JP4439546B2 - 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、このような問題点に鑑みなされたものであり、表示装置用アレイ基板及びその製造方法において、隣接画素との不所望な短絡が生じることなく容易にリペアを行うことができるものを提供しようとする。
実施例1のアレイ基板及びその製造方法について、図1〜4を用いて説明する。以下において、ポリシリコン(p-Si)型TFTを各画素ドットのスイッチング素子として用いた透過型液晶表示装置用のアレイ基板を例にとり説明する。また、補助容量線12を信号線31が跨(また)ぐ個所に、レジスト露光時の異物等による断線部31Aが生じた場合の矯正(リペア)を例にとり説明する。
そして、例えば図1に示すように、信号線31の一つにおいて補助容量線22に重なる個所に断線部31Aが形成されていることを検出した場合に、この断線部31Aを迂回して、信号線の両配線部分31B,31Cを互いに接続する一つのバイパス配線8が、島状金属パターン32と、第1及び第2ブリッジ配線81,82とにより形成されている。これらブリッジ配線81,82は、レーザーCVD法により、信号線31及び島状金属パターン32の形成後、これらを覆う厚型樹脂膜5の塗布前に設けられる。そのため、隣接する画素電極と短絡等を生じることがなく、ブリッジ配線81,82は、コンタクトホールを介さずに信号線31及び島状金属パターン32の上面の縁部を直接覆って接触することで、これらと導通している。
パッド部にプローブをあてがい、各信号線31、各走査線21及び各補助容量線22について、導通検査を行う。これにより断線個所及び配線間短絡個所を検出する。
信号線31が補助容量線22を跨(また)ぐ個所での信号線31の断線部31Aが発見された場合、レーザーCVDにより、断線部31Aの両側の配線部分31B,31Cの縁部から、それぞれ、断線部31Aに近接する島状金属パターン32上へと延びるように、第1及び第2のブリッジ配線81,82が作製される。
(8) 第7のパターニング: 透明導電層として、例えば150nm厚のITO層を堆積した後、パターニングにより、画素電極6及び画素電極延在部61を作成する。このとき、同時にパッド部を覆うITO膜が形成される。
以下に、レーザーCVD及びレーザー照射の条件についての具体例を挙げる。
実施例2について、図1に対応する図6の平面図を用いて説明する。実施例2は、島状金属パターン32のL字状延在部33の根元付近にも、レジスト露光時の異物等に起因する断線部33Aが生じた場合のリペアに関する。この場合、バイパス配線8は、信号線断線部31Aから見て、実施例1の逆側に設ける方が容易である。即ち、断線した信号線に対応する画素の構成部品である島状金属パターン32-1をバイパス配線として用いるのではなく、当該信号線を隔てて隣接する画素の構成部品である島状金属パターン32-2をバイパス配線として用いると言うものである。したがって、本実施例では、断線部31Aの近傍にある2つの島状金属パターン32-1,32-2のうち、断線部31Aを有する信号線31-1からは信号入力が行われていなかった方の島状金属パターン32-2を用いて、バイパス配線8が形成されている。したがって、信号線31-1を基準にして実施例1とは線対称の位置にバイパス配線8が形成されている。
100 液晶表示装置
11,11a TFT7のチャネル部
12 島状ポリシリコンパターン
13 島状ポリシリコンパターン12からの線状延在部
14 TFT7の個所のポリシリコン配線
15 ゲート絶縁膜
21 走査線
22 補助容量線
25 層間絶縁膜
26,27,28 ゲート及び層間絶縁膜を貫くコンタクトホール
31 信号線
31A 信号線の断線部
31B,31C 断線部の両側の配線部分
32 島状金属パターン
33 島状金属パターン32からのL字状延在部
5 厚型樹脂膜(第2層間絶縁膜)
51 厚型樹脂膜を貫くコンタクトホール
6 画素電極
61 島状金属パターン32上へと延びる画素電極延在部
7 TFT
8 バイパス配線
81,82 第1及び第2ブリッジ配線
83 第3ブリッジ配線
Claims (10)
- 互いに略並行に配置される複数の走査線および補助容量線と、第1絶縁膜を介して前記走査線および補助容量線に略直交して配列される複数の信号線と、これら走査線及び信号線がなす各交点の近傍にそれぞれ配置され一の端子が前記信号線に電気的に接続されるスイッチング素子と、これら走査線、補助容量線、信号線及びスイッチング素子を含む積層配線パターンを被覆する第2絶縁膜と、この第2絶縁膜上にて前記各交点にそれぞれ対応しマトリクス状に配列されると共に前記スイッチング素子の他の端子に電気的に接続される画素電極と、前記補助容量線上に少なくとも部分的に重畳して配置されると共に前記スイッチング素子の前記他の端子に電気的に接続される島状金属パターンと、を備えた表示装置用アレイ基板において、
前記信号線の断線に対して、前記島状金属パターンを介して断線した前記信号線を電気的に接続するブリッジ配線が備えられ、このブリッジ配線が、前記画素電極とは前記第2絶縁膜を介して配置されることを特徴とする表示装置用アレイ基板。 - 前記ブリッジ配線と電気的に接続された島状金属パターンは、対応する前記スイッチ素子と電気的に切り離されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置用アレイ基板。
- 前記ブリッジ配線と電気的に接続された島状金属パターンに対応する前記画素電極は、対応する前記スイッチ素子と電気的に切り離されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置用アレイ基板。
- 前記ブリッジ配線と電気的に接続された島状金属パターンに対応する前記画素電極は、他の前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項3記載の表示装置用アレイ基板。
- 前記補助容量線の下層に、絶縁膜を介して配置される島状半導体層を含み、少なくとも前記ブリッジ配線の近傍にて前記島状半導体層は前記島状金属パターンにより被覆されていることを特徴とする請求項1記載の表示装置用アレイ基板。
- 互いに略並行に配置される複数の走査線および補助容量線と、第1絶縁膜を介して前記走査線および補助容量線に略直交して配列される複数の信号線と、これら走査線及び信号線がなす各交点の近傍にそれぞれ配置され一の端子が前記信号線に電気的に接続されるスイッチング素子と、これら走査線、補助容量線、信号線及びスイッチング素子を含む積層配線パターンを被覆する第2絶縁膜と、この第2絶縁膜上にて前記各交点にそれぞれ対応しマトリクス状に配列されると共に前記スイッチング素子の他の端子に電気的に接続される画素電極と、前記補助容量線上に少なくとも部分的に重畳して配置されると共に前記スイッチング素子の前記他の端子に電気的に接続される島状金属パターンと、を備えた表示装置用アレイ基板の製造方法において、
前記第2絶縁膜の形成の前に、前記信号線の導通を検査し、前記信号線が前記補助容量線と交差する領域近傍に断線部が検出された場合、
該断線部の両側にある前記信号線の各配線部分から、近傍にある一の前記島状金属パターンにまで延びる第1及び第2ブリッジ配線を形成することを特徴とする表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記断線部が検出された場合に、前記一の島状金属パターンを、これに電気的に接続していた対応する一の前記スイッチング素子から電気的に切り離すことを特徴とする請求項6に記載の表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記断線部が検出された場合に、前記一の島状金属パターンに電気的に接続していた一の前記画素電極を、これに電気的に接続していた対応する一の前記スイッチング素子から電気的に切り離すことを特徴とする請求項6に記載の表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記断線部が検出された場合に、前記一の島状金属パターンに電気的に接続していた一の前記画素電極を、これに隣接する他の一の前記画素電極と電気的に接続するように第3ブリッジ配線を形成することを特徴とする請求項6に記載の表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記補助容量線を形成する前に、前記補助容量線の下層に配置される島状半導体層、及びこれを覆う絶縁膜が形成され、前記島状半導体層は、少なくとも前記の第1または第2ブリッジ配線の形成領域にて、前記島状金属パターンにより被覆されることを特徴とする請求項6に記載の表示装置用アレイ基板の製造方法。
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