금속으로 이루어진 화소전극(116)이 스퍼터링방법에 의해 적층되고 에칭되어 형성되고, 상기한 화소전극(116) 및 소스/드레인전극(112) 위해 보호막(114)이 형성되어 있으며, 그 위에 폴리이미드(polyimide)와 같은 제1배향막(120)이 형성되어 있다. 화소영역의 보호막(114)에는 도 3에 나타낸 바와 같이 사각형, 띠형상 또는 원형의 복수의 홀(119)이 형성되어 있다. 도면에서는 상기한 홀(119)이 비록 종횡으로 질서있게 배열되어 있지만, 무질서하게 형성되어 있는 것도 물론 가능하다.

제2기판(102)에는 스퍼터링방법에 의해 Cr이나 CrOx 등을 적층하고 포토에칭함으로써 차광층(103)이 형성되며, 그 위에 컬러필터층(115)이 형성되어 있다. 컬러필터층(115) 위에는 제1기판(101)의 화소전극(116)과 마찬가지로 ITO 등과 같은 투명전극으로 이루어진 대향전극(117)이 형성되어 있고, 상기한 대향전극(117) 위에 폴리이미드와 같은 제2배향막(121)이 형성되어 있다.

제1기판(101) 및 제2기판(102) 사이에는 양 기판의 간격을 유지하기 위해, 도면표시하지 않은 스페이서(spacer)가 산포된 후, 진공에 가까운 저압에서 액정(123)이 주입되어 밀봉되어 액정셀이 형성된다.

도 4(b)와 같은 IOP구조의 LCD에서는 상기한 탑ITO 구조의 LCD와는 모든 구조가 동일하고, 단지 화소전극(116)이 보호막(114) 위에 형성되어 있다는 것만이 구조적인 차이점이다. 따라서, 보호막(114)에는 콘택홀이 형성되어, 상기한 콘택홀을 통해 화소전극(116)과 TFT의 소스/드레인전극(112)이 전기적으로 접속되며, 보호막(114)에는 사각형, 띠형상 또는 원형의 복수의 홀(119)이 형성된다.

도 5(a) 및 (b)는 도 3의 C-C'선 확대단면도로서, 도 4와 마찬가지로 각각 탑 IOT구조의 액정표시소자와 IOP구조의 액정표시소자를 나타낸다. 도 5(a) 및 (b)의 구조는 화소전극(116)이 보호막(114) 밑에 형성되어 있느냐, 위에 형성되어 있느냐 하는 차이만 있을 뿐 그 기능상에서의 차이는 거의 없다. 따라서, 도 5(a)를 설명하는 것으로 도 5(b)의 설명을 대신한다.

제1기판(101) 위에는 게이트절연막(109)과 화소전극(116)이 형성되어 있으며, 그 위에 약 0.5㎛의 두께의 보호막(114)이 형성된다. 보호막(114)에는 직경이 약 10㎛의 홀(119)이 형성되는데, 이 홀(119)은 테이퍼에칭(taper etching)에 의해 형성된 것으로 도면에 나타낸 바와 같이 기판(101)으로 내려 갈수록 폭이 좁아지는 완만한 형상으로 되어 있다. 그리고, 상기한 보호막(114) 및 화소전극(116) 위에 제1배향막(120)이 형성된다.

도 6은 상기한 구조의 LCD의 작동을 나태는 도면으로, 상기한 도면은 전압이 인가된 경우의 액정분자의 동작을 나타낸다. 이때, 제1배향막(120) 및 제2배향막(121)에는 기계적인 러빙이나 자외선의 조사에 의해 서로 수직하는 배향방향이 결정되어 있으며, 액정은 저전압 액정을 사용한다.

전압이 인가되지 않은 경우에는 양 기판(101,102) 근처의 액정분자(125)는 배향방향을 따라 미세한 프리틸트각(pretilt angle)으로 기판(101,102)과 약간 비스듬하게 배향된다. 제1기판(101)의 화소전극(116)과 제2기판(102)의 대향전극(117) 사이에 전압이 인가되는 경우에는 제1기판(101)의 보호막(114)에 홀(119)이 형성되어 있기 때문에, 제1기판(101) 근처의 등전위선(equipotential line)(122)은 도면에 나타낸 바와 같이 보호막(114) 및 홀(119)을 따라 형성되며 제2기판(102) 근처의 등전위선(122)은 제2기판(102)과 평행하게 된다. 즉, 제1기판(101) 근처의 등전위선(122)은 골을 가진 형상으로 이루어지며 제2기판(102) 쪽으로 갈수록 골이 작아져서 제2기판(102) 근처에서는 결국 기판(102)과 수평하게 된다.

액정분자(125)는 상기한 등전위선(122)과 수직한 방향, 즉 전기장과 평행한 방향으로 배열되기 때문에 보호막(114)의 홀(119)에 의해 형성된 등전위선의 골 양측면에서는 그 중앙을 기준으로 해서 일정한 각도로 도면과 같이 서로 대칭되는데, 그 각도는 제2기판(102) 근처로 갈수록 작아져서 제2기판(102) 근처에서는 거의 기판(102)과 수직한 배향을 하게 된다. 또한, 홀이 형성되어 있지 않은 보호막(114)위의 등전위선(122)은 기판(101)과 거의 수평하기 때문에 이곳의 액정분자(125)는 기판(101,102)과 거의 수직으로 배향을 하게 된다.

따라서, 상기한 바와 같은 액정표시소자에서는 한 화소내에서 서로 대칭하는 복수의 도메인을 갖게 되므로, 멀티도메인 액정표시소자와 같은 효과를 얻을 수 있게 된다.

본 발명에 따른 액정표시소자에서는 한쪽 도메인에 포토레지스트를 도포한 상태에서 러빙을 실시한 후, 다시 상기한 포토레지스트를 제거한 다음 다른 쪽 도메인에 포토레지스트를 성막한 상태에서 러빙을 실시하는 것과 같은 복잡한 공정없이 보호막에 홀을 형성하고 러빙을 한번 실시한 상태에서 액정분자의 배향을 제어하게 되므로, 공정이 간단하게 되며 수율이 향상된다.

더욱이, 한 화소내에 서로 대칭되는 배향방향을 갖는 복수의 도메인이 형성되어 있기 때문에 시야각특성이 크게 향상된다.

Claims (26)

1. 기판과;

   상기한 기판 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선과;

   상기한 화소영역내에 주사선과 신호선의 교차점에 형성되어 게이트전극, 반도체층 및 소스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와;

   상기한 화소영역내에 형성된 화소전극과;

   상기한 화소영역에 형성된 복수의 홀을 포함하는 보호막과;

   상기한 보호막 위에 형성된 배향막으로 구성된 액정표시소자.
2. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 보호막 밑에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
3. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 보호막 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
4. 제1항에 있어서, 상기한 보호막에 콘택홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
5. 제4항에 있어서, 상기한 화소전극이 콘택홀을 통해 한쪽의 소스/드레인전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
6. 제1항에 있어서, 상기한 홀이 테이퍼에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
7. 제1항에 있어서, 상기한 화소전극이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
8. 제1항에 있어서, 상기한 대향전극이 ITO인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
9. 제1기판 및 제2기판과;

   상기한 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선과;

   상기한 제1기판 위에 형성된 게이트전극과;

   상기한 게이트전극 및 기판 위에 형성된 게이트절연막과;

   상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층과;

   상기한 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극과;

   상기한 화소영역에 형성된 화소전극과;

   상기한 소스/드레인전극 및 화소전극 위에 형성되어 복수의 홀을 보유하는 보호막과;

   상기한 보호막 위에 형성된 제1배향막과;

   상기한 제2기판 위에 형성된 차광층과;

   상기한 차광층의 일부와 겹치도록 상기한 제2기판에 형성된 컬러필터층과;

   상기한 컬러필터층 위에 형성된 대향전극과;

   상기한 대향전극 위에 형성된 제2배향막과;

   상기한 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된 액정표시소자.
10. 제9항에 있어서, 상기한 홀이 테이퍼에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
11. 제9항에 있어서, 상기한 화소전극이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
12. 제9항에 있어서, 상기한 대향전극이 ITO인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
13. 제1기판 및 제2기판과;

    상기한 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선과;

    상기한 제1기판 위에 형성된 게이트전극과;

    상기한 게이트전극 및 기판 위에 형성된 게이트절연막과;

    상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층과;

    상기한 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극과;

    상기한 소스/드레인전극 및 화소영역에 형성되어 복수의 홀을 보유하는 보호막과;

    화소영역의 보호막 위에 형성된 화소전극과;

    상기한 화소전극 및 보호막 위에 형성된 배향막과;

    상기한 제2기판 위에 형성된 차광층과;

    상기한 차광층과 겹치도록 상기한 제2기판에 형성된 컬러필터층과;

    상기한 컬러필터층 위에 형성된 대향전극과;

    상기한 대향전극 위에 형성된 제2배향막과;

    상기한 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된 액정표시소자.
14. 제13항에 있어서, 상기한 보호막이 콘택홀을 보유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
15. 제14항에 있어서, 상기한 화소전극이 콘택홀을 통해 한쪽의 소스/드레인전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
16. 제13항에 있어서, 상기한 홀이 테이퍼에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
17. 제13항에 있어서, 상기한 화소전극이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
18. 제13항에 있어서, 상기한 대향전극이 ITO인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
19. 기판을 준비하는 단계와;

    상기한 기판 위에 종횡으로 교차하여 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선을 형성하는 단계와;

    상기한 화소영역내의 주사선과 신호선의 교차점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;

    상기한 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계와;

    상기한 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 형성하는 단계와;

    상기한 보호막을 에칭하여 복수의 홀을 형성하는 단계와;

    상기한 기판 전체에 걸쳐서 배향막을 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법.
20. 제19항에 있어서, 상기한 박막트랜지스터를 형성하는 단계가,

    게이트전극을 형성하는 단계와;

    상기한 게이트전극 위에 게이트절연막을 형성하는 단계와;

    상기한 게이트절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계와;

    상기한 반도체층 위에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
21. 제19항에 있어서, 상기한 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
22. 제19항에 있어서, 상기한 보호막에 홀을 형성하는 단계가 보호막을 테이퍼에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
23. 기판을 준비하는 단계와;

    상기한 기판 위에 종횡으로 교차하여 화소영역을 한정하는 복수의 주사선 및 신호선을 형성하는 단계와;

    상기한 화소영역내의 주사선과 신호선의 교차점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;

    상기한 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 형성하는 단계와;

    상기한 보호막을 에칭하여 복수의 홀을 형성하는 단계와;

    상기한 보호막 위에 화소전극을 형성하는 단계와;

    상기한 기판 전체에 걸쳐서 배향막을 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법.
24. 제23항에 있어서, 상기한 박막트랜지스터를 형성하는 단계가,

    게이트전극을 형성하는 단계와;

    상기한 게이트전극 위에 게이트절연막을 형성하는 단계와;

    상기한 게이트절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계와;

    상기한 반도체층 위에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
25. 제23항에 있어서, 상기한 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
26. 제23항에 있어서, 상기한 보호막에 홀을 형성하는 단계가 보호막을 테이퍼에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.