JP2019028095A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】非矩形の表示領域に対応するタッチセンシング機能付きの表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】異なる色を発光する複数の副画素SPがマトリクス状に配列された表示領域DAと、端子や駆動回路が形成される周辺領域PAを有する表示パネル10と、表示パネル10上に配置されるタッチセンシング用の金属配線42を有する表示装置において、表示パネル10は、平面視で外形に曲線部を有する非矩形形状を有し、金属配線42は、少なくとも2方向に延伸した配線が複数の箇所で交差するように網目状に形成され、副画素SPは、曲線部に隣接する表示領域DAの輪郭部において、階段状に配置され、階段状に配置された副画素SP上では、金属配線42は、非形成領域Eを有する。【選択図】図7

Description

本発明は、表示装置に関する。
平面ディスプレイとして代表的な液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータやテレビなどのOA(Office Automation)機器などの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置として利用されている。
画像を表示する表示領域の形状は、四隅が直角の矩形に留まらず、円形や楕円形などといった非矩形にも対応することが求められるようになってきた。
特開2014−191650号公報
特にモバイル用途で用いられる表示装置は、タッチセンシング機能を有することが多い。タッチセンシングのための方式は、表示装置に組み込まれる場合は、主として静電容量方式が用いられる。更に静電容量方式には、相互容量方式と自己容量方式がある。たとえば相互容量方式では、送信電極Txと受信電極Rxを有し、これらの電極間の電界変化を検出することで、タッチ位置を検出する。従来は、これらの電極は表示に影響がないようにITO(Indium Tin Oxide)などの透明電極で形成されることが多かった。しかしながら、近年は、受信電極Rxの電気抵抗を下げるために金属で形成する例がある(特許文献1)。
受信電極Rxを金属で構成した場合、電気抵抗は下げることができるものの、不透明であるため、表示に影響しない工夫が必要である。特に、矩形ではなく、周辺に曲線部が形成されるような非矩形の表示装置では、曲線部の画素上にある不透明の検出電極Rxの存在が表示に影響を与える場合がある。
本発明は、非矩形の表示領域に対応するタッチセンシング機能付き表示装置を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶表示装置は、異なる色を発光する複数の副画素がマトリクス状に配列された表示領域と、端子や駆動回路が形成される周辺領域を有する表示パネルと、前記表示パネル上に配置されるタッチセンシング用の金属配線を有する表示装置において、前記表示パネルは、平面視で外形に曲線部を有する非矩形形状を有し、前記金属配線は、少なくとも2方向に延伸した配線が複数の箇所で交差するように網目状に形成され、前記副画素は、前記曲線部に隣接する前記表示領域の輪郭部において、階段状に配置され、前記階段状に配置された前記副画素上では、前記金属配線は、非形成領域を有することを特徴とする。
本発明によれば、外形が非矩形になっている領域において、タッチセンシング用の金属配線が表示の妨げにならない。
本発明を適用した実施形態に係る表示装置の概略を示す平面図である。 図1に示す表示パネルの回路図である。 図2に示す回路の一部を詳細に示す図である。 図1に示す表示装置のIV−IV線断面図である。 タッチセンシングのための構造を説明する図である。 図1に示す表示パネルのVIで指す部分を拡大した図である。 タッチ電極の詳細を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図1は、本発明を適用した実施形態に係る表示装置の概略を示す平面図である。本実施形態の表示装置は、平面視で外形に曲線となる部分を有する非矩形の表示パネルを有する。具体的には、形状角部がラウンドしており、且つ一部に切欠きを有するものを示す。表示パネル10は、切り欠き12を有する。切り欠き12は、表示パネル10の上側の第1方向D1(図1の横方向)に沿う端部の中間に形成されている。表示パネル10は、画像が表示される表示領域DAを有し、表示領域DAの外側(周囲)に、駆動回路や外部からの信号を入力する端子などが形成される周辺領域PAを有する。
切り欠き12はU字状になっており、これに対応して、表示領域DAの輪郭Oは、表示パネル10の外形に沿った部分を有している。
図2は、図1に示す表示パネル10の回路図である。図3は、図2に示すサブピクセルSPの回路構成を示す図である。表示パネル10は、表示領域DAにおいて、複数のサブピクセルSPを備えている。ここで、サブピクセルSPとは、映像信号に応じて個別に制御することができる最小単位の画素領域を示し、例えば、走査線Gと信号線Sとが交差する位置に配置されたスイッチング素子SWを含む領域に存在する。複数のサブピクセルSPは、第1方向D1及び第2方向D2にマトリクス状に配置されている。走査線Gは、第1方向D1に延出し、第2方向D2に並んでいる。信号線Sは、各々第2方向D2に延出し、第1方向D1に並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。走査線G及び信号線Sは、表示領域DAの外側にある周辺領域PAに引き出されている。周辺領域PAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続されている。
各サブピクセルSPは、それぞれ画素電極14及び共通電極16を有する。画素電極14の各々は、共通電極16と対向し、画素電極14と共通電極16との間に生じる電界によって液晶層18を駆動する。保持容量CSは、例えば、共通電極16と画素電極14との間に形成される。共通電極16は、詳細は後述するが、複数のサブピクセルSPに跨って配置されている。共通電極16は、周辺領域PAにおいて、共通電極駆動回路CDに接続される。
サブピクセルSPは、スイッチング素子SWを備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及び、ドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極14と電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。走査線Gは、第1方向D1に並んだサブピクセルSPの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向D2に並んだサブピクセルSPの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。
図4は、図1に示す表示装置のIV−IV線断面図である。第1基板20と第2基板22の間に液晶層18が介在する。本実施形態の表示パネル10は、主面にほぼ平行な横電界を利用するIPS(In Plane Switching)モードに対応した構成を有している。横電界を利用するIPS表示モードでは、例えば第1基板20の一方に画素電極14及び共通電極16の双方が備えられた構成が適用可能である。本実施形態では、特に、FFS(Fringe Field Switching)モードを用いるため、画素電極14はサブピクセルSPの個々に独立して配置されるが、共通電極16は複数のサブピクセルSPに跨って平面状に形成される。
第1基板20は、信号線S、共通電極16、金属層M、画素電極14、第1絶縁膜IN1、第2絶縁膜IN2、第3絶縁膜IN3、第1配向膜AL1などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子SWや走査線G、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。第1絶縁膜IN1は、第1基板20の上に位置している。図示しない走査線Gやスイッチング素子SWの半導体層は、第1基板20と第1絶縁膜IN1の間に位置している。信号線Sは、第1絶縁膜IN1の上に位置している。第2絶縁膜IN2は、信号線S、及び、第1絶縁膜IN1の上に位置している。共通電極16は、第2絶縁膜IN2の上に位置している。金属層Mは、共通電極16の低抵抗化および信号印加のために配置されるものであり、信号線Sの直上において共通電極16に接触している。図示した例では、金属層Mは、共通電極16の上に位置しているが、共通電極16と第2絶縁膜IN2との間に位置していても良い。第3絶縁膜IN3は、共通電極16、及び、金属層Mの上に位置している。画素電極14は、第3絶縁膜IN3の上に位置している。画素電極14は、第3絶縁膜IN3を介して共通電極16と対向している。また、画素電極14は、共通電極16と対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極14及び第3絶縁膜IN3を覆っている。
走査線G、信号線S、及び、金属層Mは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極16及び画素電極14は、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明な導電材料によって形成されている。第1絶縁膜IN1及び第3絶縁膜IN3は無機絶縁膜であり、第2絶縁膜IN2は有機絶縁膜である。
第2基板22は、ブラックマトリクス層24、カラーフィルタ層26、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。ブラックマトリクス層24及びカラーフィルタ層26は、第2基板22の第1基板20と対向する側に位置している。ブラックマトリクス層24は、サブピクセルSPを区画し、信号線S、走査線G及びスイッチング素子SWの直上に位置している。カラーフィルタ層26は、画素電極14と対向し、その一部がブラックマトリクス層24に重なっている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタ層26を覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
第2基板22の液晶層18側と反対側の面には、タッチセンシングの受信電極Rxとして用いるために複数の検出電極28が積層されている。検出電極28は、第2基板22の主面に位置している。検出電極28は、金属や、ITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電材料によって形成される場合もあるが、低抵抗化のためにAl(Aluminum)などの不透明の金属材料で形成される場合もある。本実施形態では、検出電極28には、不透明の金属材料を用いる。
第1偏光板を含む第1光学素子OD1は、第1基板20と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板を含む第2光学素子OD2は、検出電極28の上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。
図5は、タッチセンシングのための構造を説明する図である。本実施形態においては、一対の電極間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式を用いる。タッチセンシングに用いる電極は、図5に示すように、共通電極16と検出電極28である。複数の共通電極16は、前述のように、画面表示用の共通電極であるが、タッチセンシングの送信電極Txとしても共用される。一方の受信電極Rxは、検出電極28が相当する。検出電極28は、複数の開口部を有する網目状(メッシュ状)になっている。複数の検出電極28は、第1方向D1にそれぞれ延伸し、第2方向D2に並列して、表示パネル10上で数組配置される。検出電極28は、共通電極16と電気的に対向している。共通電極16は、それぞれ第2方向D2に延出した帯状の形状を有し、第1方向D1に間隔を置いて並んでいる。共通電極16の各々は、図2に示す共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、共通電極16に対してコモン駆動信号を供給する。
共通電極駆動回路CDは、タッチセンシングを行うセンシング駆動時に、共通電極16に対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極28は、共通電極16へのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号(つまり、共通電極(送信電極Tx)16と検出電極28との間の電極間容量の変化に基づいた信号)を出力する。
このように、共通電極16は、画素電極14との間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極28との間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。尚、本実施形態の表示パネル10は、図5に示すように切り欠き12を有している。このため、切り欠き12に位置する検出電極28は、切り欠き12によって途中で分断または一部狭小になるものがある。このように、切り欠き12によって途中で分断される検出電極28については、分断された検出電極28を電気的に接続するために、切り欠き12の周辺を迂回する輪郭配線29を設けている(後述)。
図6は、図1に示す表示パネル10の領域VIを拡大した図である。表示領域DAは、ブラックマトリクス層24の複数の開口30が形成された領域である。輪郭Oは、複数の開口30の最外辺である。複数の開口30は、複数の画素電極14(図3参照)にそれぞれ対応する。複数の開口30は、それぞれ、第1方向D1の第1幅W1と、第2方向D2の第2幅W2と、を有する。
複数の開口30は、それぞれ、複数色のサブピクセルSP(図2参照)に対応する。具体的には、第1方向D1において、一つのピクセルを構成する単位である、赤色R、緑色G、青色Bの3色のカラーフィルタが順に並ぶように配置される。第2方向D2に沿う列には、同じ色のカラーフィルタが形成される。
図6に示す表示領域DAは、切り欠き12であるため、曲線に相当する位置の輪郭Oは、階段状になっており、ジャギー部Jを形成する。
更に、本実施形態におけるジャギー部Jに位置するブラックマトリクスの開口30は、より滑らかな曲線の表示を行うため、図6に示すように、開口30の大きさが位置によって異なっている。
具体的には、第2幅W2の大きさが、階段状になっている場所においては、他の場所よりも小さくなっている。ジャギー部Jにおける第2幅W2の大きさは、いくつかの大きさがあり、曲線の曲率に応じて、適切な大きさが選択される。
これにより、ジャギー部Jが目立たなくなり、表示パネルを視る者からは、輪郭Oは、より滑らかな曲線として認識しやすくなる。
図7は、ジャギー部Jにおける検出電極28の詳細を示す図である。検出電極28は、図5に示されるように少なくとも2方向に延伸した金属配線42が複数の箇所で交差するように網目状(メッシュ状)に形成されている。検出電極28は、不透明の金属からなる多数の金属配線42の組み合わせからできている。表示パネルによって一つのサブピクセルSPの大きさは様々であるが、通常は、検出電極28の金属配線42の幅は、ブラックマトリクスの開口部30(W1,W2)よりも小さく形成されており、且つ、メッシュの開口領域は、サブピクセルSPの大きさよりも相当大きく形成される。
このため、表示領域DA内では、検出電極28の金属配線42は、ブラックマトリクスの開口30と重なる部分もあるが、表示領域DA全体では、金属配線42が開口部30を遮蔽する割合は少ないため、表示への影響はあまり生じない。
しかしながら、図6で示したように、ジャギー部Jのように曲線の輪郭部分においては、ブラックマトリクスの開口30の面積が通常のサイズより小さいものが複数存在している。このような場所に、検出電極28の金属配線42が重なると、ブラックマトリクスの開口30が金属配線42によって覆われる領域が高くなるため、開口率が著しく低下し、表示が不自然になってしまう。
本実施形態では、このような事態を回避するため、金属配線42は、ジャギー部Jにおいては、ブラックマトリクスの開口30上では、配線非形成部Eを形成するものである。
このような構成により、滑らかな曲線の表示領域DAの輪郭Oを実現するために、開口サイズを小さくしたブラックマトリクスの開口30が、不透明な金属配線からなる検出電極28によって覆われることがないため、曲線の輪郭Oの表示品質を保つことができる。
尚、検出電極28は、図7に示すように、切り欠き12の形状に沿って、複数の金属配線42に接続される輪郭配線29が形成されている。上述したように、金属配線42は、サイズの小さな開口30上は配線非形成部Eとなっているが、切り欠き部12の近傍全てが配線非形成部Eとなっているわけではなく、部分的には、輪郭配線29まで接続されている。輪郭配線29は、図5で示すような表示パネルの中間に切欠き部12がある場合であっても、左右に分断された検出電極28を切り欠き12を迂回して電気的に接続する役割を担う(図示せず)。よって、部分的に配線非形成部Eが形成されていたとしても、受信電極Rxとしての機能を損なうことはない。
尚、本実施形態においては、配線非形成部Eは、切り欠き12近傍のジャギー部Jに配置する例を示した。しかし、この場所のみではなく、表示パネル10の角部が曲線になっているような位置でも、本実施形態と同様に検出電極28の配線非形成部Eを配置することができる。
また、本実施形態では、配線非形成部Eは、ブラックマトリクスの開口30の面積が小さな画素領域上に配置する例を示した。しかし、表示領域DAの全てのブラックマトリクスの開口30が均一な表示パネルの場合であっても、ジャギー部JのようにサブピクセルSPが階段状に配置される個所は、検出電極28に配線非形成部Eを用いても良い。この場合でも、表示領域DAの曲線部の表示品質を向上することができる。
本実施形態は、液晶表示装置を例にして説明したが、これに限らず、本発明は、有機EL表示装置でも適用することができる。本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 表示パネル、12 切り欠き、14 画素電極、16 共通電極、18 液晶層、20 第1基板、22 第2基板、24 ブラックマトリクス層、26 カラーフィルタ層、28 検出電極、29 輪郭配線、30 開口、42 金属配線、AL1 第1配向膜、AL2 第2配向膜、BL 照明装置、CD 共通電極駆動回路、CS 保持容量、D1 第1方向、D2 第2方向、DA 表示領域、E 配線非形成部、G 走査線、GD 走査線駆動回路、IN1 第1絶縁膜、IN2 第2絶縁膜、IN3 第3絶縁膜、J ジャギー部、M 金属層、O 輪郭、OC オーバーコート層、OD1 第1光学素子、OD2 第2光学素子、PA 周辺領域、S 信号線、SD 信号線駆動回路、SL スリット、SP サブピクセル、SW スイッチング素子、W1 第1幅、W2 第2幅、WD ドレイン電極、WG ゲート電極、WS ソース電極。

Claims (9)

  1. 異なる色を発光する複数の副画素がマトリクス状に配列された表示領域と、端子や駆動回路が形成される周辺領域を有する表示パネルと、
    前記表示パネル上に配置されるタッチセンシング用の金属配線を有する表示装置において、
    前記表示パネルは、平面視で外形に曲線部を有する非矩形形状を有し、
    前記金属配線は、少なくとも2方向に延伸した配線が複数の箇所で交差するように網目状に形成され、
    前記副画素は、前記曲線部に隣接する前記表示領域の輪郭部において、階段状に配置され、前記階段状に配置された前記副画素上では、前記金属配線は、非形成領域を有することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項1に記載された表示装置において、
    前記副画素の発光する面積は、前記表示領域内において、複数のサイズを有し、
    前記階段状に配置された前記副画素の発光する面積は、前記表示領域内の他の場所に配置された前記副画素の発光する面積よりも小さいことを特徴とする表示装置。
  3. 請求項2に記載された表示装置において、
    前記金属配線は、前記曲線部に隣接していない前記副画素上では重複して配置されることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項2に記載された表示装置において、
    前記金属配線は、前記曲線部に位置する前記表示領域の輪郭部において、前記曲線部の形状に沿った輪郭配線を有し、前記網目状の金属配線の何れかの配線は前記輪郭配線に接続されることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項2に記載された表示装置において、
    前記表示パネルは、第1の基板と、第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に挟持された液晶層を有し、
    前記第1の基板は、複数の前記副画素毎に形成された画素電極と、前記複数の副画素に跨って形成された共通電極を有し、
    前記第2の基板は、複数の前記副画素毎に形成されたカラーフィルタと、複数の前記副画素を区画する遮光層を有し、
    前記副画素の発光する面積は、前記遮光層の開口の大きさで定義されることを特徴とする表示装置。
  6. 請求項5に記載された表示装置において、
    前記第1の基板は、
    第1の方向に延伸し、第1の方向と直交する第2の方向に複数並べられた走査信号線と、
    前記第2の方向に延伸し、前記第1の方向に複数並べられた映像信号線を有し、
    前記遮光層の開口は、前記走査信号線に沿った辺と、前記映像信号線に沿った辺を有し、
    前記遮光層の開口の前記前記映像信号線に沿った辺は、前記表示領域内において、複数のサイズを有し、
    前記階段状に配置された前記副画素の前記開口の前記前記映像信号線に沿った辺は、前記表示領域内の他の場所に配置された前記開口の前記前記映像信号線に沿った辺よりも小さいことを特徴とする表示装置。
  7. 請求項5に記載された表示装置において、
    前記金属配線は、前記遮光層が形成された前記第2の基板の面とは反対側の面に形成されることを特徴とする表示装置。
  8. 請求項5に記載された表示装置において、
    前記金属配線は、タッチセンシングの受信電極であり、前記共通電極は、タッチセンシングの送信電極として機能することを特徴とする表示装置。
  9. 請求項1に記載された表示装置において、
    前記表示パネルは、有機EL表示装置であることを特徴とする表示装置。
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