JP3097829B2 - 液晶表示パネルおよびその補修方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルお
よびその補修方法に関し、特にアクティブマトリクス方
式液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板の配線に発生
する断線を修正するのに有利な構造とその補修方法に関
するものである。
よびその補修方法に関し、特にアクティブマトリクス方
式液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板の配線に発生
する断線を修正するのに有利な構造とその補修方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ基板の製造方法
を図３を参照して説明する。まず、ガラス基板上に、第
１のバスラインを形成するための金属、例えばＣｒ、Ｍ
ｏ、Ａｌ又はそれらの合金等をスパッタ法により数１０
０ｎｍの厚さに成膜する。その上にフォトレジスト材を
スピン塗布し、あらかじめマスク上に形成されたパター
ンを露光転写した後、アルカリ性の水溶液により現像
し、金属膜上にフォトレジスト膜を形成する。次いで、
このフォトレジスト膜をマスクとして成膜された金属膜
をエッチングしてゲートバスライン１０を形成し、フォ
トレジスト膜を剥離する〔図３（ａ）〕。
を図３を参照して説明する。まず、ガラス基板上に、第
１のバスラインを形成するための金属、例えばＣｒ、Ｍ
ｏ、Ａｌ又はそれらの合金等をスパッタ法により数１０
０ｎｍの厚さに成膜する。その上にフォトレジスト材を
スピン塗布し、あらかじめマスク上に形成されたパター
ンを露光転写した後、アルカリ性の水溶液により現像
し、金属膜上にフォトレジスト膜を形成する。次いで、
このフォトレジスト膜をマスクとして成膜された金属膜
をエッチングしてゲートバスライン１０を形成し、フォ
トレジスト膜を剥離する〔図３（ａ）〕。
【０００３】このとき、この後に形成されるドレインバ
スラインと平行のパターンで、このドレインバスライン
のエッジ部分と重なり、かつ、この後に形成される透明
画素電極のエッジ部分と重なるように、配線パターンと
は独立した遮光パターン５０、５１を形成する構造が一
般的に用いられている。薄膜トランジスタ基板側に遮光
パターンを形成することが開口率向上のために有利であ
るからである。
スラインと平行のパターンで、このドレインバスライン
のエッジ部分と重なり、かつ、この後に形成される透明
画素電極のエッジ部分と重なるように、配線パターンと
は独立した遮光パターン５０、５１を形成する構造が一
般的に用いられている。薄膜トランジスタ基板側に遮光
パターンを形成することが開口率向上のために有利であ
るからである。
【０００４】次に、ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜となる
絶縁膜を数１００ｎｍの厚さに堆積し、続いてアモルフ
ァスシリコン膜を数１００ｎｍの厚さに堆積した後、ア
モルファスシリコン膜を島状に加工して半導体膜３０を
形成する〔図３（ｂ）〕。次に、ゲートバスライン１０
を形成した場合と同様の手法を用いて、膜厚数１００ｎ
ｍのドレインバスライン２０を形成する〔図３
（ｃ）〕。その後、スパッタ法によりＩＴＯ（indium t
in oxide）などの透明導電材料を数１０ｎｍの膜厚に堆
積し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニング
して透明画素電極４０を形成する〔図３（ｄ）〕。この
ようにして形成された薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基
板）は、その後カラーフィルタ基板と狭い間隙を隔てて
貼り合わされ、その間隙内に液晶が注入されて、液晶表
示パネルに組み立てられる。
絶縁膜を数１００ｎｍの厚さに堆積し、続いてアモルフ
ァスシリコン膜を数１００ｎｍの厚さに堆積した後、ア
モルファスシリコン膜を島状に加工して半導体膜３０を
形成する〔図３（ｂ）〕。次に、ゲートバスライン１０
を形成した場合と同様の手法を用いて、膜厚数１００ｎ
ｍのドレインバスライン２０を形成する〔図３
（ｃ）〕。その後、スパッタ法によりＩＴＯ（indium t
in oxide）などの透明導電材料を数１０ｎｍの膜厚に堆
積し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニング
して透明画素電極４０を形成する〔図３（ｄ）〕。この
ようにして形成された薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基
板）は、その後カラーフィルタ基板と狭い間隙を隔てて
貼り合わされ、その間隙内に液晶が注入されて、液晶表
示パネルに組み立てられる。
【０００５】ところで、液晶表示装置の製造にあたり、
最も改善が望まれる課題は歩留の向上である。特に、断
線不良は不良発生個所以降が表示不能となる線欠陥に直
結しており１個所でも発生すればパネル全体が不良とな
るため、断線不良率の低減は歩留り向上を図る上で重要
な課題であり、これまでにもいろいろな方法が提案され
てきた。例えば、特開平５−１９２９４号公報には、透
明画素電極をドレインバスラインの断線部のバイパス線
として利用することが提案されている。
最も改善が望まれる課題は歩留の向上である。特に、断
線不良は不良発生個所以降が表示不能となる線欠陥に直
結しており１個所でも発生すればパネル全体が不良とな
るため、断線不良率の低減は歩留り向上を図る上で重要
な課題であり、これまでにもいろいろな方法が提案され
てきた。例えば、特開平５−１９２９４号公報には、透
明画素電極をドレインバスラインの断線部のバイパス線
として利用することが提案されている。
【０００６】図４は、同公報により提案された薄膜トラ
ンジスタ基板の平面図である。この方法によれば、ゲー
トバスライン１０を形成する際に、ゲートバス支線１１
を形成するとともに透明画素電極４０に一部重なるよう
に第１導電体片１２を形成しておく。また、ドレインバ
スライン２０を形成する際に、これに連なるドレイン端
子２６、突起部２５を形成するとともに第１の導電体片
１２に重なる第２の導電体片２７を形成する。また、薄
膜トランジスタと透明画素電極４０との間を接続するソ
ース端子２８も同時に形成しておく。
ンジスタ基板の平面図である。この方法によれば、ゲー
トバスライン１０を形成する際に、ゲートバス支線１１
を形成するとともに透明画素電極４０に一部重なるよう
に第１導電体片１２を形成しておく。また、ドレインバ
スライン２０を形成する際に、これに連なるドレイン端
子２６、突起部２５を形成するとともに第１の導電体片
１２に重なる第２の導電体片２７を形成する。また、薄
膜トランジスタと透明画素電極４０との間を接続するソ
ース端子２８も同時に形成しておく。
【０００７】ドレインバスライン２０に、断線６０が発
生した場合、バスライン２０の突起部２５と第１導電体
片１２との重なり部分７０、第２導電体片２７と第１導
電体片１２と透明画素電極４０との重なり部分７１、ド
レイン端子２６とゲートバス支線１１との重なり部分７
２、ソース端子２８とゲートバス支線１１との重なり部
分７３にレーザ光を照射してそれぞれの重なり部分を短
絡させるとともに、ゲートバス支線１１の領域７４をレ
ーザ光照射により切断する。これにより、バスライン２
０は、突起部２５、第１、第２導電体片１２、２７を介
して透明画素電極４０に接続されるとともに、ドレイン
端子２６、ゲートバス支線１１およびソース端子２８を
介して透明画素電極４０に接続される。よって、バスラ
イン２０の断線６０は透明画素電極４０によりバイパス
されることになる。しかしこの方法では、バイパス線に
用いられた画素電極４０に断線したバスライン２０から
電流が流れこむため、この画素電極４０部分が点欠陥と
なることは避けられず、断線補修方法として万全でな
い。
生した場合、バスライン２０の突起部２５と第１導電体
片１２との重なり部分７０、第２導電体片２７と第１導
電体片１２と透明画素電極４０との重なり部分７１、ド
レイン端子２６とゲートバス支線１１との重なり部分７
２、ソース端子２８とゲートバス支線１１との重なり部
分７３にレーザ光を照射してそれぞれの重なり部分を短
絡させるとともに、ゲートバス支線１１の領域７４をレ
ーザ光照射により切断する。これにより、バスライン２
０は、突起部２５、第１、第２導電体片１２、２７を介
して透明画素電極４０に接続されるとともに、ドレイン
端子２６、ゲートバス支線１１およびソース端子２８を
介して透明画素電極４０に接続される。よって、バスラ
イン２０の断線６０は透明画素電極４０によりバイパス
されることになる。しかしこの方法では、バイパス線に
用いられた画素電極４０に断線したバスライン２０から
電流が流れこむため、この画素電極４０部分が点欠陥と
なることは避けられず、断線補修方法として万全でな
い。
【０００８】また、特開平５−５８９６号公報には、ド
レインバスラインのパターニング時に、ドレインバスラ
インの近傍のゲートバスラインを跨ぐ部分にこのドレイ
ンバスラインに平行した同層の冗長構造を作り込み、断
線発生時に、レーザ光照射により、この冗長構造との接
続用端子をショートさせ、電流をバイパスさせることに
より線欠陥を回避する方法が提案されている。しかし、
この補修方法は、ゲートバスライン付近の断線のみにし
か対応できないという欠点があるほか、ドレインバスラ
インに断線が発生した場合にはその配線と同層かつ近傍
に存在する冗長構造も同じ原因により断線となる可能性
が高いため、補修方法として万全とは言えない。またこ
の冗長構造は、開口率の低下を伴うため、表示特性上は
好ましくない。
レインバスラインのパターニング時に、ドレインバスラ
インの近傍のゲートバスラインを跨ぐ部分にこのドレイ
ンバスラインに平行した同層の冗長構造を作り込み、断
線発生時に、レーザ光照射により、この冗長構造との接
続用端子をショートさせ、電流をバイパスさせることに
より線欠陥を回避する方法が提案されている。しかし、
この補修方法は、ゲートバスライン付近の断線のみにし
か対応できないという欠点があるほか、ドレインバスラ
インに断線が発生した場合にはその配線と同層かつ近傍
に存在する冗長構造も同じ原因により断線となる可能性
が高いため、補修方法として万全とは言えない。またこ
の冗長構造は、開口率の低下を伴うため、表示特性上は
好ましくない。
【０００９】さらに別の例として、特開平４−２８３７
２５号公報には、互いに絶縁して交差するように設けら
れた第１、第２のバスラインの少なくとも一方を作り込
む際に、他方のバスラインと完全に重なる位置に、冗長
構造を作り込み、断線発生時には、レーザ光照射により
断線部の両サイドと冗長構造をショートさせ、線欠陥を
回避する方法が提案されている。しかし、この方法で
は、ゲートバスラインと同層の金属層によって遮光膜を
形成することができないため、開口率が低下する。
２５号公報には、互いに絶縁して交差するように設けら
れた第１、第２のバスラインの少なくとも一方を作り込
む際に、他方のバスラインと完全に重なる位置に、冗長
構造を作り込み、断線発生時には、レーザ光照射により
断線部の両サイドと冗長構造をショートさせ、線欠陥を
回避する方法が提案されている。しかし、この方法で
は、ゲートバスラインと同層の金属層によって遮光膜を
形成することができないため、開口率が低下する。
【００１０】すなわち、この方法のように、薄膜トラン
ジスタ基板作製時に画素電極エッジ部分に遮光パターン
を設けることをしない場合、カラーフィルタ基板側に設
けられる遮光膜（ブラックマトリックス）を、薄膜トラ
ンジスタ基板とカラーフィルタ基板との重ね合わせ精度
を考慮して、大きなマージンをもって形成しなければな
らないため、その分開口率が低下することになるのであ
る。
ジスタ基板作製時に画素電極エッジ部分に遮光パターン
を設けることをしない場合、カラーフィルタ基板側に設
けられる遮光膜（ブラックマトリックス）を、薄膜トラ
ンジスタ基板とカラーフィルタ基板との重ね合わせ精度
を考慮して、大きなマージンをもって形成しなければな
らないため、その分開口率が低下することになるのであ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の断線不
良の補修方法はそれぞれ以下の問題点を持っている。す
なわち、特開平５−１９２９４号公報に記載された方法
のように、画素電極を補修用バイパス線として用いる場
合には、ライン欠陥の補修が点欠陥を作ることにつなが
り、補修方法として万全ではない。また、特開平５−５
８９６号公報に記載された方法のように、配線パターン
と同層に、その近傍に専用の補修用冗長構造を設ける場
合には、本来の配線パターンに欠陥が生じる場合、冗長
構造も同じ原因で不良となるケースが可能性が高く、さ
らに断線の補修可能領域がゲートバスとの交差部に限定
されているため、補修率が低くなるという欠点がある。
良の補修方法はそれぞれ以下の問題点を持っている。す
なわち、特開平５−１９２９４号公報に記載された方法
のように、画素電極を補修用バイパス線として用いる場
合には、ライン欠陥の補修が点欠陥を作ることにつなが
り、補修方法として万全ではない。また、特開平５−５
８９６号公報に記載された方法のように、配線パターン
と同層に、その近傍に専用の補修用冗長構造を設ける場
合には、本来の配線パターンに欠陥が生じる場合、冗長
構造も同じ原因で不良となるケースが可能性が高く、さ
らに断線の補修可能領域がゲートバスとの交差部に限定
されているため、補修率が低くなるという欠点がある。
【００１２】また、特開平４−２８３７２５号公報に記
載された方法のように、冗長構造をバスラインと別層に
同一パターンに形成する場合には、薄膜トランジスタ基
板側に画素電極周辺を覆う遮光膜を形成することができ
ないため、開口率の低下を招くという欠点があった。
載された方法のように、冗長構造をバスラインと別層に
同一パターンに形成する場合には、薄膜トランジスタ基
板側に画素電極周辺を覆う遮光膜を形成することができ
ないため、開口率の低下を招くという欠点があった。
【００１３】したがって、本発明の解決すべき課題は、
工数の増加や開口率の低下などによる表示特性の劣化を
伴うことなく断線不良に対して有効な補修方法を持つ構
造を提供できるようにすることである。
工数の増加や開口率の低下などによる表示特性の劣化を
伴うことなく断線不良に対して有効な補修方法を持つ構
造を提供できるようにすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題
は、ドレインバスラインと透明画素電極との間を埋める
ように形成された、ゲートバスラインと同層の遮光膜を
断線部のバイパス線として利用することにより、解決す
ることができる。
は、ドレインバスラインと透明画素電極との間を埋める
ように形成された、ゲートバスラインと同層の遮光膜を
断線部のバイパス線として利用することにより、解決す
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明による液晶表示パネルは、
互いに平行に形成された複数のゲートバスラインと、層
間絶縁膜を介して前記ゲートバスラインと直交して形成
された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラ
インと前記ドレインバスラインとの交差部分に形成され
た、ゲートが前記ゲートバスラインに、ドレインが前記
ドレインバスラインに接続された複数の薄膜トランジス
タと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスライン
とによって囲まれた領域内に形成された、一端が前記薄
膜トランジスタのソースに接続された透明画素電極と、
前記ゲートバスラインと同時に形成された、前記ドレイ
ンバスラインと前記透明画素電極との間の隙間を埋める
パターンを有する遮光性導電膜と、を有する薄膜トラン
ジスタ基板を用いて形成された液晶表示パネルであっ
て、前記遮光性導電膜と前記ドレインバスラインとは前
記遮光性導電膜の前記ドレインバスライン方向の両端部
において電気的に短絡させることができる重なり部分を
有していることを特徴としている。そして、上記の重な
り部分を形成するために、ドレインバスラインまたは遮
光性導電膜の何れか一方に突起部が設けられている。
互いに平行に形成された複数のゲートバスラインと、層
間絶縁膜を介して前記ゲートバスラインと直交して形成
された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラ
インと前記ドレインバスラインとの交差部分に形成され
た、ゲートが前記ゲートバスラインに、ドレインが前記
ドレインバスラインに接続された複数の薄膜トランジス
タと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスライン
とによって囲まれた領域内に形成された、一端が前記薄
膜トランジスタのソースに接続された透明画素電極と、
前記ゲートバスラインと同時に形成された、前記ドレイ
ンバスラインと前記透明画素電極との間の隙間を埋める
パターンを有する遮光性導電膜と、を有する薄膜トラン
ジスタ基板を用いて形成された液晶表示パネルであっ
て、前記遮光性導電膜と前記ドレインバスラインとは前
記遮光性導電膜の前記ドレインバスライン方向の両端部
において電気的に短絡させることができる重なり部分を
有していることを特徴としている。そして、上記の重な
り部分を形成するために、ドレインバスラインまたは遮
光性導電膜の何れか一方に突起部が設けられている。
【００１６】［作用］液晶表示パネルの組立が完了した
後、ドレインバスラインに断線が確認された場合、この
断線部分を平行して配置された遮光性導電膜とドレイン
バスラインとの重なり部にレーザ光を照射し、この重な
り部を短絡させることにより、断線部を遮光性導電膜に
よってバイパスすることができる。この遮光性導電膜は
ゲートバスラインと同時に形成される膜であり、また重
なり部も単にマスクパターンの変更のみによって形成が
可能であるため、本発明の実施によって工数が増加する
ことはない。また、本発明においてバイパス線形成のた
めに利用する遮光性導電膜はもともと遮光膜ととして存
在していたものであるために遮光面積の増加はなく、そ
してこの遮光膜によって画素電極の周辺部が遮蔽される
ため、開口率を高く維持することができる。
後、ドレインバスラインに断線が確認された場合、この
断線部分を平行して配置された遮光性導電膜とドレイン
バスラインとの重なり部にレーザ光を照射し、この重な
り部を短絡させることにより、断線部を遮光性導電膜に
よってバイパスすることができる。この遮光性導電膜は
ゲートバスラインと同時に形成される膜であり、また重
なり部も単にマスクパターンの変更のみによって形成が
可能であるため、本発明の実施によって工数が増加する
ことはない。また、本発明においてバイパス線形成のた
めに利用する遮光性導電膜はもともと遮光膜ととして存
在していたものであるために遮光面積の増加はなく、そ
してこの遮光膜によって画素電極の周辺部が遮蔽される
ため、開口率を高く維持することができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は、本発明の第１の実施例
の薄膜トランジスタ基板の状態をを示す平面図であり、
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面での
補修後の状態を示す断面図である。この薄膜トランジス
タ基板では、ガラス基板上にクロムからなる約１００ｎ
ｍのゲートバスライン１０と遮光パターン５０、５１が
形成され、その上をＳｉＯ X からなる膜厚約２００ｎｍ
のゲート絶縁膜を兼ねる層間絶縁膜が一様に覆ってい
る。ゲートバスライン１０から分岐したゲート電極上に
は、この層間絶縁膜を介して膜厚約４００ｎｍのアモル
ファスシリコンよりなる半導体膜３０が形成されてお
り、さらにその上には厚さ約１００ｎｍのクロムよりな
るドレインバスライン２０と、膜厚約５０ｎｍのＩＴＯ
よりなる透明画素電極４０が形成されている。ドレイン
バスライン２０は、遮光パターン５０、５１と重なるよ
うに設けられた突起部２１、２２、２３、２４を持って
いる。
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は、本発明の第１の実施例
の薄膜トランジスタ基板の状態をを示す平面図であり、
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ｂ線に沿った断面での
補修後の状態を示す断面図である。この薄膜トランジス
タ基板では、ガラス基板上にクロムからなる約１００ｎ
ｍのゲートバスライン１０と遮光パターン５０、５１が
形成され、その上をＳｉＯ X からなる膜厚約２００ｎｍ
のゲート絶縁膜を兼ねる層間絶縁膜が一様に覆ってい
る。ゲートバスライン１０から分岐したゲート電極上に
は、この層間絶縁膜を介して膜厚約４００ｎｍのアモル
ファスシリコンよりなる半導体膜３０が形成されてお
り、さらにその上には厚さ約１００ｎｍのクロムよりな
るドレインバスライン２０と、膜厚約５０ｎｍのＩＴＯ
よりなる透明画素電極４０が形成されている。ドレイン
バスライン２０は、遮光パターン５０、５１と重なるよ
うに設けられた突起部２１、２２、２３、２４を持って
いる。
【００１８】このように構成された薄膜トランジスタ基
板は、カラーフィルタ基板と貼り合わされて液晶表示パ
ネルに組み立てられる。そして、適当な表示パターンの
表示により、表示機能のテストが行われる。バスライン
２０に断線６０が確認された場合、バスライン２０に設
けられた突起部２１、２２、２３、２４にレーザ光の照
射を行い、バスライン２０と遮光パターン５０、５１と
を融解接続させる。これにより、遮光パターン５０、５
１を断線部６０のバイパス線として用いることができ、
線欠陥不良を解消することができる。ここで、遮光パタ
ーン５０、５１は本来開口率向上を目的として設けた膜
であるので、断線不良の解消手段を設けたことに伴う開
口率低下は起こらない。また、透明画素電極４０をバイ
パス線として用いることもないので点欠陥不良が発生す
ることもない。さらに、遮光パターン５０、５１は、ゲ
ートバスライン１０を形成する際に同時に形成されるの
で、工数増加に伴う製造コスト増も発生しない。
板は、カラーフィルタ基板と貼り合わされて液晶表示パ
ネルに組み立てられる。そして、適当な表示パターンの
表示により、表示機能のテストが行われる。バスライン
２０に断線６０が確認された場合、バスライン２０に設
けられた突起部２１、２２、２３、２４にレーザ光の照
射を行い、バスライン２０と遮光パターン５０、５１と
を融解接続させる。これにより、遮光パターン５０、５
１を断線部６０のバイパス線として用いることができ、
線欠陥不良を解消することができる。ここで、遮光パタ
ーン５０、５１は本来開口率向上を目的として設けた膜
であるので、断線不良の解消手段を設けたことに伴う開
口率低下は起こらない。また、透明画素電極４０をバイ
パス線として用いることもないので点欠陥不良が発生す
ることもない。さらに、遮光パターン５０、５１は、ゲ
ートバスライン１０を形成する際に同時に形成されるの
で、工数増加に伴う製造コスト増も発生しない。
【００１９】また、遮光パターン５０、５１は、その目
的上透明画素電極４０と重なり合う部分を持つことを避
けることができず、あらかじめバスライン２０と遮光パ
ターン５０、５１が導通している場合には遮光パターン
５０、５１と透明画素電極４０間に不必要な電気容量を
生じ、表示特性を損なうので好ましくない。しかし本発
明の構造によれば、断線発生後、レーザ光照射により導
通を行うので表示特性の劣化は必要最小限に抑えること
ができる。この構造および方法によれば、バスライン２
０に設けられた突起部２１、２２と２３、２４の間に発
生した断線については完全に補修することができ、結果
として液晶表示装置の線欠陥不良発生率を５０％以上減
少させることができる。なお、第１の実施例では、バス
ライン２０の突起部を遮光パターン５０、５１の両方に
形成していたが、遮光パターン５０側のみ、あるいは遮
光パターン５１側のみに設けるようにしてもよい。
的上透明画素電極４０と重なり合う部分を持つことを避
けることができず、あらかじめバスライン２０と遮光パ
ターン５０、５１が導通している場合には遮光パターン
５０、５１と透明画素電極４０間に不必要な電気容量を
生じ、表示特性を損なうので好ましくない。しかし本発
明の構造によれば、断線発生後、レーザ光照射により導
通を行うので表示特性の劣化は必要最小限に抑えること
ができる。この構造および方法によれば、バスライン２
０に設けられた突起部２１、２２と２３、２４の間に発
生した断線については完全に補修することができ、結果
として液晶表示装置の線欠陥不良発生率を５０％以上減
少させることができる。なお、第１の実施例では、バス
ライン２０の突起部を遮光パターン５０、５１の両方に
形成していたが、遮光パターン５０側のみ、あるいは遮
光パターン５１側のみに設けるようにしてもよい。
【００２０】［第２の実施例］次に、図２を参照して本
発明の第２の実施例について説明する。図２において、
図１に示した第１の実施例の部分と同等の部分には同一
の参照番号が付せられている重複した説明は省略する。
本実施例においては、ドレインバスライン２０が突起部
を持たない代わりに、遮光パターン５０、５１側のドレ
インバスライン２０と重なり合う部分に突起部５２、５
３が形成されている。バスライン２０に断線６０が発生
した場合、突起部５２、５３にレーザ光を照射し、遮光
パターン５０、５１とドレインバスライン２０を融解接
続させ、遮光パターン５０、５１を断線６０のバイパス
線として用いる。これにより線欠陥を解消することがで
きる。本実施例においても、上述した第１の実施例と同
様の効果を享受することができる。なお、以上の実施例
では、ソース端子を形成することなく画素電極を直接半
導体膜に接続する例を示したが、図４に示すように、ソ
ース端子を形成するようにしてもよい。
発明の第２の実施例について説明する。図２において、
図１に示した第１の実施例の部分と同等の部分には同一
の参照番号が付せられている重複した説明は省略する。
本実施例においては、ドレインバスライン２０が突起部
を持たない代わりに、遮光パターン５０、５１側のドレ
インバスライン２０と重なり合う部分に突起部５２、５
３が形成されている。バスライン２０に断線６０が発生
した場合、突起部５２、５３にレーザ光を照射し、遮光
パターン５０、５１とドレインバスライン２０を融解接
続させ、遮光パターン５０、５１を断線６０のバイパス
線として用いる。これにより線欠陥を解消することがで
きる。本実施例においても、上述した第１の実施例と同
様の効果を享受することができる。なお、以上の実施例
では、ソース端子を形成することなく画素電極を直接半
導体膜に接続する例を示したが、図４に示すように、ソ
ース端子を形成するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明による液晶表示パネルは、ゲート
バスラインと同時に形成される遮光パターンと、ドレイ
ンバスラインとの間に重なり部を設けたものであるの
で、製造工数の増加を招くことなく、また開口率の低下
などの表示品質の低下を伴うことなく、断線発生時にバ
イパス線を形成することができる。従って、本発明によ
れば、良好な表示品質を維持しつつ、液晶表示パネルの
製造歩留りを向上させることができる。
バスラインと同時に形成される遮光パターンと、ドレイ
ンバスラインとの間に重なり部を設けたものであるの
で、製造工数の増加を招くことなく、また開口率の低下
などの表示品質の低下を伴うことなく、断線発生時にバ
イパス線を形成することができる。従って、本発明によ
れば、良好な表示品質を維持しつつ、液晶表示パネルの
製造歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図と断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図。
【図３】従来例の製造方法を説明するための工程順の平
面図。
面図。
【図４】他の従来例の平面図。
１０ ゲートバスライン １１ ゲートバス支線 １２ 第１導電体片 ２０ ドレインバスライン ２１〜２５ 突起部 ２６ ドレイン端子 ２７ 第２導電体片 ２８ ソース端子 ３０ 半導体膜 ４０ 透明画素電極 ５０、５１ 遮光パターン ５２、５３ 突起部 ６０ 断線 ７０〜７３ レーザ照射される重なり部分 ７４ レーザ照射される領域
Claims (3)
- 【請求項１】 互いに平行に形成された複数のゲートバ
スラインと、層間絶縁膜を介して前記ゲートバスライン
と直交して形成された複数のドレインバスラインと、前
記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差
部分に形成された、ゲートが前記ゲートバスラインに、
ドレインが前記ドレインバスラインに接続された複数の
薄膜トランジスタと、前記ゲートバスラインと前記ドレ
インバスラインとによって囲まれた領域内に形成され
た、一端が前記薄膜トランジスタのソースに接続された
透明画素電極と、前記ゲートバスラインと同時に形成さ
れた、前記ドレインバスラインと前記透明画素電極との
間の隙間を埋めるパターンを有する遮光性導電膜と、を
有し、前記遮光性導電膜と前記ドレインバスラインとは
前記遮光性導電膜の前記ドレインバスライン方向の両端
部において電気的に短絡させることができる重なり部分
を有している薄膜トランジスタ基板を用いて形成された
液晶表示パネルにおいて、前記ドレインバスラインに
は、前記重なり部分を形成するための前記遮光性導電膜
上に延びる突起部が形成されていることを特徴とする液
晶表示パネル。 - 【請求項２】 互いに平行に形成された複数のゲートバ
スラインと、層間絶縁膜を介して前記ゲートバスライン
と直交して形成された複数のドレインバスラインと、前
記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差
部分に形成された、ゲートが前記ゲートバスラインに、
ドレインが前記ドレインバスラインに接続された複数の
薄膜トランジスタと、前記ゲートバスラインと前記ドレ
インバスラインとによって囲まれた領域内に形成され
た、一端が前記薄膜トランジスタのソースに接続された
透明画素電極と、前記ゲートバスラインと同時に形成さ
れた、前記ドレインバスラインと前記透明画素電極との
間の隙間を埋めるパターンを有する遮光性導電膜と、を
有し、前記遮光性導電膜と前記ドレインバスラインとは
前記遮光性導電膜の前記ドレインバスライン方向の両端
部において電気的に短絡させることができる重なり部分
を有している薄膜トランジスタ基板を用いて形成された
液晶表示パネルにおいて、前記ドレインバスラインを挟
んで形成された二つの遮光性導電膜が前記ドレインバス
ライン下において接続されており、その接続部において
前記重なり部分が形成されていることを特徴とする液晶
表示パネル。 - 【請求項３】 互いに平行に形成された複数のゲートバ
スラインと、層間絶縁膜を介して前記ゲートバスライン
と直交して形成された複数のドレインバスラインと、前
記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差
部分に形成された、ゲートが前記ゲートバスラインに、
ドレインが前記ドレインバスラインに接続された複数の
薄膜トランジスタと、前記ゲートバスラインと前記ドレ
インバスラインとによって囲まれた領域内に形成され
た、一端が前記薄膜トランジスタのソースに接続された
透明画素電極と、前記ゲートバスラインと同時に形成さ
れた、前記ドレインバスラインと前記透明画素電極との
間の隙間を埋めるパターンを有する遮光性導電膜と、を
有する薄膜トランジスタ基板を用いて形成された液晶表
示パネルの補修方法であって、前記遮光性導電膜と前記
ドレインバスラインとの間に、前記遮光性導電膜の前記
ドレインバスライン方向の両端部において、前記ドレイ
ンバスラインに前記遮光性導電膜上に延びる突起部を形
成しておくことにより、若しくは、前記ドレインバスラ
インを挟んで形成された二つの遮光性導電膜を前記ドレ
インバスライン下において接続することにより、両者を
電気的に短絡させることができる重なり部分を設けてお
き、前記ドレインバスラインに断線が生じた場合には、
前記重なり部分にレーザ光を照射して前記遮光性導電膜
と前記ドレインバスラインとを電気的に短絡してドレイ
ンバスラインの断線部に前記遮光性導電膜によるバイパ
ス路を形成することを特徴とする液晶表示パネルの補修
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18180796A JP3097829B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
| TW086109757A TW455732B (en) | 1996-07-11 | 1997-07-10 | Liquid-crystal display panel and repair method thereof |
| US08/891,385 US6476882B1 (en) | 1996-07-11 | 1997-07-11 | Liquid-crystal display panel and repair method thereof |
| KR1019970032381A KR100264251B1 (ko) | 1996-07-11 | 1997-07-11 | 액정표시패널및그보수방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18180796A JP3097829B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026771A JPH1026771A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3097829B2 true JP3097829B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=16107194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18180796A Expired - Lifetime JP3097829B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6476882B1 (ja) |
| JP (1) | JP3097829B2 (ja) |
| KR (1) | KR100264251B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100477128B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 광차단막을갖는액정표시장치용박막트랜지스터기판 |
| JP2000250436A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
| KR100313245B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2001-11-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 리페어 기능을 갖는 액정표시소자 |
| KR100603840B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 리페어배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| JP2001267581A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| JP2001343667A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Sharp Corp | 表示装置およびその欠陥修正方法 |
| KR100686235B1 (ko) * | 2000-05-04 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
| KR100612994B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판 |
| KR100623989B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법 |
| KR20010108837A (ko) * | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 데이터 라인 오픈 리페어 수단이 구비된 액정표시장치 |
| JP4722260B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
| JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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| JP4051237B2 (ja) | 2002-07-30 | 2008-02-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
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| CN111399295B (zh) * | 2020-04-26 | 2022-11-29 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质 |
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-
1997
- 1997-07-10 TW TW086109757A patent/TW455732B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-07-11 US US08/891,385 patent/US6476882B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-11 KR KR1019970032381A patent/KR100264251B1/ko not_active IP Right Cessation
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