JPH0833557B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- JPH0833557B2 JPH0833557B2 JP11669489A JP11669489A JPH0833557B2 JP H0833557 B2 JPH0833557 B2 JP H0833557B2 JP 11669489 A JP11669489 A JP 11669489A JP 11669489 A JP11669489 A JP 11669489A JP H0833557 B2 JPH0833557 B2 JP H0833557B2
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- metal layer
- branch wiring
- electrode
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して
駆動信号を印加することにより表示を実行する表示装置
に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度
表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に
関する。
駆動信号を印加することにより表示を実行する表示装置
に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度
表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に
関する。
（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形
成している。選択された絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に電圧を印加し、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイッチング素子を連結して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジス
タ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトラン
ジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られ
ている。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラ
ストの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプ
ロセッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化され
ている。
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形
成している。選択された絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に電圧を印加し、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイッチング素子を連結して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジス
タ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトラン
ジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られ
ている。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラ
ストの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプ
ロセッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化され
ている。
（発明が解決しようとする課題） このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場
合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列
することが必要となる。しかしながら、スイッチング素
子は基板上に作製した時点で動作不良素子として形成さ
れることがある。このような不良素子に連結された絵素
電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることにな
る。
合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列
することが必要となる。しかしながら、スイッチング素
子は基板上に作製した時点で動作不良素子として形成さ
れることがある。このような不良素子に連結された絵素
電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることにな
る。
絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭61-153
619号公報に開示されている。この構成では、絵素電極
１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数
個のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61-56382号公報及び特開昭59-1
01693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融させ
ることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成が
開示されている。
619号公報に開示されている。この構成では、絵素電極
１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数
個のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61-56382号公報及び特開昭59-1
01693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融させ
ることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成が
開示されている。
上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクテ
ィブマトリクス基板の状態で行われなければならない。
その理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射
によって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と
対向電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入
し、表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからであ
る。従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装
置組立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス
基板製作プロセスで適用されている。
ィブマトリクス基板の状態で行われなければならない。
その理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射
によって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と
対向電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入
し、表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからであ
る。従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装
置組立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス
基板製作プロセスで適用されている。
ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製
作段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数
が10万個〜50万個以上もある大型表示装置では、全ての
絵素電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子
を発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しな
ければならない。このため、検査工程が繁雑となり、量
産性が阻害される。従って、コスト高になるという結果
を招く。このような理由で、絵素数の多い大型表示装置
では、上述のレーザ光を用いた基板の状態での絵素欠陥
の修正を行なうことができないというのが実情である。
作段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数
が10万個〜50万個以上もある大型表示装置では、全ての
絵素電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子
を発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しな
ければならない。このため、検査工程が繁雑となり、量
産性が阻害される。従って、コスト高になるという結果
を招く。このような理由で、絵素数の多い大型表示装置
では、上述のレーザ光を用いた基板の状態での絵素欠陥
の修正を行なうことができないというのが実情である。
本発明はこのような問題点を解決するために為された
ものである。即ち、本発明の目的は、絵素欠陥の発生位
置を容易に特定できる表示装置の状態で、スイッチング
素子不良による絵素欠陥を修正できるアクティブマトリ
クス表示装置を提供することにある。
ものである。即ち、本発明の目的は、絵素欠陥の発生位
置を容易に特定できる表示装置の状態で、スイッチング
素子不良による絵素欠陥を修正できるアクティブマトリ
クス表示装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくと
も一方が透光性を有する一対の基板の間に印加電圧に応
答して光学的特性が変調される表示媒体が挿入され、透
光性を有する一方の基板の内面には、該表示媒体に電圧
を印加して絵素毎の表示パターンを生起するマトリクス
配列された複数の絵素電極と、信号線に送られる駆動電
圧を該信号線から分岐した枝配線を介して該絵素電極に
供給するスイッチング素子と、該絵素電極に接続され
た、該スイッチング素子とは別の予備スイッチング素子
と、該予備スイッチングと該枝配線とを接続すべく、該
予備スイッチング素子から延出した延設端と、該枝配線
とは非導通状態で対置された接続部とを備え、他方の基
板の内面には該絵素電極と協働して該表示媒体に電圧を
印加する対向電極が形成されてなるアクティブマトリク
ス表示装置において、該表示媒体は、該絵素の欠陥検出
時に該絵素電極へ印加される電圧に応答して、正常絵素
と欠陥絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パターンと
欠陥絵素表示パターンとを呈し、該接続部は、透光性を
有する一方の基板側に配置された継手金属層と、該継手
金属層に対し間に絶縁層を介して一部重畳するように各
々設けられた、予備スイッチング素子から延出した延設
端および該枝配線とからなる該欠陥絵素を修正するため
の絵素修正部を構成してなり、該絵素修正部は、透光性
を有する該一方の基板側からの光エネルギー照射により
該継手金属層と該延設端、該枝配線及びそれらの間に介
在する該絶縁層とが相互溶融しかつ固化時に該継手金属
層と該延設端及び該枝配線とが電気的に接続される部材
からなり、絶縁保護膜を介して該表示媒体から隔離され
ており、そのことによって上記目的が達成される。
も一方が透光性を有する一対の基板の間に印加電圧に応
答して光学的特性が変調される表示媒体が挿入され、透
光性を有する一方の基板の内面には、該表示媒体に電圧
を印加して絵素毎の表示パターンを生起するマトリクス
配列された複数の絵素電極と、信号線に送られる駆動電
圧を該信号線から分岐した枝配線を介して該絵素電極に
供給するスイッチング素子と、該絵素電極に接続され
た、該スイッチング素子とは別の予備スイッチング素子
と、該予備スイッチングと該枝配線とを接続すべく、該
予備スイッチング素子から延出した延設端と、該枝配線
とは非導通状態で対置された接続部とを備え、他方の基
板の内面には該絵素電極と協働して該表示媒体に電圧を
印加する対向電極が形成されてなるアクティブマトリク
ス表示装置において、該表示媒体は、該絵素の欠陥検出
時に該絵素電極へ印加される電圧に応答して、正常絵素
と欠陥絵素とで互いに相異なる正常絵素表示パターンと
欠陥絵素表示パターンとを呈し、該接続部は、透光性を
有する一方の基板側に配置された継手金属層と、該継手
金属層に対し間に絶縁層を介して一部重畳するように各
々設けられた、予備スイッチング素子から延出した延設
端および該枝配線とからなる該欠陥絵素を修正するため
の絵素修正部を構成してなり、該絵素修正部は、透光性
を有する該一方の基板側からの光エネルギー照射により
該継手金属層と該延設端、該枝配線及びそれらの間に介
在する該絶縁層とが相互溶融しかつ固化時に該継手金属
層と該延設端及び該枝配線とが電気的に接続される部材
からなり、絶縁保護膜を介して該表示媒体から隔離され
ており、そのことによって上記目的が達成される。
（作用） 上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置を全
面駆動すれば、絵素欠陥の発生位置を容易に確認するこ
とができる。全絵素電極の駆動により、これに対応する
表示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しか
し、スイッチング素子が不良の場合は、この光学的変調
が不完全となり絵素欠陥として視認される。この絵素欠
陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されている表示
装置に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別
が可能である。
面駆動すれば、絵素欠陥の発生位置を容易に確認するこ
とができる。全絵素電極の駆動により、これに対応する
表示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しか
し、スイッチング素子が不良の場合は、この光学的変調
が不完全となり絵素欠陥として視認される。この絵素欠
陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されている表示
装置に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別
が可能である。
絵素欠陥部位が特定されると、透光性の基板を介して
外部より接続部に、レーザ光等の光エネルギーが照射さ
れる。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイッチ
ング素子の信号入力端子の延設端と、信号線から分岐し
た枝配線とが互いに電気的に接続される。このようにし
て予備TFT7と信号線とが接続部を介して電気的に接続さ
れる。更に、必要に応じて絵素電極に接続されていた不
良のスイッチング素子を、光エネルギーの照射により切
断して絵素電極と切り離すこともできる。接続部は保護
膜で被覆されているため、溶融した金属等が表示媒体中
に混入することはなく、表示媒体の特性は低下しない。
即ち、上述の予備スイッチング素子と信号線との接続
は、表示媒体から離隔された保護膜と基板との間で行わ
れるので、表示媒体に悪影響を与えることなく絵素欠陥
を修正することができる。
外部より接続部に、レーザ光等の光エネルギーが照射さ
れる。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイッチ
ング素子の信号入力端子の延設端と、信号線から分岐し
た枝配線とが互いに電気的に接続される。このようにし
て予備TFT7と信号線とが接続部を介して電気的に接続さ
れる。更に、必要に応じて絵素電極に接続されていた不
良のスイッチング素子を、光エネルギーの照射により切
断して絵素電極と切り離すこともできる。接続部は保護
膜で被覆されているため、溶融した金属等が表示媒体中
に混入することはなく、表示媒体の特性は低下しない。
即ち、上述の予備スイッチング素子と信号線との接続
は、表示媒体から離隔された保護膜と基板との間で行わ
れるので、表示媒体に悪影響を与えることなく絵素欠陥
を修正することができる。
（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第1A図に本
発明の表示装置の一実施例に用いられるアクティブマト
リクス基板を示す。第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿
った各断面の構成を、第1B図及び第1C図に示す。ガラス
基板１上にTa2O5、Al2O3、Si3N4等から成るベースコー
ト膜２が厚さ3000Å〜9000Åで形成され、この上に走査
信号を供給するゲートバス配線３と、データ信号を供給
するソースバス配線４とが格子状に配列されている。ゲ
ートバス配線３は一般にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又
はこれらの多層金属で形成されるが、本実施例ではTaを
使用している。ソースバス配線４も同様の金属で形成さ
れるが、本実施例ではTiを使用している。ゲートバス配
線３とソースバス配線４の交差位置には、後述するベー
ス絶縁膜11が介在している。ゲートバス配線３とソース
バス配線４とに囲まれた矩形の領域には、透明導電膜
（ITO）から成る絵素電極５が設けられ、マトリクス状
の絵素パターンを構成している。絵素電極５の隅部付近
にはTFT6が配され、TFT6と絵素電極５とはドレイン電極
16によって電気的に接続されている。絵素電極５の他の
隅部付近には予備TFT7が配され、予備TFT7と絵素電極５
とはドレイン電極16aによって電気的に接続されてい
る。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に並設さ
れ、TFT6のソース電極15とソースバス配線４とは枝配線
８によって接続されている。予備TFT7のソース電極15a
はソース電極延設端8aによって、接続部25に導かれる。
接続部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で枝配
線８に対置されている。従って、二つのTFT6及び７のう
ち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的に接続され、
予備TFT7はソースバス配線４には接続されていない。接
続部25の断面構成の詳細については後述する。
発明の表示装置の一実施例に用いられるアクティブマト
リクス基板を示す。第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿
った各断面の構成を、第1B図及び第1C図に示す。ガラス
基板１上にTa2O5、Al2O3、Si3N4等から成るベースコー
ト膜２が厚さ3000Å〜9000Åで形成され、この上に走査
信号を供給するゲートバス配線３と、データ信号を供給
するソースバス配線４とが格子状に配列されている。ゲ
ートバス配線３は一般にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又
はこれらの多層金属で形成されるが、本実施例ではTaを
使用している。ソースバス配線４も同様の金属で形成さ
れるが、本実施例ではTiを使用している。ゲートバス配
線３とソースバス配線４の交差位置には、後述するベー
ス絶縁膜11が介在している。ゲートバス配線３とソース
バス配線４とに囲まれた矩形の領域には、透明導電膜
（ITO）から成る絵素電極５が設けられ、マトリクス状
の絵素パターンを構成している。絵素電極５の隅部付近
にはTFT6が配され、TFT6と絵素電極５とはドレイン電極
16によって電気的に接続されている。絵素電極５の他の
隅部付近には予備TFT7が配され、予備TFT7と絵素電極５
とはドレイン電極16aによって電気的に接続されてい
る。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に並設さ
れ、TFT6のソース電極15とソースバス配線４とは枝配線
８によって接続されている。予備TFT7のソース電極15a
はソース電極延設端8aによって、接続部25に導かれる。
接続部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で枝配
線８に対置されている。従って、二つのTFT6及び７のう
ち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的に接続され、
予備TFT7はソースバス配線４には接続されていない。接
続部25の断面構成の詳細については後述する。
TFT6近傍の断面構成を第1B図に従って説明する。尚、
予備TFT7の構成もTFT6と同様である。ゲートバス配線３
の一部として形成されるTaのゲート電極９上に、ゲート
電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O3から成るゲ
ート絶縁膜10が形成されている。この上から、ゲート絶
縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi3N4）のベー
ス絶縁膜11が基板全面に亙って堆積されている。ベース
絶縁膜11上にはアモルファスシリコン（a-Si）の真性半
導体層12、真性半導体層12の上面を保護するSiNXから成
る半導体層保護膜13が順次積層されている。更にその上
から、後に形成されるソース電極及びドレイン電極とオ
ーミックコンタクトを得るための、a-Siから成るｎ型半
導体層14が積層されている。ｎ型半導体層14上にはソー
ス電極15、及びドレイン電極16が形成されている。ソー
ス電極15及びドレイン電極16は、Ti、Ni、Al等から成
る。
予備TFT7の構成もTFT6と同様である。ゲートバス配線３
の一部として形成されるTaのゲート電極９上に、ゲート
電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O3から成るゲ
ート絶縁膜10が形成されている。この上から、ゲート絶
縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi3N4）のベー
ス絶縁膜11が基板全面に亙って堆積されている。ベース
絶縁膜11上にはアモルファスシリコン（a-Si）の真性半
導体層12、真性半導体層12の上面を保護するSiNXから成
る半導体層保護膜13が順次積層されている。更にその上
から、後に形成されるソース電極及びドレイン電極とオ
ーミックコンタクトを得るための、a-Siから成るｎ型半
導体層14が積層されている。ｎ型半導体層14上にはソー
ス電極15、及びドレイン電極16が形成されている。ソー
ス電極15及びドレイン電極16は、Ti、Ni、Al等から成
る。
絵素電極５は、ベース絶縁膜11上にパターン形成され
る。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜6000Å程度が適切
であるが、本実施例では2000Å〜3500Åに設定されてい
る。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って基板全面にSiNX
から成る保護膜17が形成され、保護膜17上に液晶分子18
の配向を規制する配向層19が堆積されている。保護膜17
の厚さは2000Å〜10000Å程度が適切であるが、本実施
例では5000Å前後に設定されている。ベース絶縁膜11及
び保護膜17はSiNX以外に、SiOX、Ta2O5、Al2O3その他の
酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜17は
基板全面に形成せずに、TFT6、予備TFT7、バス配線等の
直接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
る。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜6000Å程度が適切
であるが、本実施例では2000Å〜3500Åに設定されてい
る。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って基板全面にSiNX
から成る保護膜17が形成され、保護膜17上に液晶分子18
の配向を規制する配向層19が堆積されている。保護膜17
の厚さは2000Å〜10000Å程度が適切であるが、本実施
例では5000Å前後に設定されている。ベース絶縁膜11及
び保護膜17はSiNX以外に、SiOX、Ta2O5、Al2O3その他の
酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜17は
基板全面に形成せずに、TFT6、予備TFT7、バス配線等の
直接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
絵素電極５の形成されたガラス基板１に対向する他方
のガラス基板20の内面には、カラーフィルタ21、対向電
極22、及び配向層23が重畳形成されている。カラーフィ
ルタ21の周囲には必要に応じてブラックマトリクス（図
示せず）が設けられる。
のガラス基板20の内面には、カラーフィルタ21、対向電
極22、及び配向層23が重畳形成されている。カラーフィ
ルタ21の周囲には必要に応じてブラックマトリクス（図
示せず）が設けられる。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体とし
て、ツィステドネマチック液晶分子18が封入されてい
る。液晶分子18は絵素電極５と対向電極22との間の印加
電圧に応答して配向変換され、光学的変調が行われる。
この光学的変調が表示パターンとして視認される。
て、ツィステドネマチック液晶分子18が封入されてい
る。液晶分子18は絵素電極５と対向電極22との間の印加
電圧に応答して配向変換され、光学的変調が行われる。
この光学的変調が表示パターンとして視認される。
接続部25の断面構成を第1C図を用いて説明する。ベー
スコート膜２上に継手金属層24が形成されている。継手
金属層24の形状は、第1A図に示すように平面視矩形であ
る。継手金属層24は、ゲートバス配線３と同様にTa、A
l、Ti、Ni、Mo等から成り、ゲートバス配線３の形成と
同時にパターン形成することができる。継手金属層24上
には前述のベース絶縁膜11が堆積されている。ベース絶
縁膜11上には、予備TFT7のソース電極15に接続されたソ
ース電極延設端8aと、ソースバス配線４に接続された枝
配線８とが載置されている。ソース電極延設端8aと枝配
線８とは、互いに離隔され非導通状態を維持している。
従って、予備TFT7はソースバス配線４とは電気的には接
続されていない。ソース電極延設端8aと枝配線８とは保
護膜17によって完全に被覆されている。
スコート膜２上に継手金属層24が形成されている。継手
金属層24の形状は、第1A図に示すように平面視矩形であ
る。継手金属層24は、ゲートバス配線３と同様にTa、A
l、Ti、Ni、Mo等から成り、ゲートバス配線３の形成と
同時にパターン形成することができる。継手金属層24上
には前述のベース絶縁膜11が堆積されている。ベース絶
縁膜11上には、予備TFT7のソース電極15に接続されたソ
ース電極延設端8aと、ソースバス配線４に接続された枝
配線８とが載置されている。ソース電極延設端8aと枝配
線８とは、互いに離隔され非導通状態を維持している。
従って、予備TFT7はソースバス配線４とは電気的には接
続されていない。ソース電極延設端8aと枝配線８とは保
護膜17によって完全に被覆されている。
継手金属層24と、ソース電極延設端8a及び枝配線８と
の間に位置するベース絶縁膜11は、これらの金属層及び
配線間の層間絶縁膜として機能している。層間絶縁膜と
しての厚さは1000Å〜7000Åが適しているが、本実施例
ではTFT6及び７のゲート絶縁膜としても機能するベース
絶縁膜11を利用しているので、前述のように2000Å〜35
00Åに設定されている。
の間に位置するベース絶縁膜11は、これらの金属層及び
配線間の層間絶縁膜として機能している。層間絶縁膜と
しての厚さは1000Å〜7000Åが適しているが、本実施例
ではTFT6及び７のゲート絶縁膜としても機能するベース
絶縁膜11を利用しているので、前述のように2000Å〜35
00Åに設定されている。
保護膜17は枝配線８とソース電極延設端8aとの間の電
気的接続を、表示媒体である液晶分子18と離隔した状態
で行うためのものである。そのため、保護膜17の厚さは
1500Å〜1500Å程度が適切である。本実施例ではTFT6及
び７の保護膜を利用しているため、その厚さは5000Å前
後に設定されている。
気的接続を、表示媒体である液晶分子18と離隔した状態
で行うためのものである。そのため、保護膜17の厚さは
1500Å〜1500Å程度が適切である。本実施例ではTFT6及
び７の保護膜を利用しているため、その厚さは5000Å前
後に設定されている。
上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及
びソースバス配線４の全配線から、TFT6を介して全絵素
電極５に駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。
このように表示装置を駆動した状態では、絵素欠陥が容
易に視認される。TFT6の不良による絵素欠陥が発生して
いる場合には、接続部25を用いて容易に修正することが
できる。第２図に絵素欠陥の修正に用いられた接続部25
の断面図を示す。第２図の矢印26で示すように、下方の
ガラス基板１を介して外部よりレーザ光、赤外線、電子
ビーム、その他のエネルギーが継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。枝配線８とベ
ース絶縁膜11と継手金属層24との重畳部分では、レーザ
光が照射されるとベース絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、
枝配線８と継手金属層24とは互いに溶融接続されて導通
状態となる。同様に、ソース電極延設端8aとベース絶縁
膜11と継手金属層24との重畳部分でも、ベース絶縁膜11
の絶縁破壊が起こり、ソース電極延設端8aと継手金属層
24とは互いに溶融接続されて導通状態となる。このよう
にして枝配線８とソース電極延設端8aとが継手金属層24
を介して電気的に接続され、予備TFT7がソースバス配線
４によって駆動される。本実施例ではレーザ光をガラス
基板１側から照射したが、レーザ光を透過させる基板で
あれば何れの基板側から照射してもよい。
びソースバス配線４の全配線から、TFT6を介して全絵素
電極５に駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。
このように表示装置を駆動した状態では、絵素欠陥が容
易に視認される。TFT6の不良による絵素欠陥が発生して
いる場合には、接続部25を用いて容易に修正することが
できる。第２図に絵素欠陥の修正に用いられた接続部25
の断面図を示す。第２図の矢印26で示すように、下方の
ガラス基板１を介して外部よりレーザ光、赤外線、電子
ビーム、その他のエネルギーが継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。枝配線８とベ
ース絶縁膜11と継手金属層24との重畳部分では、レーザ
光が照射されるとベース絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、
枝配線８と継手金属層24とは互いに溶融接続されて導通
状態となる。同様に、ソース電極延設端8aとベース絶縁
膜11と継手金属層24との重畳部分でも、ベース絶縁膜11
の絶縁破壊が起こり、ソース電極延設端8aと継手金属層
24とは互いに溶融接続されて導通状態となる。このよう
にして枝配線８とソース電極延設端8aとが継手金属層24
を介して電気的に接続され、予備TFT7がソースバス配線
４によって駆動される。本実施例ではレーザ光をガラス
基板１側から照射したが、レーザ光を透過させる基板で
あれば何れの基板側から照射してもよい。
このようにレーザ光を用いて絵素欠陥の修正を行って
も、接続部25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属の表示媒体である液晶中への混入は起
こらない。また、保護膜17は透明絶縁体なので、レーザ
光はこれを透過する。従って、保護膜17がレーザ光によ
って破壊されることはない。レーザ光の照射された部分
の近傍の液晶層は白濁するが、この白濁はやがて消失し
元の状態で復元されるので、画像品位の低下が生じるこ
ともない。
も、接続部25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属の表示媒体である液晶中への混入は起
こらない。また、保護膜17は透明絶縁体なので、レーザ
光はこれを透過する。従って、保護膜17がレーザ光によ
って破壊されることはない。レーザ光の照射された部分
の近傍の液晶層は白濁するが、この白濁はやがて消失し
元の状態で復元されるので、画像品位の低下が生じるこ
ともない。
TFT6の絶縁不良等により、TFT6を絵素電極５から切り
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16の部分
にレーザ光が照射され、該部分が切断される。TFT6と絵
素電極５とを切り離すことにより、絵素電極５は予備TF
T7によって正常に駆動される。
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16の部分
にレーザ光が照射され、該部分が切断される。TFT6と絵
素電極５とを切り離すことにより、絵素電極５は予備TF
T7によって正常に駆動される。
第３図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブ
マトリクス基板の平面図を示す。本実施例ではTFT6と予
備TFT7との位置が、第1A図の実施例とは逆になってい
る。そして、接続部25はゲートバス配線３と枝配線８と
の間に設けられている。第1A図の実施例と同様に、ゲー
トバス配線３に直交してソースバス配線４が形成され、
ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形
の領域には、透明電極（ITO）から成る絵素電極５が設
けられている。絵素電極５の二つの隅部付近にはそれぞ
れTFT6及び予備TFT7が配置され、TFT6及び７と絵素電極
５とは、それぞれドレイン電極16及び16aによって電気
的に接続されている。TFT6及び７の構成は第1B図に示す
ものと同様である。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線
３上に並設され、TFT6はソースバス配線４と枝配線８に
よって接続されている。予備TFT7のソース電極15aはソ
ース電極延設端8aによって、接続部25に導かれる。接続
部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で枝配線８
に対置されている。従って、TFT6及び７のうち、TFT6の
みがソースバス配線４に電気的に接続され、予備TFT7は
ソースバス配線４には接続されない。第３図のＣ′−
Ｃ′線に沿った接続部25の断面図は、第1C図と同様であ
る。
マトリクス基板の平面図を示す。本実施例ではTFT6と予
備TFT7との位置が、第1A図の実施例とは逆になってい
る。そして、接続部25はゲートバス配線３と枝配線８と
の間に設けられている。第1A図の実施例と同様に、ゲー
トバス配線３に直交してソースバス配線４が形成され、
ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形
の領域には、透明電極（ITO）から成る絵素電極５が設
けられている。絵素電極５の二つの隅部付近にはそれぞ
れTFT6及び予備TFT7が配置され、TFT6及び７と絵素電極
５とは、それぞれドレイン電極16及び16aによって電気
的に接続されている。TFT6及び７の構成は第1B図に示す
ものと同様である。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線
３上に並設され、TFT6はソースバス配線４と枝配線８に
よって接続されている。予備TFT7のソース電極15aはソ
ース電極延設端8aによって、接続部25に導かれる。接続
部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で枝配線８
に対置されている。従って、TFT6及び７のうち、TFT6の
みがソースバス配線４に電気的に接続され、予備TFT7は
ソースバス配線４には接続されない。第３図のＣ′−
Ｃ′線に沿った接続部25の断面図は、第1C図と同様であ
る。
本実施例の場合も第1A図の実施例と同様に、接続部25
にレーザ光等を照射することによって、TFT6の不良によ
る絵素欠陥を修正することができる。
にレーザ光等を照射することによって、TFT6の不良によ
る絵素欠陥を修正することができる。
接続部25の構成は、第1C図の構成以外に第４図或いは
第５図に示す構成とすることもできる。第４図に示す構
成では、ベース絶縁膜11にスルーホール27が設けられ、
継手金属層24とソース電極延設端8aとが予め電気的に接
続されている。TFT6に不良が発生した場合には、枝配線
８と継手金属層24との重畳部のみが光エネルギーを用い
て接続される。第５図に示す構成では、継手金属層24は
設けられず、ソース電極延設端8aが枝配線８の直上にベ
ース絶縁膜11を介して配置されている。TFT6に不良が発
生した場合には、光エネルギー照射によって、ソース電
極延設端8aと枝配線８とが直接溶融接続される。
第５図に示す構成とすることもできる。第４図に示す構
成では、ベース絶縁膜11にスルーホール27が設けられ、
継手金属層24とソース電極延設端8aとが予め電気的に接
続されている。TFT6に不良が発生した場合には、枝配線
８と継手金属層24との重畳部のみが光エネルギーを用い
て接続される。第５図に示す構成では、継手金属層24は
設けられず、ソース電極延設端8aが枝配線８の直上にベ
ース絶縁膜11を介して配置されている。TFT6に不良が発
生した場合には、光エネルギー照射によって、ソース電
極延設端8aと枝配線８とが直接溶融接続される。
第４図に於いて、スルーホール27を枝配線８側に設
け、枝配線８と継手金属層24とを予め接続した構成とし
てもよい。この構成ではレーザ光照射によって、ソース
電極延設端8aと継手金属層24との重畳部のみが接続され
る。また、第５図に於て、枝配線８がベース絶縁膜11を
介して、ソース電極延設端8a上に形成された構成とする
こともできる。また、何れの実施例に於いても、ベース
コート膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止すること
もできる。
け、枝配線８と継手金属層24とを予め接続した構成とし
てもよい。この構成ではレーザ光照射によって、ソース
電極延設端8aと継手金属層24との重畳部のみが接続され
る。また、第５図に於て、枝配線８がベース絶縁膜11を
介して、ソース電極延設端8a上に形成された構成とする
こともできる。また、何れの実施例に於いても、ベース
コート膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止すること
もできる。
上記の各実施例では透過型の液晶表示装置を示した
が、本発明は反射型の表示装置にも同様に適用できる。
また、上記実施例ではTFTを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではない。本発明はMIM素子、ダイオー
ド、バリスタ等の種々のスイッチング素子を用いた広範
囲の表示装置にも適用可能である。更に、表示媒体とし
て、薄膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体等を
用いた各種表示装置にも適用され得る。
が、本発明は反射型の表示装置にも同様に適用できる。
また、上記実施例ではTFTを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではない。本発明はMIM素子、ダイオー
ド、バリスタ等の種々のスイッチング素子を用いた広範
囲の表示装置にも適用可能である。更に、表示媒体とし
て、薄膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体等を
用いた各種表示装置にも適用され得る。
（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、絵素欠陥
の発生位置を容易に特定できる表示装置の状態で、スイ
ッチング素子の不良による絵素欠陥を修正できるので、
検査工程及び修正工程が容易となり、量産性が確保され
る。従って、表示装置としてのコスト低減に寄与するも
のである。
の発生位置を容易に特定できる表示装置の状態で、スイ
ッチング素子の不良による絵素欠陥を修正できるので、
検査工程及び修正工程が容易となり、量産性が確保され
る。従って、表示装置としてのコスト低減に寄与するも
のである。
第1A図は本発明の表示装置の一実施例に用いられるアク
ティブマトリクス基板の平面図、第1B図及び第1C図は第
1A図のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置を、
それぞれ第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った面で切
断した断面図、第２図は絵素欠陥の修正に用いられた接
続部の断面図、第３図は本発明の他の実施例に用いられ
るアクティブマトリクス基板の平面図、第４図及び第５
図は接続部の他の実施例を示す断面図である。 1,20……ガラス基板、３……ゲートバス配線、４……ソ
ースバス配線、５……絵素電極、６……TFT、７……予
備TFT、８……枝配線、8aソース電極延設端、９……ゲ
ート電極、11……ベース絶縁膜、15,15a……ソース電
極、16,16a……ドレイン電極、17……保護膜、18……液
晶分子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22
……対向電極、24……継手金属層、25……接続部。
ティブマトリクス基板の平面図、第1B図及び第1C図は第
1A図のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置を、
それぞれ第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿った面で切
断した断面図、第２図は絵素欠陥の修正に用いられた接
続部の断面図、第３図は本発明の他の実施例に用いられ
るアクティブマトリクス基板の平面図、第４図及び第５
図は接続部の他の実施例を示す断面図である。 1,20……ガラス基板、３……ゲートバス配線、４……ソ
ースバス配線、５……絵素電極、６……TFT、７……予
備TFT、８……枝配線、8aソース電極延設端、９……ゲ
ート電極、11……ベース絶縁膜、15,15a……ソース電
極、16,16a……ドレイン電極、17……保護膜、18……液
晶分子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22
……対向電極、24……継手金属層、25……接続部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永安 孝好 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−22455（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板の間に印加電圧に応答して光学的特性が変調される表
示媒体が挿入され、透光性を有する一方の基板の内面に
は、該表示媒体に電圧を印加して絵素毎の表示パターン
を生起するマトリクス配列された複数の絵素電極と、信
号線に送られる駆動電圧を該信号線から分岐した枝配線
を介して該絵素電極に供給するスイッチング素子と、該
絵素電極に接続された、該スイッチング素子とは別の予
備スイッチング素子と、該予備スイッチングと該枝配線
とを接続すべく、該予備スイッチング素子から延出した
延設端と、該枝配線とは非導通状態で対置された接続部
とを備え、他方の基板の内面には該絵素電極と協働して
該表示媒体に電圧を印加する対向電極が形成されてなる
アクティブマトリクス表示装置において、 該表示媒体は、該絵素の欠陥検出時に該絵素電極へ印加
される電圧に応答して、正常絵素と欠陥絵素とで互いに
相異なる正常絵素表示パターンと欠陥絵素表示パターン
とを呈し、該接続部は、透光性を有する一方の基板側に
配置された継手金属層と、該継手金属層に対し間に絶縁
層を介して一部重畳するように各々設けられた、予備ス
イッチング素子から延出した延設端および該枝配線とか
らなる該欠陥絵素を修正するための絵素修正部を構成し
てなり、該絵素修正部は、透光性を有する該一方の基板
側からの光エネルギー照射により該継手金属層と該延設
端、該枝配線及びそれらの間に介在する該絶縁層とが相
互溶融しかつ固化時に該継手金属層と該延設端及び該枝
配線とが電気的に接続される部材からなり、絶縁保護膜
を介して該表示媒体から隔離されていることを特徴とす
るアクティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669489A JPH0833557B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置 |
| US07/444,732 US5076666A (en) | 1988-12-06 | 1989-12-01 | Active matrix display apparatus with drain electrode extensions |
| DE68924247T DE68924247T2 (de) | 1988-12-06 | 1989-12-05 | Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. |
| EP89312647A EP0372898B1 (en) | 1988-12-06 | 1989-12-05 | Active matrix display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669489A JPH0833557B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294623A JPH02294623A (ja) | 1990-12-05 |
| JPH0833557B2 true JPH0833557B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14693543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11669489A Expired - Lifetime JPH0833557B2 (ja) | 1988-12-06 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833557B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69122162T2 (de) * | 1990-05-11 | 1997-03-06 | Sharp Kk | Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Methode zu ihrer Herstellung |
| JPH0494576A (ja) * | 1990-08-11 | 1992-03-26 | Sharp Corp | 縦型パワーｍｏｓ ｆｅｔ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348013Y2 (ja) * | 1974-06-24 | 1978-11-16 | ||
| JPH02106334U (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-23 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11669489A patent/JPH0833557B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02294623A (ja) | 1990-12-05 |
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