JPH0786617B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- JPH0786617B2 JPH0786617B2 JP7782889A JP7782889A JPH0786617B2 JP H0786617 B2 JPH0786617 B2 JP H0786617B2 JP 7782889 A JP7782889 A JP 7782889A JP 7782889 A JP7782889 A JP 7782889A JP H0786617 B2 JPH0786617 B2 JP H0786617B2
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- pixel electrode
- switching element
- tft
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136268—Switch defects
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置に
関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表
示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に関
する。
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置に
関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表
示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に関
する。
（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示装
置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素を
選択することにより、画面上に表示パターンを形成して
いる。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵素
電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング
素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆動
方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可能
であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、TFT（薄膜
トランジスタ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素
子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に知られている。絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に印加される電圧をスイッチングすることに
より、その間に介在する液晶、EL発光層或いはプラズマ
発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。
置等に於いては、マトリクス状に配列された表示絵素を
選択することにより、画面上に表示パターンを形成して
いる。表示絵素の選択方式として、個々の独立した絵素
電極を配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング
素子を連結して表示駆動するアクティブマトリクス駆動
方式がある。この方式は、高コントラストの表示が可能
であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピ
ュータの端末表示装置等に実用化されている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、TFT（薄膜
トランジスタ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素
子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に知られている。絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に印加される電圧をスイッチングすることに
より、その間に介在する液晶、EL発光層或いはプラズマ
発光体等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。
（発明が解決しようとする課題） 絵素電極にスイッチング素子を連結して高密度の表示を
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。このような不良素子に連結された
絵素電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることに
なる。
行う場合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子を
配列することが必要となる。しかしながら、スイッチン
グ素子は基板上に製作した時点で動作不良素子として形
成されることがある。このような不良素子に連結された
絵素電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることに
なる。
絵素欠陥を修復する技術としては、特開昭61−153619号
公報に示されているように、絵素電極１個当り複数個の
スイッチング素子を設け、一つのスイッチング素子のみ
を絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたスイッチン
グ素子が不良の場合は、このスイッチング素子と絵素電
極とをレーザトリマ、超音波カッタ等により切断して、
他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技術が提唱
されている。また、この場合のスイッチング素子と絵素
電極とを接続する手段として、微小な導体をディスペン
サ等で付着させる技術、基板上にAu、Al等を所定部位に
コートする技術が例示されている。更に、特開昭61−56
382号公報及び特開昭59−101693号公報には、レーザ光
を照射して金属を溶融させることにより、金属層相互間
を電気的に接続する技術が開示されている。
公報に示されているように、絵素電極１個当り複数個の
スイッチング素子を設け、一つのスイッチング素子のみ
を絵素電極と接続し、絵素電極と接続されたスイッチン
グ素子が不良の場合は、このスイッチング素子と絵素電
極とをレーザトリマ、超音波カッタ等により切断して、
他のスイッチング素子を絵素電極と接続する技術が提唱
されている。また、この場合のスイッチング素子と絵素
電極とを接続する手段として、微小な導体をディスペン
サ等で付着させる技術、基板上にAu、Al等を所定部位に
コートする技術が例示されている。更に、特開昭61−56
382号公報及び特開昭59−101693号公報には、レーザ光
を照射して金属を溶融させることにより、金属層相互間
を電気的に接続する技術が開示されている。
しかしながら、上記従来の欠陥修復技術は、欠陥を検出
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術に何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
した後、レーザ光照射により金属を蒸発再付着或いは局
部的に溶融して電気的に接続する方式である。即ち、表
示パネルを組み立てる前のアクティブマトリクス基板の
製作過程で利用しなければならないものである。その理
由は、表示パネルを完成した後では、レーザ光照射によ
って蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対向
電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、表
示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。従
って、上記従来の絵素欠陥修復技術に何れも表示パネル
組立前、即ち表示媒体挿入前のアクティブマトリクス基
板製作プロセスで適用されている。
ところが、この欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型パネルでは、全ての絵素
電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を発
見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけれ
ばならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産性
が阻害され、且つ、コスト高になるという結果を招く。
従って、上述の技術は、絵素数の多い大型表示パネルに
は利用することができないというのが実情である。
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型パネルでは、全ての絵素
電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を発
見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけれ
ばならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産性
が阻害され、且つ、コスト高になるという結果を招く。
従って、上述の技術は、絵素数の多い大型表示パネルに
は利用することができないというのが実情である。
上記の問題点を解決するためには、第5A図に示すアクテ
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭63−3082
31号として特許出願されている。この基板を用いて表示
装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠陥の発生
箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修正するこ
とができる。この基板を用いてアクティブマトリクス表
示装置を組み立てた場合の、第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第5B図及び第5C図に示
す。ガラス基板上にベースコート膜２が全面に形成さ
れ、この上にゲートバス配線３及びソースバス配線４が
格子状に配列されている。ゲートバス配線３とソースバ
ス配線４との間には、後述するベース絶縁膜11が介在し
ている。ゲートバス配線３及びソースバス配線４に囲ま
れた矩形の領域には透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配列され、マトリクス状のパターンを構成してい
る。絵素電極５の隅吹付近にはTFT6が配置され、TFT6と
絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続さ
れている。また、絵素電極の他の隅部付近には予備TFT7
が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で対置
されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に
並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されて
いる。
ィブマトリクス基板を用いた表示装置が特願昭63−3082
31号として特許出願されている。この基板を用いて表示
装置を組み立てれば、表示装置の状態で絵素欠陥の発生
箇所を特定し、表示装置の状態で絵素欠陥を修正するこ
とができる。この基板を用いてアクティブマトリクス表
示装置を組み立てた場合の、第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った断面図をそれぞれ第5B図及び第5C図に示
す。ガラス基板上にベースコート膜２が全面に形成さ
れ、この上にゲートバス配線３及びソースバス配線４が
格子状に配列されている。ゲートバス配線３とソースバ
ス配線４との間には、後述するベース絶縁膜11が介在し
ている。ゲートバス配線３及びソースバス配線４に囲ま
れた矩形の領域には透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配列され、マトリクス状のパターンを構成してい
る。絵素電極５の隅吹付近にはTFT6が配置され、TFT6と
絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接続さ
れている。また、絵素電極の他の隅部付近には予備TFT7
が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で対置
されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３上に
並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続されて
いる。
TFT6付近の構成を第5B図に示す。ゲートバス配線３の一
部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表面を陽
極酸化して得られるゲート絶縁膜10が形成されている。
この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11、ア
モルファスシリコン（ａ−Si）から成る真性半導体層1
2、真性半導体層12の上面を保護する半導体保護膜13、
ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタクトを
得るためのｎ−型半導体層14が順次積層されている。次
に、枝配線８と接続されたソース電極15、及び絵素電極
５と接続されたドレイン電極16が形成されている。TFT6
及び絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に保護膜17が被
覆され、さらにその上から配向層19が堆積されている。
部に形成されるゲート電極９、ゲート電極９の表面を陽
極酸化して得られるゲート絶縁膜10が形成されている。
この上から、ゲート絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11、ア
モルファスシリコン（ａ−Si）から成る真性半導体層1
2、真性半導体層12の上面を保護する半導体保護膜13、
ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタクトを
得るためのｎ−型半導体層14が順次積層されている。次
に、枝配線８と接続されたソース電極15、及び絵素電極
５と接続されたドレイン電極16が形成されている。TFT6
及び絵素電極５の上面を覆ってほぼ全面に保護膜17が被
覆され、さらにその上から配向層19が堆積されている。
ガラス基板１に対向する他方のガラス基板20の内面には
カラーフィルム層21、対向電極22、及び配向層23が重畳
形成されている。上記一対のガラス基板１、20の間には
表示媒体として、液晶分子18が封入されている。
カラーフィルム層21、対向電極22、及び配向層23が重畳
形成されている。上記一対のガラス基板１、20の間には
表示媒体として、液晶分子18が封入されている。
予備TFT7付近の構成を第5C図に示す。予備TFT7の構造
は、上記TFT6と同様である。ゲート電極９と所定の距離
だけ離れたベースコート膜２上に継手金属層24が島状に
形成されている。継手金属層24上には上述のベース絶縁
膜11が堆積され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の
延設端16aが載置されている。また、絵素電極５の端部
は、継手金属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と
共に積層されている。従って、延設端16aと絵素電極５
とは非導通状態を維持している。ドレイン電極16の延設
端16aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって
完全に被覆されている。
は、上記TFT6と同様である。ゲート電極９と所定の距離
だけ離れたベースコート膜２上に継手金属層24が島状に
形成されている。継手金属層24上には上述のベース絶縁
膜11が堆積され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の
延設端16aが載置されている。また、絵素電極５の端部
は、継手金属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と
共に積層されている。従って、延設端16aと絵素電極５
とは非導通状態を維持している。ドレイン電極16の延設
端16aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって
完全に被覆されている。
上記構成を有する液晶表示装置を全面駆動すれば、TFT6
が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。このよう
な場合には、延設端16aと継手金属層24との重畳部分、
及び金属片25と継手金属層24との重畳部分にレーザ光等
が照射される。レーザ光によって延設端16a、ベース絶
縁膜11、及び継手金属層24は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様にして絵素電極
５側の金属片25と継手金属層24との間も導通状態とな
る。このようにして予備TFT7と絵素電極５とを電気的に
接続することができる。レーザ光は、ガラス基板１又は
20を介して照射される。このとき継手金属層24、延設端
16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入するこ
とはない。
が不良の場合、絵素欠陥が容易に視認される。このよう
な場合には、延設端16aと継手金属層24との重畳部分、
及び金属片25と継手金属層24との重畳部分にレーザ光等
が照射される。レーザ光によって延設端16a、ベース絶
縁膜11、及び継手金属層24は相互に溶融して層間絶縁層
が絶縁破壊され、導通状態となる。同様にして絵素電極
５側の金属片25と継手金属層24との間も導通状態とな
る。このようにして予備TFT7と絵素電極５とを電気的に
接続することができる。レーザ光は、ガラス基板１又は
20を介して照射される。このとき継手金属層24、延設端
16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入するこ
とはない。
このように予備TFT7を接続しても、TFT6が絶縁不良など
の場合にはTFT6を絵素電極５から切り離す必要が生じ
る。この切断はドレイン電極16にレーザ光などを照射
し、ドレイン電極16を切断することによって行われる。
第5A図のTFT6と絵素電極５とが接続される部分を拡大し
た図を第5D図に示す。レーザ光は第5D図のＳで示す領域
に照射され、ドレイン電極16が切断される。
の場合にはTFT6を絵素電極５から切り離す必要が生じ
る。この切断はドレイン電極16にレーザ光などを照射
し、ドレイン電極16を切断することによって行われる。
第5A図のTFT6と絵素電極５とが接続される部分を拡大し
た図を第5D図に示す。レーザ光は第5D図のＳで示す領域
に照射され、ドレイン電極16が切断される。
ところが、このようにレーザ光を照射しても、絵素電極
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金属が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示装置全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
５とゲートバス配線３との距離Ｙが小さい場合には、溶
融し拡散した金属が絵素電極５やゲートバス配線３に付
着し、結果としてドレイン電極が電気的に切断されない
場合が生じる。このような場合には、絵素欠陥を修正す
ることはできない。このような状態を回避するために、
絵素電極５とゲートバス配線３との距離Ｙを大きくする
ことが考えられる。しかし距離Ｙを大きくすると、アク
ティブマトリクス基板の開口率が低下し、表示装置全体
が暗くなるという新たな問題が発生する。
本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のであり、本発明の目的は、表示装置のままで絵素欠陥
の発生位置を特定し、表示装置のままで絵素欠陥を修正
することができ、しかも開口率の低下の少ないアクティ
ブマトリクス表示装置を提供することにある。
のであり、本発明の目的は、表示装置のままで絵素欠陥
の発生位置を特定し、表示装置のままで絵素欠陥を修正
することができ、しかも開口率の低下の少ないアクティ
ブマトリクス表示装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明に係るアクティブマトリクス表示装置は、少なく
とも一方が透光性を有する一対の基板と、該両基板の間
に挟持され、印加電圧に応答して光学的特性が変調され
る表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板の内面
にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素電極と電
気的に接続されたスイッチング素子と、該絵素電極とは
非導通状態で近接配置された予備スイッチング素子とを
備えている。該予備スイッチング素子の接続端と該絵素
電極とが少なくとも絶縁層を介して対置する接続部が形
成され、該接続部が絶縁保護膜によって被覆されて該表
示媒体から離隔されている。該絵素電極には該スイッチ
ング素子の接続端が接続される該絵素電極部分近傍に切
り欠き部が設けられており、該スイッチング素子の接続
端は、その絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の幅
が、その他の部分の幅より小さくなっている。そのこと
により上記目的が達成される。
とも一方が透光性を有する一対の基板と、該両基板の間
に挟持され、印加電圧に応答して光学的特性が変調され
る表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板の内面
にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素電極と電
気的に接続されたスイッチング素子と、該絵素電極とは
非導通状態で近接配置された予備スイッチング素子とを
備えている。該予備スイッチング素子の接続端と該絵素
電極とが少なくとも絶縁層を介して対置する接続部が形
成され、該接続部が絶縁保護膜によって被覆されて該表
示媒体から離隔されている。該絵素電極には該スイッチ
ング素子の接続端が接続される該絵素電極部分近傍に切
り欠き部が設けられており、該スイッチング素子の接続
端は、その絵素電極の切り欠き部内に位置する部分の幅
が、その他の部分の幅より小さくなっている。そのこと
により上記目的が達成される。
（作用） この発明においては、絵素電極と電気的に接続されるス
イッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ
替えが可能な予備スイッチング素子を備え、該予備スイ
ッチング素子と絵素電極とを接続するための接続部を絶
縁保護膜によって被覆しているため、表示パネルの組立
後に上記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属
の液晶中への混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行
うことができる。
イッチング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ
替えが可能な予備スイッチング素子を備え、該予備スイ
ッチング素子と絵素電極とを接続するための接続部を絶
縁保護膜によって被覆しているため、表示パネルの組立
後に上記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属
の液晶中への混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行
うことができる。
また、絵素電極を、スイッチング素子の接続端が接続さ
れる部分近傍に切り欠き部を有する構成としているた
め、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング素子と
絵素電極との溶断のために確保するスペースを小さくで
き、しかもスイッチング素子の接続端を、その絵素電極
の切り欠き部内に位置する部分の幅が、その他の部分の
幅より小さい構造としているため、絵素電極に形成する
切り欠き部の開口幅を小さくして、アクティブマトリク
ス基板の開口率の低下を抑えることができる。
れる部分近傍に切り欠き部を有する構成としているた
め、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング素子と
絵素電極との溶断のために確保するスペースを小さくで
き、しかもスイッチング素子の接続端を、その絵素電極
の切り欠き部内に位置する部分の幅が、その他の部分の
幅より小さい構造としているため、絵素電極に形成する
切り欠き部の開口幅を小さくして、アクティブマトリク
ス基板の開口率の低下を抑えることができる。
（実施例） 本発明は実施例について以下に説明する。第1A図に本発
明表示装置の一実施例を用いられるアクティブマトリク
ス基板を示す。本実施例では第1A図のｂ−ｂ線及びｃ−
ｃ線に沿った各断面の構成は、前述の第5B図及び第5C図
に示された構成と同様であるので、それらの図面も参照
して本実施例の構造を説明する。ガラス基板上にTa
2O5、Al2O3、又はSi3N4等から成るベースコート膜２が
厚さ3000Å〜9000Åで形成され、この上に走査信号を供
給するゲートバス配線３と、データ信号を供給するソー
ス配線４とが格子状に配列されている。ゲートバス配線
３は一般にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又は多層金属で
形成されるが、本実施例ではTaを使用している。ソース
バス配線４も同様の金属で形成されるが、本実施例では
Tiを使用している。ゲートバス配線３とソースバス配線
４の交差位置には、後述するベース絶縁膜11を介在して
いる。ゲートバス配線３及びソースバス配線４で囲まれ
た矩形の領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配置され、マトリクス状の絵素パターンが構成し
ている。絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TF
T6と絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接
続されている。ドレイン電極16と絵素電極５とが接続さ
れる部分の拡大図を第1B図に示す。ドレイン電極16はゲ
ート電極９の上方から絵素電極５の方向に引き出され、
ゲート電極９の上方から離れた部分では幅が狭くなって
いる。そして絵素電極５のドレイン電極に近接した部分
には矩形の切り欠き部5aが設けられている。上述のドレ
イン電極16の幅が狭くなった部分は、この切り欠き部5a
のTFT6から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続
されている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備
TFT7が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で
対置されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３
上に並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続さ
れている。
明表示装置の一実施例を用いられるアクティブマトリク
ス基板を示す。本実施例では第1A図のｂ−ｂ線及びｃ−
ｃ線に沿った各断面の構成は、前述の第5B図及び第5C図
に示された構成と同様であるので、それらの図面も参照
して本実施例の構造を説明する。ガラス基板上にTa
2O5、Al2O3、又はSi3N4等から成るベースコート膜２が
厚さ3000Å〜9000Åで形成され、この上に走査信号を供
給するゲートバス配線３と、データ信号を供給するソー
ス配線４とが格子状に配列されている。ゲートバス配線
３は一般にTa,Al、Ti、Ni、Mo等の単層又は多層金属で
形成されるが、本実施例ではTaを使用している。ソース
バス配線４も同様の金属で形成されるが、本実施例では
Tiを使用している。ゲートバス配線３とソースバス配線
４の交差位置には、後述するベース絶縁膜11を介在して
いる。ゲートバス配線３及びソースバス配線４で囲まれ
た矩形の領域には、透明導電膜（ITO）から成る絵素電
極５が配置され、マトリクス状の絵素パターンが構成し
ている。絵素電極５の隅部付近にはTFT6が配置され、TF
T6と絵素電極５とはドレイン電極16によって電気的に接
続されている。ドレイン電極16と絵素電極５とが接続さ
れる部分の拡大図を第1B図に示す。ドレイン電極16はゲ
ート電極９の上方から絵素電極５の方向に引き出され、
ゲート電極９の上方から離れた部分では幅が狭くなって
いる。そして絵素電極５のドレイン電極に近接した部分
には矩形の切り欠き部5aが設けられている。上述のドレ
イン電極16の幅が狭くなった部分は、この切り欠き部5a
のTFT6から最も離れた辺の近傍に於て絵素電極５に接続
されている。また、絵素電極５の他の隅部付近には予備
TFT7が配置され、予備TFT7と絵素電極５は非導通状態で
対置されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線３
上に並設され、ソースバス配線４とは枝配線８で接続さ
れている。
ゲートバス配線３の一部に形成されるTaのゲート電極
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O5
から成るゲート絶縁膜10が形成されている。この上か
ら、ゲート絶縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi
3N4）ベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導体層12、真性半
導体層12の上面を保護するSiNxから成る半導体保護膜1
3、ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタク
トを得るための、ａ−Siから成るｎ型半導体層14が順次
積層されている。ｎ型半導体層14上には、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極５と接続されたド
レイン電極16が形成されている。ソース電極15及びドレ
イン電極16は、Ti、Ni、Al等から成る。ドレイン電極16
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜11上に
パターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜
6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000Å〜3500
Åに設定している。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って
ほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、この保護
膜17上に液晶分子18の配向を規制する配向層19が堆積さ
れている。配向層19はSiO2、ポリイミド系樹脂等から成
る。保護膜17の厚さは2000Å〜10000Å程度が適当であ
るが、本実施例で5000Å前後に設定している。尚、ベー
ス絶縁膜11及び保護膜17としてはSiNx以外に、SiOx、Ta
2O5、Al2O3等の酸化物や窒化物を用いることができる。
また、保護膜17は全面被覆する以外に、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
９、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O5
から成るゲート絶縁膜10が形成されている。この上か
ら、ゲート絶縁膜としても機能しているSiNX（例えばSi
3N4）ベース絶縁膜11、ａ−Si真性半導体層12、真性半
導体層12の上面を保護するSiNxから成る半導体保護膜1
3、ソース電極及びドレイン電極とオーミックコンタク
トを得るための、ａ−Siから成るｎ型半導体層14が順次
積層されている。ｎ型半導体層14上には、枝配線８と接
続されたソース電極15、及び絵素電極５と接続されたド
レイン電極16が形成されている。ソース電極15及びドレ
イン電極16は、Ti、Ni、Al等から成る。ドレイン電極16
の端部と接続された絵素電極５は、ベース絶縁膜11上に
パターン形成される。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜
6000Å程度が適当であるが、本実施例では2000Å〜3500
Åに設定している。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って
ほぼ全面にSiNxから成る保護膜17が被覆され、この保護
膜17上に液晶分子18の配向を規制する配向層19が堆積さ
れている。配向層19はSiO2、ポリイミド系樹脂等から成
る。保護膜17の厚さは2000Å〜10000Å程度が適当であ
るが、本実施例で5000Å前後に設定している。尚、ベー
ス絶縁膜11及び保護膜17としてはSiNx以外に、SiOx、Ta
2O5、Al2O3等の酸化物や窒化物を用いることができる。
また、保護膜17は全面被覆する以外に、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
絵素電極５の形成されたガラス基板１に対向する他方の
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素電
極５に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成さ
れている。カラーフィルタ層21の周囲には必要に応じて
ブラックマトリクス（図示せず）が設けられる。
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ層21、絵素電
極５に対向する対向電極22、及び配向層23が重畳形成さ
れている。カラーフィルタ層21の周囲には必要に応じて
ブラックマトリクス（図示せず）が設けられる。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体として、
ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18が封
入されて、絵素電極５と対向電極22との間の電圧印加に
応答して配向変換されることにより、光学的変調が行わ
れる。
ねじれ配向されたツィステドネマチック液晶分子18が封
入されて、絵素電極５と対向電極22との間の電圧印加に
応答して配向変換されることにより、光学的変調が行わ
れる。
予備TFT7の構造は、上記TFT6と同様である。ゲート電極
９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上に継手金
属層24が島状に形成されている。この継手金属層24は、
ゲート電極と同様にTi、Ni、Al、又はTa等から成り、ゲ
ート電極９の形成時に同時にパターン形成することがで
きる。継手金属層24上には上述のベース絶縁膜11が堆積
され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の延設端16a
が載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金
属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と共に積層さ
れている。従って、延設端16aと絵素電極５とは離隔さ
れており、非導通状態を維持している。金属片25は、T
i、Al、Ni、又はTaから成る。ドレイン電極16の延設端1
6aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって完全
に被覆されている。継手金属層24とドレイン電極延設端
16a及び金属片25との間に位置するベース絶縁膜11は、
上下金属間の層間絶縁体として働き、その厚さは1000Å
〜7000Å程度が適当であるが、本実施例ではTFTのゲー
ト絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11を利用しているため、
2000Å〜3500Åに設定されている。また、ドレイン電極
延設端16a及び金属片25上の保護膜17は、表示媒体であ
る液晶分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行う
ためのものであり、1500Å〜15000Å程度が適当である
が、本実施例ではTFTの保護膜を利用しているため5000
Å前後に設定される。
９と所定の距離だけ離れたベースコート膜２上に継手金
属層24が島状に形成されている。この継手金属層24は、
ゲート電極と同様にTi、Ni、Al、又はTa等から成り、ゲ
ート電極９の形成時に同時にパターン形成することがで
きる。継手金属層24上には上述のベース絶縁膜11が堆積
され、この上に予備TFT7のドレイン電極16の延設端16a
が載置されている。また、絵素電極５の端部は、継手金
属層24上のベース絶縁膜11上に、金属片25と共に積層さ
れている。従って、延設端16aと絵素電極５とは離隔さ
れており、非導通状態を維持している。金属片25は、T
i、Al、Ni、又はTaから成る。ドレイン電極16の延設端1
6aと金属片25の絵素電極端部は、保護膜17によって完全
に被覆されている。継手金属層24とドレイン電極延設端
16a及び金属片25との間に位置するベース絶縁膜11は、
上下金属間の層間絶縁体として働き、その厚さは1000Å
〜7000Å程度が適当であるが、本実施例ではTFTのゲー
ト絶縁膜を兼ねるベース絶縁膜11を利用しているため、
2000Å〜3500Åに設定されている。また、ドレイン電極
延設端16a及び金属片25上の保護膜17は、表示媒体であ
る液晶分子と離隔した状態で双方間の電気的接続を行う
ためのものであり、1500Å〜15000Å程度が適当である
が、本実施例ではTFTの保護膜を利用しているため5000
Å前後に設定される。
上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配線４の全ラインから全絵素電極５にTFT6を
介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。こ
のような表示装置の状態ではTFT6が不良の場合、絵素欠
陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥部では、第
２図の矢印で示すように、下方のガラス基板１または上
方のガラス基板20を介して、外部よりレーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱線が継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光が照
射されると延設端16a、ベース絶縁膜11、及び継手金属
層24は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通
状態となる。同様に、絵素電極５側の金属片25と継手金
属層24の間も、レーザ光が照射されると互いに溶融接触
して導通状態となる。このようにして予備TFT7と絵素電
極５とが電気的に接続される。このとき継手金属層24、
延設端16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されて
いるので、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入
することはない。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ
光を透過させる。そのため、レーザ光は金属材に吸収さ
れてこれを瞬時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照
射に際して金属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに
溶融混合されるが、保護膜17が破壊されることはない。
また、レーザ光の照射された液晶層は照射部が白濁する
が、この白濁はやがて消失し、元の配向状態に復元され
ることが確かめられた。
ソースバス配線４の全ラインから全絵素電極５にTFT6を
介して駆動電圧を印加し、表示装置を全面駆動する。こ
のような表示装置の状態ではTFT6が不良の場合、絵素欠
陥が容易に視認される。検出された絵素欠陥部では、第
２図の矢印で示すように、下方のガラス基板１または上
方のガラス基板20を介して、外部よりレーザ光、赤外
線、電子ビームその他の熱線が継手金属層24に照射され
る。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ光が照
射されると延設端16a、ベース絶縁膜11、及び継手金属
層24は相互に溶融して層間絶縁層が絶縁破壊され、導通
状態となる。同様に、絵素電極５側の金属片25と継手金
属層24の間も、レーザ光が照射されると互いに溶融接触
して導通状態となる。このようにして予備TFT7と絵素電
極５とが電気的に接続される。このとき継手金属層24、
延設端16a、金属片25の上方には保護膜17が形成されて
いるので、溶融した金属が表示媒体である液晶中に混入
することはない。保護膜17は透明絶縁体であり、レーザ
光を透過させる。そのため、レーザ光は金属材に吸収さ
れてこれを瞬時に加熱溶融させる。従って、レーザ光照
射に際して金属材とこれに挟まれた層間絶縁膜は互いに
溶融混合されるが、保護膜17が破壊されることはない。
また、レーザ光の照射された液晶層は照射部が白濁する
が、この白濁はやがて消失し、元の配向状態に復元され
ることが確かめられた。
TFT6の絶縁不良などにより、TFT6を絵素電極５から切り
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16をレー
ザ光などによって切断する必要が生じる。本実施例では
第1B図に示すような形状のドレイン電極16及び絵素電極
５の構成となっているので、Ｒの部分にレーザ光を照射
すれば容易にTFT6を絵素電極５から切り離すことができ
る。また、第1B図に示す絵素電極５とドレイン電極16と
の間の距離Ｘを５μｍ以上とすることにより、レーザ光
を照射した際にドレイン電極16と絵素電極５とを電気的
に完全に切断できることが確認された。
離す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16をレー
ザ光などによって切断する必要が生じる。本実施例では
第1B図に示すような形状のドレイン電極16及び絵素電極
５の構成となっているので、Ｒの部分にレーザ光を照射
すれば容易にTFT6を絵素電極５から切り離すことができ
る。また、第1B図に示す絵素電極５とドレイン電極16と
の間の距離Ｘを５μｍ以上とすることにより、レーザ光
を照射した際にドレイン電極16と絵素電極５とを電気的
に完全に切断できることが確認された。
予備TFT7と絵素電極５の配置構造は上記以外に第３図或
いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図は予
めベース絶縁膜11にスルーホールを設け、継手金属層24
と金属片25を接続しておいて、TFT6と不良時に予備TFT7
のドレイン電極延設端16aと継手金属層24のみを光エネ
ルギーで電気的に接続するものである。また、第４図は
継手金属層24を設けず、予備TFT7のドレイン電極延設端
16aを金属片25の直下にベース絶縁膜11を介して配置
し、光エネルギー照射によって双方を直接溶融接続する
ものである。第３図及び第４図に於てドレイン電極延設
端16aと金属片25は互いに逆の関係で構成されても良い
ことは明らかである。更に、表示パネル基板としてはレ
ーザ照射を可能とするため、少なくとも一方の基板が透
光性を有する部材（ガラス、プラスチック等）を用いる
ことを要するが、ベースコート膜２は必ずしも必要では
なく、設けなくてもよい。このように本実施例では、絵
素電極５と電気的に接続されるTFT6に加えて、該TFT6と
のつなぎ替えが可能な予備TFT7を備え、該予備TFT7と絵
素電極５とを接続するための接続部、つまり継手金属層
24、ドレイン電極延設端16a、金属片25を保護膜17によ
って被覆しているため、表示パネルの組立後に上記接続
部へのレーザ光照射により、溶融した金属の液晶中の混
入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行うことができ
る。
いは第４図に示す構造とすることもできる。第３図は予
めベース絶縁膜11にスルーホールを設け、継手金属層24
と金属片25を接続しておいて、TFT6と不良時に予備TFT7
のドレイン電極延設端16aと継手金属層24のみを光エネ
ルギーで電気的に接続するものである。また、第４図は
継手金属層24を設けず、予備TFT7のドレイン電極延設端
16aを金属片25の直下にベース絶縁膜11を介して配置
し、光エネルギー照射によって双方を直接溶融接続する
ものである。第３図及び第４図に於てドレイン電極延設
端16aと金属片25は互いに逆の関係で構成されても良い
ことは明らかである。更に、表示パネル基板としてはレ
ーザ照射を可能とするため、少なくとも一方の基板が透
光性を有する部材（ガラス、プラスチック等）を用いる
ことを要するが、ベースコート膜２は必ずしも必要では
なく、設けなくてもよい。このように本実施例では、絵
素電極５と電気的に接続されるTFT6に加えて、該TFT6と
のつなぎ替えが可能な予備TFT7を備え、該予備TFT7と絵
素電極５とを接続するための接続部、つまり継手金属層
24、ドレイン電極延設端16a、金属片25を保護膜17によ
って被覆しているため、表示パネルの組立後に上記接続
部へのレーザ光照射により、溶融した金属の液晶中の混
入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行うことができ
る。
また、絵素電極５として、TFT6の接続端（ドレイン電
極）16が接続される部分近傍に切り欠き部5aを有する構
造としているため、絵素電極５とゲートバス配線３との
間にTFT6と絵素電極５の溶断のために確保するスペース
を小さくでき、しかもTFT6の接続端（ドレイン電極）16
を、その絵素電極５の切り欠き部5a内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さい構造としているた
め、絵素電極５に形成する切り欠き部5aの開口幅を小さ
くして、アクティブマトリクス基板の開口率の低下を抑
えることができる。
極）16が接続される部分近傍に切り欠き部5aを有する構
造としているため、絵素電極５とゲートバス配線３との
間にTFT6と絵素電極５の溶断のために確保するスペース
を小さくでき、しかもTFT6の接続端（ドレイン電極）16
を、その絵素電極５の切り欠き部5a内に位置する部分の
幅が、その他の部分の幅より小さい構造としているた
め、絵素電極５に形成する切り欠き部5aの開口幅を小さ
くして、アクティブマトリクス基板の開口率の低下を抑
えることができる。
上記実施例ではアクティブマトリクス型液晶表示装置に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、MIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々のスイ
ッチング素子を用いて表示パターンを得る広範囲の液晶
表示素子に適用可能である。また、表示媒体として、薄
膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体等を用いた
各種表示装置に適用することができる。
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、MIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々のスイ
ッチング素子を用いて表示パターンを得る広範囲の液晶
表示素子に適用可能である。また、表示媒体として、薄
膜発光層、分散型EL発光層、プラズマ発光体等を用いた
各種表示装置に適用することができる。
（発明の効果） 以上のようにこの発明に係るアクティブアトリクス表示
装置によれば、絵素電極と電気的に接続されたスイッチ
ング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ替えが
可能な予備スイッチング素子を備え、該予備スイッチン
グ素子と絵素電極とを接続するための接続部を絶縁保護
膜によって被覆しているので、表示パネルの組立後に上
記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属の液晶
中への混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行うこと
ができる。つまり、視覚的に絵素欠陥箇所を容易に特定
することができる表示装置の状態で確実に絵素欠陥を修
復でき、検査工程及び修復工程が容易となり、量産性が
確保され、表示装置としてのコスト低減を図ることがで
きる。
装置によれば、絵素電極と電気的に接続されたスイッチ
ング素子に加えて、スイッチング素子とのつなぎ替えが
可能な予備スイッチング素子を備え、該予備スイッチン
グ素子と絵素電極とを接続するための接続部を絶縁保護
膜によって被覆しているので、表示パネルの組立後に上
記接続部へのレーザ光照射により、溶融した金属の液晶
中への混入を招くことなく、絵素の欠陥修復を行うこと
ができる。つまり、視覚的に絵素欠陥箇所を容易に特定
することができる表示装置の状態で確実に絵素欠陥を修
復でき、検査工程及び修復工程が容易となり、量産性が
確保され、表示装置としてのコスト低減を図ることがで
きる。
また、絵素電極を、スイッチング素子の接続端が接続さ
れる部分近傍に切り欠き部を有する構造としているた
め、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング素子と
絵素電極との溶断のために確保するスペースを小さくで
き、しかも、スイッチング素子の接続端を、その絵素電
極の切り欠き部内に位置する部分の幅が、その他の部分
の幅より小さい構造としているため、絵素電極に形成す
る切り欠き部の開口幅を小さくして、アクティブマトリ
クス基板の開口率の低下を抑えることができるという効
果がある。
れる部分近傍に切り欠き部を有する構造としているた
め、絵素電極と周辺の配線との間にスイッチング素子と
絵素電極との溶断のために確保するスペースを小さくで
き、しかも、スイッチング素子の接続端を、その絵素電
極の切り欠き部内に位置する部分の幅が、その他の部分
の幅より小さい構造としているため、絵素電極に形成す
る切り欠き部の開口幅を小さくして、アクティブマトリ
クス基板の開口率の低下を抑えることができるという効
果がある。
第1A図は本発明の一実施例に用いるアクティブマトリク
ス基板の平面図、第１図Ｂ図は第1A図のTFT6近傍の拡大
図、第２図は絵素電極５とドレイン電極延設端16aとを
レザー光によって、電気的に接続した様子を示す断面
図、第３図及び第４図は予備TFT7と絵素電極５との配置
構造の他の例を示す断面図、第5A図は表示装置を組み立
てた状態で絵素欠陥を修正できる構成を有するアクティ
ブマトリクス基板の例を示す断面図、第5B図及び第5C図
は第5A図のアクティブマトリクス基板を用いて表示装置
を組み立て、それぞれ第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に
沿った面で切断した断面図、第5D図は第5A図のTFT6近傍
の拡大図である。 1,20……ガラス基板、６……TFT、７……予備TFT、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15……ソース電
極、16……ドレイン電極、17……保護膜、18……液晶分
子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22……
対向電極。
ス基板の平面図、第１図Ｂ図は第1A図のTFT6近傍の拡大
図、第２図は絵素電極５とドレイン電極延設端16aとを
レザー光によって、電気的に接続した様子を示す断面
図、第３図及び第４図は予備TFT7と絵素電極５との配置
構造の他の例を示す断面図、第5A図は表示装置を組み立
てた状態で絵素欠陥を修正できる構成を有するアクティ
ブマトリクス基板の例を示す断面図、第5B図及び第5C図
は第5A図のアクティブマトリクス基板を用いて表示装置
を組み立て、それぞれ第5A図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に
沿った面で切断した断面図、第5D図は第5A図のTFT6近傍
の拡大図である。 1,20……ガラス基板、６……TFT、７……予備TFT、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15……ソース電
極、16……ドレイン電極、17……保護膜、18……液晶分
子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、22……
対向電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−35483（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54417（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板と、該両基板の間に挟持され、印加電圧に応答して光
学的特性が変調される表示媒体と、該一対の基板の何れ
か一方の基板の内面にマトリクス状に配された絵素電極
と、該絵素電極と電気的に接続されたスイッチング素子
と、該絵素電極とは非導通状態で近接配置された予備ス
イッチング素子とを備え、 該予備スイッチング素子の接続端と該絵素電極とが少な
くとも絶縁層を介して対置する接続部が形成され、該接
続部が絶縁保護膜によって被覆されて該表示媒体から離
隔され、 該絵素電極には該スイッチング素子の接続端が接続され
る該絵素電極部分近傍に切り欠き部が設けられており、 該スイッチング素子の接続端は、その絵素電極の切り欠
き部内に位置する部分の幅が、その他の部分の幅より小
さくなっているアクティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782889A JPH0786617B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置 |
| US07/444,732 US5076666A (en) | 1988-12-06 | 1989-12-01 | Active matrix display apparatus with drain electrode extensions |
| EP89312647A EP0372898B1 (en) | 1988-12-06 | 1989-12-05 | Active matrix display apparatus |
| DE68924247T DE68924247T2 (de) | 1988-12-06 | 1989-12-05 | Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7782889A JPH0786617B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254423A JPH02254423A (ja) | 1990-10-15 |
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