JPH0324524A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置に
関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表
示を行うアクテイフマトリクス駆動方式の表示装置に関
する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
が選択駆動され、画面上に表示パターンが形成される。

選択された絵素電極とこれに対向する対向電極との間に
電圧が印加され、その間に介在する表示媒体の光学的変
調が行われる。

この光学的変調が表示パターンとして視認される。

絵素電極の駆動方式として、個々の独立した絵素電極を
配列し、この絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を
連結して駆動するアクティブマトリクス駆勤方式が知ら
れている。絵素電極を選択駆動するスイッチング素子と
しては、ＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（
金属一絶縁層一金属）素子、ＭＯＳ｝ランジスタ素子、
ダイオード、バリスタ等が一般的に知られている。アク
ティブマトリクス駆動方式は、高フントラストの表示が
可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コ
ンピュータの端末表示装置等に実用化されている。

（発明が解決しようとする課題） このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場合、
非常に多数のバス配線、絵素電極、スイッチング素子等
を配列することが必要となる。しかしながら、スイッチ
ング素子は基板上に作製した時点で動作不良素子として
形成されることがある。このような不良素子に連結され
た絵素電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずること
になる。

絵素欠陥を修正する為の構戊が、例えば特開昭６１−１
５３６１９号公報に開示されている。この構戊では、絵
素電極１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる
。複数個のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に
接続され、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に
接続されたスイッチング素子が不良の場合は、レーザト
リマ、超音波力ッタ等により該不良スイッチング素子が
絵素電極から切り離され、他のスイッチング素子が絵素
電極に接続される。スイッチング素子と絵素電極との接
続は、微小な導体をデイスペンサ等で付着させることに
より、或いはＡｕＳ　Ａｌ等を基板上の所定部位にコー
トすることにより行われる。更に、特開昭６１−５６３
８２号公報及び特開昭５９−１０１６９３号公報には、
レーザ光を照射して金属を溶融させることにより、金属
層相互間を電気的に接続する構戊が開示されている。

上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で行われなければならない。そ
の理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射に
よって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対
向電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、
表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。

従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装置組
立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス基板
製作プロセスで適用されている。

ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の状態
で検出することは極めて困難である。特に絵素数が１０
万個〜５０万個以上もある大型表示装置では、全ての絵
素電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を
発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけ
ればならない。

このため、検査工程が繁雑となり、量産性が阻害される
。従って、コスト高になるという結果を招く。このよう
な理由で、絵素数の多い大型表示装置では、上述のレー
ザ光を用いた基板の状態での絵素欠陥の修正を行なうこ
とができないというのが実情である。

高密度表示を行う表示装置では、スイッチング素子に接
続されるバス配線の全長は非常に長くなる。そのため、
バス配線に断線不良や絶縁不良が生じ易くなる。断線不
良や絶縁不良は、特にバス配線が交差する領域に多く発
生することが知られている。このような不良の発生は、
該不良部分近傍に接続される絵素を始点とする線欠陥と
して視覚的に認識される。線欠陥は画像品位を著しく低
下させるので製造上大きな問題となる。そのため、これ
らの不良を修正する技術が望まれていた。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表
示装置の状態で、スイッチング素子不良による絵素欠陥
を修正できるアクテイフマトリクス表示装置を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、バス配線が交差する
領域に断線不良或いは絶縁不良が発生した場合に、表示
装置の状態で容易にこれらの不良を修正することができ
るアクティブマトリクス表示装置を提供することである
。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透光性を有する一対の基板と、該基板間に挿入さ
れ印加電圧に応答して光学的特性が変調される表示媒体
と、該一対の基板の何れか一方の基板内面にマトリクス
状に配され一対の絵素電極部に分割された絵素電極と、
一対の該絵素電極部の間に配設された第１のバス配線と
、該第１のバス配線と交差する第２のバス配線と、を備
え、該第１のバス配線の両側に並行する一対の導電膜と
、それぞれの該導電膜の一部と絶縁膜を介して非導通状
態で重畳された一対の導電体片と、それぞれの該導電体
片と導通状態で重畳されたそれぞれの該絵素電極部の一
部と、一対の該導電膜間を橋絡し、それぞれの該導電膜
の一部と絶縁膜を介して非導通状態で重畳された予備配
線と、によって接続領域が形成され、該接続領域が保護
膜によって被覆されており、そのことによって上記目的
が達戊される。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、前記
第１のバス配線の両側に並行する一対の導電膜と、それ
ぞれの該導電膜の一端と絶縁膜を介して非導通状態で重
畳された前記第２のバス配線から分岐した一対の分岐端
と、一対の該導電膜間を橋絡し、それぞれの該導電膜の
一部と絶縁膜を介して非導通状態で重畳された予備配線
と、によって接続領域が形成され、該接続領域が保護膜
によって被覆された構成とすることもできる。

更に、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、前記
第１のバス配線の両側に並行する一対の導電膜と、それ
ぞれの該導電膜の一部と絶縁膜を介して非導通状態で重
畳された一対の導電体片と、それぞれの該導電体片と導
通状態で重畳されたそれぞれの該絵素電極部の一部と、
一対の該導電膜間を橋絡し、それぞれの該導電膜の一部
と絶縁膜を介して非導通状態で重畳された予備配線と、
によって接続領域が形成され、更に、該接続領域は、そ
れぞれの該導電膜の一端と、前記第２のバス配線か゜ら
分岐した一対の分岐端のそれぞれとが、絶縁膜を介して
非導通状態で重畳された重畳部を有し、該接続領域が保
護膜によって被覆されたする構戊とすることもできる。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、隣接
する前記絵素電極の前記絵素電極部間を橋絡する導電層
と、該導電層の両端に絶縁膜を介して非導通状態で重畳
された一対の導電片と、それぞれの該導電片と導通状態
で重畳されたそれぞれの該絵素電極部の一部と、によっ
て接続部が形成され、該接続部が保護膜によって被覆さ
れており、そのことによっても上記目的が達戊される。

更に、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、上記
の接続部を備え、更に、前記第１のバス配線の両側に並
行する一対の導電膜と、それぞれの該導電膜の一端と絶
縁膜を介して非導通状態で重畳された前記第２のバス配
線から分岐した一対の分岐端と、一対の該導電膜間を橋
絡し、それぞれの該導ＮＨの一部と絶縁膜を介して非導
通状態で重畳された予備配線と、によって形成された接
続領域を備え、該接続部及び該接続領域が保護膜によっ
て′ｆＩ１？ｌＩされた構威とすることもできる。

（作用） 上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置を全面
駆動すれば、絵素欠陥の発生位置を容易にＴＭ認するこ
とができる。全絵素電極の駆動により、これに対応する
表示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しか
し、スイッチング素子が不良の場合には、光学的変調が
不完全となり絵素欠陥として視認される。絵素欠陥は微
小な絵素電極が数十万個以上配列されている表示装置に
於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可能
である。

絵素欠陥を生じている絵素電極部が特定ざれると、接続
領域を有するアクティブマトリクス表示装置では、この
接続領域を用いて該欠陥が修正される。即ち、第ｌのバ
ス配線の両側のそれぞれに於いて、導電膜と導電体片と
の重畳部、及び導電膜と予備配線との重畳部に、透光性
の基板を介して外部よりレーザ光等の光エネルギーを照
射することにより、絵素欠陥の修正が行なわれる。レー
ザ光が照射された上記４箇所の重畳部では絶縁膜が破壊
され、第１のバス配線の両側のそれぞれに於いて、導電
体片と導電膜、及び導電膜と予備配線とがそれぞれ電気
的に接続される。導電体片と絵素電極部とは導通状態で
重畳されているので、第１のバス配線を挟んで隣接する
２つの絵素電極部は、上記の接続領域を介して電気的に
接続される。従って、絵素欠陥を生じた絵素電極部は、
第ｌのバス配線を挟んで隣接する絵素電極部のスイッチ
ング素子によって接続領域を介して駆動されることにな
る。

接続部を有するアクティブマトリクス表示装置では、絵
素欠陥を生じている絵素電極部が特定されると、この接
続部を用いて該欠陥が修正される。

即ち、接続部に形成された２箇所の導電片と導電層との
重畳部に、透光性の基板を介して外部からレーザ光を照
射することによって、欠陥の修正が行われる。レーザ光
が照射された上記２箇所の重畳部では絶縁膜が破壊され
、２つの導電片と導電層とがそれぞれ電気的に接続され
る。それぞれの導電片はそれぞれの絵素電極部と導通状
態で重畳されているので、隣接する２つの絵素電極部は
、接続部を介して電気的に接続されることになる。

このように接続部による欠陥修正を行うと、欠陥の発生
した絵素電極部は、隣の絵素電極のスイ，チング素子に
よって駆動される。そのため、修正された絵素電極部は
本来の表示動作を行うことはできないが、絵素欠陥とな
ることは避けることができる。

上述のように接続領域或いは接続部を用いて修正した後
、必要に応じて絵素欠陥を生している絵素電極部に接続
されているスイッチング素子を、基板外部からの光エネ
ルギーの照射により、絵素電極部より切り離すこともで
きる。

接続領域を有する本発明のアクティブマトリクス表示装
置では、パス配線の交差領域に発生した絶縁不良や、該
領域上の第２のバス配線に発生した断線不良により線欠
陥が発生した場合にも、これらの不良を修正し得る構成
とすることができる。

上記絶縁不良の場合には、まず、該不良が発生している
交差領域上の第２のバス配線の両測部分が、レーザ光照
射により切断される。第２のバス配線の断線不良の場合
には上記の切断は不要である。

次に、接続領域の第１のバス配線の両側のそれぞれに於
で、導電膜と第２のバス配線から分岐した分岐端との重
畳部、及び導電膜と予備配線との重畳部に、透光性の基
板を介して外部よりレーザ光が照射される。レーザ光が
照射された上記４箇所の重畳部では絶縁膜が破壊され、
第１のバス配線の両側のそれぞれに於て、導電膜と分岐
端、及び導電膜と予備配線とがそれぞれ電気的に接続さ
れる。このように交差領域上の部分で非導通状態のバス
配線の両端は、接続領域を介して電気的に接続される。

本発明の表示装置では、接続領域及び接続部は保護膜で
被覆されているため、上述のレーザ光照射による修正を
表示装置の外部から行っても、溶融した金属等が表示媒
体中に混入することはなく、表示媒体の特性は低下しな
い。即ち、上述のレーザ光照射による修正は、表示媒体
から離隔された保護膜と基板との間で行われるので、表
示媒体に悪影響を与えることなく修正を行うことができ
る。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発
明の表示装置の一実施例に用いられるアクティブマトリ
クス基板を示す。透明導電膜（■Ｔｏ）から成る絵素電
極５がマトリクス状に配列され、絵素電極５は一対の絵
素電極部５ａ及び５ｂに分割されている。一対の絵素電
極部５ａ及び５ｂの間には、走査信号を供給するゲート
バス配線３が形成されている。ゲートバス配線３に直交
して、データ信号を供給するソースバス配線４が形成さ
れている。ゲートバス配線３は一般にＴａ，ＡＩＳ　Ｔ
ｉ，Ｍｏ等の単層又はこれらの多層金属で形成されるが
、本実施例ではＴａを使用している。ソースバス配線４
も同様の金属で形成されるが、本実施例ではＴＩを使用
している。ゲートバス配線３とソースバス配線４の交差
領域４２には、後述するベース絶縁膜１１が介在してい
る。

ゲートバス配線３からは絵素電極部５ａに向かっテ、ケ
ートハス支ｉ１８ａがソースバス配線４に平行して分岐
している。該支線８ａ上にはＴＦＴ６ａが配されている
。同様に、ゲートバス支線８ｂが絵素電極部５ｂに向か
って分岐し、該支線８ｂ上にはＴＦＴ６　ｂが配されて
いる。ＴＦＴ６ａ及びＴＦＴ６ｂは、それぞれソース電
極１５ａ及び１５ｂによって、同一のソースバス配線４
に電気的に接続されている。ＴＦＴ６　ａと絵素電極部
５ａとの間、及びＴＦＴ６　ｂと絵素電極部５ｂとの間
は、それぞれドレイン電極１６ａ及び１６ｂによって電
気的に接続されている。ＴＦＴ６ａ近傍の拡大平面図を
第５図に示す。ドレイン電極１６ａが接続される絵素電
極部５ａの部分には矩形の切欠部３８が設けられ、ドレ
イン電極１６ａは該切欠部３８の最も離れた辺に接続さ
れている。

上述の構成により、一対の絵素電極部５ａ及び５ｂは、
それぞれ別のＴＦＴ６　ａ及び６ｂを介して、同一の走
査信号及び同一のデータ信号によって駆動される。従っ
て、一つの絵素電極５を構戊する二つの絵素電極部５ａ
及び５ｂは、同時に同じ表示動作を行うことができる。

第２図に第１図の■一■線に沿った表示装置の断面図を
示す。ＴＦＴ６ａ近傍の断面構或を第２図に従って説明
する。尚、ＴＦＴ６ｂの断面構成もＴＦＴ６ａと同様で
ある。ガラス基板１上にＴａ２０５、Ａｌ２０３、Ｓｉ
Ｎｘ等から戊るベースコート膜２が厚さ３０００入〜９
０００Ａで形成されている。ゲートバス支線８ａの一部
として形成されるＴａのゲート電極９上に、ゲート電極
９の表面を陽極酸化して得られるＴａ２０５から成るゲ
ート絶縁膜１０が形成されている。この上から、ゲート
絶縁膜としても機能しているＳｆＮｘ（例えばＳｉ３Ｎ
４）のベース絶縁膜１１が基板全面に亙って堆積されて
いる。ベース絶縁膜１ｌの厚さは、１５００Ａ〜６００
０大程度が適切であるが、本実施例では２０００Ａ〜３
５００大に設定されている。

ベースｊｌｔＭ１１上にはアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｌ）の真性半導体層１２、真性半導体層ｌ２の上面を
保護するＳＩＮｘから成る半導体層保護膜１３が順次積
層されている。更にその上から、後に形成されるソース
電極及びドレイン電極とオーミックコンタクトを得るた
めの、ａ−Ｓｉから成るｎ型半導体層１４が積層されて
いる。ｎ型半導体層１４上にはソース電極１５ａ，及び
ドレイン電極１６ａが形成されている。　絵素電極部５
ａは、ベース絶縁膜ｌｌ上にパターン形成される。

ＴＦＴ６ａ及び絵素電極５の上面を覆って基板全面にＳ
ｆＮ×から成る保謹膜ｌ７が形成され、保護膜ｌ７上に
液晶分子１８の配向を規制する配向層ｌ９が形成されて
いる。保護膜１７の厚さは２０００Ａ−１００００大程
度が適切であるが、本実施例では５０００Ａ前後に設定
されている。べ一ス絶縁膜ｌ１及び保護膜ｌ７はＳｆＮ
ｘ以外に、ＳｉＯｘ、Ｔａ２０５、ＡＩ２０３その他の
酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜１７
は基板全面に形成せずに、ＴＦＴ６ａ，バス配線等の直
接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素電極５の中央
部で除去した窓あき構造としてもよい。

絵素電極部５ａの形成されたガラス基板ｌに対向する他
方のガラス基板２０の内面には、カラーフィルタ２１、
対向電極２２、及び配向層２３が重畳形成されている。

カラーフィルタ２ｌの周囲には必要に応じてブラックマ
トリクス（図示せず）が設けられる。

上記一対のガラス基板１、２００間には表示媒体として
、ツィステドネマチック液晶分子１８が封入されている
。液晶分子１８は絵素電極５と対向電極２２との開の印
加電圧に応答して配向変換され、光学的変調が行われる
。この光学的変調が表示パターンとして視認される。

第１図に示すように、絵素電極部５ａ及び５ｂのＴＦＴ
が形成されていないゲートバス配線３に沿ったそれぞれ
の隅部には、接続領域７が形成されている。接続領域７
はこれらの２つの隅部に跨って設けられる。

第１図の■−■線に沿った断面図を第３図示す。

第１図のｍ’−ｍ’線に沿った断面図も第３図と同様で
ある。ゲートバス配線３の両側に平行する一対の導電膜
２６ａ及び２６ｔ）がベースコート膜２上に形成されて
いる。導電膜２６ａ及び２６ｂは、ゲートバス配線３と
同時に形成することができる。導電膜２６ａ及び２６ｂ
上には、前述のベ−ス絶縁膜１１が全面に堆積されてい
る。導電膜２６ａ及び２６ｂの一方の端部の上方には、
導電体片２７ａ及び２７ｂがベース絶縁膜ｌ１を介して
積層されている。導電体片２７ａ及び２７ｂの上には絵
素電極部５ａ及び５ｂが積層され、電気的に接続されて
いる。

導電膜２６ａ及び２６ｂの中央部には、予備配線２８が
積層されている。第１図に示すように、予備配線２８は
、導電膜２６ａ１ゲートバス配線３、及び導電膜２６ｔ
）の上方に、前述のベース絶縁膜１１を介して積層され
ている。導電体片２７ａ及び２７ｂ１並びに予備配線２
８はソースバス配線４と同時に形成することができる。

導電膜２６ａ及び２６ｂの他方の端部上方には、ソース
バス配線４の分岐端２９ａ及び２９ｂが、ベース絶縁膜
１１を介して積層されている。

導電膜２６ａ及び２６ｂ、導電体片２７ａ及び２７ｂ１
並びに予備配！ｊｉ１２８は、Ｔａ，ＡＩ、Ｔｉ，ＭＯ
等から成る。

上述の構成を有する接続領域７に於いては、導電膜２６
ａ上に、導電体片２７ａ１予備配線２８、及び分岐端２
９ａが、ベース絶縁膜１１を介して非導通状態で近接対
置している。同様に、導１ｉ膜２６ｂ上には、導電体片
２７ｂ１予備配線２８、及び分岐端２９ｂが、ベース絶
縁膜ｌ１を介して非導通状態で近接対置している。予備
配線２８は、ゲートバス配線３を挟んで配設された２つ
の導電膜２６ａ及び２６ｂに、ベース絶縁ａｌｌを介し
て非導通状態で近接対置している。この接続領域７は、
前述の保護膜１７によって完全に被覆されている。

導電膜２６ａと、導電体片２７ａ、予備配線２８、及び
分岐端２９ａとの間に位置するべ−゜ス絶縁膜１１は、
これらの間の層間絶縁膜として機能している。層間絶縁
膜としての厚さは１０００大〜７０００入が適している
が、本実施例ではＴＦＴ６ａのゲート絶縁膜としても機
能するベース絶縁膜１ｌを利用しているので、前述のよ
うに２０００大〜３５００Ａに設定されている。

保護膜ｌ７は導電膜２６ａと、導電体片２７ａ１予備配
線２８、及び分岐端２９ａとの間の電気的接続を、表示
媒体である液晶分子ｌ８と離隔した状態で行うためのも
のである。そのため、保護膜ｌ７の厚さは１５００六〜
１５０００Ａ程度が適切である。本実施例ではＴＦＴ６
　ａの保護膜を利用しているため、その厚さは５０００
Ａ前後に設定されている。

上記構戊を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配線４の全配線から、ＴＦＴ６ａ及び６ｂを
介して全絵素電極部５ａ及び５ｂに駆動電圧を印加し、
表示装置を全面駆動する。

このように表示装置を駆動した状態では、絵素欠陥が容
易に視認される。ＴＦＴ６　ａ若しくは６ｂの不良、又
はゲート支線８ａ若しくは８ｂの断線不良によって、絵
素電極部５ａ及び５ｂの何れか一方に絵素欠陥が発生し
ている場合には、接続領域７を用いて容易に修正するこ
とができる。

ＴＦＴ６　ａ又はゲート支線８ａに何らかの不良が発生
し、絵素電極部５ａに絵素欠陥が生じている場合を一例
として挙げる。絵素欠陥の修正は、表示装置の外部から
のレーザ光照則によって行われる。絵素欠陥の修正に用
いられた接続領域７の第１図■一■線に沿った断面図を
第・ｔ図に示す。

第１図のｍ．’−ｍ’線に沿った絵素欠陥修正後の接続
領域７の断面図も、第４図と同様である。第４図の矢印
３６及び３７で示すように、下方のガラス基板１を介し
て外部よりレーザ光、赤外線、電子ビーム、その他のエ
ネルギーが接続領域７に照射される。本実施例では照射
エネルギーとしてＹＡＧレーザ光を用いた。レーザ光が
照射された導電膜２６ａとベース絶縁膜１１と導電体片
２７ａとの重畳部分では、ベース絶縁膜１１の絶縁破壊
が起こり、導電膜２６ａと導電体片２７ａとは互いに溶
融接続されて導通状態となる。同様に、導電膜２６ａと
ベース絶縁膜ｌ１と予備配線２８との重畳部分にもレニ
ザ光が照射されて、ベース絶縁膜１１の絶縁破壊が起こ
り、導電膜２６ａと予備配線２８とは互いに溶融接続さ
れて導通状態となる。導電体片２７ａと絵素電極部５ａ
とは導通状態なので、絵素電極部５ａと予備配線２８と
は、電気的に接続されることになる。

同様に、レーザ光照射によって導電膜２６ｂと導電体片
２７ｂ、及び導電膜２６ｔ）と予備配線２８の間が電気
的に接続される。導電体片２７ｂと絵素電極部５ｂとは
導通状態なので、絵素電極部５ｂと予備配線２８とは、
電気的に接続されることになる。

以上のようにして４＠所で接続を行うことにより、絵素
電極部５ａと５ｂとが電気的に接続される。従って、絵
素欠陥となっている絵素電極部５ａは、接続領域７を介
して正常なＴＦＴ６　ｂによって駆動される。更に、欠
陥を生じている絵素電極部５ａのＴＦＴ６　ａ或いはゲ
ート支線８ａが絶縁不良を起こしている場合には、ＴＦ
Ｔ６　ａのドレイン電極１６ａがレーザ光照射によって
切断される。第５図に示すように、ＴＦＴ６　ａのドレ
イン電極１６ａが接続される絵素電極部５ａの部分には
、切欠部３８が設けられている。ドレイン電極１６ａは
、この切欠部３８内のＲで示す破線で囲まれた領域に、
レーザ光が照射されることにより切断される。このよう
に切欠部３８を設けることにより、ドレイン電極１６ａ
を切断する際に溶融拡散した電極材料がドレイン電極１
６ａと絵素電極部５ａとの間に再び付着して、切断の妨
げとなるのを防止することができる。

ＴＦＴ６　ｔ）又はゲート支線８ｂに何らかの不良が発
生し、絵素電極部５ｂに絵素欠陥が生じている場合にも
、同様に接続領域７を用いて修正することができる。

本実施例の接続領域７によれば、ゲートバス配線３とソ
ースバス配線４との交差領域４２に於いて、第６Ａ図に
示すようなソースバス配線４の断線不良が発生している
場合、或いは第６Ｂ図に示すようにソースバス配線４と
ゲートバス配線３との間にビンホール等による絶縁不良
が発生している場合にも、これらの不良を修正すること
ができる。これらの不良の発生は、表示装置上では線欠
陥となって現れる。

この修正は次のようにして行うことができる。

まず、第６Ｂ図に示すようなビンホール４ｌによる絶縁
不良が発生している場合には、第６８図Ａ−Ａ線及びＢ
−Ｂ線で示す部分でソースバス配線４がレーザ光照射に
よって切断される。第６Ａ図に示すような断線部４０が
生じてる場合には、上述のレーザ光照射による切断は不
要である。次に、ソースバス配線４の分岐端２９ａとベ
ース絶縁膜ｌ１と導電膜２６ａとの重畳部分にレーザ光
が照射される。レーザ光照射によってベース絶縁膜１１
の絶縁破壊が起こり、分岐端２９ａと導電膜２６ａとは
互いに溶融接続されて導通状態となる。

同様に、予備配線２８とベース絶縁膜１ｌと導電膜２６
ａとの重畳部分にもレーザ光が照射されてベース絶縁膜
１ｌの絶縁破壊が行われ、予備配線２８と導電膜２６ａ
とは互いに溶融接続されて導通状態となる。従って、交
差領域４２の両側の一方のソースバス配線４と予備配線
２８とは、導電膜２６ａを介して電気的に接続されるこ
とになる。

同様に、レーザ光照射によってソースバス配線４の分岐
端２９ｂと導電膜２６ｂとの間、及び予備配線２８と導
電膜２６ｂとの間が電気的に接続される。これにより、
交差領域４２の両側の他の一方のソースバス配線４と予
備配線２８とは、導電膜２６１）を介して電気的に接続
されることになる。以上のようにして４箇所で接続を行
うことにより、交差領域４２の両側のソースパス配線４
が接続領域７を介して電気的に接続される。

本実施例ではレーザ光をガラス基板１側から照射したが
、レーザ光を透過させる基板であれば何れの基板側から
照射してもよい。

このようにレーザ光を用いて絵素欠陥の修正を行っても
、接続領域７の上方には保護膜１７が形成されているの
で、溶融した金属等が表示媒体である液晶中へ混入する
ことはない。また、保護膜１７は透明絶縁体なのでレー
ザ光を透過させる。

従って、保護膜１７がレーザ光によって破壊されること
はない。レーザ光の照射された部分の近傍の液晶層は白
濁するが、この白濁はやがて消失し元の状態に復元され
るので、画像品位が低下することもない。

第１図の実施例では、接続領域７は絵素電極部に生じた
絵素欠陥を修正する機能と、交差領域４２に於ける絶縁
不良、或いは該領域４２のソースバス配線４の断線不良
を修正する機能とを有しているが、これら２つの機能の
うち、一方の機能のみを有する構成とすることも可能で
ある。第７図に絵素欠陥を修正する機能のみを有する接
続領域の実施例を示す。本実施例ではソースバス配線４
は分岐端２９ａ及び２９ｂを有していない。従って、接
続領域７１は第３図に示す接続領域７に於いて、分岐端
２９ａ及び導電膜２６ａの該分岐端２９ａの下方に位置
する部分を除いた構成となっている。

第８図に交差領域４２に於ける絶縁不良、或いは該領域
４２のソースバス配線４の断線不良を修正する機能のみ
を有する接続領域の実施例の平面図を示す。本実施例で
は導電体片２７ａ及び２７ｂを有していない。従って、
接続領域７２は第３図に示す接続領域７に於いて、導電
体片２７ａと、導電体片２７ａの下方に位置する導電膜
２６ａの部分とを除いた構成となっている。

第９図に本発明表示装置の他の実施例に用いられるアク
ティブマトリクス基板を示す。本実施例では絵素電極５
の一方の絵素電極部５ａと、該絵素電極５に隣接する絵
素電極の絵素電極部５ｂとの間に接続部４３が設けられ
ている。第１０図に第９図のＸ−Ｘ線に沿った接続部４
３近傍の断面図を示す。ガラス基板１上にベースコート
膜２が全面に堆積され、該ベースコート膜２上には導電
層４４が形成されている。導電層４４はゲートバス配線
３と同時に形成することができる。導電層４４を覆って
全面にベース絶縁膜ｌ１が堆積されている。導電層４４
の両端部上方にはそれぞれ導電片４５ａ及び４５ｂが、
上述のベース絶縁゜膜１ｌを介して積層されている。導
電片４５ａ及び４５ｂはソースバス配線４と同時に形成
することができる。導電片４５ａ及び４５ｂ上には絵素
電極部５ａ及び５ｂが、導通状態で積層されている。

このような積層構造を有する接続部４３は、保護膜１７
によって完全に被覆されている。

第１図の実施例と同様に、上記構成を有する液晶表示装
置を全面駆動し、絵素欠陥の発生位置を確認する。ＴＦ
Ｔ６　ａ若しくは６ｂの不良、又はゲート支線８ａ若し
くは８ｂの断線不良によって、絵素欠陥が絵素電極部５
ａ及び５ｂの何れか一方に発生している場合には、接続
部４３を用いて容易に修正することができる。ＴＦＴ６
　ａ又はゲート支線８ａに何らかの不良が発生し、絵素
電極部５ａに絵素欠陥が生じている場合を一例として挙
げる。本実施例に於いても、導電層４４と導電片４５ａ
及び４５ｔ）との２箇所の重畳部に、表示装置の外部か
らレーザ光を照射することにより、絵素電極部５ａと隣
接する絵素電極の絵素電極部５ｂとが電気的に接続され
る。

このように接続部４３を用いて絵素欠陥を修正すると、
欠陥を生じている絵素電極部５ａは絵素電極部５ｂを介
して、隣接する絵素電極のＴＦＴ６ｂによって駆動され
る。そのため、該絵素電極部５ａは本来の表示動作を行
うことはできないが、絵素欠陥の発生を避けることがで
きる。本実施例の場合も必要に応じて、絵素欠陥を生じ
ている絵素電極部５ａに接続されているＴＦＴ５ａを切
り離すことができる。絵素電極部５ｂに絵素欠陥を生じ
ている場合にも、同様に修正することができる。

本実施例では、接続部４３はＴＦＴ６ａ及び６ｂから最
も離れた位置に設けられているが、絵素電極部５ａ及び
５ｂが隣接する部分であれば何れの位置に設けてもよい
。例えば第１１図に示すように、ＴＦＴ６ａ及び６ｂの
近傍に設けることもできる。

本実施例の接続部４３を用いれば、絵素欠陥は修正され
得るが、第１図の実施例のようにバス配線の交差領域４
２に生じた不良による線欠陥は修正され得ない。上述の
線欠陥を修正する機能を付加した実施例を第１２図に示
す。本実施例は第９図の実施例の接続部４３と、第８図
の実施例の接続領域７２とを併せ持った構成を有してい
る。

上記の各実施例ではベースコート膜２を設けたが、ベー
スコート膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止するこ
ともできる。また、上記の各実施例では透過型の液晶表
示装置を示したが、本発明は反射型の表示装置にも同様
に適用できる。更に、上記実施例ではＴＰＴを用いたア
クティブマトリクス型液晶表示装置について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではない。本発明はＭ
ＩＭ素子、ダイオード、バリスタ等の種々のスイッチン
グ素子を用いた広範囲の表示装置にも適用可能である。

表示媒体として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層、プラ
ズマ発光体等を用いた各種表示装置にも本発明は適用さ
れ得る。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、絵素欠陥の
発生位置を容易に特定できる表示装置の状管で、スイッ
チング素子の不良やバス配線の不良による絵素欠陥或い
は線欠陥を修正できるので、検査工程及び修正工程が容
易となり、量産性が確保される。従って、表示装置とし
てのコスト低減に寄与する．ものである。

４．゛　　の．　な：Ｂ 第１図は本発明表示装置の一実施例に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図、第２図及び第３図は第１
図のアクティブマトリクス基板を用いた表示装置の、そ
れぞれ第１図のｎ−ｎ線及び■−■線に沿った断面図、
第４図は絵素欠陥の修正に用いられた接続領域の断面図
、第５図は第１図のＴＰＴ近傍の拡大平面図、第６Ａ図
及び第６Ｂ図はバス配線の交差領域に不良が発生してい
る様子を示す平面図、第７図及び第８図は接続領域の他
の実施例の平面図、第９図は本発明表示装置の他の実施
例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図、第
１０図は第９図のＸ−Ｘ線に沿った断面図、第１１図は
接続部をＴＰＴ近傍に設けた実施例の平面図、第１２図
は接続部と接続領域とを併せ持った実施例の平面図であ
る。

１．　２０・・・ガラス基板、３・・・ゲートバス配線
、４・・・ソースバス配線、５・・・絵素電極、５ａ，
５ｔ）・・・絵素電極部、６　ａ，　　６　ｂ−・−Ｔ
ＦＴ，　　７，　　７　１．７２・・・接続領域、８ａ
，８ｂ・・・ゲートバス支線、９・・・ゲート電極、工
１・・・ベース絶縁膜、１　５　ａ，１５ｔ）・・・ソ
ース？４Ｌ　　１　６　ａ，　　１　６　ｂ−ドレイン
電極、ｌ７・・・保護膜、１８・・・液晶分子、１９，
２３・・・配向層、２１・・・カラーフィルタ、２２・
・・対向電極、２６ａ，２６ｂ−・−導電膜、２７ａ，
２７ｂ・・・導電体片、２８・・・予備Ｉ’　ｔｉ、２
　９　ａ，　　２　９　ｂ・・・分岐端、３８・・・切
欠部、４０・・・断線部、４１・・・ピンホール、４２
・・・交差領域、４３・・・接続部、４４・・・導電層
、４　５　ａ，　　４　５　ｂ・・・導電片。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調
   される表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板内
   面にマトリクス状に配され一対の絵素電極部に分割され
   た絵素電極と、一対の該絵素電極部の間に配設された第
   １のバス配線と、該第１のバス配線と交差する第２のバ
   ス配線と、を備え、該第１のバス配線の両側に並行する
   一対の導電膜と、それぞれの該導電膜の一部と絶縁膜を
   介して非導通状態で重畳された一対の導電体片と、それ
   ぞれの該導電体片と導通状態で重畳されたそれぞれの該
   絵素電極部の一部と、一対の該導電膜間を橋絡し、それ
   ぞれの該導電膜の一部と絶縁膜を介して非導通状態で重
   畳された予備配線と、によって接続領域が形成され、該
   接続領域が保護膜によって被覆されているアクティブマ
   トリクス表示装置。 ２、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調
   される表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板内
   面にマトリクス状に配され一対の絵素電極部に分割され
   た絵素電極と、一対の該絵素電極部の間に配設された第
   １のバス配線と、該第１のバス配線と交差する第２のバ
   ス配線と、を備え、該第１のバス配線の両側に並行する
   一対の導電膜と、それぞれの該導電膜の一端と絶縁膜を
   介して非導通状態で重畳された該第２のバス配線から分
   岐した一対の分岐端と、一対の該導電膜間を橋絡し、そ
   れぞれの該導電膜の一部と絶縁膜を介して非導通状態で
   重畳された予備配線と、によって接続領域が形成され、
   該接続領域が保護膜によって被覆されているアクティブ
   マトリクス表示装置。 ３、前記接続領域が、それぞれの前記導電膜の一端と、
   前記第２のバス配線から分岐した一対の分岐端のそれぞ
   れとが、絶縁膜を介して非導通状態で重畳された重畳部
   を有する、請求項１に記載のアクティブマトリクス表示
   装置。 ４、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該
   基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調
   される表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板内
   面にマトリクス状に配され一対の絵素電極部に分割され
   た絵素電極と、一対の該絵素電極部の間に配設された第
   １のバス配線と、該第１のバス配線と交差する第２のバ
   ス配線と、を備え、隣接する該絵素電極の該絵素電極部
   間を橋絡する導電層と、該導電層の両端に絶縁膜を介し
   て非導通状態で重畳された一対の導電片と、それぞれの
   該導電片と導通状態で重畳されたそれぞれの該絵素電極
   部の一部と、によって接続部が形成され、該接読部が保
   護膜によって被覆されているアクティブマトリクス表示
   装置。 ５、隣接する前記絵素電極の前記絵素電極部間を橋絡す
   る導電層と、該導電層の両端に絶縁膜を介して非導通状
   態で重畳された一対の導電片と、それぞれの該導電片と
   導通状態で重畳されたそれぞれの該絵素電極部の一部と
   、によって接続部が形成され、該接続部が保護膜によっ
   て被覆されている請求項２に記載のアクティブマトリク
   ス表示装置。