TWI755957B - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種電子裝置，包括基板、橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線、第一絕緣層以及共用電極。第一縱向訊號線與橫向訊號線相交，且連接橫向訊號線的其中一條。第二縱向訊號線與第一縱向訊號線相鄰且平行。第一絕緣層覆蓋第一縱向訊號線與第二縱向訊號線。第一絕緣層具有溝槽，其中溝槽沿著第一縱向訊號線與第二縱向訊號線延伸，且溝槽在基板的投影位於第一縱向訊號線在基板的投影與第二縱向訊號線在基板的投影之間。共用電極覆蓋於第一絕緣層上及溝槽的表面。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種具有溝槽的電子裝置。

隨著科技的進步，大尺寸面板多朝向窄邊框設計的型態發展，且各種電子裝置中的線路佈局越趨複雜。許多用於傳遞不同類型訊號的相鄰線路之間的耦合作用往往影響訊號傳遞的品質，而導致最終呈現的功能不符預期。因此如何規劃線路佈局、減少邊框的寬度、降低對低電阻金屬的需求、避免因電阻電容負載(resistance-capacitance loading，RC loading)增加而使充電不充分等問題，已成為目前研發人員所關注的議題。

本發明提供一種電子裝置，其設計可有助於達成窄邊框設計的需求，且可降低線路之間的耦合進而改善電子裝置的品質。

本發明的至少一實施例提供一種電子裝置，包括基板、多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線、第一絕緣 層以及共用電極。多條橫向訊號線配置於基板上。第一縱向訊號線配置於基板上，與多條橫向訊號線相交，且第一縱向訊號線連接多條橫向訊號線的其中一條。第二縱向訊號線配置於基板上，與第一縱向訊號線平行且相鄰。第一絕緣層覆蓋第一縱向訊號線與第二縱向訊號線，第一絕緣層具有溝槽(trench)，其中溝槽沿著第一縱向訊號線與第二縱向訊號線延伸。溝槽在基板的投影位於第一縱向訊號線在基板的投影與第二縱向訊號線在基板的投影之間。共用電極覆蓋於第一絕緣層上，且共用電極覆蓋溝槽的表面。

在本發明的一實施例中，上述溝槽的側壁與第一縱向訊號線相距2.0μm~6.0μm，溝槽的另一側壁與第二縱向訊號線相距2.0μm~6.0μm。

在本發明的一實施例中，上述第一絕緣層包括下部絕緣層及上部絕緣層，下部絕緣層包覆第一縱向訊號線與第二縱向訊號線，上部絕緣層夾設於下部絕緣層及共用電極所在的膜層之間。

在本發明的一實施例中，上述溝槽的深度相當於上部絕緣層的膜厚。

在本發明的一實施例中，上述溝槽自上部絕緣層延伸至下部絕緣層中，且溝槽的深度小於下部絕緣層的膜厚。

在本發明的一實施例中，上述溝槽的深度小於上部絕緣層的膜厚。

在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括第二絕 緣層。第二絕緣層夾設於橫向訊號線所在的膜層與第一縱向訊號線所在的膜層，且具有對應於溝槽的凹槽。共用電極更形成於第二絕緣層的凹槽內。

在本發明的一實施例中，上述凹槽的深度小於第二絕緣層的膜厚。

在本發明的一實施例中，上述第二絕緣層的凹槽暴露出基板。

在本發明的一實施例中，上述第二絕緣層具有貫孔以及貫穿貫孔的導通結構，第一縱向訊號線經由導通結構連接多條橫向訊號線的其中一條。

在本發明的一實施例中，上述的電子裝置更包括配置於基板上的多個畫素結構。多個畫素結構的其中一者被多條橫向訊號線的相鄰兩條以及第一縱向訊號線圍繞且包括畫素電極及主動元件，主動元件通過多條橫向訊號線的其中一條與第一縱向訊號線連接，並且主動元件與第二縱向訊號線連接，第一縱向訊號線位於畫素結構與溝槽之間。

在本發明的一實施例中，在基板的俯視圖中，第一縱向訊號線與橫向訊號線重疊處具有繞過主動元件的圖案。

在本發明的一實施例中，上述第一縱向訊號線與第二縱向訊號線具有相互平行的曲折圖案。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、10A1、10A2、10B、10C、10D:電子裝置

100:基板

110:橫向訊號線

120:第一縱向訊號線

130、130a、130b:第二縱向訊號線

200:第一絕緣層

200a、200b:表面

210、210’:第二絕緣層

212:下部絕緣層

214:上部絕緣層

300:第三絕緣層

400、402:凹槽

AA:主動區

COM、COM’:共用電極

CS:導通結構

L1、L2、L3、L4:距離

P:繞線圖案

Pa1、Pa2:橫部圖案

Pb:縱部圖案

PE、PE’:畫素電極

PX、PX1、PX2:畫素結構

S1:第一側

S2:第二側

t1、t2、t3、t4:膜厚

TFT:主動元件

TR、TR1、TR1’、TR2、TR3:溝槽

X:橫向方向

Y:縱向方向

圖1是依照本發明的一實施例的一種電子裝置的局部俯視示意圖。

圖2A是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第一實施方式的示意圖。

圖2B是圖2A的電子裝置的一種變形例的示意圖。

圖3是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第二實施方式的示意圖。

圖4是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第三實施方式的示意圖。

圖5是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第四實施方式的示意圖。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在「另一元件上」、或「連接到另一元件」、「重疊於另一元件」時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另 一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」、或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝 置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「上面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示 例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1是依照本發明的一實施例的一種電子裝置的局部俯視示意圖；圖2A是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第一實施方式的示意圖。為方便說明，圖1中省略繪示絕緣層的位置。

請參照圖1，電子裝置10包括基板100、多條橫向訊號線110、第一縱向訊號線120、多條第二縱向訊號線130、共用電極COM以及多個畫素結構PX。基板100可具有主動區AA以及位於主動區AA外的周邊區(未繪示)。在本實施例中，基板100的材料可包括玻璃或其他適宜的材料等，但本發明不以此為限。

橫向訊號線110配置於基板100上，且沿著橫向方向X延伸。多條橫向訊號線110可沿著與橫向方向X相交的縱向方向Y排列。因此，以下實施例描述的橫向與縱向可分別視為圖1中的橫向方向X與縱向方向Y。在本實施例中，橫向訊號線110可為閘極線。

第一縱向訊號線120配置於基板100上，並與多條橫向訊號線110相交。在本實施例中，第一縱向訊號線120可作為閘 極傳輸線，而連接其中一條橫向訊號線110。在一些實施例中，第一縱向訊號線120可包括透過對應的導通結構CS連接於橫向訊號線110，但本發明不以此為限。

第二縱向訊號線130配置於基板100上，並與第一縱向訊號線120平行。在本實施例中，在橫向方向X上，第二縱向訊號線130與第一縱向訊號線120相鄰；在縱向方向Y上，第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130例如具有相互平行的曲折圖案，但本發明不以此為限。第二縱向訊號線130可為資料線。

多個畫素結構PX以陣列排列的方式配置於基板100上。換句話說，畫素結構PX沿著橫向方向X以及縱向方向Y呈現陣列排列。在本實施例中，畫素結構PX連接於其中一條橫向訊號線110以及其中一條第二縱向訊號線130。另外，第一縱向訊號線120沒有直接連接畫素結構PX。

在本實施例中，其中一個畫素結構PX1被相鄰兩條橫向訊號線110以及第一縱向訊號線120圍繞。舉例來說，沿著橫向方向X排成一列的畫素結構PX夾於兩條橫向訊號線110之間；沿著縱向方向Y排成一行的畫素結構PX夾於兩條第二縱向訊號線130之間；第一縱向訊號線120夾於畫素結構PX及第二縱向訊號線130之間。在部分實施例中，沿著縱向方向Y排列在同一行的畫素結構PX1與畫素結構PX2可分別連接至位於第一側S1的第二縱向訊號線130a以及位於相對的第二側S2的第二縱向訊號線130b。

在本實施例中，各畫素結構PX可包括主動元件TFT以及連接於主動元件TFT的畫素電極PE。在基板100的俯視方向上觀察，圖1所例示的畫素電極PE雖不會與第一縱向訊號線120重疊，但在其他實施例中，畫素電極PE也可與第一縱向訊號線120重疊，本發明不以此為限。另外，如圖1所示，第一縱向訊號線120與橫向訊號線110重疊處可具有繞過主動元件TFT的繞線圖案P。舉例來說，繞線圖案P可包括橫部圖案Pa1、橫部圖案Pa2與縱部圖案Pb，如圖1所示，橫部圖案Pa1沿橫向方向X穿越畫素結構PX1的畫素電極PE與主動元件TFT之間並鄰接於縱部圖案Pb，縱部圖案Pb沿縱向方向Y延伸至橫部圖案Pa2，橫部圖案Pa2再沿著畫素結構PX2延伸至畫素結構PX2的第一側。如此繞線圖案P可以沿主動元件TFT的側面的方式繞過主動元件TFT。另外，如圖1所示，導通結構CS可位於縱部圖案Pb與橫部圖案Pa2的相交處，但本發明不以此為限。

主動元件TFT例如通過其中一條橫向訊號線110與第一縱向訊號線120連接，並且主動元件TFT與第二縱向訊號線130連接。舉例來說，主動元件TFT可以為具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條橫向訊號線110，源極連接到其中一條第二縱向訊號線130，而汲極連接到畫素電極PE。據此，在部分的實施例中，電子裝置10可更包括驅動電路，且驅動電路位於第一縱向訊號線120的一端。橫向訊號線110則可透過第一縱向訊號線120接收到對應的訊號。如此一來，橫向訊號線110在 橫向方向X的兩端無須設置傳遞訊號用的線路或是相關電路而可達到窄邊框的設計。第一縱向訊號線120可將來自驅動電路的訊號傳遞給橫向訊號線110，再由橫向訊號線110輸入給位於同一列畫素結構PX的閘極，藉此開啟或關閉該列畫素結構PX的主動元件TFT。另外，為了避免橫向訊號線110與第二縱向訊號線130之間的短路，橫向訊號線110與第二縱向訊號線130可由不同膜層構成，且橫向訊號線110與第二縱向訊號線130之間可夾有一或多層絕緣層。在一些實施例中，第一縱向訊號線120及第二縱向訊號線130可位於相同的膜層，且橫向訊號線110可位於與第一縱向訊號線120及第二縱向訊號線130不同的膜層中。在一些實施例中，為了將訊號由第一縱向訊號線120傳遞給橫向訊號線110，可以在對應的第一縱向訊號線120與橫向訊號線110之間設置導通結構CS。如此，閘極需要的訊號可由第一縱向訊號線120藉由導通結構CS傳遞給橫向訊號線110，再由橫向訊號線110傳遞給閘極。在一些實施例中，電子裝置10中還可包括其他縱向訊號線(未繪示)，且所述縱向訊號線可不用於傳遞橫向訊號線110所需要的訊號，而是被輸入直流電位。舉例來說，所述縱向訊號線可以不連接任何橫向訊號線110，而應用於觸控或其他功能的實現。

共用電極COM例如覆蓋整個基板100的主動區AA。共用電極COM可為用於連接面板或實現觸控功能的共用電極。在一些實施例中，在電子裝置10還具有觸控訊號線(TP trace)的情 況下，共用電極COM也可具有多個，且多個共用電極COM之間存在間隙以暴露出觸控訊號線，可應用於觸控或其他功能的實現。舉例來說，多個共用電極COM之間可以所述觸控訊號線為中心而間隔約2.0μm~8.0μm。

請同時參照圖1及圖2A，電子裝置10A1為例示圖1的電子裝置10的一種實施方式，其中圖2A所示的溝槽TR1對應於圖1的溝槽TR。需說明的是，溝槽的實施型態可以依據設計需求而進行調整，詳於後文說明。

在本實施例中，如圖2A所示，電子裝置10A1可包括第一絕緣層200及第二絕緣層210。第一絕緣層200覆蓋基板100，且第二絕緣層210覆蓋第一縱向訊號線120及第二縱向訊號線130。在一些實施例中，橫向訊號線110例如位於第一導體層，第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130例如位於第一導體層上方的第二導體層。第一絕緣層200例如夾設於第一導體層及第二導體層之間，第二絕緣層210例如夾設於第二導體層及共用電極COM所在的膜層之間。

第一絕緣層200可具有貫孔以及貫穿所述貫孔的導通結構CS(如圖1所示)。藉此第一縱向訊號線120可經由導通結構CS連接其中一條橫向訊號線110。

第二絕緣層210可為單層或多層結構。在本實施例中，第二絕緣層210例如包括下部絕緣層212及上部絕緣層214，其中下部絕緣層212包覆第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130， 上部絕緣層214夾設於下部絕緣層212及共用電極COM所在的膜層之間。在一些實施例中，上述的第一絕緣層200與第二絕緣層210可包括無機絕緣材料或是有機絕緣材料，其中無機絕緣材料包括氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，而有機絕緣材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)或聚亞醯胺(PI)等，例如下部絕緣層212可為無機絕緣材料的鈍化層(passivation layer)，上部絕緣層214可為有機絕緣材料的平坦層，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第二絕緣層210具有溝槽TR1，如圖1所示，溝槽TR1沿著第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130延伸。並且，溝槽TR1在基板100的投影位於第一縱向訊號線120在基板100的投影與第二縱向訊號線130在基板100的投影之間。換句話說，第一縱向訊號線120位於畫素結構PX與溝槽TR1之間。如圖2A所示，溝槽TR1的側壁與第一縱向訊號線120的側面例如相隔一距離L1，且距離L1的下限較佳為2.0μm，更佳為3.0μm。另外，距離L1的上限較佳為6.0μm，更佳為5.0μm。在一實施例中，溝槽TR1與第一縱向訊號線120例如相距約2.0μm~6.0μm。溝槽TR1的另一側壁與第二縱向訊號線130的側面例如相隔一距離L2，且距離L2的下限較佳為2.0μm，更佳為3.0μm。另外，距離L2的上限較佳為6.0μm，更佳為5.0μm。在一實施例中，溝槽TR1與第二縱向訊號線130例如相距約2.0μm~6.0μm。

在本實施例中，溝槽TR1的深度例如相當於上部絕緣層214的膜厚t1。在一些實施例中，溝槽TR1可自上部絕緣層214延伸至下部絕緣層212中。舉例來說，溝槽TR1的深度可大於上部絕緣層214的膜厚t1，且小於下部絕緣層212的膜厚t2。

共用電極COM例如覆蓋溝槽TR1的表面。藉此，可用於屏蔽(shielding)第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130彼此之間的干擾，以降低線路之間的耦合所造成的不良影響。舉例來說，藉由共用電極COM覆蓋溝槽TR1的表面且溝槽TR1位於第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130之間，使得第一縱向訊號線120所產生的電場受到屏蔽，而不會耦合至第二縱向訊號線130，如此可確保第二縱向訊號線130維持一定準位的輸出電壓，進而改善電子裝置所執行的功能(例如畫面顯示、觸控感測等)。

需說明的是，在圖2A所示的第一實施例例示為：畫素電極(如圖1的畫素電極PE)所在的膜層位於共用電極COM所在的膜層上。換言之，在電子裝置的製造流程中，本實施例之電子裝置10A1是先形成共用電極COM再形成該畫素電極，但本發明不以此為限。

圖2B是圖2A的電子裝置的一種變形例的示意圖。在此必須說明的是，圖2B的實施例沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參 照前述實施例，在此不贅述。

本實施例之電子裝置10A2不同於圖2A的電子裝置10A1之處在於，兩者畫素電極所在的膜層及共用電極所在的膜層不同。更具體而言，請參照圖2B，在圖2B之電子裝置10A2中畫素電極PE’所在的膜層位於第一縱向訊號線120或第二縱向訊號線130所在的膜層與共用電極COM’所在的膜層之間。換言之，在電子裝置的製造流程中，本實施例之電子裝置10A2是先形成畫素電極PE’後再形成共用電極COM’。另一方面，在基板100的俯視方向上觀察，圖2B所示的電子裝置10A2中畫素電極PE’與第一縱向訊號線120重疊，但在其他實施例中，畫素電極PE’也可不與第一縱向訊號線120重疊，本發明不以此為限。

在本實施例中，畫素電極PE’與共用電極COM’之間具有第三絕緣層300。第三絕緣層300及共用電極COM’依序覆蓋溝槽TR1’的表面。換句話說，第三絕緣層300介於共用電極COM’及溝槽TR1’的表面之間。如此可提升屏蔽效果，以降低第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130彼此之間的干擾。

圖3是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第二實施方式的示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1及圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。圖3的電子裝置10B為例示圖1的電子裝置10的一種實施方式，其中圖3所 示的溝槽TR2對應於圖1的溝槽TR。

請參照圖3，本實施方式的電子裝置10B與圖2A的電子裝置10A1的不同處為電子裝置10B的溝槽TR2的深度小於電子裝置10A1的溝槽TR1的深度。在本實施例中，溝槽TR2的深度例如小於上部絕緣層214的膜厚t1。如此除了具有屏蔽效果外，還可省略製程步驟以減少製造成本。

圖4是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第三實施方式的示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1及圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。圖4的電子裝置10C為例示圖1的電子裝置10的一種實施方式，其中圖4所示的溝槽TR3對應於圖1的溝槽TR。

請參照圖4，本實施方式的電子裝置10C與圖2A的電子裝置10A1的不同處為電子裝置10C的第二絕緣層210’為單層結構，且在本實施例中，第一絕緣層200還具有對應於溝槽TR3的凹槽400。詳言之，在本實施例中，第二絕緣層210’的溝槽TR3貫穿第二絕緣層210’的厚度方向，而第一絕緣層200的凹槽400在電子裝置10C的俯視方向上，與第二絕緣層210’的溝槽TR3完全重疊，使得第一絕緣層200的凹槽400與第二絕緣層210’的溝槽TR3共同構成一個跨越第二絕緣層210’與第一絕緣層200的容置空間，且共用電極COM形成於溝槽TR3與凹槽400共同構成 的容置空間內。在本實施例中，第二絕緣層210’可為氧化層。第二絕緣層210’的材料可使用與圖2A中下部絕緣層212相同的材料，但本發明不限於此。

在本實施例中，在基板100的俯視方向上觀察，凹槽400可具有與溝槽TR3相同的形狀。舉例來說，凹槽400可沿著第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130延伸，且凹槽400在橫向方向X上的寬度可相當於溝槽TR3在橫向方向X上的寬度，但本發明不限於此。凹槽400的側壁與第一縱向訊號線120的側面例如相隔一距離L3，且距離L3的下限較佳為2.0μm，更佳為3.0μm。另外，距離L3的上限較佳為6.0μm，更佳為5.0μm。在一實施例中，凹槽400與第一縱向訊號線120例如相距約2.0μm~6.0μm。凹槽400的另一側壁與第二縱向訊號線130的側面例如相隔一距離L4，且距離L4的下限較佳為2.0μm，更佳為3.0μm。另外，距離L4的上限較佳為6.0μm，更佳為5.0μm。在一實施例中，凹槽400與第二縱向訊號線130例如相距約2.0μm~6.0μm。

在本實施例中，溝槽TR3的深度例如相當於第二絕緣層210’的膜厚t3，凹槽400的深度例如小於第一絕緣層200的膜厚t4。換句話說，凹槽400的底面介於第一絕緣層200的表面200a及表面200b之間。由於第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130覆蓋第一絕緣層200的表面200a，因此共用電極COM可藉由覆蓋於溝槽TR3的表面及凹槽400的表面，而實質上位於第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130之間。如此可確保第一縱向訊 號線120與第二縱向訊號線130彼此之間干擾的屏蔽效果，進而改善電子裝置所執行的功能。

圖5是圖1的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面的第四實施方式的示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1及圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。圖5的電子裝置10D為例示圖1的電子裝置10的一種實施方式，其中圖5所示的溝槽TR3對應於圖1的溝槽TR。

請參照圖5，本實施方式的電子裝置10D與圖4的電子裝置10C的不同處為電子裝置10D的凹槽402的深度大於電子裝置10C的凹槽400的深度。在本實施例中，第一絕緣層200的凹槽402例如暴露出基板100。舉例來說，凹槽402的深度相當於第一絕緣層200的膜厚t4。如此共用電極COM可藉由覆蓋於溝槽TR3的表面及凹槽402的表面，以完全阻隔第一縱向訊號線120與第二縱向訊號線130彼此之間的干擾，而可進一步提升屏蔽效果。

綜上所述，本發明的電子裝置藉由設置第一縱向訊號線而可實現窄邊框設計的需求。並且，藉由在第一縱向訊號線與第二縱向訊號線之間具有溝槽，且共用電極覆蓋溝槽的表面，如此可用於屏蔽多條訊號線彼此之間的干擾，以避免線路之間的耦合所造成的不良影響等問題。另外，也可確保訊號線維持一定準位 的輸出電壓，進而改善電子裝置所執行的功能。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:電子裝置

100:基板

110:橫向訊號線

120:第一縱向訊號線

130、130a、130b:第二縱向訊號線

AA:主動區

COM:共用電極

CS:導通結構

P:繞線圖案

Pa1、Pa2:橫部圖案

Pb:縱部圖案

PE:畫素電極

PX、PX1、PX2:畫素結構

S1:第一側

S2:第二側

TFT:主動元件

TR:溝槽

X:橫向方向

Y:縱向方向

Claims (12)

1. 一種電子裝置，包括基板；多條橫向訊號線，配置於所述基板上；第一縱向訊號線，配置於所述基板上，與多條所述橫向訊號線相交，且所述第一縱向訊號線連接多條所述橫向訊號線的其中一條；第二縱向訊號線，配置於所述基板上，與所述第一縱向訊號線平行且相鄰；第二絕緣層，覆蓋所述第一縱向訊號線與所述第二縱向訊號線，所述第二絕緣層具有溝槽，其中所述溝槽沿著所述第一縱向訊號線與所述第二縱向訊號線延伸，且所述溝槽在所述基板的投影位於所述第一縱向訊號線在所述基板的投影與所述第二縱向訊號線在所述基板的投影之間；以及共用電極，覆蓋於所述第二絕緣層上，且所述共用電極覆蓋所述溝槽的表面，其中所述溝槽的側壁與所述第一縱向訊號線相距2.0μm~6.0μm，所述溝槽的另一側壁與所述第二縱向訊號線相距2.0μm~6.0μm。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第二絕緣層包括下部絕緣層及上部絕緣層，所述下部絕緣層包覆所述第一縱向 訊號線與所述第二縱向訊號線，所述上部絕緣層夾設於所述下部絕緣層及所述共用電極所在的膜層之間。
3. 如請求項2所述的電子裝置，其中所述溝槽的深度相當於所述上部絕緣層的膜厚。
4. 如請求項3所述的電子裝置，其中所述溝槽自所述上部絕緣層延伸至所述下部絕緣層中，且所述溝槽的深度小於所述下部絕緣層的膜厚。
5. 如請求項2所述的電子裝置，其中所述溝槽的深度小於所述上部絕緣層的膜厚。
6. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：第一絕緣層，夾設於所述橫向訊號線所在的膜層與所述第一縱向訊號線所在的膜層，所述第一絕緣層具有對應於所述溝槽的凹槽，且所述共用電極更形成於所述第一絕緣層的所述凹槽內。
7. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述凹槽的深度小於所述第一絕緣層的膜厚。
8. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述第一絕緣層的所述凹槽暴露出所述基板。
9. 如請求項6所述的電子裝置，其中所述第一絕緣層具有貫孔以及貫穿所述貫孔的導通結構，所述第一縱向訊號線經由所述導通結構連接多條所述橫向訊號線的其中一條。
10. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：多個畫素結構，配置於所述基板上，多個所述畫素結構的其 中一者被多條所述橫向訊號線的相鄰兩條以及所述第一縱向訊號線圍繞且包括畫素電極及主動元件，所述主動元件通過多條所述橫向訊號線的其中一條與所述第一縱向訊號線連接，並且所述主動元件與所述第二縱向訊號線連接，所述第一縱向訊號線位於所述畫素結構與所述溝槽之間。
11. 如請求項10所述的電子裝置，其中在所述基板的俯視圖中，所述第一縱向訊號線與所述橫向訊號線重疊處具有繞過所述主動元件的圖案。
12. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一縱向訊號線與所述第二縱向訊號線具有相互平行的曲折圖案。

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