JP2019082536A - 位置入力機能付き表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】位置検出配線及び位置検出電極の配置に起因する問題を解消する。【解決手段】液晶表示装置は、複数の画素電極２４と、画素電極２４とは異なる層にて隣り合う画素電極２４の間に配されるタッチ配線３１と、位置入力を行う指との間で静電容量を形成して指による入力位置を検出するとともにタッチ配線３１と同じ層に配されていてタッチ配線３１に接続されるタッチ電極３０であって、複数の画素電極２４と重畳するよう配されていてタッチ配線３１によって複数の分割タッチ電極３０Ｓに分割されるタッチ電極３０と、タッチ電極３０及びタッチ配線３１とはゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７を介して異なる層に配されて複数の分割タッチ電極３０Ｓと少なくとも一部同士が重畳していてゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホールを通して複数の分割タッチ電極３０Ｓに接続される接続部と、を有する。【選択図】図５

Description

本発明は、位置入力機能付き表示装置に関する。

従来、タッチパネル機能をインセル化した表示パネルを備えた表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された表示パネルは、複数のゲート信号線と、複数のデータ信号線と、複数のセンサ電極線と、複数のグループに分割された複数の画素電極と、１つのグループに含まれる複数の画素電極に対して１つの割合で配置された複数の共通電極と、を含み、前記複数のセンサ電極線のそれぞれは、平面的に視て、前記複数のデータ信号線のそれぞれに重なり、前記複数の共通電極のそれぞれには、平面的に視て、前記複数のセンサ電極線が重なるとともに、少なくとも１本のセンサ電極線が電気的に接続され、前記複数のデータ信号線及び前記複数のセンサ電極線の間と、前記複数のセンサ電極線及び前記複数の共通電極の間と、前記複数の共通電極及び前記複数の画素電極の間と、には、それぞれ、少なくとも１層の絶縁膜が形成されている。

国際公開第２０１６／１３６２７１号公報

上記した特許文献１には、互いに同層に配されるデータ信号線及び画素電極に対して第２絶縁膜を介して上層側に共通電極が配され、さらに共通電極に対して第３絶縁膜を介して上層側にセンサ電極線が配される構成が記載されている。第３絶縁膜は、センサ電極線を共通電極に接続するためのスルーホールを有する。このように第３絶縁膜が共通電極の上層側に配されていると、共通電極と液晶層との間の距離が第３絶縁膜の分だけ大きくなるため、共通電極から液晶層に印加される電界強度が低下するおそれがある。これに対し、特許文献１には、第３絶縁膜をセンサ電極線の設置箇所に選択的に設け、共通電極の大部分と液晶層との間に第３絶縁膜が介在しない構成も記載されている。しかしながら、このような構成を採ると第３絶縁膜の上層側に配されて液晶層に臨む配向膜には大きな段差が生じる。すると、配向膜にラビングなどの配向処理を適切に行うのが難しくなり、結果としてコントラストが低下するおそれがあった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、位置検出配線及び位置検出電極の配置に起因する問題を解消することを目的とする。

本発明の位置入力機能付き表示装置は、間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、前記画素電極とは異なる層にて隣り合う前記画素電極の間に配される位置検出配線と、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成して前記位置入力体による入力位置を検出するとともに前記位置検出配線と同じ層に配されていて前記位置検出配線に接続される位置検出電極であって、複数の前記画素電極と重畳するよう配されていて前記位置検出配線によって複数の分割位置検出電極に分割される位置検出電極と、前記位置検出電極及び前記位置検出配線とは絶縁膜を介して異なる層に配されて複数の前記分割位置検出電極と少なくとも一部同士が重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して複数の前記分割位置検出電極に接続される接続部と、を有する。

このようにすれば、位置検出電極は、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、位置検出配線によって供給される信号を利用して位置入力体による入力位置を検出する。複数の画素電極に対して異なる層にて重畳するよう配された位置検出電極に、位置検出配線によって例えば基準電位を供給すれば、複数の画素電極と位置検出電極との間に生じる電位差を利用して画像の表示を行うことができる。位置検出配線は、画素電極とは異なる層にて隣り合う画素電極の間に配されているので、画素電極との間に生じ得る寄生容量を低減できるとともに、開口率の向上を図ることができる。そして、位置検出配線及び位置検出電極は、同じ層に配されているので、従来のように位置検出配線及び位置検出電極を異なる層に配置した場合のような問題が生じるのを避けることができる。その一方、位置検出配線及び位置検出電極が同じ層に配されると、複数の画素電極と重畳するよう配される位置検出電極が位置検出配線によって複数の分割位置検出電極に分割される。その点、複数の分割位置検出電極は、絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して異なる層に配された接続部によって接続されるので、複数の分割位置検出電極を同電位に保つことができる。これにより、位置検出配線によって分割される複数の分割位置検出電極を１つの位置検出電極として機能させることができる。

本発明によれば、位置検出配線及び位置検出電極の配置に起因する問題を解消することができる。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置に備わる液晶パネルのタッチ電極及びタッチ配線などの平面配置を示す平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の画素配列を示す平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図 アレイ基板に備わるＴＦＴ及び接続部付近を拡大した平面図 液晶パネルにおける図４のＡ−Ａ線断面図 アレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンにおける接続部付近を拡大した平面図 液晶パネルにおける図４のＢ−Ｂ線断面図 本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の画素配列を示す平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図 本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の画素配列を示す平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図 アレイ基板に備わるＴＦＴ及び接続部付近を拡大した平面図 アレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンにおける接続部付近を拡大した平面図 液晶パネルにおける図１２のＣ−Ｃ線断面図 本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の画素配列を示す平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図 液晶パネルにおける図１５のＢ−Ｂ線断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図７によって説明する。本実施形態では、タッチパネル機能（位置入力機能）を備えた液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図５及び図７の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

図１は、液晶パネル１１の概略的な平面図である。液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示パネル）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。本実施形態では、液晶パネル１１の画面サイズが例えば例えば１〜２インチ程度（具体的には１．４５インチ）とされるとともに、解像度が「ＱＱＶＧＡ」相当とされる。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。なお、バックライト装置の図示は省略している。

液晶パネル１１は、図１に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図１において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされるのに対し、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされている。液晶パネル１１は、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（アクティブマトリクス基板、素子基板）２１とされる。ＣＦ基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。ＣＦ基板２０は、短辺寸法がアレイ基板２１の短辺寸法よりも短くされるのに対し、アレイ基板２１に対して短辺方向（Ｙ軸方向）についての一方の端部が揃う形で貼り合わせられている。従って、アレイ基板２１における短辺方向についての他方の端部は、ＣＦ基板２０に対して側方に突き出している。このアレイ基板２１の突き出し部分（非表示領域ＮＡＡ）には、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ（駆動回路部）１２及びフレキシブル基板（信号伝送部）１３が実装されている。ドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、アレイ基板２１に対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されており、フレキシブル基板１３によって伝送される各種信号を処理する。本実施形態では、ドライバ１２の実装数が１つとされる。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされる。フレキシブル基板１３は、その一端側が液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに、他端側が図示しないコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１に伝送され、非表示領域ＮＡＡにおいてドライバ１２による処理を経て表示領域ＡＡへ向けて出力される。また、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡには、表示領域ＡＡをＸ軸方向について両側から挟み込む形で一対のゲート回路部ＧＤＭが設けられている。ゲート回路部ＧＤＭは、後述するゲート配線２６に走査信号を供給するためのものである。

本実施形態に係る液晶パネル１１は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能（位置入力機能）と、を併有しており、このうちのタッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化（インセル化）している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、液晶パネル１１の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）３０から構成されている。タッチ電極３０は、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１における表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致していることになる。そして、使用者が視認する液晶パネル１１の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１１の表面（表示面）に導電体である図示しない指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極３０との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極３０にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極３０とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。タッチ電極３０は、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向（タッチ配線３１を挟み込む画素電極２４の並び方向）及びＹ軸方向（タッチ配線３１の延在方向）に沿って複数ずつがマトリクス状に間隔を空けて並んで配されている。タッチ電極３０は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ（例えば約２ｍｍ〜５ｍｍ）程度とされている。従って、タッチ電極３０は、平面に視た大きさが後述する画素部ＰＸよりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数（例えば数十または数百程度）ずつの画素部ＰＸに跨る範囲に配置されている。複数のタッチ電極３０には、液晶パネル１１に設けられた複数のタッチ配線（位置検出配線）３１が選択的に接続されている。タッチ配線３１は、Ｙ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極３０のうちの特定のタッチ電極３０に対して選択的に接続されている。なお、図１では、タッチ電極３０に対するタッチ配線３１の接続箇所を黒丸にて図示している。さらにタッチ配線３１は、図示しない検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１２に備えられていても構わないが、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１の外部に備えられていても構わない。なお、図１は、タッチ電極３０の配列を模式的に表したものであり、タッチ電極３０の具体的な設置数、配置、平面形状などについては図示以外にも適宜に変更可能である。

図２は、液晶パネル１１を構成するアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける平面図である。液晶パネル１１を構成するアレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）２３及び画素電極２４が設けられている。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、多数個ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２３及び画素電極２４の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（走査配線）２６及びソース配線（信号配線、データ配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、概ねＸ軸方向に沿って延在するのに対し、ソース配線２７は、概ねＹ軸方向に沿って延在している。ゲート配線２６とソース配線２７とがそれぞれＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａとソース電極２３Ｂとに接続され、画素電極２４がＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃに接続されている。そして、ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６及びソース配線２７にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極２４への電位の供給を制御する。また、ＴＦＴ２３は、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す左右に偏在している。ＴＦＴ２３は、画素電極２４に対して左側に偏在するものと、画素電極２４に対して右側に偏在するものと、がＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。画素電極２４は、平面形状が縦長の略方形（より詳細には、長辺はソース配線２７に沿うように屈曲している）とされており、その短辺方向がゲート配線２６の延在方向と、長辺方向がソース配線２７の延在方向と、それぞれ一致している。画素電極２４は、Ｙ軸方向について両側から一対のゲート配線２６により挟み込まれるとともに、Ｘ軸方向について両側から一対のソース配線２７により挟み込まれている。なお、ＣＦ基板２０側には、図２では二点鎖線にて図示される遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）２９が形成されている。遮光部２９は、隣り合う画素電極２４の間を仕切るよう平面形状が略格子状をなしており、平面に視て画素電極２４の大部分と重畳する位置に画素開口部２９Ａを有している。この画素開口部２９Ａにより画素電極２４の透過光を液晶パネル１１の外部へ出光させることが可能とされる。遮光部２９は、アレイ基板２１側の少なくともゲート配線２６及びソース配線２７（タッチ配線３１も含む）と平面に視て重畳する配置とされる。なお、ＴＦＴ２３及び画素電極２４の配置などに関しては後に改めて説明する。

続いて、共通電極２５に関して図２及び図３を参照しつつ説明する。図３は、液晶パネル１１を構成するアレイ基板２１に備わる共通電極２５及びタッチ電極３０などを示す平面図である。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図２及び図３に示すように、全ての画素電極２４と重畳する形で共通電極２５が画素電極２４よりも上層側（紙面の法線方向の手前側）に形成されている。共通電極２５は、常にほぼ一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在しており、各画素電極２４（詳細には後述する画素電極本体２４Ａ）と重畳する部分には、各画素電極２４の長辺方向に沿って延在する画素重畳開口部（画素重畳スリット、配向制御スリット）２５Ａが複数ずつ開口形成されている。互いに重畳する画素電極２４と共通電極２５との間に、画素電極２４が充電されるのに伴って電位差が生じると、画素重畳開口部２５Ａの開口縁と画素電極２４との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じるので、そのフリンジ電界を利用して後述する液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。なお、画素重畳開口部２５Ａの具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。そして、この共通電極２５は、タッチ電極３０を構成している。共通電極２５は、既述した画素重畳開口部２５Ａに加えて、隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部（仕切スリット）２５Ｂを有する。仕切開口部２５Ｂは、Ｘ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって横断する部分と、Ｙ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって縦断する部分と、からなり、全体としては平面に視て略格子状をなしている。共通電極２５は、仕切開口部２５Ｂによって平面に視て碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極３０からなる。従って、タッチ電極３０に接続されたタッチ配線３１は、表示機能に係る基準電位信号と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、を異なるタイミングでもってタッチ電極３０に供給する。このうちの基準電位信号は、同じタイミングで全てのタッチ配線３１に伝送されることで、全てのタッチ電極３０が基準電位となって共通電極２５として機能する。

ＴＦＴ２３及び画素電極２４の構成について図４を参照しつつ詳しく説明する。図４は、アレイ基板２１におけるＴＦＴ２３付近を拡大した平面図である。ＴＦＴ２３は、図４に示すように、全体としてＸ軸方向に沿って延在する横長形状をなしており、接続対象とされる画素電極２４に対してＹ軸方向について図４に示す下側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６の一部（ソース配線２７などと重畳する部分）からなるゲート電極２３Ａを有する。ゲート電極２３Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在する横長形状をなしていて、ゲート配線２６に供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３を駆動し、それによりソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間の電流が制御される。ＴＦＴ２３は、ソース配線２７の一部（ゲート配線２６と重畳する部分）からなるソース電極２３Ｂを有する。ソース電極２３Ｂは、ＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての一端側に配されていてそのほぼ全域がゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続される。ＴＦＴ２３は、ソース電極２３Ｂとの間に間隔を空けた位置、つまりＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての他端側に配されるドレイン電極２３Ｃを有する。ドレイン電極２３Ｃは、概ねＸ軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極２３Ｂと対向状をなしてゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続されるのに対し、他端側が画素電極２４に接続される。

画素電極２４は、図４に示すように、遮光部２９の画素開口部２９Ａと重畳する略方形状の画素電極本体２４Ａと、画素電極本体２４ＡからＹ軸方向に沿ってＴＦＴ２３側に突出するコンタクト部２４Ｂと、からなる。このうちのコンタクト部２４Ｂはドレイン電極２３Ｃの他端側に接続されている。なお、ゲート配線２６は、コンタクト部２４Ｂ及びドレイン電極２３Ｃの双方と重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ゲート配線２６と画素電極２４との間の容量を低減するために設けられている。また、ドレイン電極２３Ｃの他端は、ゲート配線２６と重畳している。これは、アレイ基板２１を製造する際に、ゲート配線２６に対してドレイン電極２３Ｃが位置ずれした場合でも、ゲート配線２６とドレイン電極２３Ｃ（すなわち画素電極２４）との間の容量が変動しないようにするために設けられている。ＴＦＴ２３は、後述するゲート絶縁膜３３を介してゲート電極２３Ａと重畳するとともに、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃに接続されるチャネル部２３Ｄを有する。チャネル部２３Ｄは、ゲート電極２３Ａと重畳するとともにＸ軸方向に沿って延在し、その一端側がソース電極２３Ｂに、他端側がドレイン電極２３Ｃに、それぞれ接続されている。そして、ゲート電極２３Ａに供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３がオン状態にされると、ソース配線２７に供給される画像信号（信号、データ信号）は、ソース電極２３Ｂから半導体膜３４からなるチャネル部２３Ｄを介してドレイン電極２３Ｃへと供給される。その結果、画素電極２４が画像信号に基づいた電位に充電される。なお、共通電極２５は、チャネル部２３Ｄと重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ＴＦＴ２３がオフ状態のときに、共通電極２５（タッチ電極３０）の電位変動に伴い、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間のリーク電流量が変動することを抑制するために設けられている。

図５は、液晶パネル１１におけるＴＦＴ２３付近の断面図である。液晶パネル１１は、図５に示すように、一対の基板２０，２１間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２を有している。液晶層２２は、両基板２０，２１間に介在する図示しないシール部によって取り囲まれることで封止が図られている。ＣＦ基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。カラーフィルタ２８は、互いに異なる色を呈するものがゲート配線２６（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し多数並び、それらがソース配線２７（概ねＹ軸方向）に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。Ｘ軸方向について隣り合って互いに異なる色を呈するカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がソース配線２７及び遮光部２９と重畳する配置とされる。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ２８と、各カラーフィルタ２８と対向する３つの画素電極２４と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチは、例えば６０μｍ程度（具体的には６２μｍ）とされ、Ｙ軸方向についての配列ピッチは、例えば１８０μｍ程度（具体的には１８６μｍ）とされる。遮光部２９は、隣り合うカラーフィルタ２８間を仕切る形で配されている。カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、ＣＦ基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配される平坦化膜（図示せず）が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち液晶層２２に接する最内面には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜（図示せず）がそれぞれ形成されている。

ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について図５を参照しつつ説明する。アレイ基板２１には、図５に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜３２、ゲート絶縁膜３３、半導体膜３４、第１透明電極膜３５、第２金属膜３６、層間絶縁膜（絶縁膜）３７、第２透明電極膜（透明電極膜）３８が積層形成されている。第１金属膜３２及び第２金属膜３６は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜３２は、ゲート配線２６やＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａなどを構成する。第２金属膜３６は、ソース配線２７やＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃなどを構成する。ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜３３は、下層側の第１金属膜３２と、上層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、を絶縁状態に保つ。層間絶縁膜３７は、下層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、上層側の第２透明電極膜３８と、を絶縁状態に保つ。半導体膜３４は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ２３においてソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとに接続されるチャネル部（半導体部）２３Ｄなどを構成する。第１透明電極膜３５及び第２透明電極膜３８は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜３５は、画素電極２４などを構成する。第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６は、半導体膜３４の非形成領域では共にゲート絶縁膜３３の上層側に配されていて互いに同層に位置している。従って、第１透明電極膜３５からなる画素電極２４と、第２金属膜３６からなるソース配線２７などと、は、互いに同層に配されている、と言える。第２透明電極膜３８は、共通電極２５（タッチ電極３０）やタッチ配線３１などを構成する。なお、本実施形態では、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃは、第２金属膜３６からなる単層構造とされているが、例えば第１透明電極膜３５と第２金属膜３６との積層構造とすることも可能である。

続いて、タッチ配線３１の構成について主に図５及び図６を参照し、適宜に図３及び図４を参照して詳しく説明する。図６は、アレイ基板２１における第２透明電極膜３８のパターンのうち、後述する接続部３９付近を拡大した平面図である。なお、図３及び図６には、第１金属膜３２のパターンが二点鎖線により図示されている。本実施形態に係るタッチ配線３１は、図５及び図６に示すように、共通電極２５及びタッチ電極３０と同じ第２透明電極膜３８からなる。つまり、タッチ配線３１は、第１透明電極膜３５からなる画素電極２４とは異なる層に配されていて、共通電極２５及びタッチ電極３０と同層に配されている。このように、タッチ配線３１及びタッチ電極３０が同じ層に配されているので、従来のようにタッチ配線及びタッチ電極を異なる層に配置した場合のような問題（具体的には液晶層２２に印加される電界強度が低下したり、配向膜に大きな段差が生じたりする問題）が生じるのを避けることができる。タッチ配線３１は、図４に示すように、概ねＹ軸方向に沿って延在するとともにＸ軸方向について隣り合う画素電極２４の間に配されており、画素電極２４とは非重畳の配置とされる。従って、仮にタッチ配線が画素電極２４の一部と重畳する配置とされる場合に比べると、タッチ配線３１と画素電極２４との間に生じ得る寄生容量を低減できるとともに、開口率の向上を図ることができる。このタッチ配線３１と同層に配されるタッチ電極３０は、図３に示すように、既述した通り、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつ並ぶ画素電極２４群に対して平面に視て重畳するような形成範囲及び配置を有している。従って、タッチ電極３０は、Ｘ軸方向について隣り合う画素電極２４の間に介在するタッチ配線３１によって複数の分割タッチ電極３０Ｓに分割されている。第２透明電極膜３８には、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１が接続対象外となる分割タッチ電極３０Ｓと、の間にスリットが入れられている。なお、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１が接続対象となる分割タッチ電極３０Ｓと、の間には上記のようなスリットが非形成とされる。分割タッチ電極３０Ｓは、Ｙ軸方向（タッチ配線３１の延在方向）に沿って延在しており、その長さ寸法がタッチ電極３０のＹ軸方向についての寸法と同じとされる。分割タッチ電極３０Ｓは、幅寸法が、分割タッチ電極３０ＳをＸ軸方向について挟み込む一対のタッチ配線３１の間の間隔とほぼ一致している。従って、分割タッチ電極３０Ｓの幅寸法は、Ｘ軸方向についてのタッチ配線３１の配置に応じて変動しており、最小値は画素電極２４の幅寸法と同等（詳細には僅かに大きい程度）とされる。また、１つのタッチ電極３０に含まれる分割タッチ電極３０Ｓの数（分割数）は、１つのタッチ電極３０を縦断するタッチ配線３１の数に１を足した値となる。なお、各分割タッチ電極３０Ｓは、各ＴＦＴ２３と重畳する部分が開口している。

第２透明電極膜３８からなるタッチ配線３１は、図４及び図５に示すように、異なる層に配された第２金属膜３６からなるソース配線２７に対して平面に視て重畳する配置とされる。本実施形態では、タッチ配線３１は、その設置数がソース配線２７の設置数よりも少ない。従って、全てのタッチ配線３１は、ソース配線２７に対して重畳するものの、ソース配線２７には、タッチ配線３１と重畳するものと、タッチ配線３１とは非重畳となるものと、が含まれる。このようにタッチ配線３１がソース配線２７と重畳する構成を採れば、仮に全てのソース配線をタッチ配線３１とは非重畳の配置とした場合に比べると、開口率の向上を図る上で好適となる。その上、ソース配線２７を挟んで隣り合う一対の画素電極２４のうちの一方の画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量と、他方の画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。これにより、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７に互いに逆極性となる信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動と、他方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、ＴＦＴ２３がオフ状態の期間において、画素電極２４の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。

そして、アレイ基板には、図３及び図６に示すように、タッチ配線３１をＸ軸方向（画素電極２４の並び方向、タッチ配線３１の延在方向と交差する方向）について挟み込む一対の分割タッチ電極３０Ｓを接続する接続部（分割タッチ電極中継部）３９が設けられている。図７は、液晶パネル１１における接続部３９付近の断面図である。以下では、接続部３９の構成について主に図６及び図７を参照し、適宜に図３及び図４を参照して説明する。接続部３９は、図６及び図７に示すように、タッチ電極３０及びタッチ配線３１とは異なる層に配されており、タッチ配線３１を挟み込む一対の分割タッチ電極３０Ｓと一部同士が平面に視て重畳している。詳しくは、接続部３９は、ゲート絶縁膜（絶縁膜）３３及び層間絶縁膜（絶縁膜）３７を介してタッチ電極３０及びタッチ配線３１に対して下層側に配される第１金属膜３２からなる。従って、接続部３９は、タッチ配線３１を横切る配置とされていても、タッチ配線３１に対して短絡することが避けられている。また、接続部３９は、タッチ配線３１と重畳するソース配線２７を横切る配置とされるものの、ソース配線２７を構成する第２金属膜３６との間には、ゲート絶縁膜（絶縁膜）３３が介在している。従って、接続部３９がソース配線２７に対して短絡することが避けられている。第１金属膜３２からなる接続部３９と、第２透明電極膜３８からなるタッチ電極３０及びタッチ配線３１と、の間に介在する絶縁膜であるゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７には、コンタクトホール４０が連通して開口形成されている。コンタクトホール４０は、ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７のうち、接続部３９と一対の分割タッチ電極３０Ｓとの双方に対して重畳する位置に設けられている。このコンタクトホール４０を通して接続部３９と一対の分割タッチ電極３０Ｓとが電気的に接続される。従って、タッチ配線３１及びタッチ電極３０を同じ層に配置することに起因して分割された複数の分割タッチ電極３０Ｓを接続部３９によって同電位に保つことができる。これにより、タッチ配線３１を挟んで分割された複数の分割タッチ電極３０Ｓを１つのタッチ電極３０として機能させることができる。

接続部３９は、図３に示すように、タッチ電極３０を構成していてタッチ配線３１を挟んで隣り合う全ての分割タッチ電極３０Ｓを繋ぐよう配されている。つまり、接続部３９は、アレイ基板２１に設けられた全てのタッチ配線３１を横切るよう配されている。接続部３９は、Ｙ軸方向について間隔を空けて複数が並んで設けられており、その配列間隔がＹ軸方向についての画素電極２４の配列間隔とほぼ同じとされる。つまり、接続部３９におけるＹ軸方向についての設置数は、画素電極２４（ＴＦＴ２３及びゲート配線２６）におけるＹ軸方向についての設置数と同じとされる。より詳しくは、接続部３９は、図４及び図６に示すように、Ｙ軸方向についてＴＦＴ２３及びゲート配線２６に対してそのＴＦＴ２３が接続対象とされる画素電極２４側に隣り合う位置に配されている。接続部３９は、タッチ配線３１を横切りつつＸ軸方向に沿って延在する延在部３９Ａと、タッチ配線３１を挟み込む一対の分割タッチ電極３０Ｓに対して接続される一対の電極コンタクト部３９Ｂと、を有する。延在部３９Ａは、その長さ寸法が、タッチ配線３１を挟んで隣り合う一対の画素電極２４の間の間隔と同等であり、タッチ配線３１を１本のみ横切っている。一対の電極コンタクト部３９Ｂは、延在部３９Ａにおける延在方向（Ｘ軸方向）についての両端部に設けられている。一対の電極コンタクト部３９Ｂは、タッチ配線３１を挟んで隣り合う一対の画素電極２４におけるタッチ配線３１寄りの角部付近に配されている。一対の電極コンタクト部３９Ｂは、平面形状が概ね正方形状をなしており、一辺の長さが延在部３９Ａの幅寸法より大きい。一対の電極コンタクト部３９Ｂは、延在部３９ＡからＹ軸方向についてＴＦＴ２３及びゲート配線２６側とは反対側に突出している。コンタクトホール４０は、図４及び図７に示すように、一対の電極コンタクト部３９Ｂと平面に視て重畳する形で、１つの接続部３９に対して一対が設けられている。

以上説明したように本実施形態の液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０は、間隔を空けて並ぶ複数の画素電極２４と、画素電極２４とは異なる層にて隣り合う画素電極２４の間に配されるタッチ配線（位置検出配線）３１と、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成して位置入力体である指による入力位置を検出するとともにタッチ配線３１と同じ層に配されていてタッチ配線３１に接続されるタッチ電極（位置検出電極）３０であって、複数の画素電極２４と重畳するよう配されていてタッチ配線３１によって複数の分割タッチ電極３０Ｓに分割されるタッチ電極３０と、タッチ電極３０及びタッチ配線３１とは絶縁膜であるゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７を介して異なる層に配されて複数の分割タッチ電極３０Ｓと少なくとも一部同士が重畳していて絶縁膜であるゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４０を通して複数の分割タッチ電極（分割位置検出電極）３０Ｓに接続される接続部３９と、を有する。

このようにすれば、タッチ電極３０は、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、タッチ配線３１によって供給される信号を利用して位置入力体である指による入力位置を検出する。複数の画素電極２４に対して異なる層にて重畳するよう配されたタッチ電極３０に、タッチ配線３１によって例えば基準電位を供給すれば、複数の画素電極２４とタッチ電極３０との間に生じる電位差を利用して画像の表示を行うことができる。タッチ配線３１は、画素電極２４とは異なる層にて隣り合う画素電極２４の間に配されているので、画素電極２４との間に生じ得る寄生容量を低減できるとともに、開口率の向上を図ることができる。そして、タッチ配線３１及びタッチ電極３０は、同じ層に配されているので、従来のようにタッチ配線及びタッチ電極を異なる層に配置した場合のような問題が生じるのを避けることができる。その一方、タッチ配線３１及びタッチ電極３０が同じ層に配されると、複数の画素電極２４と重畳するよう配されるタッチ電極３０がタッチ配線３１によって複数の分割タッチ電極３０Ｓに分割される。その点、複数の分割タッチ電極３０Ｓは、絶縁膜であるゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４０を通して異なる層に配された接続部３９によって接続されるので、複数の分割タッチ電極３０Ｓを同電位に保つことができる。これにより、タッチ配線３１によって分割される複数の分割タッチ電極３０Ｓを１つのタッチ電極３０として機能させることができる。

また、複数の画素電極２４に供給される信号を伝送する複数のソース配線（信号配線）２７を備えており、複数のソース配線２７には、タッチ配線３１とは異なる層にてタッチ配線３１と重畳するよう配されるものが含まれる。このようにすれば、仮に全てのソース配線をタッチ配線３１とは非重畳の配置とした場合に比べると、開口率の向上を図る上で好適となる。その上、ソース配線２７を挟んで隣り合う一対の画素電極２４のうちの一方の画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量と、他方の画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。

また、ソース配線２７は、画素電極２４と同じ層に配される。このようにすれば、仮にソース配線を画素電極２４とは異なる層に配した場合に比べると、製造コストの低下が図られる。

また、接続部３９は、ソース配線２７とは異なる層にてソース配線２７と交差するよう配される。仮に接続部がソース配線２７と同じ層に配される場合には、接続部３９がソース配線２７とは交差しない配置とする必要があり、それに起因してタッチ配線３１及び分割タッチ電極３０Ｓの形状やソース配線２７の形状が複雑になるおそれがある。その点、接続部３９をソース配線２７とは異なる層にてソース配線２７と交差するよう配することで、タッチ配線３１及び分割タッチ電極３０Ｓの形状やソース配線２７の形状が複雑化するのを防ぐことができる。

また、ソース配線２７及び画素電極２４に接続されるＴＦＴ２３と、ＴＦＴ２３に接続されてＴＦＴ２３を駆動するための信号を伝送するとともにソース配線２７とは異なる層に配されるゲート配線２６と、を備えており、接続部３９は、ゲート配線２６と同じ層に配される。このようにすれば、ＴＦＴ２３は、走査信号に伝送される信号に基づいて駆動される。すると、ソース配線２７に伝送される信号が画素電極２４に供給され、もって画素電極２４が所定の電位に充電される。ゲート配線２６は、ソース配線２７とは異なる層に配されることで、ソース配線２７と交差してもソース配線２７と短絡することが避けられている。そして、接続部３９がゲート配線２６と同じ層に配されているので、仮に接続部をゲート配線２６とは別の層に配した場合に比べると、製造コストの低下が図られる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図８または図９によって説明する。この実施形態２では、接続部１３９の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

図８は、アレイ基板の表示領域ＡＡにおける平面図であり、図９は、アレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図である。本実施形態に係る接続部１３９は、図８及び図９に示すように、延在部１３９Ａが複数ずつのタッチ配線１３１及びソース配線１２７と交差するよう延在する。詳しくは、接続部１３９は、タッチ電極１３０をＸ軸方向（分割タッチ電極１３０Ｓの延在方向と交差する方向）について概ね全長にわたって横切るよう延在している。延在部１３９Ａの長さ寸法は、タッチ電極１３０におけるＸ軸方向についての寸法と同等程度とされる。接続部１３９は、上記のような長さを有する延在部１３９Ａに複数（３つ以上）の電極コンタクト部１３９Ｂが設けられている。接続部１３９における電極コンタクト部１３９Ｂの設置数は、延在部１３９Ａが横断する分割タッチ電極１３０Ｓの数、つまりタッチ電極１３０における分割タッチ電極１３０Ｓの分割数と等しい。これにより、複数のソース配線１２７を跨ぐ形成範囲のタッチ電極１３０を構成する全ての分割タッチ電極１３０Ｓを１つの接続部１３９により接続することができる。接続部１３９は、Ｙ軸方向についてＴＦＴ１２３及びゲート配線１２６に対してそのＴＦＴ１２３が接続対象とされる画素電極１２４側とは反対側に隣り合う位置に配されている。各電極コンタクト部１３９Ｂは、Ｙ軸方向について延在部１３９ＡからＴＦＴ１２３及びゲート配線１２６側とは反対側に向けて突出している。接続部１３９は、Ｙ軸方向について画素電極１２４の配列間隔と同じ程度の間隔を空けて複数が並んで配されている。

そして、Ｙ軸方向について並ぶ複数の接続部１３９には、延在部１３９Ａが、Ｙ軸方向（タッチ配線１３１の延在方向）について隣り合うタッチ電極１３０の間に配されるものが含まれている。この接続部１３９は、共通電極１２５を複数のタッチ電極１３０に区分する仕切開口部１２５Ｂのうち、Ｘ軸方向に沿って延在する部分に対して平面に視て重畳している。ここで、Ｙ軸方向について隣り合うタッチ電極１３０の間に生じる隙間には、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界が通り易くなっている。ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界が本実施形態では図示しない液晶層に印加されることで、液晶分子の配向に乱れが生じ、結果として表示性能が悪化することが懸念される。その点、上記のように接続部１３９の延在部１３９ＡがＹ軸方向について隣り合うタッチ電極１３０の間に配されることで、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界を延在部１３９Ａによって遮蔽することができる。これにより、液晶層の液晶分子の配向が乱され難くなるので、表示性能の悪化を抑制することができる。しかも、接続部１３９は、Ｙ軸方向について隣り合うタッチ電極１３０の間に配される延在部１３９Ａが複数のソース配線１２７と交差するよう延在しているので、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界を延在部１３９Ａによって複数のソース配線１２７を跨ぐ範囲にわたって連続的に遮蔽することができる。これにより、表示性能の悪化をより好適に抑制することができる。さらには、ゲート配線１２６と同じ層に配される接続部１３９は、延在部１３９ＡがＹ軸方向についてＴＦＴ１２３及びゲート配線１２６と、そのＴＦＴ１２３が接続対象とされる画素電極１２４とは反対側の画素電極１２４と、の間に介在するよう配される。これにより、上記したゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界を延在部１３９Ａによってより好適に遮蔽することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、ソース配線１２７及び画素電極１２４に接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、ＴＦＴ１２３に接続されてＴＦＴ１２３を駆動するための信号を伝送するとともにソース配線１２７とは異なる層に配されるゲート配線（走査配線）１２６と、を備えており、タッチ電極１３０は、少なくともタッチ配線１３１の延在方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配されており、接続部１３９は、タッチ配線１３１の延在方向と交差する方向に沿って延在して隣り合うタッチ電極１３０の間に配される延在部１３９Ａを有する。このようにすれば、ＴＦＴ１２３は、走査信号に伝送される信号に基づいて駆動される。すると、ソース配線１２７に伝送される信号が画素電極１２４に供給され、もって画素電極１２４が所定の電位に充電される。ゲート配線１２６は、ソース配線１２７とは異なる層に配されることで、ソース配線１２７と交差してもソース配線１２７と短絡することが避けられている。ここで、隣り合うタッチ電極１３０の間に生じる隙間には、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界が通り易くなっており、その電界に起因して表示性能が悪化することが懸念される。その点、接続部１３９は、タッチ配線１３１の延在方向と交差する方向に沿って延在する延在部１３９Ａを有していてその延在部１３９Ａが隣り合うタッチ電極１３０の間に配されているから、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界を延在部１３９Ａによって遮蔽することができる。これにより、表示性能の悪化を抑制することができる。

また、タッチ電極１３０は、複数のソース配線１２７を跨ぐ形成範囲を有しており、接続部１３９は、ソース配線１２７とは異なる層に配されていて延在部１３９Ａが複数のソース配線１２７と交差するよう延在する。このようにすれば、複数のソース配線１２７と交差するよう延在部１３９Ａが隣り合うタッチ電極１３０の間に配されているから、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界を延在部１３９Ａによって連続的に遮蔽することができる。これにより、表示性能の悪化をより好適に抑制することができる。また、複数のソース配線１２７を跨ぐ形成範囲のタッチ電極１３０を構成する複数の分割タッチ電極１３０Ｓを１つの接続部１３９により接続することができる。

また、接続部１３９は、ゲート配線１２６と同じ層に配されていて延在部１３９Ａがゲート配線１２６と画素電極１２４との間に介在するよう配される。このようにすれば、ゲート配線１２６と画素電極１２４との間に介在するよう配される延在部１３９Ａによってゲート配線１２６と画素電極１２４との間に生じる電界をより好適に遮蔽することができる。また、接続部１３９がゲート配線１２６と同じ層に配されることで、仮に接続部をゲート配線１２６とは別の層に配した場合に比べると、製造コストの低下が図られる。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１０から図１４によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から接続部２３９の設置層などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

図１０は、アレイ基板２２１の表示領域ＡＡにおける平面図であり、図１１は、アレイ基板２２１に備わる第２透明電極膜２３８のパターンを示す平面図である。なお、図１１では、第１金属膜２３２及び第２金属膜２３６のパターンが二点鎖線により図示されている。本実施形態に係る接続部２３９は、図１０及び図１１に示すように、第２金属膜２３６からなり、ソース配線２２７と同じ層に配されている。これに伴い、接続部２３９は、ソース配線２２７との短絡を避けるべく、ソース配線２２７と交差する（ソース配線２２７を横切る）ことがない配置とされている。接続部２３９は、延在部２３９Ａの長さ寸法が画素電極２２４の幅寸法と同等程度とされる。ソース配線２２７と同じ第２金属膜２３６からなる接続部２３９は、第１金属膜２３２からなるゲート配線２２６とは異なる層に配されている、と言える。従って、上記した実施形態１，２のように接続部をゲート配線２２６と同じ層に配した場合に比べると、例えば接続部２３９をゲート配線２２６に近接した配置を採ったとしても、接続部２３９がゲート配線２２６と短絡することがないので、接続部２３９の配置自由度が高くなる。接続部２３９は、Ｙ軸方向についてＴＦＴ２２３及びゲート配線２２６に対してそのＴＦＴ２２３が接続対象とされる画素電極２２４側とは反対側に隣り合う位置に配されている。接続部２３９は、一対の電極コンタクト部２３９Ｂが、Ｙ軸方向について延在部２３９ＡからＴＦＴ２２３及びゲート配線２２６側とは反対側に向けて突出する。

また、Ｙ軸方向について並ぶ複数の接続部２３９には、上記した実施形態２と同様に、図１０及び図１１に示すように、延在部２３９Ａが、Ｙ軸方向（タッチ配線２３１の延在方向）について隣り合うタッチ電極２３０の間に配されるものが含まれている。この接続部２３９は、共通電極２２５を複数のタッチ電極２３０に区分する仕切開口部２２５Ｂのうち、Ｘ軸方向に沿って延在する部分に対して平面に視て重畳している。このようにすれば、ゲート配線２２６と画素電極２２４との間に生じる電界を接続部２３９の延在部２３９Ａによって遮蔽することができる。これにより、液晶層２２２（後述する図１４を参照）の液晶分子の配向が乱され難くなるので、表示性能の悪化を抑制することができる。

本実施形態に係る分割タッチ電極２３０Ｓは、図１０及び図１１に示すように、ソース配線２２７を横切る延出電極４１を有している。延出電極４１は、ソース配線２２７を挟んで隣り合う一対の分割タッチ電極２３０Ｓのうち、一方（図１０及び図１１の右側）の分割タッチ電極２３０Ｓからソース配線２２７を横切りつつ他方（図１０及び図１１の左側）の分割タッチ電極２３０Ｓに向けて延出している。図１２は、アレイ基板２２１におけるＴＦＴ２２３付近を拡大した平面図であり、図１３は、アレイ基板２２１における第２透明電極膜２３８のパターンのうち、接続部２３９付近を拡大した平面図である。なお、図１３では、第１金属膜２３２及び第２金属膜２３６のパターンが二点鎖線により図示されている。また、図１４は、液晶パネル２１１における接続部２３９及び延出電極４１付近の断面図である。そして、延出電極４１は、図１２から図１４に示すように、他方の分割タッチ電極２３０Ｓと重畳している接続部２３９の一部と重畳するよう配されている。つまり、接続部２３９は、一対の電極コンタクト部２３９Ｂのうち、一方の電極コンタクト部２３９Ｂが一方の分割タッチ電極２３０Ｓの延出電極４１と、他方の電極コンタクト部２３９Ｂが他方の分割タッチ電極２３０Ｓと、それぞれ重畳配置されるとともに各コンタクトホール２４０を通して接続されている。各コンタクトホール２４０は、接続部２３９を構成する第２金属膜２３６と、分割タッチ電極２３０Ｓを構成する第２透明電極膜２３８と、の間に介在する絶縁膜である層間絶縁膜２３７に開口形成されている。以上により、ソース配線２２７と同じ層に配される接続部２３９により、ソース配線２２７を挟んで隣り合う一対の分割タッチ電極２３０Ｓを接続することができる。なお、本実施形態に係る接続部２３９は、上記のようにソース配線２２７を挟んで隣り合う一対の分割タッチ電極２３０Ｓを接続するものに限らず、１つの分割タッチ電極２３０ＳにおけるＸ軸方向について異なる２つの箇所同士を接続するものも含んでいる。具体的には、分割タッチ電極２３０Ｓには、Ｘ軸方向についてソース配線２２７を跨ぐ形成範囲を有するものが含まれており、そのような分割タッチ電極２３０Ｓが接続対象とされる接続部２３９には、１つの分割タッチ電極２３０ＳにおけるＸ軸方向について異なる２つの箇所同士を接続するものが含まれる。このような接続部２３９を設置すれば、仮に非設置の場合に比べると、接続部２３９と画素電極２２４との間に生じる寄生容量が各画素間で均等化されるので、表示不良が生じ難くなる、といった効果が得られる。タッチ配線２３１は、大部分がソース配線２２７と重畳するものの、一部が延出電極４１を迂回するよう屈曲する屈曲部４２とされている。屈曲部４２は、延出電極４１と、他方の分割タッチ電極２３０Ｓと、の間に介在している。他方の分割タッチ電極２３０Ｓは、延出電極４１及び屈曲部４２の配置範囲が切り欠かれている。ここで、仮にソース配線に屈曲部を設けることで生じたスペースを利用して接続部がタッチ配線２３１を横切る配置を採った場合には、ソース配線の屈曲部の配置範囲について同層の画素電極を切り欠く必要が生じる。その点、本実施形態では、分割タッチ電極２３０Ｓが延出電極４１を、タッチ配線２３１が屈曲部４２を、それぞれ有しているので、上記のように画素電極２２４に切り欠きを形成する必要が生じない。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１５から図１７によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１からタッチ電極３３０及びタッチ配線３３１の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

図１５は、アレイ基板３２１の表示領域ＡＡにおける平面図であり、図１６は、アレイ基板３２１に備わる第２透明電極膜３３８のパターンを示す平面図である。なお、図１５及び図１６では、後述する第３金属膜４３が網掛け状にして図示されている。また、図１６では、第１金属膜３３２のパターンが二点鎖線により図示されている。図１７は、液晶パネル３１１における接続部３３９付近の断面図である。本実施形態に係るタッチ配線３３１は、図１５から図１７に示すように、第２透明電極膜３３８と、第２透明電極膜３３８に対して上層側に重ねられる第３金属膜（金属膜）４３と、からなる。第３金属膜４３は、第１金属膜３３２及び第２金属膜３３６と同様に、１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされる。このようにすれば、上記した実施形態１のようにタッチ配線が第２透明電極膜３３８のみからなる場合に比べると、タッチ配線３３１の配線抵抗が低下する。これにより、位置検出感度の向上及び表示品位の向上が図られる。

タッチ電極３３０を構成する各分割タッチ電極３３０Ｓは、図１５及び図１６に示すように、第２透明電極膜３３８及び第３金属膜４３からなる。つまり、タッチ電極３３０を構成する各分割タッチ電極３３０Ｓは、第２透明電極膜３３８及からなる透明電極膜部位（図示せず）と、第３金属膜４３からなる金属膜部位４４と、を有する。透明電極膜部位は、上記した実施形態１に記載されたタッチ電極と同様の形成範囲とされるのに対し、金属膜部位４４は、ソース配線３２７と重畳する形成範囲のみに選択的に配されている。第３金属膜４３は、第２透明電極膜３３８に比べると、高い導電性を有していて電気抵抗が低くなっている。従って、上記した実施形態１のようにタッチ電極を第２透明電極膜３３８のみからなる場合に比べると、金属膜部位４４を設置した分だけタッチ電極３３０の配線抵抗が低下する。これにより、位置検出感度の向上及び表示品位の向上が図られる。しかも、タッチ電極３３０のうち第３金属膜４３からなる金属膜部位４４がソース配線３２７と重畳するよう選択的に配されているので、遮光性を有する金属膜部位４４によって開口率が低下するのを避けることができる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、接続部の延在部がＸ軸方向に沿って直線状に延在する場合を示したが、例えば延在部がＸ軸方向に対して斜めに延在していても構わない。また、延在部が途中で屈曲する平面形状であっても構わない。
（２）上記した各実施形態では、接続部における電極コンタクト部の平面形状が正方形とされる場合を例示したが、電極コンタクト部の平面形状は、例えば長方形、三角形、五角形以上の多角形、円形、楕円形などに適宜に変更可能である。
（３）上記した各実施形態では、接続部が第１金属膜または第２金属膜からなる場合を示したが、例えばゲート配線などを構成する第１金属膜に対して下層側に絶縁膜を介して金属膜を設けるようにした場合には、その第１金属膜よりも下層側の金属膜により接続部を形成することも可能である。
（４）上記した各実施形態では、タッチ配線の設置数がソース配線の設置数よりも少ない場合を示したが、タッチ配線の設置数がソース配線の設置数と同数であっても構わない。
（５）上記した実施形態１，４に記載した構成において、接続部のＹ軸方向についての配置を実施形態２，３と同様にすることも可能である。
（６）上記した各実施形態以外にも、接続部の具体的な平面配置や形成範囲などは適宜に変更可能である。
（７）上記した実施形態２では、接続部がタッチ電極をほぼ全長にわたって横切るよう延在する構成を示したが、接続部が３つ以上の分割タッチ電極（２つ以上のタッチ配線）を横切るものの、その延在長さがタッチ電極の全長には達しない構成を採ることも可能である。この場合、１つのタッチ電極において複数の接続部がＸ軸方向に沿って並ぶことになる。
（８）上記した実施形態３では、分割タッチ電極が延出電極を、タッチ配線が屈曲部を、それぞれ有する構成を示したが、例えばソース配線に屈曲部を設けることで生じたスペースを利用して接続部がタッチ配線を横切る配置を採ることも可能である。その場合は、分割タッチ電極の延出電極と、タッチ配線の屈曲部と、を省略することができる。
（９）上記した実施形態４に記載した構成を、実施形態２，３に記載した構成に組み合わせることも可能である。
（１０）上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの具体的な画面サイズは適宜に変更可能である。特に実施形態４では、タッチ電極の低抵抗化が図られているので、３２インチ程度などの大きな画面サイズの液晶パネルに適用するのが好適である。
（１１）上記した各実施形態以外にも、液晶パネルにおける画素部の具体的な配列ピッチは適宜に変更可能である。
（１２）上記した各実施形態では、アレイ基板に１つのドライバが実装される場合を示したが、アレイ基板に複数のドライバを実装するようにしても構わない。
（１３）上記した各実施形態では、アレイ基板にゲート回路部が設けられた場合を示したが、ゲート回路部を省略し、アレイ基板にゲート回路部と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。
（１４）上記した各実施形態以外にも、アレイ基板に各配線の断線などを検査するための検査回路が設けられていても構わない。検査回路は、アレイ基板においてドライバの実装領域に配置されていてもよいが、ドライバとは非重畳の配置で且つ表示領域の近傍に配置することも可能である。
（１５）上記した各実施形態以外にも、共通電極に設けられた画素重畳開口部の具体的な平面形状は適宜に変更可能である。画素重畳開口部の平面形状を例えばＶ字型や直線状などにすることも可能である。また、画素重畳開口部の具体的な設置数も適宜に変更可能である。
（１６）上記した各実施形態では、アレイ基板においてＴＦＴがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、ＴＦＴがマトリクス状に平面配置されていても構わない。
（１７）上記した各実施形態では、ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とは、ゲート絶縁膜上に形成されるが、その積層順序は問わない。ＴＦＴのドレイン電極が画素電極の上層側であってもよいし、その逆であってもよい。
（１８）上記した各実施形態では、遮光部がＣＦ基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
（１９）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜は、ポリシリコンであっても構わない。その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするのが好ましい。
（２０）上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
（２１）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
（２２）上記した実施形態では、液晶表示装置（液晶パネルやバックライト装置）の平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
（２３）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされた液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。

１０…液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）、２３，１２３，２２３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２４，１２４，２２４…画素電極、２６，１２６，２２６…ゲート配線（走査配線）、２７，１２７，２２７，３２７…ソース配線（信号配線）、３０，１３０，２３０，３３０…タッチ電極（位置検出電極）、３０Ｓ，１３０Ｓ，２３０Ｓ，３３０Ｓ…分割タッチ電極（分割位置検出電極）、３１，１３１，２３１，３３１…タッチ配線（位置検出配線）、３３…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、３７，２３７…層間絶縁膜（絶縁膜）、３８，２３８…第２透明電極膜（透明電極膜）、３９，１３９，２３９，３３９…接続部、３９Ａ，１３９Ａ，２３９Ａ…延在部、４０，２４０…コンタクトホール、４１…延出電極、４３…第３金属膜（金属膜）、４４…金属膜部位

Claims (12)

1. 間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、
   前記画素電極とは異なる層にて隣り合う前記画素電極の間に配される位置検出配線と、
   位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成して前記位置入力体による入力位置を検出するとともに前記位置検出配線と同じ層に配されていて前記位置検出配線に接続される位置検出電極であって、複数の前記画素電極と重畳するよう配されていて前記位置検出配線によって複数の分割位置検出電極に分割される位置検出電極と、
   前記位置検出電極及び前記位置検出配線とは絶縁膜を介して異なる層に配されて複数の前記分割位置検出電極と少なくとも一部同士が重畳していて前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して複数の前記分割位置検出電極に接続される接続部と、を有する位置入力機能付き表示装置。
2. 複数の前記画素電極に供給される信号を伝送する複数の信号配線を備えており、
   複数の前記信号配線には、前記位置検出配線とは異なる層にて前記位置検出配線と重畳するよう配されるものが含まれる請求項１記載の位置入力機能付き表示装置。
3. 前記信号配線は、前記画素電極と同じ層に配される請求項２記載の位置入力機能付き表示装置。
4. 前記信号配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動するための信号を伝送するとともに前記信号配線とは異なる層に配される走査配線と、を備えており、
   前記位置検出電極は、少なくとも前記位置検出配線の延在方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配されており、
   前記接続部は、前記位置検出配線の延在方向と交差する方向に沿って延在して隣り合う前記位置検出電極の間に配される延在部を有する請求項２または請求項３記載の位置入力機能付き表示装置。
5. 前記接続部は、前記信号配線とは異なる層にて前記信号配線と交差するよう配される請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
6. 前記信号配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動するための信号を伝送するとともに前記信号配線とは異なる層に配される走査配線と、を備えており、
   前記接続部は、前記走査配線と同じ層に配される請求項５記載の位置入力機能付き表示装置。
7. 前記接続部は、前記信号配線と同じ層に配されており、
   前記信号配線を挟んで隣り合う一対の前記分割位置検出電極のうち、一方の前記分割位置検出電極は、前記信号配線を横切って他方の前記分割位置検出電極に向けて延出して前記他方の前記分割位置検出電極と重畳している前記接続部の一部と重畳するよう配される延出電極を有する請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
8. 前記信号配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続されて前記スイッチング素子を駆動するための信号を伝送する走査配線と、を備えており、
   前記信号配線及び前記接続部は、前記走査配線とは異なる層に配される請求項７記載の位置入力機能付き表示装置。
9. 前記位置検出電極は、複数の前記信号配線を跨ぐ形成範囲を有しており、
   前記接続部は、前記信号配線とは異なる層に配されていて前記延在部が複数の前記信号配線と交差するよう延在する請求項４記載の位置入力機能付き表示装置。
10. 前記接続部は、前記走査配線と同じ層に配されていて前記延在部が前記走査配線と前記画素電極との間に介在するよう配される請求項９記載の位置入力機能付き表示装置。
11. 前記位置検出電極は、少なくとも一部が透明電極膜からなるのに対し、前記位置検出配線は、前記透明電極膜と、前記透明電極膜に対して重ねられる金属膜と、からなる請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
12. 前記位置検出電極は、前記透明電極膜及び前記金属膜からなり、そのうちの前記金属膜からなる金属膜部位が前記信号配線と重畳するよう選択的に配される請求項１１記載の位置入力機能付き表示装置。

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