JP4954395B2 - 表示装置の断線修復方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の断線修復方法に関するものであり、とくに液晶表示装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正する方法として、たとえば特開平９−６１８５２号公報が開示されている。図６は従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。図６において、１ａ、１ｂは走査線、２ａ、２ｂは映像信号線、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、１４は映像信号線の断線部、２４は蓄積容量電極（第１の導電性電極）、２５はゲート電極、２６はチャネル保護膜（絶縁層）、２７ａ、２７ｂはコンタクトホール、２８は第２の導電性電極、２９は第３の導電性電極、３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂはレーザ照射部、３２は切断部、３３はレーザ照射部を示している。
【０００３】
図６において、映像信号線２ａにおける断線が走査線１ｂとの交差部において生じた場合（断線部１４）について説明する。この場合、符号３１ａ、３１ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線２ａの分岐部分と第３の導電性電極２９とを電気的に短絡し、第３の導電性電極２９と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡する。また、符号３０ａ、３０ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線２ａと第２の導電性電極２８とを電気的に短絡し、第２の導電性電極２８と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡する。また、符号３２で示す箇所にレーザ光を照射し、蓄積容量電極２４と画素電極６とを切り離す。さらに、符号３３で示す箇所にレーザ光を照射し、薄膜トランジスタのドレイン電極８とゲート電極２５とを電気的に短絡する。上記の処理によって、図６において一連の矢符で示すような経路が形成され、蓄積容量電極２４を映像信号線の一部として利用し、映像信号線の断線の修復が可能になるというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術においては、映像信号線の修復は可能であるが、映像信号線修復用のパターンを設ける必要があり、そのためマスク枚数が増加し、製造工程数が増加してしまうという問題があった。さらには、該修復用パターンを形成するための領域が必要となり、それによって画素の開口率を低下させてしまうという問題もあった。
【０００５】
また、蓄積容量線を用いた断線の修復の従来技術としては、たとえば特開平９−３２５３５４号公報も開示されている。図７は該従来技術の液晶表示装置における略１画素の構成図であり、図６と同じ構成部分については同一符号を付しており、差異について説明する。図７において、３４は蓄積容量電極、３５は走査線の断線部、３６はレーザ照射部、３７は非晶質シリコン層を示している。図７において、断線部３５において走査線１に断線が生じた場合、レーザ照射部３６にレーザを打ち込むことによって、断線部３５は蓄積容量電極３４を介してバイパス接続され、断線が修復されるというものである。しかしながら、該従来技術は走査線の断線を蓄積容量用電極をバイパスして救済するものであり、映像信号線の断線の救済については何ら触れられていない。また、修復に用いる蓄積容量電極３４は画素電極６にコンタクトホールによって接続されており、さらには該蓄積容量電極により映像信号線の断線を救済（修復）することは困難であった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、製造工程を増加させることなく、かつ開口率を低下させることなく、映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上させることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の表示装置の断線修復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域で、かつ、前記映像信号線の断線部を挟む２箇所において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間で前記蓄積容量線の延長部を切断する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第２の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第３の表示装置の断線修復方法は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第４の表示装置の断線修復方法は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第５の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換えたことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の第６の表示装置の断線修復方法は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の第１の実施の形態を図１〜図４により説明する。図１は本発明の第１の実施の形態における薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略１画素の平面図であり、図２は、映像信号線の断線修復方法を説明する第１の平面図、図３は図２におけるＡ−Ａ断面図、図４は映像信号線の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
【００２２】
図１〜図４において、１はＴＦＴのゲートを駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線、３は蓄積容量線、４は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部、５は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９は半導体膜、１０は画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホール、１１は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部、１２は蓄積容量線および蓄積容量線の延長部と画素電極との重なり部（蓄積容量形成部）、１３は画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部、１４は映像信号線の断線部、１５はレーザ照射部、１６は絶縁性基板、１７はゲート絶縁膜、１８は層間絶縁膜、１９は溶融した金属、２０は切断部、２１は蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部を示している。
【００２３】
図１は蓄積容量を、画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部との重なり部で形成する方式（共通Ｃｓ方式）を用いた略１画素を表す平面図を示しており、まずその製造工程について図１〜図３を参照しながら説明する。絶縁性基板１６上に、走査線１および蓄積容量線３となる第１層の導電膜を成膜する。第１層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜が用いられる。つぎに写真製版工程により第１層の導電膜をパターニングすることにより走査線１および蓄積容量線３を形成する。この蓄積容量線３は、図１に示されるように、１画素内における蓄積容量線３と映像信号線２との交差部以外の領域において、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４が形成され、さらに該蓄積容量線の延長部４から突起部５を有し、かつ該突起部５が後述する映像信号線２と重なる領域（重なり部１１）を形成するようにパターニングされる。
【００２４】
本実施の形態においては上記重なり部１１は、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所形成している。さらに、上記画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部１３が形成されるようパターニングされている。
【００２５】
その後、プラズマＣＶＤなどの成膜装置により、ゲート絶縁膜１７、半導体膜９、オーミックコンタクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲート絶縁膜１７としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。半導体膜９は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）などが用いられる。さらにオーミックコンタクト膜にはａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用いられる。そして写真製版工程により半導体膜およびオーミックコンタクト膜をドライエッチングなどによりパターニングする。
【００２６】
つぎに、映像信号線２となる第２層の導電膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層したもの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いることができる。そして写真製版工程により映像信号線をパターニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソース電極７、ドレイン電極８も同時に形成されるようにする。
【００２７】
つぎに、プラズマＣＶＤなどの成膜装置により、層間絶縁膜１８を形成する。そして写真製版工程により該層間絶縁膜１８をパターニングする。層間絶縁膜１８としては、ゲート絶縁膜１７と同様にＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。この層間絶縁膜１８のパターニングにより、コンタクトホール１０が形成され、ドレイン電極８と後述する画素電極６とが該コンタクトホール１０を介して電気的に導通可能となる。
【００２８】
そして、層間絶縁膜１８上に画素電極６となるたとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導電性薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を走査線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって囲まれるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが形成された絶縁性基板（以下、アレイ基板と称する）が完成する。
【００２９】
以上のようなアレイ基板製造工程中、映像信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生により、図２のように映像信号線の断線１４が生じる場合がある。該断線は、アレイ基板の各製造工程中における画像検査装置などによる検査によって発見される。通常、映像信号線に断線が生じた場合、駆動回路側から該断線部までは当該電位は供給されるものの、駆動回路側から該断線部より遠い領域には当該電位が供給されず、線欠陥不良となって製造歩留まりの低下をもたらしていた。
【００３０】
よって、上記断線を修復するために、図２に示すように、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部１１のそれぞれの領域において、レーザ照射部１５にレーザを照射することで、図３に示すように、溶融した金属１９によって蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とを導通させる。このレーザ光は、ＹＡＧレーザまたはエキシマレーザであること、さらに該レーザ光の波長は０．１〜１．０６μｍであることが好ましい。またレーザ光の照射方向はアレイ基板の表面側（映像信号線側）またはアレイ基板の裏面側（蓄積容量線側）からのどちらからでもよい。また、該レーザ光の照射強度は、上記のように金属膜に照射する場合、出力密度１×１０2〜１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好ましい。さらにレーザ照射部１５のレーザ光の照射範囲としては直径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性の面から、上記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部１１のそれぞれに３〜４箇所程度照射することが好ましい。
【００３１】
画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部１１の必要な大きさは、映像信号線２の線幅および蓄積容量線と映像信号線とのパターニング時の位置合わせ精度などに依存し変化するが、該重なり部の面積は少なくとも２μｍ×５μｍ以上程度であれば接続可能ではあるが、該重なり部の面積が少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積（重なり部）を有していると、上記蓄積容量線と映像信号線との位置合わせ誤差（最大１μｍ程度）が生じても、上記直径２μｍ程度のレーザ光を３〜４箇所程度確実に照射することができ、より安定した接続およびより確実な断線の修復が可能となり、好ましい。
【００３２】
次に、図４に示すように画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部５と映像信号線２とが重なり部１１において接続された領域のうち、蓄積容量線３と最も近接した領域と、蓄積容量線３との間である切断部２０（延長部４が蓄積容量線３から分岐した部位）をレーザ照射によって切断する。これにより、蓄積容量線に供給される電位と、映像信号線に供給される電位とが短絡されることを防止することができる。
【００３３】
また、好ましくは該レーザ照射による切断は上述したように切断部２０のみであることが望ましいが、実際にレーザ照射によって切断部２０を切断すると、レーザ照射部において画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と画素電極６とが導通し、かつ蓄積容量線３と画素電極６とが導通してしまい、結果として映像信号線と蓄積容量線とが短絡してしまう場合がある。この場合は、図４の蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１に示すように画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線とが接続された領域のうち、該蓄積容量線と最も近接した領域と、蓄積容量線との間である切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止することができる。この場合、画素電位は映像信号線電位となり、結果的に該画素は点欠陥となってしまうが、上記映像信号線の断線による致命的な線欠陥不良を軽微な点欠陥不良に変更することができ、表示装置の製造歩留りの向上が可能となる。
【００３４】
また、上記切断部２０へのレーザ照射による映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止するために、図４のＲに示されるように、切断部２０において画素電極６が重ならないように画素電極６をパターニングしてもよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するようにパターニングする。このような構成とすることにより、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００３５】
上記の構成および工程により、映像信号線と蓄積容量線との短絡などの不都合を生じることなく、かつ製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能となる。
【００３６】
また、本実施の形態においては、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部１１を２箇所設けた例について示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重なり部１１を形成した場合においても、図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍に、蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とが重ならない領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止することができる。
【００３７】
実施の形態２．
本発明の第２の実施の形態を図５により説明する。図５はＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略１画素を表す平面図である。図５において、図１〜図４と同じ構成部分については同一符号を付しており、差異について説明する。図５において、２２は映像信号線における突起部、２３は映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部である。図５は、上記第１の実施の形態とは異なり、映像信号線に突起部２２を形成することで、映像信号線の突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３を形成している。本実施の形態に用いる表示装置の製造工程については、第１の実施の形態に用いる表示装置の製造工程と同様であるので、説明を省略する。
【００３８】
上記のような構成とし、その後第１の実施の形態と同様に、映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３において、レーザ照射部１５にレーザ照射し、映像信号線２と蓄積容量線の延長部４を接続させる。そして、第１の実施の形態と同様に、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像信号線の突起部とが接続された領域のうち、蓄積容量線と最も近接した領域と、該蓄積容量線との間である切断部２０を切断することで、または図５の蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１に示されるように、該切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止する。これによって、第１の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
【００３９】
また、第１の実施の形態と同様に、図５のＲに示されるように、切断部２０において画素電極６が重ならないように画素電極６をパターニングしてもよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するようにパターニングする。このような構成とすることにより、第１の実施の形態と同様に、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００４０】
さらに、映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３の面積についても、第１の実施の形態と同様に、少なくとも２μｍ×５μｍ以上であればよく、好ましくは少なくとも４μｍ×１０μｍ以上であることが望ましい。
【００４１】
本実施の形態においては、映像信号線の突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３を上記第１の実施の形態と同様に、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所設けた例について示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重なり部２３を形成した場合においても、第１の実施の形態の図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍に、映像信号線の突起部２２と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４とが重ならない領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止することができる。
【００４２】
また、上記第１、第２の実施の形態においては、走査線と蓄積容量線とが同一層の導電膜で形成される例について説明を行っているが、この層構成に限定されることなく、走査線と蓄積容量線が異なる層の導電膜で形成される場合であっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適用しても、何ら差し支えないことは勿論である。
【００４３】
さらに、第１、第２の実施の形態においては、液晶を用いた表示装置についての説明を行っているが、液晶を用いた表示装置に限定されることなく、エレクトロルミネセンス素子、フィールドシーケンシャルなどを用いたものであっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適用可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の第１の表示装置の断線修復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程とを含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５３】
本発明の第２の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５４】
本発明の第３の表示装置の断線修復方法は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５５】
本発明の第４の表示装置の断線修復方法は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５６】
本発明の第５の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換えたことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５７】
本発明の第６の表示装置の断線修復方法は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における表示装置の略１画素の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における映像信号線の断線修復方法を説明する第１の平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における映像信号線の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における表示装置の略１画素の平面図である。
【図６】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。
【図７】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ 走査線
２ａ、２ｂ 映像信号線
３ 蓄積容量線
４ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部
５ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部
６ 画素電極
７ ソース電極
８ ドレイン電極
９ 半導体膜
１０ コンタクトホール
１１ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部
１２ 画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部との重なり部（蓄積容量形成部）
１３ 画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部
１４ 映像信号線の断線部
１５ レーザ照射部
１６ 絶縁性基板
１７ ゲート絶縁膜
１８ 層間絶縁膜
１９ 溶融した金属
２０ 切断部
２１ 蓄積容量線の延長部と画素電極との切断部
２２ 映像信号線の突起部
２３ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像信号線の突起部との重なり部
２４ 蓄積容量電極（第１の導電性電極）
２５ ゲート電極
２６ チャネル保護膜（絶縁層）
２７ａ、２７ｂ コンタクトホール
２８ 第２の導電性電極
２９ 第３の導電性電極
３０ａ、３０ｂ レーザ照射部
３１ａ、３１ｂ レーザ照射部
３２ 切断部
３３ レーザ照射部
３４ 蓄積容量電極
３５ 走査線の断線部
３６ レーザショット部
３７ 非晶質シリコン層
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の断線修復方法に関するものであり、とくに液晶表示装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正する方法として、たとえば特開平９−６１８５２号公報が開示されている。図６は従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。図６において、１ａ、１ｂは走査線、２ａ、２ｂは映像信号線、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、１４は映像信号線の断線部、２４は蓄積容量電極（第１の導電性電極）、２５はゲート電極、２６はチャネル保護膜（絶縁層）、２７ａ、２７ｂはコンタクトホール、２８は第２の導電性電極、２９は第３の導電性電極、３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂはレーザ照射部、３２は切断部、３３はレーザ照射部を示している。
【０００３】
図６において、映像信号線２ａにおける断線が走査線１ｂとの交差部において生じた場合（断線部１４）について説明する。この場合、符号３１ａ、３１ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線２ａの分岐部分と第３の導電性電極２９とを電気的に短絡し、第３の導電性電極２９と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡する。また、符号３０ａ、３０ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線２ａと第２の導電性電極２８とを電気的に短絡し、第２の導電性電極２８と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡する。また、符号３２で示す箇所にレーザ光を照射し、蓄積容量電極２４と画素電極６とを切り離す。さらに、符号３３で示す箇所にレーザ光を照射し、薄膜トランジスタのドレイン電極８とゲート電極２５とを電気的に短絡する。上記の処理によって、図６において一連の矢符で示すような経路が形成され、蓄積容量電極２４を映像信号線の一部として利用し、映像信号線の断線の修復が可能になるというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術においては、映像信号線の修復は可能であるが、映像信号線修復用のパターンを設ける必要があり、そのためマスク枚数が増加し、製造工程数が増加してしまうという問題があった。さらには、該修復用パターンを形成するための領域が必要となり、それによって画素の開口率を低下させてしまうという問題もあった。
【０００５】
また、蓄積容量線を用いた断線の修復の従来技術としては、たとえば特開平９−３２５３５４号公報も開示されている。図７は該従来技術の液晶表示装置における略１画素の構成図であり、図６と同じ構成部分については同一符号を付しており、差異について説明する。図７において、３４は蓄積容量電極、３５は走査線の断線部、３６はレーザ照射部、３７は非晶質シリコン層を示している。図７において、断線部３５において走査線１に断線が生じた場合、レーザ照射部３６にレーザを打ち込むことによって、断線部３５は蓄積容量電極３４を介してバイパス接続され、断線が修復されるというものである。しかしながら、該従来技術は走査線の断線を蓄積容量用電極をバイパスして救済するものであり、映像信号線の断線の救済については何ら触れられていない。また、修復に用いる蓄積容量電極３４は画素電極６にコンタクトホールによって接続されており、さらには該蓄積容量電極により映像信号線の断線を救済（修復）することは困難であった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、製造工程を増加させることなく、かつ開口率を低下させることなく、映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上させることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の表示装置の断線修復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域で、かつ、前記映像信号線の断線部を挟む２箇所において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間で前記蓄積容量線の延長部を切断する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第２の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第３の表示装置の断線修復方法は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第４の表示装置の断線修復方法は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を含むことを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第５の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換えたことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の第６の表示装置の断線修復方法は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の第１の実施の形態を図１〜図４により説明する。図１は本発明の第１の実施の形態における薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略１画素の平面図であり、図２は、映像信号線の断線修復方法を説明する第１の平面図、図３は図２におけるＡ−Ａ断面図、図４は映像信号線の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
【００２２】
図１〜図４において、１はＴＦＴのゲートを駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線、３は蓄積容量線、４は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部、５は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９は半導体膜、１０は画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホール、１１は画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部、１２は蓄積容量線および蓄積容量線の延長部と画素電極との重なり部（蓄積容量形成部）、１３は画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部、１４は映像信号線の断線部、１５はレーザ照射部、１６は絶縁性基板、１７はゲート絶縁膜、１８は層間絶縁膜、１９は溶融した金属、２０は切断部、２１は蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部を示している。
【００２３】
図１は蓄積容量を、画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部との重なり部で形成する方式（共通Ｃｓ方式）を用いた略１画素を表す平面図を示しており、まずその製造工程について図１〜図３を参照しながら説明する。絶縁性基板１６上に、走査線１および蓄積容量線３となる第１層の導電膜を成膜する。第１層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜が用いられる。つぎに写真製版工程により第１層の導電膜をパターニングすることにより走査線１および蓄積容量線３を形成する。この蓄積容量線３は、図１に示されるように、１画素内における蓄積容量線３と映像信号線２との交差部以外の領域において、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４が形成され、さらに該蓄積容量線の延長部４から突起部５を有し、かつ該突起部５が後述する映像信号線２と重なる領域（重なり部１１）を形成するようにパターニングされる。
【００２４】
本実施の形態においては上記重なり部１１は、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所形成している。さらに、上記画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部１３が形成されるようパターニングされている。
【００２５】
その後、プラズマＣＶＤなどの成膜装置により、ゲート絶縁膜１７、半導体膜９、オーミックコンタクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲート絶縁膜１７としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。半導体膜９は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）などが用いられる。さらにオーミックコンタクト膜にはａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用いられる。そして写真製版工程により半導体膜およびオーミックコンタクト膜をドライエッチングなどによりパターニングする。
【００２６】
つぎに、映像信号線２となる第２層の導電膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層したもの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いることができる。そして写真製版工程により映像信号線をパターニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソース電極７、ドレイン電極８も同時に形成されるようにする。
【００２７】
つぎに、プラズマＣＶＤなどの成膜装置により、層間絶縁膜１８を形成する。そして写真製版工程により該層間絶縁膜１８をパターニングする。層間絶縁膜１８としては、ゲート絶縁膜１７と同様にＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。この層間絶縁膜１８のパターニングにより、コンタクトホール１０が形成され、ドレイン電極８と後述する画素電極６とが該コンタクトホール１０を介して電気的に導通可能となる。
【００２８】
そして、層間絶縁膜１８上に画素電極６となるたとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導電性薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を走査線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって囲まれるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが形成された絶縁性基板（以下、アレイ基板と称する）が完成する。
【００２９】
以上のようなアレイ基板製造工程中、映像信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生により、図２のように映像信号線の断線１４が生じる場合がある。該断線は、アレイ基板の各製造工程中における画像検査装置などによる検査によって発見される。通常、映像信号線に断線が生じた場合、駆動回路側から該断線部までは当該電位は供給されるものの、駆動回路側から該断線部より遠い領域には当該電位が供給されず、線欠陥不良となって製造歩留まりの低下をもたらしていた。
【００３０】
よって、上記断線を修復するために、図２に示すように、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部１１のそれぞれの領域において、レーザ照射部１５にレーザを照射することで、図３に示すように、溶融した金属１９によって蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とを導通させる。このレーザ光は、ＹＡＧレーザまたはエキシマレーザであること、さらに該レーザ光の波長は０．１〜１．０６μｍであることが好ましい。またレーザ光の照射方向はアレイ基板の表面側（映像信号線側）またはアレイ基板の裏面側（蓄積容量線側）からのどちらからでもよい。また、該レーザ光の照射強度は、上記のように金属膜に照射する場合、出力密度１×１０2〜１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好ましい。さらにレーザ照射部１５のレーザ光の照射範囲としては直径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性の面から、上記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部１１のそれぞれに３〜４箇所程度照射することが好ましい。
【００３１】
画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２との重なり部１１の必要な大きさは、映像信号線２の線幅および蓄積容量線と映像信号線とのパターニング時の位置合わせ精度などに依存し変化するが、該重なり部の面積は少なくとも２μｍ×５μｍ以上程度であれば接続可能ではあるが、該重なり部の面積が少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積（重なり部）を有していると、上記蓄積容量線と映像信号線との位置合わせ誤差（最大１μｍ程度）が生じても、上記直径２μｍ程度のレーザ光を３〜４箇所程度確実に照射することができ、より安定した接続およびより確実な断線の修復が可能となり、好ましい。
【００３２】
次に、図４に示すように画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部５と映像信号線２とが重なり部１１において接続された領域のうち、蓄積容量線３と最も近接した領域と、蓄積容量線３との間である切断部２０（延長部４が蓄積容量線３から分岐した部位）をレーザ照射によって切断する。これにより、蓄積容量線に供給される電位と、映像信号線に供給される電位とが短絡されることを防止することができる。
【００３３】
また、好ましくは該レーザ照射による切断は上述したように切断部２０のみであることが望ましいが、実際にレーザ照射によって切断部２０を切断すると、レーザ照射部において画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と画素電極６とが導通し、かつ蓄積容量線３と画素電極６とが導通してしまい、結果として映像信号線と蓄積容量線とが短絡してしまう場合がある。この場合は、図４の蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１に示すように画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線とが接続された領域のうち、該蓄積容量線と最も近接した領域と、蓄積容量線との間である切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止することができる。この場合、画素電位は映像信号線電位となり、結果的に該画素は点欠陥となってしまうが、上記映像信号線の断線による致命的な線欠陥不良を軽微な点欠陥不良に変更することができ、表示装置の製造歩留りの向上が可能となる。
【００３４】
また、上記切断部２０へのレーザ照射による映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止するために、図４のＲに示されるように、切断部２０において画素電極６が重ならないように画素電極６をパターニングしてもよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するようにパターニングする。このような構成とすることにより、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００３５】
上記の構成および工程により、映像信号線と蓄積容量線との短絡などの不都合を生じることなく、かつ製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能となる。
【００３６】
また、本実施の形態においては、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部１１を２箇所設けた例について示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重なり部１１を形成した場合においても、図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍に、蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とが重ならない領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止することができる。
【００３７】
実施の形態２．
本発明の第２の実施の形態を図５により説明する。図５はＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の略１画素を表す平面図である。図５において、図１〜図４と同じ構成部分については同一符号を付しており、差異について説明する。図５において、２２は映像信号線における突起部、２３は映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部である。図５は、上記第１の実施の形態とは異なり、映像信号線に突起部２２を形成することで、映像信号線の突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３を形成している。本実施の形態に用いる表示装置の製造工程については、第１の実施の形態に用いる表示装置の製造工程と同様であるので、説明を省略する。
【００３８】
上記のような構成とし、その後第１の実施の形態と同様に、映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３において、レーザ照射部１５にレーザ照射し、映像信号線２と蓄積容量線の延長部４を接続させる。そして、第１の実施の形態と同様に、画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像信号線の突起部とが接続された領域のうち、蓄積容量線と最も近接した領域と、該蓄積容量線との間である切断部２０を切断することで、または図５の蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１に示されるように、該切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止する。これによって、第１の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
【００３９】
また、第１の実施の形態と同様に、図５のＲに示されるように、切断部２０において画素電極６が重ならないように画素電極６をパターニングしてもよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するようにパターニングする。このような構成とすることにより、第１の実施の形態と同様に、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００４０】
さらに、映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３の面積についても、第１の実施の形態と同様に、少なくとも２μｍ×５μｍ以上であればよく、好ましくは少なくとも４μｍ×１０μｍ以上であることが望ましい。
【００４１】
本実施の形態においては、映像信号線の突起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部２３を上記第１の実施の形態と同様に、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所設けた例について示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重なり部２３を形成した場合においても、第１の実施の形態の図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍に、映像信号線の突起部２２と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４とが重ならない領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止することができる。
【００４２】
また、上記第１、第２の実施の形態においては、走査線と蓄積容量線とが同一層の導電膜で形成される例について説明を行っているが、この層構成に限定されることなく、走査線と蓄積容量線が異なる層の導電膜で形成される場合であっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適用しても、何ら差し支えないことは勿論である。
【００４３】
さらに、第１、第２の実施の形態においては、液晶を用いた表示装置についての説明を行っているが、液晶を用いた表示装置に限定されることなく、エレクトロルミネセンス素子、フィールドシーケンシャルなどを用いたものであっても、映像信号線と絶縁膜を介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適用可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の第１の表示装置の断線修復方法は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程とを含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５３】
本発明の第２の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５４】
本発明の第３の表示装置の断線修復方法は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５５】
本発明の第４の表示装置の断線修復方法は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５６】
本発明の第５の表示装置の断線修復方法は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換えたことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５７】
本発明の第６の表示装置の断線修復方法は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における表示装置の略１画素の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における映像信号線の断線修復方法を説明する第１の平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における映像信号線の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における表示装置の略１画素の平面図である。
【図６】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。
【図７】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平面図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ 走査線
２ａ、２ｂ 映像信号線
３ 蓄積容量線
４ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部
５ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部
６ 画素電極
７ ソース電極
８ ドレイン電極
９ 半導体膜
１０ コンタクトホール
１１ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部
１２ 画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部との重なり部（蓄積容量形成部）
１３ 画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部
１４ 映像信号線の断線部
１５ レーザ照射部
１６ 絶縁性基板
１７ ゲート絶縁膜
１８ 層間絶縁膜
１９ 溶融した金属
２０ 切断部
２１ 蓄積容量線の延長部と画素電極との切断部
２２ 映像信号線の突起部
２３ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像信号線の突起部との重なり部
２４ 蓄積容量電極（第１の導電性電極）
２５ ゲート電極
２６ チャネル保護膜（絶縁層）
２７ａ、２７ｂ コンタクトホール
２８ 第２の導電性電極
２９ 第３の導電性電極
３０ａ、３０ｂ レーザ照射部
３１ａ、３１ｂ レーザ照射部
３２ 切断部
３３ レーザ照射部
３４ 蓄積容量電極
３５ 走査線の断線部
３６ レーザショット部
３７ 非晶質シリコン層
Claims (6)
- 絶縁性基板上に形成された走査線と、
前記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、
前記走査線および前記蓄積容量線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、
前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれた画素電極と、
を備えた表示装置の断線修復方法であって、
１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程と、
前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域で、かつ、前記映像信号線の断線部を挟む２箇所において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、
前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間で前記蓄積容量線の延長部を切断する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の断線修復方法。 - 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置の断線修復方法。
- 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の表示装置の断線修復方法。
- 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の断線修復方法。
- 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程を、
前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換えたことを特徴とする請求項１記載の表示装置の断線修復方法。 - 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の表示装置の断線修復方法。
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