JP2019184945A - 配線基板及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】第2配線の配線抵抗を低くする。【解決手段】アレイ基板(配線基21は、第1金属膜32からなるゲート配線(第1配線)26と、第1金属膜32との間にゲート絶縁膜(第1絶縁膜)33が介在するよう配される第2金属膜35からなりゲート配線26と交差するよう延在するソース配線(第2配線)27と、第1金属膜32からなりゲート配線26を挟むよう複数が配されてソース配線27に並行するよう延在してソース配線27に対して少なくとも一部ずつが重畳する補助配線部41と、第2金属膜35との間に、ゲート絶縁膜33とは反対側に配される第1層間絶縁膜(第2絶縁膜)36が介在するよう配される第3金属膜38からなりゲート配線26を跨ぐよう配されてソース配線27と複数の補助配線部41とを電気的に接続するブリッジ配線部42と、を備える。【選択図】図5
Description
本発明は、配線基板及び表示装置に関する。
従来、液晶表示装置の一例として下記特許文献1に記載されたものが知られている。特許文献1に記載された液晶表示装置は、透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に第1方向に形成されているゲート線と、前記ゲート線と同一層に同一物質で第2方向に形成されており、前記ゲート線を境界として分離された多数の部分からなる補助修理線と、前記ゲート線及び前記補助修理線を覆う第1絶縁層と、前記補助修理線に沿って前記第1絶縁層上に第2方向に形成されているデータ線とを含む。
上記した特許文献1に記載された液晶表示装置によれば、工程を追加することなく、データ線断線不良を低減することができる補助修理線構造を実現することができる。しかしながら、データ線の断線修理に用いられる補助修理線は、画素電極と同じ透明電極膜からなる。透明電極膜は、ゲート線やデータ線などの金属膜に比べるとシート抵抗が高い材料であることから、透明電極膜からなる補助修理線を用いてデータ線の断線修理を行うと、断線修理したデータ線の配線抵抗が断線修理されないデータ線の配線抵抗よりも高くなるおそれがある。タッチパネル機能を内蔵したインセルタイプの液晶表示装置においては、データ線にデータ信号が伝送される書き込み期間が、タッチパネル機能を実現するためのセンシング期間に起因して短くなるため、データ線に伝送されるデータ信号に生じる電圧降下に伴って表示品位が悪化し易い、という問題があった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、第2配線の配線抵抗を低くすることを目的とする。
本発明の配線基板は、第1金属膜からなる第1配線と、前記第1金属膜との間に第1絶縁膜が介在するよう配される第2金属膜からなり前記第1配線と交差するよう延在する第2配線と、前記第1金属膜からなり前記第1配線を挟むよう複数が配されて前記第2配線に並行するよう延在して前記第2配線に対して少なくとも一部ずつが重畳する補助配線部と、前記第2金属膜との間に、前記第1絶縁膜とは反対側に配される第2絶縁膜が介在するよう配される第3金属膜からなり前記第1配線を跨ぐよう配されて前記第2配線と複数の前記補助配線部とを電気的に接続するブリッジ配線部と、を備える。
このようにすれば、第1金属膜からなる第1配線と交差する第2配線は、第1金属膜との間に第1絶縁膜が介在するよう配される第2金属膜からなるので、第1配線との短絡が避けられている。第1配線と同じ第1金属膜からなり第2配線に並行するよう延在して第2配線に対して第1絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳する補助配線部は、第1配線を挟むよう複数が配されることで、第1配線との短絡が避けられている。第1配線を跨ぐよう配されるブリッジ配線部は、第2金属膜との間に、第1絶縁膜とは反対側に配される第2絶縁膜が介在するよう配される第3金属膜からなるので、第1配線との短絡が避けられている。そして、ブリッジ配線部は、第2配線と第1配線を挟む複数の補助配線部とを電気的に接続しているから、第2配線に伝送される信号が、複数の補助配線部及びブリッジ配線部にも伝送されることになる。これにより、仮に第2配線に断線が生じた場合でも信号の伝送が可能となって第2配線の冗長性が向上するとともに、第2配線の配線抵抗が低下されて伝送される信号に電圧降下が生じ難くなる。しかも、複数の補助配線部及びブリッジ配線部は、それぞれ第1金属膜及び第3金属膜からなるので、従来のように透明電極膜からなる補助修理線を用いた場合に比べると、複数の補助配線部及びブリッジ配線部における配線抵抗を低くすることができる。また、複数の補助配線部は、第1配線と同じ第1金属膜からなるので、製造コストの低下を図る上でも好適となる。
本発明によれば、第2配線の配線抵抗を低くすることができる。
<実施形態1>
本発明の実施形態1を図1から図10によって説明する。本実施形態では、表示機能及びタッチパネル機能(位置入力機能)を備える液晶表示装置(位置入力機能付き表示装置)10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図3,図6,図9及び図10の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
本発明の実施形態1を図1から図10によって説明する。本実施形態では、表示機能及びタッチパネル機能(位置入力機能)を備える液晶表示装置(位置入力機能付き表示装置)10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図3,図6,図9及び図10の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
図1は、液晶パネル11の概略的な平面図である。液晶表示装置10は、図1に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル(表示装置、表示パネル、位置入力機能付き表示パネル)11と、液晶パネル11に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置(照明装置)と、を少なくとも備える。本実施形態では、液晶パネル11の画面サイズが例えば16インチ程度(具体的には16.1インチ)とされるとともに、解像度が「FHD」相当とされる。バックライト装置は、液晶パネル11に対して裏側(背面側)に配置され、白色の光(白色光)を発する光源(例えばLEDなど)や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。なお、バックライト装置の図示は省略している。
液晶パネル11は、図1に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域(図1において一点鎖線により囲った範囲)AAとされる。これに対し、液晶パネル11の画面における表示領域AAを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域NAAとされる。液晶パネル11は、一対の基板20,21を貼り合わせてなる。一対の基板20,21のうち表側(正面側)がCF基板(対向基板)20とされ、裏側(背面側)がアレイ基板(配線基板、アクティブマトリクス基板、素子基板)21とされる。CF基板20及びアレイ基板21は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板20,21の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。CF基板20は、短辺寸法がアレイ基板21の短辺寸法よりも短くされるのに対し、アレイ基板21に対して短辺方向(Y軸方向)についての一方の端部が揃う形で貼り合わせられている。従って、アレイ基板21における短辺方向についての他方の端部は、CF基板20に対して側方に突き出していてCF基板20とは非重畳となるCF基板非重畳部21Aとされる。このCF基板非重畳部21Aには、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ(駆動回路部)12及びフレキシブル基板(信号伝送部)13が実装されている。ドライバ12は、内部に駆動回路を有するLSIチップからなり、アレイ基板21に対してCOG(Chip On Glass)実装されており、フレキシブル基板13によって伝送される各種信号を処理する。本実施形態では、液晶パネル11の非表示領域NAAに、4つのドライバ12がX軸方向に沿って間隔を空けて並んで配されている。フレキシブル基板13は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料(例えばポリイミド系樹脂等)からなる基材上に多数本の配線パターン(図示せず)を形成した構成とされる。フレキシブル基板13は、その一端側が液晶パネル11の非表示領域NAAに、他端側が図示しないコントロール基板(信号供給源)に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板13を介して液晶パネル11に伝送され、非表示領域NAAにおいてドライバ12による処理を経て表示領域AAへ向けて出力される。また、アレイ基板21の非表示領域NAAには、表示領域AAをX軸方向について両側から挟み込む形で一対のゲート回路部GDMが設けられている。ゲート回路部GDMは、後述するゲート配線26に走査信号を供給するためのものである。
本実施形態に係る液晶パネル11は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置(入力位置)を検出するタッチパネル機能と、を併有しており、このうちのタッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化(インセル化)している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図1に示すように、液晶パネル11の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極(位置検出電極)30から構成されている。タッチ電極30は、液晶パネル11の表示領域AAに配されている。従って、液晶パネル11の表示領域AAは、入力位置を検出可能なタッチ領域(位置入力領域)とほぼ一致しており、非表示領域NAAが入力位置を検出不能な非タッチ領域(非位置入力領域)とほぼ一致している。そして、使用者が視認する液晶パネル11の表示領域AAの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル11の表面(表示面)に導電体である図示しない指(位置入力体)を近づけると、その指とタッチ電極30との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極30にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極30とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。タッチ電極30は、表示領域AAにおいてX軸方向(タッチ配線31を挟み込む画素電極24の並び方向)及びY軸方向(タッチ配線31の延在方向)に沿って複数ずつがマトリクス状に間隔を空けて並んで配されている。タッチ電極30は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数mm(例えば約2mm〜6mm)程度とされる。従って、タッチ電極30は、平面に視た大きさが後述する画素部PXよりも遙かに大きくなっており、X軸方向及びY軸方向について複数(例えば数十程度)ずつの画素部PXに跨る範囲に配置されている。複数のタッチ電極30には、液晶パネル11に設けられた複数のタッチ配線(第3配線、位置検出配線)31が選択的に接続されている。タッチ配線31は、Y軸方向に沿って延在しており、Y軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極30のうちの特定のタッチ電極30に対して選択的に接続されている。なお、図1では、タッチ電極30に対するタッチ配線31の接続箇所(後述するタッチ配線用コンタクトホール)を黒丸にて図示している。さらにタッチ配線31は、図示しない検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ12に備えられていても構わないが、フレキシブル基板13を介して液晶パネル11の外部に備えられていても構わない。なお、図1は、タッチ電極30の配列を模式的に表したものであり、タッチ電極30の具体的な設置数、配置、平面形状などについては図示以外にも適宜に変更可能である。
図2は、液晶パネル11を構成するアレイ基板21の表示領域AAにおける平面図である。タッチ電極30には、図2に示すように、タッチ配線31の一部と重畳するよう配されるタッチ配線重畳開口部(第3配線重畳開口部、位置検出配線重畳開口部)30Aが設けられている。タッチ配線重畳開口部30Aは、タッチ配線31の延在方向であるY軸方向に並行する形でそれぞれ延在しており、平面に視て縦長形状(タッチ配線31の延在方向を長手方向とした長手形状)とされる。また、タッチ配線重畳開口部30Aは、その幅寸法(X軸方向についての寸法)がタッチ配線31の幅寸法よりも大きい。このように、タッチ配線重畳開口部30Aがタッチ配線31の少なくとも一部ずつと重畳する形で配されることで、タッチ配線31と、そのタッチ配線31とは非接続とされるタッチ電極30と、の間に生じ得る寄生容量が軽減される。これにより、位置検出に係る感度が良好なものとなる。
液晶パネル11を構成するアレイ基板21の表示領域AAにおける内面側には、図2に示すように、TFT(薄膜トランジスタ、スイッチング素子)23及び画素電極24が設けられている。TFT23及び画素電極24は、多数個ずつX軸方向及びY軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状(行列状)に設けられている。これらTFT23及び画素電極24の周りには、互いに直交(交差)するゲート配線(第1配線、走査配線)26及びソース配線(第2配線、信号配線、データ配線)27が配設されている。ゲート配線26は、概ねX軸方向に沿って延在するのに対し、ソース配線27は、概ねY軸方向に沿って延在している。ゲート配線26とソース配線27とがそれぞれTFT23のゲート電極23Aとソース電極23Bとに接続され、画素電極24がTFT23のドレイン電極23Cに接続されている。そして、TFT23は、ゲート配線26及びソース配線27にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極24への電位の供給を制御する。また、TFT23は、画素電極24(ソース配線27)に対してX軸方向について図2に示す左右に偏在している。TFT23は、画素電極24(ソース配線27)に対して左側に偏在するものと、画素電極24(ソース配線27)に対して右側に偏在するものと、がY軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状(千鳥状)に平面配置されている。画素電極24は、平面形状が縦長の略方形(より詳細には、長辺はソース配線27に沿うように屈曲している)とされており、その短辺方向がゲート配線26の延在方向と、長辺方向がソース配線27の延在方向と、それぞれ一致している。画素電極24は、Y軸方向について両側から一対のゲート配線26により挟み込まれるとともに、X軸方向について両側から一対のソース配線27により挟み込まれている。ゲート配線26及び画素電極24は、TFT23を介して接続されるもの同士が1つの組をなしており、その組がY軸方向について複数並ぶよう配されている、と言える。同様にソース配線27及び画素電極24は、TFT23を介して接続されるもの同士が1つの組をなしており、その組がX軸方向について複数並ぶよう配されている、なお、CF基板20側には、図2では二点鎖線にて図示されるブラックマトリクス(画素間遮光部)29が形成されている。ブラックマトリクス29は、隣り合う画素電極24の間を仕切るよう平面形状が略格子状をなしており、平面に視て画素電極24の大部分と重畳する位置に画素開口部29Aを有している。この画素開口部29Aにより画素電極24の透過光を液晶パネル11の外部へ出光させることが可能とされる。ブラックマトリクス29は、アレイ基板21側の少なくともゲート配線26及びソース配線27(タッチ配線31も含む)と平面に視て重畳する配置とされる。なお、TFT23及び画素電極24の配置などに関しては後に改めて説明する。
図3は、液晶パネル11における画素部PXの中央部付近の断面図である。液晶パネル11は、図3に示すように、一対の基板20,21間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層(媒質層)22を有している。なお、本実施形態では、図示を省略するが、一対の基板20,21の間には、両基板20,21間の間隔を保持するためのスペーサが設けられている。液晶パネル11を構成するCF基板20の内面側における表示領域AAには、青色(B)、緑色(G)及び赤色(R)を呈する3色のカラーフィルタ28が設けられている。カラーフィルタ28は、互いに異なる色を呈するものがゲート配線26(X軸方向)に沿って繰り返し多数並び、それらがソース配線27(概ねY軸方向)に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ28は、アレイ基板21側の各画素電極24と平面に視て重畳する配置とされている。X軸方向について隣り合って互いに異なる色を呈するカラーフィルタ28は、その境界(色境界)がソース配線27及びブラックマトリクス29と重畳する配置とされる。この液晶パネル11においては、X軸方向に沿って並ぶR,G,Bのカラーフィルタ28と、各カラーフィルタ28と対向する3つの画素電極24と、が3色の画素部PXをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル11においては、X軸方向に沿って隣り合うR,G,Bの3色の画素部PXによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素部PXにおけるX軸方向についての配列ピッチは、例えば60μm程度(具体的には62μm)とされ、Y軸方向についての配列ピッチは、例えば180μm程度(具体的には186μm)とされる。ブラックマトリクス29は、隣り合うカラーフィルタ28間を仕切る形で配されている。カラーフィルタ28の上層側(液晶層22側)には、CF基板20のほぼ全域にわたってベタ状に配される平坦化膜(図示せず)が設けられている。なお、両基板20,21のうち液晶層22に接する最内面には、液晶層22に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜(本実施形態では図示せず)がそれぞれ形成されている。
続いて、共通電極25に関して図2から図4を参照しつつ説明する。図4は、アレイ基板21に備わる共通電極25(後述する第2透明電極膜40)のパターンを示す平面図である。アレイ基板21の表示領域AAにおける内面側には、図2から図4に示すように、全ての画素電極24と重畳する形で共通電極25が画素電極24よりも上層側に形成されている。共通電極25は、タッチ信号(信号、位置検出信号)が供給されて位置入力体である指による入力位置を検出する期間(センシング期間)を除いて、常にほぼ一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域AAのほぼ全域にわたって延在している。共通電極25のうち、各画素電極24(詳細には後述する画素電極本体24A)と重畳する部分には、各画素電極24の長辺方向に沿って延在する画素重畳開口部(画素重畳スリット、配向制御スリット)25Aが複数ずつ開口形成されている。なお、画素重畳開口部25Aの具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。画素電極24が充電されるのに伴って互いに重畳する画素電極24と共通電極25との間に電位差が生じると、画素重畳開口部25Aの開口縁と画素電極24との間には、アレイ基板21の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板21の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界(斜め電界)が生じる。従って、このフリンジ電界を利用することで液晶層22に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル11は、動作モードがFFS(Fringe Field Switching)モードとされている。そして、この共通電極25は、既述したタッチ電極30を構成している。共通電極25は、既述した画素重畳開口部25Aに加えて、隣り合うタッチ電極30の間を仕切る仕切開口部(仕切スリット)25Bを有する。仕切開口部25Bは、X軸方向に沿って共通電極25の全長にわたって横断する部分と、概ねY軸方向に沿って共通電極25の全長にわたって縦断する部分と、からなり、全体としては平面に視て略格子状をなしている。共通電極25は、仕切開口部25Bによって平面に視て碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極30からなる。従って、タッチ電極30に接続されたタッチ配線31は、表示機能に係る共通信号(基準電位信号)と、タッチ機能に係るタッチ信号と、を異なるタイミングでもって(時分割して)タッチ電極30に供給する。このうちの共通信号は、同じタイミングで全てのタッチ配線31に伝送されることで、全てのタッチ電極30が基準電位となって共通電極25として機能する。
TFT23及び画素電極24の構成について図5を参照しつつ詳しく説明する。図5は、アレイ基板21における所定のTFT23付近を拡大した平面図である。TFT23は、図5に示すように、全体としてX軸方向に沿って延在する横長形状をなしており、接続対象とされる画素電極24に対してY軸方向について図5に示す下側に隣り合う配置とされる。TFT23は、ゲート配線26の一部(ソース配線27などと重畳する部分)からなるゲート電極23Aを有する。ゲート電極23Aは、X軸方向に沿って延在する横長形状をなしていて、ゲート配線26に供給される走査信号に基づいてTFT23を駆動し、それによりソース電極23Bとドレイン電極23Cとの間の電流が制御される。TFT23は、ソース配線27の一部(ゲート配線26と重畳する部分)からなるソース電極23Bを有する。ソース電極23Bは、TFT23におけるX軸方向についての一端側に配されていてそのほぼ全域がゲート電極23Aと重畳するとともにチャネル部23Dに接続される。TFT23は、ソース電極23Bとの間に間隔を空けた位置、つまりTFT23におけるX軸方向についての他端側に配されるドレイン電極23Cを有する。ドレイン電極23Cは、概ねX軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極23Bと対向状をなしてゲート電極23Aと重畳するとともにチャネル部23Dに接続されるのに対し、他端側が画素電極24に接続される。
画素電極24は、図5に示すように、ブラックマトリクス29の画素開口部29Aと重畳する概ね方形状の画素電極本体24Aと、画素電極本体24AからY軸方向に沿ってTFT23側に突出するコンタクト部24Bと、からなる。このうちのコンタクト部24Bは、ドレイン電極23Cの他端側に対して重畳配置されており、それら重畳箇所同士が第1層間絶縁膜36に開口形成された画素コンタクトホールCH1を通して接続されている。なお、ゲート配線26は、コンタクト部24B及びドレイン電極23Cの双方と重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ゲート配線26と画素電極24との間の容量を低減するために設けられている。また、ドレイン電極23Cの他端は、ゲート配線26と重畳している。これは、アレイ基板21を製造する際に、ゲート配線26に対してドレイン電極23Cが位置ずれした場合でも、ゲート配線26とドレイン電極23C(すなわち画素電極24)との間の容量が変動しないようにするために設けられている。TFT23は、後述するゲート絶縁膜33を介してゲート電極23Aと重畳するとともに、ソース電極23B及びドレイン電極23Cに接続されるチャネル部23Dを有する。チャネル部23Dは、ゲート電極23Aと重畳するとともにX軸方向に沿って延在し、その一端側がソース電極23Bに、他端側がドレイン電極23Cに、それぞれ接続されている。そして、ゲート電極23Aに供給される走査信号に基づいてTFT23がオン状態にされると、ソース配線27に供給される画像信号(データ信号)は、ソース電極23Bから半導体膜34からなるチャネル部23Dを介してドレイン電極23Cへと供給される。その結果、画素電極24が画像信号に基づいた電位に充電される。なお、共通電極25は、チャネル部23Dと重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、TFT23がオフ状態のときに、共通電極25(タッチ電極30)の電位変動に伴い、ソース電極23Bとドレイン電極23Cとの間のリーク電流量が変動することを抑制するために設けられている。
ここで、アレイ基板21の内面側に積層形成された各種の膜について図6を参照しつつ説明する。図6は、液晶パネル11におけるTFT23付近の断面図である。アレイ基板21には、図6に示すように、下層側(ガラス基板側)から順に第1金属膜32、ゲート絶縁膜33、半導体膜34、第2金属膜35、第1層間絶縁膜36、第1透明電極膜37、第3金属膜38、第2層間絶縁膜39、第2透明電極膜40が積層形成されている。第1金属膜32、第2金属膜35及び第3金属膜38は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される1種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第1金属膜32は、ゲート配線26、TFT23のゲート電極23A、後述する補助配線部41などを構成する。第2金属膜35は、ソース配線27やTFT23のソース電極23B及びドレイン電極23Cなどを構成する。第3金属膜38は、タッチ配線31や後述するブリッジ配線部42などを構成する。ゲート絶縁膜33、第1層間絶縁膜36及び第2層間絶縁膜39は、それぞれ窒化ケイ素(SiNx)、酸化ケイ素(SiO2)等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜33は、下層側の第1金属膜32と、上層側の半導体膜34及び第2金属膜35と、を絶縁状態に保つ。第1層間絶縁膜36は、下層側の半導体膜34及び第2金属膜35と、上層側の第1透明電極膜37及び第3金属膜38と、を絶縁状態に保つ。第2層間絶縁膜39は、下層側の第1透明電極膜37及び第3金属膜38と、上層側の第2透明電極膜40と、を絶縁状態に保つ。半導体膜34は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等の半導体材料を用いた薄膜からなり、TFT23においてソース電極23Bとドレイン電極23Cとに接続されるチャネル部(半導体部)23Dなどを構成する。第1透明電極膜37及び第2透明電極膜40は、透明電極材料(例えばITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)など)からなる。第1透明電極膜37は、画素電極24などを構成する。第1透明電極膜37及び第3金属膜38は、共に第1層間絶縁膜36の上層側に配されていて互いに同層に位置している。従って、第1透明電極膜37からなる画素電極24と、第3金属膜38からなるタッチ配線31及びブリッジ配線部42などと、は、互いに同層に配されている、と言える。第2透明電極膜40は、共通電極25(タッチ電極30)を構成する。なお、本実施形態では、タッチ配線31及びブリッジ配線部42は、第3金属膜38からなる単層構造とされているが、例えば第1透明電極膜37と第3金属膜38との積層構造とすることも可能である。
続いて、表示領域AAにおけるタッチ配線31の構成について図2,図3,図5及び図6を参照して説明する。タッチ配線31は、図2及び図3に示すように、第3金属膜38からなり、第2金属膜35からなるソース配線27の大部分に対して第1層間絶縁膜36を介して平面に視て重畳するよう配されている。このようにすれば、仮にタッチ配線の全域がソース配線27とは非重畳となるよう配された場合に比べると、タッチ配線31及びソース配線27の配置スペースが削減されて開口率の向上を図る上で好適になっている。また、第3金属膜38からなるタッチ配線31と、第1金属膜32からなるゲート配線26及び第2金属膜35からなるソース配線27と、の短絡が間に介在する第1層間絶縁膜36などにより避けられる。タッチ配線31は、その大部分がソース配線27に並行する形で概ねY軸方向に沿って延在しており、Y軸方向に沿って並ぶ多数の画素電極24に対してX軸方向について離間しつつ隣り合う配置とされている。つまり、タッチ配線31及びそれと重畳するソース配線27は、共に画素電極24とは非重畳となる配置とされる。タッチ配線31は、全てのソース配線27に対して個別に重畳するよう配されており、その設置数がソース配線27の設置数と一致している。また、タッチ配線31と接続対象のタッチ電極30との重畳箇所は、第2層間絶縁膜39に開口形成されたタッチ配線用コンタクトホールCH2(図1を参照)を通して接続されている。
より詳しくは、タッチ配線31は、図2に示すように、ソース配線27と重畳するソース配線重畳部(第2配線重畳部)31Aと、ソース配線27とは非重畳とされてゲート配線26を跨ぐよう配されるソース配線非重畳部(第2配線非重畳部)31Bと、を有する。このうちのソース配線重畳部31Aは、ソース配線27のうちの各ゲート配線26を跨ぐ部分(各ソース電極23Bを構成する部分を含む)を除いた大部分に対して重畳するよう複数が配されている。従って、ソース配線重畳部31Aは、Y軸方向についてゲート配線26と交互に並ぶ形で配されており、その数はゲート配線26の並び数と同等とされる。つまり、Y軸方向について隣り合うソース配線重畳部31Aの間には、ゲート配線26が介在し、Y軸方向について隣り合うゲート配線26の間には、ソース配線重畳部31Aが介在する配置となる。一方、ソース配線非重畳部31Bは、ソース配線27のうちの各ゲート配線26を跨ぐ部分に対してX軸方向についてオフセットした配置とされており、ゲート配線26を跨ぎつつゲート配線26を挟んだ配置の2つのソース配線重畳部31Aの間を繋いでいる。ソース配線非重畳部31Bは、Y軸方向についてソース配線重畳部31Aと交互に並ぶ形で配されており、その数はソース配線重畳部31Aの並び数と同等とされる。つまり、Y軸方向について隣り合うソース配線非重畳部31Bの間には、ソース配線重畳部31Aが介在し、Y軸方向について隣り合うソース配線重畳部31Aの間には、ソース配線非重畳部31Bが介在する配置となる。Y軸方向について並ぶ複数のソース配線非重畳部31Bは、いずれもソース配線27に対してX軸方向について図2に示す左側にオフセットした配置とされる。従って、ある列に属するソース配線27に対して接続対象となるTFT23が図2に示す左側に配される行においては、ソース配線非重畳部31Bは、そのTFT23の一部に対して重畳する配置とされる。詳しくは、ソース配線非重畳部31Bは、図5及び図6に示すように、TFT23のうちのドレイン電極23Cと重畳するものの、チャネル部23Dとは非重畳となる配置とされる。ここで、仮にソース配線非重畳部がTFT23のチャネル部23Dと重畳するよう配されると、バックゲート効果によりTFT23に大きなオフリーク電流が生じるおそれがある。その点、上記したようにソース配線非重畳部31BがTFT23のチャネル部23Dとは非重畳となるよう配されることで、TFT23に生じ得るオフリーク電流を抑制することができる。その上で、ソース配線非重畳部31BがTFT23を構成するドレイン電極23Cと重畳するよう配されることで、配置スペースの削減が図られる。なお、ある列に属するソース配線27に対して接続対象となるTFT23が図2に示す右側に配される行においては、ソース配線非重畳部31Bは、図2に示すように、上記した列に属するソース配線27と、そのソース配線27に対して図2に示す左側の列に属するTFT23及び画素電極24と、の間に配されている。
さて、本実施形態に係るアレイ基板21には、図2に示すように、第1金属膜32からなりゲート配線26を挟むよう複数が配されてソース配線27と重畳する補助配線部41と、第3金属膜38からなりゲート配線26を跨ぐよう配されるブリッジ配線部42と、が設けられている。これら補助配線部41及びブリッジ配線部42が第2金属膜35からなるソース配線27に対して電気的に接続されることで、ソース配線27の複線化が図られている。先に、補助配線部41の構成について図2及び図7を参照して説明する。図7は、アレイ基板21に備わる第1金属膜32及び第2金属膜35のパターンを示す平面図である。補助配線部41は、図2及び図7に示すように、ソース配線27に並行するよう概ねY軸方向に沿って延在している。補助配線部41は、ソース配線27のうちの各ゲート配線26を跨ぐ部分(各ソース電極23Bを構成する部分を含む)を除いた大部分に対して重畳するよう複数が配されている。従って、補助配線部41は、タッチ配線31を構成するソース配線重畳部31Aと同様に、Y軸方向についてゲート配線26と交互に並ぶ形で配されており、その数はソース配線重畳部31Aの並び数と同一とされる。つまり、Y軸方向について隣り合う補助配線部41の間には、ゲート配線26が介在し、Y軸方向について隣り合うゲート配線26の間には、補助配線部41が介在する配置となる。このような配置により補助配線部41は、ゲート配線26と同じ第1金属膜32からなるものの、ゲート配線26と短絡することが避けられている。補助配線部41は、タッチ配線31を構成するソース配線重畳部31AよりもY軸方向についての形成範囲が広くなっていて、Y軸方向についての両端部がソース配線重畳部31Aの同両端部よりもゲート配線26の近くにまで延出している。補助配線部41は、ソース配線重畳部31Aのほぼ全域に対して重畳している。
次に、ブリッジ配線部42の構成について図2及び図8を参照して説明する。図8は、アレイ基板21に備わる第3金属膜38のパターンを示す平面図である。ブリッジ配線部42は、図2及び図8に示すように、ゲート配線26を跨ぐよう配されるものの、第3金属膜38からなるので、ゲート配線26との間にはゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36が介在していてゲート配線26との短絡が避けられている。ゲート配線26を跨ぐブリッジ配線部42は、ゲート配線26を挟んだ配置の2つの補助配線部41と、ソース配線27と、に対してそれぞれ接続されている。この接続構造について次の段落にて詳しく説明する。ブリッジ配線部42は、ゲート配線26を跨ぐ部分であるブリッジ配線本体42Aがソース配線27に並行するとともにソース配線27のうちのゲート配線26を跨ぐ部分に対して重畳するよう配されている。このようにすれば、仮にブリッジ配線本体がソース配線27とは非重畳となる配置とされる場合に比べると、ソース配線27及びそれに接続されるブリッジ配線部42とゲート配線26との間に生じ得る寄生容量が小さくなる。これにより、ゲート配線26及びソース配線27の負荷が軽減される。また、ブリッジ配線部42がソース配線27と重畳する分だけ配置スペースが削減されるので、開口率の向上を図る上でも好適である。ブリッジ配線部42は、Y軸方向について補助配線部41と交互に並ぶ形で配されており、その数は補助配線部41の並び数と同等とされる。つまり、Y軸方向について隣り合うブリッジ配線部42の間には、補助配線部41が介在し、Y軸方向について隣り合う補助配線部41の間には、ブリッジ配線部42が介在する配置となる。
続いて、ソース配線27及び補助配線部41と、ブリッジ配線部42と、の接続構造について図5,図9及び図10を参照して説明する。図9は、アレイ基板21に備わるブリッジ配線部42などをY軸方向に沿って切断した断面図である。図10は、アレイ基板21に備わるブリッジ配線部42などをX軸方向に沿って切断した断面図である。補助配線部41は、図5に示すように、Y軸方向に沿って延在してソース配線27と重畳する補助配線本体41Aと、補助配線本体41Aにおける両端部からX軸方向に沿って側方に突出する一対の補助配線側接続部41Bを有している。一対の補助配線側接続部41Bは、いずれも図5に示す右側、つまりソース配線27に対してソース配線非重畳部31Bがオフセットする側とは反対側に向けて突出しており、後述するブリッジ配線部42に接続される。ソース配線27は、Y軸方向に沿って延在するソース配線本体27Aと、ソース配線本体27Aのうちのタッチ配線31とは非重畳となる部分、つまりゲート配線26を跨ぐ部分からX軸方向に沿って側方に突出するソース配線側接続部27Bと、を有している。ソース配線側接続部27Bは、ソース配線27から図5に示す右側、つまり補助配線側接続部41Bと同じ側に向けて突出しており、各補助配線部41に備わる一対ずつの補助配線側接続部41Bと重畳するよう複数配置されている。ソース配線側接続部27Bは、後述するブリッジ配線部42に接続される。
ブリッジ配線部42は、図5に示すように、Y軸方向に沿って延在してゲート配線26を跨ぎつつソース配線27と重畳するブリッジ配線本体42Aと、ブリッジ配線本体42Aにおける両端部からX軸方向に沿って側方に突出する一対のブリッジ配線側接続部42Bと、を有する。一対のブリッジ配線側接続部42Bは、ブリッジ配線本体42Aからいずれも図5に示す右側、つまり補助配線側接続部41B及びソース配線側接続部27Bと同じ側に向けて突出しており、補助配線側接続部41B及びソース配線側接続部27Bに対して重畳するよう配置されている。ここで、タッチ配線31は、互いに重畳するブリッジ配線側接続部42B、補助配線側接続部41B及びソース配線側接続部27Bを迂回するよう配索されている。つまり、タッチ配線31は、ソース配線重畳部31Aとソース配線非重畳部31Bとの境界位置が、ブリッジ配線側接続部42Bに対してY軸方向についてゲート配線26側とは反対側にオフセットした配置とされている。これにより、同じ第3金属膜38からなるタッチ配線31とブリッジ配線部42との短絡が避けられている。そして、ブリッジ配線部42のブリッジ配線側接続部42Bとソース配線27のソース配線側接続部27Bとの重畳箇所には、図9に示すように、間に介在する第1層間絶縁膜36に開口する形で第1コンタクトホールCH3が形成されている。この第1コンタクトホールCH3を通して第3金属膜38からなるブリッジ配線側接続部42Bと第2金属膜35からなるソース配線側接続部27Bとの接続がとられている。一方、ブリッジ配線部42のブリッジ配線側接続部42Bと補助配線部41の補助配線側接続部41Bとの重畳箇所には、図10に示すように、ゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36に開口する形で第2コンタクトホールCH4が形成されている。この第2コンタクトホールCH4を通して第3金属膜38からなるブリッジ配線側接続部42Bと第1金属膜32からなる補助配線側接続部41Bとの接続がとられている。
以上のように、ゲート配線26を跨いで配されるブリッジ配線部42は、図9及び図10に示すように、ソース配線27と、ゲート配線26を挟む複数の補助配線部41と、を電気的に接続しているから、ソース配線27に伝送される画像信号が、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42にも伝送されることになる。これにより、仮にソース配線27に断線が生じた場合でも、補助配線部41及びブリッジ配線部42を介して画像信号を伝送することが可能となるので、ソース配線27の冗長性が向上するとともに、ソース配線27の配線抵抗が低下されて伝送される画像信号に電圧降下が生じ難くなる。特に、本実施形態では、アレイ基板21が画像表示機能に加えてタッチパネル機能を備えた液晶パネル11を構成しており、センシング期間が存在する分、画素電極24に画像信号を書き込む書き込み期間が短いために画像信号の電圧降下が表示品位に与える影響が大きい傾向にあることから、表示品位の劣化を抑制する上で有用である。しかも、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42は、それぞれ第1金属膜32及び第3金属膜38からなるので、従来のように透明電極膜からなる補助修理線を用いた場合に比べると、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42における配線抵抗を低くすることができる。これにより、画素電極24に供給される画像信号に電圧降下がより生じ難くなる。また、複数の補助配線部41は、ゲート配線26と同じ第1金属膜32からなり、またブリッジ配線部42は、タッチ配線31と同じ第3金属膜38からなるので、製造コストの低下を図る上でも好適となる。さらには、本実施形態では、ソース配線27が補助配線部41に対してブリッジ配線部42を介して間接的に接続されているから、コンタクトホールをゲート絶縁膜33のみに形成するための製造工程やフォトマスクの追加が不要であり、製造コストの低下を図る上で好適となる。また、X軸方向に沿って側方に突出するソース配線側接続部27Bを設けていることから、仮にソース配線側接続部を設けずに、ソース配線を補助配線部に対してゲート絶縁膜33に開口形成されたコンタクトホールを通して直接的に接続した場合にソース配線がコンタクトホール内に入ることで膜切れなどの不具合が生じ易くなるのに比べると、ソース配線27にそのような不具合が生じ難くなるので、ソース配線27が断線などし難くなる。これにより、画素電極24に供給される画像信号に電圧降下がさらに生じ難くなる。
上記したブリッジ配線部42を迂回するよう配索されるタッチ配線31には、図2及び図8に示すように、Y軸方向について隣り合うタッチ電極30の間に配される遮光部43が連なる形で設けられている。遮光部43は、タッチ配線31と同じ第3金属膜38からなり、タッチ配線31を構成するソース配線非重畳部31Bに対して連ねられている。遮光部43は、図5に示すように、多数のゲート配線26のうちの特定の行に属するゲート配線26と、そのゲート配線26に対して図5に示す下側に配される画素電極24と、の間に挟まれるよう配されている。つまり、遮光部43は、特定のゲート配線26と、そのゲート配線26の接続対象とされる画素電極24とはY軸方向について反対側に隣り合う画素電極24と、の間に介在している。遮光部43は、共通電極25の仕切開口部25BのうちのX軸方向に沿って延在する部分に隣接するゲート配線26に対して隣り合うよう選択的に配置されている。この遮光部43は、第3金属膜38からなるので、第1金属膜32からなるゲート配線26と短絡することが避けられており、それによりゲート配線26に対する配置自由度が高くなっている。これにより、遮光部43をゲート配線26に対してY軸方向について極めて近い配置をとることができるので、遮光部43に起因して開口率が低下する事態を避けることができる。遮光部43は、ソース配線非重畳部31Bからゲート配線26に並行するようX軸方向に沿って延在しており、その先端部がブリッジ配線部42におけるブリッジ配線側接続部42Bとの間に所定の間隔を空けた配置とされる。遮光部43は、共通電極25の仕切開口部25Bのうち、Y軸方向について隣り合うタッチ電極30の間を仕切っていてX軸方向に沿って延在する部分に対して大部分が重畳するよう配されている。つまり、遮光部43は、その大部分がタッチ電極30とは非重畳の配置とされる。なお、遮光部43においてX軸方向に沿って延在する両側縁部は、Y軸方向について隣り合うタッチ電極30に対して僅かながらも重畳している。このように、第3金属膜38からなる遮光部43がY軸方向について隣り合うタッチ電極30の間に配されることで、Y軸方向について隣り合うタッチ電極30の間において共通電極25と画素電極24との間に生じる電界が局所的に不安定になることに起因して生じ得る漏れ光を遮ることができる。これにより、優れた表示品位が得られる。しかも、遮光部43は、タッチ配線31に連ねられているので、仮に遮光部をタッチ配線31から分離した場合に比べると、遮光部43が遮光機能に加えて、遮光部43に対して隣り合うゲート配線26と共通電極25との間に生じ得る電界を遮蔽する機能を発揮することができる。
上記した構成の遮光部43は、自身に隣り合うゲート配線26と共通電極25との間に生じ得る電界を遮蔽する機能を有する反面、ゲート配線26に対して図5に示す下側に隣り合う画素電極24との間に寄生容量を生じさせる。このため、仮にY軸方向について並ぶ複数組のゲート配線26及び画素電極24のうち、タッチ電極30の間となる位置のみに選択的に遮光部が存在していると、遮光部と隣り合う画素電極24と、遮光部とは隣り合わない画素電極24と、で寄生容量に差が生じ、それに起因して表示ムラが生じるおそれがある。そこで、本実施形態に係るアレイ基板21には、図2及び図8に示すように、共通電極25の仕切開口部25Bとは非重畳とされてタッチ電極30と重畳するよう配されてタッチ配線31に連なるダミー遮光部44が設けられている。ダミー遮光部44は、多数のゲート配線26のうちの遮光部43に隣接するゲート配線26を除いたゲート配線26と、そのゲート配線26に対して図5に示す下側に配される画素電極24と、の間に挟まれるよう配されている。つまり、ダミー遮光部44は、遮光部43が非配置とされる行を補完する形で配置されている。ダミー遮光部44は、タッチ配線31と同じ第3金属膜38からなり、タッチ配線31を構成するソース配線非重畳部31Bに対して連ねられている。ダミー遮光部44は、ゲート配線26と、ゲート配線26に対して図2に示す下側に配される画素電極24と、の間に挟まれるよう配されている。つまり、ダミー遮光部44は、ゲート配線26と、そのゲート配線26の接続対象とされる画素電極24とはY軸方向について反対側に隣り合う画素電極24と、の間に介在している。ダミー遮光部44は、ソース配線非重畳部31Bからゲート配線26に並行するようX軸方向に沿って延在しており、その先端部がブリッジ配線部42におけるブリッジ配線側接続部42Bとの間に所定の間隔を空けた配置とされる。このように、ダミー遮光部44は、ゲート配線26及び画素電極24に対する位置関係が遮光部43の同位置関係と同等になっている。以上の構成によれば、遮光部43とは隣り合わない画素電極24が、ダミー遮光部44と隣り合う関係になる。従って、遮光部43と隣り合う画素電極24と、遮光部43とは隣り合わないもののダミー遮光部44と隣り合う画素電極24と、で寄生容量に差が生じ難くなるので、表示品位を良好に保つことができる。
以上説明したように本実施形態のアレイ基板(配線基板)21は、第1金属膜32からなるゲート配線(第1配線)26と、第1金属膜32との間にゲート絶縁膜(第1絶縁膜)33が介在するよう配される第2金属膜35からなりゲート配線26と交差するよう延在するソース配線(第2配線)27と、第1金属膜32からなりゲート配線26を挟むよう複数が配されてソース配線27に並行するよう延在してソース配線27に対して少なくとも一部ずつが重畳する補助配線部41と、第2金属膜35との間に、ゲート絶縁膜33とは反対側に配される第1層間絶縁膜(第2絶縁膜)36が介在するよう配される第3金属膜38からなりゲート配線26を跨ぐよう配されてソース配線27と複数の補助配線部41とを電気的に接続するブリッジ配線部42と、を備える。
このようにすれば、第1金属膜32からなるゲート配線26と交差するソース配線27は、第1金属膜32との間にゲート絶縁膜33が介在するよう配される第2金属膜35からなるので、ゲート配線26との短絡が避けられている。ゲート配線26と同じ第1金属膜32からなりソース配線27に並行するよう延在してソース配線27に対してゲート絶縁膜33を介して少なくとも一部が重畳する補助配線部41は、ゲート配線26を挟むよう複数が配されることで、ゲート配線26との短絡が避けられている。ゲート配線26を跨ぐよう配されるブリッジ配線部42は、第2金属膜35との間に、ゲート絶縁膜33とは反対側に配される第1層間絶縁膜36が介在するよう配される第3金属膜38からなるので、ゲート配線26との短絡が避けられている。そして、ブリッジ配線部42は、ソース配線27とゲート配線26を挟む複数の補助配線部41とを電気的に接続しているから、ソース配線27に伝送される信号が、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42にも伝送されることになる。これにより、仮にソース配線27に断線が生じた場合でも信号の伝送が可能となってソース配線27の冗長性が向上するとともに、ソース配線27の配線抵抗が低下されて伝送される信号に電圧降下が生じ難くなる。しかも、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42は、それぞれ第1金属膜32及び第3金属膜38からなるので、従来のように透明電極膜からなる補助修理線を用いた場合に比べると、複数の補助配線部41及びブリッジ配線部42における配線抵抗を低くすることができる。また、複数の補助配線部41は、ゲート配線26と同じ第1金属膜32からなるので、製造コストの低下を図る上でも好適となる。
また、ブリッジ配線部42は、ソース配線27に対して第1層間絶縁膜36を介して一部が重畳するとともに補助配線部41に対してゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36を介して一部が重畳しており、第1層間絶縁膜36には、ブリッジ配線部42とソース配線27との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールCH3が開口形成され、ゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36には、ブリッジ配線部42と補助配線部41との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールCH4が開口形成されている。このようにすれば、ブリッジ配線部42は、ソース配線27に対して重畳する部分が第1層間絶縁膜36に開口形成された第1コンタクトホールCH3を通してソース配線27に接続されるとともに、補助配線部41に対して重畳する部分がゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36に開口形成された第2コンタクトホールCH4を通して補助配線部41に接続されている。このように、ソース配線27が補助配線部41に対してブリッジ配線部42を介して間接的に接続されているから、コンタクトホールをゲート絶縁膜33のみに形成するための製造工程やフォトマスクの追加が不要であり、製造コストの低下を図る上で好適となる。また、仮にソース配線を補助配線部に対してゲート絶縁膜33に開口形成されたコンタクトホールを通して直接的に接続した場合にソース配線がコンタクトホール内に入ることで膜切れなどの不具合が生じ易くなるのに比べると、ソース配線27にそのような不具合が生じ難くなるので、ソース配線27が断線などし難くなる。
また、第3金属膜38からなり少なくとも一部がソース配線27に並行しつつソース配線27と重畳するタッチ配線(第3配線)31を備える。このようにすれば、タッチ配線31は、少なくとも一部がソース配線27に並行しつつソース配線27と重畳するものの、第2金属膜35との間に第1層間絶縁膜36が介在する第3金属膜38からなるので、ソース配線27との短絡が避けられている。タッチ配線31は、ブリッジ配線部42と同じ第3金属膜38からなるので、製造コストの低下を図る上でより好適となる。
また、タッチ配線31は、ソース配線27と重畳するよう配されるソース配線重畳部(第2配線重畳部)31Aと、ブリッジ配線部42におけるソース配線27との重畳箇所を迂回すべくソース配線27とは非重畳とされてゲート配線26を跨ぐよう配されるソース配線非重畳部(第2配線非重畳部)31Bと、を有する。このようにすれば、タッチ配線31のソース配線重畳部31Aがソース配線27と重畳するよう配されることで、配置スペースの削減が図られる。タッチ配線31のソース配線非重畳部31Bがブリッジ配線部42におけるソース配線27との重畳箇所を迂回すべくソース配線27とは非重畳とされてゲート配線26を跨ぐよう配されることで、タッチ配線31とブリッジ配線部42とが短絡するのを避けることができる。
また、半導体材料からなるチャネル部23Dを少なくとも有していてゲート配線26及びソース配線27がそれぞれ接続されるTFT(スイッチング素子)23を備えており、ソース配線非重畳部31Bは、チャネル部23Dとは非重畳となるよう配される。仮にソース配線非重畳部がTFT23のチャネル部23Dと重畳するよう配されると、バックゲート効果によりTFT23に大きなオフリーク電流が生じるおそれがある。その点、上記したようにソース配線非重畳部31BがTFT23のチャネル部23Dとは非重畳となるよう配されることで、TFT23に生じ得るオフリーク電流を抑制することができる。
また、ゲート配線26が接続されるゲート電極23Aと、ソース配線27が接続されるソース電極23Bと、半導体材料からなり一端側がソース電極23Bに接続されるチャネル部23Dと、チャネル部23Dの他端側に接続されるドレイン電極23Cと、を少なくとも有するTFT23を備えており、ソース配線非重畳部31Bは、ソース電極23Bまたはドレイン電極23Cと重畳するよう配される。このようにすれば、TFT23は、ゲート配線26により供給される信号に基づいて駆動されると、ソース配線27により供給される信号がソース電極23Bから半導体材料からなるチャネル部23Dを介してドレイン電極23Cに供給される。ソース配線非重畳部31BがTFT23を構成するソース電極23Bまたはドレイン電極23Cと重畳するよう配されることで、配置スペースの削減が図られる。
また、ゲート配線26及びソース配線27がそれぞれ接続されるTFT23と、TFT23に接続される画素電極24と、画素電極24に対して第2層間絶縁膜(第3絶縁膜)39を介して少なくとも一部が重畳するよう配される共通電極25と、共通電極25を分割してなり、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、位置入力体による入力位置を検出する複数のタッチ電極(位置検出電極)30と、を備える。このようにすれば、ゲート配線26及びソース配線27に供給される信号に基づいて駆動されるTFT23により画素電極24が充電される。画素電極24と画素電極24に対して第2層間絶縁膜39を介して少なくとも一部が重畳する共通電極25との間には、TFT23により充電された画素電極24の電位に基づいた電位差が生じ得るものとされ、その電位差を利用して画像の表示がなされる。一方、共通電極25を分割してなるタッチ電極30は、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成していて位置入力体による入力位置を検出することができる。また、ソース配線27の延在方向について隣り合うタッチ電極30の間に配されて第1金属膜32、第2金属膜35または第3金属膜38からなる遮光部43を備える。ソース配線27の延在方向について隣り合うタッチ電極30の間では、タッチ電極30である共通電極25と画素電極24との間に生じる電界が局所的に不安定になることに起因して光漏れが生じることが懸念されるが、遮光部43は、第1金属膜32、第2金属膜35または第3金属膜38からなり、ソース配線27の延在方向について隣り合うタッチ電極30の間に配されることで、ソース配線27の延在方向について隣り合うタッチ電極30の間から光が漏れ難くすることができる。しかも、遮光部43によりゲート配線26と共通電極25との間に生じ得る電界を遮蔽することも可能となる。
また、遮光部43は、第3金属膜38からなる。仮に遮光部が第1金属膜32からなる場合には、ゲート配線26との短絡を避けるためにゲート配線26に対して一定の間隔を空けた配置を採らざるを得ず、そのため開口率が低下するおそれがある。その点、遮光部43は、第1金属膜32に対してゲート絶縁膜33及び第1層間絶縁膜36が介在する第3金属膜38からなるので、ゲート配線26に対する配置自由度が高くなる。これにより、遮光部43に起因して開口率が低下する事態を避けることができる。
また、遮光部43は、タッチ配線31に連なる。このようにすれば、遮光部43が遮光機能に加えて、遮光部43に対して隣り合うゲート配線26と共通電極25との間に生じ得る電界を遮蔽する機能を発揮することができる。
また、ゲート配線26及び画素電極24は、組をなしていてソース配線27の延在方向について複数組並ぶよう配されるのに対し、TFT23は、ゲート配線26に対して一方側に隣り合う画素電極24に対して接続され、遮光部43は、ゲート配線26とゲート配線26に対して他方側に隣り合う画素電極24との間に配されており、ソース配線27の延在方向について遮光部43に隣り合うゲート配線26とは異なるゲート配線26とゲート配線26に対して他方側に隣り合う画素電極24との間で且つタッチ電極30と重畳するよう配されて第3金属膜38からなりタッチ配線31に連なるダミー遮光部44を備える。遮光部43は、遮光部43に対して隣り合うゲート配線26と共通電極25との間に生じ得る電界を遮蔽する機能を有する反面、ゲート配線26に対して他方側に隣り合う画素電極24との間に寄生容量を生じさせる。このため、仮にソース配線27の延在方向について並ぶ複数組のゲート配線26及び画素電極24のうち、タッチ電極30の間となる位置のみに遮光部が存在していると、遮光部と隣り合う画素電極24と、遮光部とは隣り合わない画素電極24と、で寄生容量に差が生じ、それに起因して表示ムラが生じるおそれがある。その点、ソース配線27の延在方向について遮光部43に隣り合うゲート配線26とは異なるゲート配線26とゲート配線26に対して他方側に隣り合う画素電極24との間で且つタッチ電極30と重畳する位置には、第3金属膜38からなりタッチ配線31に連なるダミー遮光部44が配されているから、遮光部43とは隣り合わない画素電極24が、ダミー遮光部44と隣り合う関係になる。従って、遮光部43と隣り合う画素電極24と、遮光部43とは隣り合わないもののダミー遮光部44と隣り合う画素電極24と、で寄生容量に差が生じ難くなるので、表示品位を良好に保つことができる。
また、ブリッジ配線部42は、ゲート配線26を跨ぐ部分がソース配線27と重畳するよう配される。このようにすれば、仮にブリッジ配線部におけるゲート配線26を跨ぐ部分がソース配線27とは非重畳となる配置とされる場合に比べると、ソース配線27及びそれに接続されるブリッジ配線部42とゲート配線26との間に生じ得る寄生容量が小さくなる。これにより、ゲート配線26及びソース配線27の負荷が軽減される。
また、本実施形態に係る液晶パネル(表示装置)11は、上記記載のアレイ基板(配線基板)21と、アレイ基板21と対向状に配されるCF基板(対向基板)20と、を備える。このような構成の液晶パネル11によれば、ソース配線27の配線抵抗が低くなっているので、優れた表示品位が得られる。
<実施形態2>
本発明の実施形態2を図11から図16によって説明する。この実施形態2では、ブリッジ配線部142及び遮光部143の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本発明の実施形態2を図11から図16によって説明する。この実施形態2では、ブリッジ配線部142及び遮光部143の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係る遮光部143は、図11及び図12に示すように、タッチ配線131から分離されている。詳しくは、遮光部143は、タッチ配線131と同じ第3金属膜138からなるものの、タッチ配線131のソース配線非重畳部131Bからは切り離されている。遮光部143は、上記した実施形態1と同様にY軸方向について隣り合うタッチ電極130の間に配されることで、Y軸方向について隣り合うタッチ電極130の間において共通電極125と画素電極124との間に生じる電界が局所的に不安定になることに起因して生じ得る漏れ光を遮ることができる。また、遮光部143は、特定のゲート配線126と画素電極124との間に介在するよう平面配置されている。ここで、上記した実施形態1では、遮光部がタッチ配線131に連ねられているので、遮光部に対して隣り合うゲート配線126と共通電極125との間に生じ得る電界を遮蔽する機能を発揮することができるものの、その反面、遮光部と隣り合う特定の画素電極124との間に寄生容量が生じるために表示ムラが生じるおそれがある(図5を参照)。これを回避するため、上記した実施形態1では、遮光部143とは隣り合わない画素電極124に対して隣り合うダミー遮光部を配置し、そのダミー遮光部をタッチ配線131に連ねるようにしている。しかしながら、タッチ電極130に対して接続対象外となるタッチ配線131に連なるダミー遮光部が重畳すると、そのタッチ電極130と接続対象外のタッチ配線131との間に大きな寄生容量が生じ、それに起因してタッチ感度が低下することが懸念される。その点、本実施形態では、遮光部143がタッチ配線131から分離されているので、遮光部143に対して隣り合うゲート配線126と共通電極125との間に生じ得る電界を遮蔽する機能については持たなくなるものの、遮光部143と隣り合う特定の画素電極124との間に寄生容量が生じるのを避けることができる。これにより、遮光部143の設置に起因する表示ムラの発生が回避されるので、遮光部143とは隣り合わない画素電極124に対して隣り合うようダミー遮光部を設置せずに済む。従って、ダミー遮光部の設置に起因するタッチ感度の低下を回避することができる。
本実施形態に係るブリッジ配線部142は、図11及び図12に示すように、Y軸方向に沿って延在するブリッジ配線本体142Aが、ソース配線127とは非重畳となるよう配されている。詳しくは、ブリッジ配線部142を構成するブリッジ配線本体142Aは、図13に示すように、ソース配線127に対してX軸方向についてタッチ配線131のソース配線非重畳部131B側とは反対側(図13に示す右側)にオフセットした配置とされている。このブリッジ配線本体142Aの配置は、全てのブリッジ配線部142に共通している。従って、ゲート配線126とソース配線127との交差位置と、ゲート配線126とタッチ配線131との交差位置と、ゲート配線126とブリッジ配線部142との交差位置と、は、X軸方向について互いにオフセットしている。ブリッジ配線部142を構成する一対のブリッジ配線側接続部142Bは、ブリッジ配線本体142Aにおける両端部からX軸方向についてソース配線127側に向けて突出し、ソース配線127のソース配線側接続部127Bと補助配線部141の補助配線側接続部141Bとに対してそれぞれ重畳するよう配されている。このような構成のブリッジ配線部142は、同じ第3金属膜138からなるタッチ配線131のソース配線非重畳部131Bと共に環状をなしており、その中心付近にゲート配線126とソース配線127との交差位置(TFT123のソース電極123B)が存在する配置とされている。
一方、CF基板120には、図14から図16に示すように、アレイ基板121との間に介在して両基板120,121間の間隔を保持するスペーサ(基板間保持部)45が設けられている。スペーサ45は、例えば感光性樹脂材料からなり、CF基板120の表面からアレイ基板121側に向かって所定の突出長で突出する略柱状に形成されており、突出先端面がアレイ基板121の内面に当接している。CF基板120及びアレイ基板121における液晶層122に臨む内面には、液晶分子を配向させるための配向膜46がそれぞれ設けられている。スペーサ45は、CF基板120において平面に視て格子状をなすブラックマトリクス129のうちの各交差中心付近に平面配置されており、アレイ基板121におけるゲート配線126とソース配線127との交差位置と重畳する平面配置となっている。従って、スペーサ45は、アレイ基板121側に設けられたゲート配線126及びソース配線127とは重畳するものの、タッチ配線131及びブリッジ配線部142とは非重畳とされる。そして、スペーサ45は、環状をなすソース配線非重畳部131Bとブリッジ配線部142とによって周りが取り囲まれている。ここで、スペーサ45は、その突出先端面がアレイ基板121の内面に配された配向膜46に対して直接当接するため、例えば外力の作用に伴っていずれか一方の基板120,121に変形が生じると、スペーサ45が配向膜46に対して摺動し、その結果配向膜46の削り滓などの破片が発生する場合がある。この配向膜46の破片は、微小な輝点欠陥として視認される可能性がある。その点、上記したようにスペーサ45の周りが環状をなすソース配線非重畳部131Bとブリッジ配線部142とによって取り囲まれているので、スペーサ45に起因して配向膜46の破片が生じ、その破片に起因して生じ得る漏れ光を、ソース配線非重畳部131B及びブリッジ配線部142によって遮ることができる。これにより、表示品位の向上が図られる。
以上説明したように本実施形態によれば、タッチ電極130は、ソース配線127の延在方向について複数が並んで配され、タッチ配線131は、複数のタッチ電極130に接続されるよう複数が配されており、遮光部143は、タッチ配線131から分離されている。このようにすれば、タッチ配線131は、タッチ電極130に対して位置検出のための信号と、画像表示のための信号と、を時分割して供給する。遮光部143がタッチ配線131から分離されることで、電界を遮蔽する機能については持たなくなるものの、次の効果が得られる。仮に、遮光部をタッチ配線131に連ねると、電界を遮蔽する機能を発揮することができるものの、その反面、遮光部と隣り合う特定の画素電極124との間に寄生容量が生じるために表示ムラが生じるおそれがある。これを回避するには、遮光部とは隣り合わない画素電極124に対して隣り合うダミー遮光部を配置し、そのダミー遮光部をタッチ配線131に連ねることが考えられる。しかしながら、タッチ電極130に対して接続対象外となるタッチ配線131に連なるダミー遮光部が重畳すると、そのタッチ電極130と接続対象外のタッチ配線131との間に大きな寄生容量が生じ、それに起因して位置検出感度が低下することが懸念される。その点、遮光部143がタッチ配線131から分離されていれば、遮光部143と隣り合う特定の画素電極124との間に寄生容量が生じるのを避けることができる。これにより、遮光部143とは隣り合わない画素電極124に対して隣り合うようダミー遮光部を設置せずに済む。
また、本実施形態に係る液晶パネル111は、アレイ基板121に設けられて第3金属膜138からなり少なくとも一部がソース配線127に並行しつつソース配線127と重畳するタッチ配線131と、アレイ基板121とCF基板120との間に介在して両基板120,121間の間隔を保持するスペーサ45と、を備えており、タッチ配線131及びブリッジ配線部142は、それぞれのゲート配線126を跨ぐ部分がスペーサ45とは非重畳になるとともに間にスペーサ45を取り囲むよう配される。このようにすれば、アレイ基板121とCF基板120との間には、スペーサ45が介在することで、両基板120,121間の間隔が保持される。タッチ配線131は、少なくとも一部がソース配線127に並行しつつソース配線127と重畳するものの、第2金属膜135との間に第1層間絶縁膜136が介在する第3金属膜138からなるので、ソース配線127との短絡が避けられている。タッチ配線131は、ブリッジ配線部142と同じ第3金属膜138からなるので、製造コストの低下を図る上でより好適となる。そして、同じ第3金属膜138からなるタッチ配線131及びブリッジ配線部142は、それぞれのゲート配線126を跨ぐ部分がスペーサ45とは非重畳になるとともに間にスペーサ45を取り囲むよう配されているから、スペーサ45に起因して生じ得る漏れ光を、タッチ配線131及びブリッジ配線部142によって遮ることができる。これにより、表示品位の向上が図られる。
<実施形態3>
本発明の実施形態3を図17または図18によって説明する。この実施形態3では、上記した実施形態1から遮光部243の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本発明の実施形態3を図17または図18によって説明する。この実施形態3では、上記した実施形態1から遮光部243の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
本実施形態に係る遮光部243は、図17及び図18に示すように、上記した実施形態2と同様に、タッチ配線231から分離されている。遮光部243の具体的な構成、作用及び効果は、上記した実施形態2に記載した通りである。本実施形態は、上記した実施形態1のようにブリッジ配線部242のブリッジ配線本体242Aがソース配線227と重畳する配置であっても、遮光部243をタッチ配線231から切り離した構成を採ることができ、それによりダミー遮光部の設置を省略することができるものである。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記した各実施形態では、ブリッジ配線部がソース配線と補助配線部とにそれぞれ接続される構成を示したが、補助配線部がソース配線とブリッジ配線部とに対してそれぞれ接続される構成であっても構わない。すなわち、補助配線部は、ソース配線に対してゲート絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳するとともにブリッジ配線部に対してゲート絶縁膜及び第1層間絶縁膜を介して一部が重畳しており、ゲート絶縁膜には、補助配線部とソース配線との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールが開口形成され、ゲート絶縁膜及び第1層間絶縁膜には、補助配線部とブリッジ配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールが開口形成される構成であっても構わない。
(2)上記した(1)の構成を採る場合には、補助配線部は、ソース配線と重畳する補助配線本体と、補助配線本体から側方に突出してブリッジ配線部の一部と重畳する補助配線側接続部と、を有するのが好ましい。また、ブリッジ配線部の全域がソース配線とは非重畳の配置であっても構わない。
(3)上記した各実施形態では、ブリッジ配線部がソース配線と補助配線部とにそれぞれ接続される構成を示したが、ソース配線が補助配線部とブリッジ配線部とに対してそれぞれ接続される構成であっても構わない。すなわち、ソース配線は、補助配線部に対してゲート絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳するとともにブリッジ配線部に対して第1層間絶縁膜を介して一部が重畳しており、ゲート絶縁膜には、ソース配線と補助配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールが開口形成され、第1層間絶縁膜には、ソース配線とブリッジ配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールが開口形成される構成であっても構わない。ソース配線は、ブリッジ配線の端部と重畳するようX軸方向に沿って側方に突出するパッド部を有する構成とされるのが好ましい。
(4)上記した(3)の構成を採る場合には、ソース配線は、補助配線部と重畳するソース配線本体と、ソース配線本体から側方に突出してブリッジ配線部の一部と重畳するソース配線側接続部と、を有するのが好ましい。また、ブリッジ配線部の全域が補助配線部とは非重畳の配置であっても構わない。
(5)上記した各実施形態では、タッチ配線がソース配線非重畳部を有する構成を示したが、タッチ配線がほぼ全長にわたってソース配線本体と重畳していてソース配線非重畳部を有さない構成であっても構わない。その場合は、タッチ配線と同じ第3金属膜からなるブリッジ配線部がソース配線本体とは非重畳となるよう配置すればよい。なお、ソース配線は、ソース配線本体から側方に突出してタッチ配線とは非重畳とされるもののブリッジ配線部の一部と重畳するソース配線側接続部を有するのが好ましい。
(6)上記した各実施形態では、遮光部が第3金属膜からなる場合を例示したが、遮光部が第1金属膜または第2金属膜からなるようにしても構わない。同様に、上記した実施形態1に記載したダミー遮光部が第1金属膜または第2金属膜からなるようにしても構わない。
(7)上記した実施形態2では、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、遮光部がタッチ配線から分離される場合を示したが、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、遮光部がタッチ配線に連なっていても構わない。その場合は、上記した実施形態1と同様にタッチ配線に連なる形でダミー遮光部を設けるのが好ましい。
(8)上記した実施形態2では、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、ブリッジ配線部のブリッジ配線本体がソース配線とは非重畳となる場合を示したが、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、ブリッジ配線部のブリッジ配線本体がソース配線と重畳する配置であっても構わない。その場合は、スペーサがソース配線に対してX軸方向についてオフセットした配置となる。
(9)上記した実施形態2では、スペーサがゲート配線とソース配線との交差位置に配される場合を示したが、これ以外にもスペーサの具体的な平面配置は適宜に変更可能である。
(10)上記した各実施形態では、タッチ配線に備わる複数のソース配線非重畳部がソース配線に対してX軸方向について一方側にオフセットした配置で統一された場合を示したが、タッチ配線に備わる複数のソース配線非重畳部がソース配線に対してX軸方向について一方側と他方側とに交互にオフセットするようジグザグ状の配置であっても構わない。その場合は、全てのソース配線非重畳部を、TFTのドレイン電極と重畳する配置または非重畳となる配置に統一することが可能となる。
(11)上記した(10)の構成を採る場合は、Y軸方向に沿って並ぶ複数のブリッジ配線部は、ソース配線非重畳部との干渉を避けるため、ソース配線に対してX軸方向について一方側と他方側とに交互にオフセットするようジグザグ状の配置とされるのが好ましい。
(12)上記した各実施形態では、ソース配線におけるソース配線本体の一部がソース電極を構成するものにおいて、タッチ配線のソース配線非重畳部がTFTのドレイン電極と重畳する場合を示したが、例えばソース配線におけるソース配線本体から側方に突出する形でソース電極が設けられる構成であれば、タッチ配線のソース配線非重畳部がTFTのソース電極と重畳する配置を採ることも可能である。
(13)上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの具体的な画面サイズや解像度などは適宜に変更可能である。
(14)上記した各実施形態以外にも、液晶パネルにおける画素部の具体的な配列ピッチは適宜に変更可能である。
(15)上記した各実施形態では、アレイ基板に4つのドライバが実装される場合を示したが、アレイ基板におけるドライバの実装数は適宜に変更可能である。
(16)上記した各実施形態では、アレイ基板にゲート回路部が設けられた場合を示したが、ゲート回路部を省略し、アレイ基板にゲート回路部と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。また、ゲート回路部をアレイ基板における片側の辺部のみに設けることも可能である。
(17)上記した各実施形態以外にも、共通電極に設けられた画素重畳開口部の具体的な平面形状は適宜に変更可能である。画素重畳開口部の平面形状を例えばV字型や直線状などにすることも可能である。また、画素重畳開口部の具体的な設置数や配列ピッチなども適宜に変更可能である。
(18)上記した各実施形態では、アレイ基板においてTFTがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、TFTがマトリクス状に平面配置されていても構わない。
(19)上記した各実施形態では、遮光部がCF基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
(20)上記した各実施形態以外にも、TFTのチャネル部を構成する半導体膜は、ポリシリコンであっても構わない。その場合は、TFTをボトムゲート型とするか、チャネル部の下層(バックライト装置を設置する側)に遮光膜を備えるトップゲート型とするのが好ましい。
(21)上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
(22)上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
(23)上記した各実施形態では、液晶表示装置(液晶パネルやバックライト装置)の平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記した各実施形態では、ブリッジ配線部がソース配線と補助配線部とにそれぞれ接続される構成を示したが、補助配線部がソース配線とブリッジ配線部とに対してそれぞれ接続される構成であっても構わない。すなわち、補助配線部は、ソース配線に対してゲート絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳するとともにブリッジ配線部に対してゲート絶縁膜及び第1層間絶縁膜を介して一部が重畳しており、ゲート絶縁膜には、補助配線部とソース配線との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールが開口形成され、ゲート絶縁膜及び第1層間絶縁膜には、補助配線部とブリッジ配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールが開口形成される構成であっても構わない。
(2)上記した(1)の構成を採る場合には、補助配線部は、ソース配線と重畳する補助配線本体と、補助配線本体から側方に突出してブリッジ配線部の一部と重畳する補助配線側接続部と、を有するのが好ましい。また、ブリッジ配線部の全域がソース配線とは非重畳の配置であっても構わない。
(3)上記した各実施形態では、ブリッジ配線部がソース配線と補助配線部とにそれぞれ接続される構成を示したが、ソース配線が補助配線部とブリッジ配線部とに対してそれぞれ接続される構成であっても構わない。すなわち、ソース配線は、補助配線部に対してゲート絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳するとともにブリッジ配線部に対して第1層間絶縁膜を介して一部が重畳しており、ゲート絶縁膜には、ソース配線と補助配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールが開口形成され、第1層間絶縁膜には、ソース配線とブリッジ配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールが開口形成される構成であっても構わない。ソース配線は、ブリッジ配線の端部と重畳するようX軸方向に沿って側方に突出するパッド部を有する構成とされるのが好ましい。
(4)上記した(3)の構成を採る場合には、ソース配線は、補助配線部と重畳するソース配線本体と、ソース配線本体から側方に突出してブリッジ配線部の一部と重畳するソース配線側接続部と、を有するのが好ましい。また、ブリッジ配線部の全域が補助配線部とは非重畳の配置であっても構わない。
(5)上記した各実施形態では、タッチ配線がソース配線非重畳部を有する構成を示したが、タッチ配線がほぼ全長にわたってソース配線本体と重畳していてソース配線非重畳部を有さない構成であっても構わない。その場合は、タッチ配線と同じ第3金属膜からなるブリッジ配線部がソース配線本体とは非重畳となるよう配置すればよい。なお、ソース配線は、ソース配線本体から側方に突出してタッチ配線とは非重畳とされるもののブリッジ配線部の一部と重畳するソース配線側接続部を有するのが好ましい。
(6)上記した各実施形態では、遮光部が第3金属膜からなる場合を例示したが、遮光部が第1金属膜または第2金属膜からなるようにしても構わない。同様に、上記した実施形態1に記載したダミー遮光部が第1金属膜または第2金属膜からなるようにしても構わない。
(7)上記した実施形態2では、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、遮光部がタッチ配線から分離される場合を示したが、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、遮光部がタッチ配線に連なっていても構わない。その場合は、上記した実施形態1と同様にタッチ配線に連なる形でダミー遮光部を設けるのが好ましい。
(8)上記した実施形態2では、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、ブリッジ配線部のブリッジ配線本体がソース配線とは非重畳となる場合を示したが、タッチ配線のソース配線非重畳部とブリッジ配線部とによりスペーサを取り囲む構成において、ブリッジ配線部のブリッジ配線本体がソース配線と重畳する配置であっても構わない。その場合は、スペーサがソース配線に対してX軸方向についてオフセットした配置となる。
(9)上記した実施形態2では、スペーサがゲート配線とソース配線との交差位置に配される場合を示したが、これ以外にもスペーサの具体的な平面配置は適宜に変更可能である。
(10)上記した各実施形態では、タッチ配線に備わる複数のソース配線非重畳部がソース配線に対してX軸方向について一方側にオフセットした配置で統一された場合を示したが、タッチ配線に備わる複数のソース配線非重畳部がソース配線に対してX軸方向について一方側と他方側とに交互にオフセットするようジグザグ状の配置であっても構わない。その場合は、全てのソース配線非重畳部を、TFTのドレイン電極と重畳する配置または非重畳となる配置に統一することが可能となる。
(11)上記した(10)の構成を採る場合は、Y軸方向に沿って並ぶ複数のブリッジ配線部は、ソース配線非重畳部との干渉を避けるため、ソース配線に対してX軸方向について一方側と他方側とに交互にオフセットするようジグザグ状の配置とされるのが好ましい。
(12)上記した各実施形態では、ソース配線におけるソース配線本体の一部がソース電極を構成するものにおいて、タッチ配線のソース配線非重畳部がTFTのドレイン電極と重畳する場合を示したが、例えばソース配線におけるソース配線本体から側方に突出する形でソース電極が設けられる構成であれば、タッチ配線のソース配線非重畳部がTFTのソース電極と重畳する配置を採ることも可能である。
(13)上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの具体的な画面サイズや解像度などは適宜に変更可能である。
(14)上記した各実施形態以外にも、液晶パネルにおける画素部の具体的な配列ピッチは適宜に変更可能である。
(15)上記した各実施形態では、アレイ基板に4つのドライバが実装される場合を示したが、アレイ基板におけるドライバの実装数は適宜に変更可能である。
(16)上記した各実施形態では、アレイ基板にゲート回路部が設けられた場合を示したが、ゲート回路部を省略し、アレイ基板にゲート回路部と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。また、ゲート回路部をアレイ基板における片側の辺部のみに設けることも可能である。
(17)上記した各実施形態以外にも、共通電極に設けられた画素重畳開口部の具体的な平面形状は適宜に変更可能である。画素重畳開口部の平面形状を例えばV字型や直線状などにすることも可能である。また、画素重畳開口部の具体的な設置数や配列ピッチなども適宜に変更可能である。
(18)上記した各実施形態では、アレイ基板においてTFTがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、TFTがマトリクス状に平面配置されていても構わない。
(19)上記した各実施形態では、遮光部がCF基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
(20)上記した各実施形態以外にも、TFTのチャネル部を構成する半導体膜は、ポリシリコンであっても構わない。その場合は、TFTをボトムゲート型とするか、チャネル部の下層(バックライト装置を設置する側)に遮光膜を備えるトップゲート型とするのが好ましい。
(21)上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
(22)上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
(23)上記した各実施形態では、液晶表示装置(液晶パネルやバックライト装置)の平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
11,111…液晶パネル(表示装置)、20,120…CF基板(対向基板)、21,121…アレイ基板(配線基板)、23,123…TFT(スイッチング素子)、23A…ゲート電極、23B,123B…ソース電極、23C…ドレイン電極、23D…チャネル部、24,124…画素電極、25,125…共通電極、26,126…ゲート配線(第1配線)、27,127,227…ソース配線(第2配線)、30,130…タッチ電極(位置検出電極)、31,131,231…タッチ配線(第3配線)、31A…ソース配線重畳部(第2配線重畳部)、31B,131B…ソース配線非重畳部(第2配線非重畳部)、32…第1金属膜、33…ゲート絶縁膜(第1絶縁膜)、35,135…第2金属膜、36,136…第1層間絶縁膜(第2絶縁膜)、38,138…第3金属膜、39…第2層間絶縁膜(第3絶縁膜)、41,141…補助配線部、42,142,242…ブリッジ配線部、43,143,243…遮光部、44…ダミー遮光部、45…スペーサ、CH3…第1コンタクトホール、CH4…第2コンタクトホール
Claims (15)
- 第1金属膜からなる第1配線と、
前記第1金属膜との間に第1絶縁膜が介在するよう配される第2金属膜からなり前記第1配線と交差するよう延在する第2配線と、
前記第1金属膜からなり前記第1配線を挟むよう複数が配されて前記第2配線に並行するよう延在して前記第2配線に対して少なくとも一部ずつが重畳する補助配線部と、
前記第2金属膜との間に、前記第1絶縁膜とは反対側に配される第2絶縁膜が介在するよう配される第3金属膜からなり前記第1配線を跨ぐよう配されて前記第2配線と複数の前記補助配線部とを電気的に接続するブリッジ配線部と、を備える配線基板。 - 前記ブリッジ配線部は、前記第2配線に対して前記第2絶縁膜を介して一部が重畳するとともに前記補助配線部に対して前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を介して一部が重畳しており、
前記第2絶縁膜には、前記ブリッジ配線部と前記第2配線との重畳箇所に配されて両者を接続する第1コンタクトホールが開口形成され、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜には、前記ブリッジ配線部と前記補助配線部との重畳箇所に配されて両者を接続する第2コンタクトホールが開口形成されている請求項1記載の配線基板。 - 前記第3金属膜からなり少なくとも一部が前記第2配線に並行しつつ前記第2配線と重畳する第3配線を備える請求項2記載の配線基板。
- 前記第3配線は、前記第2配線と重畳するよう配される第2配線重畳部と、前記ブリッジ配線部における前記第2配線との重畳箇所を迂回すべく前記第2配線とは非重畳とされて前記第1配線を跨ぐよう配される第2配線非重畳部と、を有する請求項3記載の配線基板。
- 半導体材料からなるチャネル部を少なくとも有していて前記第1配線及び前記第2配線がそれぞれ接続されるスイッチング素子を備えており、
前記第2配線非重畳部は、前記チャネル部とは非重畳となるよう配される請求項4記載の配線基板。 - 前記第1配線が接続されるゲート電極と、前記第2配線が接続されるソース電極と、半導体材料からなり一端側がソース電極に接続されるチャネル部と、前記チャネル部の他端側に接続されるドレイン電極と、を少なくとも有するスイッチング素子を備えており、
前記第2配線非重畳部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重畳するよう配される請求項4または請求項5記載の配線基板。 - 前記第1配線及び前記第2配線がそれぞれ接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記画素電極に対して第3絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳するよう配される共通電極と、
前記共通電極を分割してなり、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する複数の位置検出電極と、を備える請求項3から請求項6のいずれか1項に記載の配線基板。 - 前記第2配線の延在方向について隣り合う前記位置検出電極の間に配されて前記第1金属膜、前記第2金属膜または前記第3金属膜からなる遮光部を備える請求項7記載の配線基板。
- 前記遮光部は、前記第3金属膜からなる請求項8記載の配線基板。
- 前記遮光部は、前記第3配線に連なる請求項9記載の配線基板。
- 前記第1配線及び前記画素電極は、組をなしていて前記第2配線の延在方向について複数組並ぶよう配されるのに対し、前記スイッチング素子は、前記第1配線に対して一方側に隣り合う前記画素電極に対して接続され、前記遮光部は、前記第1配線と前記第1配線に対して他方側に隣り合う前記画素電極との間に配されており、
前記第2配線の延在方向について前記遮光部に隣り合う前記第1配線とは異なる前記第1配線と前記第1配線に対して他方側に隣り合う前記画素電極との間で且つ前記位置検出電極と重畳するよう配されて前記第3金属膜からなり前記第3配線に連なるダミー遮光部を備える請求項10記載の配線基板。 - 前記位置検出電極は、前記第2配線の延在方向について複数が並んで配され、前記第3配線は、複数の前記位置検出電極に接続されるよう複数が配されており、
前記遮光部は、前記第3配線から分離されている請求項9記載の配線基板。 - 前記ブリッジ配線部は、前記第1配線を跨ぐ部分が前記第2配線と重畳するよう配される請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の配線基板。
- 請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の配線基板と、
前記配線基板と対向状に配される対向基板と、を備える表示装置。 - 前記配線基板に設けられて前記第3金属膜からなり少なくとも一部が前記第2配線に並行しつつ前記第2配線と重畳する第3配線と、
前記配線基板と前記対向基板との間に介在して両基板間の間隔を保持するスペーサと、を備えており、
前記第3配線及び前記ブリッジ配線部は、それぞれの前記第1配線を跨ぐ部分が前記スペーサとは非重畳になるとともに間に前記スペーサを取り囲むよう配される請求項14記載の表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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