DE69020173T2

DE69020173T2 - Aktives Matrix-Substrat und Anzeigevorrichtung mit dieser aktiven Matrix.

Info

Publication number: DE69020173T2
Application number: DE69020173T
Authority: DE
Inventors: Toshihiko Hirobe; Akihiko Imaya; Yuzuru Kanemori; Mikio Katayama; Hiroaki Kato; Takayoshi Nagayasu; Hidenori Negoto
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-01-31
Filing date: 1990-01-30
Publication date: 1995-11-30
Anticipated expiration: 2010-01-31
Also published as: KR930001647B1; EP0381428B1; DE69020173D1; KR900012191A; EP0381428A2; EP0381428A3; US5151807A

Description

Die Erfindung betrifft ein Aktivmatrixsubstrat zum Aufbauen einer Matrixanzeigevorrichtung in Kombination mit einem Anzeigemedium wie einem Flüssigkristall, einer EL-Lichtemissionsschicht oder mit Plasmaleuchteigenschaft, und sie betrifft eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung unter Verwendung eines Substrats.
Herkömmlicherweise verwenden Matrixanzeigevorrichtungen für Bilder hoher Qualität ein Aktivmatrix-Treibersystem, bei dem eine einzelne Bildelementelektrode durch ein Schaltelement ausgewählt wird, wobei mehrere ausgewählte Bildelementelektroden ein Anzeigemuster bilden.
Fig. 24 der beigefügten Zeichnungen ist eine Draufsicht auf den Bereich eines herkömmlichen Aktivmatrixsubstrats, in dem sich Gatebusleitungen 9, die als Abrasterleitungen arbeiten, parallel zueinander zwischen Bildelementelektroden 8 erstrecken, wobei eine Gateelektrode 8 von jeder Gatebusleitung 9 abzweigt. Ein Dünnfilmtransistor (der nachfolgend als TFT bezeichnet wird) 11 ist als Schaltelement auf der Gateelektrode 2 ausgebildet. Sourcebusleitungen 10 schneiden die Gatebusleitungen 9 rechtwinklig und dienen als Signalleitungen, die sich parallel zueinander erstrecken. Eine Sourceelektrode 7a des TFT 11 ist mit jeder Sourcebusleitung 10 verbunden und eine Drainelektrode 7b des TFT 11 ist mit einer Bildelementelektrode 8 verbunden. Zwischen jeder Gatebusleitung 9 und jeder Sourcebusleitung 10 ist ein Gateisolierfilm ausgebildet, der auf der gesamten Oberfläche des Substrats existiert. Zwischen dem vorstehend genannten Aktivmatrixsubstrat und einem Gegensubstrat ist ein Anzeigemedium eingeschlossen, wie ein Flüssigkristall oder dergleichen, was eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung ergibt. An das Anzeigemedium zwischen der Bildelementelektrode 8 des Aktivmatrixsubstrats und eine Gegenelektrode des Gegensubstrats wird eine Spannung angelegt, damit die Anzeigevorrichtung eine Anzeige vornimmt.
Im allgemeinen sind einige 10.000 bis 100.000 Bildelementelektroden auf einem Aktivmatrixsubstrat einer Anzeigevorrichtung angeordnet, um eine genaue Bildanzeige vorzunehmen. Bei einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mit derartig vielen Bildelementelektroden treten Bildelementfehler auf. Zu Faktoren, die Bildelementfehler hervorrufen, gehören schlechte Resisteigenschaften und/oder schlechtes Ätzen während der Mustererzeugung bei einem TFT-Herstellprozeß, das Auftreten von Fehlern auf einem Film beim Dünnfilm-Herstellprozeß, das Einmischen leitender Fremdgegenstände in den Flüssigkristall usw. Diese Bildelementfehler verschlechtern die Bildqualität beträchtlich, was zu geringer Herstellausbeute für Anzeige- Vorrichtung führt.
Um die Verschlechterung der Bildqualität beim Auftreten von Bildelementfehlern zu verringern, wurde es vorgeschlagen, ein Aktivmatrixsubstrat zu verwenden, wie es in Fig. 25 dargestellt ist. Bei diesem Aktivmatrixsubstrat ist eine Bildelementelektrode 8 in zwei Teilelektroden 20 und 21 unterteilt, die über einen Zwischenraum 23 voneinander getrennt sind. Die Teilelektroden 20 und 21 sind über Drainelektroden 22a bzw. 22b mit TFTS 11a bzw. 11b verbunden. Die Sourceelektroden 21a und 21b der TFTS 11a und 11b sind mit derselben Gatebusleitung 10 verbunden, wobei eine den TFTs 11a und llb gemeinsame Gateelektrode 2 mit einer Gatebusleitung 9 verbunden ist. Demgemäß werden die Teilelektroden 20 und 21 gleichzeitig durch dieselbe Gatebusleitung 9 und Sourcebus leitung 10 angesteuert.
Fig. 26 ist ein Querschnitt entlang der Linie J-J in Fig. 25 durch eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung dieses Substrats. Auf einem Glassubstrats 1 wird eine Gateelektrode 2 aus Tantal (Ta) mit einer Dicke von 2.500 Å ausgebildet und auf der Gateelektrode 2 wird ein anodischer Oxidationsfilm aus Tantaloxid (Ta&sub2;O&sub5;) mit einer Dicke von 3.000 Å ausgebildet. Ein Gateisolierfilm 4 mit einer Dicke von 300 Å aus Siliziumnitrid (SiNX) wird auf die gesamte Oberfläche des anodischen Oxidationsfilm 3 aufgebracht.
Auf dem Gateisolierfilm 4 über der Gateelektrode 2 wird eine Halbleiterschicht 5 mit einer Dicke von 1.000 Å aus eigenleitendem, amorphem Silizium (nachfolgend als a-Si(i)) bezeichnet) hergestellt. Auf der Malbleiterschicht 5 werden Kontaktschichten 6 mit einer Dicke von jeweils 500 Å aus nleitendem, amorphem Silizium (nachfolgend als a-Si(n&spplus;) bezeichnet) hergestellt. Auf den Kontaktschichten 6 werden eine Sourceelektrode 21a und eine Drainelektrode 22a aus Titan mit jeweils einer Dicke von 3.000 Å hergestellt, was zu einem TFT 11a führt.
Auf dem Gateisolierfilm 4 und der Drainelektrode 22a wird die Bildelementelektrode 8 mit einer Dicke von 1.000 Å aus ITO mit einem Muster ausgebildet. Ferner werden auf der gesamten Fläche des Substrats ein Schutzuberzug 16 mit einer Dicke von 3.000 Å aus SiNx und ein Ausrichtungsfilm 17 hergestellt.
Ein Gegensubstrat, das dem wie vorstehend hergestellten Aktivmatrixsubstrat zugewandt ist, ist mit einem Farbfilter 14 und einem schwarzen Streifen 15 auf einem Glassubstrat 12 versehen. Auf den gesamten Oberflachen des Farbfilters 14 und des schwarzen Streifens 15 befinden sich eine Gegenelektrode 13 und ein Ausrichtungsfilm 18 aus ITO. Zwischen die zwei Ausrichtungsfilme 17 und 18 wird eine Flüssigkristallschicht 19 ausgebildet, um eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung zu bilden.
Beim vorstehend genannten Aufbau fallen Bildelementfehler selbst dann nicht auf, wenn solche an einer Teilelektrode auftreten, da die andere Teilelektrode weiterhin arbeitet. Jedoch existiert an einer Bildelementelektrode, an der keine Bildelementfehler auftreten, der Zwischenraumraum 23 zwischen den jeweiligen Teilelektroden 20 und 21 und an die Flüssigkristallschicht 19 zwischen dem Zwischenraum 23 und der Gegenelektrode 13 liegt keine Spannung an, so daß der Teil des Flüssigkristalls, der dem Zwischenraum 23 entspricht, nicht zur Anzeige beiträgt. Demgemäß entsteht eine andere Schwierigkeit wie folgt: Eine Flüssigkristallvorrichtung, die normalerweise weiß anzeigt läßt selbst dann Licht durch den Zwischenraum 23 hindurch, wenn eine Spannung angelegt wird, wodurch der Kontrast abnimmt. Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, die normalerweise schwarz anzeigt, läßt selbst dann kein Licht durch den Zwischenraum 23 hindurch, wenn Spannung angelegt wird, wodurch die gesamte Bildanzeigeebene matt wird. Bei einer Anzeigevorrichtung, die Plasma- oder EL-Leuchteigenschaften verwendet, nimmt die Menge an emittiertem Licht pro Einheitsfläche ab, was die gesamte Bildanzeigeebene matt macht.
Um die vorstehend genannte Schwierigkeit zu überwinden, kann ein Aktivmatrixsubstrat vorgeschlagen werden, wie es in den Fig. 27 und 29 dargestellt ist. Fig. 28 ist ein Querschnitt entlang der Linie C-C in Fig. 27 und Fig. 30 ist ein Querschnitt entlang der Linie E-E in Fig. 29. Die in den Fig. 27 und 29 dargestellten Anzeigevorrichtungen sind derjenigen von Fig. 25 ähnlich, unterscheiden sich jedoch dadurch, daß ein Überlappungsbereich 25 in einem Bereich vorhanden ist, in dem die Teilelektroden 20 und 21 aneinander grenzen. Diese Anzeigevorrichtungen, die jeweils mit den Überlappungsbereichen 57 versehen sind, können selbst im Bereich zwischen den Teilelektroden 20 und 21 eine Anzeige darstellen. Anders gesagt, kann, da die Teilelektroden 20 und 21 so übereinander liegen, daß sie in den Überlappungsbereichen 27 einen Gateisolierfilm 28 einbetten, wie in den Fig. 27 und 28 dargestellt, Spannung an die zwischen den Bereichen 57 und den jeweiligen Gegenelektroden 29 liegenden Flüssigkristallschichten 41 angelegt werden. Die in den Fig. 29 und 30 dargestellte Anzeigevorrichtung verfügt über Teilelektroden 20 und 21, die jeweils einen zweischichtigen Aufbau haben, wobei in jedem Überlappungsbereich die Teilelektrode 20b der oberen Schicht und die Teilelektrode 21a der unteren Schicht überlagert sind. Demgemäß kann in der jeweiligen Anzeigevorrichtung Spannung an die Flüssigkristallschicht 41 zwischen dem Überlappungsbereich 57 und der Gegenelektrode 39 angelegt werden. Die vorstehend genannten Anzeigevorrichtungen, wie sie in den Fig. 27 und 29 dargestellt sind, bei denen zwischen den Teilelektroden 20 und 21 kein Bereich vorhanden ist, der nicht zur Anzeige beitragen würde, führen zu keiner Verringerung des Kontrasts oder der Helligkeit in der Bildebene der Anzeige.
Jedoch kann selbst bei solchen Anzeigevorrichtungen dann, 25 wenn ein mit einer Teilelektrode verbundender TFT fehlerhaft arbeitet, keine Verschlechterung der Bildqualität, wie durch das Auftreten von Bildelementfehlern hervorgerufen, vermieden werden. Um das Auftreten solcher Bildelementfehler zu verhindern, wurde eine Korrekturtechnik unter Verwendung von Laserstrahlen entwickelt. Z.B. offenbart JP-A-84-101693, daß dann, wenn ein TFT fehlerhaft arbeitet, ein Laserstrahl dazu verwendet wird, den fehlerhaften TFT von der Gatebusleitung und der Sourcebusleitung abzutrennen und die fehlerhafte Bildelementelektrode mit der benachbarten Bildelementelektrode zu verbinden, um dadurch deren Wirkung wieder herzustellen, wobei die Verbindung durch Einstrahlen eines Laserstrahls auf eine vorbereitete Ausbesserungskonstruktion hergestellt wird, die einen elektrisch leitenden Film aufweist, der zwischen den zwei benachbarten Bildelementelektroden vorhanden ist. Der elektrisch leitende Film kontaktiert eine Bildelementelektrode und ist der anderen Bildelementelektrode überlagert, jedoch nicht elektrisch mit dieser verbunden. Ein Laserstrahl wird eingestrahlt, um die Bildelementelektrode und den elektrisch leitenden Film, die einander überlagert sind, aufzuschmelzen und die Bildelementelektrode und den elektrisch leitenden Film miteinander zu verbinden, um dadurch die Ausbesserung der Bildelementelektrode vorzunehmen. Eine derartige Ausbesserung vermeidet das Auftreten einer Fehlfunktion eines TFT selbst dann, wenn Bildelementfehler auftreten, jedoch arbeitet die ausgebesserte Bildelementelektrode auf dieselbe Weise wie die benachbarte Bildelementelektrode, so daß sie keinen unabhängigen Anzeigevorgang ausführen kann.
Ein anderer Aufbau zum Korrigieren von Bildelementfehlern ist z.B. in JP-A-86-153619 offenbart, bei dem mehrere Schaltelemente pro Bildelementelektrode vorhanden sindund eines der Schaltelemente mit der Bildelementelektrodeverbunden ist und das andere nicht mit dieser verbundenist. Wenn das mit der Bildelementelektrode verbundene Schaltelement fehlerhaft wird, wird ein Lasertrimmer, ein Ultraschallschneider oder dergleichen dazu verwendet, das fehlerhafte Schaltelement von der Bildelementelektrode abzutrennen, und das andere Schaltelement wird damit verbunden. Das Schaltelement wird dadurch mit der Bildelementelektrode verbunden, daß ein winziger Leiter mittels einer Spendereinrichtung oder dergleichen an ihr angebracht wird, oder dadurch, daß Au, Al oder dergleichen auf einen vorgegebenen Abschnitt des Substrats aufgetragen wird. Darüber hinaus offenbart JP-A-86-56382 einen Aufbau, bei dem ein Laserstrahl auf Überlappungsbereiche zweier Metallschichten gestrahlt wird und die Metallschichten aufgeschmolzen werden, um eine elektrische Verbindung zwischen ihnen herzustellen.
Die vorstehend genannte Fehlerkorrektur muß an einem Aktivmatrixsubstrat ausgeführt werden, bevor die Anzeigevorrichtung zusammengebaut wird. Der Grund dafür ist der, daß nach dem Fertigstellen der Anzeigevorrichtung ein Teil des durch Laserstrahl -Einstrahlung verdampften oder aufgeschmolzenen Metalls in das Anzeigemedium, wie einen Flüssigkristall, das zwischen der Bildelementelektrode und der Gegenelektrode eingefügt ist, eintreten würde, wodurch die optischen Eigenschaften des Anzeigemediums beträchtlich verschlechtert wurden. Demgemäß wird eine Korrektur von Bildelementfehlern im Herstellprozeß für Aktivmatrixsubstrate immer vor dem Zusammenbau zu einer Anzeigevorrichtung ausgeführt, anders gesagt, vor dem Einfügen eines Anzeigemediums.
Jedoch ist es sehr schwierig, Bildelementfehler im Zustand eines Aktivmatrixsubstrats festzustellen. Insbesondere bei Anzeigevorrichtungen großer Abmessung, die aus 100.000 bis 500.000 oder mehr Bildelementen bestehen, müssen zum Auffinden eines fehlerhaften Schaltelements durch Erfassen der elektrischen Eigenschaften aller Bildelementelektroden Meßinstrumente extrem hoher Genauigkeit verwendet werden. Daher wird der Erkennungsprozeß kompliziert und Massenherstellung wird schwierig, was zu teuren Anzeigevorrichtungen führt. Aus den vorstehend genannten Gründen kann bei einer Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen mit einer großen Anzahl von Bildelementen tatsächlich keine Korrektur von Bildelementfehlern im Substratzustand unter Verwendung von Laserstrahlen erzielt werden.
Bei einer Anzeigevorrichtung zum Erzielen einer Anzeige hoher Dichte sind die gesamten Bus leitungen, die mit den Schaltelementen verbunden sind, extrem lang. Daher besteht die Tendenz, daß innerhalb der Busverdrahtung eine fehlerhafte Verbindung und/oder eine fehlerhafte Isolierung auftritt, was insbesondere in einem Bereich erfolgt, in dem Busverdrahtungen einander überkreuzen. Das Auftreten eines derartigen Fehlers ist optisch als Liniendefekt erkennbar, der von einem Bildelement in der Nähe des fehlerhaften Bereichs ausgeht, wobei ein solcher Liniendefekt die Bildqualität beträchtlich verschlechtert, was eine ernsthafte Schwierigkeit bei der Herstellung von Anzeigevorrichtungen darstellt. Es müssen Techniken zum Korrigieren eines solchen Defekts entwickelt werden.
JP-A-63-279227 offenbart ein Aktivmatrixsubstrat mit auf einem isolierenden Substrat angeordneten Bildelementelektroden, die jeweils in eine erste und zweite Teilelektrode unterteilt sind, die durch jeweilige Diodenpaare mit einem Treiberbus verbunden sind. Die zwei Teilelektroden sind über einen Verbindungsabschnitt elektrisch miteinander verbunden. Im Fall einer Unterbrechung in einer der Dioden gewährleistet der Verbindungsabschnitt, daß die beiden Teilelektroden über die fehlerfreie Diode mit dem Treiberbus verbunden bleiben. Im weniger häufigen Fall eines Kurzschlusses in einer der Dioden kann die Verbindung zwischen den Teilelektroden durch Durchschneiden mittels z.B. eines Lasers unterbrochen werden. Die Verwendung einer leitenden Brücke ist aus Spalte 11, Zeilen 22 - 24 von EP-A-200 138 bekannt.
Gemäß einer Erscheinungsform der Erfindung ist ein Aktivmatrixsubstrat mit Bildelementelektroden, die in einer Matrix auf einem isolierenden Substrat angeordnet sind, wobei jede der Bildelementelektroden in mehrere Teilelektroden mit einer ersten und zweiten Teilelektrode unterteilt ist, einer Gatebusleitung und einer Sourcebusleitung, die einander überkreuzen, und Schaltelementen, die die Busleitung jeweils mit der ersten und zweiten Teilelektrode verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode auf einem Film oder einer Schicht aus elektrisch leitendem Material aufeinanderliegen und daß zwischen dem Film oder der Schicht aus elektrisch leitendem Material und mindestens einem der angrenzenden Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode ein isolierender Film eingebettet ist, was zu einer Verbindungsstelle führt, die durch einen Schutzüberzug abgedeckt ist, wobei der Isolierfilm beim Einstrahlen mit einem energiereichen Strahl an der Verbindungsstelle zerstört wird, um dort eine Verbindung herzustellen, so daß die erste und die zweite Teilelektrode elektrisch miteinander verbunden werden.
Bei einigen Ausführungsbeispielen sind sowohl die Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode als auch des Films oder der Schicht aus elektrisch leitendem Material so angeordnet, daß sie den genannten Isolierfilm an der Verbindungsstelle einbetten.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind zwei Metallstücke jeweils zwischen einem der Abschnitte der zwei Teilelektroden und dem Isolierfilm sowie zwischen dem anderen der Abschnitte der zwei Teilelektroden und dem Isolierfilm an der Verbindungsstelle angeordnet. In einem Abschnitt des Isolierfilms, der zwischen einem der Metallstücke und dem elektrisch leitenden Film liegt, kann ein Loch vorhanden sein.
Bei anderen Ausführungsbeispielen der Erfindung ist der andere der Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode an der Verbindungsstelle elektrisch mit dem elektrisch leitenden Film verbunden.
Bei weiteren Ausführungsbeispielen der Erfindung weisen die erste und zweite Teilelektrode obere Schichten und untere Schichten auf, wobei der elektrisch leitende Film so angeordnet ist, daß er jeder der oberen Schichten zugewandt ist, wodurch der Isolierfilm an der Verbindungsstelle zwischen den oberen Schichten und dem elektrisch leitenden Film eingebettet ist. Eine dieser unteren Schichten kann an der Verbindungsstelle elektrisch mit dem elektrisch leitenden Film verbunden sein.
Bei einem anderen erfindungsgemäßen Aktivmatrixsubstrat ist die Gatebusleitung zwischen der ersten und zweiten Teilelektrode einer Bildelementelektrode angeordnet und zwei elektrisch leitende Schichten an der Verbindungsstelle an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung sind so angeordnet und parallel dazu erstreckt und ferner überkreuzt eine Ersatzleitung die Gatebusleitung so, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet ist, wobei die Ersatzleitung so auf den elektrisch leitenden Schichten liegt, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet ist, wodurch von der ersten und zweiten Teilelektrode jede elektrisch mit der Ersatzleitung durch Bestrahlen der Verbindungsstelle mit einem energiereichen Strahl über die jeweilige der elektrisch leitenden Schichten angeschlossen werden kann.
Bei einem Ausführungsbeispiel sind an der Verbindungsstelle ein Ende jeder der elektrisch leitenden Schichten und jedes der zwei Zweigenden der Gatebusleitung einander so überlagert, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet ist.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel weist eine Verbindungsstelle einen elektrisch leitenden Film auf, der auf den die benachbarten Bildelementelektroden bildenden Teilelektroden liegt, wobei ein paar Metallstücke auf beiden Enden des elektrisch leitenden Films so liegt, daß der isolierende Film dazwischen eingebettet ist, und wobei Abschnitte der Teilelektroden auf den Metallstücken liegen und elektrisch mit diesen verbunden sind.
So können zwei Zweigenden der Sourcebusleitung an einem Ende jeder der elektrisch leitenden Schichten an der Verbindungsstelle so übereinanderliegen, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet ist, wodurch jedes der Zweigenden elektrisch über eine der elektrisch leitenden Schichten mit der Ersatzleitung verbunden werden kann, wenn die Verbindungsstelle mit einem energiereichen Strahl bestrahlt wird.
Alternativ kann die Gatebusleitung zwischen der ersten und zweiten Teilelektrode angeordnet sein und ein Teil der ersten Teilelektrode einer Bildelementelektrode sowie ein Teil der zweiten Teilelektrode einer anderen, benachbarten Bildelektrode können an der Verbindungsstelle auf dem elektrisch leitenden Film übereinanderliegen.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Aktivmatrixsubstrats, bei dem die Gatebusleitung zwischen der ersten und der zweiten Teilelektrode liegt und die Verbindungsstelle zwischen der ersten Teilelektrode einer Bildelementelektrode und der zweiten Teilelektrode einer anderen, benachbarten Bildelementelektrode liegt, sind zwei weitere elektrisch leitende Schichten an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung an einer anderen Verbindungsstelle angeordnet, die durch den Schutzüberzug abgedeckt wird und sich parallel zur Gatebusleitung erstreckt, wobei zwei Zweigenden der Sourcebusleitung an der anderen Verbindungsstelle jeweils über einem Ende jeder der weiteren elektrisch leitenden Schichten liegen, um den Isolierfilm dazwischen einzubetten, und wobei eine Ersatzleitung die Gatebusleitung so überkreuzt, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet wird, und eine Überlagerung an der anderen Verbindungsstelle auf den weiteren elektrisch leitenden Schichten vorliegt, um den Isolierfilm dazwischen einzubetten, wobei der Isolierfilm zerstört wird, wenn ein energiereicher Strahl an der anderen Verbindungsstelle eingestrahlt wird, um dort eine Verbindung in solcher Weise herzustellen, daß jede der Zweigenden elektrisch über die jeweilige weitere elektrisch leitende Schicht mit der Ersatzleitung verbunden wird.
Demgemäß ist gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung ein Aktivmatrixsubstrat mit Bildelementelektroden, die in einer Matrix auf einem isolierenden Substrat angeordnet sind, wobei jede der Bildelementelektroden in eine erste und eine zweite Teilelektrode unterteilt ist, einer Gatebusleitung und einer Sourcebusleitung, die einander überkreuzen, und mit Schaltelementen, die die Busleitung mit der ersten und zweiten Teilelektrode verbinden; dadurch gekennzeichnet, daß die Gatebusleitung zwischen der ersten und der zweiten Teilelektrode angeordnet ist und daß zwei elektrisch leitende Schichten an entgegengesetzten Seiten einer Gatebusleitung an einer Verbindungsstelle angeordnet sind und sich parallel zur Gatebusleitung erstrecken, wobei zwei Zweigenden der Sourcebusleitung an der Verbindungsstelle jeweils auf einem Ende jeder der elektrisch leitenden Schichten liegen, um dazwischen einen Isolierfilm einzubetten, und wobei eine Ersatzleitung die Gatebusleitung so überkreuzt, daß der Isolierfilm dazwischen eingebettet wird, mit einer Überlagerung an der Verbindungsstelle auf den elektrisch leitenden Schichten, um den Isolierfilm dazwischen einzubetten, wobei die Verbindungsstelle durch einen Schutzüberzug bedeckt ist, wobei der Isolierfilm bei Bestrahlung mit einem energiereichen Strahl an der Verbindungsstelle zerstört wird, um eine solche Verbindung auszubilden, daß jedes der Zweigenden über die jeweilige elektrisch leitende Schicht elektrisch mit der Ersatzleitung verbunden ist.
Eine erfindungsgemäße Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung verfügt über ein Aktivmatrix-Substrat, ein Gegensubstrat mit, wie vorstehend angegeben, einer Gegenelektrode und einem gegenüberstehenden, isolierenden Substrat, und ein elektrooptisches Anzeigemedium, das zwischen dem Aktivmatrixsubstrat und dem Gegensubstrat eingeschlossen ist, wobei die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Anzeigemediums abhängig von einer angelegten Spannung moduliert werden, wobei das isolierende Substrat, das isolierende Gegensubstrat oder beide lichtdurchlässig sind.
Wenn ein Fehler, der einen Bildelementfehler bewirkt, in irgendeinem der Schaltelemente eines Substrats mit dem vorstehend genannten Aufbau auftritt, werden eine mit dem fehlerhaften Schaltelement verbundene Teilelektrode und eine andere Teilelektrode, die an diese Teilelektrode angrenzt, elektrisch miteinander verbunden, so daß eine Korrektur des Bildelementfehlers ausgeführt werden kann. Eine derartige elektrische Verbindung wird dadurch erzielt, daß der Verbindungsort mit einem Laserstrahl oder mehreren bestrahlt wird. Der elektrisch leitende Film am Verbindungsort liegt auf den angrenzenden Teilelektroden und ist normalerweise von mindestens einer der Teilelektroden isoliert, so daß eine Teilelektrode normalerweise elektrisch von der anderen unabhängig ist. Wenn jedoch eine Teilelektrode nicht arbeitet, werden der elektrisch leitende Film und die Teilelektrode, die voneinander isoliert sind, mit einem Laserstrahl bestrahlt, wodurch sie elektrisch miteinander verbunden werden. Demgemäß wird die nichtarbeitende Teilelektrode elektrischmit der angrenzenden Teilelektrode verbunden und kann durchein Schaltelement angesteuert werden, das mit der angrenzenden Teilelektrode verbunden ist.
Bei einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mit einer Verbindungsstelle wird ein Bildelementfehler unter Verwendung dieser Verbindungsstelle korrigiert. D.h., daß optische Energie, wie die von Laserstrahlen, von außen in Überlagerungsabschnitte eingestrahlt wird, in denen die elektrisch leitende Schicht und das elektrisch leitende Teil einander überlagert sind, wie auch in übereinander liegende Abschnitte, in denen die elektrisch leitende Schicht und eine Ersatzverdrahtung an beiden Seiten der ersten Gatebusleitung jeweils über das lichtdurchlässige Substrat übereinanderliegen, wodurch eine Korrektur von Bildelementfehlern erzielt wird. In den vorstehend genannten vier übereinanderliegenden Abschnitten, die mit Laserstrahlen bestrahlt werden, wird ein Isolierfilm zerstört, so daß das elektrisch leitende Teil und die elektrisch leitende Schicht wie auch die elektrisch leitende Schicht und die Ersatzleitung an beiden Seiten der Gatebusleitung jeweils elektrisch miteinander verbunden werden. Da das elektrisch leitende Teil und die Teilelektrode, die übereinanderliegen, elektrisch miteinander verbunden werden, werden die Teilelektroden, die an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung aneinandergrenzen elektrisch über den Verbindungsbereich miteinander verbunden. Demgemäß wird die Teilelektrode mit einem Bildelementfehler mittels der Verbindungsstelle und des Schaltelements der Teilelektrode, die an die fehlerhafte Elektrode an der anderen Seite der Gatebusleitung angrenzt, angesteuert.
Auf diese Weise wird ein Bildelementfehler unter Verwendung der Verbindungsstelle korrigiert. Danach kann, falls erforderlich, ein Schaltelement, das mit der Teilelektrode mit dem Bildelementfehler verbunden ist, von der Teilelektrode dadurch abgetrennt werden, daß optische Energie von der Außenseite der Anzeigevorrichtung her eingestrahlt wird.
Die erf indungsgemäße Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung kann eine Struktur mit einer Verbindungsstelle aufweisen, durch die eine fehlerhafte Isolierung im Überkreuzungsbereich von Busleitungen oder eine fehlerhafte Auftrennung in der Sourcebusleitung der Verbindungsstelle korrigiert wird. Wenn eine fehlerhafte Isolierung auftritt, werden zunächst beide Seitenabschnitte der Sourcebusleitung im Überkreuzungsbereich, in dem ein solcher Fehler aufgetreten ist, durch Bestrahlung mit Laserstrahlen unterbrochen. Wenn eine fehlerhafte Unterbrechung in einer Sourcebusleitung auftritt, ist das vorstehend genannte Auftrennen nicht erforderlich. Danach wird an beiden Seiten der Gatebusleitung an der Verbindungsstelle ein Laserstrahl von außen durch das lichtdurchlässige Substrat auf die übereinanderliegenden Abschnitte, in denen die elektrisch leitende Schicht und ein Zweigende, daß von der Sourcebusleitung abzweigt, übereinanderliegen, und die übereinanderliegenden Abschnitte, in denen die elektrisch leitende Schicht und eine Ersatzleitung übereinanderliegen, eingestrahlt. Der isolierende Film wird in jedem der vier übereinanderliegenden, mit Laserstrahlen bestrahlten Abschnitte zerstört, wodurch die elektrisch leitende Schicht und das Zweigende, wie auch die elektrisch leitende Schicht und die Ersatzleitung an beiden Seiten der Gatebusleitung jeweils elektrisch miteinander verbunden werden. Auf diese Weise werden beide Enden der Busleitungen, die im Abschnitt des Überkreuzungsbereichs elektrisch voneinander getrennt sind, elektrisch unter Verwendung der Verbindungsstelle miteinander verbunden.
Bei einer erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung ist die Verbindungsstelle mit einer Schutzbeschichtung beschichtet, so daß selbst dann, wenn die vorstehend genannte Korrektur durch Laserstrahl-Einstrahlung von der Außenseite der Anzeigevorrichtung ausgeführt wird, geschmolzenes Metall oder dergleichen nicht in das Anzeigemedium eintritt, so daß sich die Charakteristik des Anzeigemediums nicht verschlechtert. D.h., daß die vorstehend genannte Korrektur durch Laserstrahl-Einstrahlung zwischen dem vom Anzeigemedium isolierten Schutzüberzug und dem Substrat ausgeführt wird, weswegen die Korrektur ohne Beeinflussung des Anzeigemediums ausgeführt werden kann.
Demgemäß ermöglicht es die hier beschriebene Erfindung, die folgenden Ziele zu erreichen: (1) Schaffen eines Aktivmatrixsubstrats, das selbst dann, wenn ein Bildelementfehler aufgrund von Schaltelementfehlern auftritt, ausgebessert werden kann, ohne daß die Bildqualität einer das Substrat verwendenden Aktivmatrix-Anz eigevorrichtung verschlechtert wird; (2) Schaffen einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, bei der ein Bildelementfehler im Zustand der zusammengebauten Anzeigevorrichtung korrigiert werden kann, ohne daß sich die Bildgualität verschlechtert; (3) Schaffen einer Aktivmatrix- Anzeigevorrichtung, bei der selbst dann, wenn ein Bildelementfehler auftritt, das Bildelement optisch von der Außenseite der Anzeigevorrichtung her erkannt wird und dann korrigiert wird, ohne die Bildqualität und den Kontrast und die Helligkeit der Bildebene der Anzeige zu verringern; und (4) Schaffen einer Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung, bei der dann, wenn ein Unterbrechungsfehler oder ein Isolierungsfehler in einem Überkreuzungsbereich von Busleitungen auftritt, ein derartiger Fehler leicht korrigiert werden kann, während sich die Anzeigevorrichtung im Anzeigebetrieb befindet.
Die Erfindung wird beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen weiter beschrieben, wobei die Fig. 24 bis 30 bereits genannt wurden und wobei:
Fig. 1 eine Draufsicht ist, die ein erfindungsgemäßes Aktivmatrixsubstrat zeigt.
Fig. 2 ein Querschnitt ist, der eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mit dem Substrat von Fig. 1 zeigt, gesehen entlang der Linie A-A von Fig. 1.
Fig. 3 ein Querschnitt ist, der eine Verbindungsstelle des Substrats von Fig. 1 zeigt, gesehen entlang der Linie B-B von Fig. 1.
Fig. 4 und 5 Querschnitte sind, die jeweils andere Verbindungsstellen von Substraten bei der Erfindung zeigen.
Fig. 6 eine Draufsicht ist, die ein Aktivmatrixsubstrat zeigt, das eine andere erfindungsgemäße Anzeigevorrichtung bildet.
Fig. 7 ein Querschnitt entlang der Linie D-D von Fig. 6 ist.
Fig. 8 eine Draufsicht ist, die ein Aktivmatrixsubstrat zeigt, das eine andere erfindungsgemäße Anzeigevorrichtung bildet.
Fig. 9 ein Querschnitt ist, der eine Verbindungsstelle des Substrats von Fig. 8 zeigt, gesehen entlang der Linie K-K von Fig. 8.
Fig. 10 und 11 Querschnitte sind, die jeweils andere Verbindungsstellen von Substraten bei der Erfindung zeigen.
Fig. 12 eine Draufsicht ist, die ein Aktivmatrixsubstrat zeigt, das bei einer noch anderen erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung verwendet wird.
Fig. 13 und 14 Querschnitte sind, die eine Anzeigevorrichtung mit dem Aktivmatrixsubstrat von Fig. 12 zeigen, wobei die Darstellungen Ansichten entlang den Linien F-F bzw. G-G von Fig. 12 entsprechen.
Fig. 15 ein Querschnitt ist, der eine Verbindungsstelle zeigt, wie sie zum Korrigieren von Bildelementfehlern verwendet wird.
Fig. 16 eine Draufsicht ist, die einen vergrößerten Bereich in der Nähe eines TFT in Fig. 12 zeigt.
Fig. 17a und 17b Draufsichten sind, die jeweils das Auftreten von Fehlern im Überkreuzungsbereich von Bus leitungen veranschaulichen.
Fig. 18 und 19 Draufsichten sind, die jeweils andere Verbindungsstellen des Substrats zeigen.
Fig. 20 eine Draufsicht ist, die ein Aktivmatrixsubstrat zeigt, wie es bei einer noch anderen erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung verwendet wird.
Fig. 21 ein Querschnitt entlang der Linie H-H von Fig. 20 ist.
Fig. 22 eine Draufsicht ist, die eine Verbindungsstelle zeigt, die in der Nähe eines TFT bei einer noch anderen erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung angeordnet ist.
Fig. 23 eine Draufsicht ist, die eine Aktivmatrix mit einer Kombination zweier Verbindungsstellen zeigt, wie es bei einer noch anderen erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung verwendet wird.
Fig. 24 eine Draufsicht ist, die ein herkömmliches Aktivmatrixsubstrat zeigt.
Fig. 25 eine Draufsicht ist, die ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat mit Bildelementelektroden zeigt, von denen jede in zwei Teilelektroden unterteilt ist.
Fig. 26 ein Querschnitt ist, der eine Anzeigevorrichtung mit dem Substrat von Fig. 25 zeigt, gesehen entlang der Linie J-J von Fig. 25.
Fig. 27 eine Draufsicht ist, die noch ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat zeigt.
Fig. 28 ein Querschnitt ist, der eine Anzeigevorrichtung mit dem Substrat der Fig. 6 und 27 zeigt, gesehen entlang der Linien C-C in den Fig. 6 und 27.
Fig. 29 eine Draufsicht ist, die noch ein anderes herkömmliches Aktivmatrixsubstrat zeigt.
Fig. 30 ein Querschnitt ist, der eine Anzeigevorrichtung mit dem Substrat der Fig. 8 und 29 zeigt, gesehen entlang der Linien E-E in den Fig. 8 und 28.

Beispiel 1

Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Aktivmatrixsubstrat, bei dem als Abrasterleitungen dienende Gatebusleitungen 25 sowie als Signal leitungen dienende Sourcebusleitungen 31 gitterförmig vorhanden sind und im Überkreuzungsbereich jeder Gatebusleitung 25 und Sourcebusleitung 31 ein Gateisolierfilm 28 (Fig. 2) eingefügt ist. Zwei TFTs 44 und 45 sind auf einer Gateelektrode 26 angeordnet, die sich ausgehend von der Gatebusleitung 25 erstreckt, und Sourceelektroden 53 und 54, die sich ausgehend von der Sourcebusleitung 31 erstrek-30 ken, sind mit den TFTs 44 bzw. 45 verbunden. Eine Bildelementelektrode 8 ist in zwei Teilelektroden 20 und 21 unterteilt, die über Drainelektroden 55 bzw. 56 mit den TFTs 44 und 45 verbunden sind, wobei eine Verbindungsstelle 58 in den Abschnitten der Teilelektroden 20 und 21 vorhanden ist, 35 die am dichtesten beieinanderliegen, jedoch von den TFTs 44
und 45 entfernt sind.
Gemäß Fig. 2 ist auf einem Glassubstrat 24 eine Gateelektrode 26 mit einer Dicke von 2.500 Å aus Ta vorhanden, auf der ein anodischer Oxidfilm 27 mit einer Dicke von 3.000 Å und ein Gateisolierfilm 28 aus einem SiNx-Film vorhanden sind. Der Gateisolierfilm 28 kann mit einer Dicke von 2.000 bis 10.000 Å verwendet werden, jedoch weist er beim vorliegenden Beispiel 3.000 Å auf. Auf dem Gateisolierfilm 28 ist ein a-Si(i)-Film 29 mit einer Dicke von 1.000 Å angeordnet, und darauf ist ein a-Si(n&spplus;)-Film 30 mit einer Dicke von 500 Å angeordnet. Die Sourceelektrode 54 und die Drainelektrode 56 bestehen aus Ti mit einer Dicke von 3.000 Å. Die Bildelementelektrode 8 besteht aus ITO mit einer Dicke von 1.000 Å. Darüber hinaus sind ein Schutzüberzug 34 und ein Ausrichtungsfilm 35 aus SiNx auf der gesamten Oberfläche der Bildelementelektrode 8 angeordnet, wobei der Schutzüberzug 34 auf eine Dicke von 3.000 Å eingestellt ist.
Ein Glassubstrat 36 ist dem Aktivmatrixsubstrat, das wie vorstehend angegeben hergestellt wurde, gegenüberstehend angeordnet. Das Glassubstrat 36 ist mit einem Farbfilter 37, einem schwarzen Streifen 38 und einer Gegenelektrode 39 aus ITO versehen. Ein Ausrichtungsfilm 40 ist auf der Gegenelektrode 39 angeordnet und eine Flüssigkristallschicht 41 wird durch die zwei Ausrichtungsfilme 35 und 40 begrenzt.
Gemäß Fig. 3 ist auf dem Glassubstrat 24 ein elektrisch leitender Film 46 aus Ta angeordnet. Dieser elektrisch leitende Film 46 kann gleichzeitig mit der Herstellung der Gatebusleitung 25 und der Gateelektrode 26 gemustert werden, und der Gateisolierfilm 28 ist auf dem elektrisch leitenden Film 46 angeordnet. Obwohl der Gateisolierfilm 28 als isolierender Film für die Verbindungsstelle 58 im Bereich einer Dicke von 1.000 Å bis 7.000 Å auftragbar ist, ist seine Dicke, wie vorstehend angegeben, auf 3.000 Å eingestellt, da der Film 28 bei diesem Beispiel als Gateisolierfilm wirkt. Auf dem Gateisolierfilm 28 sind zwei Metallstücke 47 und 48 angeordnet, auf denen Abschnitte von Teilelektroden 20 und 21 liegen, und der vorstehend genannte Schutzüberzug 34 und der Ausrichtungsfilm 35 sind darauf in dieser Reihenfolge angeordnet. Die Dicke des Schutzüberzugs 34 an der Verbindungsstelle 58 liegt geeigneterweise im Bereich von ungefähr 1.500 bis 15.000 Å. Wie vorstehend angegeben, ist sie beim vorliegenden Beispiel auf 3.000 Å eingestellt.
Das Aktivmatrixsubstrat mit einer solchen Verbindungsstelle 58 wird dazu verwendet, eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zusammenzubauen. Danach wird ein Gateeinschaltsignal an alle Gatebusleitungen 25 angelegt und eine Treiberspannung wird von allen Sourcebusleitungen 31 an alle Bildelementelektroden über alle TFTS angelegt, wodurch die gesamte Bildanzeigeebene in einen Anzeigezustand versetzt wird. Auf diese Weise kann bei der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieses Beispiels die Position von Bildelementfehlern leicht optisch im Zustand erkannt werden, bei dem die Vorrichtung tatsächlich arbeitet, und danach werden die Bildelementfehler korrigiert.
Wenn ein Bildelementfehler aufgefunden wird, der durch einen der zwei TFTs 44 und 45 hervorgerufen wird, wird der Fehler wie folgt korrigiert: Ein Laserstrahl wird von der Seite des Glassubstrats 24 auf zwei Abschnitte an der Verbindungsstelle 58 gestrahlt, wie durch Pfeile 49 und 50 in Fig. 3 gekennzeichnet. Wenn der Laserstrahl eingestrahlt wird, wird der Gateisolierfilm 58 an der durch den Pfeil 49 gekennzeichneten Position zerstört, so daß der elektrisch leitende Film 46 und das Metallstück 47 aufgeschmolzen werden, um elektrisch miteinander verbunden zu werden. Auf dieselbe Weise wie vorstehend angegeben, werden der elektrisch leitende Film 46 und das Metallstück 48 an der Position des Pfeils 50 elektrisch miteinander verbunden. Das Aufschmelzen des elektrisch leitenden Films 46 und der Metallstücke 47 und 48 unter Verwendung eines Laserstrahls wird zwischen dem Schutzüberzug 34 und dem Glassubstrat 24 ausgeführt, so daß keine Gefahr besteht, daß die Flüssigkristallschicht 41 durch geschmolzenes Metall oder dergleichen verunreinigt wird. Der Schutzüberzug 34 ist durchsichtig, so daß der Laserstrahl durch ihn hindurchdringen kann. Demgemäß wird der Laserstrahl im elektrisch leitenden Film 46 aus Metall und den Metallstücken 47 und 48 absorbiert, wodurch diese Teile sofort aufgeschmolzen werden, so daß keine Gefahr besteht, daß der Laserstrahl so eingestrahlt wird, daß der Schutzüberzug 34 beschädigt wird. So werden die zwei Teilelektroden 20 und 21 elektrisch miteinander verbunden. Wenn der Bildelementfehler in diesem Zustand nicht korrigiert ist, wird der fehlerhafte TFT ferner von der Teilelektrode oder von der Sourcebusleitung 31 abgetrennt. Auf diese Weise wird die Bildelementelektrode 8, die aus den zwei Teilelektroden 20 und 21 besteht, durch einen TFT angesteuert, wodurch Betrieb als einheitliche Bildelementelektrode ermöglicht ist.
Fig. 4 zeigt ein anderes Beispiel für die Verbindungsstelle 58, an der ein elektrisch leitender Film 46 und ein Gateisolierfilm 28 auf dieselbe Weise wie beim Beispiel von Fig. 3 auf einem Glassubstrat 24 angeordnet sind. Die Verbindungsstelle bei diesem Beispiel verfügt über kein Metallstück und die Teilelektroden 20 und 21 sind direkt auf dem Gateisolierfilm 28 ausgebildet und ein Schutzüberzug 24 und ein Ausrichtungsfilm 35 sind auf den Teilelektroden 20 und 21 angeordnet. An der Verbindungsstelle können bei diesem Beispiel der elektrisch leitende Film 46 und die Teilelektroden 20 und 21 direkt elektrisch miteinander verbunden werden, um einen Bildelementfehler zu korrigieren.
Fig. 5 zeigt noch ein anderes Beispiel für die Verbindungsstelle 58, bei der ein Abschnitt der Verbindung 58 auf der Seite der Teilelektrode 20 einen ähnlichen Aufbau wie bei Fig. 3 aufweist. Jedoch ist auf der Seite der Teilelektrode 21 ein Durchgangsloch 52 im Gateisolierfilm 28 vorhanden, der zwischen dem elektrisch leitenden Film 46 und dem Metallstück 48 liegt, wodurch der elektrisch leitende Film 46 und das Metallstück 48 elektrisch miteinander vorverbunden sind. Ein solcher Aufbau kann die Teilelektroden 20 und 21 dadurch elektrisch miteinander verbinden, daß gleichzeitig ein Laserstrahl auf sie gestrahlt wird.
Da das Aktivmatrixsubstrat bei diesem Beispiel einen solchen Aufbau aufweist, daß Bildelementfehler leicht korrigiert werden können, ist die Herstellausbeute verbessert. Darüber hinaus können bei einer erfindungsgemäßen Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung Bildelementfehler optisch erkannt werden, nachdem die Anzeigevorrichtung hergestellt wurde, und die Bildelementfehler werden direkt korrigiert, wenn die Anzeigevorrichtung steht. Daher sind der Untersuchungsprozeß und der Reparaturprozeß für die Anzeigevorrichtung vereinfacht und diese kann massenhergestellt werden, was die Herstellkosten gering hält.

Beispiel 2

Das Aktivmatrixsubstrat von Fig. 6 ist dem des Beispiels 1 ähnlich, verfügt jedoch über einen Überlappungsbereich 57, in dem die Teilelektroden 20 und 21 einander überlappen oder teilweise übereinanderliegen. Dieses Beispiel unterscheidet sich vom Beispiel 1 dahingehend, daß die Teilelektrode 20 mit einer Dicke von 1.000 Å aus SnO&sub2; besteht und die Teilelektrode 21 mit einer Dicke von 1.000 Å aus ITO besteht. Die TFTS 44 und 45 bei diesem Beispiel weisen einen ähnlichen Aufbau wie die beim Beispiel 1 auf.
Fig. 28 ist ebenfalls ein Querschnitt entlang der Linie C-C in Fig. 6. Der Querschnittsaufbau des Überlappungsbereichs 57 wird unter Bezugnahme auf Fig. 28 beschrieben. Die Teilelektrode 20 ist auf einem Glassubstrat 24 angeordnet, und die Teilelektrode 21 ist auf dem Glassubstrat 24 an der Querseite der Teilelektrode 20 angeordnet. In den Bereichen, in denen die Teilelektroden 20 und 21 angeordnet sind, ist, wie es durch die gestrichelte Linie in Fig. 6 dargestellt ist, ein Gateisolierfilm 28 nach innen hin gegenüber der gesamten Umfangskante der Teilelektroden 20 und 21 entfernt. Im Überlappungsbereich 57, in dem die Teilelektroden 20 und 21 aneinandergrenzen, ist der Gateisolierfilm 28 überdie ganze Unterseite der Teilelektrode 21 und die Oberseiteder Teilelektrode 20 ausgebildet. D.h., daß der Gateisolierfilm 28 innerhalb eines Überlappungsabschnitts 49 liegt, derzwischen den Teilelektroden 20 und 21 ausgebildet ist.
Im Überlappungsbereich 57 des vorliegenden Beispiels ist die Teilelektrode 21 der Teilelektrode 20 so überlagert, daß der Gateisolierfilm 28 dazwischen eingebettet ist, jedoch können die Teilelektroden 20 und 21 umgekehrt zum vorstehend genannten übereinanderliegen.
Wie in Fig. 6 dargestellt, ist eine Verbindungsstelle 58 an den Enden der aneinandergrenzenden Teilelektroden 20 und 21 angeordnet. Gemäß Fig. 7 ist ein elektrisch leitender Film 28 mit einer Dicke von 2.500 Å aus Ta auf dem Glassubstrat 24 angeordnet. Bei diesem Beispiel wird der Gatefilm 29 gleichzeitig mit den Gatebusleitungen 25 und den Gateelektroden 26 hergestellt, wobei die Teilelektrode 20 auf einem Ende des Films 59 liegt und der Gateisolierfilm 28 nicht entfernt ist, sondern den elektrisch leitenden Film 59 bedeckt, so daß die Teilelektrode 21 auf dem Ende des leitenden Films 59 liegt, auf dem die Teilelektrode 20 nicht liegt, um den Gateisolierfilm 28 dazwischen einzubetten.
Auf der gesamten Fläche des Substrats, auf dem der TFT 44, die Teilelektroden 20 und 21, der Überlappungsabschnitt 57 und die Verbindungsstelle 58 und dergleichen auf die vorstehend genannte Weise angeordnet wurden, wird ein Schutzüberzug 34 aus SiNx ausgebildet. Der Schutzüberzug 34 verfügt über eine Dicke, die vorzugsweise an der Verbindungsstelle 58 im Bereich von 1.500 bis 15.000 Å liegt. Beim vorliegenden Beispiel ist sie auf 3.000 Å eingestellt. Ferner ist ein Ausrichtungsfilm 35 auf dem Schutzüberzug 34 angeordnet, was zu einem Aktivmatrixsubstrat führt.
Ein Gegensubstrat, das dem auf diese Weise aufgebauten Aktivmatrixsubstrat gegenübersteht, ist, wie in Fig. 28 dargestellt, so aufgebaut, daß ein Farbfilter 37 und ein schwarzer Streifen 38 auf einem Glassubstrat 36 ausgebildet sind. Ferner ist eine Gegenelektrode 39 aus ITO auf der gesamten Fläche des Gegensubstrats ausgebildet. Ein Ausrichtungsfilm 40 ist auf der Gegenelektrode 39 ausgebildet und eine Flüssigkristallschicht 41 ist zwischen die Ausrichtungsfilme 35 und 40 eingefüllt, was zu einer erfindungsgemaßen Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung führt.
Beim vorliegenden Beispiel wird zum Erkennen einer Teilelektrode, die einen Bildelementfehler herruft, z.B. ein Wechselspannungsimpuls gleichzeitig an alle Bildelemente über die TFTS angelegt und Ånderungen im Kontrast der Bildelemente sind leicht beobachtbar. Da sich der Kontrast an einem fehlerhaften Bildelement auf anomale Weise ändert, ist ein fehlerhaftes Bildelement optisch leicht erkennbar. Ein Bildelementfehler wird unter Verwendung der Verbindungsstelle 58 korrigiert. Die Korrektur des fehlerhaften Bildelements wird durch Bestrahlen der durch die Pfeile 70 in Fig. 7 gekennzeichneten Position mit Energie, wie mittels eines Laserstrahls, ausgeführt. Die Bestrahlung mit einem Laserstrahl führt zu einer Zerstörung des Gateisolierfilms 28, und der elektrisch leitende Film 59 und die Teilelektrode 21 werden elektrisch miteinander verbunden, wodurch die Teilelektroden 20 und 21 über den elektrisch leitenden Film 29 miteinander verbunden werden. Ferner wird dann, wenn der Bildelementfehler aufgrund einer fehlerhaften Isolierung eines TFTS auftritt, der fehlerhafte TFT durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl von der Teilelektrode abgetrennt, wobei die den Bildelementfehler hervorrufende Teilelektrode durch den TFT der benachbarten Teilelektrode angesteuert wird, wodurch der Bildelementfehler korrigiert ist.
Beim vorliegenden Beispiel ist der Überlappungsbereich 57 in demjenigen Bereich ausgebildet, in dem die zwei Teilelektroden 20 und 21 aneinandergrenzen, und Spannung wird auch an die Flüssigkristallschicht 41 angelegt, die zwischen dem Bereich 57 und der Gegenelektrode 39 liegt. Daher ist die Anzeigefläche des Gesamtbildelements nicht verkleinert und der Kontrast und die Helligkeit der Bildebene der Anzeige sind nicht verringert.

Beispiel 3

Gemäß Fig. 8 ist eine Bildelementelektrode 8 in zwei Teilelektroden 20 und 21 unterteilt, die über Drainelektroden 55 bzw. 56 mit TFTs 44 bzw. 45 verbunden sind. Die Sourceelektroden 53 und 54 der TFTs 44 und 45 sind mit derselben Sourcebusleitung 31 verbunden, und eine den TFTs 44 und 45 gemeinsame Gateelektrode 26 ist mit einer Gatebusleitung 25 verbunden. Demgemäß werden die Teilelektroden 20 und 21 von derselben Gatebusleitung 25 und derselben Sourcebusleitung 31 angesteuert. In dem an die Teilelektroden 20 und 21 angrenzenden Bereich ist ein Überlappungsbereich 57 ausgebildet.
Der Querschnitt durch die das vor stehende Substrat verwendende Anzeigevorrichtung entlang der Linie E-E in Fig. 8 ist derselbe wie der von Fig. 30. Der Querschnittsaufbau der TFTS 44 und 45 beim vorliegenden Beispiel ist derselbe wie der des in Fig. 28 dargestellten TFT 44. Die Querschnittsaufbauten der Bildelementelektrode 8 und des Überlappungsbereichs 57 werden unter Bezugnahme auf Fig. 30 beschrieben. Bei diesem Beispiel ist die Teilelektrode 20 eine Zweischichtstruktur aus einer Teilelektrode 20a der unteren Schicht und einer Teilelektrode 20b der oberen Schicht. Die Teilelektrode 21 ist entsprechend eine Doppelschichtstruktur aus einer Teilelektrode 21a der unteren Schicht und einer Teilelektrode 21b der oberen Schicht. Auf dem Glassubstrat 24 sind die Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht aus ITO ausgebildet, deren Dicke jeweils 500 bis 700 Å beträgt, wobei die Teilelektroden 20a und 21 der unteren Schicht über einen Zwischenraum angeordnet sind. Im Bereich, in dem die Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht angeordnet sind, ist, wie es durch die gestrichelte Linie in Fig. 8 dargestellt ist, ein Gateisolierfilm 28 in seinem Bereich innerhalb der Umfangskante jeder der Elektroden 20a und 21a entfernt. Im Überlappungsbereich 27, der an die Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht angrenzt, bleibt der Gateisolierfilm 28 über diese hinweg erhalten.
Wie in Fig. 30 dargestellt, sind auf den Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht die Teilelektroden 20b und 21b der oberen Schicht aus ITO mit jeweils einer Dicke von 500 bis 700 Å angeordnet, wobei die Teilelektrode 20b der oberen Schicht auch auf der Drainelektrode 55 des TFT 44 liegt, um Kontakt mit der Drainelektrode 55 sicherzustellen. Die Teilelektroden 20b und 21b der oberen Schicht sind auf den Gateisolierfilmen 28 angeordnet und sie sind über einen Zwischenraum 248 im Überlappungsbereich 57 voneinander beabstandet, wobei der Zwischenraum 248 so liegt, daß er nicht auf dem Zwischenraum 247 zwischen den Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht liegt. Anders gesagt, liegt die Teilelektrode 20b der oberen Schicht über dem Zwischenraum 247 und die Teilelektrode 21a der unteren Schicht liegt unter dem Zwischenraum 248. Die Teilelektrode 21a der oberen Schicht liegt über der Teilelektrode 21a der unteren Schicht, um den Gateisolierfilm 28 dazwischen einzugbetten, was zu einem Überlappungsabschnitt 249 führt.
Im Überlappungsabscnitt 249 beim vorliegenden Beispiel liegt die Teilelektrode 20b der oberen Schicht über der Teilelektrode 21a der unteren Schicht. Alternativ kann die Teilelektrode 21b der oberen Schicht auf der Teilelektrode 20a der unteren Schicht liegen. In diesem Fall liegt die Teilelektrode 21b der oberen Schicht über dem Zwischenraum 247 und die Teilelektrode 20a der unteren Schicht liegt unter dem Zwischenraum 248.
Am Ende eines Bereichs, in dem die Teilelektroden 20 und 21 aneinandergrenzen ist eine Verbindungsstelle 58 ausgebildet. Gemäß Fig. 9 ist ein elektrisch leitender 59 aus Ta mit einer Dicke von 2.400 Å auf einem Glassubstrat 24 angeordnet. Der elektrisch leitende Film 59 bei diesem Beispiel wird gleichzeitig mit der Gatebusleitung 25 und der Gateelektrode 26 zwischen den Teilelektroden 20a und 21a der unteren Schicht ausgebildet. Metallstücke 67 und 68 sind über beiden Enden des elektrisch leitenden Films 59 vorhanden, und der Gateisolierfilm 28 ist zwischen die Metallstücke 67 und 68 sowie den Film 59 eingebettet, wobei die Teilelektroden 20b und 21b der oberen Schicht über den Metallstücken 67 bzw. 68 liegen.
Ein Schutzüberzug 34 aus SiNz mit einer Dicke von 3.000 Å ist auf der gesamten Fläche des Substrats angeordnet, auf dem der TFT 44, die Teilelektroden 20 und 21, der Überlappungsabschnitt 57 und die Verbindungsstelle 58 wie vorstehend angegeben ausgebildet wurden. Darüber hinaus ist ein Ausrichtungsfilm 35 auf dem Schutzüberzug 34 angeordnet, was zu einem Aktivmatrixsubstrat führt.
Ein dem auf diese Weise ausgebildeten Aktivmatrixsubstrat gegenüberstehendes Gegensubstrat stimmt mit dem von Fig. 28 überein, wobei eine Flüssigkristallschicht 41 zwischen die zwei Ausrichtungsfilme 35 und 40 gefüllt ist, was zu der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieses Beispiels führt.
Auch beim vorliegenden Beispiel wird ein Bildelementfehler dann, wenn er an einer Teilelektrode auftritt, unter Verwendung der Verbindungsstelle 58 korrigiert. Die Korrektur des fehlerhaften Bildelements wird durch Bestrahlen der mit den Pfeilen 70 und 71 in Fig. 9 gekennzeichneten Positionen mit Energie, wie der eines Laserstrahls ausgeführt. Die Bestrahlung mit einem Laserstrahl bewirkt eine Zerstörung des Gateisolierfilms 28, so daß die Teilelektroden 20b und 21b der oberen Schicht elektrisch miteinander verbunden werden. Demgemäß werden die Teilelektroden 20 und 21 über den elektrisch leitenden Film 59 elektrisch miteinander verbunden. Ferner wird dann, wenn ein Bildelementfehler durch eine fehlerhafte Isolierung eines TFT oder dergleichen hervorgerufen wird, dieser fehlerhafte TFT von der Teilelektrode dadurch abgetrennt, daß Bestrahlung mit einem Laserstrahl erfolgt. So wird die Teilelektrode mit einem fehlerhaften Bildelement durch einen TFT angesteuert, der mit der benachbarten Teilelektrode verbunden ist.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Überlappungsbereich 57 in dem an die zwei Teilelektroden 20 und 21 angrenzenden Bereich ausgebildet. Da von der Teilelektrode 20b der oberen Schicht und der Teilelektrode 20a der unteren Schicht eine in jedem Abschnitt des Überlappungsbereichs 57 vorhanden ist, wird Spannung an den Flüssigkristall angelegt, der zwischen dem Bereich 57 und der Gegenelektrode 39 liegt. Demgemäß verkleinert sich die Anzeigefläche des Gesamtbildelements nicht und der Kontrast und die Helligkeit der Bildebene einer Anzeige verringern sich nicht.
Die Fig. 10 und 11 zeigen Verbindungsstellen 58 für noch andere Beispiele einer erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung. Die Verbindungsstelle 58 in Fig. 10 ist nicht mit Metallstücken 67 und 68 versehen, und eine elektrisch leitender Film 59 und Teilelektroden 20b und 21b der oberen Schicht können direkt elektrisch miteinander durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl zum Korrigieren eines Bildelementfehlers verbunden werden. Die Verbindungsstelle 58 in Fig. 11 ist so aufgebaut, daß der elektrisch leitende Film 59 mit einer Teilelektrode 21a der unteren Schicht elektrisch vorverbunden ist. Der Film 59 und eine Teilelektrode 20b der oberen Schicht können elektrisch miteinander mittels eines Laserstrahl-Bestrahlungsprozesses verbunden werden, um einen Bildelementfehler zu korrigieren.
Bei der Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung dieses Beispiels kann selbst dann, wenn ein Bildelementfehler auftritt, das fehlerhafte Bildelement von der Außenseite der Anzeigevorrichtung erkannt werden und danach kann es ohne Verringern der Bildqualität korrigiert werden. Darüber hinaus ist, da der Kontrast oder die Helligkeit der Bildebene der Anzeige nicht verringert sind, eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildqualität mit hoher Herstellausbeute und niedrigen Herstellkosten erhältlich.

Beispiel 4

Fig. 12 zeigt noch ein anderes Aktivmatrixsubstrat, wie es für eine erfindungsgemäße Anzeigevorrichtung verwendet wird, bei dem Bildelementelektroden 105 aus einem transparenten, leitenden Film (ITO) in Matrixform angeordnet sind und jede Elektrode 105 in ein paar Teilelektroden 105a und 105b unterteilt ist, zwischen denen eine Gatebusleitung 103 zum Zuführen eines Abrastersignals angeordnet ist. Sourcebusleitungen 104, die jeweils ein Datensignal liefern, sind rechtwinklig zu den Gatebusleitungen 103 angeordnet. Jede Gatebusleitung 103 wird im wesentlichen durch eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht aus Metall, wie Ta, Al, Ti oder Mo, gebildet, wobei beim vorliegenden Beispiel Ta verwendet ist. Jede Sourcebusleitung 104 besteht aus demselben Metall wie oben angegeben, wobei beim vorliegenden Beispiel Ti verwendet ist. Im Überkreuzungsbereich 142 zwischen einer Gatebusleitung 103 und einer Sourcebusleitung 104 ist ein Gateisolierfilm 111 (Fig. 13), der nachfolgend erörtert wird, eingefügt.
Ein Gatebuszweig 108a zweigt von der Gatebusleitung 103 parallel zur Sourcebusleitung 104 zur Teilelektrode 105a ab, und ein TFT 106a ist auf dem Zweig 108a angeordnet. Ein Gatebuszweig 108b zweigt von derselben parallel zur Sourcebusleitung 104 auch zur Teilelektrode 105b hin ab, und ein TFT 106b ist auf dem Zweig 108b angeordnet. Die TFTS 106a und 106b sind elektrisch über Sourceelektroden 115a und 115b mit derselben Sourcebusleitung 104 verbunden. Der TFT 106a und die Teilelektrode 105a sind über eine Drainelektrode 116a elektrisch miteinander verbunden, und der TFT 106b und die Teilelektrode 105b sind über eine Drainelektrode 116b elektrisch miteinander verbunden.
Fig. 16 zeigt die Umgebung des TFT 106a. In der Teilelektrode 105a, mit der die Drainelektrode 116a verbunden ist, ist ein rechteckiger Ausschnitt 138 vorhanden, wobei die Drainelektrode 116a mit derjenigen Seite des Ausschnitts 138 verbunden ist, der am weitesten vom Gatebuszweig 108a entfernt liegt.
Beim vorstehend angegebenen Aufbau werden die zwei Teilelektroden 105a und 105b durch dasselbe Abrastersignal und dasselbe Datensignal mittels der getrennten TFTS 106a und 106b angesteuert. Demgemäß können die zwei Teilelektroden 105a und 105b, die eine Bildelementelektrode 105 bilden, gleichzeitig dieselbe Anzeige ausführen.
Der Querschnittsaufbau in der Nähe des TFT 106a ist in Fig. 13 dargestellt. Der Querschnittsaufbau des TFT 106b ist derselbe wie der des TFT 106a. Auf einem Glassubstrat 101 ist ein Grundüberzugfilm 102 aus Ta&sub2;O&sub5;, Al&sub2;O&sub3; oder SiNx mit einer Dicke von 3.000 bis 9.000 Å angeordnet. Auf einer Gateelektrode 109 aus Ta als Abschnitt des Gatebuszweigs 108a ist ein anodischer Oxidationsfilm 110 aus Ta&sub2;O&sub5;, der durch anodische Oxidation der Oberfläche der Gateelektrode 109 erhalten wurde, angeordnet. Ein Gateisolierfilm aus SiNx (z.B. Si&sub3;N&sub4;), der als Gateisolierfilm 111 wirkt, ist auf der gesamten Fläche des Substrats einschließlich des Films 110 angeordnet. Die Dicke des Gateisolierfilms 111 liegt zweckmäßigerweise im Bereich von 500 bis 6.000 Å, ist jedoch bei diesem Beispiel auf 2.000 bis 3.500 Å eingestellt.
Auf dem Gateisolierfilm 111 sind ein a-Si(i)-Film 112 und ein Halbleiter-Schutzüberzug 113 aus Sinx zum Schützen der Oberfläche des a-Si(i)-Films 112 angeordnet. Darüber hinaus ist ein a-Si(n&spplus;)-Film 114 auf dem Schutzüberzug 113 angeordnet. Eine Sourceelektrode 115a und eine Drainelektrode 116a sind auf dem a-Si(n&spplus;)-Film 114 angeordnet, wobei der a-Si(n&spplus;)-Film 114 so ausgebildet ist, daß er Ohmschen Kontakt zur Sourceelektrode 115a und zur Drainelektrode 116a herstellt. Die Teilelektrode 105a ist auf dem Gateisolierfilm 111 mit einem Muster ausgebildet und elektrisch mit der Drainelektrode 116a verbunden.
Ein Schutzüberzug 117 aus SiNx ist so angebracht, daß er die gesamten Oberflächen des TFT 106a und der Bildelementelektrode 105 bedeckt. Ein Ausrichtungsfilm 119 zum Einstellen der Ausrichtung der Flüssigkristallschicht 118 ist auf dem Schutzüberzug 117 angeordnet. Die geeignete Dicke des Schutzüberzug 117 liegt im Bereich von 2.000 bis 10.000 Å, ist jedoch beim vorliegenden Beispiel auf ungefähr 5.000 Å eingestellt. Der Gateisolierfilm 111 und der Schutzüberzug 117 können aus einem Oxid wie Siox, Ta&sub2;O&sub5; oder Al&sub2;O&sub3; oder einem anderen Nitrid als Sinx bestehen. Darüber hinaus kann der Schutzüberzug 117 eine Fensterstruktur aufweisen, durch die der Überzug 117 nicht auf der gesamten Fläche dessubstrats angeordnet ist, sondern nur einen Abschnitt abdeckt, wie die Busleitung, der nicht direkt mit der Anzeige inbeziehung steht, wobei ein Abschnitt des Überzugs 117 entfernt ist, der den Mitten der Teilelektroden 105a und 105b entspricht.
Auf der Innenseite des anderen Glassubstrats 120, dasdem Glassubstrat 101 gegenübersteht, sind ein Farbfilter 121, eine Gegenelektrode 122 und ein Ausrichtungsfilm 123 übereinanderliegenden angeordnet. Eine (nicht dargestellte) Schwarzmatrix ist, falls erwünscht, um einen Bereich des Farbfilters 121 herum, den Bildelementelektroden 105 gegenüber stehend, angeordnet.
Zwischen dem Paar Glassubstraten 101 und 102 ist eine Schicht 118 aus einem verdrillt-nematischen Flüssigkristall als Anzeigemedium eingeschlossen. Die Flüssigkristallschicht 118 reagiert auf eine zwischen die Bildelementelektrode 105 und die Gegenelektrode 122 angelegte Spannung, wodurch sich ihre Ausrichtung moduliert, um dadurch optische Modulation auszuführen. Derartige optische Modulation wird optisch als Anzeigemuster erkannt.
Wie in Fig. 12 dargestellt, ist entlang der Gatebusleitung 103 an den Ecken der Teilelektroden 105a und 105b, wo die TFTS 106a und 106b nicht liegen, eine Verbindungsstelle 107 ausgebildet. Die Verbindungsstelle 107 ist um die zwei Ecken herum ausgebildet.
Ein Querschnitt entlang der Linie G'-G' in Fig. 12 entspricht Fig. 14, wobei jedoch bei den Bezugszahlen der Zusatz "a" durch entsprechende Bezugszahlen mit dem Zusatz "b" ersetzt sind. Zwei elektrisch leitende Schichten 126a und 126b, die auf parallele Weise an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung 103 angeordnet sind, liegen auf einem Grundüberzugsfilm 102. Die leitenden Schichten 126a und 126b können gleichzeitig mit der Gatebusleitung 103 hergestellt werden. Der vorstehend genannte Gateisolierfilm 111 ist auf den gesamten Flächen der leitenden Schichten 126a und 126b ausgebildet, und Leiterstücke 127a und 127b sind so angeordnet, daß sie zwischen sich den Gateisolierfilm 111 über den einen Enden der leitenden Schichten 126a bzw. 126b einbetten. Die Teilelektroden 105a und 105b sind auf den Leiterstücken 127a bzw. 127b angeordnet und sie sind elektrisch mit diesen verbunden.
Eine Ersatzleitung 128 ist in den Mitten der leitenden Schichten 126a und 126b angeordnet. Die Ersatzleitung 128 ist, wie in Fig. 12 dargestellt, über der leitenden Schicht 126a, der Gatebusleitung 103 und der leitenden Schicht 126b so angeordnet, daß der Isolierfilm 111 dazwischen eingebettet ist. Die Leiterstücke 127a und 127b sowie die Ersatzleitung 128 können gleichzeitig mit der Sourcebusleitung 104 hergestellt werden.
Über den anderen Enden der leitenden Schichten 126a und 126b sind Zweigenden 129a und 129b der Sourcebusleitung 104 so angeordnet, daß der Gateisolierfilm 111 dazwischen eingebettet ist. Die leitenden Schichten 126a und 126b, die Leiterstücke 127a und 127b sowie die Ersatzleitung 128 bestehen aus Ta, Al, Ti, Mo oder dergleichen.
An der Verbindungsstelle 107 mit dem vorstehend genannten Aufbau sind das Leiterstück 127a, die Ersatzleitung 128 und das Zweigende 129a der Reihe nach in dieser Reihenfolge über der leitenden Schicht 126 so angeordnet, daß der Isolierfilm 111 dazwischen auf solche Weise eingebettet ist, daß sie elektrisch gegeneinander isoliert sind. Das Leiterstück 127b, die Ersatzleitung 128 und das Zweigende 129b sind auch der Reihe nach in dieser Reihenfolge über der leitenden Schicht 126b angeordnet, um den Gateisolierfilm 111 auf solche Weise einzubetten, daß sie elektrisch gegeneinander isoliert sind. Die Ersatzleitung 128 ist über den zwei leitenden Schichten 126a und 126b angeordnet, die an den beiden Seiten der Gatebusleitung 103 liegen, um den Gateisolierfilm 111 dazwischen einzubetten. Die Verbindungsstelle 107 ist vollständig vom Schutzüberzug 117 überzogen.
Der Gateisolierfilm 111, der zwischen der leitenden Schicht 126a und dem Leiterstück 127a, der Ersatzleitung 128 und dem Zweigende 129a liegt, wirkt als dazwischenliegender Zwischenschicht-Isolierfilm, der geeigneterweise eine Dicke im Bereich von 1.000 bis 7.000 Å aufweist, jedoch verwendet das vorliegenden Beispiel einen Gateisolierfilm 111 des TFT 106a, der, wie vorstehend angegeben, auf eine Dicke von 2.000 bis 3.500 Å eingestellt ist.
Der Schutzüberzug 117 dient dazu, die leitende Schicht 126a und das Leiterstück 127a, die Ersatzleitung 128 sowie das Zweigende 129a in einem Isolierungszustand gegenüber der Flüssigkristallschicht 118 des Anzeigemediums zu halten. Die Dicke des Schutzüberzugs 117 kann im Bereich von 1.500 bis 15.000 Å liegen. Da der Schutzüberzug beim vorliegenden Beispiel für den TFT 106a verwendet wird, ist er auf ungefähr 5.000 Å eingestellt.
Von allen Leitungen der Gatebusleitung 103 und der Sourcebusleitung 104 der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit dem vorstehend angegebenen Aufbau wird eine Treiberspannung an alle Teilelektroden 105a und 105b über die TFTs 106a und 106b angelegt, und die gesamte Oberfläche der Bildebene der Anzeige wird in den Anzeigezustand versetzt. So kann ein Bildelementfehler optisch leicht erkannt werden. Wenn ein Bildelementfehler aufgrund eines Fehlers im TFT 106a oder 106b oder einer fehlerhaften Verbindung des Gatezweigs 108a oder 108b in der Teilelektrode 105a oder 105b auftritt, ist es leicht, den Fehler unter Verwendung der Verbindungsstelle 107 zu korrigieren.
Es wird nun ein Beispiel angegeben, bei dem ein Fehler im TFT 106a oder dem Gatezweig 108a auftritt, so daß ein Bildelementfehler an der Teilelektrode 105a auftritt. Der Bildelementfehler wird dadurch korrigiert, daß Bestrahlung mit einem Laserstrahl von der Außenseite der Anzeigevorrichtung her erfolgt. Fig. 15 ist ein Querschnitt, der dem von Fig. 14 entspricht. Wie durch die Pfeile 136 und 137 gekennzeichnet, wird die Verbindungsstelle 107 mit Energie, wie der von Laserstrahlen, Infrarotstrahlen oder Elektronenstrahlen, von der Außenseite durch das untere Glassubstrat 101 hindurch bestrahlt. Beim vorliegenden Beispiel wird für die Bestrahlungsenergie ein YAG-Laserstrahl verwendet. Im Überlagerungsabschnitt (gekennzeichnet durch den Pfeil 136), in dem die leitende Schicht 126a, der Gateisolierfilm 111 und das Leiterstück 127a übereinanderliegen, und der mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, wird der Gateisolierfilm 111 zerstört und die leitende Schicht 126a und das Leiterstück 127a werden geschmolzen, um miteinander verbunden zu werden, wodurch ein leitender Zustand entsteht. Auf dieselbe Weise wie vorstehend angegeben, wird der Überlagerungsabschnitt (durch den Pfeil 137 gekennzeichnet) aus der leitenden Schicht 127a, dem Gateisolierfilm 111 und der Ersatzleitung 128 mit einem Laserstrahl bestrahlt, was eine Zerstörung des Gateisolierfilms 111 hervorruft, und die leitende Schicht 126a und die Ersatzleitung 128 werden geschmolzen und miteinander verbunden, wodurch ein leitender Zustand entsteht. Da das Leiterstück 127a und die Teilelektrode 105a in leitendem Zustand stehen, sind die Teilelektrode 105a und die Ersatzleitung 128 elektrisch miteinander verbunden.
Durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl wird auf entsprechende Weise eine elektrische Verbindung zwischen der leitenden Schicht 126b und dem Leiterstück 127b sowie zwischen der leitenden Schicht 126b und der Ersatzleitung 128 hergestellt. Das Leiterstück 127b und die Teilelektrode 105b sind nun elektrisch mit der Teilelektrode 105b und der Ersatzleitung 128 verbunden. Auf diese Weise sind vier Abschnitte miteinander verbunden, so daß die Teilelektroden 105a und 105b elektrisch miteinander verbunden sind. Demgemäß wird die Teilelektrode 105a mit dem Bildelementfehler durch den normalen TFT 106b über die Verbindungsstelle 107 angesteuert.
Wenn ein Bildelementfehler aufgrund einer fehlerhaften Isolierung des TFT 106a in der Teilelektrode 105a auftritt oder fehlerhafte Isolierung im Gatezweig 108 auftritt, wird die Drainelektrode 116a des TFT 106a durch Laserstrahl-Bestrahlung durchgetrennt. Wie in Fig. 16 dargestellt, ist in der unteren Teilelektrode 105a, die mit der Drainelektrode 116a zu verbinden ist, ein Ausschnitt 138 vorhanden. Die Drainelektrode 116a wird durch Bestrahlen eines Bereichs R im Ausschnitt 138 mit dem Laserstrahl durchtrennt. Ein derartiger Ausschnitt 138 verhindert, daß geschmolzenes Elektrodenmaterial beim Durchtrennen der Drainelektrode 116a erneut in einem Abschnitt anhaftet, der zwischen der Drainelektrode 116a und der Teilelektrode 105 liegt, was zwischen diesen erneut eine elektrische Verbindung errichten würde.
Außerdem kann selbst dann, wenn ein Fehler im TFT 106b oder dem Gatezweig 108a auftritt, um einen Bildelementfehler in der Teilelektrode 105b hervorzurufen, der Fehler unter Verwendung der Verbindungsstelle 107 korrigiert werden.
Selbst wenn, wie in Fig. 17A dargestellt, eine fehlerhafte Verbindung der Sourcebusleitung 104 im Überkreuzungsbereich 142 zwischen der Gatebusleitung 103 und der Sourcebusleitung 104 auftritt, oder fehlerhafte Isolierung, wie in Fig. 17B dargestellt, durch ein feines Loch oder dergleichen zwischen der Sourcebusleitung 104 und der Gatebusleitung 103 hervorgerufen wird, kann die Verbindungsstelle 107 des vorliegenden Beispiels dazu verwendet werden, einen solchen Fehler zu korrigieren, wobei der Fehler als Liniendefekt in der Bildebene der Anzeige erscheint.
Diese Korrektur wird wie folgt ausgeführt: Zu allererst wird, wenn fehlerhafte Isolierung, wie in Fig. 17B dargestellt, aufgrund eines feinen Lochs 141 auftritt, die Sourcebusleitung 104 in einem Abschnitt zwischen den Leitungen A-A und B-B durch Laserstrahl-Bestrahlung durchtrennt. Wenn ein Unterbrechungsabschnitt 140 besteht, wie in Fig. 17A dargestellt, ist der Durchtrennungsprozeß mittels Laserstrahlen nicht erforderlich. Danach wird, wie in Fig. 14 dargestellt, der Überlagerungsabschnitt, in dem das Zweigende 129a der Sourcebusleitung 104, der Gateisolierfilm 111 und die leitende Schicht 126 übereinanderliegen, mit einem Laserstrahl bestrahlt. Im Gateisolierfilm 111 erfolgt durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl Zerstörung, so daß das Zweigende 129a und die leitende Schicht 126a schmelzen, um miteinander verbunden zu werden. Auf dieselbe Weise wie vorstehend beschrieben, wird der Überlagerungsabschnitt, in dem die Ersatzleitung 128, der Gateisolierfilm 111 und die leitende Schicht 126a übereinanderliegen, mit einem Laserstrahl bestrahlt. Demgemäß wird der Gateisolierfilm 111 zerstört und die Ersatzleitung 128 und die leitende Schicht 126a werden geschmolzen, um miteinander verbunden zu werden und einen leitenden Zustand zu erreichen. Demgemäß werden ein Abschnitt der Sourcebusleitung 104 auf einer Seite des Überkreuzungsbereichs 142 und die Ersatzleitung 128 elektrisch mittels der leitenden Schicht 126a miteinander verbunden.
Auf ähnliche Weise wird durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl eine elektrische Verbindung zwischen dem Zweigende 129b der Sourcebusleitung 104 und der leitenden Schicht 126b sowie zwischen der Ersatzleitung 128 und der leitenden Schicht 126b hergestellt. Demgemäß werden ein Abschnitt der Sourcebusleitung 104 an der anderen Seite des Uberkreuzungsbereichs 142 und die Ersatzleitung 128 mittels der leitenden Schicht 126b elektrisch miteinander verbunden. Auf diese Weise werden diese Verbindungen in den vier Abschnitten hergestellt, so daß die zwei Bereiche der Sourcebusleitung 104, die einander über den Überkreuzungsbereich 142 gegenüberstehen, elektrisch mittels der Verbindungsstelle 107 miteinander verbunden werden können.
Beim vorliegenden Beispiel kann, obwohl der Laserstrahl von der Seite des Glassubstrats 101 her eingestrahlt wird, eher von jedem Substrat her eingestrahlt werden, wenn beide Substrate aus einem Material bestehen, durch das Laserstrahlen hindurchdringen können.
Selbst wenn die Korrektur eines solchen Bildelementfehlers unter Verwendung von Laserstrahlen ausgeführt wird, tritt geschmolzenes Material nie in den Flüssigkristall des Anzeigemediums ein, da der Schutzüberzug 117 über der Verbindungsstelle 107 ausgebildet ist. Der Schutzüberzug 117 ist ein durchsichtiges Isoliermaterial, durch das ein Laserstrahl hindurchgestrahlt wird. Demgemäß besteht keine Gefahr, daß der Schutzüberzug 117 durch einen Laserstrahl zerstört wird. Eine Flüssigkristallschicht in der Nähe eines durch einen Laserstrahl bestrahlten Bereichs kann milchig werden, jedoch verschwindet der milchige Abschnitt bald, so daß die Bildqualität dieser Anzeigevorrichtung nie abnimmt.
Beim Beispiel gemäß Fig. 12 verfügt die Verbindungsstelle 107 über zwei Fehlerkorrekturfunktionen, von denen die eine die ist, daß ein durch die Teilelektrode 105a oder 105b hervorgerufener Bildelementfehler korrigiert wird, und die andere die ist, daß eine fehlerhafte Isolierung im Überkreuzungsbereich 142 oder eine fehlerhafte Unterbrechung der Sourcebusleitung 104 korrigiert wird, jedoch kann sie nur über eine der zwei Funktionen verfügen. Fig. 18 zeigt eine Verbindungsstelle 117 mit einer Funktion, durch die die Korrektur eines Bildelementfehlers ausgeführt werden kann, wobei eine Sourcebusleitung 104 nicht mit Zweigenden 129a und 129b versehen ist und die Verbindungsstelle 171 so aufgebaut ist, daß das Zweigende 129a und der Abschnitt der leitenden Schicht 126a, der unter dem Zweigende 129a liegt, aus der in Fig. 14 dargestellten Verbindungsstelle 107 weggelassen sind.
Fig. 19 zeigt eine andere Verbindungsstelle 172 mit der anderen Funktion, durch die die Korrektur einer fehlerhaften Isolierung im Überkreuzungsbereich 142 oder der Sourcebusleitung 104 ausgeführt werden kann, wobei die Verbindungsstelle 172 nicht mit den Leiterstücken 127a und 127b versehen ist, sondern diese Verbindungsstelle 172 so aufgebaut ist, daß das Leiterstück 127a und der Abschnitt der leitenden Schicht 126a, der unter dem Leiterstück 127a liegt, aus der in Fig. 14 dargestellten Verbindungsstelle 107 weggelassen sind.

Beispiel 5

Fig. 20 zeigt ein Aktivmatrixsubstrat, wie es bei einer noch anderen erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung verwendet wird, bei dem jede Bildelementelektrode 105 in zwei Teilelektroden 105a und 105b unterteilt ist, auf dieselbe Weise wiebeim Beispiel 4, wobei eine Verbindungsstelle 143 zwischen einer Teilelektrode 105a einer Bildelementelektrode 105 undeiner Teilelektrode 105b einer Bildelementelektrode angeordnet ist, die benachbart zur genannten einen Bildelementelektrode 105 liegt. In Fig. 21 ist ein Grundüberzug 102 auf dergesamten Fläche eines Glassubstrats 102 angebracht und ein elektrisch leitender Film 144 ist auf dem Grundüberzug 102 angebracht, der gleichzeitig mit einer Gatebusleitung 103 ausgebildet werden kann. Ein Isolierfilm 111 ist soangebracht, daß er die gesamte Oberfläche des elektrischleitenden Films 144 bedeckt. Metallstücke 145a und 145b sind über beiden Enden des elektrisch leitenden Films 144 so angeordnet, daß sie den Gateisolierfilm 111 dazwischen einbetten. Diese Stücke 145a und 145b können gleichzeitig mit einer Sourcebusleitung 104 ausgebildet werden. Auf den Metallstükken 145a und 145b sind die Teilelektroden 105a bzw. 105b ausgebildet, wobei die Verbindungsstelle 143 vollständig vom Schutzüberzug 117 bedeckt ist.
Auf dieselbe Weise wie beim Beispiel in bezug auf Fig. 12 wird eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit der vorstehend angegebenen Struktur so angesteuert, daß die Position erkannt werden kann, in der ein Bildelementfehler auftritt. Wenn ein Bildelementfehler in einer der Teilelektroden 105a oder 105b aufgrund eines Fehlers des TFT 106a oder 106b oder eines fehlerhaften Anschlusses eines Gatezweigs 108a oder 108b auftritt, kann der Bildelementfehler leicht unter Verwendung der Verbindungsstelle 143 korrigiert werden. Als Beispiel wird ein Fall veranschaulicht, bei dem ein Fehler im TFT 106a des Gatezweigs 108a auftritt, was einen Bildelementfehler in der Teilelektrode 105a hervorruft. In diesem Fall wird ein Laserstrahl auf entsprechende Weise von der Außenseite der Anzeigevorrichtung auf die übereinanderliegenden Abschnitte gestrahlt, in denen der elektrisch leitende Film 144 über den Metallstücken 145a und 145b liegt, so daß die Teilelektrode 105a elektrisch mit der Teilelektrode 105b derjenigen Bildelementelektrode verbunden werden kann, die benachbart zu dieser Teilelektrode 105a liegt.
Auf diese Weise wird dann, wenn ein Bildelementfehler unter Verwendung der Verbindungsstelle 143 korrigiert wird, die fehlerhafte Teilelektrode 105a durch den TFT 106b der benachbarten Bildelementelektrode angesteuert. Daher kann, obwohl die Teilelektrode 105a nicht ihre beabsichtigte Anzeigefunktion ausüben kann, das Erscheinen eines Bildelementfehlers verhindert werden. Außerdem ist es beim vorliegenden Beispiel möglich, den TFT 106a von der fehlerhaften Teilelektrode 105a abzutrennen, falls erwünscht. Wenn ein Bildelementfehler in der Teilelekrode 105b auftritt, wird der Fehler auf dieselbe Weise korrigiert wie vorstehend angegeben.
Beim vorliegenden Beispiel kann, obwohl die Verbindungsstelle 143 an einer Position liegt, die am weitesten von den TFTS 106a und 106b entfernt ist, dieselbe an jeder Position vorhanden sein, solange diese Position benachbarten zu den Teilelektroden 105a und 105b liegt; z.B. kann, wie in Fig. 22 dargestellt, die Verbindungsstelle 143 in der Nähe der jeweiligen TFTs 106a und 106b liegen. Obwohl Bildelementfehler unter Verwendung einer Verbindungsstelle 143 korrigiert werden können, kann kein Linienfehler korrigiert werden, wie er durch einen Fehler im Überkreuzungsbereich 142 einer Busleitung hervorgerufen wird, wie beim in Fig. 12 dargestellten Beispiel. Fig. 23 zeigt noch eine andere Anzeigevorrichtung mit einem Aktivmatrixsubstrat mit einer Funktion zum Korrigieren des vorstehend genannten Linienfehlers. Dieses Aktivmatrixsubstrat verfügt über einen Aufbau, der sowohl die Verbindungsstelle 143 des Beispiels von Fig. 20 als auch die Verbindungsstelle 172 des Beispiels von Fig. 19 enthält.
Wie vorstehend angegeben, können mittels einer Aktivmatrix- Anzeigevorrichtung gemäß dem vorliegenden Beispiel Bildelementfehler oder Linienfehler, wie sie durch Fehler eines Schaltelements oder der Busleitung hervorgerufen werden, leicht spezifiziert und korrigiert werden, während die Anzeigevorrichtung ihre Anzeigefunktion ausübt. Demgemäß können der Untersuchungsprozeß und der Korrekturprozeß vereinfacht werden, was Massenherstellung erleichtert, und diese Anzeigevorrichtung kann mit geringen Kosten hergestellt werden.
Die Konstruktionen der vorstehend angegebenen Beispiele 4 und 5 sind jeweils mit Grundüberzügen 102 versehen, jedoch sind diese Grundüberzüge 102 nicht absolut notwendig. Außerdem offenbart jedes der vorstehend angegebenen Beispiele eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung vom Transmissionstyp, jedoch ist die Erfindung selbstverständlich auch auf Anzeigevorrichtung vom Reflexionstyp anwendbar. Ferner offenbaren die vorstehend angegebenen Beispiele zwar eine TFTS verwendende Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige, jedoch ist die Erfindung auch auf Anzeigevorrichtungen anwendbar, die andere Schaltelemente verwenden, wie MIM-Elemente, Dioden oder Varistoren. Auch ist die Erfindung auf verschiedene Anzeigevorrichtungen anwendbar, die als Anzeigemedium eine Dünnfilm-Lichtemissionsschicht, eine EL-Lichtemissionsschicht vom Dispersionstyp, eine Plasmaleuchtanordnung oder dergleichen verwenden.

Claims

1. Aktivmatrixsubstrat mit Bildelementelektroden (8), die in einer Matrix auf einem isolierenden Substrat (24) angeordnet sind, wobei jede der Bildelementelektroden (8) in mehrere Teilelektroden mit einer ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) unterteilt ist, einer Gatebusleitung (25) und einer Sourcebusleitung (31) , die einander überkreuzen, und Schaltelementen (44, 45), die die Busleitung (25, 31) jeweils mit der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) verbinden; dadurch gekennzeichnet, daß benachbarte Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) auf einem Film oder einer Schicht (46) aus elektrisch leitendem Material aufeinanderliegen und daß zwischen dem Film oder der Schicht (46) aus elektrisch leitendem Material und mindestens einem der angrenzenden Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) ein isolierender Film eingebettet ist, was zu einer Verbindungsstelle (58) führt, die durch einen Schutzüberzug (34) abgedeckt ist, wobei der Isolierfilm beim Einstrahlen mit einem energiereichen Strahl an der Verbindungsstelle zerstört wird, um dort eine Verbindung herzustellen, so daß die erste und die zweite Teilelektrode (20, 21) elektrisch miteinander verbunden werden.

2. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem sowohl die Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) als auch des Films oder der Schicht (46) aus elektrisch leitendem Material so angeordnet sind, daß sie den genannten Isolierfilm (28) an der Verbindungsstelle (58) einbetten.

3. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 2, bei dem zwei Metallstücke (47, 48) jeweils zwischen den Abschnitten der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) und dem Isolierfilm (28) eingebettet sind.

4. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 3, bei dem ein Abschnitt des Isolierfilms (28) ein Loch (52) aufweist, das zwischen einem (48) der Metallstücke (47, 48) und dem elektrisch leitenden Film (46) liegt.

5. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 1, bei dem der andere der Abschnitte der ersten und zweiten Teilelektrode (20, 21) an der Verbindungsstelle (58) elektrisch mit dem elektrisch leitenden Film (46) verbunden ist.

6. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem die erste und zweite Teilelektrode (20, 21) obere Schichten (20a, 21a) und untere Schichten (20b, 21b) aufweisen, und der elektrisch leitende Film (59) so angebracht ist, daß er jeder der oberen Schichten (20a, 21a) zugewandt ist, wodurch der Isolierfilm (28) an der Verbindungsstelle (58) zwischen den oberen Schichten (20a, 21a) und dem elektrisch leitenden Film (59) eingebettet ist.

7. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 6, bei dem eine der unteren Schichten (20b, 21b) an der Verbindungsstelle (58) elektrisch mit dem elektrisch leitenden Film (59) verbunden ist.

8. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem die Gatebusleitung (103) zwischen dem ersten und zweiten Elektrodenteil (105a, 105b) einer Bildelementelektrode angeordnet ist, und bei dem zwei elektrischleitende Schichten (126a, 126b) an der Verbindungsstelle(107) an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung (103) angeordnet sind und sich parallel dazu erstrecken, und eineersatzleitung (128) die Gatebusleitung (103) so überkreuzt,daß der Isolierfilm (111) dazwischen eingebettet ist, wobei die Ersatzleitung (128) so auf den elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) liegt, daß der Isolierfilm (111) dazwischen eingebettet ist, wodurch von der ersten und zweiten Teilelektrode (105a, 105b) jede elektrisch mit der Ersatzleitung (128) durch Bestrahlen der Verbindungsstelle (107) mit einem energiereichen Strahl über die jeweilige der elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) angeschlossen werden kann.

9. Aktivmatrixsubstrat nach Anspruch 8, bei dem zwei Zweigenden (129a, 129b) der Sourcebusleitung (104) an der Verbindungsstelle (107) an einem Ende jeder der elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) so übereinanderliegen, daß der Isolierfilm (111) dazwischen eingebettet ist, wodurch jedes der Zweigenden (129a, 129b) durch Bestrahlen der Verbindungsstelle (107) mit einem energiereichen Strahl über eine der elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) elektrisch mit der Ersatzleitung (128) verbunden werden kann.

10. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Gatebusleitung (103) zwischen der ersten und der zweiten Teilelektrode (105a, 105b) angeordnet ist und bei dem ein Abschnitt der ersten Teilelektrode (105a) einer Bildelementelektrode (105) und ein Abschnitt der zweiten Teilelektrode (105a, 105b) einer anderen, benachbarten Bildelementelektrode (105) an der Verbindungsstelle (143) auf dem elektrisch leitenden Film (104) übereinanderliegen.

11. Aktivmatrixsubstrat nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem die Gatebusleitung (103) zwischen der ersten und der zweiten Teilelektrode (105a, 105b) liegt und die Verbindungsstelle (143) zwischen der ersten Teilelektrode (105a) einer Bildelementelektrode (105) und der zweiten Teilelektrode (105b) einer anderen, benachbarten Bildelementelektrode liegt, und bei dem zwei weitere elektrisch leitende Schichten (129a, 129b) an entgegengesetzten Seiten der Gatebusleitung (103) an einer anderen Verbindungsstelle (172) angeordnet sind, die durch den Schutzüberzug (113) abgedeckt wird und sich parallel zur Gatebusleitung (103) erstreckt, wobei zwei Zweigenden (129a, 129b) der Sourcebusleitung (104) an der anderen Verbindungsstelle (172) jeweils über einem Ende jeder der weiteren elektrisch leitenden Schichten (129a, 129b) liegen, um den Isolierfilm (111) dazwischen einzubetten, und wobei eine Ersatzleitung (128) die Gatebusleitung (103) so überkreuzt, daß der Isolierfilm (111) dazwischen eingebettet wird, und eine Überlagerung an der anderen Verbindungsstelle (172) auf den weiteren elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) vorliegt, um den Isolierfilm (111) dazwischen einzubetten, wobei der Isolierfilm zerstört wird, wenn ein energiereicher Strahl an der anderen Verbindungsstelle (172) eingestrahlt wird, um dort eine Verbindung in solcher Weise herzustellen, daß jede der Zweigenden (129a, 129b) elektrisch über die jeweilige weitere elektrisch leitende Schicht (126a, 126b) mit der Ersatzleitung (128) verbunden wird.

12. Aktivmatrixsubstrat mit Bildelementelektroden (105), die in einer Matrix auf einem isolierenden Substrat (101) angeordnet sind, wobei jede der Bildelementelektroden (105) in eine erste und eine zweite Teilelektrode (105a, 105b) unterteilt ist, einer Gatebusleitung (103) und einer Sourcebusleitung (104), die einander überkreuzen, und mit Schaltelementen (106a, 106b), die die Busleitung (103, 104) mit der ersten und zweiten Teilelektrode (105a, 105b) verbinden; dadurch gekennzeichnet, daß die Gatebusleitung (103) zwischen der ersten und der zweiten Teilelektrode (105a, 105b) angeordnet ist und daß zwei elektrisch leitende Schichten (126a, 126b) an entgegengesetzten Seiten einer Gatebusleitung (103) an einer Verbindungsstelle (107 oder 172) angeordnet sind und sich parallel zur Gatebusleitung (103) erstrecken, wobei zwei Zweigenden (129a, 129b) der Sourcebusleitung (104) an der Verbindungsstelle (107) jeweils auf einem Ende jeder der elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b) liegen, um dazwischen einen Isolierfilm (111) einzubetten, und wobei eine Ersatzleitung (128) die Gatebusleitung (103) so überkreuzt, daß der Isolierfilm (111) dazwischen eingebettet wird, mit einer Überlagerung an der Verbindungsstelle (107 oder 172) auf den elektrisch leitenden Schichten (126a, 126b), um den Isolierfilm (111) dazwischen einzubetten, wobei die Verbindungsstelle (107 oder 172) durch einen Schutzüberzug (113) bedeckt ist, wobei der Isolierfilm bei Bestrahlung mit einem energiereichen Strahl an der Verbindungsstelle zerstört wird, um eine solche Verbindung auszubilden, daß jedes der Zweigenden (129a, 129b) über die jeweilige elektrisch leitende Schicht (126a, 126b) elektrisch mit der Ersatzleitung (128) verbunden ist.

13. Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung mit einem Aktivmatrixsubstrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, einem Gegensubstrat mit einer Gegenelektrode (39) und einem gegenüberliegenden, isolierenden Substrat (36), und mit einem elektrooptischen Anzeigemedium (41), das zwischen dem Aktivmatrixsubstrat und dem Gegensubstrat eingeschlossen ist, wobei die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Anzeigemediums abhängig von einer angelegten Spannung moduliert werden, wobei das isolierende Substrat (24), das isolierende Gegensubstrat (36) oder beide lichtdurchlässig sind.