KR20160025126A - 액정표시장치 - Google Patents

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KR20160025126A
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김향율
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송진호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 색좌표 조절이 가능한 액정표시장치에 관한 것으로, 제 1 기판; 제 1 기판 상에 위치하는 적어도 하나의 게이트 라인 및 적어도 하나의 데이터 라인; 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극; 제 2 기판; 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층; 제 1 기판 및 제 2 기판 중 하나에 위치한 화소 전극; 제 1 및 제 2 기판 중 하나에 위치하여 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스; 화소 영역에 대응하게 배치된 컬러 필터; 및 제 1 기판 및 제 2 기판 중 어느 하나 상에 위치하며, 하나의 화소 영역 내에서 다른 셀갭을 형성하는 셀갭 조절막을 포함한다.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 색좌표 조절이 가능한 액정표시장치에 대한 것이다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display Device, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판표시장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 상기 기판 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정표시장치는 박형화가 용이한 장점을 지니고 있지만, 전면 시인성에 비해 측면 시인성이 떨어지는 단점이 있어 이를 극복하기 위한 다양한 방식의 액정 배열 및 구동 방법이 개발되고 있으며, 광시야각을 구현하기 위하여 화소 전극 및 공통 전극을 하나의 기판에 형성하는 PLS(Plane to Line Switching) 모드의 액정 표시 장치에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.
한편, 이러한 PLS 모드의 액정표시패널은 이의 컬러 밸런스(color balance)를 유지하기 위해 ACC(Accurate Color Capture) 보상처리를 필요로 한다. 그러나, 이 보상처리가 수행될 경우, 화면에 옐로위시(yellowish) 현상이 발생될 수 있다.
이러한 옐로위시 현상을 제거하기 위해 컬러 필터의 두께를 색상 별로 다르게 만드는 방법도 제안되었으나, 이와 같은 경우 그 변경된 두께에 따라 컬러 필터의 특성도 변화되기 때문에 새로운 컬러 필터의 재료 개발이 필요하다는 또 다른 문제점이 발생된다.
본 발명은 전술된 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 컬러 필터의 특성 변화 없이 색좌표 조절이 가능한 액정표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 제 1 기판; 제 1 기판 상에 위치하는 적어도 하나의 게이트 라인 및 적어도 하나의 데이터 라인; 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터; 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극; 제 2 기판; 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층; 제 1 기판 및 제 2 기판 중 하나에 위치한 화소 전극; 제 1 및 제 2 기판 중 하나에 위치하여 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스; 화소 영역에 대응하게 배치된 컬러 필터; 및 제 1 기판 및 제 2 기판 중 어느 하나 상에 위치하며, 하나의 화소 영역 내에서 다른 셀갭을 형성하는 셀갭 조절막을 포함한다.
셀갭 조절막은 하나의 화소 영역내에서 서로 다른 두께를 갖는다.
셀갭 조절막은 하나의 화소 영역 중 일부에만 위치한다.
셀갭 조절막은 화소 영역별로 서로 다른 두께를 갖는다.
셀갭 조절막은 적어도 하나의 화소 영역에 위치하지 않는다.
셀갭 조절막은 상기 컬러 필터와 다른 재질로 이루어진다.
셀갭 조절막은 금속, 유기 및 무기 재질들 중 어느 하나로 이루어진다.
블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극이 상기 제 2 기판 상에 위치한다.
블랙 매트릭스 및 컬러 필터가 제 2 기판 상에 위치하고, 공통 전극이 제 1 기판 상에 위치하며; 화소 전극이 복수의 가지 전극들을 포함한다.
화소 전극과 공통 전극 사이에 위치한 절연막이 더 포함된다.
데이터 라인과 공통 전극 사이에 위치한 커플링 방지막이 더 포함된다.
커플링 방지막과 셀갭 조절막이 동일한 재질로 이루어진다.
블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극이 제 1 기판 상에 위치한다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 셀갭 조절막을 이용하여 화소 영역 별로 셀갭을 조절함으로써 색좌표를 보정할 수 있다. 이에 따라 컬러 밸런싱이 유지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 화소 영역을 포함한 3개의 인접한 화소 영역들에 대한 평면도이다.
도 5는 도 4의 III-III'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이다.
도 7은 도 1의 II-II'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이다.
도 8은 도 4의 III-III'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이다.
도 9는 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 또 다른 실시예이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(또는 상 above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이며, 그리고 도 3은 도 1의 II-II'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정표시장치는 서로 마주보는 하부 패널(100) 및 상부 패널(200)과 그 사이에 위치한 액정층(300)을 포함한다.
제 1 실시예
먼저, 하부 패널(100)에 대하여 설명한다.
하부 패널(100)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 기판(101), 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(111), 반도체층(113), 저항성 접촉층(ohmic contact, 115), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 박막 트랜지스터(TFT), 데이터 라인(DL), 제 1 보호막(120), 공통 전극(130), 셀갭 조절막(188), 제 2 보호막(220) 및 화소 전극(144)을 포함한다.
하부 기판(101)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판이 될 수 있다.
게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)은 하부 기판(101) 상에 위치한다. 도시되지 않았지만, 게이트 라인(GL)은, 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위해, 이의 접속 부분(예를 들어, 끝 부분)이 이의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다. 게이트 라인(GL)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 또는 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 또는 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 또는 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속으로 만들어질 수 있다. 또는, 이 게이트 라인(GL)은, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 한편, 게이트 라인(GL)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)으로부터 분기된 것으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소 영역(P) 측으로 돌출된 형태를 갖는다. 이 게이트 전극(GE) 역시 전술된 게이트 라인(GL)과 동일한 재료 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 다시 말하여, 게이트 전극(GE)과 게이트 라인(GL)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 절연막(111)은 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE) 상에 위치한다. 이때, 게이트 절연막(111)은 그 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)을 포함한 하부 기판(101)의 전면(全面)에 형성된다. 게이트 절연막(111)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 게이트 절연막(111)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
반도체층(113)은 게이트 절연막(111) 상에 위치한다. 이때, 반도체층(113)은 게이트 전극(GE)과 적어도 일부 중첩한다. 반도체층(113)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉층(115)은 반도체층(113) 상에 위치한다. 저항성 접촉층(115)은 인(phosphorus) 과 같은 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 저항성 접촉층(115)은 쌍을 이루어 반도체층(113) 상에 위치할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 저항성 접촉층(115) 상에 위치한다.
소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 분기된 것으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 이 소스 전극(SE)은 게이트 전극(GE)을 향해 돌출된 형태를 갖는다. 이때, 소스 전극(SE)은 드레인 전극(DE)의 일부를 둘러싸는 역 C자 형상을 이룰 수 있다. 소스 전극(SE)의 적어도 일부는 반도체층(113) 및 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 한편, 이 소스 전극은 역 C자 대신, C자, U자 및 역 U자 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다.
소스 전극(SE)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 중간막과 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 한편, 이 소스 전극(SE)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
드레인 전극(DE)의 일측은 화소 전극(144)에 연결된다. 드레인 전극(DE)의 타측의 적어도 일부는 반도체층(113) 및 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 이 드레인 전극(DE) 역시 전술된 소스 전극(SE)과 동일한 재료 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 다시 말하여, 드레인 전극(DE)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체층(113)과 함께 박막 트랜지스터(TFT)를 이룬다. 이때 이 박막 트랜지스터(TFT)의 채널(channel)은 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이의 반도체층(113) 부분에 형성된다.
데이터 라인(DL)은 게이트 절연막(111) 상에 형성된다. 도시되지 않았지만, 데이터 라인(DL)은, 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위해, 이의 접속 부분(예를 들어, 끝 부분)이 이의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다.
데이터 라인(DL)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트 라인(GL)과 교차한다. 이때, 액정표시장치의 최대 투과율을 얻기 위해, 데이터 라인(DL)의 중간 부분이 V자 형태로 구부러진 형태를 가질 수 있다. 이 데이터 라인(DL) 역시 전술된 소스 전극(SE)과 동일한 재료 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 다시 말하여, 데이터 라인(DL)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
제 1 보호막(120)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 위치한다. 이때, 제 1 보호막(120)은 그 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한 하부 기판(101)의 전면(全面)에 형성된다. 제 1 보호막(120)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 한편, 이 제 1 보호막(120)은 무기 절연물로 만들어질 수도 있는 바, 이와 같은 경우 그 무기 절연물로서 감광성(photosensitivity)을 가지며 유전 상수(dielectric constant)가 약 4.0인 것이 사용될 수 있다. 제 1 보호막(120)은 또한, 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체층(113) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있다. 제 1 보호막(120)의 두께는 약 5000Å 이상일 수 있고, 약 6000 Å 내지 약 8000 Å 일 수 있다.
제 1 보호막(120)에 이의 일부를 관통하는 하부 콘택홀(160a)이 형성되는 바, 이 하부 콘택홀(160a)을 통해 드레인 전극(DE)의 일부가 노출된다.
도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 보호막(120) 상에 셀갭 조절막(188)이 형성된다. 이때, 셀갭 조절막(188)은 하나의 화소 영역에 2개의 서로 다른 셀 갭을 형성한다. 즉, 이 셀갭 조절막(188)에 의해 적색 컬러 필터(R)가 위치한 화소 영역(P)에서의 셀 갭(cell gap)의 크기가 2개로 구분된다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 갖는 영역에서의 하부 기판(101)과 상부 기판(201) 간의 셀 갭(d1)과, 셀갭 조절막(188)이 0보다 큰 소정의 두께를 갖는 영역에서의 하부 기판(101)과 상부 기판(201) 간의 셀 갭(d2)이 다르다. 다시 말하여, 셀갭 조절막(188)은 하나의 화소 영역 중 일부에만 위치할 수 있는 바, 이에 따라 하나의 화소 영역이 서로 다른 2개의 셀 갭들(d1, d2)을 가질 수 있다.
따라서, 적색 컬러 필터(R)의 투과율이 변경될 수 있다. 즉, 셀갭 조절막(188)의 두께에 따라 적색 컬러 필터(R)의 투과율이 조절될 수 있다.
한편, 이 셀갭 조절막(188)은 녹색 및 청색 컬러 필터(G, B)가 형성된 화소 영역(P)에도 형성될 수 있다. 셀갭 조절막(188)은 전술된 제 1 보호막(120)에 사용되는 물질로 만들어질 수 있다.
본 발명에 따르면 전술된 바와 같이 컬러 필터 별로 셀갭 조절막(188)의 두께가 알맞게 조절될 수 있다. 이에 따라 색좌표가 보정되어 컬러 밸런싱이 유지될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 하나의 컬러 필터가 위치한 하나의 화소 영역(P)에서의 셀 갭(cell gap)의 크기가 적어도 2개로 구분되는 바, 이에 의해 하나의 컬러 필터에 대한 미세한 컬러 조절이 가능하다.
제 1 보호막(120) 상에, 셀갭 조절막(188)을 포함한 하부 기판(101)의 전면을 덮는 공통 전극(130)이 위치한다. 즉, 공통 전극(130)은 제 1 보호막(120) 및 셀갭 조절막(188)을 포함한 하부 기판(101)의 전면(全面)에 형성된다. 단, 도 2에 도시된 바와 같이, 공통 전극(130)에 이의 일부를 관통하는 개구부가 형성되는 바, 이 개구부는 하부 콘택홀(160a) 바로 위에 위치한다. 이 개구부는 하부 콘택홀(160a) 및 이후 설명할 상부 콘택홀(160b)을 둘러쌀 수 있을 만큼 충분히 큰 크기를 갖는다. 개구부 및 하부 콘택홀(160a)을 통해 드레인 전극(DE)의 일부가 노출된다. 공통 전극(130)은 전술된 게이트 라인(GL)에 사용되는 물질 또는 데이터 라인(DL)에 사용되는 물질로 만들어 질 수 있다.
공통 전극(130) 상에, 하부 기판(101)의 전면을 덮는 제 2 보호막(220)이 위치한다. 즉, 제 2 보호막(220)은 공통 전극(130)을 포함한 하부 기판(101)의 전면(全面)에 형성된다. 제 2 보호막(220)은 전술된 제 1 보호막(120)에 사용되는 물질로 만들어질 수 있다.
제 2 보호막(220)에 이의 일부를 관통하는 상부 콘택홀(160b)이 형성되는 바, 이 상부 콘택홀(160b)은 전술된 개구부의 바로 위에 위치한다. 이 개구부를 통해 하부 콘택홀(160a)과 상부 콘택홀(160b)이 연결되어 하나의 드레인 콘택홀(160)을 형성한다.
여기서, 드레인 콘택홀(160)은 다음과 같은 방법으로 형성된다. 즉, 제 1 보호막(120) 상에 공통 전극(130)이 형성 되면, 포토리쏘그라피(phtorithography) 및 식각 공정을 통해 그 공통 전극(130)의 일부가 제거되어 개구부가 형성된다. 이 개구부를 통해 제 1 보호막(120)이 드러난다. 이후, 그 개구부가 형성된 공통 전극(130)을 포함한 하부 기판(101)의 전면(全面)에 제 2 보호막(220)이 형성된다. 이때, 제 2 보호막(220)의 일부가 개구부를 통해 노출된 제 1 보호막(120)과 접촉한다. 다음으로, 포토리쏘그라피 공정 및 식각 공정을 통해 개구부에 위치한 제 2 보호막(220)과 제 1 보호막(120) 부분이 한꺼번에 제거되면서 드레인 콘택홀(160)이 형성된다. 이때, 드레인 콘택홀(160)이 개구부에 의해 충분히 둘러싸일 수 있도록, 포토리쏘그라피 공정 및 식각 공정이 수행되어야 한다. 그렇게 되어야만, 개구부의 내벽에 해당하는 공통 전극(130)의 노출면이 제 2 보호막(220)에 의해 충분히 가려질 수 있다. 이는 이후 그 드레인 콘택홀(160)에 삽입되는 화소 전극(144)과 공통 전극(130) 간의 단락을 방지하기 위함이다.
화소 전극(144)은 공통 전극(130)과 함께 수평 전계를 생성한다. 이러한 화소 전극(144)은 접속부(144a)와 이 접속부(144a)로부터 분기된 복수의 가지 라인(144b)들을 포함한다. 접속부(144a)는 드레인 콘택홀(160) 상에 위치하는 바, 이 접속부(144a)는 그 드레인 콘택홀(160)을 통해 노출된 드레인 전극(DE)에 연결된다. 복수의 가지 라인(144b)들은 화소 영역(P)에 위치한다. 선형 전극인 가지 라인(144b)들과 면형 전극인 공통 전극(130) 사이에 수평 전계가 발생된다. 가지 라인(144b)들은 데이터 라인(DL)들과 실질적으로 동일한 방향으로 뻗어 있다. 이 가지 라인(144b)들은 중간 부분이 V자 형태로 구부러진 형태를 가질 수 있다. 한편, 이 가지 라인(144b)들은 화소 영역(P)의 외부로 더 연장될 수도 있다.
화소 전극(144)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 이때, ITO는 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있으며, 또한 IZO 역시 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소 전극(144)과 개구부의 내벽을 형성하는 공통 전극(130)의 노출면 사이에 제 2 보호막(220)의 일부(441)가 위치하는 바, 이에 의해 화소 전극(144)과 공통 전극(130) 간의 단락이 방지될 수 있다.
이어서, 상부 패널(200)에 대하여 설명한다.
상부 패널(200)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 블랙 매트릭스(315) 및 컬러필터를 포함한다. 도시되지 않았지만, 상부 패널(200)은, 컬러 필터들을 포함한 기판의 전면에 형성된 오버코트층(overcoat)을 더 포함할 수 있다.
상부 기판(201)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판이 될 수 있다.
블랙 매트릭스(315)는 상부 기판(201) 상에 위치한다. 블랙 매트릭스(315)는 화소 영역(P) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 차단한다. 이 화소 영역(P) 이외의 부분은, 예를 들어 비정상적인 수평 전계에 의해 액정의 제어가 되지 않는 디스클리네이션(disclination) 영역을 더 포함할 수 있다.
컬러 필터는 적색 컬러 필터(R), 녹색 컬러 필터(G) 및 청색 컬러 필터(B)를 포함한다. 각 컬러 필터(R, G, B)는 상부 기판(201) 중 블랙 매트릭스(315)에 의해 가려지지 않은 영역, 즉 화소 영역(P)들에 대응되는 부분에 위치한다. 이때, 각 컬러 필터(R, G, B)의 가장자리의 일부는 블랙 매트릭스(315) 상에 위치할 수 있다.
액정층(300)은 양의 유전율 이방성을 가지는 네마틱(nematic) 액정 물질을 포함한다. 액정층(300)의 액정 분자는 그 장축 방향이 상부 패널(200) 및 하부 패널(100) 중 어느 하나에 평행하게 배열되어 있고, 그 방향이 하부 패널(100)의 배향막의 러빙 방향으로부터 상부 패널(200)에 이르기까지 나선상으로 90도 비틀린 구조를 가질 수 있다. 또는, 네마틱 액정 물질 대신, 액정층(300)은 수직 배향된 액정 물질들을 포함할 수도 있다.
한편, 인접한 3개의 화소 영역들(P1, P2, P3)에서의 셀 갭이 다음과 같이 다르게 구성될 수도 있다. 이를 도 4 및 도 5를 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 4는 도 1에 도시된 화소 영역(P)을 포함한 3개의 인접한 화소 영역(P)들에 대한 평면도이고, 도 5는 도 4의 III-III'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 셀갭 조절막(188)은 화소 영역별로 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 구체적으로, 청색 컬러 필터(B)가 위치한 제 1 화소 영역(P1)의 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 가지며, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P2) 중 일부 영역의 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 가지며, 그 제 2 화소 영역(P2) 중 나머지 영역의 셀갭 조절막(188)이 0보다 큰 소정의 두께를 가지며, 그리고 녹색 컬러 필터(G)가 위치한 제 3 화소 영역(P3)의 셀갭 조절막(188)이 위 소정의 두께보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 여기서, 제 1 화소 영역(P1)에는 실질적으로 셀갭 조절막(188)이 위치하지 않는다.
이에 따라, 청색 컬러 필터(B)가 위치한 제 1 화소 영역(P1)에서의 셀 갭(d_B)이 가장 크고, 녹색 컬러 필터(G)가 위치한 제 3 화소 영역(P3)에서의 셀 갭(d_G)이 가장 작다. 그리고, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P) 중 일부의 셀 갭(d_R1)은, 제 1 화소 영역(P1)의 셀 갭(d_B)과 동일하다. 그리고, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P2) 중 나머지 부분의 셀 갭(d_R2)은, 제 1 화소 영역(P1)의 셀 갭(d_B)보다 크고 제 3 화소 영역(P3)에서의 셀 갭(d_G)보다 작다.
한편, 하프-톤 마스크(half tone mask)를 이용한 회절 노광 공정을 통해, 하나의 막으로부터 서로 다른 두께를 갖는 셀갭 조절막(188)이 만들어질 수 있다.
제 2 실시예
도 6은 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이며, 그리고 도 7은 도 1의 II-II'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이다.
도 1, 도 6 및 도 7을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치는 서로 마주보는 하부 패널(100) 및 상부 패널(200)과, 이들(100, 200) 사이에 위치한 액정층(300)을 포함한다.
하부 패널(100)은, 도 1, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 하부 기판(101), 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(111), 반도체층(113), 저항성 접촉층(115), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 박막 트랜지스터(TFT), 데이터 라인(DL), 제 1 보호막(120), 컬러 필터, 공통 전극(130), 셀갭 조절막(188), 제 2 보호막(220), 화소 전극(144) 및 블랙 매트릭스(315)를 포함한다.
상부 패널(200)은, 도 1, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상부 기판(201)을 포함한다.
여기서, 도 6 및 도 7에서의 하부 패널(100)은, 전술된 도 2 및 도 3에서의 하부 패널(100)과 비교할 때, 컬러 필터(R, G, B) 및 블랙 매트릭스(315)를 더 포함한다. 즉, 도 6 및 도 7에 따르면, 컬러 필터(R, G, B) 및 블랙 매트릭스(315)가 상부 패널(200)이 아닌 하부 패널(100)에 위치한다. 구체적으로, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(R, G, B)는 제 1 보호막(120)과 공통 전극(130) 사이에 위치하며, 그리고 블랙 매트릭스(315)는 제 2 보호막(220) 상에 위치한다.
특히, 도 7에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(R, G, B) 상에 셀갭 조절막(188)이 형성된다. 이때, 셀갭 조절막(188)은 하나의 화소 영역에 2개의 서로 다른 셀 갭을 형성한다. 즉, 이 셀갭 조절막(188)에 의해 적색 컬러 필터(R)가 위치한 화소 영역(P)에서의 셀 갭(cell gap)의 크기가 2개로 구분된다.
예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 갖는 영역에서의 하부 기판(101)과 상부 기판(201) 간의 셀 갭(d1)과, 셀갭 조절막(188)이 0보다 큰 소정의 두께를 갖는 영역에서의 하부 기판(101)과 상부 기판(201) 간의 셀 갭(d2)이 다르다. 다시 말하여, 셀갭 조절막(188)은 하나의 화소 영역 중 일부에만 위치할 수 있는 바, 이에 따라 하나의 화소 영역이 서로 다른 2개의 셀 갭들(d1, d2)을 가질 수 있다.
따라서, 적색 컬러 필터(R)의 투과율이 변경될 수 있다. 즉, 셀갭 조절막(188)의 두께에 따라 적색 컬러 필터(R)의 투과율이 조절될 수 있다.
한편, 이 셀갭 조절막(188)은 녹색 및 청색 컬러 필터(G, B)가 형성된 화소 영역(P)에도 형성될 수 있다. 셀갭 조절막(188)은 전술된 제 1 보호막(120)에 사용되는 물질로 만들어질 수 있다.
본 발명에 따르면 전술된 바와 같이 컬러 필터 별로 셀갭 조절막(188)의 두께가 알맞게 조절될 수 있다. 이에 따라 색좌표가 보정되어 컬러 밸런싱이 유지될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 하나의 컬러 필터가 위치한 하나의 화소 영역(P)에서의 셀 갭(cell gap)의 크기가 적어도 2개로 구분되는 바, 이에 의해 하나의 컬러 필터에 대한 미세한 컬러 조절이 가능하다.
한편, 도 6 및 도 7에서의 하부 기판(101), 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE), 반도체층(113), 저항성 접촉층(115), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 박막 트랜지스터(TFT), 데이터 라인(DL), 제 1 보호막(120), 공통 전극(130), 셀갭 조절막(188), 제 2 보호막(220), 화소 전극(144) 및 액정층(300)은, 도 2 및 도 3에서의 그것들과 동일하므로 이들에 대한 설명은 도 2 및 도 3에 관련된 설명을 참조한다.
또한, 도 6 및 도 7에서의 컬러 필터 및 블랙 매트릭스(315) 역시 형성 위치만 다를 뿐 실질적으로 도 2 및 도 4에서의 그것들과 동일하므로, 이들에 대한 설명 역시 도 2 및 도 3에 관련된 설명을 참조한다.
도 8은 도 4의 III-III'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 다른 실시예이다.
도 4 및 도 8에 도시된 바와 같이, 셀갭 조절막(188)은 화소 영역별로 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 구체적으로, 청색 컬러 필터(B)가 위치한 제 1 화소 영역(P1)의 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 가지며, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P2) 중 일부 영역의 셀갭 조절막(188)이 0의 두께를 가지며, 그 제 2 화소 영역(P2) 중 나머지 영역의 셀갭 조절막(188)이 0보다 큰 소정의 두께를 가지며, 그리고 녹색 컬러 필터(G)가 위치한 제 3 화소 영역(P3)의 셀갭 조절막(188)이 위 소정의 두께보다 더 큰 두께를 가질 수 있다. 여기서, 제 1 화소 영역(P1)에는 실질적으로 셀갭 조절막(188)이 위치하지 않는다.
도 8에 따르면, 청색 컬러 필터(B)가 위치한 제 1 화소 영역(P1)에서의 셀 갭(d_B)이 가장 크고, 녹색 컬러 필터(G)가 위치한 제 3 화소 영역(P3)에서의 셀 갭(d_G)이 가장 작다. 그리고, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P) 중 일부의 셀 갭(d_R1)은, 제 1 화소 영역(P1)의 셀 갭(d_B)과 동일하다. 그리고, 적색 컬러 필터(R)가 위치한 제 2 화소 영역(P2) 중 나머지 부분의 셀 갭(d_R2)은, 제 1 화소 영역(P1)의 셀 갭(d_B)보다 크고 제 3 화소 영역(P3)에서의 셀 갭(d_G)보다 작다.
한편, 하프-톤 마스크(half tone mask)를 이용한 회절 노광 공정을 통해 하나의 막으로부터 서로 다른 두께를 갖는 셀갭 조절막(188)이 만들어질 수 있다.
한편, 데이터 라인(DL)과 공통 전극(130) 간의 커플링 현상을 방지하기 위해, 데이터 라인(DL)과 공통 전극(130) 사이에 커플링 방지막이 더 포함될 수 있다. 이를 도 9를 참조로 하여 구체적으로 설명한다.
도 9는 도 1의 I-I'의 선상을 따라 잘라 나타낸 단면도에 대한 또 다른 실시예이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(DL)과 공통 전극(130) 사이에 커플링 방지막(900)이 위치한다. 구체적으로, 이 커플링 방지막(900)은 제 1 보호막(120)이 형성된 후 그 위에 형성된다. 이 커플링 방지막(900)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
전술된 모든 실시예에서의 셀갭 조절막(188)은 하부 기판(101)이 아닌 상부 기판(201)에 위치할 수도 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 본 발명에서의 셀갭 조절막(188)은 트위스트 네마틱 액정표시장치 및 수직 배향 액정표시장치에도 적용될 수 있다. 즉, 블랙 매트릭스(315), 컬러 필터 및 공통 전극(130)이 상부 표시 기판에 위치하고, 화소 전극(144)이 하부 패널(100)에 위치하는 트위스트 네마틱 액정표시장치(또는 수직 배향 액정표시장치)에도 셀갭 조절막(188)이 적용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 하부 패널 200: 상부 패널
300: 액정층 R; 적색 컬러 필터
101: 하부 기판 111: 게이트 절연막
120: 제 1 보호막 220: 제 2 보호막
130: 공통 전극 188: 셀갭 조절막
315: 블맥 매트릭스 201: 상부 기판
DL: 데이터 라인 144b: 가지 라인
d1. d2; 셀갭

Claims (13)

  1. 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 위치하는 적어도 하나의 게이트 라인 및 적어도 하나의 데이터 라인;
    상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 연결되고, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극;
    제 2 기판;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 위치한 액정층;
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 중 하나에 위치한 화소 전극;
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 하나에 위치하여 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스;
    상기 화소 영역에 대응하게 배치된 컬러 필터; 및
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 중 어느 하나 상에 위치하며, 하나의 화소 영역 내에서 다른 셀갭을 형성하는 셀갭 조절막을 포함하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 하나의 화소 영역내에서 서로 다른 두께를 갖는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 하나의 화소 영역 중 일부에만 위치하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 화소 영역별로 서로 다른 두께를 갖는 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 적어도 하나의 화소 영역에 배치되지 않는 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 상기 컬러 필터와 다른 재질로 이루어진 액정표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀갭 조절막은 금속, 유기 및 무기 재질들 중 어느 하나로 이루어진 액정표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극이 상기 제 2 기판 상에 위치하는 액정표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스 및 컬러 필터가 상기 제 2 기판 상에 위치하고, 공통 전극이 상기 제 1 기판 상에 위치하며;
    상기 화소 전극이 복수의 가지 전극들을 포함하는 액정표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 공통 전극 사이에 위치한 절연막을 더 포함하는 액정표시장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 공통 전극 사이에 위치한 커플링 방지막을 더 포함하는 액정표시장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 커플링 방지막과 셀갭 조절막이 동일한 재질로 이루어진 액정표시장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극이 상기 제 1 기판 상에 위치하는 액정표시장치.










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TWI566023B (zh) * 2016-03-31 2017-01-11 友達光電股份有限公司 主動元件陣列基板
KR102473101B1 (ko) * 2016-04-04 2022-12-01 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
CN106773356A (zh) * 2017-01-20 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法和显示装置
CN112002288A (zh) * 2020-08-28 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种色度调节方法、色度调节装置及显示面板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020002134A (ko) 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
TWI298110B (en) * 2001-07-31 2008-06-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
KR20030081905A (ko) 2002-04-15 2003-10-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 수직배향형 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 색 필터 기판
KR100535801B1 (ko) 2003-03-17 2005-12-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시장치
US7573551B2 (en) * 2004-05-21 2009-08-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and color liquid crystal display device
JP2008134587A (ja) 2006-10-30 2008-06-12 Nitto Denko Corp マルチギャップ構造を有する液晶セルを備える液晶パネル、及び液晶表示装置
US7808595B2 (en) * 2007-04-02 2010-10-05 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display device and manufacturing method of the same
JP5200795B2 (ja) * 2008-09-12 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器

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