TWI566023B - 主動元件陣列基板 - Google Patents

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紀志賢
李美慧
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Description

主動元件陣列基板
本發明是有關於一種主動元件陣列基板，且特別是有關於一種屬於彩色濾光圖案配置於主動元件陣列上（Color filter on Array，COA）的主動元件陣列基板。
隨著液晶顯示面板的發展，高解析度已經成為基本需求之一。特別是，為了獲得高解析度，必須在相同面積下佈局更多畫素，因此畫素尺寸越來越小。
近年來，業界提出了將彩色濾光圖案整合於主動元件陣列上（Color Filter on Array，COA）的技術。由於彩色濾光圖案是直接形成在主動元件陣列上，故彩色濾光圖案與畫素結構之間的對位精度不受組立COA基板與對向基板的製程能力限制，藉此COA技術適合用來製造高解析度的顯示面板。
一般而言，在COA基板中，彩色濾光圖案需要設置多個封閉式孔洞，以使得位於彩色濾光圖案上方的畫素電極能夠透過所述開口與彩色濾光圖案下方的薄膜電晶體電性連接。然而，上述開口之間需保持一定的規範距離，故在透過將畫素的尺寸縮小以達成高解析度的情況下，不但畫素結構的佈局受到限制，也容易導致顯示面板的開口率低落。
本發明提供一種主動元件陣列基板，其具有良好的空間利用率、開口率及可靠度。
本發明的主動元件陣列基板包括基板、多條掃描線、多條資料線第一畫素結構、第二畫素結構、第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案。掃描線以及資料線位於基板上，其中每一掃描線沿第一方向延伸，每一資料線沿第二方向延伸，且第一方向與第二方向相交錯。第一畫素結構與第二畫素結構位於基板上且沿第一方向相鄰設置，其中第一畫素結構及第二畫素結構分別與掃描線的其中之一以及資料線的其中之一電性連接，第一畫素結構包括第一主動元件以及第一畫素電極，且第二畫素結構包括第二主動元件以及第二畫素電極。第一彩色濾光圖案與第二彩色濾光圖案位於基板上且分別對應第一畫素結構及第二畫素結構設置，其中第一彩色濾光圖案包含第一孔洞，且第一孔洞是由部分第一彩色濾光圖案以及第一覆蓋部共同環繞而成，且第一覆蓋部和第二彩色濾光圖案鄰接。
基於上述，在本發明的主動元件陣列基板中，透過第一彩色濾光圖案包含由部分第一彩色濾光圖案以及覆蓋部共同環繞而成的孔洞，且所述覆蓋部是和與第一彩色濾光圖案相鄰設置的第二彩色濾光圖案鄰接，使得主動元件陣列基板可具有良好的空間利用率、開口率及可靠度，並能夠應用於高解析度產品上。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明一實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖，其中圖1省略繪示部分膜層。圖2是圖1之主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。圖3是圖1中的剖線A-A’的剖面示意圖。圖4是圖1中的剖線B-B’的剖面示意圖。
請同時參照圖1至圖4，主動元件陣列基板10包括基板100、多條掃描線SL1~SL2、多條資料線DL1~DL5、多個畫素結構P1~P4以及包括多個彩色濾光圖案CF1~CF6的彩色濾光層CFL。另外，在本實施方式中，主動元件陣列基板10更包括絕緣層PV1以及絕緣層PV2。
基板100的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其類似材質。掃描線SL1~SL2、資料線DL1~DL5位於基板100上。掃描線SL1~SL2與資料線DL1~DL5的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL1~SL2的延伸方向與資料線DL1~DL5的延伸方向相交錯。詳細而言，在本實施方式中，掃描線SL1~SL2的延伸方向為第一方向D1，以及資料線DL1~DL5的延伸方向為第二方向D2，其中第一方向D1與第二方向D2相交錯。
此外，掃描線SL1~SL2與資料線DL1~DL5是位於不相同的膜層，且掃描線SL1~SL2與資料線DL1~DL5之間夾有閘絕緣層GI（於後文進行詳細描述）。另外，基於導電性的考量，掃描線SL1~SL2與資料線DL1~DL5一般是使用金屬材料。然而，本發明並不限於此，根據其他實施方式，掃描線SL1~SL2與資料線DL1~DL5也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。另外一提的是，由於圖1僅繪示出局部的主動元件陣列基板10，因此僅示意性地繪示出其中兩條掃描線SL1~SL2及五條資料線DL1~DL5。
畫素結構P1~P4位於基板100上且沿第一方向D1相鄰設置。詳細而言，在本實施方式中，畫素結構P1與掃描線SL1及資料線DL1電性連接；畫素結構P2與掃描線SL1及資料線DL2電性連接；畫素結構P3與掃描線SL1及資料線DL3電性連接；以及畫素結構P4與掃描線SL1及資料線DL4電性連接。更詳細而言，在本實施方式中，畫素結構P1包括主動元件T1以及畫素電極PE1；畫素結構P2包括主動元件T2以及畫素電極PE2；畫素結構P3包括主動元件T3以及畫素電極PE3；以及畫素結構P4包括主動元件T4以及畫素電極PE4。
在本實施方式中，主動元件T1~T4分別可以是薄膜電晶體，其中主動元件T1包括閘極GE1、通道層CH1、汲極DE1以及源極SE1；主動元件T2包括閘極GE2、通道層CH2、汲極DE2以及源極SE2；主動元件T3包括閘極GE3、通道層CH3、汲極DE1以及源極SE3；以及主動元件T4包括閘極GE4、通道層CH4、汲極DE4以及源極SE4。詳細而言，閘極GE1~GE4與掃描線SL1為一連續的導電圖案，此表示閘極GE1~GE4與掃描線SL1彼此電性連接，以及閘極GE1~GE4與掃描線SL1為同一膜層、具有同一材質。另外，源極SE1與資料線DL1為一連續的導電圖案、源極SE2與資料線DL2為一連續的導電圖案、源極SE3與資料線DL3為一連續的導電圖案、及源極SE4與資料線DL4為一連續的導電圖案，此表示源極SE1與資料線DL1彼此電性連接、源極SE2與資料線DL2彼此電性連接、源極SE3與資料線DL3彼此電性連接、源極SE4與資料線DL4彼此電性連接，以及源極SE1~SE4與資料線DL1~DL5為同一膜層、具有同一材質。此外，在本實施方式中，通道層CH1~CH4的材料例如是非晶矽材料。
另外，在本實施方式中，閘絕緣層GI共形地形成在基板100上，且配置在閘極GE1~GE4與通道層CH1~CH4之間。閘絕緣層GI的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。另外，在本實施方式中，主動元件T1~T4是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他實施方式中，主動元件T1~T4也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
另外，絕緣層PV1共形地形成於基板100上，且覆蓋源極SE1~SE4及汲極DE1~DE4，以提供絕緣與保護的功能。絕緣層PV1的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料、或上述之組合，以及絕緣層PV1的材質可以與閘絕緣層GI相同或不同。
另外，畫素電極PE1~PE4分別與主動元件T1~T4電性連接。詳細而言，畫素電極PE1透過接觸窗H1與汲極DE1電性連接；畫素電極PE2透過接觸窗H2與汲極DE2電性連接；畫素電極PE3透過接觸窗H3與汲極DE3電性連接；以及畫素電極PE4透過接觸窗H4與汲極DE4電性連接。在本實施方式中，畫素電極PE1~PE4的材質例如是透明導電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物（indium-tin-oxide，ITO）、銦鋅氧化物（indium zinc oxide，IZO）、鋁錫氧化物（aluminum tin oxide，ATO）、鋁鋅氧化物（aluminum zinc oxide，AZO）、銦鍺鋅氧化物（indium gallium zinc oxide，IGZO）、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。另外，畫素電極PE1~PE4可以是所屬領域中具有通常知識者所周知的任一畫素電極。也就是說，畫素電極PE1~PE4並不以圖1中所繪之米字型圖案為限。另外一提的是，由於圖1僅繪示出局部的主動元件陣列基板10，因此僅示意性地繪示出四個畫素結構P1~P4。
彩色濾光圖案CF1~CF6位於基板100上且對應畫素結構設置。也就是說，主動元件陣列基板10是彩色濾光圖案配置於主動元件陣列上（Color filter on Array，COA）的主動元件陣列基板。詳細而言，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2對應畫素結構P1設置；彩色濾光圖案CF3對應畫素結構P2設置；彩色濾光圖案CF4對應畫素結構P3設置；以及彩色濾光圖案CF5對應畫素結構P4設置。另外，雖然圖1僅示意性地繪示出四個畫素結構P1~P4，但所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF1是對應與畫素結構P1相鄰的畫素結構設置，而彩色濾光圖案CF6是對應與畫素結構P4相鄰的畫素結構設置。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF1~CF6分別是對應位在同一行上的畫素結構而設置。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光圖案CF1~CF6分別也可以是對應一個畫素結構而設置。
另外，絕緣層PV2形成於基板100上，且覆蓋彩色濾光層CFL，以提供絕緣與保護的功能。絕緣層PV2的材料包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料、或上述之組合，以及絕緣層PV2的材質可以與閘絕緣層GI、絕緣層PV1相同或不同。
進一步而言，彩色濾光圖案CF1~CF6分別可以是紅色濾光圖案、綠色濾光圖案或藍色濾光圖案。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光層CFL是由三種顏色的濾光圖案所構成。具體而言，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF1例如是藍色濾光圖案、彩色濾光圖案CF2例如是紅色濾光圖案、彩色濾光圖案CF3例如是綠色濾光圖案、彩色濾光圖案CF4例如是藍色濾光圖案、彩色濾光圖案CF5例如是紅色濾光圖案、及彩色濾光圖案CF6例如是綠色濾光圖案。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2包含孔洞V，其中孔洞V是由部分的彩色濾光圖案CF2以及覆蓋部CP1共同環繞而成，如圖2及圖4所示。詳細而言，請同時參照圖1、圖2及圖4，所述孔洞V對應接觸窗H1設置，而透過接觸窗H1與汲極DE1電性連接的畫素電極PE1的一部分延伸至孔洞V內但卻未延伸至覆蓋部CP1上。也就是說，在本實施方式中，即使在地形較深的孔洞V中，仍可透過微影蝕刻製程形成所預期的畫素電極PE1。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP1和彩色濾光圖案CF3彼此相鄰接，如圖2及圖4所示。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP1和彩色濾光圖案CF3為同一膜層、具有同一材質。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3和彩色濾光圖案CF2部分地重疊。詳細而言，如圖2及圖3所示，彩色濾光圖案CF3覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2，其中彩色濾光圖案CF2的側邊110b與彩色濾光圖案CF3重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3是在彩色濾光圖案CF2形成之後才形成的。
另外，由於覆蓋部CP1和彩色濾光圖案CF3彼此相鄰接，故覆蓋部CP1亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2。詳細而言，如圖2所示，覆蓋部CP1與彩色濾光圖案CF2部分地重疊，且彩色濾光圖案CF2之與覆蓋部CP1重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF2之後且形成彩色濾光圖案CF3之前，彩色濾光圖案CF2本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF3之後，覆蓋部CP1即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞V。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF2的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF2的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF2具有開放式孔洞，使得畫素結構P1可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，畫素結構P1能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得主動元件陣列基板10可有效地應用於高解析度產品上。
另外，如圖2所示，覆蓋部CP1具有相對的側邊112a和側邊112b，其中覆蓋部CP1的側邊112b與彩色濾光圖案CF2的側邊110b切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，如圖2所示，彩色濾光圖案CF2和彩色濾光圖案CF1部分地重疊。詳細而言，彩色濾光圖案CF1覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2，其中彩色濾光圖案CF2的側邊110a與彩色濾光圖案CF1重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF1是在彩色濾光圖案CF2形成之後才形成的。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3包含孔洞W，其中孔洞W是由部分的彩色濾光圖案CF3以及覆蓋部CP2共同環繞而成，如圖2及圖4所示。詳細而言，請同時參照圖1、圖2及圖4，所述孔洞W對應接觸窗H2設置，而透過接觸窗H2與汲極DE2電性連接的畫素電極PE2的一部分延伸至孔洞W內但卻未延伸至覆蓋部CP2上。也就是說，在本實施方式中，即使在地形較深的孔洞W中，仍可透過微影蝕刻製程形成所預期的畫素電極PE2。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接，如圖2及圖4所示。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP2和彩色濾光圖案CF4為同一膜層、具有同一材質。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4和彩色濾光圖案CF3部分地重疊。詳細而言，如圖2及圖3所示，彩色濾光圖案CF4覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF3，其中彩色濾光圖案CF3的側邊120與彩色濾光圖案CF4重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4是在彩色濾光圖案CF3形成之後才形成的。
另外，由於覆蓋部CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接，故覆蓋部CP2亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF3。詳細而言，如圖2所示，覆蓋部CP2與彩色濾光圖案CF3部分地重疊，且彩色濾光圖案CF3之與覆蓋部CP2重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF3之後且形成彩色濾光圖案CF4之前，彩色濾光圖案CF3本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF4之後，覆蓋部CP2即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞W。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP2覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF3的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF3的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF3具有開放式孔洞，使得畫素結構P2可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，畫素結構P2能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得主動元件陣列基板10可有效地應用於高解析度產品上。
另外，如圖2所示，覆蓋部CP2具有相對的側邊122a和側邊122b，其中覆蓋部CP2的側邊122b與彩色濾光圖案CF3的側邊120切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4包含孔洞X，且孔洞X係由彩色濾光圖案CF4圍繞而成。詳細而言，請同時參照圖1、圖2及圖4，所述孔洞X對應接觸窗H3設置，而透過接觸窗H3與汲極DE3電性連接的畫素電極PE3的一部分延伸至孔洞X內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF4上。也就是說，在本實施方式中，即使在地形較深的孔洞X中，仍可透過微影蝕刻製程形成所預期的畫素電極PE3。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF5和彩色濾光圖案CF4部分地重疊。詳細而言，如圖2及圖3所示，彩色濾光圖案CF4覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，其中彩色濾光圖案CF5的側邊130a與彩色濾光圖案CF4重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4是在彩色濾光圖案CF5形成之後才形成的。
進一步而言，由於彩色濾光圖案CF4是在彩色濾光圖案CF3以及彩色濾光圖案CF5形成之後才形成的（即彩色濾光圖案CF4同時覆蓋與其相鄰的彩色濾光圖案CF3以及彩色濾光圖案CF5），故透過孔洞X為一封閉式孔洞，藉此可提高主動元件陣列基板10的可靠度。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF5包含孔洞Y，其中孔洞Y是由部分的彩色濾光圖案CF5以及覆蓋部CP3共同環繞而成，如圖2及圖4所示。詳細而言，請同時參照圖1、圖2及圖4，所述孔洞Y對應接觸窗H4設置，而透過接觸窗H4與汲極DE4電性連接的畫素電極PE4的一部分延伸至孔洞Y內但卻未延伸至覆蓋部CP3上。也就是說，在本實施方式中，即使在地形較深的孔洞Y中，仍可透過微影蝕刻製程形成所預期的畫素電極PE4。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP3和彩色濾光圖案CF6彼此相鄰接，如圖2及圖4所示。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP3和彩色濾光圖案CF6為同一膜層、具有同一材質。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF6和彩色濾光圖案CF5部分地重疊。詳細而言，如圖2及圖3所示，彩色濾光圖案CF6覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，其中彩色濾光圖案CF5的側邊130b與彩色濾光圖案CF6重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF6是在彩色濾光圖案CF5形成之後才形成的。
另外，由於覆蓋部CP3和彩色濾光圖案CF6彼此相鄰接，故覆蓋部CP3亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5。詳細而言，如圖2所示，覆蓋部CP3與彩色濾光圖案CF5部分地重疊，且彩色濾光圖案CF5之與覆蓋部CP3重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF5之後且形成彩色濾光圖案CF6之前，彩色濾光圖案CF5本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF6之後，覆蓋部CP3即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞Y。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP3覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF5的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF5的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF5具有開放式孔洞，使得畫素結構P4可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，畫素結構P4能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得主動元件陣列基板10可有效地應用於高解析度產品上。
另外，如圖2所示，覆蓋部CP3具有相對的側邊132a和側邊132b，其中覆蓋部CP3的側邊132b與彩色濾光圖案CF5的側邊130b切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在上述圖1至圖4的實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V、彩色濾光圖案CF3的孔洞W、彩色濾光圖案CF4的孔洞X、以及彩色濾光圖案CF5的孔洞Y所設置的位置具有一致的方向。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V、彩色濾光圖案CF3的孔洞W、彩色濾光圖案CF4的孔洞X、以及彩色濾光圖案CF5的孔洞Y所設置的位置也可以具有交錯的方向。以下，將參照圖5進行詳細說明。
圖5是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖5及圖2，圖5的彩色濾光層2CFL與圖2的彩色濾光層CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4中的符號參照前述說明。
請參照圖5，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3包含孔洞2W，且孔洞2W係由彩色濾光圖案CF3圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞2W為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF3中的孔洞2W亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞2W內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF3上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V與彩色濾光圖案CF3的孔洞2W的配置方向是相反的。
值得一提的是，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V與彩色濾光圖案CF3的孔洞2W之間仍存在有覆蓋部CP1及彩色濾光圖案CF3，且與孔洞V及孔洞2W對應設置的畫素電極皆不會延伸至覆蓋部CP及彩色濾光圖案CF3上，藉此搭配彩色濾光圖案CF2及彩色濾光圖案CF3的畫素結構不易發生短路問題，進而提升製程良率。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF5包含孔洞2Y，其中孔洞2Y是由部分的彩色濾光圖案CF5以及覆蓋部2CP2共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF5中的孔洞2Y亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞2Y內但卻未延伸至覆蓋部2CP2上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部2CP2和彩色濾光圖案CF4為同一膜層、具有同一材質。
另外，由於覆蓋部2CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接，且彩色濾光圖案CF4覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，故覆蓋部2CP2亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5。詳細而言，覆蓋部2CP2與彩色濾光圖案CF5部分地重疊，且彩色濾光圖案CF5之與覆蓋部2CP2重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF5之後且形成彩色濾光圖案CF4之前，彩色濾光圖案CF5本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF4之後，覆蓋部2CP2即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞2Y。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部2CP2覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF5的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF5的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF5具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF5的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層2CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP2具有相對的側邊222a和側邊222b，其中覆蓋部2CP2的側邊222b與彩色濾光圖案CF5的側邊130a切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4的孔洞X與彩色濾光圖案CF5的孔洞2Y的配置方向是相反的。
同樣地，值得一提的是，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4的孔洞X與彩色濾光圖案CF5的孔洞2Y之間仍存在有覆蓋部2CP2及彩色濾光圖案CF4，且與孔洞X及孔洞2Y對應設置的畫素電極皆不會延伸至覆蓋部2CP2及彩色濾光圖案CF4上，藉此搭配彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF5的畫素結構不易發生短路問題，進而提升製程良率。
另外，在前述圖1至圖4的實施方式中，彩色濾光圖案CF2~CF5分別都只有一個孔洞，即彩色濾光圖案CF2具有孔洞V、彩色濾光圖案CF3具有孔洞W、彩色濾光圖案CF4具有孔洞X、以及彩色濾光圖案CF5具有孔洞Y。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光圖案CF2~CF5分別也可以具有一個以上的孔洞。以下，將參照圖6進行詳細說明。
圖6是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖6及圖2，圖6的彩色濾光層3CFL與圖2的彩色濾光層CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4中的符號參照前述說明。
請參照圖6，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2除了包含孔洞V外，還包含孔洞3V，其中孔洞3V是由部分的彩色濾光圖案CF2以及覆蓋部CP4共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF2中的孔洞3V亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞3V內但卻未延伸至覆蓋部CP4上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP4和彩色濾光圖案CF1彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP4和彩色濾光圖案CF1為同一膜層、具有同一材質。
另外，由於覆蓋部CP4和彩色濾光圖案CF1彼此相鄰接且彩色濾光圖案CF1覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2，故覆蓋部CP4亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2。詳細而言，覆蓋部CP4與彩色濾光圖案CF2部分地重疊，且彩色濾光圖案CF2之與覆蓋部CP4重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF2之後且形成彩色濾光圖案CF1之前，彩色濾光圖案CF2本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF1之後，覆蓋部CP4即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞3V。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP4覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF2的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF2的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF2具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF2的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層3CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP4具有相對的側邊142a和側邊142b，其中覆蓋部CP4的側邊142b與彩色濾光圖案CF2的側邊110a切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3除了包含孔洞W外，還包含孔洞3W，其中孔洞3W係由彩色濾光圖案CF3圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞3W為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF3中的孔洞3W亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞3W內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF3上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4除了包含孔洞X外，還包含孔洞3X，其中孔洞3X係由彩色濾光圖案CF4圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞3X為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF4中的孔洞3X亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞3X內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF4上。
另外，彩色濾光圖案CF5除了包含孔洞Y外，還包含孔洞3Y，其中孔洞3Y是由部分的彩色濾光圖案CF5以及覆蓋部3CP2共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF5中的孔洞3Y亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞3Y內但卻未延伸至覆蓋部3CP2上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部3CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部3CP2和彩色濾光圖案CF4為同一膜層、具有同一材質。
另外，由於覆蓋部3CP2和彩色濾光圖案CF4彼此相鄰接，且彩色濾光圖案CF4覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，故覆蓋部3CP2亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5。詳細而言，覆蓋部3CP2與彩色濾光圖案CF5部分地重疊，且彩色濾光圖案CF5之與覆蓋部3CP2重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF5之後且形成彩色濾光圖案CF4之前，彩色濾光圖案CF5本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF4之後，覆蓋部3CP2即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞3Y。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部3CP2覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF5的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF5的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF5具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF5的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層3CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部3CP2具有相對的側邊322a和側邊322b，其中覆蓋部3CP2的側邊322b與彩色濾光圖案CF5的側邊130a切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在前述圖1至圖4、圖5及圖6的實施方式中，任一覆蓋部之相對設置的兩側邊之間的最小距離u皆為2 µm至15 µm，例如覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，覆蓋部之相對設置的兩側邊之間的最小距離也可以是介在其他範圍之間。以下，將參照圖7至圖12進行詳細說明。
圖7是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖7及圖2，圖7的彩色濾光層4CFL與圖2的彩色濾光層CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖7及圖2，圖7的彩色濾光層4CFL與圖2的彩色濾光層CFL之間的差異主要在於：在圖7的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u皆為5 µm至25 µm；而在圖2的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u皆介5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2及覆蓋部CP3能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
圖8是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖8及圖5，圖8的彩色濾光層5CFL與圖5的彩色濾光層2CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖5中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖8及圖5，圖8的彩色濾光層5CFL與圖5的彩色濾光層2CFL之間的差異主要在於：在圖8的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、以及覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間；而在圖5的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、以及覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、以及覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1及覆蓋部2CP2能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
另外，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、以及覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm 之間，使得與圖5的實施方式相比，孔洞2W能夠設置在更靠近孔洞V的位置以及孔洞X能夠設置在更靠近孔洞2Y的位置。如此一來，在本實施方式中，搭配彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF4的畫素結構能夠具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率。
圖9是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖9及圖6，圖9的彩色濾光層6CFL與圖6的彩色濾光層3CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖6中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖9及圖6，圖9的彩色濾光層6CFL與圖6的彩色濾光層3CFL之間的差異主要在於：在圖9的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間；而在圖6的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3、覆蓋部3CP2及覆蓋部CP4能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3、及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
另外，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得與圖6的實施方式相比，孔洞3W能夠設置在更靠近孔洞V的位置、孔洞3X能夠設置在更靠近孔洞W的位置、以及孔洞X能夠設置在更靠近孔洞3Y的位置。如此一來，在本實施方式中，搭配彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF4的畫素結構能夠具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率。
圖10是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖10及圖2，圖10的彩色濾光層7CFL與圖2的彩色濾光層CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖10及圖2，圖10的彩色濾光層7CFL與圖2的彩色濾光層CFL之間的差異主要在於：圖10的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖2的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U。
值得說明的是，如前文所述，由於圖10的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖2的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U，故在圖10的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2及覆蓋部CP3能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
圖11是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖11及圖5，圖11的彩色濾光層8CFL與圖5的彩色濾光層2CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖5中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖11及圖5，圖11的彩色濾光層8CFL與圖5的彩色濾光層2CFL之間的差異主要在於：圖11的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、以及孔洞2Y之鄰近覆蓋部2CP2的寬度U皆小於圖5的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、以及孔洞2Y之鄰近覆蓋部2CP2的寬度U。
值得說明的是，如前文所述，由於圖11的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、以及孔洞2Y之鄰近覆蓋部2CP2的寬度U皆小於圖5的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、以及孔洞2Y之鄰近覆蓋部2CP2的寬度U，故在圖11的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、以及覆蓋部2CP2的側邊222a和側邊222b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1以及覆蓋部2CP2能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
圖12是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖12及圖6，圖12的彩色濾光層9CFL與圖6的彩色濾光層3CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖6中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖12及圖6，圖12的彩色濾光層9CFL與圖6的彩色濾光層3CFL之間的差異主要在於：圖12的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞3Y之鄰近覆蓋部3CP2、以及孔洞3V之鄰近於覆蓋部CP4的寬度U皆小於圖6的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞3Y之鄰近覆蓋部3CP2以及孔洞3V之鄰近於覆蓋部CP4的寬度U。
值得說明的是，如前文所述，由於圖12的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞3Y之鄰近覆蓋部3CP2、以及孔洞3V之鄰近於覆蓋部CP4的寬度U皆小於圖6的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞3Y之鄰近覆蓋部3CP2以及孔洞3V之鄰近於覆蓋部CP4的寬度U，故在圖11的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部3CP2的側邊322a和側邊322b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP4的側邊142a和側邊142b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3、覆蓋部3CP2及覆蓋部CP4能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
另外，在前述圖1至圖12的實施方式中，彩色濾光層CFL~9CFL分別皆是由紅色濾光圖案、綠色濾光圖案及藍色濾光圖案所構成。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光層也可以是由紅色濾光圖案、綠色濾光圖案、藍色濾光圖案以及白色濾光圖案所構成。以下，將參照圖13至圖21進行詳細說明。
圖13是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖13及圖2，圖13的彩色濾光層10CFL與圖2的彩色濾光層CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4中的符號參照前述說明。
請參照圖13，在本實施方式中，彩色濾光層10CFL除了包括彩色濾光圖案CF1~CF6外，還包括彩色濾光圖案CF7。詳細而言，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF1~CF7分別可以是紅色濾光圖案、綠色濾光圖案、藍色濾光圖案或白色濾光圖案。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光層10CFL是由四種顏色的濾光圖案所構成。具體而言，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF1例如是白色濾光圖案、彩色濾光圖案CF2例如是紅色濾光圖案、彩色濾光圖案CF3例如是綠色濾光圖案、彩色濾光圖案CF4例如是藍色濾光圖案、彩色濾光圖案CF5例如是紅色濾光圖案、彩色濾光圖案CF6例如是綠色濾光圖案、及彩色濾光圖案CF7例如是白色濾光圖案。
在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4包含孔洞10X，且孔洞10X是由部分彩色濾光圖案CF4以及覆蓋部CP5共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF4中的孔洞10X亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞10X內但卻未延伸至覆蓋部CP5上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP5和彩色濾光圖案CF7彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP5和彩色濾光圖案CF7為同一膜層、具有同一材質。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7和彩色濾光圖案CF4部分地重疊。詳細而言，彩色濾光圖案CF7覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF4，其中彩色濾光圖案CF4的側邊160與彩色濾光圖案CF7重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7是在彩色濾光圖案CF4形成之後才形成的。
進一步而言，由於覆蓋部CP5和彩色濾光圖案CF7彼此相鄰接，故覆蓋部CP5亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF4。詳細而言，覆蓋部CP5與彩色濾光圖案CF4部分地重疊，且彩色濾光圖案CF4之與覆蓋部CP5重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF4之後且形成彩色濾光圖案CF7之前，彩色濾光圖案CF4本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF7之後，覆蓋部CP5即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞10X。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP5覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF4的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF4的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF4具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF4的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層10CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP5具有相對的側邊152a和側邊152b，其中覆蓋部CP5的側邊152b與彩色濾光圖案CF4的側邊160切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7包含孔洞Z，且孔洞Z係由彩色濾光圖案CF7圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞Z為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF7中的孔洞Z亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞Z內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF7上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7和彩色濾光圖案CF5部分地重疊。詳細而言，彩色濾光圖案CF7覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，其中彩色濾光圖案CF5的側邊130a與彩色濾光圖案CF7重疊。也就是說，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7是在彩色濾光圖案CF5形成之後才形成的。
進一步而言，由於彩色濾光圖案CF7是在彩色濾光圖案CF4以及彩色濾光圖案CF5形成之後才形成的（即彩色濾光圖案CF7同時覆蓋與其相鄰的彩色濾光圖案CF4以及彩色濾光圖案CF5），故透過孔洞Z為一封閉式孔洞，藉此可提高具有彩色濾光層10CFL之主動元件陣列基板的可靠度。
另外，在上述圖13的實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V、彩色濾光圖案CF3的孔洞W、彩色濾光圖案CF4的孔洞10X、彩色濾光圖案CF5的孔洞Y以及彩色濾光圖案CF7的孔洞Z所設置的位置具有一致的方向。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V、彩色濾光圖案CF3的孔洞W、彩色濾光圖案CF4的孔洞10X、彩色濾光圖案CF5的孔洞Y以及彩色濾光圖案CF7的孔洞Z所設置的位置也可以具有交錯的方向。以下，將參照圖14進行詳細說明。
圖14是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖14及圖13，圖14的彩色濾光層11CFL與圖13的彩色濾光層10CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13中的符號參照前述說明。
請參照圖14，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3包含孔洞11W，且孔洞11W係由彩色濾光圖案CF3圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞11W為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF3中的孔洞11W亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞11W內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF3上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V與彩色濾光圖案CF3的孔洞11W的配置方向是相反的。
值得一提的是，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2的孔洞V與彩色濾光圖案CF3的孔洞11W之間仍存在有覆蓋部CP1及彩色濾光圖案CF3，且與孔洞V及孔洞11W對應設置的畫素電極皆不會延伸至覆蓋部CP1及彩色濾光圖案CF3上，藉此搭配彩色濾光圖案CF2及彩色濾光圖案CF3的畫素結構不易發生短路問題，進而提升製程良率。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF7包含孔洞11Z，且孔洞11Z係由彩色濾光圖案CF7圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞11Z為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF7中的孔洞11Z亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞11Z內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF7上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4的孔洞10X與彩色濾光圖案CF7的孔洞11Z的配置方向是相反的。
值得一提的是，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4的孔洞10X與彩色濾光圖案CF7的孔洞11Z之間仍存在有覆蓋部CP5及彩色濾光圖案CF7，且與孔洞10X及孔洞11Z對應設置的畫素電極皆不會延伸至覆蓋部CP5及彩色濾光圖案CF7上，藉此搭配彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF7的畫素結構不易發生短路問題，進而提升製程良率。
另外，在前述圖13的實施方式中，彩色濾光圖案CF2~CF5、CF7分別都只有一個孔洞，即彩色濾光圖案CF2具有孔洞V、彩色濾光圖案CF3具有孔洞W、彩色濾光圖案CF4具有孔洞10X、彩色濾光圖案CF5具有孔洞Y、以及彩色濾光圖案CF7具有孔洞Z。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，彩色濾光圖案CF2~CF5、CF7分別也可以具有一個以上的孔洞。以下，將參照圖15進行詳細說明。
圖15是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖15及圖13，圖15的彩色濾光層12CFL與圖13的彩色濾光層10CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13中的符號參照前述說明。
請參照圖15，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF2除了包含孔洞V外，還包含孔洞12V，其中孔洞12V是由部分的彩色濾光圖案CF2以及覆蓋部CP6共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF2中的孔洞12V亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞12V內但卻未延伸至覆蓋部CP6上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP6和彩色濾光圖案CF1彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部CP6和彩色濾光圖案CF1為同一膜層、具有同一材質。
另外，由於覆蓋部CP6和彩色濾光圖案CF1彼此相鄰接，且彩色濾光圖案CF1覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2，故覆蓋部CP6亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF2。詳細而言，覆蓋部CP6與彩色濾光圖案CF2部分地重疊，且彩色濾光圖案CF2之與覆蓋部CP6重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF2之後且形成彩色濾光圖案CF1之前，彩色濾光圖案CF2本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF1之後，覆蓋部CP6即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞12V。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部CP6覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF2的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF2的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF2具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF2的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層12CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部CP6具有相對的側邊162a和側邊162b，其中覆蓋部CP6的側邊162b與彩色濾光圖案CF2的側邊110a切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF3除了包含孔洞W外，還包含孔洞312W，其中孔洞12W係由彩色濾光圖案CF3圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞12W為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF3中的孔洞12W亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞12W內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF3上。
另外，在本實施方式中，彩色濾光圖案CF4除了包含孔洞10X外，還包含孔洞12X，其中孔洞12X係由彩色濾光圖案CF4圍繞而成。也就是說，在本實施方式中，孔洞12X為一封閉式孔洞。另外，根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF4中的孔洞12X亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞12X內但卻未延伸至彩色濾光圖案CF4上。
另外，彩色濾光圖案CF5除了包含孔洞Y外，還包含孔洞12Y，其中孔洞12Y是由部分的彩色濾光圖案CF5以及覆蓋部2CP5共同環繞而成。根據上文圖1至圖4的實施方式，所屬領域中具有通常知識者應可理解，彩色濾光圖案CF5中的孔洞12Y亦是對應用以使畫素電極與汲極電性連接的接觸窗而設置，且所述畫素電極的一部分延伸至孔洞12Y內但卻未延伸至覆蓋部2CP5上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP5和彩色濾光圖案CF7彼此相鄰接。也就是說，在本實施方式中，覆蓋部2CP5和彩色濾光圖案CF7為同一膜層、具有同一材質。
進一步而言，由於覆蓋部2CP5和彩色濾光圖案CF7彼此相鄰接，且彩色濾光圖案CF7覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5，故覆蓋部2CP5亦會覆蓋住一部分的彩色濾光圖案CF5。詳細而言，覆蓋部2CP5與彩色濾光圖案CF5部分地重疊，且彩色濾光圖案CF5之與覆蓋部2CP5重疊的所述部分具有弧形輪廓Q。值得一提的是，在本實施方式中，在形成彩色濾光圖案CF5之後且形成彩色濾光圖案CF7之前，彩色濾光圖案CF5本身具有一開放式孔洞，而在形成彩色濾光圖案CF7之後，覆蓋部2CP5即覆蓋住一部分的所述開放式孔洞以及所述弧形輪廓Q而形成孔洞12Y。如此一來，在本實施方式中，透過覆蓋部2CP5覆蓋住所述弧形輪廓Q，可避免彩色濾光圖案CF5的弧形輪廓Q(即彩色濾光圖案CF5的轉角處)在後續可靠度試驗中發生破裂，因而提高可靠度。
值得一提的是，與彩色濾光圖案中設置封閉式孔洞之習知主動元件陣列基板相比，透過彩色濾光圖案CF5具有開放式孔洞，使得搭配彩色濾光圖案CF5的畫素結構可具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率，以及使得孔洞的設計可不受彩色濾光圖案之製程解析度的限制。如此一來，所述畫素結構能夠被設計成較小的尺寸，藉此使得具有彩色濾光層12CFL的主動元件陣列基板可有效地應用於高解析度產品上。
另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP5具有相對的側邊252a和側邊252b，其中覆蓋部2CP5的側邊252b與彩色濾光圖案CF5的側邊130a切齊。另外，在本實施方式中，覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。
另外，在前述圖13、圖14及圖15的實施方式中，任一覆蓋部之相對設置的兩側邊之間的最小距離u皆為2 µm至15 µm，例如覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u為2 µm至15 µm。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，覆蓋部之相對設置的兩側邊之間的最小距離u也可以是介在其他範圍之間。以下，將參照圖16至圖21進行詳細說明。
圖16是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖16及圖13，圖16的彩色濾光層13CFL與圖13的彩色濾光層10CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖16及圖13，圖16的彩色濾光層13CFL與圖13的彩色濾光層10CFL之間的差異主要在於：在圖16的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間；而在圖13的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3及覆蓋部CP5能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3、彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
圖17是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖17及圖14，圖17的彩色濾光層14CFL與圖14的彩色濾光層11CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13及圖14中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖17及圖14，圖17的彩色濾光層14CFL與圖14的彩色濾光層11CFL之間的差異主要在於：在圖17的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之之間；而在圖14的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP3及覆蓋部CP5能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
另外，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得與圖14的實施方式相比，孔洞11W能夠設置在更靠近孔洞V的位置以及孔洞11Z能夠設置在更靠近孔洞10X的位置。如此一來，在本實施方式中，搭配彩色濾光圖案CF3及彩色濾光圖案CF7的畫素結構能夠具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率。
圖18是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖18及圖15，圖18的彩色濾光層15CFL與圖15的彩色濾光層12CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13及圖15中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖18及圖15，圖18的彩色濾光層15CFL與圖15的彩色濾光層12CFL之間的差異主要在於：在圖18的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u、覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間；而在圖15的實施方式中，覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u、覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間。
值得說明的是，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u、覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3、覆蓋部CP5、覆蓋部2CP5及覆蓋部CP6能夠更完整地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3、彩色濾光圖案CF4、及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉此更進一步提高可靠度。
另外，在本實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u、覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u皆介於5 µm至25 µm之間，使得與圖15的實施方式相比，孔洞12W能夠設置在更靠近孔洞V的位置、孔洞12X能夠設置在更靠近孔洞W的位置、孔洞12Z能夠設置在更靠近孔洞10X的位置、以及孔洞Z能夠設置在更靠近孔洞12Y的位置。如此一來，在本實施方式中，搭配彩色濾光圖案CF3、彩色濾光圖案CF4、及彩色濾光圖案CF4的畫素結構能夠具有較佳的空間利用率，藉以提高開口率。
圖19是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖19及圖13，圖19的彩色濾光層16CFL與圖13的彩色濾光層10CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖19及圖13，圖19的彩色濾光層16CFL與圖13的彩色濾光層10CFL之間的差異主要在於：圖19的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖13的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U。
值得說明的是，如前文所述，由於圖19的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖13的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U，故在圖19的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3及覆蓋部CP5能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3、彩色濾光圖案CF5及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
圖20是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖20及圖14，圖20的彩色濾光層17CFL與圖14的彩色濾光層11CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13及圖14中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖20及圖14，圖20的彩色濾光層17CFL與圖14的彩色濾光層11CFL之間的差異主要在於：圖20的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖14的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U。
值得說明的是，如前文所述，由於圖20的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U皆小於圖14的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞10X之鄰近於覆蓋部CP5、以及孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3的寬度U，故在圖20的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP3以及覆蓋部CP5能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
圖21是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。請同時參照圖21及圖15，圖21的彩色濾光層18CFL與圖15的彩色濾光層12CFL相似，因此相似或相同的構件以相似或相同的元件符號表示，且相關說明即不再贅述。以下，將就兩者間的差異處做說明，兩者相同處請依圖1至圖4、圖13及圖15中的符號參照前述說明。
詳細而言，請同時參照圖21及圖15，圖21的彩色濾光層18CFL與圖15的彩色濾光層12CFL之間的差異主要在於：圖21的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞10X之鄰近覆蓋部CP5、孔洞12V之鄰近覆蓋部CP6、以及孔洞12Y之鄰近於覆蓋部2CP5的寬度U皆小於圖15的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞10X之鄰近覆蓋部CP5、孔洞12V之鄰近覆蓋部CP6、以及孔洞12Y之鄰近於覆蓋部2CP5的寬度U
值得說明的是，如前文所述，由於圖21的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞10X之鄰近覆蓋部CP5、孔洞12V之鄰近覆蓋部CP6、以及孔洞12Y之鄰近於覆蓋部2CP5的寬度U皆小於圖15的實施方式中孔洞V之鄰近於覆蓋部CP1、孔洞W之鄰近於覆蓋部CP2、孔洞Y之鄰近覆蓋部CP3、孔洞10X之鄰近覆蓋部CP5、孔洞12V之鄰近覆蓋部CP6、以及孔洞12Y之鄰近於覆蓋部2CP5的寬度U，故在圖21的實施方式中，透過覆蓋部CP1的側邊112a和側邊112b之間的最小距離u、覆蓋部CP2的側邊122a和側邊122b之間的最小距離u、覆蓋部CP3的側邊132a和側邊132b之間的最小距離u、覆蓋部CP5的側邊152a和側邊152b之間的最小距離u、覆蓋部2CP5的側邊252a和側邊252b之間的最小距離u、以及覆蓋部CP6的側邊162a和側邊162b之間的最小距離u皆介於2 µm至15 µm之間，即可使得覆蓋部CP1、覆蓋部CP2、覆蓋部CP3、覆蓋部CP5、覆蓋部2CP5、及覆蓋部CP6能夠有效地覆蓋住彩色濾光圖案CF2、彩色濾光圖案CF3、彩色濾光圖案CF4及彩色濾光圖案CF5的轉角處，藉以提高可靠度。
綜上所述，在上述實施方式所提出的主動元件陣列基板中，透過在第一方向上相鄰設置的兩彩色濾光圖案中的一彩色濾光圖案包含由本身的一部分以及覆蓋部共同環繞而成的孔洞，且所述覆蓋部和另一彩色濾光圖案鄰接，使得主動元件陣列基板可具有良好的開口率及可靠度，並能夠應用於高解析度產品上。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧主動元件陣列基板
100‧‧‧基板
110a、110b、112a、112b、120、122a、122b、130a、130b、132a、132b、142a、142b、152a、152b、160、162a、162b、222a、222b、252a、252b、322a、322b‧‧‧側邊
CF1~CF7‧‧‧彩色濾光圖案
CFL~18CFL‧‧‧彩色濾光層
CH1~CH4‧‧‧通道層
CP1、CP2、2CP2、3CP2、CP3、CP4、CP5、2CP5、CP6‧‧‧覆蓋部
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DE1~DE4‧‧‧汲極
DL1~DL5‧‧‧資料線
GE1~GE4‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘絕緣層
H1~H4‧‧‧接觸窗
P1~P4‧‧‧畫素結構
PE1~PE4‧‧‧畫素電極
PV1、PV2‧‧‧絕緣層
Q‧‧‧弧形輪廓
SE1~SE4‧‧‧源極
SL1~SL2‧‧‧掃描線
T1~T4‧‧‧主動元件
U‧‧‧寬度
u‧‧‧距離
V、3V、12V、W、2W、3W、11W、12W、X、3X、10X、12X、Y、2Y、3Y、12Y、Z、11Z‧‧‧孔洞
圖1是依照本發明一實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖。 圖2是圖1之主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。 圖3是圖1中的剖線A-A’的剖面示意圖。 圖4是圖1中的剖線B-B’的剖面示意圖。 圖5至圖21分別是本發明另一實施方式的主動元件陣列基板中的彩色濾光層的上視示意圖。
110a、110b、112a、112b、120、122a、122b、130a、130b、132a、132b‧‧‧側邊
CF1~CF6‧‧‧彩色濾光圖案
CFL‧‧‧彩色濾光層
CP1、CP2、CP3‧‧‧覆蓋部
Q‧‧‧弧形輪廓
U‧‧‧寬度
u‧‧‧距離
V、W、X‧‧‧孔洞

Claims (11)

  1. 一種主動元件陣列基板，包括：一基板；多條掃描線以及多條資料線，位於該基板上，其中每一掃描線沿一第一方向延伸，每一資料線沿一第二方向延伸，且該第一方向與該第二方向相交錯；一第一畫素結構與一第二畫素結構，位於該基板上且沿該第一方向相鄰設置，其中該第一畫素結構及該第二畫素結構分別與該些掃描線的其中之一以及該些資料線的其中之一電性連接，該第一畫素結構包括一第一主動元件以及一第一畫素電極，且該第二畫素結構包括一第二主動元件以及一第二畫素電極；以及一第一彩色濾光圖案與一第二彩色濾光圖案，位於該基板上且分別對應該第一畫素結構及該第二畫素結構設置，其中該第一彩色濾光圖案包含一第一孔洞，且該第一孔洞是由部分該第一彩色濾光圖案以及一第一覆蓋部共同環繞而成，且該第一覆蓋部和該第二彩色濾光圖案由同一膜層形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第一畫素電極的一部分延伸至該第一孔洞內且未延伸至該第一覆蓋部上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第二彩色濾光圖案和該第一彩色濾光圖案部分重疊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的主動元件陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案具有一第一側邊，該第一覆蓋部具有相對的一第二側邊和一第三側邊，其中該第一側邊與該第二彩色濾光圖案重疊，以及該第三側邊與該第一側邊切齊。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該第一覆蓋部與該第一彩色濾光圖案重疊，且該第一彩色濾光圖案之與該第一覆蓋部重疊的部分具有弧形輪廓。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該第二側邊與該第三側邊之間的最小距離為2μm至15μm。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的主動元件陣列基板，其中該第二側邊與該第三側邊之間的最小距離為5μm至25μm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中該第一彩色濾光圖案更包含一第二孔洞，且該第二孔洞是由部分該第一彩色濾光圖案以及一第二覆蓋部共同環繞而成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的主動元件陣列基板，其中第二彩色濾光圖案包含一第三孔洞，且該第三孔洞係由第二彩色濾光圖案圍繞而成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中該第二畫素電極的一部分延伸至該第一第三孔洞內且未延伸至該第二彩色濾光圖案上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的主動元件陣列基板，其中該第二彩色濾光圖案更包含一第四孔洞，且該第四孔洞係由第二彩色濾光圖案圍繞而成。
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