TWI497179B - 液晶顯示器及其面板 - Google Patents

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Description

液晶顯示器及其面板
本發明大體而言係關於一種液晶顯示器，且更特定言之，係關於其改良之薄膜電晶體(TFT)面板。
液晶顯示器(LCD)係最廣泛使用之平板顯示器中的一種。一LCD包含具有諸如像素電極之場產生電極及一共同電極的兩個面板及一插於其間之液晶(LC)層。該LCD藉由施加電壓於場產生電極以在LC層中產生一電場(其確定LC層中LC分子之定向以調整入射光之偏振)來顯示影像。
LCD之一實例為垂直排列(VA)模式LCD，其排列LC分子使得該等LC分子之長軸在不存在電場之情況下垂直於面板。VA模式LCD係受歡迎的，此歸因於其高對比率及廣參考視角。廣參考視角為(i)使對比率等於1：10之視角或(ii)用於灰度間亮度中之反轉的臨界角。
VA模式LCD之廣參考視角可藉由場產生電極中之切口或藉由場產生電極上之突起來提供。由於該等切口及突起可確定LC分子之傾斜方向，因此可藉由使用該等切口及突起將傾斜方向分成若干方向使得參考視角被拓寬。
雖然可在VA模式LCD中拓寬參考視角，但是此等LCD遭受若干缺點。舉例而言，與前方可見度相比，側向可見度之品質較差。舉例而言，在一具有切口之圖案化VA(PVA)模式LCD中，當觀看者遠離前 方時影像變得明亮。在嚴重狀況下，高灰度之間的亮度差異消失使得不能察覺影像。
此外，VA模式LCD通常具有較差回應時間。舉例而言，雖然切口或突起附近之LC分子回應於強邊緣場而以一方向迅速傾斜，但遠離切口或突起之LC分子經受較弱邊緣場且無法迅速地確定傾斜方向。因此，遠離切口或突起之LC分子被待傾斜之相鄰分子推動或碰撞。縮小切口間之距離可改良回應時間，但其亦可減小孔徑比。
本發明係針對一種具有改良之圖片品質的平板顯示器。在一實施例中，該平板顯示器包含一由透明導電材料形成且其中具有至少一個切口之共同電極。一個或多個像素區域放置於該共同電極下，且每個像素區域包含一個或多個子像素區域。一液晶(LC)層安置於該共同電極與該一個或該等多個子像素區域之間，且該LC層包含複數個LC分子。
在每個子像素區域中，形成第一像素電極及第二像素電極，該等電極彼此嚙合且圍繞一開放空間(間隙)使得其外邊界具有大體上為矩形之形狀。該第一像素電極包含面向該第二像素電極之一個或多個偏斜邊緣的一對直角三角形部分且亦包含一面向該第二像素電極之一側邊緣的縱向部分。該第二像素電極具有近似等邊四邊形之形狀。該第二電極亦可使其一邊緣安置於緊接第一儲存電極處且另一邊緣安置於緊接第二儲存電極處。形成於第一與第二電極間之間隙安置於形成於共同電極中之至少一個切口與將一像素區域自一個或多個像素區域之另一像素區域分隔開的一開口之間。
平板顯示器亦可包含一耦接於第二像素電極以形成耦接電容器的電容電極。使用中，該耦接電容器進行運作使得施加於第一像素電極之電壓的量值低於外加資料電壓，且施加於第二像素電極之電壓的 量值高於外加電壓。該等不同電壓進行運作使得安置於第一像素電極上方之LC分子的傾斜方向不同於安置於第二像素電極上方之LC分子的傾斜方向。
3‧‧‧液晶層
11,21‧‧‧排列層
81,82‧‧‧接觸助件
100,200‧‧‧面板
110,210‧‧‧絕緣基板
121,125,127‧‧‧閘極線
124a,124c‧‧‧閘極
131‧‧‧儲存電極線
133a,133b,136‧‧‧儲存電極
140‧‧‧閘極絕緣層
151,154a,154c‧‧‧半導體
161,163a,163c,165a,165b,165c‧‧‧歐姆接觸物
171,179‧‧‧資料線
173a,173c‧‧‧源極
175a,175b,175c‧‧‧汲極
176‧‧‧耦接電極
180‧‧‧鈍化層
181,182,183c,185a,185b‧‧‧接觸孔
190a,190b‧‧‧像素電極
191-193,195‧‧‧切口
220‧‧‧光阻斷部件
230‧‧‧彩色過濾器
250‧‧‧塗覆層
270‧‧‧共同電極
271-273,275‧‧‧切口
圖1為根據本發明之一實施例的LCD之TFT陣列面板之俯視圖。
圖2為根據本發明之一實施例的LCD之共同電極面板之俯視圖。
圖3為包含圖1中所示之TFT陣列面板及圖2中所示之共同電極面板的LCD之俯視圖。
圖4及5為圖3中所示之LCD分別沿線IV-IV'及V-V'之剖視圖。
圖6為圖1-5中所示之TFT陣列面板的示意性等效電路圖。
圖7說明圖1-6之LCD中若干電壓之時間變化。
圖8為一根據本發明之一實施例說明作為資料電壓之函數的LCD之第一及第二像素電極之電壓的圖表，該函數係藉由仿真來獲得。
圖9及10為圖表，其根據本發明之一實施例說明了作為被第二像素電極(PE)所佔據之區域的函數及作為第二像素電極與第一像素電極之電壓比的函數的LCD中可見度失真，該等函數係藉由仿真來獲得。
圖11A-11C為圖表，其說明了用於一未分像素、一包含具有不同電壓之兩個子像素的二等分像素及一包含具有不同電壓之三個子像素的三等分像素之前方及側向伽瑪曲線。
圖12為根據本發明之一實施例包含LCD之三等分像素的TFT陣列面板之等效電路圖。
圖13為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視圖。
圖14及15為圖13中所示之TFT陣列面板分別沿線XIV-XIV'及XV-XV'的剖視圖。
圖16為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視 圖。
圖17為根據本發明之另一實施例用於LCD之共同電極面板的俯視圖。
圖18為包含圖16中所示之TFT陣列面板及圖17中所示之共同電極面板的LCD之俯視圖。
圖19-21為圖18中所示之LCD分別沿線XIX-XIX'、XX-XX'及XXI-XXI'的剖視圖。
圖22為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視圖。
圖23及24為圖22中所示之TFT陣列面板分別沿線XXIII-XXIII'及XXIV-XXIV'的剖視圖。
下文參看隨附圖式更完全地描述本發明，其中展示本發明之較佳實施例。然而，可以許多不同形式實施本發明且不應限於本文所述之實施例來解釋本發明。
在圖式中，為清晰之目的誇示了層、膜及區域之厚度。在全文中相似數字表示相似元件。應瞭解，當稱諸如層、膜、區域或基板之元件"位於"另一元件上時，其可直接位於另一元件上或亦可存在介入元件。相反，當稱元件"直接位於"另一元件上時，不存在介入元件。
參看圖1-6詳細描述了根據本發明之一實施例的LCD。圖1為根據本發明之一實施例的LCD之TFT陣列面板之俯視圖。圖2為根據本發明之一實施例的LCD之共同電極面板之俯視圖。圖3為包含圖1中所示之TFT陣列面板及圖2中所示之共同電極面板的LCD之俯視圖。圖4及5為圖3中所示之LCD分別沿線IV-IV'及V-V'之剖視圖。
參看圖1，根據本發明之一實施例的LCD包含：一TFT陣列面板100、一共同電極面板200及一LC層3，該層插於該等面板100與200之 間且含有大體上垂直於面板100及200之表面而排列的複數個LC分子。
圖1及3-5說明根據本發明之TFT陣列面板100之一實施例。如圖所示，複數個閘極線121及複數個儲存電極線131形成於諸如透明玻璃的絕緣基板110上。
閘極線121被組態以傳輸閘極訊號且以大體上橫向方向延伸。此外，閘極線121彼此分隔開。每個閘極線121包含複數個向下突出之第一電極124a及向上突出之第二閘極124c。閘極線121可延伸以連接至一整合於基板110上之驅動電路(未圖示)。或者，複數個閘極線之一個或多個可具有一末端部分(未圖示)，該末端部分具有一用於連接(i)另一層或(ii)一外驅動電路之較大區域，其可安裝於基板110上或安裝於附著於基板110之另一裝置(諸如可撓性印刷電路膜(未圖示))上。
每個儲存電極線131亦以大體上橫向方向延伸且自相鄰閘極線121大體上等距。每個儲存電極線131包含形成儲存電極133a及133b之複數個分枝對。每個分枝對包含第一儲存電極133a及第二儲存電極133b，其兩者均向上及向下延伸。圖解情況為，第一儲存電極133a比第二儲存電極133b長得多使得第一儲存電極133a之兩個末端安置於接近閘極線121處，而第二儲存電極133b之兩個末端近似安置於閘極線121與儲存電極線131間之中點處。第二儲存電極133b在其下末端處具有一擴展物136。儲存電極線131供應有諸如共同電壓之預定電壓，其施加於LCD之共同電極面板200上之共同電極270上。每個儲存電極線131可包含以橫向方向延伸且放置於接近閘極線121之兩個莖幹狀物。
在一實施例中，閘極線121及儲存電極線131每個均較佳地由(i)含Al金屬(諸如Al或Al合金)、(ii)含Ag金屬(諸如Ag或Ag合金)、(iii)含Cu金屬(諸如Cu或Cu合金)、(iv)含Mo金屬(諸如Mo及Mo合金)而製得。此外，閘極線121及儲存電極線131之每個均由諸如(但不限 於)Cr、Ti或Ta之材料形成。
閘極線121及儲存電極線131可具有一多層結構，其包含具有不同物理特性之兩層膜：下膜(未圖示)及上膜(未圖示)。在一例示性實施例中，上膜較佳由諸如(但不限於)含Al金屬(諸如Al或Al合金)之低電阻金屬製得。將低電阻金屬用於上層中以減小閘極線121及儲存電極線131中之訊號延遲或電壓降落。另一方面，下膜可較佳地由諸如Cr、Mo或Mo合金之材料製得，其具有與諸如(但不限於)銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之其它材料的良好接觸特性。在其它實施例中，閘極線121及儲存電極線131可由其他各種金屬或導電材料製得。
在一些實施例中，閘極線121及儲存電極線131之側邊可相對於基板之表面以於約30-80度範圍內之傾角傾斜。
此外，較佳由氮化矽(SiNx)製得之閘極絕緣層140可形成於閘極線121及儲存電極線131上。
較佳由氫化非晶矽(縮寫為"a-Si")或多晶矽製得之複數個半導體帶151隨後形成於閘極絕緣層140上。如圖解所示，每個半導體帶151可大體以縱向方向延伸且具有朝向第一及第二閘極124a及124c而發出分枝之複數個突出物154a及154c。
在一實施例中，可由矽化物或以諸如磷之n型雜質重摻雜之n+氫化a-Si而製得之複數個歐姆接觸帶161及歐姆接觸島狀物163c及165a-165c形成於半導體帶151上。每個歐姆接觸帶161具有複數個突出物163a，且該等突出物163a及歐姆接觸島狀物165a及165b成組位於半導體帶151之突出物154a上。歐姆接觸島狀物163c及165c可成對位於半導體帶151之突出物154c上。
此外，在一實施例中，半導體帶151及歐姆接觸物161及165之側邊可相對於基板之表面以於約30-80度範圍內之傾角傾斜。
在圖5中所示之實施例中，複數個資料線171形成於相應複數個 歐姆接觸物161上。如圖4中所示，複數個第一源極173a形成於相應複數個歐姆接觸物163a上。此外，複數個第一汲極175a及第二汲極175b分別形成於相應複數個歐姆接觸物165a及165b上。再次參看圖5，複數個第二源極173c形成於歐姆接觸物163c上，且複數個第三汲極175c形成於歐姆接觸物165c上。
參看圖1，用於傳輸資料電壓之資料線171可以大體縱向方向延伸以與閘極線121及儲存電極線131相交。每個資料線171安置於相鄰分枝組133a與133b之間且包含一末端部分179，該末端部分具有一用於與另一層或外部裝置相接觸之較大區域。
如圖1中所示，每個資料線171可包含朝向第一及第二汲極175a及175b突出之複數個分枝。此等分枝形成安置於歐姆接觸物163a上之第一源極173a。
第一汲極175a具有分別安置於歐姆接觸物165a上(與第一閘極124a相對)之一個末端部分。此外，第二汲極175b具有分別安置於歐姆接觸物165b上(與第一閘極124a相對)之一個末端部分。兩複數個汲極175a及175b向下延伸且大體上彼此平行且具有擴展用於接觸另一層之其它末端部分。如圖解所示，第二汲極175b之長度可長於第一汲極175a之長度使得第二汲極175b之擴展之末端部分位於第二儲存電極133b之末端附近。第一源極173a之每一個均可兩次彎曲使得兩次彎曲之部分分別部分地圍繞第一及第二汲極175a及175b之末端部分。
參看圖1之底部區域，第二源極173c具有一安置於歐姆接觸物163上(與第二閘極124相對)之末端。第三汲極175c具有一安置於歐姆接觸物165c上(與第二閘極124c相對)之末端。第二源極173c及第三汲極175c均向上延伸且大體上彼此平行。第二源極173c之每一個均具有擴展用於接觸另一層之另一末端部分，且第三汲極175c之每一個均具有一稱作耦接電極的擴展之末端部分176，其與儲存電極133b之擴展連 接器136重疊。
參看圖1之頂端部分，第一TFT"Q1"係藉由第一閘極124a、第一源極173a連同半導體帶151之一突出物154a而形成。第二TFT"Q2"係藉由第一閘極124a、第一汲極175連同半導體帶151之一突出物154a而形成。一通道形成於安置於第一源極173a與第一/第二汲極175a/175b間之突出物154a之一部分中。類似地，參看圖1之底部部分，第二閘極124c、第二源極173c及第三汲極175c連同半導體帶151之一突出物154c一起形成第三TFT Q3，其具有一形成於安置於第二源極173c與第三汲極175c間之突出物154c之一部分中的通道。
資料線171、第二源極173c及汲極175a-175c較佳地由諸如(但不限於)Cr、含Mo金屬、Ti、含Ti金屬或含Al金屬之難熔金屬製得。此等元件之每一個可具有一多層結構，其包含一較佳地由難熔金屬製得之下膜(未圖示)及一位於其上且較佳地由低電阻材料製得之上膜(未圖示)。
正如閘極線121及儲存電極線131，資料線171、第二源極173c及汲極175a-175c可具有錐形側邊且傾角在約30-80度之範圍內。
歐姆接觸物161、163a及165a-165c僅插於(i)下方半導體帶151與上方資料線171之間，且(ii)於第二源極173c與其上之上方汲極175a-175c之間以減少其間之接觸電阻。半導體帶151可包含未由資料線171、第二源極173c或汲極175a-175c覆蓋之複數個曝露部分。圖解情況為，此等曝露部分可位於源極173a及173c與汲極175a-175c之間。
參看圖4，鈍化層180可形成於資料線171、第二源極173c及汲極175a-175c，以及半導體帶151之曝露部分上。在一實施例中，該鈍化層180較佳地由具有良好平坦特性之感光有機材料製得。圖解情況為，此材料可包含具有低於約4.0之介電常數的低介電絕緣材料，諸如(但不限於)a-Si：C：O及a-Si：O：F。此等材料可由電漿增強化學氣相沈 積(PECVD)而形成。或者，該材料可包含諸如氮化矽之無機材料。鈍化層180可包含一由無機絕緣體形成之下膜及一由有機絕緣體形成之上膜。
如圖5中所示，鈍化層180具有分別曝露資料線171之末端部分179、第二源極173c之擴展末端部分、及第一及第二汲極175a及175b之擴展末端部分的複數個接觸孔182、183c、185a及185b。
在一實施例中，較佳由諸如ITO及IZO之透明導體或諸如Al之反射性導體製得之複數對第一及第二像素電極190a及190b及複數個接觸助件82形成於鈍化層180上。
第一/第二像素電極190a/190b藉由接觸孔185a/185b於實體上電連接至第一/第二汲極175a/175b，使得第一/第二像素電極190a/190b接收來自第一/第二汲極175a/175b之資料電壓。此外，第一像素電極190a藉由接觸孔173c連接至第二源極173c，且第二像素電極190b與連接至第三汲極175c之耦接電極176重疊。
當供應有資料電壓時，像素電極190a及190b與共同電極270合作產生電場，其對液晶層3中之液晶分子再次定向。
像素電極190a/190b及共同電極270形成液晶電容器，其在TFT斷開之後儲存外加電壓。提供一平行連接至液晶電容器之稱作"儲存電容器"的額外電容器用於增強電壓儲存能力。儲存電容器係藉由將像素電極190a及190b與儲存電極線131及儲存電極133a及133b重疊來實施。
參看圖1及3，一對第一及第二像素電極190a及190b彼此嚙合且圍繞一開放空間(下文，"間隙")使得其外邊界具有大體上為矩形之形狀。在一實施例中，可將第二像素電極190b定形為類似一旋轉等邊四邊形。第二像素電極可使其左邊緣安置於接近第一儲存電極133a處，右邊緣安置於接近第二儲存電極133b處，且一對上及下偏斜邊緣之每 個均與閘極線121成約45度角。
第一像素電極190a可包含面向第二像素電極190b之偏斜邊緣的一對直角三角形部分及一面向第二像素電極190b之左邊緣的縱向部分。因此，第一像素電極190a與第二像素電極190b間之間隙可包含一對偏斜下及上部分191及193，其兩者每個均具有大體均勻之寬度且與閘極線121成約45度角。該間隙亦可包含一具有大體上均勻之寬度的縱向部分。如圖所示，偏斜部分191及193長於該縱向部分。
如圖1中所示，第二像素電極190b可具有一切口192，其沿儲存電極線131延伸以將第二像素電極190二等分為下及上分割物。該切口192可自第二像素電極190b之右邊緣具有一入口。此外，切口192之入口可具有分別大體上平行於間隙之下偏斜部分191及上偏斜部分193之一對偏斜邊緣。間隙191及193及切口192大體上具有相對於儲存電極線131之反對稱性。
分割物之數量或切口之數量可依設計因素(諸如，像素之尺寸、第一及第二像素電極190a及190b之橫向邊緣與縱向邊緣之比、液晶層3之類型及特性，等等)而變化。為描述之便利，間隙191及193有時可稱為切口。因此，在一實施例中，儲存電極線131可進一步包含與切口191-193重疊之複數個分枝(未圖示)。
如圖1中圖解所示，接觸助件82可藉由接觸孔182連接至資料線171之末端部分179。接觸助件82保護末端部分179且補充末端部分179與外部裝置間之黏著力。
以下參看圖2-5描述了共同電極面板200。
參看圖4及5，一稱作黑色矩陣用於防止光洩漏之光阻斷部件220形成於諸如透明玻璃之絕緣基板210上。該光阻斷部件220可包含面向像素電極190之複數個開口，且其可具有與像素電極190大體相同之形狀。然而，光阻斷部件220可具有多種形狀，用於阻斷像素電極190a 及190b及圖1中所示之TFT Q1-Q3附近之光洩漏。
複數個彩色過濾器230可形成於基板210上，且大體安置於由光阻斷部件220所圍繞之區域內。該等彩色過濾器230可大體上沿著沿像素電極190之縱向方向延伸。彩色過濾器230可代表諸如紅、綠及藍色之三原色之一。
一用於防止彩色過濾器230曝露且用於提供平坦表面之塗覆層250可形成於彩色過濾器230及光阻斷部件220上。
如圖2及4中圖解所示，較佳由諸如ITO或IZO之透明導電材料製得之共同電極270可形成於塗覆層250上，且可包含複數組切口271-273。
參看圖2，切口271-273之組面向像素電極190，且包含一下切口271、一中央切口272及一上切口273。切口271-273之每一個均安置於像素電極190之相鄰切口191-193(圖1)之間或於像素電極190之切口191或193與削邊緣之間。此外，切口271-273之每一個具有平行於像素電極190之下切口191或上切口193而延伸之至少一個偏斜部分，且彼此平行的切口271-273及191-193、其偏斜部分、其偏斜邊緣與像素電極190之削邊緣間之相鄰兩個間的距離係大體上相同。切口271-273大體上具有相對於第三儲存電極133c之反對稱性。
如圖2中所示，下及上切口271及273之每一個均可包含一偏斜部分，其自約像素電極190之左邊緣延伸至約像素電極190之下或上邊緣，且橫向及縱向部分自偏斜部分之各個末端沿著像素電極190之邊緣延伸以與像素電極190之邊緣重疊且與偏斜部分成鈍角。
在一實施例中，中央切口272亦可包含一自約像素電極190之左邊緣沿著第三儲存電極133c而延伸之中央橫向部分，自該中央橫向部分之一末端延伸至約像素電極之右邊緣且與中央橫向部分成鈍角之一對偏斜部分，及自各個偏斜部分之末端沿著像素電極190之右邊緣而 延伸之一對終端縱向部分。該對縱向部分可與像素電極190之右邊緣重疊，且與各個偏斜部分成鈍角。
切口271-273之數量可依設計因素而變化。類似地，在一實施例中，光阻斷部件220亦可與切口271-273重疊以阻斷通過切口271-273之光洩漏。
參看圖4及5，用於排列LC分子之排列層11及21可塗覆於面板100及200之內表面上。交叉偏光器12及22分別提供於面板100及200之外表面上，使得偏光器12及22中的一個的透射軸平行於橫向方向。術語"交叉"此處包含一種組態，即，一偏光器之透射軸與另一偏光器之透射軸反向。當LCD為反射型LCD時可省略該等偏光器中的一個。
在一實施例中，LC層3具有負介電各向異性，且排列LC層3中之LC分子使得其長軸在不存在電場之情況下大體上垂直於面板之表面。
如上所提及，切口191-193及271-273之組將一對第一及第二像素電極190a及190b分成複數個子區域。如圖3中所示，每個子區域具有兩個主邊緣。切口191-193及271-273控制LC層3中LC分子之傾斜方向，下文進一步描述。此外，電極190a、190b及270之切口191-193及271-273使電場失真以具有一水平分量。電場之水平分量垂直於切口191-193及271-273之邊緣。因此，子區域上LC分子之傾斜方向不同且因此擴大了參考視角。
切口191-193及271-273中至少一個可被突起或凹陷而取代，且可修改切口191-193及271-273之形狀或配置。
此外，可修改耦接電極176之形狀及位置。
圖6將圖1-5之TFT陣列面板100描繪為一示意性等效電路。如圖6中所示，TFT陣列面板100包含複數個閘極線、複數個資料線及複數個像素。每個像素包含一對第一及第二像素電極190a及190b，第一、 第二及第三TFT Q1-Q3，及一耦接電極176。如前所述，第一/第二TFT Q1/Q2連接至一閘極線、一供應有資料電壓之資料線及第一/第二像素電極190a/190b。第三TFT Q3連接至一與連接至第一及第二TFT Q1及Q2之閘極線相鄰之閘極線。第三TFT Q3亦連接至第一像素電極190a及耦接電極176。耦接電容器電極176電容性耦接至第二像素電極190b以形成一耦接電容器Cbc。
現在，詳細描述一像素之一實施例之說明性性能。
當連接至第一及第二TFT Q1及Q2之閘極線被供應有閘極開啟電壓時，第一及第二TFT Q1及Q2開啟以將資料電壓傳輸至第一及第二像素電極190a及190b。此時，電容性耦接至第二像素電極190b且具有一於先前訊框中所充之電壓的耦接電極176可改變其電壓。當閘極線被供應有閘極斷開電壓時，第一及第二像素電極190a及190b變為浮動的。當連接至第三TFT Q3之相鄰閘極線被供應有閘極開啟電壓時，第三TFT Q3開啟以電連接第一像素電極190a及耦接電極176使得第一像素電極190a及耦接電極176具有相等電壓。耦接電極176與第二像素電極190b間之電容性耦接亦改變第二像素電極190b之電壓。因此，第一像素電極190a之電壓相對於共同電壓之量值變為低於初始資料電壓，而第二像素電極190b之電壓相對於共同電壓之量值變為高於初始資料電壓。以此方式，第一及第二像素電極190a及190b具有不同電壓，其減小了伽瑪曲線之失真且改良了圖片品質。參看圖7更詳細地描述此等改良。
圖7說明圖1-6之LCD中若干電壓之時間變化。在圖7中，字母"A"及"B"分別表示第一及第二像素電極190a及190b之電壓。字母"C"表示耦接電極176之電壓。字母"D"及"E"分別表示施加於閘極線121及下一閘極線121之訊號。且字母"F"表示施加於資料線171之資料電壓。字母Vcom指示共同電極270之電壓。
如圖7中所示，於隨後兩個訊框(意即，第n個及第(n+1)個訊框)之每個中可觀察五個電壓變化。
在一試驗中，在連接至第一及第二TFT Q1及Q2之閘極線被供應有閘極開啟電壓以開啟第一及第二TFT Q1及Q2時，第一及第二像素電極190a及190b及耦接電極176之電壓A、B及C被稍稍改變，其歸因於由第一及第二TFT Q1及Q2之汲極175a及175b與閘極124a間之寄生電容所導致之反沖(kickback)。
在第一及第二TFT Q1及Q2開啟以傳輸相對於共同電壓Vcom具有負極性之資料電壓F之後，第一及第二像素電極190a及190b之電壓A及B被改變以具有與資料電壓F相同之值。此時，耦接電極176之電壓C亦被與第二像素電極190b之電容性耦接改變。然而，電壓C中之改變小於第一及第二像素電極190a及190b之電壓A及B中之改變使得相對於共同電壓Vcom之電壓C小於相對於共同電壓Vcom之電壓A及B。
當閘極線被供應有閘極斷開電壓以斷開第一及第二TFT Q1及Q2時，第一及第二像素電極190a及190b及耦接電極176之電壓A、B及C再次歸因於反沖而受到稍稍改變。
在連接至第三TFT Q3之下一閘極線被供應有閘極開啟電壓以開啟第三TFT Q3時，第一及第二像素電極190a及190b及耦接電極176之電壓A、B及C被稍稍改變，其歸因於由第三TFT Q3之汲極175c與閘極124b間之寄生電容所導致之反沖。
在第三TFT Q3開啟以電連接第一像素電極190a及耦接電極176之後，第一像素電極190a及耦接電極176之電壓A及C變為彼此相等且第二像素電極190b之電壓B亦被改變。詳言之，第一像素電極190a之電壓A變得增加，而第二像素電極190b之電壓B變得減小。就電壓A及B減去共同電壓Vcom之絕對值而言，第一像素電極190a之電壓A減小，而第二像素電極190b之電壓B增加。換而言之，| A-Vcom |自| F-Vcom | 減小且| B-Vcom |自| F-Vcom |增加。
當下一閘極線供應有閘極斷開電壓以斷開第三TFT Q3時，第一及第二像素電極190a及190b及耦接電極176之電壓A、B及C再次歸因於反沖而受到稍稍改變。然而，| A-Vcom |仍小於| F-Vcom |且| B-Vcom |仍大於| F-Vcom |。
在一實施例中，第一與第二像素電極190a與190b間之電壓差之量值可藉由若干電容來加以確定。舉例而言，藉由耦接電容器Cbc(下文稱為"耦接電容"且亦由參考符號"Cbc"表示)之電容及耦接電極176與第二儲存電極133b之擴展物136間之儲存電容(下文中由"Cstc"表示)。在一實施例中，耦接電極176與第二儲存電極133b之擴展物136間之儲存電容Cstc較佳地在第一像素電極190a與儲存電極線131間之儲存電容(下文中由"Csta"表示)的約1/10-1/3之範圍內。此外，耦接電容Cbc較佳地類似於儲存電容Cstc。在一特定實施例中，電容Cbc及Cstc中的一個較佳地約比Cbc及Cstc之另一個小兩倍。
此外，在一實施例中，耦接電極176較佳由第二像素電極190b完全加以覆蓋使得耦接電容176與共同電極270間之電容大體上消失。耦接電極176、第二像素電極190b及儲存擴展物136之同時重疊產生最大孔徑比。然而，在其它實施例中，儲存擴展連接器136不需要與耦接電極176重疊，且儲存電極線131及耦接電極176之配置及形狀可具有各種修改。
此外，在另一實施例中，第一汲極175a與第一閘極124a間之寄生電容(下文中以"Cgda"表示)較佳具有類似於第二汲極175b與第一閘極124a間之寄生電容(下文中以"Cgdb"表示)的量值。此外，第三汲極175c與第二閘極124b間之寄生電容(下文中以"Cgdc"表示)可大於寄生電容Cgdb。
其次，參看圖8詳細描述了第一及第二像素電極190a及190b之電 壓與資料電壓間的關係。
圖8為一根據本發明之一實施例說明作為資料電壓之函數的LCD的第一及第二像素電極之電壓的圖表，該函數係藉由仿真來獲得。圖例中之字母A及B分別指示第一及第二像素電極190a及190b之電壓。
如圖8中所示，當資料電壓等於2V時，第一與第二像素電極190a與190b間之電壓差等於約0.59V。當資料電壓等於約5.0V時，該電壓差等於約1.19V。類似地，當資料電壓等於5V時，第一像素電極190a之電壓降落等於約0.55V，且第二像素電極190b之電壓升高等於約0.64V。在其它實施例中，如上所述可藉由改變電極之電容或面積而調整電壓降落及電壓升高。
在一實施例中，在最佳條件下，第一像素電極190a之面積與第二像素電極190b之面積之比較佳在自約50：50至約80：20之範圍內，更佳地在自約70：30至約80：20之範圍內。類似地，第一像素電極190a之電壓與第二像素電極190b之電壓之比在自約1：1.3至約1：1.5之範圍內，將參看圖9及10對其進行詳細描述。
圖9及10為圖表，其根據本發明之一實施例分別說明了作為第二像素電極(PE)之區域佔據(譬如，所佔據之區域)的函數及作為第二像素電極與第一像素電極之電壓比的函數的LCD中可見度失真，其係藉由仿真來獲得。在右側及對角側的60度之視角下獲得所示之結果。
如圖9中所示，對於等於約20-30%之區域佔據而言，可見度失真可最小化。因此，第一像素電極190a與第二像素電極190b之面積之比較佳地在自約80：20至約70：30的範圍內。
如圖10中所示，可見度失真展示對於約1.3-1.5之示意性範圍中之電壓比而言的最小值。
現在，參看圖11A-11C詳細描述藉由提供一像素中具有不同電壓之兩個像素電極的伽瑪曲線失真補償原理。
圖11A-11C為圖表，其說明了用於一未分像素、一包含具有不同電壓之兩個子像素的二等分像素及一包含具有不同電壓之三個子像素的三等分像素之前方及側向伽瑪曲線。灰度包含第一至第64灰度，且前方伽瑪曲線係藉由一實線來加以說明，而側向伽瑪曲線係藉由一虛線來加以說明。
圖11A中所示之側向伽瑪曲線於前方伽瑪曲線上方嚴重失真。詳言之，低灰度處之亮度突然變化以導致側向伽瑪曲線之嚴重失真。
圖11B表示自二等分像素收集之資料，該二等分像素包含藉由TFT或耦接電極而電容性耦接之第一及第二LC電容器。第一及第二LC電容器所充電壓分別高於及低於資料電壓減去共同電極之值。在低灰度處，第二LC電容器大體上維持黑色狀態且第一LC電容器主要有助於顯示影像，從而減小了像素(其藉由"子像素1"來表示)之亮度。然而，在高灰度處，第二LC電容器亦有助於顯示影像以增加像素(其藉由"子像素2"來表示)之亮度。因此，如圖11B中所示降低了側向伽瑪曲線之失真。
類似地，如圖11C中所示，極大地降低了三等分像素之側向伽瑪曲線之失真。
圖12為根據本發明之一實施例包含LCD之三等分像素的TFT陣列面板之等效電路圖。如圖12所描繪的，該TFT陣列面板包含複數個閘極線、複數個資料線及複數個像素。每個像素包含第一、第二及第三像素電極190a-190c，第一、第二、第三及第四TFT Q1-Q4，及一耦接電極176。
在一實施例中，第一/第二/第三TFT Q1/Q2/Q3每一個均分別連接至閘極線、供應有資料電壓之資料線及至每一個第一/第二/第三像素電極190a/190b/190c。第四TFT Q4連接至與連接至第一至第三TFT Q1-Q3之閘極線相鄰的一閘極線。TFT Q4亦連接至第一像素電極190a 及耦接電極176。耦接電容器電極176電容性耦接至第二像素電極190b以形成一耦接電容器Cbc。
使用中，如以上參看圖6之描述，第一像素電極190a之電壓相對於共同電壓之量值變得低於初始資料電壓，而第二像素電極190b之電壓相對於共同電壓之量值變得高於初始資料電壓。然而，第三像素之電壓保持約等於初始資料電壓。因此，第一至第三像素電極190a-190b具有不同電壓，從而極大地降低了伽瑪曲線之失真。
參看圖13-15詳細描述根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板。
圖13為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視圖，且圖14及15為圖13中所示之TFT陣列面板分別沿線XIV-XIV'及XV-XV'的剖視圖。
根據此實施例之TFT陣列面板之層結構幾乎與圖1-5中所示之彼等相同。因此，閘極線121包含複數個第一閘極124a及第二閘極124c。儲存電極線131包含複數個儲存電極133a、133b及133c。如圖所示，所有此等組件均形成於基板110上。包含於基板110上之組件還有：閘極絕緣層140、複數個半導體帶151(包含複數個突出物154a及154c)及複數個歐姆接觸帶161(包含複數個突出物163a)及複數個歐姆接觸島狀物163c及165a-165c。複數個資料線171(包含複數個第一源極173a)、複數個第二源極173c及複數個第一至第三汲極175a、175b及175c(包含耦接電極176之175c)分別形成於歐姆接觸物161、163c及165a-165c上。鈍化層180形成於資料線171上方。複數個接觸孔182、183c、185a及185b提供於鈍化層180及閘極絕緣層140處。此外，複數對像素電極190a及190b，及複數個接觸助件82形成於鈍化層180上。
不同於圖1-5中所示之TFT陣列面板，半導體帶151具有與資料線171、源極173a及173c、及汲極175a-175c，以及下方歐姆接觸物 161、163c及165a-165c幾乎相同之平面形狀。然而，半導體帶151之突出物154a及154c包含未由資料線171等覆蓋之一些曝露部分，諸如位於源極173a及173c與汲極175a-175c間之部分。
此外，每一個閘極線121具有一擴展之末端部分129，其具有一用於與另一層或外部裝置接觸之較大區域。此外，每一個閘極絕緣層140及鈍化層180具有曝露閘極線121之末端部分129的複數個接觸孔181。複數個歐姆接觸物81形成於鈍化層180上且該等接觸物藉由接觸孔181而接觸閘極線121之末端部分129。
此外，根據此實施例之TFT陣列面板提供複數個彩色過濾器230於鈍化層180下方。如圖17中所示，彩色過濾器230之每一個均大體安置於像素電極190上，且可連接成行排列之彩色過濾器230以形成一個帶。彩色過濾器230具有複數個開口233c、235a及235b，其分別曝露第三源極183c、第一汲極175a，及第二汲極175b，且分別環繞接觸孔183c、185a及185b。彩色過濾器230未安置於具有閘極線121之擴展末端部分129及閘極線171之擴展末端部分179的周邊區域上。雖然圖15展示相鄰彩色過濾器230之邊緣精確地彼此匹配，但是彩色過濾器230可於資料線171上彼此重疊以增強光阻斷。或者，其可彼此間隔開。當彩色過濾器230彼此重疊時，可省略共同電極面板上之光阻斷膜。
根據一實施例之TFT陣列面板之製造方法使用一種光微影處理而同時形成資料線171、源極173a及173c、汲極175a-175c、半導體151，及歐姆接觸物161、163c及165a-165c。
用於光微影處理之光阻圖案具有依位置而定之厚度，且詳言之，其具有第一及第二部分，該等部分具有減小之厚度。第一部分位於將被資料線171、源極173a及173c，及汲極175a-175c所佔據之導線區域上；且第二部分位於TFT Q1-Q3之通道區域上。
光阻之依位置而定之厚度係藉由若干技術來獲得，譬如，藉由 於曝露光罩上提供半透明區域，以及透明區域及光阻斷不透明區域。半透明區域可具有一裂縫圖案、一晶格圖案、一(多個)具有中間透射率或中間厚度之薄膜。當使用裂縫圖案時，裂縫之寬度或裂縫間之距離較佳小於用於光微影之曝光器的解析度。在另一實施例中，可使用可軟熔之光阻。舉例而言，使用一僅具有透明區域及不透明區域之正常曝露光罩來形成由可軟熔材料製得之光阻圖案。其後，該可軟熔之材料經受軟熔處理使得該材料流至無光阻之區域上，從而形成較薄之部分。
使用上述說明性光阻之實施例藉由省略一光微影步驟而改良製造方法。
圖1-5中所示之LCD之許多上述特徵可包含於圖13-15中所示之LCD中。
將參看圖16-21詳細描述根據本發明之另一實施例之LCD。圖16為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視圖。圖17為根據本發明之另一實施例用於LCD之共同電極面板的俯視圖。圖18為包含圖16中所示之TFT陣列面板及圖17中所示之共同電極面板的LCD之俯視圖。圖19-21為圖18中所示之LCD分別沿線XIX-XIX'、XX-XX'及XXI-XXI'的剖視圖。
參看圖16-21，根據此實施例之LCD亦包含一TFT陣列面板100、一共同電極面板200及一插於其間之LC層3。
根據此實施例之面板100及200之層結構與圖1-5中所示之彼等幾乎相同，且因此不再詳細描述以避免使本發明不必要地變得複雜。然而，根據此實施例之LCD之佈局不同於圖1-5中所示之LCD。
舉例而言，如圖所示，每一個資料線171包含複數對偏斜部分及複數個縱向部分使得其週期性彎曲。一對偏斜部分彼此連接以形成V形且該對偏斜部分之相對末端連接至各個縱向部分。資料線171之偏 斜部分與閘極線121成約45度角，且縱向部分與閘極線121交叉且包含朝向第一及第二閘極124a及124c突出之第一及第二源極173a及173c。
一對偏斜部分之長度為縱向部分之長度的約一至九倍。換而言之，縱向部分之長度為該對偏斜部分之總長度的約50-90%。可對連接於相鄰縱向部分間之偏斜部分的數量及形狀進行不同修改。
每對第一及第二像素電極190a及190b可大體上位於由資料線171及閘極線121所圍繞之區域內。該等像素電極亦形成一具有複數個外邊緣之V形，其包含兩對偏斜邊緣、兩對縱向邊緣及一對橫向上及下邊緣。
在一實施例中，第二像素電極190b幾乎被第一像素電極190a圍繞且自上述V形之相對偏斜外邊緣大體上等距。第二像素電極190b可具有窄V形之形狀，其具有(i)大體上平行於資料線171之偏斜部分的兩對偏斜邊緣，(ii)連接至該等兩對偏斜邊緣之一且大體上平行於資料線171之縱向部分的一對縱向邊緣，(iii)一連接至該等兩對偏斜邊緣之另一對且大體上垂直於偏斜邊緣之另一對的偏斜上邊緣，及(iv)一連接至該對縱向邊緣且形成該對第一及第二像素電極190a及190b之外邊界的橫向下邊緣。
第一像素電極190a可具有面向第二像素電極190b之偏斜邊緣及縱向邊緣的複數個內邊緣。
因此，第一與第二像素電極190a與190b間之間隙195可具有一跟隨第一及第二像素電極190a及190b之內邊緣形狀的形狀。在一實施例中，該間隙195具有較佳等於約2-5微米之寬度。
此外，安置於第一汲極175a附近之第一及第二像素電極之偏斜邊緣可沿第一汲極175a之邊緣稍稍彎曲。第二源極173b及第一及第二汲極175a及175b之擴展物的形狀可具有諸如菱形及平行四邊形之多種修改。詳言之，擴展物可具有平行於資料線171之偏斜部分及第一及第 二像素電極190a及190b之偏斜邊緣的偏斜邊緣。舉例而言，圖16展示第二源極173c之每一個均可包含一具有一倒角之矩形擴展物。圖16進一步展示每個耦接電極176可具有平行於與其相鄰之像素電極190a及190b之一邊緣的一對偏斜邊緣及連接至該對偏斜邊緣且垂直於該對偏斜邊緣的另一偏斜邊緣。
接觸孔182、183c、185a及185b可具有諸如多邊形或圓形之各種形狀。接觸孔182、183c、185a及185b之側壁可傾斜約30-80度之角或具有階梯式構型。每個接觸孔182具有較佳等於或大於約0.5mm×約15μm且不大於約2mm×約60μm之面積。
雖然圖16-21中所示之TFT陣列面板不包含儲存電極線，但是其亦可包含複數個儲存電極線，該等線包含具有近似於像素電極190a及190b及資料線171之形狀的各種形狀之儲存電極。
在一實施例中，共同電極270具有複數個似V形之切口275。每個切口275包含一對彼此連接之偏斜部分、一連接至該等偏斜部分中的一個的橫向部分，及一連接至該等偏斜部分之另一個的縱向部分。切口275之偏斜部分可大體上平行於資料線171之偏斜部分延伸且面向第二像素電極190b使得可將第一及第二像素電極190a及190b中的每個均二等分為大體上相等之左右兩半。切口275之每個偏斜部分可包含一將該等左及右兩半中之每一個二等分為下及上四分之一的橫向分枝(未圖示)。切口275之橫向及縱向部分分別與像素電極190之橫向及縱向邊緣對準，且其可與切口190之偏斜部分成鈍角。切口275較佳地具有在約9-12微米之範圍內的寬度，且可被較佳地由有機材料製得且較佳地具有在約5微米至約10微米之範圍內之寬度的突起所取代。
光阻斷部件220可包含面向閘極線121及資料線171之複數個線性部分。其可進一步包含複數個矩形部分，該等矩形部分面向TFT使得光阻斷部件220防止像素電極190間之光洩漏且界定面向像素電極190 之開放區域。
彩色過濾器230可大體上安置於由光阻斷部件220所界定之開放區域中且因此其亦可具有似V形之形狀。此外，配置於縱向方向上安置於兩個相鄰資料線171中之彩色過濾器230可彼此連接以形成一帶。
使用中，當共同電壓施加於共同電極270且資料電壓施加於LCD之像素電極190a及190b時，產生一大體上垂直於面板100及200之表面的一次電場。LC分子藉由改變其定向來回應該電場，從而使得其長軸變得定位於垂直於該電場之方向。同時，共同電極270之切口275及像素電極190a及190b之外邊緣使一次電場失真以具有一確定LC分子之傾斜方向之水平分量。一次電場之水平分量垂直於切口275之邊緣及像素電極190a及190b之外邊緣。
因此，具有不同傾斜方向之四個子區域形成於LC層3之一像素區域中，像素電極190a及190b位於該區域中。圖解情況為，該等四個子區域被(i)一對像素電極190a及190b之外邊緣，(ii)二等分該等像素電極190a及190b之一切口275，及(iii)一經過切口275之偏斜部分交彙點的假想橫向中心線而分割。在一實施例中，每個子區域具有分別由切口275及像素電極190a及190b之偏斜外邊緣所界定之兩個主邊緣。子區域被分類成基於傾斜方向之複數個領域。在一實施例中，較佳地使用四個領域。
因為第二像素電極190b之電壓高於第一像素電極190a之電壓，因此水平分量產生於電場中接近間隙195處。在一實施例中，此水平分量指示與接近第一像素電極190a之相鄰外邊緣處電場之一水平分量相同之方向。因此，接近間隙195之水平分量增強了子區域中LC分子之傾斜方向的確定且減少了回應時間，而不會在接近間隙275處產生光洩漏。在一實施例中，間隙195亦減小了孔徑比。依其幾何形狀而定，間隙195可產生電場之一水平分量，其平行或反平行於子區域中 LC分子之傾斜方向。
在一實施例中，歸因於相鄰第一像素電極190a間之電壓差的二次電場之方向可垂直於切口275之邊緣。若如此，則二次電場之方向將與一次電場之水平分量的方向一致。因此，形成於第一像素電極190a間之二次電場應增強LC分子之傾斜方向的確定。
圖21展示以虛線描繪的由此而產生之等位線，其藉由仿真而獲得。
由於LCD執行反轉(諸如點反轉、行反轉等等)，因此相鄰像素電極供應有具有相對於共同電極之相反極性的資料電壓。因此，幾乎總是產生相鄰像素電極間之二次電場以增強領域之穩定性。
由於所有領域之傾斜方向與閘極線121(其平行或垂直於面板100或200之邊緣)成約45度角，且傾斜方向之45度相交及偏光器之透射軸給出了最大透射率，因此可附著偏光器使得該等偏光器之透射軸平行或垂直於面板100及200之邊緣。此減小了產品成本。
圖16-21中所示之LCD可具有若干修改。
舉例而言，像素電極190以及共同電極270可具有用於產生邊緣場之切口(未圖示)。此外，該等切口可被安置於共同電極270或像素電極190a及190b上之突起取代。
依設計因素(諸如像素之尺寸、像素電極190a及190b之寬度與長度之比、液晶層3之類型及特性，等等)而定可改變該等切口或突起之形狀及配置。
圖1-5中所示之LCD的許多上述特徵可存在於圖16-21中所示之LCD。
將參看圖22-24詳細描述根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板。
圖22為根據本發明之另一實施例用於LCD之TFT陣列面板的俯視 圖，且圖23及24為圖22中所示之TFT陣列面板分別沿線XXIII-XXIII'及XXIV-XXIV'的剖視圖。
根據此實施例之TFT陣列面板的層結構及佈局與圖16-21中所示之彼等幾乎相同。
如圖解所示，包含複數個第一閘極124a及第二閘極124c之複數個閘極線121形成於基板110上。閘極絕緣層140、包含複數個突出物154a及154c之複數個半導體帶151亦形成於該基板上。其後，包含複數個突出物163a之複數個歐姆接觸帶161，及複數個歐姆接觸島狀物163c及165a-165c形成於該基板上。如前所述，複數個資料線171(包含複數個第一源極173a)、複數個第二源極173c，及複數個第一至第三汲極175a-175c(包含耦接電極176)分別形成於歐姆接觸物161、163c及165a-165c上。此外，鈍化層180可形成於該等資料線上。複數個接觸孔182、183c、185a及185b可配置於鈍化層180及閘極絕緣層140處。此外，被間隙195分隔開之複數對像素電極190a及190b，及複數個接觸助件82可形成於鈍化層180上。
不同於圖16-21中所示之TFT陣列面板，半導體帶151具有與資料線171、源極173a及173c，及汲極175a-175c以及下方歐姆接觸物161、163c及165a-165c幾乎相同之平面形狀。然而，半導體帶151之突出物154a及154c包含一些並未由資料線171等覆蓋之曝露部分，諸如位於源極173a及173c與汲極175a-175c間之部分。
此外，每個閘極線121具有一擴展之末端部分129，其具有一用於接觸另一層或外部裝置之較大區域，且閘極絕緣層140及鈍化層180具有曝露閘極線121之末端部分129的複數個接觸孔181。形成於鈍化層180上之複數個歐姆接觸物81穿過接觸孔181而接觸閘極線121之末端部分129。
此外，根據此實施例之TFT陣列面板配置複數個彩色過濾器230 於鈍化層180下方。彩色過濾器230之每一個均大體安置於像素電極190上。此外，可連接成行之彩色過濾器230，以形成一帶。彩色過濾器230可具有分別曝露第三源極183c、第一汲極175a及第二汲極175b且分別圍繞接觸孔183c、185a及185b之複數個開口233c、235a及235b。在一實施例中，彩色過濾器230未安置於一具有閘極線121及資料線171之擴展末端部分129及179的周邊區域上。雖然圖23展示相鄰彩色過濾器230之邊緣精確地彼此匹配，但是彩色過濾器230可在資料線171上彼此重疊以增強光阻斷。或者，其可彼此間隔開。當彩色過濾器230彼此重疊時，可省略共同電極面板上之光阻斷膜。
根據一實施例之TFT陣列面板製造方法使用一種光微影處理而同時形成資料線171、源極173a及173c、汲極175a-175c、半導體帶151、及歐姆接觸物161、163c及165a-165c。
舉例而言，用於光微影處理之光阻圖案具有依位置而定之厚度。在一實施例中，光阻圖案具有第一及第二部分，該等部分具有減小之厚度。第一部分可位於將被資料線171、源極173a及173c、及汲極175a-175c所佔據之導線區域上。第二部分可位於TFT Q1-Q3之通道區域上。
因此，可藉由省略一光微影步驟而簡化該製造方法。
圖16-21中所示之LCD的許多上述特徵可包含於圖22-24中所示之LCD中。
儘管參看較佳實施例詳細描述本發明，但熟習此項技術者將瞭解，在不偏離附加申請專利範圍中所述之本發明精神及範疇的情況下可對其作出各種修改及替代。
121‧‧‧閘極線
171‧‧‧資料線
176‧‧‧耦接電極
190a,190b‧‧‧像素電極

Claims (9)

  1. 一種平板顯示器，其包含：一基板；安置於該基板上之一閘極線；實質上平行延伸於該閘極線之一信號線；相交於該閘極線之一資料線；安置於該基板上之一第一子像素電極與一第二子像素電極；一第一薄膜電晶體，其包含連接至該閘極線之一第一終端、連接至該資料線之一第二終端、以及連接至該第一子像素電極之一第三終端；一第二薄膜電晶體，其包含連接至該閘極線之一第一終端、連接至該資料線之一第二終端、以及連接至該第二子像素電極之一第三終端；以及一第三薄膜電晶體，其包含連接至該信號線之一第一終端、連接至該第一子像素電極之一第二終端、以及連接至一耦合電極之一第三終端；其中該耦合電極並未重疊該第一子像素電極及該第二子像素電極。
  2. 如請求項1之平板顯示器，其進一步包含安置於與該閘極線同一層上之一儲存電極圖案，其中該耦合電極重疊該儲存電極圖案之一部分。
  3. 如請求項2之平板顯示器，其中介於該耦合電極與該儲存電極圖案之間之一電容不同於介於該第一子像素電極與該儲存電極圖案之間之一電容。
  4. 如請求項3之平板顯示器，其中介於該耦合電極與該儲存電極圖 案之間之該電容範圍為該第一子像素電極與該儲存電極圖案之間之該電容的約1/10至約1/3。
  5. 如請求項1之平板顯示器，其中該信號線電連接至鄰接該閘極線之另一閘極線。
  6. 如請求項1之平板顯示器，其中該第一子像素電極之一電壓與一第三子像素電極之一電壓之一比率係在約1：1.3至約1：1.5之一範圍內，其中該第三子像素電極連接至該資料線及該耦合電極。
  7. 如請求項1之平板顯示器，其中該第一子像素電極之區域與一第三子像素電極之區域的一比率係在約50：50至約80：20之一範圍內，其中該第三子像素電極連接至該資料線及該耦合電極。
  8. 如請求項1之平板顯示器，其中該第一子像素電極具有一域分隔物。
  9. 如請求項1之平板顯示器，其中介於該信號線與該第三薄膜電晶體之該第三終端之間的一寄生電容係大於介於該閘極線與一第四薄膜電晶體之一第三終端之間的一寄生電容，該第四薄膜電晶體包含連接至該閘極線之一第一終端、連接至該資料線之一第二終端、以及連接至一第三子像素電極之該第三終端。
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