TWI526763B - 畫素結構、畫素陣列以及顯示面板 - Google Patents

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Description

畫素結構、畫素陣列以及顯示面板
本發明是有關於一種畫素結構、畫素陣列以及顯示面板，且特別是有關於一種能夠降低色偏(color washout)現象之畫素結構、畫素陣列以及顯示面板。
液晶顯示面板由於具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因而成為市場之主流。隨著液晶顯示器的顯示規格逐漸朝向大尺寸發展，為了克服大尺寸顯示規格下的視角問題，液晶顯示面板的廣視角技術也隨之發展，其包括多域垂直配向(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)、多域水平配向(Multi-Domain Horizonontal Alignment，MHA)、扭轉向列加視角擴大膜(Twisted Nematic plus wide viewing film)及橫向電場形式(In-Plane Switching，IPS)等。
雖然透過上述技術的液晶顯示面板可以達到廣視角的目的，但是其色偏現象仍有許多改善的空間。舉例而言，這些技術還是會遭遇到側視影像比正視影像低灰階偏藍、中灰階偏紅或偏 綠、高灰階偏綠或偏黃的現象，即側視色偏的問題，使得顯示面板的側視影像顯的不自然。因此，亟需一種可同時改善側視偏白以及當畫素位於高灰階時側視偏黃綠之現象的液晶顯示面板。
本發明提供一種畫素結構，其可改善當畫素位於高灰階時側視偏黃綠之現象。本發明還提供一種由上述畫素結構組成的畫素陣列。
本發明更提供一種顯示面板，其畫素位於高灰階時具有改善偏黃綠現象之側視影像。
本發明提出一種畫素結構，其包括主動元件、第一畫素電極、第二畫素電極以及導線。第一畫素電極與主動元件電性連接。第二畫素電極與第一畫素電極電性絕緣。導線位於第一畫素電極以及第二畫素電極之下方，其中主動元件透過導線以與第一畫素電極電性連接，且導線與第二畫素電極耦合以形成耦合電容(coupling capacitance)。
本發明提出一種畫素結構，其包括主動元件、主畫素電極以及至少一次畫素電極。主畫素電極與主動元件電性連接，其中主畫素電極包括多個第一分支圖案，其中相鄰的第一分支圖案之間的狹縫寬度為ST1。至少一次畫素電極與主動元件電性連接，其中至少一次畫素電極包括多個第二分支圖案，其中相鄰的第二分支圖案之間的狹縫寬度為ST2，其中ST1<ST2。
本發明提出一種畫素結構，其包括多個第一畫素結構以及多個第二畫素結構。每一第一畫素結構包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一畫素電極與第一主動元件電性連接。每一第二畫素結構包括第二主動元件、第二畫素電極、第三畫素電極以及導線。第二畫素電極與第二主動元件電性連接。第三畫素電極與第二畫素電極電性絕緣。導線位於第二畫素電極以及第三畫素電極之下方，其中第二主動元件透過導線以與第二畫素電極電性連接，且導線與第三畫素電極耦合以形成耦合電容。
本發明還提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板、彩色濾光層以及顯示介質。第一基板上包括設置有上述畫素陣列。第二基板位於第一基板的對向。彩色濾光層位於第一基板或第二基板上。顯示介質位於第一基板與第二基板之間。
基於上述，於本發明之畫素結構中，其畫素電極被分割成兩塊電極，且此兩塊畫素電極彼此電性絕緣。主動元件與其一畫素電極電性連接，且導線與另一畫素電極耦合以形成耦合電容。如此一來，同一個畫素結構在驅動過程中可使得這兩塊畫素電極具有不同的電壓，進而改善顯示面板之側視色偏現象。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧第一基板
20‧‧‧第二基板
30‧‧‧顯示介質
40‧‧‧彩色濾光層
50‧‧‧電極層
100‧‧‧顯示面板
110、210、310、410、510、610‧‧‧畫素陣列
111、112、113、213、313、413、511、512、513、611、613‧‧‧畫素結構
650、651、652‧‧‧分支圖案
B‧‧‧藍色濾光圖案
BM‧‧‧黑矩陣
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15‧‧‧接觸窗
CH1、CH2、CH3、CH4、CH5、CH6、CH7、CH8、CH9、CH10、CH11、CH12、CH13‧‧‧通道層
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、D12、D13‧‧‧汲極
DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6、DL7、DL8、DL9、DL10、DL11、DL12、DL13‧‧‧資料線
G‧‧‧綠色濾光圖案
GT1、GT2、GT3、GT4、GT5、GT6、GT7、GT8、GT9、GT10、GT11、GT12、GT13‧‧‧閘極
L1、L2、L3、L8、L11、L13‧‧‧導線
L3a‧‧‧主幹部
L3b‧‧‧分支部
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、PM1、PM2、PM3、PS1、PS2、PS3、PE‧‧‧畫素電極
P4-1、P4-2、P6-1、P6-2‧‧‧子電極
P8-1、P8-2、P10-1、P10-2‧‧‧次畫素電極
R‧‧‧紅色濾光圖案
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13‧‧‧源極
ST、ST1、ST2‧‧‧狹縫寬度
SL、SL1、SL2‧‧‧掃描線
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13‧‧‧主動元件
圖1為依照本發明之一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖2為圖1之顯示面板的依照本發明之一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖3為圖1的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。
圖4為圖1之顯示面板的依照本發明之另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖5為依照圖4之實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。
圖6為圖1之顯示面板的依照本發明之又另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖7為圖1之顯示面板的依照本發明之再另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖8為圖1之顯示面板的依照本發明之另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖9為依照圖8之實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。
圖10為圖1之顯示面板的依照本發明之又另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖1為依照本發明之一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參照圖1，顯示面板100包括第一基板10、第二基板20、 顯示介質30以及彩色濾光層40。顯示面板100例如是液晶顯示面板或是其他形式之顯示面板。
第一基板10之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是不透光或反射材料(例如金屬)等等。第一基板10上包括設置有畫素陣列110。畫素陣列110包括多個第一畫素結構111、112以及多個第二畫素結構113。
第二基板20位於第一基板10的對向。第二基板20之材質可為玻璃、石英或有機聚合物等等。顯示介質30位於第一基板10與第二基板20之間。當顯示面板100為液晶顯示面板時，顯示介質30例如是液晶分子。
彩色濾光層40位於第二基板20上，然本發明不限於此，在其他實施例中，彩色濾光層40也可位於第一基板10上。如圖1所示，彩色濾光層40包括多個紅色濾光圖案R、多個藍色濾光圖案B以及多個綠色濾光圖案G。在本實施例中，多個紅色濾光圖案R以及綠色濾光圖案G是對應第一基板10上之畫素陣列110的畫素結構111、112設置，且多個藍色濾光圖案B是對應第一基板10上之畫素陣列110的畫素結構113設置，然本發明不限於此。此外，第二基板20上更可配置有黑矩陣(black matrix)BM。黑矩陣BM具有多個開口，而紅色濾光圖案R、藍色濾光圖案B以及綠色濾光圖案G分別配置於這些開口中。
在本實施例中，顯示面板100可更包括電極層50。電極層50為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物 或銦鋅氧化物等。電極層50設置於彩色濾光層40與顯示介質30之間，且電極層50全面地覆蓋於彩色濾光層40，然本發明不限於此。電極層50可與畫素陣列110之間產生電場，以控制或驅動顯示介質30。
圖2為圖1的顯示面板的畫素陣列的上視示意圖。圖2的畫素陣列110可包括多個畫素結構111、112以及113。為了清楚說明，圖2僅分別繪示一個畫素結構111、一個畫素結構112以及一個畫素結構113，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列110還可包括更多個畫素結構。在本實施例中，基於顯示面板的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構111、112以及113分別對應紅色子畫素區、綠色子畫素區以及藍色子畫素區，然本發明不限於此。
畫素結構111包括掃描線SL、資料線DL1、主動元件T1與畫素電極P1。
掃描線SL與資料線DL1的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL的延伸方向與資料線DL1的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與資料線DL1是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與資料線DL1主要用來傳遞驅動畫素結構111的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL與資料線DL1一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL與資料線DL1也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與 其它導電材料的堆疊層。
主動元件T1對應地與掃描線SL以及資料線DL1電性連接。在此，主動元件T1例如是薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)，其包括閘極GT1、通道層CH1、汲極D1以及源極S1。閘極GT1與掃描線SL電性連接。源極S1與資料線DL1電性連接。換言之，當有控制訊號輸入掃描線SL時，掃描線SL與閘極GT1之間會電性連接；當有控制訊號輸入資料線DL1時，資料線DL1會與源極S1電性連接。通道層CH1位於閘極GT1之上方並且位於源極S1與汲極D1的下方。本實施例之主動元件T1是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T1也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖2所示，畫素電極P1對應地與主動元件T1電性連接。更詳細來說，汲極D1與導線L1彼此連接，在本實例中，汲極D1與導線L1位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L1位於畫素電極P1之下方，且導線L1與畫素電極P1之間設置有接觸窗C1，而主動元件T1可透過此接觸窗C1與畫素電極P1電性連接。畫素電極P1例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，畫素電極P1為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極P1也可為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖 案(未繪示)的電極。舉例而言，在畫素電極P1為具有米字形圖案的電極的情況下，其可於畫素結構111中形成4個配向區域(domain region)，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此4個配向方向(未繪示)傾倒。
類似地，畫素結構112包括掃描線SL、資料線DL2、主動元件T2與畫素電極P2。
掃描線SL與資料線DL2的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL的延伸方向與資料線DL2的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與資料線DL1是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與資料線DL2主要用來傳遞驅動畫素結構112的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL與資料線DL2一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL與資料線DL2也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
主動元件T2對應地與掃描線SL以及資料線DL2電性連接。在此，主動元件T2例如是薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)，其包括閘極GT2、通道層CH2、汲極D2以及源極S2。閘極GT2與掃描線SL電性連接。源極S2與資料線DL2電性連接。換言之，當有控制訊號輸入掃描線SL時，掃描線SL與閘極GT2之間會電性連接；當有控制訊號輸入資料線DL2時，資料線DL2會與源極S2電性連接。通道層CH2位於閘極GT2之上方並且位 於源極S2與汲極D2的下方。本實施例之主動元件T2是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T2也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖2所示，畫素電極P2對應地與主動元件T2電性連接。更詳細來說，汲極D2與導線L2彼此連接，在本實例中，汲極D2與導線L2位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L2位於畫素電極P2之下方，且導線L2與畫素電極P2之間設置有接觸窗C2，而主動元件T2可透過此接觸窗C2與畫素電極P2電性連接。畫素電極P2例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，畫素電極P2為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極P2也可為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的電極。舉例而言，在畫素電極P2為具有米字形圖案的電極的情況下，其可於畫素結構112中形成4個配向區域(domain region)，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此4個配向方向(未繪示)傾倒。
畫素結構113包括掃描線SL、資料線DL3、主動元件T3以及畫素電極P3與畫素電極P4。值得一提的是，畫素結構113之畫素電極P3與畫素電極P4彼此不直接接觸。
掃描線SL與資料線DL3的延伸方向不相同，較佳的是 掃描線SL的延伸方向與資料線DL3的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與資料線DL3是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與資料線DL3主要用來傳遞驅動畫素結構113的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL與資料線DL3一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL與資料線DL3也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
主動元件T3對應地與掃描線SL以及資料線DL3電性連接。在此，主動元件T3例如是薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)，其包括閘極GT3、通道層CH3、汲極D3以及源極S3。閘極GT3與掃描線SL電性連接。源極S3與資料線DL3電性連接。換言之，當有控制訊號輸入掃描線SL時，掃描線SL與閘極GT3之間會電性連接；當有控制訊號輸入資料線DL1時，資料線DL3會與源極S3電性連接。通道層CH3位於閘極GT3之上方並且位於源極S3與汲極D3的下方。本實施例之主動元件T3是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T3也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖2所示，畫素電極P3對應地與主動元件T3電性連接。更詳細來說，汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P3之下方，且導線L3與畫素電極P3之間設置有接觸 窗C3，而主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P3電性連接。畫素電極P3例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，畫素電極P3與畫素電極P4為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極P3與畫素電極P4可分別為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的電極。舉例而言，在畫素電極P3與畫素電極P4為具有米字形圖案的電極的情況下，其可於畫素結構113中形成8個配向區域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向(未繪示)傾倒。
特別的是，畫素電極P3與主動元件T3電性連接，而畫素電極P4與畫素電極P3電性絕緣。詳細而言，主動元件T3之汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P3與畫素電極P4下方，且導線L3與畫素電極P3之間設置有接觸窗C3。主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P3電性連接。此外，導線L3與畫素電極P4耦合而形成耦合電容。畫素電極P3與畫素電極P4可分別具有電壓VP3與VP4。
值得一提的是，在本實施例中，藉由將對應於藍色子畫素區之畫素結構113的畫素電極分割成面積較大的畫素電極P3與面積較小的畫素電極P4，並透過上述耦合之驅動設計，可使藍色 子畫素區具有兩種不同的畫素電壓VP3與VP4進而形成不同的亮度。如此一來，可縮小畫素於高灰階之側視色偏現象。此外，藍色子畫素區本身過飽和，因此，即使切出具有較低電壓VP4的畫素電極P4，其所造成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比例很低，故上述畫素結構113之設計對顯示面板100之穿透率的影響很小。基於計算結果，畫素電極P3與畫素電極P4的面積比較佳為4：1，且畫素電極P3與畫素電極P4的電壓比VP3/VP4較佳為2.85：2.3。
圖3為圖1的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。請參照圖3，橫軸為灰階，縱軸為側視色偏程度。實線表示圖1的顯示面板之結果，虛線表示習知的顯示面板之結果。具體而言，實線所示為具有圖2之畫素陣列110之顯示面板的結果，特別的是，其對應於藍色子畫素區之畫素結構113的畫素電極分割成面積較大的畫素電極P3與面積較小的畫素電極P4。相反地，虛線所示之習知的顯示面板具有由例如圖2之畫素結構111重複排列之畫素陣列。如圖3所示，在高灰階時，相較於習知的顯示面板，依照本發明之一實施例的圖1的顯示面板的側視色偏程度較小。
圖4為圖1之顯示面板的依照本發明之另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。請同時參照圖1與圖4，圖4的畫素陣列210可包括多個畫素結構111、112以及213。為了清楚說明，圖4僅分別繪示一個畫素結構111、一個畫素結構112以及一個畫素結構213，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列210還可 包括更多個畫素結構。在本實施例中，畫素結構111、112以及213例如是對應紅色子畫素區、綠色子畫素區以及藍色子畫素區，其中基於顯示面板100的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構213較佳對應藍色子畫素區，然本發明不限於此。
圖4之畫素陣列210與圖2之畫素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。畫素陣列210與畫素陣列110的差異在於畫素陣列210之畫素結構213。畫素結構213包括掃描線SL、資料線DL3、主動元件T3、畫素電極P3以及畫素電極P4。畫素結構213與圖2之畫素結構113相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。值得一提的是，本實施例之畫素電極P4具有彼此分離的子電極P4-1以及子電極P4-2，然本發明不限於此，畫素電極P4還可具有彼此分離的更多個子電極。如圖4所示，子電極P4-1與子電極P4-2位於畫素電極P3的同一側，然在其他實施例中，子電極P4-1與子電極P4-2也可位於畫素電極P3的相對兩側。
如圖4所示，畫素電極P3對應地與主動元件T3電性連接。更詳細來說，汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P3與畫素電極P4下方，且導線L3與畫素電極P3之間設置有接觸窗C3。主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P3電性連接。
請同時參照圖1與圖4，在本實施例中，畫素電極P3與 畫素電極P4為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極P3與畫素電極P4可分別為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的畫素電極。舉例而言，在畫素電極P3與畫素電極P4為具有米字形圖案的畫素電極的情況下，其可於畫素結構213中分別形成12個配向區域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此12個配向方向(未繪示)傾倒。
特別的是，畫素電極P3與主動元件T3電性連接，而畫素電極P4之子電極P4-1以及子電極P4-2與畫素電極P3電性絕緣。詳細而言，主動元件T3之汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P3、子電極P4-1以及子電極P4-2之下方，且導線L3與畫素電極P3之間形成接觸窗C3。主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P3電性連接。此外，導線L3與畫素電極P4之子電極P4-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與畫素電極P4之子電極P4-2耦合而形成第二子外加電容。畫素電極P3與畫素電極P4之子電極P4-1以及子電極P4-2可分別具有電壓VP3’、VP4-1與VP4-2。
值得一提的是，在本實施例中，藉由將對應於藍色子畫素區之畫素結構213的畫素電極分割成面積較大的畫素電極P3與面積較小的子電極P4-1以及子電極P4-2，並透過上述耦合之驅動設計，可使藍色子畫素區具有三種不同的畫素電壓VP3’、VP4-1與 VP4-2進而形成不同的亮度。如此一來，可縮小畫素於高灰階之側視色偏現象。此外，藍色子畫素區本身過飽和，因此，即使切出具有較低電壓VP4-1與VP4-2的子電極P4-1以及子電極P4-2，其所造成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比例很低，故上述畫素結構213之設計對顯示面板之穿透率的影響很小。基於計算之結果，畫素電極P3、子電極P4-1與子電極P4-2的面積比較佳為3：1：1，且畫素電極P3、子電極P4-1與子電極P4-2的電壓比VP3’/VP4-1/VP4-2較佳為2.85：2.5：2.1。
圖5為依照圖4之實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。橫軸為灰階，縱軸為側視色偏程度。實線表示圖1的顯示面板之結果，虛線表示習知的顯示面板之結果。具體而言，實線所示為具有圖4之畫素陣列210之顯示面板的結果，特別的是，其對應於藍色子畫素區之畫素結構213的畫素電極分割成面積較大的畫素電極P3與面積較小的兩個子電極P4-1、P4-2。相反地，虛線所示之習知的顯示面板具有由例如圖4之畫素結構111重複排列之畫素陣列。如圖5所示，在高灰階時，相較於習知的顯示面板，依照圖4之實施例之顯示面板的側視色偏程度較小。
圖6為圖1之顯示面板的依照本發明之又另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。請同時參照圖1與圖6，圖6的畫素陣列310可包括多個畫素結構111、112以及313。為了清楚說明，圖6僅分別繪示一個畫素結構111、一個畫素結構112以及一個畫素結構313，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列310還可 包括更多個畫素結構。在本實施例中，畫素結構111、112以及313例如是對應紅色子畫素區、綠色子畫素區以及藍色子畫素區，其中基於顯示面板100的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構313較佳對應藍色子畫素區，然本發明不限於此。
圖6之畫素陣列310與圖2之畫素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。畫素陣列310與畫素陣列110的差異在於畫素陣列310之畫素結構313。畫素結構313包括掃描線SL、資料線DL3、主動元件T3、畫素電極P5以及畫素電極P6。畫素結構313與圖2之畫素結構113相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。值得一提的是，本實施例之畫素電極P6具有彼此分離的子電極P6-1以及子電極P6-2，然本發明不限於此，畫素電極P6還可具有彼此分離的更多個子電極。
特別的是，畫素電極P5與主動元件T3電性連接，而畫素電極P6之子電極P6-1以及子電極P6-2與畫素電極P5電性絕緣。詳細而言，主動元件T3之汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P5、子電極P6-1以及子電極P6-2之下方，且導線L3與畫素電極P5之間形成接觸窗C3。主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P5電性連接。此外，導線L3與畫素電極P6之子電極P6-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與畫素電極P6之子電極P6-2耦合而形成第二子外加電容。
請同時參照圖4與圖6，圖4與圖6之實施例的差異在於，圖4之兩個子電極P4-1、P4-2是位於畫素電極P3的同一側；相反地，圖6之兩個子電極P6-1、P6-2則是位於畫素電極P5的相對兩側。此外，如圖6所示，兩個子電極P6-1、P6-2為三角形圖案的電極，而畫素電極P5為多邊形圖案的電極，此可增加導線L3分別與子電極P6-1、P6-2耦合而形成之第一子外加電容與第二子外加電容，進而可改善顯示面板之側視色偏現象，然在其他實施例中，子電極P6-1、P6-2與畫素電極P5也可為其他圖案之電極。
圖7為圖1之顯示面板的依照本發明之再另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。請同時參照圖1與圖7，圖7的畫素陣列410可包括多個畫素結構111、112以及413。為了清楚說明，圖7僅分別繪示一個畫素結構111、一個畫素結構112以及一個畫素結構413，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列410還可包括更多個畫素結構。在本實施例中，畫素結構111、112以及413例如是對應紅色子畫素區、綠色子畫素區以及藍色子畫素區，其中基於顯示面板100的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構413較佳對應藍色子畫素區，然本發明不限於此。
圖7之畫素陣列410與圖2之畫素陣列110相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。畫素陣列410與畫素陣列110的差異在於畫素陣列410之畫素結構413。畫素結構413包括掃描線SL、資料線DL3、主動元件T3、 畫素電極P5以及畫素電極P6。圖7之畫素結構413與圖2之畫素結構113相似，因此相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。值得一提的是，本實施例之畫素電極P6具有彼此分離的子電極P6-1以及子電極P6-2，然本發明不限於此，畫素電極P6還可具有彼此分離的更多個子電極。如圖7所示，子電極P6-1與子電極P6-2位於畫素電極P5的相對兩側，然在其他實施例中，子電極P6-1與子電極P6-2也可位於畫素電極P5的同一側。
特別的是，畫素電極P5與主動元件T3電性連接，而畫素電極P6之子電極P6-1以及子電極P6-2與畫素電極P5電性絕緣。詳細而言，主動元件T3之汲極D3與導線L3彼此連接，在本實例中，汲極D3與導線L3位於同一膜層，然本發明不限於此。導線L3位於畫素電極P5、子電極P6-1以及子電極P6-2之下方，且導線L3與畫素電極P5之間形成接觸窗C3。主動元件T3可透過此接觸窗C3與畫素電極P5電性連接。此外，導線L3與畫素電極P6之子電極P6-1耦合而形成第一子外加電容，且導線L3與畫素電極P6之子電極P6-2耦合而形成第二子外加電容。
請同時參照圖4與圖7，圖4與圖7之實施例的差異在於，圖4之兩個子電極P4-1、P4-2是位於畫素電極P3的同一側；相反地，圖7之兩個子電極P6-1、P6-2則是位於畫素電極P5的相對兩側。特別的是，如圖7所示，導線L3包括主幹部L3a與分支部L3b。主幹部L3a與畫素電極P5重疊設置。分支部L3b自主 幹部L3a延伸出，在本實施例中，導線L3具有兩個分支部L3b且分別與畫素電極P6之子電極P6-1、P6-2重疊設置，然本發明不限於此。如圖7所示，導線L3呈雙十字形，藉由將雙十字形的導線L3與畫素電極P5以及子電極P6-1、P6-2重疊設置，可大幅增加導線L3分別與子電極P6-1、P6-2耦合而形成之第一子外加電容與第二子外加電容，進而可改善顯示面板之側視色偏現象。
圖8為圖1之顯示面板的依照本發明之另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。圖8的畫素陣列510可包括多個畫素結構511、512以及513。為了清楚說明，圖8僅分別繪示一個畫素結構511、一個畫素結構512以及一個畫素結構513，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列510還可包括更多個畫素結構。在本實施例中，畫素結構511、512以及513例如是對應紅色子畫素區、綠色子畫素區以及藍色子畫素區，其中基於顯示面板100的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構513較佳對應藍色子畫素區，然本發明不限於此。
畫素結構511包括掃描線SL1、資料線DL4、DL5、主動元件T4、T5、畫素電極PM1與畫素電極PS1。
掃描線SL1與資料線DL4、DL5的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL1的延伸方向與資料線DL4、DL5的延伸方向垂直。此外，掃描線SL1與資料線DL4、DL5是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL1與資料線DL4、DL5主要用來傳遞驅動畫素結構511的驅動訊號。基於導電性的考量， 掃描線SL1與資料線DL4、DL5一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL1與資料線DL4、DL5也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在畫素結構511中，主動元件T4與掃描線SL1以及資料線DL4電性連接，而主動元件T5與掃描線SL1以及資料線DL5電性連接。在此，主動元件T4例如是薄膜電晶體，其包括閘極GT4、通道層CH4、汲極D4以及源極S4，類似地，主動元件T5例如包括閘極GT5、通道層CH5、汲極D5以及源極S5。閘極GT4、GT5分別與掃描線SL1電性連接。在畫素結構511中，源極S4與資料線DL4電性連接，而源極S5與資料線DL5電性連接。通道層CH4位於閘極GT4之上方並且位於源極S4與汲極D4的下方，而通道層CH5位於閘極GT5之上方並且位於源極S5與汲極D5的下方。本實施例之主動元件T4、T5是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，然本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T4、T5也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖8所示，在畫素結構511中，畫素電極PM1與主動元件T5電性連接，而畫素電極PS1與主動元件T4電性連接。更詳細來說，汲極D4與畫素電極PS1之間設置有接觸窗C4。汲極D5與畫素電極PM1之間設置有接觸窗C5。主動元件T4可透過接觸窗C4與畫素電極PS1電性連接，主動元件T5可透過接觸窗C5與畫素電極PM1電性連接。畫素電極PM1、PS1例如是透明導電 層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
請同時參照圖1與圖8，在本實施例中，畫素電極PM1、PS1為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極PM1、PS1也可為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的畫素電極。舉例而言，在畫素電極PM1、PS1為具有米字形圖案的畫素電極的情況下，其可於畫素結構511中形成8個配向區域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向(未繪示)傾倒。
類似地，畫素結構512包括掃描線SL1、資料線DL6、DL7、主動元件T6、T7、畫素電極PM2與畫素電極PS2。
掃描線SL1與資料線DL6、DL7的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL1的延伸方向與資料線DL6、DL7的延伸方向垂直。此外，掃描線SL1與資料線DL6、DL7是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL1與資料線DL6、DL7主要用來傳遞驅動畫素結構512的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL1與資料線DL6、DL7一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL1與資料線DL6、DL7也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在畫素結構512中，主動元件T6與掃描線SL1以及資料 線DL6電性連接，而主動元件T7與掃描線SL1以及資料線DL7電性連接。在此，主動元件T6例如是薄膜電晶體，其包括閘極GT6、通道層CH6、汲極D6以及源極S6，類似地，主動元件T7例如包括閘極GT7、通道層CH7、汲極D7以及源極S7。閘極GT6、GT7分別與掃描線SL1電性連接。在畫素結構512中，源極S6與資料線DL6電性連接，而源極S7與資料線DL7電性連接。通道層CH6位於閘極GT6之上方並且位於源極S6與汲極D6的下方，而通道層CH7位於閘極GT7之上方並且位於源極S7與汲極D7的下方。本實施例之主動元件T6、T7是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，然本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T6、T7也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖8所示，在畫素結構512中，畫素電極PM2與主動元件T6電性連接，而畫素電極PS2與主動元件T7電性連接。更詳細來說，汲極D6與畫素電極PS2之間設置有接觸窗C6。汲極D7與畫素電極PM2之間設置有接觸窗C7。主動元件T6可透過接觸窗C6與畫素電極PS2電性連接，主動元件T7可透過接觸窗C7與畫素電極PM2電性連接。畫素電極PM2、PS2例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
請同時參照圖1與圖8，在本實施例中，畫素電極PM2、PS2為塊狀圖案之電極，然本發明不限於此。在其他實施例中， 畫素電極PM2、PS2也可為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的畫素電極。舉例而言，在畫素電極PM2、PS2為具有米字形圖案的畫素電極的情況下，其可於畫素結構512中分別形成8個配向區域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此8個配向方向(未繪示)傾倒。
值得一提的是，在本實施例中，畫素結構511、512各自具有面積較小的畫素電極PM1、PM2(也可稱作主畫素電極)以及面積較大的畫素電極PS1、PS2(也可稱作次畫素電極)。在畫素結構511中，畫素電極PM1與畫素電極PS1可分別具有電壓VPM1與VPS1。基於計算之結果，畫素電極PM1與畫素電極PS1的面積比較佳為1：2，且畫素電極PM1與畫素電極PS1的電壓比VPM1/VPS1較佳為2.85：2.1。同樣地，在畫素結構512中，畫素電極PM2與畫素電極PS2可分別具有電壓VPM2與VPS2。基於計算之結果，畫素電極PM2與畫素電極PS2的面積比較佳為1：2，且畫素電極PM2與畫素電極PS2的電壓比VPM2/VPS2較佳為2.85：2.1。
畫素結構513包括掃描線SL1、資料線DL8、DL9、主動元件T8、T9以及畫素電極PM3、PS3、PE，其中畫素電極PM3又稱作主畫素電極，畫素電極PS3又稱作次畫素電極。畫素結構513與畫素結構511、512之相同或相似的構件以相同或相似的符號表示，且不再重複說明。值得一提的是，畫素結構513之畫素電極PM3、PS3、PE彼此不直接接觸。
在本實施例中，畫素電極PM3、PS3、PE為塊狀圖案之 電極，然本發明不限於此。在其他實施例中，畫素電極PM3、PS3、PE也可為其他特定圖案之電極，其可包括多個V形分支部或是具有米字形圖案或其他圖案(未繪示)的畫素電極。舉例而言，在畫素電極PM3、PS3、PE為具有米字形圖案的畫素電極的情況下，其可於畫素結構513中形成12個配向區域，使得顯示介質30中的多個液晶分子可沿著此12個配向方向(未繪示)傾倒。
特別的是，畫素電極PS3與主動元件T8電性連接，畫素電極PM3與主動元件T9電性連接。畫素電極PM3、PS3、PE彼此電性絕緣。詳細而言，主動元件T8之汲極D8與導線L8彼此連接，且導線L8與畫素電極PS3之間設置有接觸窗C8。主動元件T8可透過此接觸窗C8與畫素電極PS3電性連接。此外，導線L8可與畫素電極PE耦合而形成耦合電容。主動元件T9之汲極D9與畫素電極PM3之間設置有接觸窗C9。主動元件T9可透過此接觸窗C9與畫素電極PM3電性連接。畫素電極PM3、PS3、PE可分別具有電壓VPM3、VPS3與VPE。
值得一提的是，在本實施例中，藉由將對應於藍色子畫素區之畫素結構513的畫素電極分割成畫素電極PM3、PS3、PE，並透過上述耦合之驅動設計，可使藍色子畫素區具有三種不同的畫素電壓VPM3、VPS3與VPE進而形成不同的亮度。如此一來，可縮小畫素於高灰階之側視色偏現象。此外，藍色子畫素區本身過飽和，因此，即使切出具有較低電壓VPS3的畫素電極PS3與較低電壓VPE的次畫素電極PE，其所造成的亮度下降很少，且藍色貢 獻亮度的比例很低，故上述畫素結構513之設計對顯示面板之穿透率的影響很小。基於計算結果，畫素電極PM3之面積：(畫素電極PS3以及畫素電極PE之總面積)較佳為1：2，且畫素電極PS3與畫素電極P13的面積比較佳為4：1。此外，畫素電極PM3與畫素電極PS3的電壓比VPM3/VPS3較佳為2.85：2.2，且畫素電極PS3與畫素電極PE的電壓比VPS3/VPE較佳為2.85：2.3。
圖9為依照圖8之實施例的顯示面板的灰階與側視色偏的關係圖。橫軸為灰階，縱軸為側視色偏程度。實線表示圖8的顯示面板之結果，虛線表示習知的顯示面板之結果。具體而言，實線所示為具有圖8之畫素陣列510之顯示面板的結果，特別的是，其對應於藍色子畫素區之畫素結構513的畫素電極分割成畫素電極PM3、PS3、PE。相反地，虛線所示之習知的顯示面板具有由例如圖4之畫素結構111重複排列之畫素陣列。如圖9所示，在高灰階時，相較於習知的顯示面板，依照圖8之實施例的顯示面板的側視色偏程度較小。
在上述圖8之實施例中，畫素陣列510中之畫素結構511、512、513為具有主畫素電極以及次畫素電極之畫素結構，其中每一畫素結構是由兩條資料線以及一條掃描線所驅動，藉以使主畫素電極以及次畫素電極具有不相同的電壓，以改善顯示面板之側視色偏問題。上述圖8之畫素陣列510中之畫素結構511、512、513又可稱為2D1G形式之畫素結構。實際上，在一個畫素結構中設計主畫素電極以及次畫素電極，並且主畫素電極以及次 畫素電極具有不相同的電壓還可以是其他種畫素結構，例如透過設置分享開關元件以及分享電容器，以使得主畫素電極以及次畫素電極具有不相同的電壓。由於上述在畫素結構中設置分享開關元件以及分享電容器為已知既有解決色偏的畫素結構，因此本文不再贅述說明。
圖10為圖1之顯示面板的依照本發明之又另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。請同時參照圖1與圖10，圖10的畫素陣列610可包括多個畫素結構611、613。為了清楚說明，圖10僅分別繪示一個畫素結構611與一個畫素結構613，然所屬領域具有通常知識者應可理解，畫素陣列610還可包括更多個畫素結構。在本實施例中，畫素結構611、613例如是對應紅色子畫素區以及藍色子畫素區，其中基於顯示面板100的穿透率與亮度之觀點而言，畫素結構613較佳對應藍色子畫素區，然本發明不限於此。
畫素結構611包括掃描線SL2、資料線DL10、DL11、主動元件T10、T11以及畫素電極P7(又稱作主畫素電極)與畫素電極P8，其中畫素電極P8包括兩個次畫素電極P8-1、P8-2。應注意，本實施例的次畫素電極P8-1、P8-2位於畫素電極P7的相對兩側，然本發明不限於此。
掃描線SL2與資料線DL10、DL11的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL2的延伸方向與資料線DL10、DL11的延伸方向垂直。此外，掃描線SL2與資料線DL10、DL11是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL2與資料線 DL10、DL11主要用來傳遞驅動畫素結構611的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL2與資料線DL10、DL11一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL2與資料線DL10、DL11也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在畫素結構611中，主動元件T10與掃描線SL2以及資料線DL10電性連接，而主動元件T11與掃描線SL2以及資料線DL11電性連接。在此，主動元件T10例如是薄膜電晶體，其包括閘極GT10、通道層CH10、汲極D10以及源極S10，類似地，主動元件T11例如包括閘極GT11、通道層CH11、汲極D11以及源極S11。閘極GT10、GT11分別與掃描線SL2電性連接。在畫素結構611中，源極S10與資料線DL10電性連接，而源極S11與資料線DL11電性連接。通道層CH10位於閘極GT10之上方並且位於源極S10與汲極D10的下方，而通道層CH11位於閘極GT11之上方並且位於源極S11與汲極D11的下方。本實施例之主動元件T10、T11是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，然本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T10、T11也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖10所示，在畫素結構611中，畫素電極P7與主動元件T10電性連接，而畫素電極P8與主動元件T11電性連接。畫素電極P7、P8例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦 錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
如圖10所示，主動元件T10之汲極D10與畫素電極P7之間設置有接觸窗C10。主動元件T10可透過此接觸窗C10與主畫素電極P7電性連接。此外，次畫素電極P8-1、P8-2亦對應地與主動元件T11電性連接。更詳細來說，汲極D11與導線L11彼此連接，且導線L11分別與次畫素電極P8-1、P8-2之間設置有接觸窗C11、C12。主動元件T11可透過此接觸窗C11、C12分別與次畫素電極P8-1、P8-2電性連接。
在本實施例中，如圖10所示，畫素電極P7、P8皆為米字形圖案的電極。詳細而言，畫素電極P7、P8包括多個分支圖案650，且相鄰的分支圖案650之間的狹縫寬度為ST。應注意，畫素電極P7、P8具有相同寬度的分支圖案650。
類似地，畫素結構613包括掃描線SL2、資料線DL12、DL13、主動元件T12、T13以及畫素電極P9(又稱作主畫素電極)與畫素電極P10，其中畫素電極P10包括兩個次畫素電極P10-1、P10-2。然本發明不限於此，在其他實施例中，畫素結構611、613也可包括更多個次畫素電極。應注意，本實施例的次畫素電極P10-1、P10-2位於畫素電極P9的相對兩側，然本發明不限於此。
掃描線SL2與資料線DL12、DL13的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL2的延伸方向與資料線DL12、DL13的延伸方向垂直。此外，掃描線SL2與資料線DL12、DL13是位於不相同 的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL2與資料線DL12、DL13主要用來傳遞驅動畫素結構611的驅動訊號。基於導電性的考量，掃描線SL2與資料線DL12、DL13一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。根據其他實施例，掃描線SL2與資料線DL12、DL13也可以使用其他導電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在畫素結構613中，主動元件T12與掃描線SL2以及資料線DL12電性連接，而主動元件T13與掃描線SL2以及資料線DL13電性連接。在此，主動元件T12例如是薄膜電晶體，其包括閘極GT12、通道層CH12、汲極D12以及源極S12，類似地，主動元件T13例如包括閘極GT13、通道層CH13、汲極D13以及源極S13。閘極GT12、GT13分別與掃描線SL2電性連接。在畫素結構613中，源極S12與資料線DL12電性連接，而源極S13與資料線DL13電性連接。通道層CH12位於閘極GT12之上方並且位於源極S12與汲極D12的下方，而通道層CH13位於閘極GT13之上方並且位於源極S13與汲極D13的下方。本實施例之主動元件T12、T13是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，然本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T12、T13也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
如圖10所示，在畫素結構613中，畫素電極P9與主動元件T12電性連接，而畫素電極P10與主動元件T13電性連接。 畫素電極P9、P10例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。
在本實施例中，如圖10所示，畫素電極P9包括多個第一分支圖案651，且相鄰的第一分支圖案651之間的狹縫寬度為ST1。次畫素電極P10-1、P10-2各包括多個第二分支圖案652，且相鄰的第二分支圖案652之間的狹縫寬度為ST2。應注意，畫素電極P9之第一分支圖案651與畫素電極P10之第二分支圖案652具有不同寬度，具體而言，第一分支圖案651之間的狹縫寬度ST1小於第二分支圖案652之間的狹縫寬度ST2。
如圖10所示，畫素電極P9與主動元件T12電性連接。更詳細來說，主動元件T12之汲極D12與畫素電極P9之間設置有接觸窗C13。主動元件T12可透過此接觸窗C13與主畫素電極P9電性連接。此外，次畫素電極P10-1、P10-2亦對應地與主動元件T13電性連接。更詳細來說，汲極D13與導線L13彼此連接，且導線L13分別與次畫素電極P10-1、P10-2之間設置有接觸窗C14、C15。主動元件T13可透過此接觸窗C14、C15分別與次畫素電極P10-1、P10-2電性連接。畫素電極P9與畫素電極P10可分別具有電壓VP9與VP10。
值得一提的是，在本實施例中，藉由將對應於藍色子畫素區之畫素結構613的畫素電極分割成面積較大的畫素電極P9與面積較小的多個次畫素電極P10-1、P10-2，並透過上述驅動設計， 可使藍色子畫素區具有多種不同的畫素電壓VP9與VP10進而形成不同的亮度。如此一來，可縮小畫素於高灰階之側視色偏現象。此外，藍色子畫素區本身過飽和，因此，即使切出多個具有較低電壓VP10的次畫素電極P10-1、P10-2，其所造成的亮度下降很少，且藍色貢獻亮度的比例很低，故上述畫素結構613之設計對顯示面板之穿透率的影響很小。基於計算結果，畫素電極P9與畫素電極P10的面積(即次畫素電極P10-1、P10-2的面積總和)比較佳為4：1。此外，畫素電極P9與畫素電極P10的電壓比VP9/VP10較佳為2.85：2.3。
綜上所述，於本發明之畫素結構中，其畫素電極被分割成兩塊電極，且此兩塊畫素電極彼此電性絕緣。主動元件與其一畫素電極電性連接，且導線與另一畫素電極耦合以形成耦合電容。如此一來，同一個畫素結構在驅動過程中可使得這兩塊畫素電極具有不同的電壓，進而改善顯示面板之側視色偏現象。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧畫素陣列
111、112、113‧‧‧畫素結構
C1、C2、C3‧‧‧接觸窗
CH1、CH2、CH3‧‧‧通道層
D1、D2、D3‧‧‧汲極
DL1、DL2、DL3‧‧‧資料線
GT1、GT2、GT3‧‧‧閘極
L1、L2、L3‧‧‧導線
P1、P2、P3、P4‧‧‧畫素電極
S1、S2、S3‧‧‧源極
SL‧‧‧掃描線
T1、T2、T3‧‧‧主動元件

Claims (17)

  1. 一種畫素結構，該畫素結構僅對應於藍色子畫素區，且該畫素結構包括：一主動元件；一第一畫素電極，與該主動元件電性連接；一第二畫素電極，與該第一畫素電極電性絕緣；以及一導線，位於該第一畫素電極以及該第二畫素電極之下方，其中該主動元件透過該導線以與該第一畫素電極電性連接，且該導線與該第二畫素電極耦合以形成一耦合電容，且該第一畫素電極與該第二畫素電極的電壓不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該第二畫素電極的面積比為4：1。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極與該第二畫素電極的電壓比為2.85：2.3。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極具有彼此分離的多個子電極，且該導線與該些子電極耦合以形成多個耦合電容。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中該些子電極位於該第一畫素電極的兩側。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第二畫素電極具有彼此分離的一第一子電極以及一第二子電極，且該導線與該第一子電極耦合以形成一第一子外加電容，該導線與該第二 子電極耦合以形成一第二子外加電容，其中第一畫素電極、第一子電極以及該第二子電極的面積比為3：1：1。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極、該第一子電極以及該第二子電極的電壓比為2.85：2.5：2.1。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一畫素電極包括一主畫素電極以及一次畫素電極，該主畫素電極的面積與該次畫素電極及該第二畫素電極的面積加總之比例為1：2，該次畫素電極與該第二畫素電極的面積比為4：1。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該主畫素電極與該次畫素電極的電壓比為2.85：2.2，該次畫素電極與該第二畫素電極的電壓比為2.85：2.3。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該導線包括：一主幹部，與該第一畫素電極重疊設置；以及一分支部，自該主幹部延伸出，且與該第二畫素電極重疊設置。
  11. 一種畫素結構，該畫素結構僅對應於藍色子畫素區，且該畫素結構包括：一主動元件；一主畫素電極，與該主動元件電性連接，其中該主畫素電極包括多個第一分支圖案，其中相鄰的第一分支圖案之間的狹縫寬度為ST1；以及 至少一次畫素電極，與該主動元件電性連接，其中該至少一次畫素電極包括多個第二分支圖案，其中相鄰的第二分支圖案之間的狹縫寬度為ST2，其中ST1<ST2，且該主畫素電極與該至少一次畫素電極的電壓不同。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該主畫素電極與該至少一次畫素電極的面積比為4：1。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該主畫素電極與該至少一次畫素電極的電壓比為2.85：2.3。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的畫素結構，其中該至少一次畫素電極位於該主畫素電極的兩側。
  15. 一種畫素陣列，包括：多個第一畫素結構，每一第一畫素結構包括：一第一主動元件；一第一畫素電極，與該第一主動元件電性連接；以及多個第二畫素結構，每一第二畫素結構僅對應於藍色子畫素區，且每一第二畫素結構包括：一第二主動元件；一第二畫素電極，與該第二主動元件電性連接；一第三畫素電極，與該第二畫素電極電性絕緣；以及一導線，位於該第二畫素電極以及該第三畫素電極之下方，其中該第二主動元件透過該導線以與該第二畫素電極電性連接，且該導線與該第三畫素電極耦合以形成一耦合電容，且該第 二畫素電極與該第三畫素電極的電壓不同。
  16. 一種顯示面板，包括：一第一基板，該第一基板上包括設置有一畫素陣列，該畫素陣列如申請專利範圍第15項所述；一第二基板，位於該第一基板的對向；一彩色濾光層，位於該第一基板或該第二基板上；以及一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的顯示面板，其中：該彩色濾光層包括多個紅色濾光圖案、多個藍色濾光圖案以及多個綠色濾光圖案，該些紅色濾光圖案以及綠色濾光圖案是對應該第一基板上之該畫素陣列的該些第一畫素結構設置，且該些藍色濾光圖案是對應該第一基板上之該畫素陣列的該些第二畫素結構設置。
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