CN117063144A - 触控结构、触控显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种触控结构、触控显示面板及显示装置。触控结构包括第一触控电极(Tx)和第二触控电极(Rx),第一触控电极(Tx)包括第一电极块(Txc)和连接第一电极块(Txc)的转接桥(BR);第二触控电极(Rx)包括串联的第二电极块(Rxc),转接桥(BR)与电极层(PL)之间设有绝缘层(IN);第一触控电极(Tx)和第二触控电极(Rx)为多个网格线形成的网状结构,转接桥(BR)的网格线为转接线(BL),第一电极块(Txc)和第二电极块(Rxc)的网格线为通道线(TL);转接桥(BR)的至少一侧连接有引导部(GP);引导部(GP)第一电极块(Txc)和第二触控电极(Rx)之一的边界的至少一通道线(TL)交叠,部分转接线(BL)与第一电极块(Tx)和第二触控电极(Rx)中至少一个的边界的部分通道线(TL)交叠;连接引导部(GP)的转接线(BL)与第一电极块(Txc)和第二触控电极(Rx)之一的边界的部分通道线(TL)交叠;引导部(GP)在显示基板(PNL)的正投影的至少部分边沿位于通道线(TL)在显示基板(PNL)的正投影边沿的外侧。
Description
本公开涉及触控技术领域,具体而言,涉及一种触控结构、触控显示面板及显示装置。
触控显示面板已经广泛的应用于手机、平板电脑等终端设备,在显示图像的同时,可通过触控操作实现人机交互。其中,互容式触控显示面板较为常见,通过感应电容的变化确定触控位置,实现触控操作,但是现有的互容式触控显示面板容易出现触控失效、错误等异常现象。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
根据本公开的一个方面,提供一种触控结构,设于显示基板一侧,所述触控结构包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,各所述第一触控电极沿行方向间隔分布,一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥;各所述第二触控电极沿所述列方向间隔分布,一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块;一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置;所述第一电极块和第二电极位于同一电极层,所述转接桥位于所述电极层一侧,所述转接桥与所述电极层之间设有绝缘层;
所述第一触控电极和第二触控电极均为多个网格线形成的网状结构,所述转接桥的网格线为转接线,所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线;所述转接桥的至少一侧连接有与所述转接桥同层的引导部;
在一所述转接桥及其连接的第一电极块和交叉的第二触控电极中,一所述引导部与所述第一电极块和第二触控电极中一个的边界的至少一所述通道线交叠,部分所述转接线与所述第一电极块和第二触控电极中 至少一个的边界的部分通道线交叠;连接于所述引导部的转接线与第一电极块和第二触控电极之一的边界的部分通道线交叠;
在交叠的一所述引导部和通道线中,所述引导部与通道线的延伸方向相同,所述引导部在所述显示基板上的正投影的至少部分边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,与所述引导部交叠的通道线的数量为多个;所述引导部包括沿其对应的通道线的延伸方向朝背离所述转接桥的方向依次连接的多个引导线,一所述引导线与一所述通道线交叠。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述引导部的各所述引导线中距离所述转接桥最远的一个与一间断成两部分的通道线的一部分交叠。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述引导部的各所述引导线中距离所述转接桥最远的一个与一间断成两部分的通道线的一部分交叠,所述间断成两部分的通道线中的一部分属于所述第一触控电极、另一部分属于所述第二触控电极。
在本公开的一种示例性实施方式中,在一所述转接桥及其连接的一所述第一电极块中:
所述转接桥通过多个贯穿所述绝缘层的过孔与所述第一电极块连接;
所述第一电极块的通道线交汇的区域为通道交汇区,所述转接线交汇的区域为转接交汇区,所述第一电极块的边界具有多个所述通道交汇区,所述第一电极块的边界的通道交汇区与至少一部分所述转接交汇区一一对应地交叠设置;
在所述第一电极块的边界上的交叠的转接交汇区和通道交汇区中,所述转接交汇区在所述显示基板上的正投影的边界位于所述通道交汇区在所述显示基板上的正投影的边界的外侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述网状结构具有多个网孔,所述电极层的网孔由多个所述通道线围成,一所述通道交汇区形成所述网孔的一顶点;
在一所述转接桥及其连接的一所述第一电极块中:
所述过孔的数量为多个,分别位于同一所述网孔的多个所述通道交 汇区;至多一部分所述过孔位于所述第一电极块的边界上;
位于所述第一电极块的边界的至少一个所述过孔所处的所述转接交汇区与一所述引导部连接所述转接桥的一端连接。
在本公开的一种示例性实施方式中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,所述转接桥两侧连接有与所述第一电极块的边界交叠的引导部,且两个与所述第一电极块的边界交叠的引导部通过至少一个转接线连接,所述第一电极块的边界在对应于两所述引导部之间的区域通过至少一个通道线连接,且所述通道线与两所述引导部之间的转接线交叠;
在交叠的一所述转接线及所述通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,所述转接桥两侧连接有与所述第一电极块的边界交叠的引导部,且两个与所述第一电极块的边界交叠的引导部通过至少一个转接线连接,所述第一电极块的边界在对应于两所述引导部之间的区域间断设置。
在本公开的一种示例性实施方式中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,部分所述转接线与所述第二触控电极的边界交叠,且与所述第二触控电极的边界的通道线交叠的转接线沿所述第二触控电极的边界的延伸方向依次连接;
在交叠的一所述转接线和所述通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述第二触控电极的边界在所述显示基板上的正投影间断于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的两侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述第二触控电极的边界的部分区域在所述显示基板上的正投影位于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的边界以内。
在本公开的一种示例性实施方式中,在交叠的转接线和所述通道线中,所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
在本公开的一种示例性实施方式中,在交叠的引导部和所述通道线中,所述引导部在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
在本公开的一种示例性实施方式中,在交叠的转接交汇区和通道交汇区中,所述转接交汇区在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道交汇区在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
根据本公开的一个方面,提供一种触控结构,设于显示基板一侧,所述触控结构包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,各所述第一触控电极沿行方向间隔分布,一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥;各所述第二触控电极沿所述列方向间隔分布,一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块;一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置;所述第一电极块和第二电极位于同一电极层,所述转接桥位于所述电极层一侧,所述转接桥与所述电极层之间设有绝缘层;
所述第一触控电极和第二触控电极均为多个网格线形成的网状结构,所述转接桥的网格线为转接线,所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线;
在一所述转接桥及其连接的第一电极块和交叉的第二触控电极中,部分所述转接线与所述第一电极块和第二触控电极中至少一个的边界的部分通道线交叠;
在交叠的一所述转接线及通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿重合;
所述第二触控电极的边界在所述显示基板上的正投影间断于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的两侧。
在本公开的一种示例性实施方式中,所述第二触控电极的边界的部分区域在所述显示基板上的正投影位于所述转接桥在所述显示基板上的 正投影的边界以内。
根据本公开的一个方面,提供一种触控显示面板,包括:
显示基板;
上述任意一项所述的触控结构,所述转接桥设于所述显示基板一侧,所述绝缘层覆盖所述转接桥,所述电极层设于所述绝缘层背离所述显示基板的表面。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,包括上述任意一项所述的触控显示面板。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开触控结构一实施方式的俯视图。
图2为本公开触控显示面板一实施方式的局部截面图。
图3为本公开触控结构一实施方式的局部截面图。
图4为本公开触控结构一实施方式的局部放大图。
图5为本公开触控结构第一种实施方式的局部示意图。
图6为本公开触控结构第二种实施方式的电极层的局部示意图。
图7为本公开触控结构第二种实施方式的局部示意图。
图8为图7的局部放大图。
图9为本公开触控结构第三种实施方式的电极层的局部示意图。
图10为本公开触控结构第三种实施方式的局部示意图。
图11为本公开触控结构第四种实施方式的局部示意图。
图12为本公开提供的另一种触控结构的示意图。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用交叠性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的交叠关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
本文中的行方向X和列方向Y仅为两个相互垂直的方向,在本公开的附图中,行方向X可以是横向,列方向Y可以是纵向,但并不限于此,若触控结构发生旋转,则行方向X和列方向Y的实际朝向可能发生变化。附图中的X方向示例性的示出了行方向,Y方向为示例性的示出了列方向。同时,本文中描述的A和B“相邻”是指A和B之间没有其他的A或B,例如,相邻的一第一电极块和一第二电极块是指一第一电极块和一第二电极块没有其他的第一电极块和其它的第二电极块。
本公开实施方式提供了一种触控结构,其可设于一显示基板一侧,显示基板可用于显示图像,其可以是有机电致发光显示基板,也可以是液晶显示基板或其它能够显示图像的装置,在此不做特殊限定。显示触 控结构可用于感应触控操作,确定触控位置,从而在显示基板上显示相应的图像。
如图1和图2所示,本公开的触控结构可为互容式结构,可包括多个第一触控电极Tx和多个第二触控电极Rx,各第一触控电极Tx可沿行方向X间隔分布,各第二触控电极Rx可沿列方向Y间隔分布。如图X所示,第一触控电极Tx和第二触控电极Rx均可以包括多个串联的电极块,其中,任一第一触控电极Tx可包括沿列方向Y串联的多个第一电极块Txc,相邻两第一电极块Txc通过一转接桥BR串联。任一第二触控电极Rx可包括沿行方向X串联的多个第二电极块Rxc,相邻两第二电极块Rxc可通过一连接部Rxo串联。
各个第一电极块Txc和第二电极块Rxc均阵列分布,至少一部分第一电极块Txc在与行方向X和列方向Y相交的两个不同方向上,与不同的第二电极块Rxc相邻设置,相应的,至少一部分第二电极块Rxc在与行方向X和列方向Y相交的两个不同方向上,与不同的第一电极块Txc相邻设置。
相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc之间具有间隙,从而可形成电容,为了增大相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc之间正对的区域,可使第一电极块Txc和第二电极块Rxc的边沿设置沿周向间隔分布的叉指FI。在相邻的一第一电极块Txc和一第二电极块Rxc中,第一电极块Txc的一部分叉指FI可位于第二电极块Rxc的一部分叉指FI之间内,但互不接触,使得第一电极块Txc的该部分叉指FI与第二电极块Rxc的该部分叉指FI交替间隔排列,通过叉指FI可使第一电极块Txc和第二电极块Rxc间的间隙的延伸轨迹更加曲折,可在不增大第一电极块Txc和第二电极块Rxc的面积的情况下,增大二者的正对区域,有利于增大二者之间的电容,提高感应触控操作的灵敏度。
任意相邻的第一电极块Txc和第二电极块Rxc之间可形成电容,在手指进行触控操作时,可使触控位置的电容发生变化,通过感应电容的变化量对应的第一触控电极Tx和第二触控电极Rx,可确定触控位置,详细原理在此不再详述。
如图1所示,各第一触控电极Tx可分别通过不同的引线与不同的信 号端连接,各第二触控电极Rx也可通过不同的引线与不同的信号端连接,以便通过第一触控电极Tx和第二触控电极Rx收发信号,例如,第一触控电极Tx可作为接收驱动信号的驱动电极,第二触控电极Rx可作为输出感应信号的感应电极。当然,第一触控电极Tx和第二触控电极Rx的作用可以互换。
如图1和2所示,上述的各电极块和连接部Rxo可位于同一电极层PL,该电极层PL可通过一次构图工艺同时形成,也就是说,电极层PL包括第一触控电极Tx的电极块和第二触控电极Rx。为了避免第一触控电极Tx和第二触控电极Rx短路,可使转接桥BR位于电极层PL的一侧,也就是说,转接桥BR与电极层PL不同层。同时,转接桥BR和电极层PL之间可被绝缘层IN分隔,第一触控电极Tx可在转接桥BR处与第二触控电极Rx交叉,进一步的,转接桥BR可与连接部Rxo交叉。此外,转接桥BR可通过贯穿绝缘层IN的过孔Ho与第一电极块Txc连接。
如图1-2所示,在本公开的一些实施方式中,各转接桥BR可设于显示基板PNL的出光侧,并可同时形成,各转接桥BR的厚度相同,且材料相同,从而可同时形成。绝缘层IN可覆盖各转接桥BR,且在对应于转接桥BR的位置隆起,但不断开,也就是说,绝缘层IN可随着转接桥BR的存在而起伏。电极层PL可设于绝缘层IN背离显示基板PNL的表面,每个转接桥BR可通过一个或多个贯穿绝缘层IN的过孔Ho与同一第一电极块Txc连接。
如图4所示,同一第一触控电极Tx中,连接相邻两第一电极块Txc的转接桥BR的数量可以是一个或多个,且若未多个转接桥BR,则多个转接桥BR可沿行方向X并排分布,且均与同一连接部Rxo在空间内交叉,即二者在显示基板PNL上的正投影相交,实际并不连接,以防止第一触控电极Tx和第二触控电极Rx连接而造成短路。
在本公开的一些实施方式中,第一电极块Txc和第二电极块Rxc均可嵌入虚设电极Dum,举例而言,第一电极块Txc和第二电极块Rxc具有设有镂空区,镂空区为贯穿电极层的通孔结构,虚设电极Dum位于该 镂空区内,且与第一电极块Txc和第二电极块Rxc同层设置,每个镂空区内可设有一个虚设电极Dum,且各虚设电极Dum为浮接状态,即不与任何其他结构电连接,也不接受任何电信号。
转接桥BR和电极层PL均可以是单层或多层的导电结构,举例而言,转接桥BR可包括两层外部层和位于两层外部层之间的中间层,外部层的材料可为钛,中间层的材料可为铝,即转接桥BR为Ti/Al/Ti结构;或者,外部层的材料可为铟锡氧化物(ITO),中间层的材料可为铝,即转接桥BR为ITO/Ag/ITO结构。同时,电极层PL若为多层结构,也可以是Ti/Al/Ti结构、ITO/Ag/ITO结构。
绝缘层IN的材料可为氮化硅,当然,也可以是氧化硅、氮氧化硅或其它绝缘材料。
此外,如图2所示,在本公开的一些实施方式中,触控结构还可包括缓冲层BA和保护层OC,其中,缓冲层BA可作为触控结构的基底,其可设于显示基板PNL的出光侧,其材料可包括氮化硅、氧化硅等绝缘材料。转接桥BR可设于缓冲层BA背离显示基板PNL的表面,保护层OC可覆盖电极层PL和绝缘层IN未被电极层PL覆盖的区域,保护层OC用于保护电极层PL,其材料可以是聚酰亚胺(PI)或光学胶等透明绝缘材料。
如图5-11所示,为了降低对显示基板PNL发光的遮挡,可使第一触控电极Tx和第二触控电极Rx所处的电极层PL为多个网格线形成的网状结构,各网格线均可以沿直线延伸,但方向可以不同。可将电极层PL(包括第一电极块Txc和第二触控电极Rx)的网格线为通道线TL,转接桥BR的网格线为转接线BL。前述的网状结构具有多个网孔NEh,每个网孔NEh由多个网格线围成,举例而言,电极层PL的任一网孔NEh可由多个通道线TL围成,转接桥BR的任一网孔NEh可由多个转接线BL围成。网孔NEh可呈多边形,例如,菱形或六边形等,在此不做特殊限定,多边形的每一个边即为一个网格线。此外,虚设电极Dum也可为网状结构,并可与第一电极块Txc和第二触控电极Rx同时形成。
需要说明的是,由于网格线存在宽度,因而,前述的多边形并非限定其形状是标准几何图形中的多边形,多边形的顶点并未几何意义上的 点,而指的是网格线交汇的区域。
如图5-图11所示,在本公开的一些实施方式中,第一电极块Txc的通道线TL交汇的区域为通道交汇区TLm,转接桥BR的不同转接线BL交汇的区域为转接交汇区BRm。第一电极块Txc的边界具有多个通道交汇区TLm,第一电极块Txc的边界的通道交汇区TLm与至少一部分转接交汇区BRm一一对应地交叠设置。交叠的转接交汇区BRm与通道交汇区TLm在显示基板PNL上的正投影至少部分重合,可通过一过孔Ho连接交叠的一转接交汇区BRm和一通道交汇区TLm。
通道交汇区TLm可以是两通道线TL重合的区域,也可以在通道线TL的基础上向外侧延伸,以便增大交汇区的面积,在此不对通道交汇区TLm的形状进行特殊限定。转接交汇区BRm通道交汇区TLm与通道交汇区TLm的形式类似,其形状在此不做特殊限定。其中,通过过孔Ho连接的转接交汇区BRm和通道交汇区TLm的面积不小于其它的转接交汇区BRm和通道交汇区TLm的面积,以便容纳过孔Ho。
在第一电极块Txc的边界上的交叠的转接交汇区BRm和通道交汇区TLm中,转接交汇区BRm在显示基板PNL上的正投影的边界位于通道交汇区TLm在显示基板PNL上的正投影的边界的外侧,
如图5-图11所示,电极层PL在部分通道线TL处断开,从而分割出第一电极块Txc和第二触控电极Rx,也就是说,相邻的第一电极块Txc和第二触控电极Rx间的间隙可由通道线TL断开形成。在一通道线TL处断开的方式可以是去除该通道线TL的局部区域或者去除整个通道线TL。图5-图1中用虚线S示出了第一电极块Txc和第二触控电极Rx之间的间隙的延伸路径,该延伸路径仅为示意性说明,并非对实际延伸路径的限定。
第一电极块Txc和与其相邻的第二触控电极Rx之间的间隙可由上述的两种断开方式形成。第一电极块Txc和第二触控电极Rx的边界可由一部分通道线TL形成,即第一电极块Txc和第二触控电极Rx最外侧的通道线TL即为其边界,其中第二触控电极Rx的边界包括第二电极块Rxc的边界和连接部Rxo的边界。
在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc和交叉的第二触控电极 Rx中,转接桥BR跨过第二触控电极Rx以及第一电极块Txc和第二触控电极Rx之间的间隙与第一电极块Txc连接。转接桥BR跨过的间隙的宽度可与一转接线BL的长度相等,且转接桥BR的具有多个与该间隙相对的转接线BL,也就是说,转接桥BR的部分转接线BL在显示基板PNL上的正投影位于第一电极块Txc和第二触控电极Rx的间隙在显示基板PNL的正投影的间隙内,从而可使转接桥BR能在空间内跨过第二触控电极Rx,与第一电极块Txc连接。
在本公开的一些实施方式中,在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc和与该转接桥BR交叉的第二触控电极Rx中,转接桥BR的延伸至第一电极块Txc的边界内的转接线BL可与第一电极块Txc的通道线TL一一对应的交叠,且部分转接线BL可与构成第一电极块Txc的边界的通道线TL交叠。
在本公开的一些实施方式中,在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc和与该转接桥BR交叉的第二触控电极Rx中,转接桥BR的延伸至第二触控电极Rx的边界内的转接线BL可与第二触控电极Rx的通道线TL一一对应的交叠,且部分转接线BL可与构成第二触控电极Rx的边界的通道线TL交叠。交叠的转接线BL和通道线TL在显示基板PNL上的正投影的延伸方向相同,且至少部分重合。
下面结合显示基板PNL的基本结构对网孔NEh的分布方式进行示例性说明:
显示基板PNL可具有多个发光单元,每个发光单元可包括多个独立发光的子像素,同一发光单元中至少包括多个发光颜色不同的子像素。上述的各网孔NEh可与显示基板PNL的子像素对应设置,一网孔NEh在显示基板PNL上的正投影内至少有一个子像素,子像素发出光线可从网孔NEh出射,减少触控结构对显示基板PNL发光的遮挡。举例而言,显示基板PNL可为电致有机发光显示基板PNL,即OLED显示基板PNL,其可包括驱动背板BP和位于驱动背板BP一侧的发光层OL,发光层OL可包括多个阵列分布的发光器件,该发光器件可为有机发光二极管,在一些实施方式中,各发光器件独立发光,且颜色可以不同,此时,一个 发光器件可作为一个子像素;在另一些实施方式中,发光器件的发光颜色相同,此时,显示基板PNL还可包括彩膜层,其可包括与发光器件一一对应的滤光部,滤光部可仅出射单色光,滤光部及其对应的发光器件可作为一子像素。
需要说明的是,上述的发光单元只是为了便于描述子像素的分布方式而划定,并不限定其一定是显示图像的基本单元,在显示图像时,各子像素可划分为多个像素,每个像素至少包括三种颜色的子像素。相邻的像素可以共用部分子像素,也就是说,一发光单元中的一子像素可以被两个不同的像素所共用,通过子像素渲染(SPR)算法实现图像显示。当然,不同的像素也可以不共用子像素,此时,发光单元可作为像素。
如图5-图8所示,在本公开的一些实施方式中,显示基板PNL为电致有机发光显示基板PNL,其子像素可呈钻石排布,具体而言,同一发光单元可包括四个子像素,即一红色子像素、一蓝色子像素和两个绿色子像素,红色子像素和蓝色子像素可沿列方向Y分布,且蓝色子像素大于红色子像素,两个绿色子像素沿行方向X分布于红色子像素和蓝色子像素的两侧,且两个绿色子像素的面积相等,四个子像素的中心连线可呈菱形,各子像素的轮廓也可呈菱形,但绿色子像素的面积小于红色子像素。
相应的,触控结构的网孔NEh可呈菱形,每个子像素仅与一网孔NEh对应,从而可透过该网孔NEh发光。任一子像素的形状和与其对应的网孔NEh的形状相同,若二者均为多边形,则子像素的侧边与网孔NEh的侧边(即围成网孔NEh的网格线)一一对应的平行。对应于绿色子像素的网孔NEh小于对应于红色子像素的网孔NEh,且对应于蓝色子像素的网孔NEh大于对应于红色子像素的网孔NEh。
在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc中,连接转接桥BR和第一电极块Txc的过孔Ho的数量与一网孔NEh的顶点的数量相同,且各过孔Ho一一对应的位于各顶点处的通道交汇区TLm和转接交汇区BRm,其中一部分过孔Ho位于第一电极块Txc的边界上。例如,一个或者两个过孔Ho位于第一电极块Txc的边界上,其它过孔Ho则不在第一电极块Txc的边界上。
如图9-图11所示,在本公开的另一些实施方式中,显示基板PNL仍为电致有机发光显示基板PNL,其子像素可呈GGRB方式排布,具体而言,同一发光单元可包括四个子像素,即一红色子像素、一蓝色子像素和两个绿色子像素,红色子像素和蓝色子像素可沿行方向X分布,且二者的形状均为六边形,蓝色子像素的面积大于红色子像素的面积;两个绿色子像素沿列方向Y分布于红色子像素和蓝色子像素之间,且两个绿色子像素的形状均为五边形,且面积相等,绿色子像素的面积小于红色子像素和蓝色子像素。
相应的,每个子像素仅与一网孔NEh对应,从而可透过该网孔NEh发光。任一子像素的形状和与其对应的网孔NEh的形状相同,若二者均为多边形,则子像素的侧边与网孔NEh的侧边(即围成网孔NEh的网格线)一一对应的平行。对应于绿色子像素的网孔NEh小于对应于蓝色子像素和红色子像素的网孔NEh,且对应于蓝色子像素的网孔NEh小于对应于红色子像素的网孔NEh。
在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc中,过孔Ho的数量为多个,例如四个、五个等,各过孔Ho均位于第一电极块Txc的边界上。
针对上述的触控结构,发明人发现,在形成上述的触控结构的转接桥BR时,可通过沉积、曝光、显影、刻蚀等工艺制作,在此过程中,转接线BL的横截面为梯形,即转接线BL的侧壁向背离显示基板PNL的方向收缩;相应的,绝缘层IN在对应于转接线BL的侧壁的位置形成梯形的凸起,该凸起的侧壁与转接线BL的侧壁相似,也向背离基板的方向收缩。在形成电极层PL时,除了所需的图案外,在对应凸起的侧壁的外侧,也即对应于转接线BL的侧壁的外侧,会存在电极层PL的材料的残留,产生残留材料可沿转接线BL的侧壁延伸,从而将第一电极块Txc和相邻的第二触控电极Rx连接起来,造成短路,导致触控失灵或者精度降低等触控异常。
对此,发明人在上文的实施方式的基础上,提供了一种触控结构,如图5-图11所示,通过在转接桥BR的至少一侧连接与转接桥BR同层的引导部GP,通过引导部GP引导残留材料的走向,从而延长残留材料 在造成相邻的第一电极块Txc和第二触电极短路所需的延伸路径,使其容易断开,从而降低短路的风险。由于转接桥BR从一第一电极块Txc延伸到同一列的另一第一电极块Txc,因而转接桥BR的一侧为其延伸方向的一侧。举例而言:
转接桥BR的两侧均连接有引导部GP,且一引导部GP可与转接桥BR的一转接线BL在一转接交汇区BRm连接。在一转接桥BR及其连接的第一电极块Txc和与该转接桥BR交叉的第二触控电极Rx中:一引导部GP可与构成第一电极块Txc的边界的部分通道线TL交叠;或者,可与构成第二触控电极Rx的边界的部分通道线TL交叠;或者,转接桥BR的同一层可连接两个引导部GP,其中一个与构成第一电极块Txc的边界的部分通道线TL交叠,另一个与构成第二触控电极Rx的边界的部分通道线TL交叠。
在交叠的一引导部GP和通道线TL中,引导部GP与通道线TL的延伸方向相同,且引导部GP在显示基板PNL上的正投影的至少部分边沿位于通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿的外侧。
由于引导部GP与转接桥BR同层设置,即二者的厚度和材料相同,并可通过同时形成,引导部GP可视为转接桥BR的延伸,在形成引导部GP和转接桥BR时,引导部GP与转接桥BR的横截面,均可为梯形,即二者的侧壁均向背离显示基板PNL的方向收缩;但是,由于引导部GP的在显示基板PNL的正投影的边沿位于通道线TL在显示基板PNL的正投影的边沿外侧,使得电极层PL的残留材料只有沿引导部GP的延伸方向延伸,在绕过引导部GP背离转接桥BR的一端后才有可能连接相邻的第一电极块Txc和第二触控电极Rx,而引导部GP的存在使得该路径被延长,导致残留材料难以连续延伸,增大了其断开的可能性,从而降低了相邻的第一电极块Txc和第二触控电极Rx因残留材料造成的短路,可减小了发生触控异常的风险。
如图5所示,残留材料需要经过的路径长度为a+b+c+d+e才能绕过一引导部GP而连接第一电极块Txc和第二触控电极Rx,显然,a+b+c+d+e大于a,相较于没有引导部GP而言,至少在转接桥BR的一侧延长的引起短路的路径,提高了残留材料引起短路的难度。
在本公开的一些实施方式中,如图7和图8所示,与一引导部GP交叠的通道线TL的数量为多个;引导部GP可包括沿其对应的通道线TL的延伸方向朝背离转接桥BR的方向依次连接的多个引导线GL,一引导线GL与一通道线TL交叠;在交叠的引导线GL和通道线TL中,引导线GL在显示基板PNL上的正投影的边沿位于通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿的外侧。
引导部GP的各引导线GL中距离转接桥BR最远的一个与一间断成两部分的通道线TL的一部分交叠。举例而言,一引导部GP可包括两个引导线GL,距离转接桥BR较远的一个引导线GL与一间断成两部分的通道线TL中靠近引导部GP的一部分交叠。需要说明的是,不同的引导部GP包括的引导线GL的数量可以不同。该间断成两部分的通道线TL中的一部分可属于第一触控电极Tx,另一部分可设于第二触控电极Rx。
在本公开的一些实施方式中,在一转接桥BR及其连接的一第一电极块Txc中,连接转接桥BR和第一电极块Txc的过孔Ho的数量为多个,且至少一个过孔Bo位于第一电极块Txc的边界上,且位于第一电极块Txc的边界的过孔所处的转接交汇区BRm与一引导部GP连接转接桥BR的一端连接,也就是说,引导部GP以一过孔Ho所在的转接交汇区BRm为起点,向远离转接桥BR的方向延伸。举例而言,若两个过孔Ho位于第一电极块Txc的边界,两个引导部GP可分别从一过孔Ho所处的转接交汇区BRm向远离转接桥BR的方向延伸。若三个过孔Ho位于第一电极块Txc的边界,两个引导部GP可分别从最外侧的两过孔Ho之一所处的转接交汇区BRm向远离转接桥BR的方向延伸。
在本公开的一些实施方式中,如图5-图10所示,在一转接桥BR及其连接的一第一电极块Txc和交叉的第二触控电极Rx中,转接桥BR两侧连接有与第一电极块Txc的边界交叠的引导部GP,且两个与第一电极块Txc的边界交叠的引导部GP通过至少一个转接线BL连接;第一电极块Txc的边界在对应于两引导部GP之间的区域通过至少一个通道线TL连接,且该区域内的通道线TL与两引导部GP之间的转接线BL一一对应的交叠。
在交叠的一转接线BL及通道线TL中,转接线BL与通道线TL的 延伸方向相同,且转接线BL在显示基板PNL上的正投影的边沿位于通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿的外侧。从而可通过两引导部GP及二者之间的转接线BL最大程度的延长电极层PL的残留材料可延伸的路径,增大残留材料连续延伸的难度,使其容易断开,从而提高防止第一电极块Txc和第二触控电极Rx短路的能力。
在本公开的一些实施方式中,如图11所示,在一转接桥BR及其连接的一第一电极块Txc和交叉的第二触控电极Rx中,转接桥BR两侧连接有与第一电极块Txc的边界交叠的引导部GP,且两个与第一电极块Txc的边界交叠的引导部GP通过至少一个转接线BL连接,第一电极块Txc的边界在对应于两引导部GP之间的区域间断设置,此处的间断设置可以是指此处不存在通道线TL,相当于使第一电极块Txc的边界在对应于两引导部GP之间的区域向内凹陷,从而增大了与第二触控电极Rx的距离,同样可以增大残留材料连续的难度,使其容易断开,从而提高防止第一电极块Txc和第二触控电极Rx短路的能力。可通过使第一电极块Txc在对应于两引导部GP之间的区域间断。
在本公开的一些实施方式中,如图10和图11所示,在一转接桥BR及其连接的一第一电极块Txc和交叉的第二触控电极Rx中,部分转接线BL与第二触控电极Rx的边界交叠,且与第二触控电极Rx的边界的通道线TL交叠的转接线BL沿第二触控电极Rx的边界的延伸方向依次连接。也就是说,转接桥BR中存在部分转接线BL可沿第二触控电极Rx的边界延伸。同时,在交叠的一转接线BL和通道线TL中,转接线BL与通道线TL的延伸方向相同,且转接线BL在显示基板PNL上的正投影的边沿位于通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿的外侧,由此,可使电极层PL的残留材料与第二触控电极Rx的边界具有一定的距离,降低第二触控电极Rx和第一电极块Txc之间因残留材料的连接而发生短路的风险。
在本公开的一些实施方式中,可使第二触控电极Rx的边界在转接桥BR跨过的区域的两侧间断,也就是说,第二触控电极Rx的边界在显示基板PNL上的正投影间断于转接桥BR在显示基板PNL上的正投影的两侧。相当于使第二触控电极Rx的边界分割于转接桥BR的两侧,且与 转接桥BR之间具有一定的距离,增大与第一电极块Txc的距离,同样可以增大残留材料连续的难度,使其容易断开,从而提高防止第一电极块Txc和第二触控电极Rx短路的能力。
进一步的,为了保持第二触控电极Rx的边界的均一性,可在转接桥BR的范围内残留一部分第二触控电极Rx的边界,使得第二触控电极Rx的边界的部分区域在显示基板PNL上的正投影位于转接桥BR在显示基板PNL上的正投影的边界以内。
在交叠的转接线BL和通道线TL中,转接线BL在显示基板PNL上的正投影的边沿与通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿的距离D过大,则可能会遮挡子像素发光,若该距离D过小,则可能难以限制电极层PL的残留材料的位置,为发明人经过大量试验和分析,该距离D可为0.9μm-1.5μm、例如1.2μm,在保证出光效果的同时,还能起到防止短路的作用。当然,本领域技术人员可以根据实际情况,采用更小或更大的数值。
同理,在交叠的引导部GP和通道线TL中,引导部GP在显示基板PNL上的正投影的边界与通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边界的距离也可为0.9μm-1.5μm,例如1.2μm。
在交叠的转接交汇区BRm和通道交汇区TLm中,转接交汇区BRm在显示基板PNL上的正投影的边界与通道交汇区TLm在显示基板PNL上的正投影的边界的距离可为0.9μm-1.5μm、例如1.2μm。
本公开实施方式还提供了另一种触控结构,其结构可参考上文中的触控结构,如图12所示,不同点在于:在交叠的一转接线BL及通道线TL中,转接线BL与通道线TL的延伸方向相同,且转接线BL在显示基板PNL上的正投影的边沿与通道线TL在显示基板PNL上的正投影的边沿重合,第二触控电极Rx的边界在显示基板PNL上的正投影间断于转接桥BR在显示基板PNL上的正投影的两侧,从而不利用引导部GP和转接线BL相对于通道线TL的外扩来延长电极层PL的残留材料的路径,而只增大第二触控电极Rx的边界的局部与第一电极块Txc的距离,从而增大残留材料的路径,提高其连续延伸的难度,从而减低短路的风 险。
需要说明的是,转接桥BR同时连接两个第一电极块Txc,上文中的实施方式仅以转接桥BR与一个电极块的连接方式进行说明,与另一电极块的连接方式可与上文的连接方式相同,在此不再赘述。
本公开实施方式还一种触控显示面板,如图2所示,其可包括显示基板PNL和触控结构,其中:
显示基板PNL可采用电致有机发光显示基板PNL、液晶显示基板等,在此不对其结构进行特殊限定。
一电致有机发光显示基板PNL为例,其可包括驱动背板BP、发光器件层和封装层TFE,其中:
驱动背板BP具有驱动电路,可用于驱动发光器件层的各个发光器件分别独立发光,以显示图像。同时,驱动背板BP可包括像素区和位于像素区外的外围区,例如,外围区可以是围绕像素区的连续或间断的环形区域。
驱动电路可包括像素电路和外围电路,至少部分像素电路设于像素区内,当然,可以存在一部分像素电路的部分区域位于外围区。像素电路可以是7T1C、7T2C、6T1C或6T2C等结构,只要能驱动发光器件发光即可,在此不对其结构做特殊限定。像素电路的数量与发光器件的数量相同,且一一对应地与各发光器件连接,以便分别控制各个发光器件独立发光。其中,nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容(用字母“C”表示)。
外围电路位于外围区内,且外围电路与像素电路连接,用于向像素电路输入驱动信号,以便控制发光器件发光。外围电路可包括栅极驱动电路、源极驱动电路和发光控制电路等,当然,还可包括其它电路,在此不对外围电路的具体结构做特殊限定。
驱动背板BP可由多个膜层形成,举例而言,驱动背板BP可包括衬底和设于衬底一侧的驱动层,其中,衬底可为单层或多层结构,且其可以是硬质或柔性结构,在此不做特殊限定。上述的驱动电路可位于驱动层,以驱动电路中的晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例,驱动层可包括有 源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层、层间介质层、第一源漏层、钝化层、第一平坦层、第二源漏层和第二平坦层,其中:
有源层设于衬底上;第一栅绝缘层覆盖有源层;栅极设于第一栅绝缘层背离衬底的表面,且与有源层正对设置;第二栅绝缘层覆盖栅极和第一栅绝缘层;层间介质层覆盖第二栅绝缘层;第一源漏层设于层间介质层背离衬底的表面,且包括源极和漏极,源极和漏极连接于有源层;钝化层覆盖第一源漏层;第一平坦层覆盖钝化层;第二源漏层设于第一平坦层背离衬底的表面,且与第一源漏层连接;第二平坦层覆盖第二源漏层和第一平坦层。
发光器件层设于驱动背板BP一侧,例如,发光器件层设于驱动层背离衬底的表面。发光器件层可包括多个阵列分布于像素区内的多个发光器件以及限定各发光器件的像素定义层,其中:
像素定义层可设于驱动背板BP一侧,例如,像素定义层设于第二平坦层背离衬底的表面。像素定义层用于分隔各个发光器件。具体而言,像素定义层可设有多个开口,每个开口限定出的范围即为一发光器件的范围。开口的形状,即开口在驱动背板BP的正投影的轮廓的形状可为多边形、光滑的封闭曲线或其它形状,该光滑的封闭曲线可以是圆形、椭圆形或腰圆形等,在此不做特殊限定。
一像素电路可连接至少一个发光器件,从而在驱动电路的驱动下发光。例如,发光器件可与第二源漏层连接,可在驱动电路的驱动下发光。发光器件可为有机发光二极管,其可包括沿背离驱动背板BP的方向依次层叠的第一电极、发光功能层和第二电极,其中:
第一电极可与像素定义层设于驱动背板BP的同一表面,其可作为发光器件的阳极。像素定义层的各开口一一对应地露出各第一电极。第一电极可以是单层或多层结构,其材料可包括导电的金属、金属氧化物以及合金中的一种或多种。
发光功能层至少部分设于开口内,且可包括沿背离驱动背板BP的方向依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层,可通过使空穴和电子在发光材料层复合成激子,由激子辐射光子,从而产生可见光,具体发光原理在此不再详述。
第二电极可覆盖发光功能层,其可作为发光器件的阴极,第二电极可以是单层或多层结构,其材料可包括导电的金属、金属氧化物以及合金中的一种或多种。
进一步的,各发光器件可共用同一第二电极,具体而言,第二电极为覆盖各发光器件的发光功能层和像素定义层的连续导电层,也就是说,第二电极在像素定义层的正投影覆盖各个开口。
封装层TFE覆盖发光器件层,其可用于保护发光器件层,阻隔外界的水、氧对发光器件造成侵蚀。举例而言,封装层TFE可采用薄膜封装的方式实现封装,其可包括第一无机层、有机层和第二无机层,其中,第一无机层覆盖于发光器件层背离驱动背板BP的表面,例如,第一无机层可覆盖第二电极。有机层可设于第一无机层背离驱动背板BP的表面,且有机层的边界限定于第一无机层的边界的内侧,有机层在驱动背板BP上的正投影的边界可位于外围区,确保有机层能覆盖各发光器件。第二无机层可覆盖有机层和未被有机层覆盖的第一无机层,可通过第二无机层阻挡水氧侵入,通过具有柔性的有机层实现平坦化。
触控结构可设于封装层TFE背离驱动背板BP的一侧,例如,缓冲层BA可设于封装层TFE背离驱动背板BP的表面。且触控结构在驱动背板BP上的正投影至少覆盖像素区。触控结构的具体结构可参考上文中触控结构的实施方式,在此不再赘述。触控结构中的电极层PL的网孔NEh可与各发光器件一一对应设置,具体实施方式可参考上文触控结构的实施方式。
此外,在本公开的一些实施方式中,触控显示面板还可包括偏光层和透明盖板,其中:偏光层为降低对外界光线的反射作用的圆偏光片,其具体原理在不做详细描述。透明盖板可粘接于偏光层上,并可实现平坦化。透明盖板用于保护下方的膜层,其材料可以是玻璃或亚克力等透明材料,在此不做特殊限定。
本公开实施方式还提供一种显示装置,其可包括上述任意实施方式的触控显示面板,触控显示面板的具体结构和有益效果可参考上文的触控结构和触控显示面板的实施方式,在此不再详述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑等具有触控显示功能的电子设备,在此不再一一 列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (18)
- 一种触控结构,设于显示基板一侧,其中,所述触控结构包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,各所述第一触控电极沿行方向间隔分布,一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥;各所述第二触控电极沿所述列方向间隔分布,一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块;一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置;所述第一电极块和第二电极位于同一电极层,所述转接桥位于所述电极层一侧,所述转接桥与所述电极层之间设有绝缘层;所述第一触控电极和第二触控电极均为多个网格线形成的网状结构,所述转接桥的网格线为转接线,所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线;所述转接桥的至少一侧连接有与所述转接桥同层的引导部;在一所述转接桥及其连接的第一电极块和交叉的第二触控电极中,一所述引导部与所述第一电极块和第二触控电极中一个的边界的至少一所述通道线交叠,部分所述转接线与所述第一电极块和第二触控电极中至少一个的边界的部分通道线交叠;连接于所述引导部的转接线与第一电极块和第二触控电极之一的边界的部分通道线交叠;在交叠的一所述引导部和通道线中,所述引导部与通道线的延伸方向相同,所述引导部在所述显示基板上的正投影的至少部分边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
- 根据权利要求1所述的触控结构,其中,与所述引导部交叠的通道线的数量为多个;所述引导部包括沿其对应的通道线的延伸方向朝背离所述转接桥的方向依次连接的多个引导线,一所述引导线与一所述通道线交叠。
- 根据权利要求2所述的触控结构,其中,所述引导部的各所述引导线中距离所述转接桥最远的一个与一间断成两部分的通道线的一部分交叠。
- 根据权利要求1所述的触控结构,其中,所述引导部的各所述引导线中距离所述转接桥最远的一个与一间断成两部分的通道线的一部分交叠,所述间断成两部分的通道线中的一部分属于所述第一触控电极、 另一部分属于所述第二触控电极。
- 根据权利要求1或2所述的触控结构,其中,在一所述转接桥及其连接的一所述第一电极块中:所述转接桥通过多个贯穿所述绝缘层的过孔与所述第一电极块连接;所述第一电极块的通道线交汇的区域为通道交汇区,所述转接线交汇的区域为转接交汇区,所述第一电极块的边界具有多个所述通道交汇区,所述第一电极块的边界的通道交汇区与至少一部分所述转接交汇区一一对应地交叠设置;在所述第一电极块的边界上的交叠的转接交汇区和通道交汇区中,所述转接交汇区在所述显示基板上的正投影的边界位于所述通道交汇区在所述显示基板上的正投影的边界的外侧。
- 根据权利要求5所述的触控结构,其中,所述网状结构具有多个网孔,所述电极层的网孔由多个所述通道线围成,一所述通道交汇区形成所述网孔的一顶点;在一所述转接桥及其连接的一所述第一电极块中:所述过孔的数量为多个,分别位于同一所述网孔的多个所述通道交汇区;至多一部分所述过孔位于所述第一电极块的边界上;位于所述第一电极块的边界的至少一个所述过孔所处的所述转接交汇区与一所述引导部连接所述转接桥的一端连接。
- 根据权利要求6所述的触控结构,其中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,所述转接桥两侧连接有与所述第一电极块的边界交叠的引导部,且两个与所述第一电极块的边界交叠的引导部通过至少一个转接线连接,所述第一电极块的边界在对应于两所述引导部之间的区域通过至少一个通道线连接,且所述通道线与两所述引导部之间的转接线交叠;在交叠的一所述转接线及所述通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
- 根据权利要求6所述的触控结构,其中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,所述转接桥两侧连接有与 所述第一电极块的边界交叠的引导部,且两个与所述第一电极块的边界交叠的引导部通过至少一个转接线连接,所述第一电极块的边界在对应于两所述引导部之间的区域间断设置。
- 根据权利要求7或8所述的触控结构,其中,在一所述转接桥及其连接的一第一电极块和交叉的第二触控电极中,部分所述转接线与所述第二触控电极的边界交叠,且与所述第二触控电极的边界的通道线交叠的转接线沿所述第二触控电极的边界的延伸方向依次连接;在交叠的一所述转接线和所述通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿位于所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的外侧。
- 根据权利要求7所述的触控结构,其中,所述第二触控电极的边界在所述显示基板上的正投影间断于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的两侧。
- 根据权利要求10所述的触控结构,其中,所述第二触控电极的边界的部分区域在所述显示基板上的正投影位于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的边界以内。
- 根据权利要求1所述的触控结构,其中,在交叠的转接线和所述通道线中,所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
- 根据权利要求1所述的触控结构,其中,在交叠的引导部和所述通道线中,所述引导部在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
- 根据权利要求4所述的触控结构,其中,在交叠的转接交汇区和通道交汇区中,所述转接交汇区在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道交汇区在所述显示基板上的正投影的边沿的距离为0.9μm-1.5μm。
- 一种触控结构,设于显示基板一侧,其中,所述触控结构包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,各所述第一触控电极沿行方向间隔分布,一所述第一触控电极包括沿列方向间隔分布的多个第一电极块以及连接相邻两所述第一电极块的转接桥;各所述第二触控电极沿所 述列方向间隔分布,一所述第二触控电极包括沿所述行方向串联的多个第二电极块;一所述转接桥与一所述第二触控电极交叉设置;所述第一电极块和第二电极位于同一电极层,所述转接桥位于所述电极层一侧,所述转接桥与所述电极层之间设有绝缘层;所述第一触控电极和第二触控电极均为多个网格线形成的网状结构,所述转接桥的网格线为转接线,所述第一电极块和第二电极块的网格线为通道线;在一所述转接桥及其连接的第一电极块和交叉的第二触控电极中,部分所述转接线与所述第一电极块和第二触控电极中至少一个的边界的部分通道线交叠;在交叠的一所述转接线及通道线中,所述转接线与通道线的延伸方向相同,且所述转接线在所述显示基板上的正投影的边沿与所述通道线在所述显示基板上的正投影的边沿重合;所述第二触控电极的边界在所述显示基板上的正投影间断于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的两侧。
- 根据权利要求15所述的触控结构,其中,所述第二触控电极的边界的部分区域在所述显示基板上的正投影位于所述转接桥在所述显示基板上的正投影的边界以内。
- 一种触控显示面板,其中,包括:显示基板;权利要求1-16任一项所述的触控结构,所述转接桥设于所述显示基板一侧,所述绝缘层覆盖所述转接桥,所述电极层设于所述绝缘层背离所述显示基板的表面。
- 一种显示装置,其中,包括权利要求17所述的触控显示面板。
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