JP2019185462A

JP2019185462A - タッチパネル付き表示装置、及びその修正方法

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Publication number: JP2019185462A
Application number: JP2018076613A
Authority: JP
Inventors: 亨白井; Toru Shirai; 和寿木田; Kazuhisa Kida
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2018-04-12
Filing date: 2018-04-12
Publication date: 2019-10-24
Also published as: US20190317632A1; CN110377176A; CN110377176B; US10809836B2

Abstract

【課題】タッチパネルの動作不良による歩留まり低下を抑制する技術を提供する。【解決手段】タッチパネル付き表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、複数の画素を含む表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極ｔｘｌと複数の第２の電極Ｒｘとを有する表示パネルを備える。第１の電極ｔｘｌは、表示領域において第１の方向に延伸し、第２の電極Ｒｘは、表示領域において第１の方向に交差する第２に方向に延伸する。表示パネルは、導電性部材からなる修正用導電部２０２，２０３を有する。修正用導電部２０２，２０３は、複数の第１の電極ｔｘｌのそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、第１の電極ｔｘｌの少なくとも一部に沿って配置されている。【選択図】図３Ａ

Description

本発明は、タッチパネル付き表示装置及びその修正方法に関する。

近年、静電容量方式でタッチ位置を検出するタッチパネルを備えた表示装置が普及している。このような表示装置を製造する工程で、タッチパネルの配線に断線等が生じる場合がある。この場合、製造後の検査時にタッチパネルが正常に動作せず、不良品となる。下記特許文献１には、タッチパネルセンサにおいて断線等が発生している箇所を修正する断線修正装置が開示されている。この断線修正装置は、断線された配線間に溝を形成し、その溝に導電性インクを注入することにより、断線された配線間を接続する。

特開２０１２-３３１７２号公報

タッチパネルの配線が断線している場合には、上記特許文献１の修正方法を用いて、断線された配線間を修正することは可能である。しかしながら、タッチパネルの動作不良は、配線の断線に限らない。例えば、タッチパネルの電極面積、タッチパネルが設けられる基板の厚み、又はタッチパネル用配線の抵抗等のばらつきによって、タッチパネルのセンサ出力値が規定値より大きくなる不良箇所が発生する場合がある。このような不良箇所では、他の箇所よりもセンサ感度が高くなり、適切なタッチ位置を検出することができない。この場合、上記特許文献１の方法では不良箇所を修正することは困難である。

本発明は、タッチパネルの動作不良による歩留まり低下を抑制する技術を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態におけるタッチパネル付き表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、前記複数の画素を含む表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極と複数の第２の電極とを備える表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、導電性部材からなる修正用導電部と、を備え、前記複数の第１の電極は、前記表示領域において第１の方向に延伸し、前記複数の第２の電極は、前記表示領域において、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸し、前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、当該第１の電極の少なくとも一部に沿って配置されている。

本発明によれば、タッチパネルの動作不良による歩留まり低下を抑制することができる。

図１は、実施形態におけるタッチパネル付き表示装置の概略断面図である。図２は、図１に示す対向基板に設けられたタッチパネルの構成を示す概略平面図である。図３Ａは、図１に示す対向基板の裏面の一部を拡大した平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すＡ−Ａ線の断面図である。図３Ｃは、図３Ａに示すＢ−Ｂ線の断面図である。図３Ｄは、図３Ａに示すＣ−Ｃ線の断面図である。図４Ａは、実施形態におけるタッチパネルのノードを示す模式図である。図４Ｂは、図４Ａに示す各ノードのタッチパネル信号値を例示した図である。図４Ｃは、センス信号値が規定上限値より大きい不良箇所のノードと修正箇所を説明する図である。図５Ａは、センス信号値が規定上限値より大きい不良箇所の修正方法を説明する図である。図５Ｂは、レーザー照射前の図５Ａに示すＩ−Ｉ線の断面図である。図５Ｃは、レーザー照射後の図５Ａに示すＩ−Ｉ線の断面図である。図６Ａは、断線による不良箇所のノードを示す図である。図６Ｂは、断線による不良箇所のノードのタッチパネル信号値を例示した図である。図６Ｃは、断線による不良箇所の修正方法を説明する図である。

本発明の一実施形態におけるタッチパネル付き表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、前記複数の画素を含む表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極と複数の第２の電極とを備える表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、導電性部材からなる修正用導電部と、を備え、前記複数の第１の電極は、前記表示領域において第１の方向に延伸し、前記複数の第２の電極は、前記表示領域において、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸し、前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、当該第１の電極の少なくとも一部に沿って配置されている（第１の構成）。

第１の構成によれば、表示パネルに、表示領域におけるタッチ位置を検出するための複数の第１の電極及び複数の第２の電極を有する。第１の電極は第１の方向に延伸し、第２の電極は第２の方向に延伸する。表示パネルは、さらに、各第１の電極の少なくとも一部に沿って設けられた修正用導電部を備える。修正用導電部は、各第１の電極に対して少なくとも１つ設けられている。仮に、検査工程において、タッチパネルのセンサ出力値が規定値外となる不良箇所が存在する場合、その不良箇所に対応する第１の電極と、当該第１の電極に対応する修正用導電部との間を接続することにより、不良箇所の容量を調整することができる。その結果、不良箇所のセンサ出力値が規定値内となり、タッチパネルの動作不良による歩留まり低下を抑制できる。

第１の構成において、前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに沿って連続して形成され、前記第２の方向において不連続に形成されている複数の第１の導電パターンを有することとしてもよい（第２の構成）。

第２の構成によれば、各第１の電極に対し、第１の電極に沿って連続して形成され、第２の方向において不連続に形成された第１の導電パターンが設けられる。そのため、検査時に、タッチパネルのセンサ出力値が規定値外となる不良箇所が存在しても、その不良箇所の第１の電極における容量の調整に第１の導電パターンを用いることができる。

第１の構成において、前記修正用導電部は、前記第１の導電パターンより低抵抗である複数の第２の導電パターンをさらに有し、前記複数の第２の導電パターンのそれぞれは、第１の導電パターンの延伸方向に沿って一定間隔ごとに設けられ、一の第１の導電パターンと接続されていることとしてもよい（第３の構成）。

第３の構成によれば、修正用導電部は、第１の導電パターンの他に、複数の第２の導電パターンを備える。第２の導電パターンのそれぞれは、第１の導電パターンより低抵抗であり、一の第１の導電パターンと接続される。そのため、第１の導電パターンのみ設けられる場合と比べ、不良箇所の第１の電極における容量の調整箇所を減らすことができる。

第１の構成において、前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに沿うように一定間隔ごとに複数設けられていることとしてもよい（第４の構成）。

第４の構成によれば、各第１の電極に沿って一定間隔ごとに修正用導電部が設けられるため、不良箇所における第１の電極の容量を修正用導電部を用いて調整することができる。

第１から第４のいずれかの構成において、前記表示パネルは、画素と画素の間に設けられた遮光部を有し、前記遮光部は、所定温度以上で絶縁性から導電性に変化する導電材料を含み、前記修正用導電部は、前記遮光部が設けられた遮光領域に設けられていることとしてもよい（第５の構成）。

第５の構成によれば、不良箇所の第１の電極と、当該第１の電極に対応する修正用導電部との間の遮光部を所定温度以上に熱することによって、当該第１の電極と修正用導電部の間を導通させることができる。その結果、不良箇所における第１の電極の容量が調整され、タッチパネルの動作不良による歩留まり低下を抑制することができる。

第５の構成において、少なくとも一の第１の電極と、当該第１の電極に対して設けられた前記修正用導電部との間における前記遮光領域は導通していることとしてもよい（第６の構成）。

第６の構成によれば、少なくとも一の第１の電極は遮光領域を介して修正用導電部と導通されている。これにより、修正用導電部と第１の電極との間が絶縁状態である場合に比べ、当該一の第１の電極における容量は変化する。そのため、検査工程で、当該一の第１の電極上のセンサ出力値が規定値よりも高かった場合、修正用導電部の接続によってセンサ出力値が規定値内に調整され、タッチパネルの不良による歩留まり低下を抑制できる。

第５の構成において、前記複数の第１の電極のうち、少なくとも一の第１の電極は複数の部分電極に分割され、前記複数の部分電極のそれぞれと、対応する前記修正用導電部との間における前記遮光領域は導通していることとしてもよい（第７の構成）。

第７の構成によれば、複数の部分電極に分割された第１の電極は、各部分電極と修正用導電部との間が導通されることで、分割されていない他の第１の電極と同様に適切に動作させることができる。

第１から第７のいずれかの構成において、前記表示パネルは、前記複数の画素が形成されたアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向して設けられた対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有し、前記複数の第１の電極は、前記対向基板において、前記液晶層側の面に設けられ、前記複数の第２の電極は、前記対向基板において、前記液晶層と反対側の面に設けられている、こととしてもよい（第８の構成）。

本発明の一実施形態に係る修正方法は、マトリクス状に配置された複数の画素を有し、表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極と複数の第２の電極とを有する表示パネルを備えるタッチパネル付き表示装置の修正方法であって、前記表示パネルは、画素と画素の間に設けられ、所定温度以上で絶縁性から導電性に変化する導電材料を含む遮光部と、前記遮光部が配置された遮光領域に設けられ、前記複数の第１の電極のそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、当該第１の電極の少なくとも一部に沿って配置されている修正用導電部と、を有しており、前記複数の第１の電極のうち、不良箇所における第１の電極と、当該第１の電極に対応する前記修正用導電部との間の前記遮光領域に所定波長のレーザーを照射し、当該第１の電極と当該修正用導電部との間を導通させる（第１の修正方法）。

第１の修正方法によれば、第１の電極ごとに設けられた修正用導電部と、不良箇所における第１の電極との間の遮光部が設けられた遮光領域に所定波長のレーザーを照射する。遮光部は、所定温度以上で絶縁性から導電性に変化する導電材料を含み、レーザー照射された遮光領域は導通し、第１の電極と修正用導電部とが電気的に接続される。その結果、不良箇所の第１の電極における容量が調整され、不良箇所のセンサ出力値を規定値内にすることができる。

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

図１は、本実施形態における表示装置の概略断面図である。本実施形態における表示装置１は、静電容量方式でタッチ位置を検出するためのタッチパネルを備えたタッチパネル付き表示装置である。

図１に示すように、表示装置１は、アクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向して配置された対向基板２０と、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層３０とを有する。なお、表示装置１には、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とを挟む一対の偏光板が設けられている（図示略）。

ここで図示を省略するが、アクティブマトリクス基板１０は、ゲート線とデータ線とで規定され、マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する。各画素には、画素電極と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がそれぞれ設けられている（いずれも図示略）。また、アクティブマトリクス基板１０には、画素電極と対向するように対向電極（図示略）が設けられ、各画素における液晶分子は横電界方式で配向制御される。さらに、アクティブマトリクス基板１０の額縁領域には、各画素のゲート線を順次走査するゲート線走査回路と、各画素のデータ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、ゲート線走査回路及びデータ線駆動回路を制御して表示領域に画像を表示する表示制御回路とを有する（いずれも図示略）。

本実施形態では、対向基板２０にタッチパネルが設けられている。ここで、図２を用いてタッチパネルの構成について説明する。

図２は、対向基板２０に設けられたタッチパネルの構成を示す概略平面図である。図２に示すように、本実施形態におけるタッチパネル２１は、第１の電極及び第２の電極としてそれぞれ、複数のドライブ電極Ｔｘと複数のセンス電極Ｒｘとを有する。ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘとは互いに交差するように配置される。

本実施形態において、１つのドライブ電極Ｔｘは、複数の配線（以下、ドライブ線）で構成され、１つのセンス電極Ｒｘは、複数の配線（以下、センス線）で構成されている。以下、ドライブ線をドライブ線ｔｘｌ、センス線をセンス線ｒｘｌとする。

図２では図示されていないが、ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘはガラス基板上に設けられる。具体的には、センス電極Ｒｘは、ガラス基板において、液晶層３０と反対側の面（表面）に設けられ、ドライブ電極Ｔｘは、ガラス基板において、液晶層３０側の面（裏面）に設けられる。

図２に示すように、対向基板２０には、フレキシブル基板４０が接続され、フレキシブル基板４０には、ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘとに接続されたコントローラ４１が設けられている。コントローラ４１は、ドライブ電極Ｔｘに所定の電圧を順次印加してドライブ電極Ｔｘを走査し、各センス電極Ｒｘが所定のタイミングで所定電位（バイアス電位）となるように制御する。

表示面にユーザの指等が接触すると、ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘの交差位置（以下、ノード）における電界の変化に対応した電気信号（以下、センス信号）がコントローラ４１に入力される。コントローラ４１は、センス信号の基準となる静電容量値（以下、センス信号基準値）と、センス信号とに基づいて、タッチ位置を検出する。なお、センス信号基準値は、非接触状態において予め測定された各ノードの静電容量に応じた値である。

次に、対向基板２０に設けられているタッチパネル２１以外の他の構成について具体的に説明する。図３Ａは、対向基板２０の裏面の一部を拡大した平面図である。図３Ａに示すように、対向基板２０におけるガラス基板２０１の裏面には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応したカラーフィルタＣＦがマトリクス状に配置されている。各カラーフィルタＣＦは、アクティブマトリクス基板１０における各画素に対応する位置に設けられている。つまり、表示装置１において、各カラーフィルタＣＦが設けられた領域は画素領域である。

各色のカラーフィルタＣＦは、行方向（Ｘ軸方向）にＲ，Ｇ，Ｂ，Ｒ，Ｇ，Ｂ・・・の順序となるように配列され、列方向（Ｙ軸方向）には同じ色のカラーフィルタＣＦが配列される。

図３Ａに示すように、カラーフィルタＣＦの行と行の間、すなわち、画素の行と行の間には１つのドライブ線ｔｘｌが設けられている。

また、図３Ａにおいて、行方向（Ｘ軸方向）に隣接するカラーフィルタＣＦとカラーフィルタＣＦの間、すなわち、行方向に隣接する画素と画素の間には、修正パターン２０２が設けられている。さらに、ドライブ線ｔｘｌを挟むように、ドライブ線ｔｘｌと略平行に延伸する修正パターン２０３が設けられている。修正パターン２０２と修正パターン２０３は、表示装置１の検査時においてタッチパネル２１の不良箇所を修正するために用いられる。

ここで、図３Ｂ〜３Ｄを参照し、対向基板２０の断面構造について説明する。図３Ｂは、図３Ａに示すＡ−Ａ線の断面図、図３Ｃは、図３Ａに示すＢ−Ｂ線の断面図、図３Ｄは、図３Ａに示すＣ−Ｃ線の断面図である。

図３Ｂ〜３Ｄに示すように、ガラス基板２０１の裏面には、カラーフィルタＣＦが設けられ、カラーフィルタＣＦとカラーフィルタＣＦの間にブラックマトリクスＢＭが設けられる。ドライブ電極Ｔｘ、修正パターン２０２、及び修正パターン２０３は、ブラックマトリクスＢＭ上に設けられる。ブラックマトリクスＢＭは、カーボンブラックを含む。

ドライブ線ｔｘｌは、第１のドライブ電極層Ｔｘａと、第２のドライブ電極層Ｔｘｂの２層構造を有する。この例において、第１のドライブ電極層Ｔｘａは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、又はＩＺＯ（Indium Zn Oxide）等の透明導電膜で構成される。第２のドライブ電極層Ｔｘｂは、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）を含む合金、又は銅（Ｃｕ）で構成された金属膜で構成される。ドライブ電極Ｔｘは、透明導電膜と金属膜の２層構造に限らず、いずれか一層で構成されていてもよい。また、第２のドライブ電極層Ｔｘｂは、導電性材料で構成されていればよく、上記材料に限定されない。

なお、センス電極Ｒｘ（図２、図３Ａ参照）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成される。

修正パターン２０２は、この例において、ドライブ線ｔｘｌと同じ２層構造を有する。具体的には、修正パターン２０２は、第１のドライブ電極層Ｔｘａと同じ透明導電膜からなる第１の導電層２０２ａと、第２のドライブ電極層Ｔｘｂと同じ金属膜からなる第２の導電層２０２ｂの２層構造を有する。修正パターン２０２は、ドライブ電極Ｔｘと異なる材料で構成されていてもよいし、透明導電膜と金属膜のいずれか一層で構成されていてもよい。

修正パターン２０３は、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素上に設けられているため、画素の透過率を低下させないように、より高い透過率を有する材料で構成しておくことが好ましい。よって、修正パターン２０３は、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電膜で構成されることが好ましい。他方、この例において、修正パターン２０２は、ブラックマトリクスＢＭ上に設けられるため、修正パターン２０３のように透過率の高い材料で構成しなくてもよく、金属材料で構成されてもよい。金属材料は、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電膜より低抵抗である。なお、修正パターン２０３をＲ，Ｇ，Ｂの画素上でなく、ブラックマトリクスＢＭ上に設ける場合には、低抵抗な金属材料で構成してもよい。

図３Ａ〜３Ｃに示すように、修正パターン２０２と修正パターン２０３は互いに接続されている。

ここで、タッチパネル２１における不良箇所の修正方法について説明する。

図４Ａは、タッチパネル２１において、ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘの交差位置を示すノードを例示した模式図である。ここでは、図４Ａに示すように、タッチパネル２１は、１〜５０のノードを有するものとするが、ノード数はこれに限定されない。

図４Ｂは、検査工程において測定された各ノードのセンス信号値を例示した図である。この例において、センス信号の規定の上限値は１３００に設定されている。図４Ｂに示すように、この例では、ノード２２のセンス信号値が規定上限値を上回り、ノード２２が不良箇所として検出されているものとする。

この場合、本実施形態では、図４Ｃに示すように、不良箇所のノード２２（Ｎ２２）から、ノード２２と共通のドライブ電極Ｔｘ＿Ｎ上にある隣接ノード２１（Ｎ２１）又はノード２３（Ｎ２３）の間のブラックマトリクスＢＭにレーザーを照射し、ドライブ電極Ｔｘ＿Ｎのドライブ線ｔｘｌと修正パターン２０３とを導通させ、不良箇所における容量を調整する。以下、具体的に説明する。

図５Ａは、対向基板２０の裏面におけるノード２２（Ｎ２２）からノード２３（Ｎ２３）の間の一部領域を拡大した模式図である。図５Ａにおいて、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎは、ノード２２（Ｎ２２）とノード２３（Ｎ２３）に共通するドライブ電極Ｔｘ＿Ｎを構成するドライブ線の１つである。

本実施形態では、図５Ａにおいて、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎの一方の側に設けられた修正パターン２０３ｂとドライブ線ｔｘｌ＿ｎの間、及びドライブ線ｔｘｌ＿ｎの他方の側に設けられた修正パターン２０３ｃとドライブ線ｔｘｌ＿ｎの間の少なくとも一方の領域の一部にレーザーを照射する。この例では、修正パターン２０３ｂとドライブ線ｔｘｌ＿ｎの間の一部領域Ｒ１（以下、照射領域Ｒ１）と、修正パターン２０３ｃとドライブ線ｔｘｌ＿ｎの間の一部領域Ｒ２（以下、照射領域Ｒ２）とにレーザを照射する。ここでは、例えば、波長が３２５ｎｍ以上、３６５ｎｍ以下であるＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザーを用いる。

なお、この例では、照射領域Ｒ１と照射領域Ｒ２の位置は、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎを挟んで対向しているが、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎの延伸方向に互いにずれていてもよい。また、照射領域Ｒ１と照射領域Ｒ２のいずれか一方にのみレーザが照射されてもよい。

ブラックマトリクスＢＭに含まれるカーボンブラックは、多官能エポキシ樹脂等で被覆されており、所定温度（３００℃程度）以下では絶縁性を有するが、所定温度を超えると溶解する。レーザー照射によってブラックマトリクスＢＭが溶解した際、ブラックマトリクスＢＭ内のカーボンブラックが凝集したり、多官能エポキシ樹脂等の被覆材料が破壊され、ブラックマトリクスＢＭが低抵抗化する。これにより、ドライブ線ｔｘｌと、ドライブ線ｔｘｌの両側に設けられた２つの修正パターン２０３との間が導通状態となる。

図５Ｂ及び図５Ｃは、レーザー照射前とレーザー照射後の図５Ａに示すＩ−Ｉ線の断面図である。図５Ｂにおいて、レーザー照射前、ブラックマトリクスＢＭは絶縁性を有しており、不良箇所のノードにおけるドライブ線ｔｘｌ＿ｎと、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎを挟む修正パターン２０３ｂ、２０３ｃの間は絶縁されている。一方、レーザー照射されたブラックマトリクスＢＭの部分は低抵抗化するため、図５Ｃに示すように、不良箇所のノードにおけるドライブ線ｔｘｌ＿ｎと、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎを挟む修正パターン２０３ｂ、２０３ｃの間のブラックマトリクス領域ＢＭａ、ＢＭｂは導通状態となる。つまり、レーザー照射によってブラックマトリクスＢＭに導通部が形成される。

なお、上記の例では、不良箇所のノードにおける１つのドライブ線ｔｘｌ＿ｎと、その両側に設けられた修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃとの間にそれぞれ導通部を形成したが、修正箇所はこれに限定されない。センス信号値と規定上限値との差に応じて、不良箇所のノードにおけるドライブ電極Ｔｘ＿Ｎを構成する複数のドライブ線ｔｘｌについて上記と同様の修正を行ってもよい。

上記したように、修正パターン２０３は修正パターン２０２と接続されている。ドライブ線ｔｘｌ＿ｎと修正パターン２０３ｂ、２０３ｃとの間の導通によって、修正パターン２０３ｂ、２０３ｃと、これら修正パターンと接続された修正パターン２０２がドライブ線ｔｘｌ＿ｎの一部として機能する。つまり、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎの実質的な面積が大きくなり、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎを含むノードのセンス信号値が低下する。その結果、不良箇所のノード（Ｎ２２）のセンス信号値が下がり、規定上限値以下となる。

次に、ドライブ電極Ｔｘの一部のドライブ線ｔｘｌが断線している場合の修正方法について説明する。以下では、図６Ａに示すノード２２（Ｎ２２）とノード２３（Ｎ２３）の間のＰ点においてドライブ電極Ｔｘ＿Ｎの一部のドライブ線ｔｘｌ＿ｎが断線している場合を例に説明する。

図６Ｂは、ドライブ電極Ｔｘ＿Ｎの一部のドライブ線ｔｘｌ＿ｎがノード２２とノード２３の間で断線している場合の各ノードのセンス信号値を例示した図である。この例において、センス信号値の規定の下限値は「８００」に設定されている。図６Ｂに示すように、断線箇所Ｐ近傍のノード２２〜２５のセンス信号値は規定下限値を下回っている。これは、断線によってドライブ線ｔｘｌ＿ｎが複数の部分ドライブ線に分割され、コントローラ４１から所定の電圧が印加されない部分ドライブ線が生じ、当該ドライブ線ｔｘｌ＿ｎを含むノードのセンサ感度が他のノードよりも低下するためである。

図６Ｃは、対向基板２０の裏面において、断線されたドライブ線ｔｘｌ＿ｎの修正箇所を示す平面図である。断線されたドライブ線ｔｘｌ＿ｎは、部分ドライブ線ｓ１、ｓ２に分割される。この場合、図６Ｃにおいて、ブラックマトリクスＢＭ上のＲ３及びＲ４で示す領域に上記レーザーを照射する。つまり、照射領域Ｒ３（Ｒ３１、Ｒ３２）は、部分ドライブ線ｓ１と、その両側に設けられた修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃとの間のブラックマトリクスＢＭ上の領域である。また、照射領域Ｒ４（Ｒ４１、Ｒ４２）は、部分ドライブ線ｓ２と、その両側に設けられた修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃとの間のブラックマトリクスＢＭ上の領域である。

上述したように、レーザー照射によって照射領域Ｒ３及びＲ４は低抵抗化され、導通状態となる。そのため、部分ドライブ線ｓ１と修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃとの間は照射領域Ｒ３を介して導通し、部分ドライブ線ｓ２と修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃとの間は照射領域Ｒ４を介して導通する。これにより、部分ドライブ線ｓ１及びｓ２と接続された修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃと、これら修正パターン２０３ｂ及び２０３ｃと接続された修正パターン２０２は、ドライブ線ｔｘｌ＿ｎの一部として機能する。その結果、コントローラ４１からの所定の電圧が部分ドライブ線ｓ１、ｓ２に印加され、断線箇所近傍のノードのセンス信号値を規定下限値以上にすることができる。

なお、図６Ｃでは、断線したドライブ線ｔｘｌが１つの例を示したが、断線したドライブ線ｔｘｌが複数ある場合には、それぞれのドライブ線ｔｘｌに対して上記と同様の修正を行えばよい。また、１つのドライブ線ｔｘｌに複数の断線箇所がある場合には、それぞれの部分ドライブ線に対して上記と同様の修正を行えばよい。

以上、本発明に係るタッチパネル付き表示装置の一例について説明したが、本発明に係るタッチパネル付き表示装置は、上述した実施形態の構成に限定されず、様々な変形構成とすることができる。以下、その変形例について説明する。

（１）上述した実施形態では、対向基板２０に、修正用導電部として修正パターン２０２と修正パターン２０３の両方を設ける例を説明したが、少なくともいずれか一方の修正パターンが設けられていればよい。

修正パターン２０２のみが設けられる場合、タッチパネル２１の不良箇所のノードにおけるドライブ線ｔｘｌと、当該ドライブ線ｔｘｌを挟む修正パターン２０２との間のブラックマトリクスＢＭの一部領域にレーザー照射を行う。これにより、レーザー照射されたブラックマトリクスＢＭの一部領域と、修正パターン２０２との間が導通し、不良箇所のノードのセンス信号値が調整される。

また、修正パターン２０３のみが設けられる場合には、上述した実施形態と同様に、タッチパネル２１の不良箇所のノードにおけるドライブ線ｔｘｌと、当該ドライブ線ｔｘｌを挟む修正パターン２０３の間のブラックマトリクスＢＭの一部領域にレーザー照射を行えばよい。

（２）上述した実施形態では、一のドライブ線ｔｘｌに対し、当該ドライブ線ｔｘｌの両側に修正パターン２０３が設けられる例を説明したが、ドライブ線ｔｘｌの少なくともいずれか一方に修正パターン２０３が設けられていればよい。

（３）上述した実施形態では、１つのドライブ電極Ｔｘは複数のドライブ線ｔｘｌによって構成され、１つのセンス電極Ｒｘは複数のセンス線ｒｘｌによって構成される例を説明したが、ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘはそれぞれ１つのドライブ用配線、センス用配線で構成されていてもよい。この場合も、ドライブ電極ごとに、修正用導電部として、修正パターン２０２と修正パターン２０３の少なくとも一方が設けられていればよい。また、上述した実施形態では、ドライブ電極に対して修正パターンを設ける例を説明したが、センス電極に対して修正パターンを設けるようにしてもよい。

（４）上述した実施形態では、液晶を用いた表示装置を例に説明したが、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）を用いた表示に上記実施形態又は変形例の構成を適用してもよい。

１…表示装置、１０…アクティブマトリクス基板、２０…対向基板、３０…液晶層、４０…フレキシブル基板、４１…コントローラ、２０２…修正パターン２０２ａ…第１の導電層、２０２ｂ…第２の導電層、２０３…第２の導電パターン、Ｔｘ…ドライブ電極、ｔｘｌ…ドライブ線、Ｒｘ…センス電極、ｒｘｌ…センス線、ｓ１，ｓ２…部分ドライブ線

Claims

マトリクス状に設けられた複数の画素を有し、前記複数の画素を含む表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極と複数の第２の電極とを備える表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、導電性部材からなる修正用導電部と、を備え、
前記複数の第１の電極は、前記表示領域において第１の方向に延伸し、
前記複数の第２の電極は、前記表示領域において、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸し、
前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、当該第１の電極の少なくとも一部に沿って配置されている、タッチパネル付き表示装置。
前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに沿って連続して形成され、前記第２の方向において不連続に形成されている複数の第１の導電パターンを有する、請求項１に記載のタッチパネル付き表示装置。
前記修正用導電部は、前記第１の導電パターンより低抵抗である複数の第２の導電パターンをさらに有し、
前記複数の第２の導電パターンのそれぞれは、第１の導電パターンの延伸方向に沿って一定間隔ごとに設けられ、一の第１の導電パターンと接続されている、請求項２に記載のタッチパネル付き表示装置。
前記修正用導電部は、前記複数の第１の電極のそれぞれに沿うように一定間隔ごとに複数設けられている、請求項１に記載のタッチパネル付き表示装置。
前記表示パネルは、画素と画素の間に設けられた遮光部を有し、
前記遮光部は、所定温度以上で絶縁性から導電性に変化する導電材料を含み、
前記修正用導電部は、前記遮光部が設けられた遮光領域に設けられている、請求項１から４のいずれか一項に記載のタッチパネル付き表示装置。
少なくとも一の第１の電極と、当該第１の電極に対して設けられた前記修正用導電部との間における前記遮光領域は導通している、請求項５に記載のタッチパネル付き表示装置。
前記複数の第１の電極のうち、少なくとも一の第１の電極は複数の部分電極に分割され、
前記複数の部分電極のそれぞれと、対応する前記修正用導電部との間における前記遮光領域は導通している、請求項５に記載のタッチパネル付き表示装置。
前記表示パネルは、
前記複数の画素が形成されたアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に対向して設けられた対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有し、
前記複数の第１の電極は、前記対向基板において、前記液晶層側の面に設けられ、前記複数の第２の電極は、前記対向基板において、前記液晶層と反対側の面に設けられている、請求項１から７のいずれか一項に記載のタッチパネル付き表示装置。
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、表示領域におけるタッチ位置を静電容量方式で検出するための複数の第１の電極と複数の第２の電極とを有する表示パネルを備えるタッチパネル付き表示装置の修正方法であって、
前記表示パネルは、
画素と画素の間に設けられ、所定温度以上で絶縁性から導電性に変化する導電材料を含む遮光部と、
前記遮光部が配置された遮光領域に設けられ、前記複数の第１の電極のそれぞれに対して少なくとも１つ設けられ、当該第１の電極の少なくとも一部に沿って配置されている修正用導電部と、を有しており、
前記複数の第１の電極のうち、不良箇所における第１の電極と、当該第１の電極に対応する前記修正用導電部との間の前記遮光領域に所定波長のレーザーを照射し、当該第１の電極と当該修正用導電部との間を導通させる、修正方法。