TW526365B - Multi-domain vertical alignment liquid crystal display - Google Patents
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Description
526365 6997twf.d〇c/009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(/ ) 本發明是有關於一種液晶顯不器(Liquid Crystal Display ),且特別是有關於一'種多區域垂直排列(Multi-Domain Vertical Alignment , MVA ) 型液晶顯示器。 目前的液晶顯示器正朝向顯示量增大、高亮度、高 對比、大視角、大面積以及全彩化的趨勢發展。隨著液晶 顯示器的演進,由於液晶顯示器的視角(View angle )問題, 因此會將顯示用之液晶區隔成多區域,以使得液晶分子呈 現多個方向的傾倒’以增進液晶顯示器的視角。 習知的多區域垂直排列型液晶顯示器中,提供一互 相平行的薄膜電晶體陣列基板(TFT Array Substrate )與具 有彩色濾光片(Color Filter )之基板,而薄膜電晶體陣列基 板的下方以及具有彩色濾光片之基板上方分別提供一下層 偏光板與一上層偏光板。其中’上層偏光板與下層偏光板 均只允許一互爲垂直的直線偏光通過。而在兩基板之間具 有一液晶層,液晶分子之長軸的排列方向約垂直於兩基 板。在此多區域垂直排列液晶顯示器中,由於液晶分子之 長軸與電場方向平行,因此剛開始旋轉液晶分子時,液晶 分子被旋轉的速率較慢,而當液晶分子的長軸越接近電場 的垂直方向時,液晶分子的旋轉速率則越快。因此,爲了 精確控制液晶分子的傾倒方向,通常需要以預傾角(Pre-tilt Angle )來控制液晶的排列方向,亦即預先使液晶分子的長 軸與電場的方向具有一傾斜角度。一般常見的作法是利用 狹縫(Slit )與突起結構(Protrusion )之組合,於薄膜電晶 體陣列基板與具有彩色濾光片之基板上雙面加工。 (請先閱讀背面之注意事項>^寫本頁) 訂·· 線: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526365 69 97twf. doc/009 五、發明說明(>) 請參照第1圖,其繪示爲習知多區域垂直排列型液 晶顯示器之示意圖。薄膜電晶體陣列基板100上之畫素電 極101具有數個狹縫102,而具有彩色濾光片之基板104 上之畫素電極105具有數個突起結構106 °將薄膜電晶體 陣列基板100與具有彩色濾光片之基板104進行對位組裝 後,每兩狹縫102之間下方的薄膜電晶體陣列基板100上 具有一突起結構1〇6。換言之,狹縫102與突起結構106 爲交錯分佈,並不會位於同一鉛直線上。其中,位於兩基 板100、104之間的液晶分子在加電壓後會因狹縫102與 突起結構1〇6而產生相同的液晶傾倒方向。 請參照第2圖,其繪示爲習知另一種多區域垂直排 列型液晶顯示器之示意圖。薄膜電晶體陣列基板200上之 畫素電極201具有數個狹縫202a,而具有彩色濾光片之基 板204上之畫素電極2〇5具有數個狹縫202b。將薄膜電晶 體陣列基板2〇〇與具有彩色濾光片之基板204進行對位組 裝後,每兩狹縫2〇2a之間下方的薄膜電晶體陣列基板200 上具有一狹縫202b。換言之,狹縫202a與狹縫202b爲交 錯分佈,並不會位於同一鉛直線上。其中,位於兩基板200、 2〇4之間的液晶分子會因狹縫2〇2a、202b而在施加電壓 後,產生某預期方向傾倒的現象。 習知的多區域垂直排列型液晶顯示器藉由狹縫與突 起結構(或狹縫)之組合,並於薄膜電晶體陣列基板與具 有彩色濾光片之基板上雙面加工,而於兩基板上的加工增 加製作的成本。 4 (請先閱讀背面之注咅?事項3寫本頁) --霞 -·線」 本紙張尺度適國國家標準(cns)a4規----- 526365 6997twf.doc/009 A/ _B7 _ 五、發明說明()) 此外,同時於兩基板上加工所形成之狹縫與突起結 構,在進行組裝時會有對位上的誤差等因素影響到顯示器 之品質。 因此,本發明的自的在提出一種多區域垂直排列型 液晶顯示器,僅於薄膜電晶體陣列基板上進行狹縫與突起 結構之加工,因此在組裝時並不會有對位誤差影響顯示品 質的問題。 / 本發明的另一目的在提出一種多區域垂直排列型液 晶顯示器,除了於薄膜電晶體陣列基板上進行狹縫與突起 結構之加工以外,更形成一層介電層覆蓋於狹縫與畫素電 極上,使得突起結構上方之介電層較薄或暴露出突起結構 上畫素電極的表面,不但使得薄膜電晶體陣列基板的表面 較爲平坦,更可以藉此結構將液晶分子分成多個區域進行 顯示。 爲達上述目的,本發明提出一種多區域垂直排列型 液晶顯示器,係由一具有彩色濾光片之基板、一液晶層與 一薄膜電晶體陣列基板所組成。其中,薄膜電晶體陣列基 板上包括陣列排列之薄膜電晶體與畫素電極,而畫素電極 上具有數個突起結構與狹縫,且具有一上表面平坦之介電 層覆蓋於畫素電極上,使得突起結構上方之介電層較薄或 暴露出突起結構上畫素電極的表面。其中,覆蓋於狹縫或 部分畫素電極上之介電層會使其上方之電位較低。而突起 結構上方的部分,由於畫素電極上方之介電層較薄甚至直 接暴露出畫素電極,因此其電位會較高。故藉由突起結構 --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項HI寫本頁) ·. 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSW規格(210 X 297公釐) 526365 6997twf·d〇c/009 五、發明說明(f ) 與狹縫相間再搭配覆蓋其上之介電層,不但可以使得畫素 電極上方平坦化,更可將畫素電極所產生之電場扭曲,以 使液晶分子達到不同方向傾倒的效果,進而將同一畫素電 極上之液晶層分爲多個區域,以形成多區域垂直排列型液 晶顯示器。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下: 圖式之簡單說明: 第1圖繪示爲習知多區域垂直排列型液晶顯示器之 示意圖; 第2圖繪示爲習知另一種多區域垂直排列型液晶顯 示器之示意圖; 第3A圖至第3E圖繪示爲依照本發明一較佳實施例 中薄膜電晶體陣列基板之製作流程圖; 第4圖繪示爲依照本發明一較佳實施例中多區域垂 直排列型液晶顯示器中畫素之俯視圖; 第5圖繪示爲第4圖中薄膜電晶體陣列基板沿著A-A剖面之剖面示意圖; 第6圖繪示爲依照本發明一較佳實施例中薄膜電晶 體陣列基板上將兩個畫素組合之示意圖; 第7圖繪示爲依照本發明一較佳實施例中突起結構 與狹縫上方液晶分子長軸的分佈情況與其穿透率 (Transmittance )之示意圖;以及 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · 線; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 526365 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6997twf. doc/009 ^ _B7_ 五、發明說明(f ) 第8圖繪示爲依照本發明一較佳實施例中突起結構 與狹縫上方液晶分子長軸的分佈情況與其電場強度(等電 位線)分佈之示意圖。 圖式之標示說明: 100、 200 :薄膜電晶體陣列基板 101、 105、201、205 :畫素電極 102、 202a、202b :狹縫 104、204 :具有彩色濾光片之基板 106 :突起結構 3 0 0 :基板 3 0 2 :閑極 304 :介電層 306 :非晶砂層 308 :摻雜非晶矽層 — 309 :突起結構 310 :源極 312 :汲極 314 :保護層 316 :接觸窗開口 318 :畫素電極 3 20 ··狹縫 322 :介電層 較佳實施例 首先請參照第3 A圖至第3 E圖,其繪示爲依照本發 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) t! 訂· --線· 526365 6997twf.doc/009 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R7 發明說明(b) 明一較佳實施例中薄膜電晶體陣列基板之製作流程圖。首 先,請先參照第3A圖,形成一金屬層於絕緣基板300上, 再以第一道光罩製程於絕緣基板300上形成閘極302,而 閘極302之材質例如爲鉻金屬。 接著請參照第3B圖,於絕緣基板300上形成一介電 層304,其材質例如爲氮化矽(SlNx )材質。接著再於介電 層304上形成一非晶矽層306( a-Si )以及一摻雜非晶矽層 308( n+ a-Si ),藉由第二道光罩製程,將位於閘極302上 方的非晶矽層306與摻雜非晶矽層308保留,以作爲形成 源極/汲極之前置基礎。此外,並藉由第二道光罩製程, 於畫素電極上預定之位置,保留部分之非晶矽層306以形 成至少一突起結構309,突起結構309之寬度例如爲1〇微 米,而厚度例如爲0.2微米至0.3微米。 接著請參照第3C圖,形成一金屬層,例如爲鉻金屬 於絕緣基板300上,再以第三道光罩製程將閘極302上方 之部分金屬層、摻雜非晶矽層308以及非晶矽層306移除’ 以形成分離之源極310與汲極312。 接著請參照第3D圖,在源極310與汲極312形成之 後,爲了防止薄膜電晶體元件被刮傷與提升元件操作特 性,形成一保護層314於絕緣基板300上’保護層314之 材質例如爲氮化矽材質。再以第四道光罩製程,將位於源 極310上方之保護層314移除一小區域至暴露出部分源極 310爲止,以形成一接觸窗開口 316。 接著請參照第3E圖,由於薄膜電晶體液晶顯示器的 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) r»裝 訂: 526365 A7 B7 6997twf·d〇c/〇〇9 五、發明說明) 操作是利用光閥原理來控制光線是否可以通過液晶顯不 器,用以顯示這些畫素的電極必彡員具Γ備導電及透光的牛寺 1生,因此例如利用氧化姻錫層做爲畫素電極3 1 8 ^將氣化 銦錫層例如是以物理氣相沈積方式形成塡入接觸窗開口 316中,並覆蓋於絕緣基板300與突起結構309上。接著 藉由第五道光罩製程形成畫素電極318 °其中,以第五道 光罩製程可於畫素電極318上形成至少一狹縫320,狹縫 320的寬度例如爲8微米至10微米’而狹縫320的延伸方 向例如與突起結構309之延伸方向平行。然而’視製程需 求,狹縫320的延伸方向亦可不平行於突起結構309之延 伸方向。 同樣請參照第3Ε圖,在第五道光罩製程之後,形成 一上表面平坦之介電層322於畫素電極318上方,以達到 畫素電極318表面平坦化的作用,其中介電層322可以爲 例如氮化矽(SiNx ),氧化矽或其他有機物質等之介電材料 所形成者。此介電層322例如可以暴露出突起結構309上 方之畫素電極318表面或是僅以很小之厚度覆蓋於突起結 構309上方之畫素電極318上。由於覆蓋於畫素電極上之 介電層322因位置的不同而會有厚度上之差異,故藉由介 電層322的厚度差異,可以有效的將畫素電極318上方所 產生的電場扭曲,使得在畫素電極318上不同位置的液晶 分子會因不同的電場強度而達到不同方向傾倒的效果。 接著請同時參照第4圖與第5圖,其中,第4圖糸會 示爲依照本發明一較佳實施例中多區域垂直排列型液晶顯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格·(21〇 X 297公室) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526365 6997twf.doc/009 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明($) 示器中畫素之俯視圖。而第5圖繪示則爲第4圖中薄膜電 晶體陣列基板沿著A-A剖面之剖面示意圖。於第4圖的畫 素俯視圖與第5圖中可以淸楚得知,薄膜電晶體包括閘極 302、源極310、汲極312與非晶矽層306等位於畫素的角 落與畫素電極318電性連接。畫素電極318上具有至少一 狹縫320與絕緣基板300上之突起結構309交錯分佈,狹 縫320與突起結構309的延伸方向例如爲互相平行。此外, 由於畫素電極318覆蓋於突起結構309上,所以突起結構 3〇9上方之畫素電極318亦會突起。 於畫素電極318上方更覆蓋了一介電層322,介電層 322例如具有一平坦的上表面以將狹縫32〇塡滿,並將突 起結構309上方之畫素電極318裸露出來亦或是僅以很小 之厚度覆蓋於突起結構309上方之畫素電極318上。藉由 裸露出之畫素電極318(亦或是僅以很小之介電層322厚度 覆蓋於突起結構309上方之畫素電極318)、被介電層322 覆蓋之畫素電極318以及狹縫320可以使電場扭曲,進而 使絕緣基板300上方的液晶分子達到不同方向傾倒的效 果。 接著請參照第6圖,其繪示爲依照本發明一較佳實 施例中薄膜電晶體陣列基板上將兩個畫素組合之示意圖。 兩個畫素之間例如以儲存電容(未繪示)相間隔,並將兩 個畫素中的狹縫320與突起結構309的延伸方向作不同的 設計’以達到廣視角的顯示品質。 接著請參照第7圖,其繪示爲依照本發明一較佳實 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 意 事 項 I·, f 裝 訂 526365 A7 B7 6997twf.doc/009 五、發明說明(q) 施例中突起結構與狹縫上方液晶分子長軸的分佈情況與其 穿透率之示意圖。第7圖中,橫軸代表薄膜電晶體陣列基 板上之位置,左邊縱軸代表兩基板之間距’而右邊縱軸代 表光穿透率。由第7圖可淸楚得知,圖中之突起結構之中 央部位與圖左右兩側之狹縫上方的液晶層之光穿透率幾乎 爲零,而其他位置上方液晶層的光穿透率分佈很均勻,約 介於0.8至0.9之間。 最後請參照第8圖’其繪不爲依照本發明一較佳實 施例中突起結構與狹縫上方液晶分子長軸的分佈情況與其 電場強度(等電位線)分佈之不意圖。其中突起結構(位 於圖中央部位)及狹縫(位於圖左右兩側)於圖中之對應位置 與第7圖相同;由第8圖可淸楚得知,突起結構上方的電 場分佈會較狹縫上方的電場分佈強。就整個液晶顯示器而 言,薄膜電晶體陣列基板上的突起結構、狹縫再搭配介電 層,使得電場的扭曲會出現在突起結構與狹縫上方(如第 8圖所繪示),這樣的電場扭曲對於液晶分子傾倒方向上的 控制有很大的助益。 綜上所述,本發明至少具有下列優點: 1·本發明於薄膜電晶體陣列基板上同時形成突起結構 與狹縫,可避免薄膜電晶體陣列基板與具有彩色濾光片之 基板對位上之誤差。 2 ·本發明形成一層介電層於畫素電極上方,使得薄膜 電晶體陣列基板具有較佳的平坦化效果,使得液晶分子間 隙較爲均勻,進而增進顯示品質。 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵◦ x 297公爱) -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 訂·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526365 6997twf . doc/.009 五、發明說明) 3. 本發明形成一層介電層於畫素電極上方,可將畫素 電極所產生之電場扭曲,以使液晶分子達到不同方向傾倒 的效果,進而將同一畫素電極上之液晶層分爲多個區域。 4. 本發明於不同畫素中的突起結構之延伸方向可以設 計成不同方向,使其在不同的畫素中分別形成不同方向的 多個區域,同時藉由數個畫素之組合以達到廣視角的顯示 目的。 5. 本發明中所形成之狹縫與突起結構以及之後形成的 介電層,皆與目前薄膜電晶體液晶顯示器的五道製程相 容。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並非 用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之 精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項¾填寫本頁) :裝
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐)
Claims (1)
- 526365六、申請專利範圍 1. 一種多區域垂直排列型液晶顯示器,至少包括: 一第一基板,該第一基板上具有複數個薄膜電晶體、 複數個凸起結構以及複數個畫素電極,其中,該些畫素電 極位於該基板上且覆蓋於該些突起結構上,並具有複數個 狹縫,該第一基板上更具有一介電層,該介電層配置於該 些畫素電極與該些狹縫上且具有一平坦之上表面; 一'第一基板;以及 一液晶層,該液晶層位於該第一基板與該第二基板 之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該第一基板、第二基板爲玻璃基板。 3. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該第一基板係爲薄膜電晶體陣列基板。 4. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該第二基板上至少包括複數個黑矩陣與複 數個彩色濾光片。 5. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該些突起結構與該些狹縫的延伸方向係爲 互相平行。 6. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該些突起結構與該些狹縫的延伸方向係不 互相平行。 7. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該些突起結構係與該些狹縫相間排列。 請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝 · · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 526365 6997twf. doc/009 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該介電層係暴露出該些突起結構上方之該 畫素電極表面。 9. 如申請專利範圍第1項所述之多區域垂直排列型液 晶顯示器,其中該介電層係以一厚度覆蓋於該些突起結構 上方之該畫素電極表面。 10. —種薄膜電晶體陣列基板,至少包括: 一基板·, 複數個凸起結構,該些突起結構位於該基板上; 複數個薄膜電晶體,該些薄膜電晶體位於該基板上, 以提供一電場; 複數個畫素電極,該些畫素電極位於該基板上且覆 蓋於該些突起結構,並具有複數個狹縫,其中,該些突起 結構係與該些狹縫相間;以及 一介電層,該介電層覆蓋於該些畫素電極與該些狹 縫上,該介電層具有一平坦之上表面。 11. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體陣列基 板,其中該基板爲玻璃基板。 12. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體陣列基 其中該些突起結構與該些狹縫之延伸方向係爲互相平 板 行 賴難屬 13.如申請專利範圍第1 〇項所述之多¥_儀:眞拼殊垂 \ ;:( ,其中該些突起結構與該些狹縫的係14 請 先 閱 讀 背 意 事 項# 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 526365 A8 B8 C8 D8 轉:¾¾ 15.如申請專利範圍第H)項所述之 ΜΆ 69 97twf. doc/00 9 六、申請專利範圍 14.如申請專利範圍第10項所述之p ::¾¾..¾譃/j其中該些突起結構係與該鸟 濟辑其中該介電層係暴露出該些突起結構上方之 畫藥表面。 如.串^靑專利範圍第1〇項所述之 其中該介電層係以一厚度覆蓋於該些突起結 構上方之該畫素電極表面。 ------------------ (請先閱讀背面之注意事項ml寫本頁) --線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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