JPH0823643B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は基板間に誘電体物質を用いたマトリクス表示
装置に関し、特に液晶表示装置、EL（Electric Lumines
cence）表示装置、プラズマ表示装置等に使用されるも
のである。
装置に関し、特に液晶表示装置、EL（Electric Lumines
cence）表示装置、プラズマ表示装置等に使用されるも
のである。
（従来の技術） 液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示装置等のマ
トリクス表示装置に於いては、表示用電極に電圧が印加
され、該表示媒体の光学特性が変調されて表示パターン
が形成される。表示用電極の駆動方式として、単純マト
リクス方式、アクティブマトリクス方式等が知られてい
る。
トリクス表示装置に於いては、表示用電極に電圧が印加
され、該表示媒体の光学特性が変調されて表示パターン
が形成される。表示用電極の駆動方式として、単純マト
リクス方式、アクティブマトリクス方式等が知られてい
る。
単純マトリクス方式の表示装置の一例の断面図を第６
図に示す。ガラス基板31上にMoから成る走査線33（層厚
2000Å）、走査用透明電極32（層厚1000Å）、SiO2から
成る絶縁膜34（層厚2000Å）、及び配向膜35が形成され
ている。液晶層36を挟んでこの基板31に対向するガラス
基板37上には、Moから成る信号線39（層厚2000Å）、信
号用透明電極38（層厚1000Å）、及び配向膜40が形成さ
れている。この表示装置を基板37側から見た平面図を第
７図に示す。第７図に示されているように、走査用透明
電極32の一部と走査線33の全面とは重なっており、電気
的に接続されている。同様に、信号用透明電極38の一部
と信号線39の全面とは重なっており、電気的に接続され
ている。走査用透明電極32の走査線33に重ならない部分
と、信号用透明電極38の信号線39に重ならない部分とが
重畳する領域が表示に寄与する絵素となる。
図に示す。ガラス基板31上にMoから成る走査線33（層厚
2000Å）、走査用透明電極32（層厚1000Å）、SiO2から
成る絶縁膜34（層厚2000Å）、及び配向膜35が形成され
ている。液晶層36を挟んでこの基板31に対向するガラス
基板37上には、Moから成る信号線39（層厚2000Å）、信
号用透明電極38（層厚1000Å）、及び配向膜40が形成さ
れている。この表示装置を基板37側から見た平面図を第
７図に示す。第７図に示されているように、走査用透明
電極32の一部と走査線33の全面とは重なっており、電気
的に接続されている。同様に、信号用透明電極38の一部
と信号線39の全面とは重なっており、電気的に接続され
ている。走査用透明電極32の走査線33に重ならない部分
と、信号用透明電極38の信号線39に重ならない部分とが
重畳する領域が表示に寄与する絵素となる。
アクティブマトリクス表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の例を第8A図に示す。第8B図は第8A図
のアクティブマトリクス基板を用いて表示装置を組み立
て、ｂ−ｂ線に沿った面で切断した断面図である。ガラ
ス基板１上にベースコート膜３が全面に形成され、この
上にゲート電極９を兼ねるゲートバス配線４及びソース
バス配線５が格子状に配列されている。ゲートバス配線
４とソースバス配線５との間には、後述するベース絶縁
膜11が介在している。ゲートバス配線４及びソースバス
配線５に囲まれた矩形の領域には透明導電膜（ITO）か
ら成る絵素電極６が設けられ、マトリクス状のパターン
を構成している。絵素電極６の隅部付近にはスイッチン
グ素子としてTFT7が配置され、TFT7と絵素電極６とはド
レイン電極13によって電気的に接続されている。TFT7は
ゲートバス配線４上に設けられ、ソースバス配線５とは
枝配線８で接続されている。
ブマトリクス基板の例を第8A図に示す。第8B図は第8A図
のアクティブマトリクス基板を用いて表示装置を組み立
て、ｂ−ｂ線に沿った面で切断した断面図である。ガラ
ス基板１上にベースコート膜３が全面に形成され、この
上にゲート電極９を兼ねるゲートバス配線４及びソース
バス配線５が格子状に配列されている。ゲートバス配線
４とソースバス配線５との間には、後述するベース絶縁
膜11が介在している。ゲートバス配線４及びソースバス
配線５に囲まれた矩形の領域には透明導電膜（ITO）か
ら成る絵素電極６が設けられ、マトリクス状のパターン
を構成している。絵素電極６の隅部付近にはスイッチン
グ素子としてTFT7が配置され、TFT7と絵素電極６とはド
レイン電極13によって電気的に接続されている。TFT7は
ゲートバス配線４上に設けられ、ソースバス配線５とは
枝配線８で接続されている。
TFT7付近の構成を第8B図を用いて説明する。ゲートバ
ス配線４の一部として形成されるゲート電極９上に、ゲ
ート電極９の表面を陽極酸化して得られるゲート絶縁膜
10が形成されている。この上から、ゲート絶縁膜として
も機能するベース絶縁膜11、アモルファスシリコン（ａ
−Si）から成る真性半導体層12、真性半導体層12の上面
を保護する保護膜16、後に形成されるソース電極15及び
ドレイン電極13とオーミックコンタクトを得るためのｎ
−型半導体層14が積層されている。更に、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極６と接続されたド
レイン電極13が形成されている。TFT7及び絵素電極６の
上面を覆ったほぼ全面に保護膜17が被覆され、さらにそ
の上から配向膜19が形成されている。ガラス基板１に対
向する他方のガラス基板20の内面にはカラーフィルタ層
21、対向電極22、及び配向膜23が重畳形成されている。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体として、
液晶分子18が封入されている。特にカラー表示を行う場
合には色再現性を良くするために、絵素電極の外周の部
分に重なるようにして、アクティブマトリクス基板上又
はこれに対向する基板上に遮光膜（図示せず）が設けら
れる場合が多い。
ス配線４の一部として形成されるゲート電極９上に、ゲ
ート電極９の表面を陽極酸化して得られるゲート絶縁膜
10が形成されている。この上から、ゲート絶縁膜として
も機能するベース絶縁膜11、アモルファスシリコン（ａ
−Si）から成る真性半導体層12、真性半導体層12の上面
を保護する保護膜16、後に形成されるソース電極15及び
ドレイン電極13とオーミックコンタクトを得るためのｎ
−型半導体層14が積層されている。更に、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極６と接続されたド
レイン電極13が形成されている。TFT7及び絵素電極６の
上面を覆ったほぼ全面に保護膜17が被覆され、さらにそ
の上から配向膜19が形成されている。ガラス基板１に対
向する他方のガラス基板20の内面にはカラーフィルタ層
21、対向電極22、及び配向膜23が重畳形成されている。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体として、
液晶分子18が封入されている。特にカラー表示を行う場
合には色再現性を良くするために、絵素電極の外周の部
分に重なるようにして、アクティブマトリクス基板上又
はこれに対向する基板上に遮光膜（図示せず）が設けら
れる場合が多い。
（発明が解決しようとする課題） 上述のようなマトリクス表示装置に於いては、表示用
電極に接続される駆動用配線、又はTFTに接続される走
査線及び信号線と、表示用電極及びTFTの間の絵素電極
駆動配線とを含む駆動用配線に、断線不良が生じる場合
がある。また、絵素電極駆動配線と絵素電極との間にコ
ンタクト不良が生じる場合がある。このような不良が発
生した場合には、線状欠陥或いは絵素欠陥が生じる。こ
のような欠陥の発生は製造歩留りを大幅に低下させるの
で、製造上大きな問題となる。
電極に接続される駆動用配線、又はTFTに接続される走
査線及び信号線と、表示用電極及びTFTの間の絵素電極
駆動配線とを含む駆動用配線に、断線不良が生じる場合
がある。また、絵素電極駆動配線と絵素電極との間にコ
ンタクト不良が生じる場合がある。このような不良が発
生した場合には、線状欠陥或いは絵素欠陥が生じる。こ
のような欠陥の発生は製造歩留りを大幅に低下させるの
で、製造上大きな問題となる。
近年、マトリクス表示装置の欠陥部分を修正する技術
の開発が行われている。特開昭61−56382号公報には、
電極に断線不良或いはコンタクト不良が発生した場合
に、レーザ光を該不良部分に照射して電極金属を局部的
に溶融させ、導通不良を回復する技術が開示されてい
る。しかし、このような技術を用いても、溶融させる金
属層の厚みや断線の状態によっては導通不良の回復が不
可能な場合がある。
の開発が行われている。特開昭61−56382号公報には、
電極に断線不良或いはコンタクト不良が発生した場合
に、レーザ光を該不良部分に照射して電極金属を局部的
に溶融させ、導通不良を回復する技術が開示されてい
る。しかし、このような技術を用いても、溶融させる金
属層の厚みや断線の状態によっては導通不良の回復が不
可能な場合がある。
前述の線状欠陥或いは絵素欠陥の発生位置を特定する
には、表示装置を実際に作動させた状態で行う方法が、
簡単で正確なので適している。表示装置を作動させた状
態で、これらの欠陥は拡大鏡等を用いて容易に視認され
る。これに比べ、表示装置組み立て前の基板の状態で欠
陥の発生位置を特定するには、極めて高精度の測定機器
を使用した、複雑な検査工程を経なければならない。一
方、前述のレーザ光を用いた導通不良の修正作業は通
常、表示装置組み立て前の基板の状態で行われる。特に
各絵素電極にスイッチング素子を備えた表示装置では、
表示装置を組み立てた後にレーザ光を照射すると、発生
する熱によって絵素電極と表示媒体との間の絶縁性が悪
くなる。絶縁性が悪くなると、スイッチング素子が存在
しても絵素電極の電位を保つことができなくなる。この
ような状態では絵素欠陥は修正され得ず、再び絵素欠陥
を生じてしまう。そのため、実際にはこれらの不良の修
正は、基板の状態で行われている。
には、表示装置を実際に作動させた状態で行う方法が、
簡単で正確なので適している。表示装置を作動させた状
態で、これらの欠陥は拡大鏡等を用いて容易に視認され
る。これに比べ、表示装置組み立て前の基板の状態で欠
陥の発生位置を特定するには、極めて高精度の測定機器
を使用した、複雑な検査工程を経なければならない。一
方、前述のレーザ光を用いた導通不良の修正作業は通
常、表示装置組み立て前の基板の状態で行われる。特に
各絵素電極にスイッチング素子を備えた表示装置では、
表示装置を組み立てた後にレーザ光を照射すると、発生
する熱によって絵素電極と表示媒体との間の絶縁性が悪
くなる。絶縁性が悪くなると、スイッチング素子が存在
しても絵素電極の電位を保つことができなくなる。この
ような状態では絵素欠陥は修正され得ず、再び絵素欠陥
を生じてしまう。そのため、実際にはこれらの不良の修
正は、基板の状態で行われている。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、駆動用配線に断線が生じた場合、あるいはス
イッチング素子と絵素電極との間にコンタクト不良が発
生した場合に、該不良部分を確実に修復することがで
き、しかも、絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表
示装置の状態で、上記絵素欠陥の修復を確実に行うこと
ができるアクティブマトリクス表示装置を提供すること
を目的とする。
たもので、駆動用配線に断線が生じた場合、あるいはス
イッチング素子と絵素電極との間にコンタクト不良が発
生した場合に、該不良部分を確実に修復することがで
き、しかも、絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表
示装置の状態で、上記絵素欠陥の修復を確実に行うこと
ができるアクティブマトリクス表示装置を提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段） この発明に係るアクティブマトリクス表示装置は、少
なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該基板間
に挿入され印加電圧に応答して光学特性が変調される表
示媒体と、前記一対の基板の何れか一方の基板の一主面
上にマトリクス状に配された、前記表示媒体に電圧を印
加して絵素毎の表示パターンを生起する複数の絵素電極
と、該絵素電極を駆動するためのスイッチング素子と、
該スイッチング素子と該絵素電極との間を接続する絵素
電極駆動配線、及び前記スイッチング素子に接続された
走査線と信号線を含む駆動用配線と、前記絵素電極の中
央領域を除いて前記一方の基板の実質的に全面を覆う、
前記駆動用配線としての走査線と信号線、及び絵素電極
駆動配線とは異なる導体層からなる導電性遮光膜とを備
えている。
なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該基板間
に挿入され印加電圧に応答して光学特性が変調される表
示媒体と、前記一対の基板の何れか一方の基板の一主面
上にマトリクス状に配された、前記表示媒体に電圧を印
加して絵素毎の表示パターンを生起する複数の絵素電極
と、該絵素電極を駆動するためのスイッチング素子と、
該スイッチング素子と該絵素電極との間を接続する絵素
電極駆動配線、及び前記スイッチング素子に接続された
走査線と信号線を含む駆動用配線と、前記絵素電極の中
央領域を除いて前記一方の基板の実質的に全面を覆う、
前記駆動用配線としての走査線と信号線、及び絵素電極
駆動配線とは異なる導体層からなる導電性遮光膜とを備
えている。
また、本アクティブマトリクス表示装置では、該導電
性遮光膜は、複数に分割され、前記絵素電極の外周部、
前記駆動用配線としての走査線、信号線及び絵素電極駆
動配線に絶縁膜を介して対向するよう構成されており、
前記他方の基板内面には前記絵素電極と協働して前記表
示媒体に電圧を印加する対向電極が形成されている。
性遮光膜は、複数に分割され、前記絵素電極の外周部、
前記駆動用配線としての走査線、信号線及び絵素電極駆
動配線に絶縁膜を介して対向するよう構成されており、
前記他方の基板内面には前記絵素電極と協働して前記表
示媒体に電圧を印加する対向電極が形成されている。
さらに前記表示媒体は、前記絵素の欠陥検出時に前記
絵素電極へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥
絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵
素表示パターンとを呈するようになっており、前記絶縁
層を介して対置された前記導電性遮光膜と前記絵素電極
の外周部、前記走査線、前記信号線及び前記絵素電極駆
動配線とは、前記欠陥絵素を修正するための絵素修正部
を構成している。
絵素電極へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥
絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵
素表示パターンとを呈するようになっており、前記絶縁
層を介して対置された前記導電性遮光膜と前記絵素電極
の外周部、前記走査線、前記信号線及び前記絵素電極駆
動配線とは、前記欠陥絵素を修正するための絵素修正部
を構成している。
該絵素修正部は、前記透光性を有する基板を介して照
射されるエネルギー光線により前記絶縁層と、前記導電
性遮光膜と、前記絵素電極の外周部、前記走査線、前記
信号線若しくは絵素電極駆動配線とが相互溶融し、かつ
固化時に前記導電性遮光膜と前記絵素電極の外周部、前
記走査線、前記信号線若しくは絵素電極駆動配線とが電
気的に接続される部材からなり、絶縁保護膜を介して前
記表示媒体から隔離されている。そのことにより上記目
的が達成される。
射されるエネルギー光線により前記絶縁層と、前記導電
性遮光膜と、前記絵素電極の外周部、前記走査線、前記
信号線若しくは絵素電極駆動配線とが相互溶融し、かつ
固化時に前記導電性遮光膜と前記絵素電極の外周部、前
記走査線、前記信号線若しくは絵素電極駆動配線とが電
気的に接続される部材からなり、絶縁保護膜を介して前
記表示媒体から隔離されている。そのことにより上記目
的が達成される。
（作用） この発明のアクティブマトリクス表示装置において
は、表示媒体が、前記絵素の欠陥検出時に前記絵素電極
へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素とで
互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示パ
ターンとを呈するので、絵素欠陥の発生位置を簡単かつ
正確に特定することができる。
は、表示媒体が、前記絵素の欠陥検出時に前記絵素電極
へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素とで
互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示パ
ターンとを呈するので、絵素欠陥の発生位置を簡単かつ
正確に特定することができる。
また、修正用配線としても機能する導電性遮光膜と、
絵素電極の外周部及び駆動用配線とが、絶縁膜を介して
重畳され、該導電性遮光膜が複数に分割されている。こ
の構成により、駆動用配線に断線不良が発生している場
合、或いは絵素電極駆動配線と絵素電極との間にコンタ
クト不良等が発生している場合には、容易に該不良箇所
を修復することができる。即ち、不良箇所の両側の駆動
用配線或いは絵素電極と導電性遮光膜との重畳部にレー
ザ光を照射することによって修復することができる。レ
ーザ光が照射されると、駆動用配線或いは絵素電極と導
電性遮光膜との間の絶縁膜が破壊され、上記不良が解消
される。
絵素電極の外周部及び駆動用配線とが、絶縁膜を介して
重畳され、該導電性遮光膜が複数に分割されている。こ
の構成により、駆動用配線に断線不良が発生している場
合、或いは絵素電極駆動配線と絵素電極との間にコンタ
クト不良等が発生している場合には、容易に該不良箇所
を修復することができる。即ち、不良箇所の両側の駆動
用配線或いは絵素電極と導電性遮光膜との重畳部にレー
ザ光を照射することによって修復することができる。レ
ーザ光が照射されると、駆動用配線或いは絵素電極と導
電性遮光膜との間の絶縁膜が破壊され、上記不良が解消
される。
更に、本発明の表示装置は、駆動用配線及び絵素電極
と、導電性遮光膜との重畳部分を保護膜で覆った構成を
有する。そのため、表示装置を組み立てた後にレーザ光
を照射しても、発生する熱によって絵素電極と表示媒体
との間の絶縁性の低下が生じることはない。
と、導電性遮光膜との重畳部分を保護膜で覆った構成を
有する。そのため、表示装置を組み立てた後にレーザ光
を照射しても、発生する熱によって絵素電極と表示媒体
との間の絶縁性の低下が生じることはない。
（実施例） 以下、まず本発明の基本的な構成について説明する。
第１図は単純マトリクス形の表示装置の断面構成を示
し、図中、31は該表示装置を構成するガラス基板で、該
ガラス基板31上にMoから成る修正用配線43（層厚2000
Å）、及び修正用配線43を覆い、基板全面に亙るSiO2か
ら成る絶縁膜42（層厚3000Å）が形成されている。その
上から修正用配線43に重畳して、Mo金属の走査線33（層
厚2000Å）、及び走査線33上に接して走査用透明電極32
（層厚1000Å）が形成されている。更にその上から、Si
O2の絶縁膜34（層厚2000Å）、配向膜35が順次形成され
ている。
第１図は単純マトリクス形の表示装置の断面構成を示
し、図中、31は該表示装置を構成するガラス基板で、該
ガラス基板31上にMoから成る修正用配線43（層厚2000
Å）、及び修正用配線43を覆い、基板全面に亙るSiO2か
ら成る絶縁膜42（層厚3000Å）が形成されている。その
上から修正用配線43に重畳して、Mo金属の走査線33（層
厚2000Å）、及び走査線33上に接して走査用透明電極32
（層厚1000Å）が形成されている。更にその上から、Si
O2の絶縁膜34（層厚2000Å）、配向膜35が順次形成され
ている。
この基板31に対向するガラス基板37上にも同様に、Mo
から成る修正用配線41（層厚2000Å）、及び修正用配線
41を覆い基板全面に亙るSiO2から成る絶縁膜42（層厚30
00Å）が形成されている。その上から修正用配線41に重
畳して、Mo金属の信号線39（層厚2000Å）、及び信号線
39上に接して信号用透明電極38（層厚1000Å）が形成さ
れている。更にその上から、配向膜40が形成されてい
る。前述のガラス基板31とは異なり、ガラス基板37上に
は絶縁膜34に相当する膜は設けられていない。
から成る修正用配線41（層厚2000Å）、及び修正用配線
41を覆い基板全面に亙るSiO2から成る絶縁膜42（層厚30
00Å）が形成されている。その上から修正用配線41に重
畳して、Mo金属の信号線39（層厚2000Å）、及び信号線
39上に接して信号用透明電極38（層厚1000Å）が形成さ
れている。更にその上から、配向膜40が形成されてい
る。前述のガラス基板31とは異なり、ガラス基板37上に
は絶縁膜34に相当する膜は設けられていない。
第２図はガラス基板37側から見たこの表示装置の平面
図である。走査線33は、帯状に形成された走査用透明電
極32の一方の長辺に接して形成され、走査線33と走査用
透明電極32とが重畳する部分では、何れの部分に於いて
も両者の間の電気的接続が保たれている。同様にして、
信号線39は、帯状に形成された信号用透明電極38の一方
の長辺に接して形成され、信号線39と信号用透明電極38
とが重畳する部分では、何れの部分に於いても両者の間
の電気的接続が保たれている。走査用透明電極32の走査
線33に重ならない部分と、信号用透明電極38の信号線39
に重ならない部分とが重畳する領域が表示に寄与する絵
素となる。これらの基板31及び37の間には、表示用媒体
として液晶分子36が封入されている。
図である。走査線33は、帯状に形成された走査用透明電
極32の一方の長辺に接して形成され、走査線33と走査用
透明電極32とが重畳する部分では、何れの部分に於いて
も両者の間の電気的接続が保たれている。同様にして、
信号線39は、帯状に形成された信号用透明電極38の一方
の長辺に接して形成され、信号線39と信号用透明電極38
とが重畳する部分では、何れの部分に於いても両者の間
の電気的接続が保たれている。走査用透明電極32の走査
線33に重ならない部分と、信号用透明電極38の信号線39
に重ならない部分とが重畳する領域が表示に寄与する絵
素となる。これらの基板31及び37の間には、表示用媒体
として液晶分子36が封入されている。
上述の構成を有するマトリクス基板を全面駆動するこ
とにより、絵素欠陥の位置が特定される。走査線33又は
信号線39に断線が生じている場合には、断線部を始点と
する線欠陥が発生する。走査線33及び信号線39の何れに
断線が発生しているかは、発生した線欠陥の方向によっ
て知ることができる。断線が走査線33に発生している場
合には、該断線部の両側の走査線33とそれら走査線下方
の修正用配線43とにレーザ光を照射して絶縁膜42を破壊
し、、走査線33と修正用配線43との間を電気的に接続す
る。同様に、断線が信号線39に発生している場合には、
該断線部の両側の信号線39とそれら信号線の下方の修正
用配線41とにレーザ光を照射して絶縁膜42を破壊し、信
号線39と修正用配線41との間を電気的に接続する。以上
のようにして欠陥を修正することができる。
とにより、絵素欠陥の位置が特定される。走査線33又は
信号線39に断線が生じている場合には、断線部を始点と
する線欠陥が発生する。走査線33及び信号線39の何れに
断線が発生しているかは、発生した線欠陥の方向によっ
て知ることができる。断線が走査線33に発生している場
合には、該断線部の両側の走査線33とそれら走査線下方
の修正用配線43とにレーザ光を照射して絶縁膜42を破壊
し、、走査線33と修正用配線43との間を電気的に接続す
る。同様に、断線が信号線39に発生している場合には、
該断線部の両側の信号線39とそれら信号線の下方の修正
用配線41とにレーザ光を照射して絶縁膜42を破壊し、信
号線39と修正用配線41との間を電気的に接続する。以上
のようにして欠陥を修正することができる。
次に、本発明の一実施例によるアクティブマトリクス
表示装置について説明する。第3A図にその表示装置に用
いられるアクティブマトリクス基板の平面図を示す。第
3B図に第3A図のアクティブマトリクス基板を用いた表示
装置の、第3A図に於けるＢ−Ｂ線に沿った断面図を示
す。ガラス基板１上にTa、Al、Mo、Ni等の単層若しくは
多層金属膜、又は樹脂等から成る導電性遮光膜２が形成
されている。本実施例では厚さ約3000ÅのTaを用いた。
導電性遮光膜２は、後に形成される絵素電極６の外周部
とゲートバス配線４とソースバス配線５とに一部重畳す
るように枠状に形成され、更に枠の周方向に沿って４個
の部分2a〜2dに分割されている。導電性遮光膜２を覆い
基板１の全面に亙って、Ta2O5、Al2O3、Si3N4等から成
るべースコート膜３（層厚約3000Å）が堆積され、走査
線として作用するゲートバス配線４（層厚4000Å）、及
び信号線として作用するソースバス配線５（層厚3000
Å）が格子状に形成されている。ゲートバス配線４は一
般にTa、Al、Ti、Ni、Mo等の単層若しくは多層金属膜で
形成されるが、本実施例ではTaを使用している。ソース
バス配線５も同様の金属で形成されるが、本実施例では
Tiを使用している。ゲートバス配線４とソースバス配線
５の交差位置には、後述するベース絶縁膜11が介在して
いる。ゲートバス配線４及びソースバス配線５で囲まれ
た矩形の領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極６が配置され、マトリクス状の絵素パターンを構成し
ている。絵素電極６の隅部付近にはスイッチング素子と
してTFT7が配置される。TFT7はゲートバス配線４上に形
成される。TFT7のソース電極15とソースバス配線５と
は、枝配線８によって接続されている。TFT7と絵素電極
６とはドレイン電極13によって電気的に接続されてい
る。
表示装置について説明する。第3A図にその表示装置に用
いられるアクティブマトリクス基板の平面図を示す。第
3B図に第3A図のアクティブマトリクス基板を用いた表示
装置の、第3A図に於けるＢ−Ｂ線に沿った断面図を示
す。ガラス基板１上にTa、Al、Mo、Ni等の単層若しくは
多層金属膜、又は樹脂等から成る導電性遮光膜２が形成
されている。本実施例では厚さ約3000ÅのTaを用いた。
導電性遮光膜２は、後に形成される絵素電極６の外周部
とゲートバス配線４とソースバス配線５とに一部重畳す
るように枠状に形成され、更に枠の周方向に沿って４個
の部分2a〜2dに分割されている。導電性遮光膜２を覆い
基板１の全面に亙って、Ta2O5、Al2O3、Si3N4等から成
るべースコート膜３（層厚約3000Å）が堆積され、走査
線として作用するゲートバス配線４（層厚4000Å）、及
び信号線として作用するソースバス配線５（層厚3000
Å）が格子状に形成されている。ゲートバス配線４は一
般にTa、Al、Ti、Ni、Mo等の単層若しくは多層金属膜で
形成されるが、本実施例ではTaを使用している。ソース
バス配線５も同様の金属で形成されるが、本実施例では
Tiを使用している。ゲートバス配線４とソースバス配線
５の交差位置には、後述するベース絶縁膜11が介在して
いる。ゲートバス配線４及びソースバス配線５で囲まれ
た矩形の領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極６が配置され、マトリクス状の絵素パターンを構成し
ている。絵素電極６の隅部付近にはスイッチング素子と
してTFT7が配置される。TFT7はゲートバス配線４上に形
成される。TFT7のソース電極15とソースバス配線５と
は、枝配線８によって接続されている。TFT7と絵素電極
６とはドレイン電極13によって電気的に接続されてい
る。
TFT7付近の構成を第3B図に従って説明する。ガラス基
板１上に導電性遮光膜2dが形成され、この遮光膜2dを覆
い基板全面に亙って、ベースコート膜３が形成されてい
る。ベースコート膜３上には、ゲートバス配線４の一部
として形成されるTaのゲート電極９が形成される。その
上には、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa
2O3から成るゲート絶縁膜10が形成されている。ゲート
絶縁膜10上には、ゲート絶縁膜としても機能しているSi
Nx（例えばSi3N4）のベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導
体層12、SiNxから成る半導体保護膜16、ソース電極及び
ドレイン電極とオーミックコンタクトを得るための、ａ
−Siから成るｎ型半導体層14が順次積層されている。ｎ
型半導体層14上には、枝配線８と接続されたソース電極
15、及び絵素電極６と接続されたドレイン電極13が形成
されている。半導体保護膜16は真性半導体層12の上面を
保護し、ソース電極15とドレイン電極13とをエッチング
によって分離する際にエッチングストッパとして作用
し、真性半導体層12が電極エッチング液に曝されるのを
防止する。ソース電極15及びドレイン電極13は、Ti、N
i、Al等によって形成される。絵素電極６はベース絶縁
膜11上にパターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは
1500Å〜6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000
Å〜3500Åに設定している。TFT7及び絵素電極６の上面
を覆ってほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、
保護膜17上には表示媒体である液晶分子18の配向を規制
する配向膜19が堆積されている。配向19はSiO2、ポリイ
ミド系樹脂等から成る。保護膜17の厚さは2000Å〜1000
0Å程度が適当であるが、本実施例では5000Å前後に設
定している。尚、ベース絶縁膜11及び保護膜17としては
SiNx以外に、SiOx、Ta2O5、Al2O3、TiO2、Y2O3等の酸化
物や窒化物を用いることができる。また、保護膜17と絵
素電極６との間の電気二重層の形成を防止するために、
保護膜17を絵素電極６の中央部で除去した窓あき構造と
してもよい。
板１上に導電性遮光膜2dが形成され、この遮光膜2dを覆
い基板全面に亙って、ベースコート膜３が形成されてい
る。ベースコート膜３上には、ゲートバス配線４の一部
として形成されるTaのゲート電極９が形成される。その
上には、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa
2O3から成るゲート絶縁膜10が形成されている。ゲート
絶縁膜10上には、ゲート絶縁膜としても機能しているSi
Nx（例えばSi3N4）のベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導
体層12、SiNxから成る半導体保護膜16、ソース電極及び
ドレイン電極とオーミックコンタクトを得るための、ａ
−Siから成るｎ型半導体層14が順次積層されている。ｎ
型半導体層14上には、枝配線８と接続されたソース電極
15、及び絵素電極６と接続されたドレイン電極13が形成
されている。半導体保護膜16は真性半導体層12の上面を
保護し、ソース電極15とドレイン電極13とをエッチング
によって分離する際にエッチングストッパとして作用
し、真性半導体層12が電極エッチング液に曝されるのを
防止する。ソース電極15及びドレイン電極13は、Ti、N
i、Al等によって形成される。絵素電極６はベース絶縁
膜11上にパターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは
1500Å〜6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000
Å〜3500Åに設定している。TFT7及び絵素電極６の上面
を覆ってほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、
保護膜17上には表示媒体である液晶分子18の配向を規制
する配向膜19が堆積されている。配向19はSiO2、ポリイ
ミド系樹脂等から成る。保護膜17の厚さは2000Å〜1000
0Å程度が適当であるが、本実施例では5000Å前後に設
定している。尚、ベース絶縁膜11及び保護膜17としては
SiNx以外に、SiOx、Ta2O5、Al2O3、TiO2、Y2O3等の酸化
物や窒化物を用いることができる。また、保護膜17と絵
素電極６との間の電気二重層の形成を防止するために、
保護膜17を絵素電極６の中央部で除去した窓あき構造と
してもよい。
絵素電極６の形成されたガラス基板１に対向する他方
のガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素
電極６に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成
されている。
のガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素
電極６に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成
されている。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体とし
て、ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18
が封入され、絵素電極６と対向電極22との間の電圧印加
に応答して配向変換されることにより光学的変調が行わ
れる。
て、ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18
が封入され、絵素電極６と対向電極22との間の電圧印加
に応答して配向変換されることにより光学的変調が行わ
れる。
上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置の全
ゲートバス配線４及び全ソースバス配線５から、TFT7を
介して全絵素電極６を駆動することによって、絵素欠陥
の発生位置を光学的に特定することができる。
ゲートバス配線４及び全ソースバス配線５から、TFT7を
介して全絵素電極６を駆動することによって、絵素欠陥
の発生位置を光学的に特定することができる。
絵素欠陥は導電性遮光膜２を用いて修復される。第４
図はソースバス配線５の断線部が修復される様子を模式
的に示した図である。第４図の矢印24で示すように、透
明性基板１側から断線部の両側の、導電性遮光膜２とソ
ースバス配線５とが重畳する部分に、レーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱源からのエネルギーが照射さ
れる。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光の
照射によってベースコート膜３及びベース絶縁膜11が破
壊され、導電性遮光膜２とソースバス配線５とが相互に
溶融して接続される。このようにして断線部の一方の側
のソースバス配線５部分と、他方の側のソースバス配線
５部分とが導電性遮光膜２を介して電気的に接続され、
断線部が修復される。ゲートバス配線４に断線が生じて
いる場合にも同様にして修復することができる。この場
合には、レーザ光照射によってゲートバス配線４と導電
性遮光膜２との間のベースコート膜３が破壊され、ゲー
トバス配線４と導電性遮光膜２とが電気的に接続され
る。絵素電極６とドレイン電極13との間にコンタクト不
良が生じている場合には、絵素電極６と導電性遮光膜２
との重畳部分、及び導電性遮光膜２とドレイン電極13と
の重畳部分にレーザ光が照射される。これらの部分にレ
ーザ光を照射することによって、ドレイン電極13と絵素
電極６とが導電性遮光膜２を介して電気的に接続され
る。
図はソースバス配線５の断線部が修復される様子を模式
的に示した図である。第４図の矢印24で示すように、透
明性基板１側から断線部の両側の、導電性遮光膜２とソ
ースバス配線５とが重畳する部分に、レーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱源からのエネルギーが照射さ
れる。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光の
照射によってベースコート膜３及びベース絶縁膜11が破
壊され、導電性遮光膜２とソースバス配線５とが相互に
溶融して接続される。このようにして断線部の一方の側
のソースバス配線５部分と、他方の側のソースバス配線
５部分とが導電性遮光膜２を介して電気的に接続され、
断線部が修復される。ゲートバス配線４に断線が生じて
いる場合にも同様にして修復することができる。この場
合には、レーザ光照射によってゲートバス配線４と導電
性遮光膜２との間のベースコート膜３が破壊され、ゲー
トバス配線４と導電性遮光膜２とが電気的に接続され
る。絵素電極６とドレイン電極13との間にコンタクト不
良が生じている場合には、絵素電極６と導電性遮光膜２
との重畳部分、及び導電性遮光膜２とドレイン電極13と
の重畳部分にレーザ光が照射される。これらの部分にレ
ーザ光を照射することによって、ドレイン電極13と絵素
電極６とが導電性遮光膜２を介して電気的に接続され
る。
上述のレーザ光の照射による断線或いはコンタクト不
良部分の修復は、保護膜17とガラス基板１との間で行わ
れる。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ光を透過さ
せる。そのため、レーザ光は金属材から成る駆動用配線
或いは導電性遮光膜２に吸収され、これを瞬時に加熱溶
融させる。従って、レーザ光照射に際して金属材とこれ
に挟まれた層間絶縁膜は互いに溶融混合されるが、保護
膜17が破壊されることはない。そして、絵素電極６と表
示媒体である液晶分子18との間の絶縁性の低下も生じな
いので、再び絵素欠陥を生じこともない。
良部分の修復は、保護膜17とガラス基板１との間で行わ
れる。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ光を透過さ
せる。そのため、レーザ光は金属材から成る駆動用配線
或いは導電性遮光膜２に吸収され、これを瞬時に加熱溶
融させる。従って、レーザ光照射に際して金属材とこれ
に挟まれた層間絶縁膜は互いに溶融混合されるが、保護
膜17が破壊されることはない。そして、絵素電極６と表
示媒体である液晶分子18との間の絶縁性の低下も生じな
いので、再び絵素欠陥を生じこともない。
このように本実施例では、表示媒体は、前記絵素の欠
陥検出時に前記絵素電極へ印加される電圧に応答して、
正常絵素と欠陥絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パ
ターンと欠陥絵素表示パターンとを呈するので、絵素欠
陥の発生位置を簡単かつ正確に特定することができる。
陥検出時に前記絵素電極へ印加される電圧に応答して、
正常絵素と欠陥絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パ
ターンと欠陥絵素表示パターンとを呈するので、絵素欠
陥の発生位置を簡単かつ正確に特定することができる。
また、導電性遮光膜２を、複数に分割され、該絵素電
極６の外周部、該駆動用配線としての走査線（ゲートバ
ス配線）４、信号線（ソースバス配線）５及び絵素電極
駆動配線（ドレイン電極）13に絶縁膜３、11を介して対
向する構造としているため、該駆動用配線に断線不良が
発生している場合や、絵素電極駆動配線（ドレイン電
極）13と絵素電極６との間にコンタクト不良が発生して
いる場合には、不良箇所の両側の駆動用配線4,5,13や、
絵素電極６と導電性遮光膜２との重畳部分にレーザ光を
照射することにより、該不良箇所を修復することができ
る。
極６の外周部、該駆動用配線としての走査線（ゲートバ
ス配線）４、信号線（ソースバス配線）５及び絵素電極
駆動配線（ドレイン電極）13に絶縁膜３、11を介して対
向する構造としているため、該駆動用配線に断線不良が
発生している場合や、絵素電極駆動配線（ドレイン電
極）13と絵素電極６との間にコンタクト不良が発生して
いる場合には、不良箇所の両側の駆動用配線4,5,13や、
絵素電極６と導電性遮光膜２との重畳部分にレーザ光を
照射することにより、該不良箇所を修復することができ
る。
また、上記導電性遮光膜２と駆動用配線4,5,13及び絵
素電極６とが対向する部分を、保護膜17によって被覆し
ているため、表示装置の組立後に上記レーザ照射を行っ
ても、絵素電極６と表示媒体である液晶との絶縁性が劣
化することはなく、このため絵素欠陥の発生位置を容易
に特定できる表示装置の状態で、上記絵素欠陥の修復を
行うことができる。
素電極６とが対向する部分を、保護膜17によって被覆し
ているため、表示装置の組立後に上記レーザ照射を行っ
ても、絵素電極６と表示媒体である液晶との絶縁性が劣
化することはなく、このため絵素欠陥の発生位置を容易
に特定できる表示装置の状態で、上記絵素欠陥の修復を
行うことができる。
本実施例では、導電性遮光膜２は各絵素電極６毎に設
けられているので、その形状が各絵素電極６を囲む枠状
を呈している。導電性遮光膜２の形状はそれに限らず、
所定の分割部分が隣接する絵素電極を囲んでいる遮光膜
の所定の分割部分と一体的に連続して形成されたものと
してもよい。導電性遮光膜２の分割の態様は、上述の実
施例に於ける４分割に限らず必要に応じて幾つに分割し
てもよい。また、第５図に示すように、導電性遮光膜２
はガラス基板１上に設けないで、ゲートバス配線４、ソ
ースバス配線５、TFT7、ドレイン電極13、絵素電極６等
の上に絶縁膜30を介して積層することもできる。この場
合にはベースコート膜３は必ずしも必要ではない。
けられているので、その形状が各絵素電極６を囲む枠状
を呈している。導電性遮光膜２の形状はそれに限らず、
所定の分割部分が隣接する絵素電極を囲んでいる遮光膜
の所定の分割部分と一体的に連続して形成されたものと
してもよい。導電性遮光膜２の分割の態様は、上述の実
施例に於ける４分割に限らず必要に応じて幾つに分割し
てもよい。また、第５図に示すように、導電性遮光膜２
はガラス基板１上に設けないで、ゲートバス配線４、ソ
ースバス配線５、TFT7、ドレイン電極13、絵素電極６等
の上に絶縁膜30を介して積層することもできる。この場
合にはベースコート膜３は必ずしも必要ではない。
上記実施例はTFTを用いたアクティブマトリクス液晶
表示装置であるが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。本発明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等のス
イッチング素子を用いた表示装置にも適用可能である。
表示装置であるが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。本発明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等のス
イッチング素子を用いた表示装置にも適用可能である。
また、本発明は表示媒体として、薄膜発光層、分散型
EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置にも
適用することができる。
EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置にも
適用することができる。
（発明の効果） 以上のように本発明に係るアクティブマトリクス表示
装置によれば、表示媒体が、絵素の欠陥検出時に絵素電
極へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素と
で互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示
パターンとを呈するので、絵素欠陥の発生位置を簡単か
つ正確に特定することができる。
装置によれば、表示媒体が、絵素の欠陥検出時に絵素電
極へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素と
で互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示
パターンとを呈するので、絵素欠陥の発生位置を簡単か
つ正確に特定することができる。
また、絶縁層を介して対置された導電性遮光膜と前記
絵素電極の外周部、走査線、信号線及び絵素電極駆動配
線とにより、欠陥絵素を修正するための絵素修正部を構
成し、該絵素修正部を、透光性を有する基板を介して照
射されるエネルギー光線により前記絶縁層と前記導電性
遮光膜と前記絵素電極の外周部、前記走査線、前記信号
線若しくは絵素電極駆動配線とが相互溶融し、かつ固化
時に前記導電性遮光膜と前記絵素電極の外周部、前記走
査線、前記信号線若しくは絵素電極駆動配線とが電気的
に接続される部材から構成しているので、該駆動用配線
に断線不良が発生している場合や、絵素電極駆動配線と
絵素電極との間にコンタクト不良が発生している場合に
は、不良箇所の両側の駆動用配線あるいは絵素電極と導
電性遮光膜との重畳部分にレーザ光を照射することによ
り、該不良箇所を確実に修復することができる。
絵素電極の外周部、走査線、信号線及び絵素電極駆動配
線とにより、欠陥絵素を修正するための絵素修正部を構
成し、該絵素修正部を、透光性を有する基板を介して照
射されるエネルギー光線により前記絶縁層と前記導電性
遮光膜と前記絵素電極の外周部、前記走査線、前記信号
線若しくは絵素電極駆動配線とが相互溶融し、かつ固化
時に前記導電性遮光膜と前記絵素電極の外周部、前記走
査線、前記信号線若しくは絵素電極駆動配線とが電気的
に接続される部材から構成しているので、該駆動用配線
に断線不良が発生している場合や、絵素電極駆動配線と
絵素電極との間にコンタクト不良が発生している場合に
は、不良箇所の両側の駆動用配線あるいは絵素電極と導
電性遮光膜との重畳部分にレーザ光を照射することによ
り、該不良箇所を確実に修復することができる。
しかも、上記絵素修正部を、絶縁保護膜を介して前記
表示媒体から隔離しているため、表示装置の組立後に上
記レーザ照射を行っても、絵素電極と表示媒体との絶縁
性が劣化することはなく、このため絵素欠陥の発生位置
を容易に特定できる表示装置の状態で、上記絵素欠陥の
修復を行うことができる。
表示媒体から隔離しているため、表示装置の組立後に上
記レーザ照射を行っても、絵素電極と表示媒体との絶縁
性が劣化することはなく、このため絵素欠陥の発生位置
を容易に特定できる表示装置の状態で、上記絵素欠陥の
修復を行うことができる。
この結果、検査工程及び修復工程が簡略化され、表示
装置の量産化、コスト低減等を図ることができる効果が
ある。
装置の量産化、コスト低減等を図ることができる効果が
ある。
第１図は本発明の基本構成を説明するための単純マトリ
クス表示装置の断面図、第２図は第１図の表示装置を基
板37側からみた平面図、第3A図は本発明の一実施例によ
るアクティブマトリクス表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の平面図、第3B図は第3A図のアクティ
ブマトリクス基板を用いた表示装置の、第3A図に於ける
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、第４図は第3A図の基板上に生
じたソースバス配線の断線部が修復される様子を示す
図、第５図は本発明の他の実施例のTFT近傍の積層構造
を示す図、第６図は従来の単純マトリクス表示装置の一
例を示す図、第７図は第６図の表示装置を基板37側から
見た平面図、第8A図は従来の表示装置に用いられるアク
ティブマトリクス基板の一例を示す平面図、第8B図は第
8A図の基板を用いた表示装置の、第8A図に於けるｂ−ｂ
線に沿った断面図である。 1,20,31,37…ガラス基板、２…導電性遮光膜、３…ベー
スコート膜、４…ゲートバス配線、５…ソースバス配
線、６…絵素電極、７…TFT、９…ゲート電極、11…ベ
ース絶縁膜、13…ドレイン電極、15…ソース電極、17…
保護膜、18,36…液晶分子、19,23,35,40…配向層、21…
カラーフィルタ、22…対向電極、32…走査用透明電極、
33…走査線、34…絶縁膜、38…信号用透明電極、39…信
号線、41,43…修正用配線、42…絶縁膜。
クス表示装置の断面図、第２図は第１図の表示装置を基
板37側からみた平面図、第3A図は本発明の一実施例によ
るアクティブマトリクス表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の平面図、第3B図は第3A図のアクティ
ブマトリクス基板を用いた表示装置の、第3A図に於ける
Ｂ−Ｂ線に沿った断面図、第４図は第3A図の基板上に生
じたソースバス配線の断線部が修復される様子を示す
図、第５図は本発明の他の実施例のTFT近傍の積層構造
を示す図、第６図は従来の単純マトリクス表示装置の一
例を示す図、第７図は第６図の表示装置を基板37側から
見た平面図、第8A図は従来の表示装置に用いられるアク
ティブマトリクス基板の一例を示す平面図、第8B図は第
8A図の基板を用いた表示装置の、第8A図に於けるｂ−ｂ
線に沿った断面図である。 1,20,31,37…ガラス基板、２…導電性遮光膜、３…ベー
スコート膜、４…ゲートバス配線、５…ソースバス配
線、６…絵素電極、７…TFT、９…ゲート電極、11…ベ
ース絶縁膜、13…ドレイン電極、15…ソース電極、17…
保護膜、18,36…液晶分子、19,23,35,40…配向層、21…
カラーフィルタ、22…対向電極、32…走査用透明電極、
33…走査線、34…絶縁膜、38…信号用透明電極、39…信
号線、41,43…修正用配線、42…絶縁膜。
フロントページの続き (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 乾 基一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 今矢 明彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 永安 孝好 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−97919（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板と、 該基板間に挿入され印加電圧に応答して光学特性が変調
される表示媒体と、 前記一対の基板の何れか一方の基板の一主面上にマトリ
クス状に配された、前記表示媒体に電圧を印加して絵素
毎の表示パターンを生起する複数の絵素電極と、 該絵素電極を駆動するためのスイッチング素子と、 該スイッチング素子と該絵素電極との間を接続する絵素
電極駆動配線、及び前記スイッチング素子に接続された
走査線と信号線を含む駆動用配線と、 前記絵素電極の中央領域を除いて前記一方の基板の実質
的に全面を覆う、前記駆動用配線としての走査線と信号
線、及び絵素電極駆動配線とは異なる導体層からなる導
電性遮光膜とを備え、 該導電性遮光膜は、複数に分割され、前記絵素電極の外
周部、前記駆動用配線としての走査線、信号線及び絵素
電極駆動配線に絶縁膜を介して対向するよう構成されて
おり、前記他方の基板内面には前記絵素電極と協働して
前記表示媒体に電圧を印加する対向電極が形成されてい
るアクティブマトリクス表示装置において、 前記表示媒体は、前記絵素の欠陥検出時に前記絵素電極
へ印加される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素とで
互いに相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示パ
ターンとを呈し、 前記絶縁層を介して対置された前記導電性遮光膜と前記
絵素電極の外周部、前記走査線、前記信号線及び前記絵
素電極駆動配線とは、前記欠陥絵素を修正するための絵
素修正部を構成しており、 該絵素修正部は、前記透光性を有する基板を介して照射
されるエネルギー光線により前記絶縁層と前記導電性遮
光膜と前記絵素電極の外周部、前記走査線、前記信号線
若しくは前記絵素電極駆動配線とが相互溶融し、かつ固
化時に前記導電性遮光膜と前記絵素電極の外周部、前記
走査線、前記信号線若しくは前記絵素電極駆動配線とが
電気的に接続される部材からなり、絶縁保護膜を介して
前記表示媒体から隔離されていることを特徴とするアク
ティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782589A JPH0823643B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置 |
| EP90303264A EP0390505B1 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-27 | Matrix display apparatus |
| DE69029675T DE69029675T2 (de) | 1989-03-28 | 1990-03-27 | Matrix-Anzeigevorrichtung |
| KR1019900004138A KR900014920A (ko) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | 매트릭스 표시장치 |
| US07/500,131 US5045753A (en) | 1989-03-28 | 1990-03-28 | Matrix display apparatus with repair wires |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782589A JPH0823643B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254419A JPH02254419A (ja) | 1990-10-15 |
| JPH0823643B2 true JPH0823643B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=13644819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7782589A Expired - Lifetime JPH0823643B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0390505B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0823643B2 (ja) |
| KR (1) | KR900014920A (ja) |
| DE (1) | DE69029675T2 (ja) |
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| JP2712764B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1998-02-16 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型液晶表示装置 |
| DE69212690T2 (de) * | 1991-04-24 | 1997-02-27 | Philips Electronics Nv | Anzeigevorrichtung |
| US5303074A (en) * | 1991-04-29 | 1994-04-12 | General Electric Company | Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices |
| JP3537854B2 (ja) * | 1992-12-29 | 2004-06-14 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US6313889B1 (en) | 1993-03-04 | 2001-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit |
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| AU5674096A (en) * | 1995-05-05 | 1996-11-21 | Specialty Coating Systems, Inc. | Flat panel display with parylene barrier and protective film s |
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| EP2256544A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | Polymer Vision Limited | A method for manufacturing a display panel and a display panel provided with repairable elements. |
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| CN102593095B (zh) * | 2010-09-25 | 2014-03-12 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性显示面板 |
| CN104505392A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、阵列基板的修复方法、显示装置 |
| JP2019185462A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | タッチパネル付き表示装置、及びその修正方法 |
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| US4630355A (en) * | 1985-03-08 | 1986-12-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same |
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1990
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- 1990-03-27 DE DE69029675T patent/DE69029675T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-28 US US07/500,131 patent/US5045753A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-28 KR KR1019900004138A patent/KR900014920A/ko not_active Application Discontinuation
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