JP5200795B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は液晶装置及び電子機器に関する。

液晶装置の広視野角化を図る一手段として、液晶層に対して基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する）がある。横電界方式として、例えばＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が知られている（特許文献１参照）。かかる横電界方式を用いた液晶装置では、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板に形成された一対の電極間に電圧を印加して液晶層に横電界を発生させることにより、液晶層中の液晶分子に基板に対して水平方向の回転を付与している。そして、液晶層の複屈折異方性により直線偏光に位相差を付与することで表示を行っている。

かかる横電界方式の液晶装置の問題点の一つとして、液晶層（液晶材料）の波長分散、すなわち複屈折率の波長依存性がある。カラー表示を行う液晶装置では一般に赤、緑、青の三原色の着色層（カラーフィルタ）を用いて、画素（サブ画素）毎に三原色のいずれかの波長領域の光を得ている。この場合、画素（サブ画素）の構成、すなわち液晶層の層厚等を例えば緑色光に最適に設定すると、青色光及び赤色光では（同一の印加電圧において）付与される位相差が異なるため、電圧−透過率特性のカーブ（以下、「Ｖ−Ｔ特性」と称する。）に差異が生じる。その結果、白色表示が色味がかる現象が発生し得る。

図１４はかかる従来のＦＦＳ方式の液晶装置、すなわち液晶層の層厚等を緑色光に対して最適に設定した上で、三原色間で共通としたＦＦＳ方式の液晶装置のＶ−Ｔ特性を示す図である。三原色間で複屈折率が異なるため、Ｖ−Ｔ特性がうまく重ならず、その結果、同一の印加電圧における透過率が各色で異なり、白色表示が色味がかった表示となり得る。かかる現象を解決するために、特許文献２では帯状電極の角度を赤、緑、青のサブ画素間で夫々異なる値とする方法が開示されている。

特許第３４９８１６３号公報 特開２００８−９０２８０号公報

しかしながら、このような方法はＶ−Ｔ特性の改善効果はあるものの、透過率の減少をもたらすという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、上記一対の基板に挟持された液晶層と、上記第２の基板に形成され、第１の波長領域の光を透過する第１の着色層と、上記第１の波長領域よりも長波長側の第２の波長領域の光を透過する第２の着色層と、を少なくとも有するカラーフィルタ層と、上記第１の基板に形成され、上記第１の着色層の平面領域に対応した第１のサブ画素領域に配置された第１の画素電極と、上記第２の着色層の平面領域に対応した第２のサブ画素領域に配置された第２の画素電極と、を少なくとも有する第１の電極と、上記第１の電極と誘電体層を介して対向する第２の電極と、を備える液晶装置であって、上記第１の電極と上記第２の電極とのうちの一方の電極は、上記サブ画素領域内において所定の間隔を有して互いに平行に延在する複数の帯状部を有しており、上記第１のサブ画素領域における上記液晶層の層厚は、上記第２のサブ画素領域における該液晶層の層厚よりも薄く、上記第１のサブ画素領域における上記帯状部の幅は、上記第２のサブ画素領域における該帯状部の幅よりも小さく、上記第１のサブ画素領域における上記所定の間隔は、上記第２のサブ画素領域における該所定の間隔よりも小さいことを特徴とする液晶装置。

かかる液晶装置は、液晶層の層厚を波長により変化させることにより液晶層の複屈折性に起因するサブ画素領域間のＶ−Ｔ特性の差を抑制できる。そして、液晶層の層厚を変化させたことによる透過率の低下を上記帯状部の幅と上記所定の間隔を上記サブ画素領域間で変化させることにより抑制できる。したがって、このような構成の液晶装置であれば、透過率の低下を抑制しつつＶ−Ｔ特性を改善できる。

［適用例２］上述の液晶装置であって、上記第１のサブ画素領域における上記誘電体層の層厚は、上記第２のサブ画素領域における該誘電体層の層厚よりも薄いことを特徴とする液晶装置。

かかる液晶装置は、上記誘電体層の層厚を薄くすることにより、上記第１の電極と上記第２の電極との間に形成される電界を強化できる。したがってこのような構成の液晶装置であれば、上述の透過率の低下をより一層抑制でき、より一層好適な画像を表示できる。

［適用例３］上述の液晶装置であって、上記液晶層の層厚と、上記帯状部の幅と、上記所定の間隔と、上記誘電体層の層厚と、の計４項目の少なくとも一つの項目の値において、上記第１のサブ画素領域における該項目の値と、上記第２のサブ画素領域における該項目の値と、の比が、上記第１の波長領域のピーク波長であるλ₁と、上記第２の波長領域のピーク波長であるλ₂における上記液晶層の屈折率異方性であるΔｎ（λ₂）と、の積であるλ₁・Δｎ（λ₂）と、上記λ₂と、上記λ₁における上記液晶層の屈折率異方性であるΔｎ（λ₁）との積であるλ₂・Δｎ（λ₁）と、の比と略同一であることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、上記液晶層の層厚を変化させたことによる透過率の低下を、該低下の量と略同一の割合で補填できる。したがって、上述の透過率の低下をより一層好適に抑制でき、より一層好適な画像を表示できる。

［適用例４］上述の液晶装置であって、上記第１の着色層の層厚が上記第２の着色層の層厚よりも厚く、上記第１のサブ画素領域における上記液晶層の層厚と上記第２のサブ画素領域における上記液晶層の層厚との差の少なくとも一部は、上記第１の着色層の層厚と上記第２の着色層の層厚との差により形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、他の構成要素を設けることなく、上記液晶層の層厚を上記サブ画素領域毎に変化させることができる。したがって、液晶装置における製造コストの増加の抑制と好適な画像の表示とを両立できる。

［適用例５］上述の液晶装置であって、上記第２の基板の上記液晶層側の上記第１のサブ画素領域には液晶層厚調整層が形成されており、上記第１のサブ画素領域における上記液晶層の層厚と上記第２のサブ画素領域における上記液晶層の層厚との差の少なくとも一部は、上記液晶層厚調整層により形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、他の構成要素の層厚を変化させることなく、上記液晶層の層厚を上記サブ画素領域毎に変化させることができる。したがって、より一層好適な画像を表示できる。

［適用例６］上述の液晶装置であって、上記第２の基板の上記液晶層側の上記第１のサブ画素領域には液晶層厚調整層が形成されており、上記第２の基板の上記液晶層側の上記第２のサブ画素領域には、上記第１のサブ画素領域に形成されている上記液晶層厚調整層よりも薄い層厚の液晶層厚調整層が形成されており、上記第１のサブ画素領域における上記液晶層の層厚と上記第２のサブ画素領域における上記液晶層の層厚との差の少なくとも一部は、上記第１のサブ画素領域に形成されている上記液晶層厚調整層と上記第２のサブ画素領域に形成されている上記液晶層厚調整層との差により形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、上記第２のサブ画素領域と他のサブ画素領域との間においても、上記液晶層の層厚を変化させることができる。したがって、より一層好適な画像を表示できる。

［適用例７］上述の液晶装置であって、上記第１の波長領域が青色光に相当する波長領域であり、上記第２の波長領域が緑色光に相当する波長領域であり、赤色光に相当する波長領域の光を透過させる第３の着色層と、該第３の着色層の平面領域に対応した第３のサブ画素領域と、をさらに備えることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、好適なカラー画像を表示できる。

［適用例８］上述の液晶装置であって、上記液晶層の層厚と、上記帯状部の幅と、上記所定の間隔と、上記誘電体層の層厚と、の計４項目の少なくとも一つの項目の値において、上記第２のサブ画素領域における該項目の値と、上記第３のサブ画素領域における該項目の値と、の比が、上記λ₂と、上記赤色光に相当する波長領域のピーク波長であるλ₃における上記液晶層の屈折率異方性であるΔｎ（λ₃）と、の積であるλ₂・Δｎ（λ₃）と、上記λ₃と、上記Δｎ（λ₂）と、の積であるλ₃・Δｎ（λ₂）と、の比と略同一であることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、上記液晶層の層厚を変化させたことによる透過率の低下を、該低下の量と略同一の割合で補填できる。したがって、上述の透過率の低下をより一層好適に抑制でき、より一層好適なカラー画像を表示できる。

［適用例９］上述の液晶装置であって、上記第２の着色層の層厚が上記第３の着色層の層厚よりも厚く、上記第２のサブ画素領域における上記液晶層の層厚と上記第３のサブ画素領域における上記液晶層の層厚との差の少なくとも一部は、上記第２の着色層の層厚と上記第３の着色層の層厚との差により形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、他の構成要素を設けることなく、上記液晶層の層厚を上記サブ画素領域毎に変化させることができる。したがって、液晶装置における製造コストの増加の抑制と好適なカラー画像を表示とを両立できる。

［適用例１０］上述の液晶装置であって、上記第２の基板の上記液晶層側の上記第２のサブ画素領域には液晶層厚調整層が形成されており、上記第２のサブ画素領域における上記液晶層の層厚と上記第３のサブ画素領域における上記液晶層の層厚との差の少なくとも一部は、上記液晶層厚調整層により形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成の液晶装置であれば、他の構成要素の層厚を変化させることなく、上記液晶層の層厚を上記サブ画素領域毎に変化させることができる。したがって、より一層好適なカラー画像を表示できる。

［適用例１１］上述の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

このような構成の電子機器であれば、観察者により一層好適な画像を表示できる。

（第１の実施形態）
以下、図面を参照し、第１の実施形態にかかるＦＦＳ方式を用いた透過型のカラー液晶装置（以下、「液晶装置」と称する。）について説明する。なお、以下の全ての図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

図１は、本実施形態にかかる液晶装置１の回路構成図である。液晶装置１の表示領域１００に規則的に配置された複数のサブ画素２６の各々には、第２の電極としての共通電極２２との間に電圧を印加できる第１の電極としての画素電極２１と該画素電極をスイッチング制御するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０とが形成されている。共通電極２２は走査線駆動回路１１２から延在する共通線１０６と電気的に接続されており、全てのサブ画素２６間で、すなわち表示領域１００の全域で共通の電位に保持されている。なお、サブ画素２６に付記されているアルファベット（Ｂ，Ｇ，Ｒ）については後述する。

データ線駆動回路１１４から延在するデータ線１０４がＴＦＴ２０のソース電極２０ｓ（図４参照）と電気的に接続されている。ここで、データ線１０４の延在方向をＹ方向と定義する。データ線駆動回路１１４は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線１０４を介して各サブ画素２６に供給する。上記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線１０４同士に対して、グループ毎に供給してもよい。

ＴＦＴ２０のゲート電極２０ｇ（図４参照）には、走査線駆動回路１１２から延在する走査線１０２が電気的に接続されている。ここで、走査線１０２の延在方向をＸ方向と定義する。

走査線駆動回路１１２からは、所定のタイミングで走査線１０２にパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ２０のゲート電極２０ｇに印加される。画素電極２１は、ＴＦＴ２０のドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ２０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１０４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２１に書き込まれるようになっている。画素電極２１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２１と液晶層５５（図４参照）を介して対向する共通電極２２との間で一定期間保持される。
なお、後述するように（図３参照）、本実施形態の液晶装置１では分岐するようにパターニングされたデータ線１０４の一部がソース電極２０ｓとして機能しており、走査線１０２の一部の領域がゲート電極２０ｇとして機能している。

図２は、液晶装置１の表示領域１００の一部分の拡大平面図である。この図は、液晶装置１を観察者側から、より詳しくは後述する対向基板１１（図４参照）の法線方向から見た図である。本明細書では、対向基板１１の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。また、対向基板１１の法線方向をＺ方向と定義する。表示領域１００には、平面視で略矩形の、青色光を観察者側に射出する第１のサブ画素領域としての青色サブ画素領域３０Ｂと、緑色光を射出する第２のサブ画素領域としての緑色サブ画素領域３０Ｇと、赤色光を射出する第３のサブ画素領域としての赤色サブ画素領域３０Ｒと、が規則的に形成されている。かかる三種類のサブ画素領域３０で、画素領域２８が構成される。

なお、以下の記載において上記三種類のサブ画素領域（３０Ｂ、３０Ｇ、３０Ｒ）を総称する時はアルファベットを省略して単に「サブ画素領域３０」と称する。他の構成要素（後述するカラーフィルタ３５等）においても、光の色を示すアルファベットを省略する場合は、三種類の該構成要素の総称とする。

サブ画素領域３０は、上述の三原色光のいずれかを任意の強度で射出可能な領域であり、平面的な概念である。画素領域２８も同じく平面的な概念であり、任意の波長分布の光を任意の強度で射出できる最小単位である。そして、画素及びサブ画素２６はＴＦＴ２０等を含む機能的な概念である。

上述の射出する光の色は、各々のサブ画素領域３０に配置されている着色層３５（図５参照）によって付与されるものである。各々の着色層（以下、「カラーフィルタ」と称する。）３５は平面視で可視光を吸収する遮光層（以下、「ブラックマトリクス」と称する）３６で区画されている。サブ画素領域３０がマトリクス状に形成されているため、ブラックマトリクス３６は格子状となる。したがって、平面視ではカラーフィルタ３５とサブ画素領域３０とは略一致することになり、サブ画素領域３０とは平面視でブラックマトリクス３６に区画される領域となる。かかるサブ画素領域３０毎に配置されているカラーフィルタ３５と、該カラーフィルタを区画するブラックマトリクス３６と、を合せたものがカラーフィルタ層３３である。

なお、サブ画素領域３０の配置の態様はマトリクス状に限定されるものではなく、例えば千鳥状とすることも可能である。また、平面形状を上記三種類のサブ画素領域３０（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で異ならせることも可能である。
以下、本実施形態の液晶装置１の画素領域２８の構成について図３〜図５を参照しつつ説明する。

図３は、本実施形態の液晶装置１の画素領域２８の平面的な構成を模式的に示す図であり、後述する素子基板１０（図４参照）を法線方向から見た図である。画素領域２８は、赤色サブ画素領域３０Ｒと緑色サブ画素領域３０Ｇと青色サブ画素領域３０Ｂとを含んでいる。なお、図３においては、対向基板１１側に形成されるカラーフィルタ３５等は不図示である。
図４は、液晶装置１の図３のＡ−Ａ’線における模式断面図であり、緑色サブ画素２６Ｇ（図５参照）の断面を、図示を省略しているバックライトから照射される照射光７０と共に模式的に示す図である。
図５は、液晶装置１の図３のＢ−Ｂ’線における模式断面図であり、各サブ画素２６間におけるカラーフィルタ３５の層厚の差異等を示す図である。なお、図５及び後述する図７、図１０、図１２、図１６においては、照射光の図示は省略されている。

図３に示すように、各々のサブ画素領域３０には、梯子状の平面形状（平面視での形状）を有する画素電極２１と、該画素電極に平面視でほぼ重なる位置に形成された略矩形状の共通電極２２と、画素電極２１を制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ２０と、が形成されている。後述するように画素電極２１の平面視での形状は、各々のサブ画素領域３０毎に異なっているため、符号も夫々付与されている。
青色サブ画素領域３０Ｂに形成されている画素電極２１は第１の画素電極２１Ｂであり、緑色サブ画素領域３０Ｇに形成されている画素電極２１は第２の画素電極２１Ｇであり、赤色サブ画素領域３０Ｒに形成されている画素電極２１は第３の画素電極２１Ｒである。以下、「画素電極２１」の表現は上述の三種類の画素電極２１（Ｂ，Ｇ，Ｒ）の総称とする。
上記双方の電極（画素電極２１と共通電極２２）は、素子基板１０の液晶層５５側の面に互いに略直交するように形成された走査線１０２とデータ線１０４とで形成される略矩形の枠内に平面視で重なるように形成されている。図４に示すように、共通電極２２の方が素子基板１０よりに形成されており、上記双方の電極間は誘電体層５２で電気的に絶縁されている。

なお、本実施形態にかかる液晶装置１、及び後述する第２〜第４の実施形態にかかる各液晶装置においては上記三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）を構成する各要素の平面形状は、画素電極２１の平面形状を除き共通である。しかし本発明の実施形態はかかる態様に限定されるものではなく、三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で異なる平面形状を有する要素を用いることも可能である。

図３及び図４に示すように、ＴＦＴ２０は、走査線１０２とデータ線１０４との交差部近傍に形成されており、データ線１０４及び画素電極２１と電気的に接続されている。上述したように走査線１０２の延在方向がＸ方向であり、データ線１０４の延在方向がＹ方向である。

ＴＦＴ２０は、島状のアモルファスシリコンからなる半導体層２０ａと、データ線１０４を該半導体層と一部が平面視で重なるように分岐して形成されたソース電極２０ｓと、半導体層２０ａと画素電極２１の双方の一部に平面視で重なるようにパターニングされた島状のドレイン電極２０ｄ、及びゲート絶縁層５０とゲート電極２０ｇからなる。ゲート電極２０ｇは走査線１０２の一部である。走査線１０２の、ゲート絶縁層５０を介して半導体層２０ａと対向する領域が、ＴＦＴ２０のゲート電極２０ｇとして機能している。

ＴＦＴ２０の液晶層５５側には層間絶縁層５１が形成されており、画素電極２１は該層間絶縁層の液晶層５５側に形成されている。そして、ＴＦＴ２０のドレイン電極２０ｄと画素電極２１とは、双方が平面視で重なる領域に、層間絶縁層５１をエッチングして形成されたコンタクトホール１９を介して電気的に接続されている。

共通電極２２は平板状であり、透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成されている。そして共通電極２２は、走査線１０２と略平行に延在する共通線１０６により互いに電気的に接続されている。したがって、表示領域１００（図１参照）内に規則的に配置された共通電極２２は全て同電位である。

共通電極２２は、素子基板１０の液晶層５５側に形成されており、上述の半導体層及びデータ線１０４等は該共通電極の液晶層５５側に形成されたゲート絶縁層５０の液晶層５５側に形成されている。そして、該ゲート絶縁層の液晶層５５側には層間絶縁層５１が形成されており、画素電極２１は該層間絶縁層の液晶層５５側に形成されている。したがって、画素電極２１と共通電極２２との間にはゲート絶縁層５０と層間絶縁層５１との積層体が形成されている。かかる積層体が誘電体層５２である。画素電極２１に電圧が印加されると、画素電極２１と共通電極２２との間には該誘電体層を介して電界が形成される。

画素電極２１は、共通電極２２と同様にＩＴＯで形成されている。画素電極２１の外周の形状は共通電極２２と同様の矩形であり、規則的に形成された所定の幅を有するスリット４０、すなわちパターニング時に上記ＩＴＯが除去された領域を有している。かかるスリット４０により、上述したように画素電極２１の平面形状は梯子状となる。なお、サブ画素領域３０は図３の一点鎖線で示す領域であり画素電極２１が形成されている領域からコンタクトホール１９と重なる領域を除いた領域と略一致する領域である。

スリット４０はＸ方向に対して５度の傾きを有し、両端部を除き略平行にパターニングされている。したがって、平行四辺形に近い平面形状を有している。そして、画素電極２１内に、同一形状のスリット４０が等間隔でＹ方向に連続的に形成されている。したがって、画素電極２１内には、Ｙ方向の両側をスリット４０で挟まれた、複数の所定の幅の平行部を有する帯状部４４がＹ方向に連続的に形成される。スリット４０は等間隔で形成されているため、個々のサブ画素２６の画素電極２１内における帯状部４４の幅も同一となる。そして、スリット４０が有する所定の幅が、隣り合う帯状部４４の間を隔てる所定の間隔となる。

上述のスリットの幅（以下、「スリット幅４１」と称する。）及び帯状部の幅（以下、「帯状部幅４５」と称する。）は、射出光の色毎に、すなわち各々のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）が備える画素電極２１（Ｂ，Ｇ，Ｒ）毎に異なっている。具体的には、
第１の画素電極２１Ｂでは帯状部幅４５が２．４μｍでスリット幅４１が４．０μｍ、 第２の画素電極２１Ｇでは帯状部幅４５が３．０μｍでスリット幅４１が５．０μｍ、 第３の画素電極２１Ｒでは帯状部幅４５が３．９μｍでスリット幅４１が６．５μｍ、である。かかる数値の設定手法については後述する。

図４及び図５に示すように、素子基板１０と対向基板１１とは所定の間隔を持って配置されており、双方の基板間には液晶層５５が充填されている。液晶装置１は透過型であるため、上記双方の基板は、ガラスあるいは石英等の透明材料で形成されている。対向基板１１の液晶層５５側にはブラックマトリクス３６とカラーフィルタ３５とからなるカラーフィルタ層３３が形成されている。

カラーフィルタ３５は、バックライトから照射される白色光、すなわち広い範囲の波長領域の光のうち、所定の波長領域の光を透過させるとともに他の波長領域の光を吸収することで、白色光を有色光とする機能を果たすとともに、後述するように液晶層５５の層厚（該一対の基板の法線方向の寸法）を調整する機能も果たしている。そして、各々のサブ画素領域３０には、該サブ画素領域の射出光に合せた色のカラーフィルタ３５が形成されている。

すなわち、青色サブ画素領域３０Ｂにはピーク波長が４５０ｎｍの青色光に相当する波長領域の光を透過させる第１の着色層としての青色カラーフィルタ３５Ｂが形成され、緑色サブ画素領域３０Ｇにはピーク波長が５３０ｎｍの緑色光に相当する波長領域の光を透過させる第２の着色層としての緑色カラーフィルタ３５Ｇが形成され、赤色サブ画素領域３０Ｒにはピーク波長が６４０ｎｍの赤色光に相当する波長領域の光を透過させる第３の着色層としての赤色カラーフィルタ３５Ｒが形成されている。

なお、本実施形態の液晶装置１においては、カラーフィルタ３５の層厚はサブ画素２６間で異なっている。すなわち、図５に示すように青色カラーフィルタ３５Ｂが最も厚く、赤色カラーフィルタ３５Ｒが最も薄い。

ブラックマトリクス３６はサブ画素領域３０と平面視で重ならない領域、すなわち走査線１０２及びデータ線１０４の形成領域等と平面視で重なるに形成されており、カラーフィルタ３５は該ブラックマトリクスの形成領域も含めて表示領域１００（図１参照）の全域に形成されている。ブラックマトリクス３６は、画素電極２１が形成されていない領域、すなわち照射光の透過量（透過率）を制御できない領域において、照射光７０を吸収し観察者側に射出されることを回避する機能を果たしている。なお、ブラックマトリクス３６で区画される枠内にのみカラーフィルタ３５を形成する態様も可能である。

カラーフィルタ３５の液晶層５５側には平坦化層５６と第２の配向膜６２とが順に形成されている。平坦化層５６は、上述のブラックマトリクス３６とカラーフィルタ３５とが重なり合う領域、あるいは異なる色のカラーフィルタ３５が重なり合う領域に生じる段差を抑制する機能を果たしている。画素電極２１の液晶層５５側には第１の配向膜６１が形成されており、液晶層５５は第１の配向膜と第２の配向膜とで挟持されている。第１の配向膜と第２の配向膜との法線方向の間隔がセル厚６０である。なお、「セル厚６０」には、上述の「間隔」を示す意味と、該間隔の寸法を示す意味の二通りの意味が有る。

上述のカラーフィルタ３５の層厚の差により、セル厚６０もサブ画素２６間で異なっている。具体的には、青色サブ画素２６Ｂのセル厚６０Ｂは２．４μｍであり、緑色サブ画素２６Ｇのセル厚６０Ｇは３．０μｍであり、赤色サブ画素２６Ｒのセル厚６０Ｒは３．９μｍである。

本実施形態にかかる液晶装置１は、基板の法線方向の寸法がサブ画素２６間で異なる要素は、カラーフィルタ３５のみである。したがって、かかるセル厚６０が形成されるように、カラーフィルタ３５の層厚が設定されているということである。なお、セル厚６０の（層厚の）寸法の決定手法については後述する。

素子基板１０と対向基板１１との間に充填された液晶層５５は、波長が５８９ｎｍの光における複屈折率Δｎが０．１２の液晶層である。かかるの複屈折率Δｎは波長依存性を有しており、
青色光のピークの４５０ｎｍの波長の光でΔｎ＝０．１３３、
緑色光のピークの５３０ｎｍの波長の光でΔｎ＝０．１２５、
赤色光のピークの６４０ｎｍの波長の光でΔｎ＝０．１１７、
である。

液晶層５５を挟持する第１の配向膜６１と第２の配向膜６２とは、液晶層５５に含有される液晶分子の配向がホモジニアス配向になるように、走査線１０２の延在方向、すなわちＸ方向に対して平行、反平行にアンチパラレルラビング処理されている。素子基板１０の液晶層５５側の反対側には第１の偏光板６５が配置され、対向基板１１の液晶層５５側の反対側には第２の偏光板６６が配置されている。液晶装置１はノーマリーブラックモードの液晶装置であり、上記双方の偏光板は、夫々の透過軸が互いに直交するように配置されている。すなわち、第１の偏光板６５の透過軸はＸ方向となっており、第２の偏光板６６の透過軸はＹ方向となっている。

上述したように、上記一対の配向膜はＸ方向に配向処理がされており、液晶層５５に含有される液晶分子は、上記一対の電極間に電圧が印加されていない場合、略Ｘ方向に配向している。照射光７０は第１の偏光板６５を透過することで該第１の偏光板の透過軸方向の直線偏光となり液晶層５５に入射する。そして上記一対の電極間に電圧が印加されていない状態、すなわち液晶層５５に含有される液晶分子の配向方向が略Ｘ方向のままであれば、入射時と略同一の偏光方向を保ちつつ液晶層５５から射出される。そしてかかる偏光方向に直交する透過軸を有する第２の偏光板６６に吸収される。

一方、上記一対の電極間に電圧が印加されている状態であれば、液晶層５５に含有される液晶分子は該印加電圧の大きさに合わせて時計回りに回転する。液晶層５５に入射した照射光７０は該回転の角度の大きさに対応して位相差が付与されてＸ方向に対して角度を有する偏光となり、第２の偏光板６６に入射する。そして、該角度に応じた比率で第２の偏光板６６を透過して観察者に向けて射出される。
本実施形態にかかる液晶装置１では、液晶層５５により付与される位相差が三原色の夫々に最適な値となるように各構成要素の寸法を調整している。そしてかかる調整により、Ｖ−Ｔ特性を三原色間で略同一として、表示時の色づきを改善している。

上述したように、第１の偏光板６５を透過した光は、液晶層により位相差すなわちリタデーションが付与される。かかる位相差は、液晶層厚すなわちセル厚６０をｄ、とすると、双方の積（Δｎ・ｄ）で表わされる。上述したように、本実施形態の液晶装置１が備える液晶層５５のΔｎの値は、該液晶層を透過する光の波長により異なっており、波長が短いほど大きな値である。また、付与されるべき位相差は波長に比例するため波長が短いほど小さな値で済む。したがって、セル厚６０を赤色サブ画素２６Ｒ→緑色サブ画素２６Ｇ→青色サブ画素２６Ｂの順に薄くすることで、三原色の夫々に付与される位相差を好ましい方向に近づけることができる。そのため、本実施形態の液晶装置１は上述したように、セル厚６０Ｒ＝３．９μｍ→セル厚６０Ｇ＝３．０μｍ→セル厚６０Ｂ＝２．４μｍ、としている。

かかる数値は、下記の算出式（１）により定められている。互いに異なる波長領域の光を射出する一組のサブ画素領域（第１のサブ画素領域と第２のサブ画素領域）に形成されている（一組の）カラーフィルタ３５が透過させる光の波長領域のピーク波長を夫々第１のピーク波長λ₁、第２のピーク波長λ₂（λ₁＜λ₂）として、
波長がλ₁のときの複屈折率をΔｎ（λ₁）、
波長がλ₂のときの複屈折率をΔｎ（λ₂）、
ピーク波長がλ₁のカラーフィルタ３５を備えるサブ画素２６のセル厚６０をｄ１、
ピーク波長がλ₂のカラーフィルタ３５を備えるサブ画素２６のセル厚６０をｄ２、
とすると、
λ₁・Δｎ（λ₂）：λ₂・Δｎ（λ₁）＝ｄ１：ｄ２・・・・・・（１）

上記式（１）は経験的に算出されたものであり、青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇと赤色サブ画素２６Ｒの組み合わせのセル厚６０の比が略８：１０：１３となる。本実施形態の液晶装置１は、セル厚６０が式（１）で算出される比となるように各サブ画素２６間でカラーフィルタ３５の層厚を変化させて、各画素毎で付与される位相差を好適な値にしている。

ここで、セル厚６０を縮小すると別の問題が発生し得る。上述したように、液晶層５５に含有される液晶分子は、一対の電極間に電圧が印加されていないときは一対の配向膜によりＸ方向に配向されており、該配向膜の配向規制力は液晶層５５と該配向膜の界面で最も強く働いている。したがって、上記界面の近傍の液晶分子は該界面から離れた液晶分子に比べて電界の影響を受けにくく、同一の電界における回転角が小さくなる。すなわち、配向方向が変化しにくくなる。かかるセル厚６０の縮小による影響を、以下、「配向規制力の影響」と称する。セル厚６０を縮小するということは、所定の領域すなわち画素電極２１と平面視で重なる領域に充填されている液晶分子の総量に占める上記界面近傍の液晶分子の比率を増加させることである。したがって、同一の電圧を印加した場合の透過率が低下し得る。

本実施形態にかかる液晶装置１は、かかる問題を解消するために、画素電極２１の形状を三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）が備える夫々の画素電極２１（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で変化させて、かかる透過率の低下を回避している。すなわち、本実施形態にかかる液晶装置１は、上述したように、帯状部幅４５とその間隔すなわちスリット幅４１の双方を、第１の画素電極２１Ｂ→第２の画素電極２１Ｇ→第３の画素電極２１Ｒの順に大きく（広く）している。画素電極２１と共通電極２２との間の電界は、具体的には帯状部４４の外周と共通電極２２間で最も強く形成される。したがって、帯状部幅４５とスリット幅４１の双方を縮小して、帯状部４４とスリット４０の双方の本数を増加させると、同一面積の画素電極２１を用いた場合において、より効率的に液晶分子を回転させることができる。

上述の帯状部幅４５とスリット幅４１の値も、上述の算出式（１）により定められている。すなわち、第１の画素電極２１Ｂと第２の画素電極２１Ｇと第３の画素電極２１Ｒとで略８：１０：１３となるように設定されている。

図６は、本実施形態にかかる液晶装置１が備える三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）のＶ−Ｔ特性を示す図である。図示するように、三種類のサブ画素２６のＶ−Ｔ特性は略同一であり、図１４に示す従来の液晶装置のＶ−Ｔ特性と比べて大幅に向上している。すなわち、本実施形態にかかる液晶装置１は、三種類のサブ画素２６の各々が備えるカラーフィルタ３５のピーク波長に合わせてセル厚６０を変化させることで、夫々のサブ画素２６毎に最適な位相差（リタデーション）を付与している。そして、セル厚６０の変化（縮小）に伴う上述の配向規制力の影響は、画素電極２１内に形成される帯状部幅４５とスリット幅４１の双方の縮小、すなわち帯状部４４のピッチを増加させることで抑制している。その結果Ｖ−Ｔ特性が向上しており、色づきの抑制された表示を可能となっている。

（第２の実施形態）
続いて第２の実施形態について説明する。図７は、第２の実施形態にかかる液晶装置２の断面を模式的に示す図である。図７は、第１の実施形態にかかる液晶装置１の図５に示す断面図と同様の切断線における断面図である。本実施形態にかかる液晶装置２は、第１の実施形態にかかる液晶装置１と類似した構成を有している。素子基板１０側に形成される要素は層間絶縁層５１の層厚を除き略同一である。また、図３のＡ−Ａ’線における断面も、後述する液晶層厚調整層５７の有無を除くと略同一である。そこで、本実施形態の液晶装置２については、図３のＢ−Ｂ’線に相当する切断線における断面図である図７のみを用いて説明する。液晶装置１の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。

上述したように、液晶装置２は液晶装置１と類似した構成を有しており、上述の式（１）に基づき、セル厚６０が三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で異なる値に設定されている。すなわち青色サブ画素２６Ｂのセル厚６０Ｂは２．４μｍ、緑色サブ画素２６Ｇのセル厚６０Ｇは３．０μｍ、赤色サブ画素２６Ｒのセル厚６０Ｒは３．９μｍ、である。かかるセル厚６０の差異により、液晶装置２においては、液晶装置１と同様に夫々のサブ画素２６で付与される位相差が好適な値にされており、表示品質が向上されている。

液晶装置２は、上述のセル厚６０の調整が、カラーフィルタ３５ではなく液晶層厚調整層５７で行われている点で液晶装置１と相違している。液晶層厚調整層５７は平坦化層５６と第２の配向膜６２との層間に局所的に形成された層である。アクリル等の透明絶縁性樹脂からなり、平面視で少なくとも青色サブ画素領域３０Ｂと緑色サブ画素領域３０Ｇとを含み、かつ、赤色サブ画素領域３０Ｒを除く領域に形成されている。

該液晶層厚調整層の層厚は、上述のサブ画素２６間のセル厚６０の差に合せて、青色サブ画素領域３０Ｂにおける層厚が緑色サブ画素領域３０Ｇにおける該層厚よりも厚くなるように形成されている。なお、カラーフィルタ３５の層厚は三種類のサブ画素２６間で略同一に形成されている。

また、液晶装置２は、サブ画素２６間のセル厚６０の差に伴う上述の配向規制力の影響を抑制するために、液晶装置１と同様に上記式（１）に基づき、帯状部幅４５（図３参照）とスリット幅４１（図３参照）の値が、三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）が夫々備える画素電極２１（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で異なる値に形成されている。すなわち、
第１の画素電極２１Ｂでは帯状部幅４５が２．４μｍでスリット幅４１が４．０μｍ、
第２の画素電極２１Ｇでは帯状部幅４５が３．０μｍでスリット幅４１が５．０μｍ、
第３の画素電極２１Ｒでは帯状部幅４５が３．９μｍでスリット幅４１が６．５μｍ、
となるように形成されている。

さらに液晶装置２は、液晶装置１とは異なり、誘電体層５２の層厚も上記式（１）に基づき、三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）間で異なるように形成されている。すなわち、誘電体層５２の層厚が、青色サブ画素２６Ｂでは３２０ｎｍ、緑色サブ画素２６Ｇでは４００ｎｍ、赤色サブ画素２６Ｒでは５２０ｎｍとなるように形成されている。

誘電体層５２はゲート絶縁層５０と層間絶縁層５１との積層体である。液晶装置２では、ゲート絶縁層５０の層厚はサブ画素２６間で共通であり、層間絶縁層５１の層厚がサブ画素２６間で相違している。すなわち、層間絶縁層５１の層厚が、青色サブ画素２６Ｂの画素電極２１と平面視で重なる領域では緑色サブ画素２６Ｇの該領域における該層厚よりも８０ｎｍ薄く形成されており、赤色サブ画素２６Ｒの画素電極２１と平面視で重なる領域では緑色サブ画素２６Ｇの該領域における該層厚よりも１２０ｎｍ厚く形成されている。

ここで、画素電極２１と共通電極２２との間の電界は、誘電体層５２を介して形成される。したがって、誘電体層５２の層厚が薄いほど上記電界の強度は高くなり、液晶分子を回転させる力は増加する。セル厚６０を薄く形成することに伴い誘電体層厚を薄くすることで、一対の配向膜と液晶層との界面近傍の液晶分子の比率を増加に伴う上述の配向規制力の影響を抑制し、（同一電圧印加時における）透過率の低下を抑制できる。すなわち、液晶装置２は上述の帯状部幅４５等の変動の効果に加えて、電界の強度自体にもサブ画素２６間で差異が設けられたことで、上述のセル厚６０の差異による透過率の低下がより一層好適に抑制されており、表示品質がより一層向上している。

図８は、液晶装置２が備える三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）のＶ−Ｔ特性を示す図である。図示するように、三種類のサブ画素２６のＶ−Ｔ特性は略同一であり、図１４に示す従来の液晶装置のＶ−Ｔ特性と比べると大幅に、そして、図６に示す第１の実施形態の液晶装置１のＶ−Ｔ特性と比べても、誘電体層５２の層厚をサブ画素２６間で差異を設けたことにより若干向上している。したがって、従来の液晶装置と比較して、色づきが大幅に抑制された表示を可能にしている。また、液晶装置２は、セル厚６０の調整がカラーフィルタ３５とは別途形成された液晶層厚調整層５７により行われているため、カラーフィルタ３５の層厚が表示品質のみに着目して決定されている。したがって、かかる点においても液晶装置１に比べて表示品質の向上に寄与している。

（第３の実施形態）
続いて第３の実施形態について説明する。図９は、第３の実施形態にかかる液晶装置３の、青色サブ画素領域３０Ｂと緑色サブ画素領域３０Ｇと赤色サブ画素領域３０Ｒとを含む画素領域２８の平面的な構成を模式的に示す図である。上述の第１の実施形態における図３に相当する図であり、素子基板１０（図１０参照）を法線方向から見た図である。したがって、対向基板１１（図１０参照）側に形成されるカラーフィルタ３５等は図示を省略している。

図１０は、図９のＣ−Ｃ’線における断面図であり、第１の実施形態にかかる液晶装置１の図５に示す断面図、及び第２の実施形態にかかる液晶装置２の図７に示す断面図に相当する図である。

上記双方の図において、第１の実施形態にかかる液晶装置１の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与している。そして、かかる構成要素の説明の記載は一部省略する。本実施形態にかかる液晶装置３は、液晶装置１及び液晶装置２とは異なり、青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇとの間でのみ上述の式（１）に基づいてセル厚６０が設定されている。そして、該セル厚の差異に配向規制力の影響を抑制するために、該式（１）に基づいて、画素電極２１の帯状部幅４５とスリット幅４１とが設定されている。したがって、緑色サブ画素２６Ｇが備える第２の画素電極２１Ｇと、赤色サブ画素２６Ｒが備える第３の画素電極２１Ｒと、の間では、セル厚６０と帯状部幅４５とスリット幅４１とが同一である。

具体的には、青色サブ画素２６Ｂのセル厚６０Ｂは２．４μｍ、緑色サブ画素２６Ｇのセル厚６０Ｇは３．０μｍ、そして赤色サブ画素２６Ｒのセル厚６０Ｒは３．０μｍ、である。また、第１の画素電極２１Ｂでは帯状部幅４５が２．４μｍでスリット幅４１が４．０μｍ、第２の画素電極２１Ｇでは帯状部幅４５が３．０μｍでスリット幅４１が５．０μｍ、第３の画素電極２１Ｒでは帯状部幅４５が３．０μｍでスリット幅４１が５．０μｍ、である。なお、上述のセル厚６０の差異は、液晶装置１と同様に、サブ画素２６間でカラーフィルタ３５の層厚を異ならせることで形成されている。

本実施形態にかかる液晶装置３において、青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇと間にのみ構成要素の寸法に差異を設けた理由は、従来の液晶装置すなわち、構成要素の寸法がサブ画素２６間で共通である液晶装置においては、青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇと間のＶ−Ｔ特性の差異が、緑色サブ画素２６Ｇと赤色サブ画素２６Ｒと間の該差異に比べて大きいからである。

図１４に示すように、従来の液晶装置では、緑色サブ画素２６Ｇと赤色サブ画素２６Ｒと間のＶ−Ｔ特性の差異は小さく、透過率が最大となる電圧値も殆んど変わらない。それに対し、青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇと間のＶ−Ｔ特性の差異は大きく、透過率が最大となる電圧値も１Ｖ（ボルト）近く異なっている。したがって、上述の青色サブ画素２６Ｂと緑色サブ画素２６Ｇと間のＶ−Ｔ特性を改善することで、表示品質がかなり向上することが期待できる。

図１１は、液晶装置３が備える三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）のＶ−Ｔ特性を示す図である。図示するように、青色サブ画素２６ＢのＶ−Ｔ特性と緑色サブ画素２６ＧのＶ−Ｔ特性とが一致する方向に大きく改善されており、図８に示す第２の実施形態の液晶装置２のＶ−Ｔ特性にかなり近いレベルに達している。

一方で、本実施形態にかかる液晶装置３は、上述の液晶装置１及び液晶装置２に比べて製造コストの増加が抑制されている。すなわち、カラーフィルタ３５の層厚が二段階であるため、カラーフィルタ層３３の形成工程の効率が向上する。したがって、本実施形態にかかる液晶装置３は、製造コストの増加が抑制された上でＶ−Ｔ特性の差異に起因する色づきが抑制されており、従来の液晶装置に比べて高い品質の表示が可能となっている。

（第４の実施形態）
続いて第４の実施形態について説明する。図１２は、第４の実施形態にかかる液晶装置４の断面を模式的に示す図である。図１２は、第１の実施形態にかかる液晶装置１の図５に示す断面図と同様の切断線における断面図である。図１２において、第１〜第３の実施形態にかかる液晶装置（１〜３）の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与している。そして、かかる構成要素の説明の記載は一部省略する。

本実施形態にかかる液晶装置４は、第２の実施形態にかかる液晶装置２と第３の実施形態にかかる液晶装置３との双方に類似している。すなわち、青色サブ画素２６Ｂのセル厚６０Ｂは２．４μｍであり、他の二種類のサブ画素２６（２６Ｇ及び２６Ｒ）の該セル厚（６０Ｇ及び６０Ｒ）は３．０μｍである。そして、かかるセル厚６０の調整が液晶層厚調整層５７で成されている。
また、青色サブ画素２６Ｂが備える第１の画素電極２１Ｂの帯状部幅４５は２．４μｍ、スリット幅４１は４．０μｍであり、他の二種類のサブ画素２６が備える画素電極２１の該帯状部幅は３．０μｍ、該スリット幅は５．０μｍである。

青色サブ画素２６Ｂと、緑色サブ画素２６Ｇと赤色サブ画素２６Ｒの二種類のサブ画素２６と間の寸法の差異は、上述の式（１）に基づいて設定されている点も上述の各実施形態と共通である。青色サブ画素２６Ｂと、他の二種類のサブ画素２６との間にのみ、かかる差異を設けた理由も第３の実施形態と共通である。

図１３は、液晶装置４が備える三種類のサブ画素２６（Ｂ，Ｇ，Ｒ）のＶ−Ｔ特性を示す図である。図１１に示す第３の実施形態にかかる液晶装置３の結果と同様に、青色サブ画素２６ＢのＶ−Ｔ特性と緑色サブ画素２６ＧのＶ−Ｔ特性とが一致する方向に大きく改善されており、図８に示す第２の実施形態の液晶装置２のＶ−Ｔ特性にかなり近いレベルに達している。

また、本実施形態にかかる液晶装置４は第２の実施形態にかかる液晶装置２と同様にセル厚６０の調整がカラーフィルタ３５とは別途形成された液晶層厚調整層５７により行われている。したがって、カラーフィルタ３５の層厚が表示品質のみに着目して決定されており、かかる点において液晶装置３に比べて表示品質の向上に寄与している。したがって、本実施形態にかかる液晶装置４は、製造コストの増加が抑制された上でＶ−Ｔ特性の差異に起因する色づきが抑制されており、従来の液晶装置に比べて高い品質の表示が可能となっている。また、カラーフィルタ３５の層厚が単一であるため、カラーフィルタ層３３の形成工程の効率が向上している点も、第２の実施形態にかかる液晶装置２と同様である。

（電子機器）
次に、上述の第１〜第４の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを電子機器に適用した例について説明する。図１５は、電子機器としての携帯電話機８０の斜視図である。携帯電話機８０は、表示部８１及び操作ボタン８２を有している。表示部８１は、内部に組み込まれた液晶装置１（あるいは液晶装置２〜４）によって、操作ボタン８２で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。

携帯電話機８０は、色づきの少ない高品質の画像を広い視野角で表示できる液晶装置１（あるいは液晶装置２〜４）を表示部８１に備えているため、観察者に対して多くの情報を正確に伝達できる。
なお、液晶装置１（あるいは液晶装置２〜４）は、上記携帯電話機８０の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。

（変形例）
図１６は変形例の液晶装置を示す図である。図１６において、第１〜第４の実施形態にかかる液晶装置（１〜４）の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。なお、平面視での形状は図９に示す第３の実施形態にかかる液晶装置３の平面形状と略同一である。

本変形例にかかる液晶装置５は、青色サブ画素２６Ｂのセル厚６０は２．４μｍであり、他の二種類のサブ画素２６（２６Ｇ及び２６Ｒ）の該セル厚（６０Ｇ及び６０Ｒ）は３．０μｍである点で、第３の実施形態にかかる液晶装置３と第４の実施形態にかかる液晶装置４の双方に類似している。そして、誘電体層５２の層厚がサブ画素２６間で異なる点で、第２の実施形態にかかる液晶装置２に類似している。ただし、本変形例にかかる液晶装置５は、該誘電体層の層厚が青色サブ画素２６Ｂのみが他の２種類のサブ画素２６と異なっている。

図示するように、層間絶縁層５１の層厚が、青色サブ画素領域３０Ｂを含み、かつ他の２種類のサブ画素領域を含まない領域において薄く形成されており、セル厚６０Ｂが縮小されたことによる配向規制力の影響の抑制している。かかる誘電体層５２の層厚の差異は、第２の実施形態にかかる液晶装置２と同様に層間絶縁層５１の層厚を変化させることで成されている。したがって、上述の各実施形態にかかる液晶装置と同様に、Ｖ−Ｔ特性の差異に起因する色づきが抑制されており、従来の液晶装置に比べて高い品質の表示が可能である。

第１の実施形態にかかる液晶装置の回路構成図。 第１の液晶装置の表示領域の一部分の拡大平面図。 第１の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。 第１の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。 第１の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。 第１の実施形態にかかる液晶装置のＶ−Ｔ特性を示す図。 第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。 第２の実施形態にかかる液晶装置のＶ−Ｔ特性を示す図。 第３の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。 第３の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。 第３の実施形態にかかる液晶装置のＶ−Ｔ特性を示す図。 第４の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。 第４の実施形態にかかる液晶装置のＶ−Ｔ特性を示す図。 従来の液晶装置のＶ−Ｔ線図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。 変形例の液晶装置の模式断面図。

符号の説明

１…液晶装置、２…液晶装置、３…液晶装置、４…液晶装置、１０…第１の基板としての素子基板、１１…第２の基板としての対向基板、１９…コンタクトホール、２０…ＴＦＴ、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２１…第１の電極としての画素電極、２１Ｂ…第１の画素電極、２１Ｇ…第２の画素電極、２１Ｒ…第３の画素電極、２２…第２の電極としての共通電極、２６…サブ画素、２６Ｒ…赤色サブ画素、２６Ｇ…緑色サブ画素、２６Ｂ…青色サブ画素、２８…画素領域、３０…サブ画素領域、３０Ｂ…第１のサブ画素領域としての青色サブ画素領域、３０Ｇ…第２のサブ画素領域としての緑色サブ画素領域、３０Ｒ…第３のサブ画素領域としての赤色サブ画素領域、３３…カラーフィルタ層、３５…着色層としてのカラーフィルタ、３５Ｂ…第１の着色層としての青色カラーフィルタ、３５Ｇ…第２の着色層としての緑色カラーフィルタ、３５Ｒ…第３の着色層としての赤色カラーフィルタ、３６…遮光層としてのブラックマトリクス、４０…スリット、４１…所定の間隔としてのスリット幅、４４…帯状部、４５…帯状部幅、５０…ゲート絶縁層、５１…層間絶縁層、５２…誘電体層、５５…液晶層、５６…平坦化層、５７…液晶層厚調整層、６０…セル厚、６０Ｂ…青色サブ画素のセル厚、６０Ｇ…緑色サブ画素のセル厚、６０Ｒ…赤色サブ画素のセル厚、６１…第１の配向膜、６２…第２の配向膜、６５…第１の偏光板、６６…第２の偏光板、７０…照射光、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…データ線、１０６…共通線、１１２…走査線駆動回路、１１４…データ線駆動回路。

Claims (10)

1. 基板と、
   基体と、
   前記基板と前記基体との間に配置された液晶層と、
   前記基板の前記液晶層側の面の上方に形成され、透明導電材料を含む第１画素電極と、
   前記基板の前記液晶層側の面の上方に形成され、透明導電材料を含む第２画素電極と、
   前記第１画素電極及び前記第２画素電極の両方と前記基板との間に位置する部分を含む共通電極と、
   前記第１画素電極及び前記第２画素電極の両方と前記共通電極との間に位置する部分を含む誘電体層と、
   前記液晶層の上方に形成され、可視光を透過させたときに第１の波長が最も高い透過率となる第１着色層と、
   前記液晶層の上方、かつ、前記第１着色層と異なる位置に形成され、可視光を透過させたときに前記第１の波長より長波長である第２の波長が最も高い透過率となる第２着色層と、を有し、
   前記第1画素電極は、前記基板に垂直な方向である第１の方向から見た平面視において、前記第１着色層と少なくとも一部が重なり、
   前記第２画素電極は、前記第１の方向から見た平面視において、前記第２着色層と少なくとも一部が重なり、
   前記第１画素電極または前記共通電極のいずれか一方は、前記基板に平行な第２の方向に沿って延在する複数の第１帯状部を含み、
   前記複数の第１帯状部の各々は、前記基板に平行、かつ、前記第２の方向と直交する第３の方向に沿って、それぞれ第１の幅と第１の間隔とを有して平行に配置され、
   前記第２画素電極または前記共通電極のいずれか一方は、前記第２の方向に沿って延在する複数の第２帯状部を含み、
   前記複数の第２帯状部の各々は、前記第３の方向に沿って、それぞれ第２の幅と第２の間隔とを有して平行に配置され、
   前記第１着色層と前記第１画素電極との間にある前記液晶層の厚さは、前記第２着色層と前記第２画素電極との間にある前記液晶層の厚さよりも薄く、
   前記第１の幅は、前記第２の幅よりも小さく、
   前記第１の間隔は、前記第２の間隔よりも小さいことを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記第１画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の層厚は、前記第２画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の層厚よりも薄いことを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置において、
   前記第１の波長をλ１とし、
   前記第２の波長をλ２とし、
   前記液晶層の前記第１の波長に対する屈折率異方性をΔｎ（λ１）とし、
   前記液晶層の前記第２の波長に対する屈折率異方性をΔｎ（λ２）としたとき、
   前記第１着色層と前記第１画素電極との間にある前記液晶層の厚さと前記第２着色層と前記第２画素電極との間にある前記液晶層の厚さとの比、前記第１の幅と前記第２の幅との比、前記第１の間隔と前記第２の間隔との比、及び、前記第１画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の厚さと前記第２画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の厚さとの比、のうち少なくとも１つが、λ1・Δｎ（λ2）とλ2・Δｎ（λ1）との比と略同一であることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第１の着色層の層厚は、前記第２の着色層の層厚よりも厚いことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶装置において、
   前記第１の幅は３．０μｍよりも小さく、
   前記第１の間隔は５．０μｍよりも小さいことを特徴とする液晶装置。
6. 請求項３乃至５のいずれかに記載の液晶装置において、
   さらに、前記基板の前記液晶層側の面の上方に形成され、透明導電材料を含む第３画素電極と、
   前記液晶層の上方かつ、前記第１着色層及び前記第２着色層と異なる位置に形成され、可視光を透過させたときに前記第１の波長と前記第２の波長との間の波長である第３の波長が最も高い透過率となる第３着色層と、を有し、
   前記共通電極は、前記第３画素電極と前記基板との間に位置する部分を含み、
   前記誘電体層は、前記第３画素電極と前記共通電極との間に位置する部分を含み、
   前記第３画素電極は、前記第１の方向から見た平面視において、前記第３着色層と少なくとも一部が重なり、
   前記第３画素電極または前記共通電極のいずれか一方は、前記第２の方向に沿って延在する複数の第３帯状部を含み、
   前記複数の第３帯状部の各々は、前記第３の方向に沿って、それぞれ第３の幅と第３の間隔とを有して平行に配置されていることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項６に記載の液晶装置において、
   前記第３の波長をλ３とし、
   前記液晶層の前記第３の波長に対する屈折率異方性をΔｎ（λ３）としたとき、
   前記第２着色層と前記第２画素電極との間にある前記液晶層の厚さと前記第３着色層と前記第３画素電極との間にある前記液晶層の厚さとの比、前記第２の幅と前記第３の幅との比、前記第２の間隔と前記第３の間隔との比、及び、前記第２画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の厚さと前記第３画素電極と前記共通電極との間にある前記誘電体層の厚さとの比、のうち少なくとも１つが、λ２・Δｎ（λ３）とλ３・Δｎ（λ２）との比と略同一であることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項７に記載の液晶装置において、
   前記第２の着色層の層厚は前記第３の着色層の層厚よりも厚いことを特徴とする液晶装置。
9. 請求項６乃至８のいずれかに記載の液晶装置において、
   前記第３の幅は、２．４μｍと３．９μｍとの間の幅であり、
   前記第３の間隔は、４．０μｍと６．５μｍとの間の間隔であることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

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