JP2000250436A - 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法

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JP2000250436A JP11050140A JP5014099A JP2000250436A JP 2000250436 A JP2000250436 A JP 2000250436A JP 11050140 A JP11050140 A JP 11050140A JP 5014099 A JP5014099 A JP 5014099A JP 2000250436 A JP2000250436 A JP 2000250436A
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film
light
pixel electrode
shielding
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Seiichi Matsumoto
征一 松本
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NEC Corp
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Abstract

(57)【要約】 【課題】工程負荷の増大や表示への影響がなく、かつ信
号線の断線を修正できる薄膜トランジスタアレイの提
供。 【解決手段】ガラス等からなる透明絶縁基板上に、第一
の導電膜より形成された複数本の走査線（１）と、第二
の導電膜より形成された複数本の信号線と、隣り合う走
査線と隣り合う信号線（２）とで囲まれた領域のゲート
絶縁膜上に形成された画素電極と、画素電極に接続され
た薄膜トランジスタ（８）と、第一の導電膜より形成さ
れ、各画素電極の信号線に面した外周部とゲート絶縁膜
を介して遮光用重なり部分（２７）を形成する遮光膜
（３）と、からなる薄膜トランジスタアレイにおいて、
遮光膜（３）の前記信号線に沿った両端付近を信号線側
に突出させ、信号線とゲート絶縁膜を介して重なり合う
修正用重なり部分（２８）を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
アレイに関し、特に、信号線の断線不良を修復可能とし
た薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタアレイでは、歩留まり
を向上することが重要な要素の一つとなっている。特
に、断線不良は１箇所でも存在すると、その薄膜トラン
ジスタアレイそのものが不良となるために、これを断線
不良の発生を低減することは重要である。
【０００３】さらにまた、走査線と信号線を比較した場
合、走査線は、透明絶縁基板上に最初に形成されるため
に、比較的断線不良が少ないのに対し、信号線２はその
下地となるゲート絶縁膜１０がプラズマＣＶＤ法等によ
り成膜される際、成膜時の異物がゲート絶縁膜１０中に
取り込まれたり、一度取り込まれた異物がその後の洗浄
工程等で取り除かれるなどすることが多く、その結果、
ゲート絶縁膜１０上に凹凸が存在するなどして、信号線
２の断線不良発生は比較的多くなる。
【０００４】従って、特に信号線の断線不良を低減する
ことが歩留まりを向上する上で重要な要素となる。
【０００５】この目的のために、従来より、薄膜トラン
ジスタアレイにマトリックス状に配置された画素電極の
領域を取り囲むように修正用の配線を設ける、という技
術が採用されている。
【０００６】しかしながら、この従来技術では、修正用
の配線は画素電極の配置された領域の外側を、この領域
を取り囲むように形成されているため、走査線や信号線
と比較して長い配線となり、抵抗が大きくなってしま
う、という問題がある。
【０００７】さらに、同一配線で複数箇所断線が生じた
場合には、修正用の配線を使用して修正を行っても、断
線箇所に挟まれた部分には信号を供給することは出来な
いために、断線不良となるという問題があった。
【０００８】そこで、例えば特開平２−２５４４１９号
公報には、遮光膜を利用して配線の断線を修正する技術
が開示されている。図１６は、同公報によるマトリクス
表示装置の平面図である。
【０００９】図１６を参照すると、画素電極２６の中央
領域を除いて実質的に基板の全面を覆う導電性遮光膜２
１を備え、この導電性遮光膜２１と、画素電極２６の外
周部及び信号線２４及び走査線２５とが絶縁膜を介して
重畳されているため、走査線や信号線の断線不良が生じ
た場合には、断線部を跨いだ２箇所で配線と導電性遮光
膜２１の重畳された部分にレーザーを照射して、配線と
導電性遮光膜２１の導通をとることにより、断線不良を
修正することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の技術では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）製造の工程
と、薄膜トランジスタアレイの表示品質の点において、
新たに、工程負荷が増大し、表示品質が悪化する、とい
う問題点を有している。
【００１１】すなわち、まず、導電性遮光膜２１を形成
するための工程を新たに追加する必要がある。導電性遮
光膜２１形成のために、成膜やフォトリソグラフィーに
おける露光や現像といった一連の工程が必要となるの
で、工程負荷が増大し、コストや歩留まりの点でも不利
になる。
【００１２】さらにまた、導電性遮光膜２１と、信号線
２４や走査線２５及び画素電極２６の外周部とが絶縁膜
を介して重畳されている面積が大きいために、走査線２
５や信号線２４と、画素電極２６や導電性遮光膜２１と
の間の寄生容量が大きくなる、という問題がある。すな
わち、走査線２５や信号線２４の容量が大きくなること
により、走査線２５や信号線２４の配線時定数が大きく
なり、その結果、走査信号やデータ信号のなまりが大き
くなる。
【００１３】このため、画素電極２６への電荷の書き込
みが不十分になったり、同一配線に接続されている画素
電極２６でも、信号の入力に近いところと遠いところ
で、書き込みの状態が変わるなどして表示に影響を及ぼ
すこととなる。
【００１４】さらに、画素電極２６と、信号線２４や走
査線２５との容量結合により、所定の電荷を保持してい
る画素電極２６の電位が、走査線２５や信号線２４に入
力される信号の電位変化の影響を受けて変調し、表示不
良を生じる等の問題が生じる。
【００１５】なお、例えば特開平９−３２５３５４号公
報には、走査線の断線部をレーザ溶接により蓄積容量電
極を介してバイパス接続して断線を救済する方法が開示
されている。
【００１６】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その主たる目的は、工程負荷の
増大や表示への影響がなく、かつ信号線の断線を修正で
きる薄膜トランジスタアレイを提供することにある。本
発明のこれ以外の目的、特徴、作用効果等は以下の説明
でさらに明らかとされる。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明は、ガラス等からなる透明絶縁基板上に、第一の導電
膜より形成された複数本の走査線と、第二の導電膜より
形成された複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合
う信号線とで囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成され
た画素電極と、画素電極に接続された薄膜トランジスタ
と、第一の導電膜より形成され、各画素電極の信号線に
面した外周部とゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分
を形成する遮光膜と、からなる薄膜トランジスタアレイ
において、遮光膜の前記信号線に沿った両端付近を信号
線側に突出させ、信号線とゲート絶縁膜を介して重なり
合う修正用重なり部分を備えたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明の薄膜トランジスタアレイは、その好まし
い実施の形態において、図１を参照すると、ガラス等か
らなる透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成された
複数本の走査線（１）と、第二の導電膜より形成された
複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線
（２）とで囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成された
画素電極と、画素電極に接続された薄膜トランジスタ
（８）と、第一の導電膜より形成され、各画素電極の信
号線に面した外周部とゲート絶縁膜を介して遮光用重な
り部分（２７）を形成する遮光膜（３）と、からなる薄
膜トランジスタアレイにおいて、遮光膜（３）の信号線
（２）に沿った両端付近を信号線側に突出させて、信号
線とゲート絶縁膜を介して重なり合う修正用重なり部分
（２８）を形成している。
【００１９】信号線（２）の断線が生じた場合には、断
線箇所を跨いだ遮光膜（３）と信号線（２）の修正用重
なり部分（２８）にレーザーを照射することにより、信
号線（２）と遮光膜（３）を電気的に導通させることが
でき、断線不良を救済することができる。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例をなす薄膜トラン
ジスタアレイの構成を示す平面図である。図２は、図１
のそのＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【００２１】図１及び図２を参照すると、ガラス等から
なる透明絶縁基板９上には、第一の導電膜より形成され
た複数本の走査線１と、第二の導電膜より形成された複
数本の信号線２と、隣り合う走査線１と隣り合う信号線
２とで囲まれた領域のゲート絶縁膜１０上に形成された
画素電極４と、これら画素電極４に接続された薄膜トラ
ンジスタ（「ＴＦＴ」という）８と、第一の導電膜より
形成され各画素電極４の信号線２に面した外周部とゲー
ト絶縁膜１０を介して遮光用重なり部分２７を形成する
遮光膜３と、が形成されている。
【００２２】そして本発明の第１の実施例においては、
第一の導電膜により形成された遮光膜３が、画素電極４
の信号線２に面した外周部とゲート絶縁膜１０を介して
遮光用重なり部分を形成し、遮光膜３の図において上下
両端付近を信号線２側に突出させ、信号線２とゲート絶
縁膜１０を介して修正用重なり部分２８を形成してい
る。
【００２３】かかる構成においては、信号線２の断線不
良が生じた場合に、遮光膜３と信号線２の修正用重なり
部分にレーザーを照射することにより、信号線２と遮光
膜３を電気的に導通させることができる。
【００２４】信号線２に断線不良が生じた場合でも、遮
光膜３と信号線２の重なり部分にレーザーを照射して両
者を導通させることにより、断線部より先の信号線２に
もデータ信号を供給することができるため、信号線２の
断線不良を修正することができる。
【００２５】この遮光膜３の役割について、さらに詳細
に説明する。遮光膜３は薄膜トランジスタアレイの開口
率を向上するための役割と、信号線２の断線不良を修正
するための二つの役割がある。
【００２６】まず、開口率を向上するための役割につい
て説明する。図１２は、遮光膜３を形成した場合の平面
図であり、図１３は遮光膜３を形成しない場合の平面図
である。また、図１４及び図１５はそれぞれ図１２及び
図１３のＤ−Ｄ′線及びＥ−Ｅ′線に沿った断面図であ
る。
【００２７】図１５に示すように、通常の薄膜トランジ
スタアレイは、ＴＦＴが形成される透明絶縁基板９と、
透明絶縁基板９に対向しかつ色層ａ１８、色層ｂ１９、
色層ｃ２０及びブラックマトリクス１４が形成されるカ
ラーフィルタ１７を貼り合わせ、透明絶縁基板９とカラ
ーフィルタ１７の間隙を液晶で満たすことにより形成さ
れる。
【００２８】ここでに薄膜トランジスタアレイの開口率
を向上するためには、ブラックマトリクス１４の開口部
１５を大きくすることが必要となる。理想的には、画素
電極４の端部とブラックマトリクス開口部１５の端部が
一致するところまでブラックマトリクス開口部１５を広
げるのがよいが、実際には透明絶縁基板９とカラーフィ
ルタ１７の貼り合わせ工程に置いて重ね合わせずれが生
じるために、ブラックマトリクス開口部１５は、図１５
に示すように重ね合わせずれを考慮して画素電極４の端
部よりも５〜７μｍ程度内側になるように形成する必要
があり、開口率的に不利である。
【００２９】さらに、開口率向上のためには、画素電極
４を極力広げる方がよいが、画素電極４と信号線２が同
じゲート絶縁膜１０上の同一平面内に形成されている場
合には、画素電極４と信号線２が近づきすぎると、画素
電極４や信号線２のパターン崩れや導電性異物により両
者の間でショートが生じる可能性が高くなるため、現実
的には、両者のスペースを４〜６μｍ程度確保する必要
があり、これも開口率的に不利である。
【００３０】これに対して、図１２に示すように、信号
線２から所定の距離離れ、かつ画素電極４の端部とゲー
ト絶縁膜１０を介して重なり部分を持つ、第一の導電膜
からなる遮光膜３を形成した場合には、図１４に示すよ
うに、重ね合わせずれは遮光膜３の信号線２側の端部か
らの長さで考慮すればよく、また、遮光膜３は信号線２
と異なる平面上に形成されているために、両者のスペー
スを１〜２μｍ程度と非常に小さくすることができるた
め、遮光膜３が無い場合に比べて、ブラックマトリクス
開口部１５が増大し開口率が向上する、という効果が得
られる。
【００３１】次に本発明の一実施例における信号線２の
断線不良の修復について説明する。
【００３２】図３は、それぞれ信号線２に断線箇所１３
が生じ、これを修正用重なり部分２８にレーザーを照射
することにより、断線不良を修正した場合を示した平面
図であり、図４は、図３のＢ−Ｂ′線に沿った断面図で
ある。
【００３３】まず、信号線４の断線の有無及び断線があ
る場合にはその位置の特定を行う。これは薄膜トランジ
スタアレイの形成が完了した後の不良検出検査により行
う。この検査の目的は、薄膜トランジスタアレイの不良
を検出して修正可能なものは修正し、かつ修正不可能な
ものについては次工程へ流出するのを防止することであ
る。
【００３４】次に、この検査において、信号線２の断線
が検出された場合には、断線箇所１３を挟んだ２箇所の
修正用重なり部分２８にレーザーを照射することで修正
を行う。
【００３５】ちなみに、本実施例では、信号線２の断線
箇所１３が、修正用重なり部分２８に挟まれた領域に存
在する場合にのみ断線の修正が可能となる。
【００３６】そのような断線が生じている場合、遮光膜
３の信号線２に沿った両端付近の修正用重なり部分２８
に、レーザーを照射することにより、図４に示されるよ
うにレーザー照射箇所１２においては、第二の導電膜が
溶解するとともに、第一の導電膜と第二の導電膜の間の
ゲート絶縁膜１０が破壊され、その結果、第一の導電膜
と第二の導電膜が電気的に導通する。
【００３７】従って、信号線２に伝わるデータ信号は、
断線箇所１３ではレーザー照射箇所１２を介して遮光膜
３に迂回して伝わり、断線箇所１３よりも先の信号線２
にもデータ信号を伝えることができるため、断線不良を
修正することができる。
【００３８】しかも、本実施例では、遮光膜３は走査線
１等を形成する第一の導電膜により形成されるために、
新たな工程の追加等の必要がなく、工程負荷が増大する
ことは無い。
【００３９】さらに、信号線２と遮光膜３の修正用重な
り部分２８の面積を小さくすることができる。すなわ
ち、レーザー照射による断線の修正は、修正用重なり部
分２８の面積は数μｍ角あれば可能であるため、信号線
２と画素電極４の間の寄生容量が小さくて済む。
【００４０】その結果、従来技術で、問題であった配線
容量の増大が低減されるため、配線時定数の増大による
表示品質の低下が生じない、という効果が得られる。
【００４１】また、同様に、信号線２と画素電極４の間
の寄生容量が小さくなることにより、画素電極４が受け
る、データ信号の電位変化の影響も小さくなるため、表
示品質の低下を生じることがない。
【００４２】本実施例の薄膜トランジスタアレイの製造
について以下に説明する。図７乃至図１１は、本実施例
の薄膜トランジスタアレイの製造構成を示す図である。
【００４３】ガラス等の透明絶縁基板９上にスパッタ法
等により第一の導電膜を成膜し、フォトリソグラフィー
により走査線１やゲート電極５及び遮光膜３等の所定パ
ターンを形成する（図７参照）。
【００４４】次に、ゲート絶縁膜１０及び半導体膜８を
連続して成膜し、フォトリソグラフィーによりＴＦＴ部
等所定のパターンに半導体膜８を形成し（図８参照）、
続いてフォトリソグラフィーにより、第一の導電膜と第
二の導電膜の導通をとるためのコンタクトホール（図示
しない）を形成する。
【００４５】この後、第二の導電膜を成膜し、フォトリ
ソグラフィーにより信号線２等の所定パターンを形成す
る（図９参照）。
【００４６】さらに、ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜、フ
ォトリソグラフィーにより画素電極４等を形成し（図１
０参照）、最後に保護膜１１を成膜してフォトリソグラ
フィーにより、画素電極４上等の所定部分の保護膜１１
を除去して、薄膜トランジスタの形成を完了する。
【００４７】次に本発明の第二の実施例について図面を
用いて説明する。図５は、本発明の第二の実施例をなす
薄膜トランジスタアレイの構成を示す図である。図６
は、図５のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【００４８】前記した第一の実施例の薄膜トランジスタ
アレイでは、画素電極４がゲート絶縁膜１０上に形成さ
れているが、この実施例は、画素電極４が保護膜１１上
に形成された薄膜トランジスタアレイについて、本発明
を適用したものである。
【００４９】図５及び図６を参照すると、ガラス等から
なる透明絶縁基板９上には、第一の導電膜より形成され
た複数本の走査線１と、第二の導電膜より形成された複
数本の信号線２と、隣り合う走査線１と隣り合う信号線
２とで囲まれた領域の保護膜１１上に形成された画素電
極４と、これら画素電極４に接続された薄膜トランジス
タ８と、第一の導電膜より形成され各画素電極４の信号
線２に面した外周部とゲート絶縁膜１０及び保護膜１１
を介して遮光用重なり部分２７を形成する遮光膜３と、
が形成されている。
【００５０】そして第一の導電膜により形成された遮光
膜３が、画素電極４の信号線２に面した外周部とゲート
絶縁膜１０及び保護膜１１を介して遮光用重なり部分２
７を形成し、かつ遮光膜３の上下両端付近を信号線２側
に突出させ、信号線２とゲート絶縁膜１０を介して修正
用重なり部分２８を形成している。
【００５１】かかる構成においては、前記第一の実施例
と同様に、信号線２の断線不良が生じた場合に遮光膜３
と信号線２の修正用重なり部分２８にレーザーを照射す
ることにより、信号線２と遮光膜３を電気的に導通させ
ることができる。
【００５２】従って信号線２に断線不良が生じた場合で
も、遮光膜３と信号線２の修正用重なり部分２８にレー
ザーを照射して両者を導通させることにより、断線部よ
り先の信号線２にもデータ信号を供給することができる
ため、信号線２の断線不良を修正することができる、と
いう効果がもたらされる。
【００５３】さらに、この遮光膜３の役割は、前記第一
の実施例と同様に、薄膜トランジスタアレイの開口率を
向上するための役割と、信号線２の断線不良を修正する
ための二つである。
【００５４】さらに、本実施例においては、画素電極４
と信号線２は異なる平面上に存在するために、画素電極
４や信号線２のパターン崩れや導電性異物による両者の
間でショート等が生じる可能性が低くなる。
【００５５】また、画素電極４と遮光膜３の間には、ゲ
ート絶縁膜１０及び保護膜１１が積層されているので、
両者の間の膜厚を厚くすることができ、その結果、画素
電極４と遮光膜３及び信号線２との間の寄生容量が小さ
くなり、表示品質の低下をさらに低減する、ことができ
る。
【００５６】このように、本発明の第二の実施例におい
ては、前記第一の実施例と同様に、新たに工程を追加す
ることなど無く、断線不良を修正することができるとと
もに、表示品質の低下のない薄膜トランジスタアレイを
形成することができる。
【００５７】なお、本発明は、正スタガ型ＴＦＴ、逆ス
タガ型ＴＦＴのいずれについても適用できることは勿論
である。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下記記載の効果を奏する。
【００５９】本発明の第１の効果は、遮光膜は走査線等
を形成する第一の導電膜により形成されるために、新た
な工程の追加等の必要がなく、工程負荷が増大すること
は無く、断線不良を修正することができ、製品歩留りを
特段に向上するということである。
【００６０】本発明の第２の効果は、レーザー照射によ
る断線の修正のための、修正用重なり部分の面積は数μ
ｍ角あれば可能であることから、信号線と遮光膜の修正
用重なり部分の面積を小さくすることができ、信号線と
画素電極の間の寄生容量が小さくて済み、このため配線
時定数の増大による表示品位の低下を回避することがで
きる、ということである。
【００６１】本発明の第３の効果は、信号線と画素電極
の間の寄生容量が小さくなることにより、画素電極が受
ける、データ信号の電位変化の影響も小さくなるため、
表示品位の低下を生じることがないということである。
【００６２】本発明の第４の効果は、新たに工程を追加
することなど無く、断線不良を修正することができると
ともに、画素電極と遮光膜の間には、ゲート絶縁膜と保
護膜が積層されているので、両者の間の膜厚を厚くする
ことができ、その結果、画素電極と遮光膜及び信号線と
の間の寄生容量が小さくなり、表示品位の低下をさらに
低減し、良好な表示を得ることができる、ということで
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す平面図であ
る。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例において断線修復の様子
を説明するための図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例の構成を示す平面図であ
る。
【図６】図５のＣ−Ｃ′線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第１の実施例の製造工程を説明するた
めの図である。
【図８】本発明の第１の実施例の製造工程を説明するた
めの図である。
【図９】本発明の第１の実施例の製造工程を説明するた
めの図である。
【図１０】本発明の第１の実施例の製造工程を説明する
ための図である。
【図１１】本発明の第１の実施例の製造工程を説明する
ための図である。
【図１２】遮光膜の役割を説明するための平面図であ
る。
【図１３】遮光膜の役割を説明するための平面図であ
る。
【図１４】遮光膜の役割を説明するための断面図であ
る。
【図１５】遮光膜の役割を説明するための断面図であ
る。
【図１６】従来の薄膜トランジスタアレイの構成を示す
平面図である。
【符号の説明】
１ 走査線 ２ 信号線 ３ 遮光膜 ４ 画素電極 ５ ゲート電極 ６ ドレイン電極 ７ ソース電極 ８ 半導体膜（ＴＦＴ） ９ 透明絶縁基板 １０ ゲート絶縁膜 １１ 保護膜 １２ レーザー照射個所 １３ 断線個所 １５ ブラックマトリクス開口部 １６ 重ね合わせマージン １７ カラーフィルタ １８ 色層ａ １９ 色層ｂ ２０ 色層ｃ ２１ 導電性遮光膜 ２７ 遮光用重なり部分 ２８ 修正用重なり部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA34 JA38 JA42 JB23 JB32 JB33 JB52 JB56 JB73 MA05 MA13 MA30 MA52 NA23 NA27 NA29 5C094 AA13 AA32 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 DA13 DB04 DB08 DB10 EA04 EA10 EB02 ED15 FA01 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 5F110 AA27 BB01 CC05 CC07 DD02 EE44 NN02 NN44 NN54 NN58

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成
    された複数本の走査線と、第二の導電膜より形成された
    複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線と
    で囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成された画素電極
    と、画素電極に接続された薄膜トランジスタと、第一の
    導電膜より形成され各画素電極の前記信号線に面した外
    周部と前記ゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分を形
    成する遮光膜と、を含む薄膜トランジスタアレイにおい
    て、 前記遮光膜は、前記信号線に沿った両端近傍に位置する
    所定領域が、前記信号線側に突出されて、前記信号線と
    ゲート絶縁膜を介して修正用重なり部分を形成している
    ことを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ。
  2. 【請求項２】透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成
    された複数本の走査線と、第二の導電膜より形成された
    複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線と
    で囲まれた領域の保護膜上に形成された画素電極と、前
    記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、第一の導
    電膜より形成され各画素電極の信号線に面した外周部と
    前記ゲート絶縁膜及び保護膜を介して遮光用重なり部分
    を形成する遮光膜と、を含む薄膜トランジスタアレイに
    おいて、 前記遮光膜は、前記信号線に沿った両端近傍に位置する
    所定領域が、前記信号線側に突出されて、前記信号線と
    前記ゲート絶縁膜を介して修正用重なり部分を形成して
    いる、ことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
  3. 【請求項３】基板上に複数の走査線と複数の信号線とが
    それぞれ互いに交叉するように配線されており、前記走
    査線と前記信号線の交叉部に設けられ前記信号線と画素
    電極との間に接続されゲートが前記走査線と接続されて
    なる薄膜トランジスタを複数含む薄膜トランジスタアレ
    イにおいて、 前記画素電極の前記信号線に対向した縁部と絶縁膜を介
    して遮光用重なり部を形成するとともに、前記信号線に
    沿い互いに離間した複数の箇所でそれぞれ前記信号線の
    一側に突出され前記信号線の前記一側端を超えて拡延さ
    れてなる複数の拡延部を有する導電性の遮光膜を備え、 前記遮光膜の前記各拡延部は、それぞれ前記信号線と前
    記絶縁膜を介して一部重なり修正用重なり部分を形成し
    ており、 前記信号線に断線が生じた場合には、前記信号線の断線
    箇所をバイパスして前記遮光膜と前記信号線との前記修
    正用重なり部分をレーザー溶接により短絡導通させるこ
    とで、前記断線不良を救済可能に構成されてなる、こと
    を特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
  4. 【請求項４】透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成
    された複数本の走査線と、第二の導電膜より形成された
    複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線と
    で囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成された画素電極
    と、画素電極に接続された薄膜トランジスタと、第一の
    導電膜より形成され各画素電極の前記信号線に面した外
    周部と前記ゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分を形
    成するとともに、前記信号線に沿った両端近傍の所定領
    域が、前記信号線側に突出されて、前記信号線とゲート
    絶縁膜を介して修正用重なり部分を形成している遮光膜
    とを備えた薄膜トランジスタアレイの製造にあたり、 前記信号線に断線箇所が生じた場合に、断線箇所を挟ん
    だ２箇所の修正用重なり部分にレーザーを照射すること
    により、レーザーを照射した箇所の遮光膜と信号線を電
    気的に導通させ、断線箇所よりも先の信号線にもデータ
    信号を供給することにより、前記信号線の断線不良を修
    正する、ことを特徴とする、薄膜トランジスタアレイの
    製造方法。
  5. 【請求項５】透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成
    された複数本の走査線と、第二の導電膜より形成された
    複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線と
    で囲まれた領域の保護膜上に形成された画素電極と、前
    記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、第一の導
    電膜より形成され各画素電極の前記信号線に面した外周
    部と前記ゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分を形成
    するとともに、前記信号線に沿った両端近傍に位置する
    所定領域が、前記信号線側に突出されて、前記信号線と
    ゲート絶縁膜を介して修正用重なり部分を形成している
    遮光膜とを備えた薄膜トランジスタアレイの製造にあた
    り、 前記信号線に断線箇所が生じた場合に、断線箇所を挟ん
    だ２箇所の修正用重なり部分にレーザーを照射すること
    により、レーザーを照射した箇所の遮光膜と信号線を電
    気的に導通させ、断線箇所よりも先の信号線にもデータ
    信号を供給することにより、前記信号線の断線不良を修
    正する、ことを特徴とする、薄膜トランジスタアレイの
    製造方法。
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