JP2002031811A

JP2002031811A - 表示装置および表示装置の断線修復方法

Info

Publication number: JP2002031811A
Application number: JP2000217428A
Authority: JP
Inventors: Takesuke Murakami; 雄亮村上; Satoshi Kamitaka; 智神鷹
Original assignee: Advanced Display Inc
Current assignee: Advanced Display Inc
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2000-07-18
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】表示装置における走査線、信号線の断線を表
示品質を劣化させることなく修復し、製造歩留まりを向
上させる。【解決手段】絶縁性基板上に形成された導電膜（たと
えば蓄積容量線２）と、該導電膜上に絶縁膜を介して配
設された導電性薄膜（たとえば画素電極）とを備えた表
示装置において、前記導電膜と前記導電性薄膜との重な
り部において、該導電膜の断線部をまたぐ該導電膜上の
２箇所で、前記導電性薄膜の堆積前に前記絶縁膜の一部
に開口部１０を形成し、該開口部を介して前記導電膜と
前記導電性薄膜とが電気的に接続されて、該導電膜の断
線を修復する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置の配線の
断線修復方法および配線の断線修復を施した表示装置に
関するものであり、とくに液晶表示装置に適用して好適
なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置などの表示装置において、配線の断線を修正する方
法として、たとえば特開平９−１１３９３０号公報が開
示されている。図７、図８は従来技術を説明する図であ
り、図７はアクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
る１画素部分の構成図、図８は図７におけるゲート信号
配線上の断線部分における断面図である。図７および図
８において、１はゲート信号配線（ゲート線、走査
線）、２はＣｓ信号配線（蓄積容量線）、４はソース信
号配線（ソース線、信号線）、１１は基板、１２はゲー
ト絶縁膜、１５は画素電極、２０は断線部分、２１は薄
膜トランジスタ、２２は溶融した金属を示している。

【０００３】図７において、たとえばゲート線１の一部
に断線部分２０がある場合について説明する。断線部分
２０の断面図は図８（ａ）のように、ゲート線１上にゲ
ート絶縁膜１２を介して画素電極１５が存在するような
構造となる。画素電極１５とゲート線１が重なっている
位置で、かつ断線部分２０をまたいだ２個所（図７の×
で示す部分）に、ＹＡＧレーザーを画素電極１５側から
照射する。図８（ｂ）に示すように、画素電極１５とゲ
ート線１間に、レーザー照射により発生する溶融した金
属２２により、電気的に接続することができる。このこ
とにより、断線したゲート線は溶融金属２２→画素電極
１５→溶融金属２２というバイパスラインを通して、駆
動信号が印加されない状態にあるゲート線に駆動信号を
印加することができる。ソース信号配線４、Ｃｓ信号配
線２の場合の断線修正についても同様である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術においては、断線部分をまたぐ２箇所に画
素電極上からレーザー照射し、金属を溶融させることに
よって、たとえばゲート線の断線修正を行なっている。
このため、断線接続部の抵抗が高抵抗となり、配線負荷
の増大による線欠陥不良などのため歩留まりが低下する
という問題があった。さらに、レーザー照射周辺への溶
融金属の飛散のために、対向基板との貼り合わせ工程に
おいて、対向基板と前記ゲート線などが形成された基板
（以下、アレイ基板と称する）との間隙（ギャップ）が
不均一となり、表示不良を発生させるなどの問題もあっ
た。

【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、線欠陥、表示不良を防止し、歩留まりを低
下させることなく、アレイ基板上の配線の断線を確実に
修復することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の表示装置
は、絶縁性基板上に形成された導電膜と、該導電膜上に
絶縁膜を介して配設された導電性薄膜とを備えた表示装
置であって、前記導電膜と前記導電性薄膜との重なり部
において、該導電膜の断線部をまたぐ該導電膜上で、前
記導電性薄膜の堆積前に前記絶縁膜の一部が開口され、
該開口部を介して前記導電膜と前記導電性薄膜とが電気
的に接続されていることを特徴とするものである。

【０００７】本発明の第２の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記開口部は、前記絶縁膜にレーザー
照射することにより形成されることを特徴とするもので
ある。

【０００８】本発明の第３の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記開口部は、前記絶縁膜上に感光性
樹脂膜を塗布した状態において、該感光性樹脂膜をレー
ザー照射により除去し、形成されること特徴とするもの
である。

【０００９】本発明の第４の表示装置は、上記第１ない
し３のいずれかの表示装置において、前記導電膜は走査
線であることを特徴とするものである。

【００１０】本発明の第５の表示装置は、上記第１ない
し３のいずれかの表示装置において、前記導電膜は走査
線と並行なに配設された蓄積容量線であることを特徴と
するものである。

【００１１】本発明の第６の表示装置は、上記第１ない
し５のいずれかの表示装置において、前記導電性薄膜は
画素電極と同一の層であることを特徴とするものであ
る。

【００１２】本発明の第１の表示装置の断線修復方法
は、絶縁性基板上に形成された導電膜と、該導電膜上に
絶縁膜を介して配設された導電性薄膜とを備えた表示装
置の断線修復方法であって、前記導電膜と前記導電性薄
膜との重なり部において、該導電膜の断線部をまたぐ該
導電膜上で、前記導電性薄膜の堆積前に前記絶縁膜の一
部に開口部を形成する工程と、前記導電性薄膜を堆積
し、前記開口部を介して前記導電膜と該導電性薄膜とが
電気的に接続されるようパターニングし、該導電膜の断
線を修復する工程とを含むことを特徴とするものであ
る。

【００１３】本発明の第２の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
開口部を形成する工程は、前記絶縁膜にレーザー照射す
る工程を備えることを特徴とするものである。

【００１４】本発明の第３の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
開口部を形成する工程は、前記絶縁膜上に感光性樹脂膜
を塗布した状態において、該感光性樹脂膜をレーザー照
射により除去する工程を備えることを特徴とするもので
ある。

【００１５】本発明の第４の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし３のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電膜は走査線であることを特徴と
するものである。

【００１６】本発明の第５の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし３のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電膜は走査線と並行なに配設され
た蓄積容量線であることを特徴とするものである。

【００１７】本発明の第６の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし５のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電性薄膜は画素電極と同一の層で
あることを特徴とするものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施の形態１本発明の第１の実施の形態を図１〜４により説明する。
図１は本発明の第１の実施の形態における薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴと称する）を用いたアクティブマト
リクス型液晶表示装置の画素電極形成前の走査線と信号
線との交差部近傍を表わす平面図であり、図２（ａ）、
（ｂ）はそれぞれ図１におけるＡ−Ａ断面図、図３は画
素電極形成後の走査線と信号線との交差部近傍を表わす
平面図、図４は図３におけるＢ−Ｂ断面図である。

【００１９】図１〜図４において、１はＴＦＴのゲート
を駆動する走査線（ゲート線）、２は蓄積容量線、３は
蓄積容量線の枝配線部、４は表示信号を画素電極にＴＦ
Ｔを介して供給する信号線（ソース線）、５はソース電
極、６はドレイン電極、７はコンタクトホール、８は半
導体膜、９は蓄積容量線の断線部、１０は蓄積容量線上
に形成された絶縁膜の開口部、１１はたとえばガラス、
プラスチックスなどの絶縁性基板、１２はゲート絶縁
膜、１３は保護絶縁膜、１４は感光性樹脂膜（以下、フ
ォトレジストと称する）、１５はたとえばＩＴＯ(Indiu
m Tin Oxide)、ＳｎＯ₂などの透明電極からなる導電性
薄膜である画素電極、１６は蓄積容量形成のための蓄積
容量線と画素電極との重なり部を示している。

【００２０】図１は蓄積容量を画素電極と蓄積容量線と
の重なり部で形成する方式（共通Ｃｓ方式）を用いた表
示装置について、画素電極形成前の走査線と信号線との
交差部近傍を表わす平面図を示しているが、まずその製
造工程について説明する。絶縁性基板１１上に、走査線
および蓄積容量線となる第１層の導電膜を成膜する。第
１層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などから
なる薄膜が用いられる。つぎに写真製版工程により第１
層の導電膜をパターニングすることにより走査線および
蓄積容量線を形成する。

【００２１】そののち、プラズマＣＶＤなどの成膜装置
により、ゲート絶縁膜１２、半導体膜８、オーミックコ
ンタクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲート絶縁膜
としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれら
の積層膜が用いられる。半導体膜は、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）などが用
いられる。さらにオーミックコンタクト膜にはａ−Ｓｉ
膜やｐ−Ｓｉ膜にリン（Ｐ）などを微量にドーピングし
たｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用いられる。そして写
真製版工程により半導体膜およびオーミックコンタクト
膜をドライエッチングなどによりパターニングする。

【００２２】つぎに、信号線となる第２層の導電膜を成
膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃ
ｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した
合金などからなる薄膜、または異種の金属膜を積層した
もの、あるいは膜厚方向に組成の異なるものを用いるこ
とができる。そして写真製版工程により第２層の導電膜
をパターニングする。

【００２３】つぎに、プラズマＣＶＤなどの成膜装置に
より、保護絶縁膜を形成する。そして写真製版工程によ
り保護絶縁膜をパターニングする。保護絶縁膜として
は、ゲート絶縁膜と同様にＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯ
ｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。この保護絶縁膜
のパターニングにより、コンタクトホールが形成され、
上記第１層の導電膜と第２層の導電膜とが後述する導電
性薄膜を介して電気的に導通可能となる。

【００２４】以上のようなアレイ基板製造工程中、第１
層の導電膜の成膜またはパターニング中の異物などの発
生により、図１のように蓄積容量線の断線９が生じる場
合がある。該断線は、アレイ基板の各製造工程中におけ
る画像検査装置などによる検査によって発見される。通
常蓄積容量線は、表示領域外において該蓄積容量線両端
それぞれを集合蓄積容量線と接続されており、表示領域
内の蓄積容量線に断線が生じた場合、断線部直前まで両
側から当該電位は供給されるものの、その両側からの負
荷の相違により、当該電位にズレが生じてしまう。結果
として、のちのアレイ基板と対向基板との貼り合わせ工
程後に実施される点灯検査において、線欠陥不良品とな
り歩留まりの低下をもたらしていた。

【００２５】よって、上記断線を修復するために、図２
（ａ）に示すように、上記保護絶縁膜のパターニング
後、導電性薄膜である画素電極の堆積前に、断線部をま
たぐ蓄積容量線上の絶縁膜の一部にレーザー照射によっ
てたとえば２箇所の開口部を形成する。このレーザー光
は、ＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーであるこ
と、さらに該レーザー光の波長は０．１〜１．０６μｍ
であることが好ましい。また、該レーザー光の照射強度
は、図２（ａ）のように絶縁膜に直接照射する場合、出
力密度１×１０²〜１×１０³Ｊ／ｍ²程度に弱く照射す
ることが好ましいが、出力密度１×１０²〜１×１０⁴Ｊ
／ｍ²の範囲であれば適用可能である。

【００２６】図２（ｂ）は、導電性薄膜である画素電極
の堆積前に、断線部をまたぐ蓄積容量線上の絶縁膜の一
部にレーザー照射によって開口部を形成する別の方法を
示したものである。図２（ｂ）において、保護絶縁膜１
３、ゲート絶縁膜１２のパターニングのために塗布され
たフォトレジスト１４に、レーザー照射によりたとえば
２箇所の開口部を設け、そののち絶縁膜をエッチングす
ることで、除去されたフォトレジスト部分下の絶縁膜１
２、１３が除去されている。このレーザー光は、ＹＡＧ
レーザーまたはエキシマレーザーであること、該レーザ
ー光の波長は０．１〜１．０６μｍであること、さらに
照射強度は出力密度１×１０²〜１×１０⁴Ｊ／ｍ²の範
囲が好ましい。そののち、フォトレジストを除去するこ
とで図２（ａ）と同様の構成を得ることができる。また
図２（ｂ）のように、フォトレジストに開口部を形成し
て除去されたフォトレジスト部分下の絶縁膜をエッチン
グすることで、図２（ａ）の絶縁膜に直接レーザー照射
して開口部を形成する場合と比較して、絶縁膜の開口部
の形状および第１層の導電膜（本実施の形態の場合蓄積
容量線）の絶縁膜エッチング後の表面形状が滑らかとな
り、のちの画素電極堆積時の密着性が向上し、より確実
に電気的に接続可能となる。

【００２７】図２（ａ）、（ｂ）のように、レーザー照
射を用いることで、断線修復用のマスクの追加を必要と
せず、絶縁膜の一部に開口部を形成することができる。

【００２８】以上のように導電性薄膜である画素電極の
堆積前に、断線部をまたぐ蓄積容量線上の絶縁膜の一部
にレーザー照射によって開口部を形成したのち、上記保
護絶縁膜上に画素電極となるたとえばＩＴＯ、ＳｎＯ₂
などの透明金属である導電性薄膜を成膜し、写真製版工
程により該導電性薄膜をパターニングする。画素電極形
成後の走査線と信号線との交差部近傍を表わす平面図で
ある図３および図３におけるＢ−Ｂ断面図である図４か
ら確認されるように、断線部をまたぐ蓄積容量線上の絶
縁膜の一部に形成された開口部１０に導電性薄膜が侵入
し、該導電性薄膜を介して蓄積容量線の断線を修復する
ことができる。

【００２９】なお、本実施の形態においては、導電性薄
膜は画素電極と同一の層である場合を示しているが、そ
れに限定されることなく、別々の層で形成されてもよ
い。導電性薄膜と画素電極とを本実施の形態のように同
一の層で形成する場合、断線修復用マスクのさらなる追
加を必要とせず、さらには蓄積容量形成部である蓄積容
量線と画素電極との重なり部で断線を修復することで、
断線修復用パターンをも必要とせず、通常の画素形成パ
ターンによって断線修復可能となる。

【００３０】本実施の形態においては、蓄積容量線の断
線による線欠陥不良を、該断線を１画素を形成する画素
電極を介して修復することで点欠陥不良にすることが可
能となる。また本実施の形態では、修復に用いた１画素
を形成する画素電極電位が蓄積容量線電位となるため、
対向電極とは理論上同電位であるから電位差は無くな
り、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置において
は、輝点欠陥となる。以上のように、本実施の形態によ
れば、蓄積容量線の断線によって生じる致命的な線欠陥
不良を、軽微な点欠陥不良に変更することができ、表示
装置の製造歩留まりの向上が可能となる。

【００３１】また、本実施の形態においては、蓄積容量
線上に２箇所の開口部を設けた場合について示している
が、配線負荷をさらに低減させるためなどの目的で、断
線部をまたいで蓄積容量線上それぞれに複数個ずつ形成
されてもよく、さらには断線部をまたぐ蓄積容量線の両
端と該断線部をも含む１箇所の開口部によって、断線が
修復されてもよい。

【００３２】さらに、本実施の形態においては、蓄積容
量線と走査線とが同一の層（第１層の導電膜）で形成さ
れる場合について示しているが、それぞれ別の層で形成
されていても同様の効果を奏するのは言うまでもない。

【００３３】実施の形態２本発明の第２の実施の形態を図５、図６により説明す
る。図５はＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置の画素電極形成前の走査線と信号線との交差部
近傍を表わす平面図、図６は画素電極形成後の走査線と
信号線との交差部近傍を表わす平面図である。図５、図
６において、図１〜図４と同じ構成部分については同一
符号を付しており、差異について説明する。図５、図６
において１７は走査線の断線部、１８は走査線上に形成
された絶縁膜の開口部、１９は蓄積容量形成のための走
査線と画素電極との重なり部である。図５は、第１の実
施の形態のような共通Ｃｓ方式とは異なり、蓄積容量を
画素電極と隣接する画素の走査線との重なり部で形成す
る方式（Ｃｓオンゲート方式）において、走査線が断線
した場合の、画素電極形成前の走査線と信号線との交差
部近傍を表わす平面図を示している。図６は、図５と同
様にＣｓオンゲート方式において、走査線が断線した場
合の、画素電極形成後の走査線と信号線との交差部近傍
を表わす平面図を示している。図５および図６の製造工
程については、第１の実施の形態と同様であるので、説
明を省略する。

【００３４】アレイ基板の製造工程中、走査線の成膜ま
たはパターニング中の異物などの発生により、図５のよ
うに走査線の断線１７が生じる場合がある。該断線は、
アレイ基板の各製造工程中における画像検査装置などに
よる検査によって発見される。通常走査線は、表示領域
外の片側から駆動信号が入力されており、もし断線が生
じるとその断線部から駆動側に対して遠い部分について
は駆動信号が入力されず、断線部から駆動側に対して遠
い部分に接続されたＴＦＴは駆動されなくなってしま
う。結果として、のちのアレイ基板と対向基板との貼り
合わせ工程後に実施される点灯検査において、線欠陥不
良品となり歩留まりの低下をもたらしていた。

【００３５】よって、上記断線を修復するために、図２
（ａ）の場合と同様に、保護絶縁膜のパターニング後、
導電性薄膜である画素電極の堆積前に、断線部をまたぐ
走査線上の絶縁膜の一部にレーザー照射によってたとえ
ば２箇所の開口部１８を形成する。このレーザー光は、
ＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーであること、さ
らに該レーザー光の波長は０．１〜１．０６μｍである
ことが好ましい。また、該レーザー光の照射強度は、絶
縁膜に直接照射する場合、出力密度１×１０²〜１×１
０³Ｊ／ｍ²程度に弱く照射することが好ましいが、出力
密度１×１０²〜１×１０⁴Ｊ／ｍ²の範囲であれば適用
可能である。

【００３６】または、導電性薄膜である画素電極の堆積
前に、断線部をまたぐ走査線上の絶縁膜の一部にレーザ
ー照射によって開口部を形成する別の方法として、図２
（ｂ）の場合と同様に、保護絶縁膜１３、ゲート絶縁膜
１２のパターニングのために塗布されたフォトレジスト
１４に、レーザー照射によりたとえば２箇所の開口部を
設け、そののち絶縁膜をエッチングすることで、除去さ
れたフォトレジスト部分下の絶縁膜１２、１３を除去す
る。このレーザー光は、ＹＡＧレーザーまたはエキシマ
レーザーであること、該レーザー光の波長は０．１〜
１．０６μｍであること、さらに照射強度は出力密度１
×１０²〜１×１０⁴Ｊ／ｍ²の範囲が好ましい。そのの
ち、フォトレジストを除去することで、図２（ａ）と同
様の構成を得ることができる。また、フォトレジストに
開口部を形成して、除去されたフォトレジスト部分下の
絶縁膜をエッチングすることで、絶縁膜に直接レーザー
照射して開口部を形成する場合と比較して、絶縁膜の開
口部の形状および第１層の導電膜（本実施の形態の場合
走査線）の絶縁膜エッチング後の表面形状が滑らかとな
り、のちの画素電極堆積時の密着性が向上し、より確実
に電気的に接続可能となる。

【００３７】上述したように、第１の実施の形態と同様
に、レーザー照射を用いることで、断線修復用のマスク
の追加を必要とせず、絶縁膜の一部に開口部を形成する
ことができる。

【００３８】以上のように導電性薄膜である画素電極の
堆積前に、断線部をまたぐ走査線上の絶縁膜の一部にレ
ーザー照射によって開口部を形成したのち、第１の実施
の形態と同様に、上記保護絶縁膜上に画素電極となるた
とえばＩＴＯ、ＳｎＯ₂などの透明金属である導電性薄
膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜をパター
ニングする。導電性薄膜形成後の走査線と信号線の交差
部近傍の平面図である図６より、本実施の形態において
も、第１の実施の形態の図４と同様に、断線部をまたぐ
走査線上の絶縁膜に形成された開口部１８に導電性薄膜
が侵入し、該導電性薄膜を介して走査線の断線を修復す
ることができる。

【００３９】なお、本実施の形態においては、導電性薄
膜は画素電極と同一の層である場合を示しているが、そ
れに限定されることなく、別々の層で形成されてもよ
い。導電性薄膜と画素電極とを本実施の形態のように同
一の層で形成する場合、第１の実施の形態と同様に、断
線修復用マスクのさらなる追加を必要とせず、さらには
蓄積容量形成部である走査線と画素電極との重なり部で
断線を修復することで、断線修復用パターンをも必要と
せず、通常の画素形成パターンによって断線修復可能と
なる。

【００４０】本実施の形態においては、走査線の断線に
よる線欠陥不良を、該断線を１画素を形成する画素電極
を介して修復することで点欠陥不良にすることが可能と
なる。また本実施の形態では、修復に用いた１画素を形
成する画素電極電位が走査線電位となるため、対向電極
との電位差は拡大し、ノーマリーホワイトモードの液晶
表示装置においては、黒点欠陥となり、より視認困難と
することができる。以上のように、本実施の形態によれ
ば、走査線の断線によって生じる致命的な線欠陥不良
を、より軽微な点欠陥不良に変更することができ、表示
装置の製造歩留まりの向上が可能となる。

【００４１】また、本実施の形態においては、走査線上
に２箇所の開口部を設けた場合について示しているが、
配線負荷をさらに低減させるためなどの目的で、断線部
をまたいで走査線上それぞれに複数個ずつ形成されても
よく、さらには断線部をまたぐ走査線の両端と該断線部
をも含む１箇所の開口部によって、断線が修復されても
よい。

【００４２】さらに、上記第１の実施の形態においては
共通Ｃｓ方式における蓄積容量線の断線を修復する方法
について示しているが、共通Ｃｓ方式においても、第２
の実施の形態と同様に走査線の断線を修復可能である。

【００４３】以上、上記第１、第２の実施の形態におい
ては、走査線または蓄積容量線の断線を導電性薄膜によ
って修復する場合について示しているが、第２層の導電
膜である信号線についても、信号線と導電性薄膜との重
なり部を設けることによって、同様に断線を修復可能で
ある。

【００４４】また、第１、第２の実施の形態において
は、導電性薄膜によって走査線または蓄積容量線である
導電膜の断線を修復する場合について示しているが、た
とえば信号線である導電膜によって走査線または蓄積容
量線である導電膜の断線を修復してもよく、さらにはそ
の逆も可能である。走査線または蓄積容量線よりも信号
線が上層にあるとき、信号線と同一の層を用いて走査線
または蓄積容量線と重なり部を形成し、該信号線と同一
の層により走査線または蓄積容量線の断線を修復するこ
とも可能であり、信号線よりも走査線または蓄積容量線
が上層にあるとき、走査線または蓄積容量線と同一の層
を用いて信号線と重なり部を形成し、該走査線または蓄
積容量線と同一の層により信号線の断線を修復可能であ
る。

【００４５】また、第１、第２の実施の形態において
は、走査線および蓄積容量線と導電性薄膜とのあいだに
ゲート絶縁膜および保護絶縁膜の２層の絶縁膜が存在す
る層構成について示しているが、この層構成に限定され
ることなく、たとえばゲート絶縁膜または保護絶縁膜の
どちらか１層であっても何ら差し支えないことは勿論で
ある。

【００４６】さらに、第１、第２の実施の形態において
は、液晶を用いた表示装置についての説明を行なってい
るが、液晶を用いた表示装置に限定されることなく、エ
レクトロルミネセンス素子、フィールドシーケンシャル
などを用いたものであっても、導電膜と、該導電膜上に
絶縁膜を介して形成された導電性薄膜を具備したあらゆ
る表示装置に適用可能である。

【００４７】

【発明の効果】本発明の第１の表示装置は、絶縁性基板
上に形成された導電膜と、該導電膜上に絶縁膜を介して
配設された導電性薄膜とを備えた表示装置であって、前
記導電膜と前記導電性薄膜との重なり部において、該導
電膜の断線部をまたぐ該導電膜上で、前記導電性薄膜の
堆積前に前記絶縁膜の一部が開口され、該開口部を介し
て前記導電膜と前記導電性薄膜とが電気的に接続されて
いるので、アレイ基板上の配線の断線を修復することが
可能となる。

【００４８】本発明の第２の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記開口部は、前記絶縁膜にレーザー
照射することにより形成されているので、断線修復用マ
スクの追加を必要とせず、アレイ基板上の配線の断線を
修復することが可能となる。

【００４９】本発明の第３の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記開口部は、前記絶縁膜上に感光性
樹脂膜を塗布した状態において、該感光性樹脂膜をレー
ザー照射により除去し、形成されているので、断線修復
用マスクの追加を必要とせず、さらに前記導電膜と前記
導電性薄膜との電気的接続をより確実に行なうことで、
アレイ基板上の配線の断線を修復することが可能とな
る。

【００５０】本発明の第４の表示装置は、上記第１ない
し３のいずれかの表示装置において、前記導電膜は走査
線であることを特徴としているので、アレイ基板上の走
査線の断線を修復することが可能となる。

【００５１】本発明の第５の表示装置は、上記第１ない
し３のいずれかの表示装置において、前記導電膜は走査
線と並行に配設された蓄積容量線であることを特徴とし
ているので、アレイ基板上の蓄積容量線の断線を修復す
ることが可能となる。

【００５２】本発明の第６の表示装置は、上記第１ない
し５のいずれかの表示装置において、前記導電性薄膜は
画素電極と同一の層であることを特徴としているので、
断線修復用マスクおよび断線修復用パターンの追加を必
要とせず、アレイ基板上の配線の断線を修復することが
可能となる。

【００５３】本発明の第１の表示装置の断線修復方法
は、絶縁性基板上に形成された導電膜と、該導電膜上に
絶縁膜を介して配設された導電性薄膜とを備えた表示装
置の断線修復方法であって、前記導電膜と前記導電性薄
膜との重なり部において、該導電膜の断線部をまたぐ該
導電膜上で、前記導電性薄膜の堆積前に前記絶縁膜の一
部に開口部を形成する工程と、前記導電性薄膜を堆積
し、前記開口部を介して前記導電膜と該導電性薄膜とが
電気的に接続されるようパターニングし、該導電膜の断
線を修復する工程とを含んでいるので、アレイ基板上の
配線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。

【００５４】本発明の第２の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
開口部を形成する工程は、前記絶縁膜にレーザー照射す
る工程を備えているので、断線修復用マスクの追加を必
要とせず、アレイ基板上の配線の断線を修復可能な表示
装置を得ることができる。

【００５５】本発明の第３の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
開口部を形成する工程は、前記絶縁膜上に感光性樹脂膜
を塗布した状態において、該感光性樹脂膜をレーザー照
射により除去する工程を備えているので、断線修復用マ
スクの追加を必要とせず、さらに前記導電膜と前記導電
性薄膜との電気的接続をより確実に行なうことで、アレ
イ基板上の配線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。

【００５６】本発明の第４の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし３のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電膜は走査線であることを特徴と
しているので、アレイ基板上の走査線の断線を修復可能
な表示装置を得ることができる。

【００５７】本発明の第５の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし３のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電膜は走査線と並行に配設された
蓄積容量線であることを特徴としているので、アレイ基
板上の蓄積容量線の断線を修復可能な表示装置を得るこ
とができる。

【００５８】本発明の第６の表示装置の断線修復方法
は、上記第１ないし５のいずれかの表示装置の断線修復
方法において、前記導電性薄膜は画素電極と同一の層で
あることを特徴としているので、断線修復用マスクおよ
び断線修復用パターンの追加を必要とせず、アレイ基板
上の配線の断線を修復可能な表示装置を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の画素電極形成前の走査線と
信号線との交差部近傍を表わす平面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における図１のＡ−
Ａ断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の画素電極形成後の走査線と
信号線との交差部近傍を表わす平面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態における図３のＢ−
Ｂ断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の画素電極形成前の走査線と
信号線との交差部近傍を表わす平面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の画素電極形成後の走査線と
信号線との交差部近傍を表わす平面図である。

【図７】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おける１画素部分の平面図である。

【図８】図７におけるゲート信号線上の断線部分におけ
る断面図である。

【符号の説明】

１走査線（ゲート信号配線、ゲート線）２蓄積容量線（Ｃｓ信号配線）３蓄積容量線の枝配線部４信号線（ソース信号配線、ソース線）５ソース電極６ドレイン電極７コンタクトホール８半導体膜９蓄積容量線の断線部１０蓄積容量線上の絶縁膜に設けられた開口部１１絶縁性基板１２ゲート絶縁膜１３保護絶縁膜１４感光性樹脂膜１５画素電極１６蓄積容量線と画素電極との重なり部における蓄積
容量形成部１７走査線の断線部１８走査線上の絶縁膜に設けられた開口部１９走査線と画素電極との重なり部における蓄積容量
形成部２０断線部分２１薄膜トランジスタ２２溶融した金属

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JB13 JB23 JB32 JB63 JB69 JB73 KA05 KA07 KA16 KA18 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA47 NA13 NA25 NA27 PA06 QA07 5G435 AA19 BB12 EE41

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に形成された導電膜と、該
導電膜上に絶縁膜を介して配設された導電性薄膜と、を
備えた表示装置であって、前記導電膜と前記導電性薄膜
との重なり部において、該導電膜の断線部をまたぐ該導
電膜上で、前記導電性薄膜の堆積前に前記絶縁膜の一部
が開口され、該開口部を介して前記導電膜と前記導電性
薄膜とが電気的に接続されていることを特徴とする表示
装置。
【請求項２】前記開口部は、前記絶縁膜にレーザー照
射することにより形成されることを特徴とする請求項１
記載の表示装置。
【請求項３】前記開口部は、前記絶縁膜上に感光性樹
脂膜を塗布した状態において、該感光性樹脂膜をレーザ
ー照射により除去し、形成されることを特徴とする請求
項１記載の表示装置。
【請求項４】前記導電膜は走査線であることを特徴と
する請求項１、２または３記載の表示装置。
【請求項５】前記導電膜は走査線と並行に配設された
蓄積容量線であることを特徴とする請求項１、２または
３記載の表示装置。
【請求項６】前記導電性薄膜は画素電極と同一の層で
あることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記
載の表示装置。
【請求項７】絶縁性基板上に形成された導電膜と、該
導電膜上に絶縁膜を介して配設された導電性薄膜と、を
備えた表示装置の断線修復方法であって、前記導電膜と
前記導電性薄膜との重なり部において、該導電膜の断線
部をまたぐ該導電膜上で、前記導電性薄膜の堆積前に前
記絶縁膜の一部に開口部を形成する工程と、前記導電性
薄膜を堆積し、前記開口部を介して前記導電膜と該導電
性薄膜とが電気的に接続されるようパターニングし、該
導電膜の断線を修復する工程と、を含むことを特徴とす
る表示装置の断線修復方法。
【請求項８】前記開口部を形成する工程は、前記絶縁
膜にレーザー照射する工程を備えることを特徴とする請
求項７記載の表示装置の断線修復方法。
【請求項９】前記開口部を形成する工程は、前記絶縁
膜上に感光性樹脂膜を塗布した状態において、該感光性
樹脂膜をレーザー照射により除去する工程を備えること
を特徴とする請求項７記載の表示装置の断線修復方法。
【請求項１０】前記導電膜は走査線であることを特徴
とする請求項７、８または９記載の表示装置の断線修復
方法。
【請求項１１】前記導電膜は走査線と並行に配設され
た蓄積容量線であることを特徴とする請求項７、８また
は９記載の表示装置の断線修復方法。
【請求項１２】前記導電性薄膜は画素電極と同一の層
であることを特徴とする請求項７、８、９、１０または
１１記載の表示装置の断線修復方法。