TW576941B - Display device, its manufacturing method and repairing method of broken connection - Google Patents

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576941 五、發明說明（1) 【背景技術】 本發明係關於可修復影像信號線斷線的顯示裝置與 示裝置之製造方法，以及顯示裝置之斷線修復方法，乃、屬 於特別適用於液晶顯示裝置者。 在習知的主動矩陣型液晶顯示裝置等顯示裝置中，修 正影像信號線斷線的方法，譬如日本專利特開平9 — 6185/ 號公報中所揭示。第6圖所示係習知技術的液晶顯示裝置 :，大約一個晝素的平面圖。在第6圖中，lalb係掃描 線，2a，2b係影像信號線，6係畫素電極，7係源極，8係汲 極，1 4係影像信號線的斷線部，24係儲存電容電極（第一 導電性電極），25係閘極，26係通道保護膜（絕緣層）， 27a，27b係接觸窗，28係第二導電性電極，29係第三導電 性電極’ 30a，30b，31a，31b係雷射照射部，32係切斷部， 3 3係雷射照射部。 在第6圖中，針對影像信號線2 a的斷線產生於與掃描 =lb交又點處（斷線部14)進行說明。此情況下，在編號 31a，31b所示的雷射照射部2位置處照射雷射光，而使第三 導電性電極29與儲存電容電極24形成電短路。此外，在編 ，30a，30b所示的雷射照射部2位置處照射雷射光，而使影 像信號線2a與第二導電性電極28形成電短路，而使第二導 電ο性電極28與儲存電容電極24形成電短路。另外，在編號 所不位置處照射雷射& ’而將儲存電容電極24與畫素電 二開曰。再者’在編號33所示位置處照射雷射光’ 而使薄膜電晶體的請與開極25形成電短路。經由上述 第4頁 2066-4950-PF(N).ptd 576941 五 、發明說明（2) _ 2丄便形成如第6圖所示的一連串箭 存電：電極2”作影像信號線之其中一部份使路：將儲 可修復影像彳§號線之斷線者。 ^成 但是，在上述習知技術中，雖可修復 是卻必須設計影像作铗 、V ^戒線，但 量的增加，並增案：因此便產生罩幕數 形成該修復用二此外1要供 率的問題。案用的&域’猎此便將產生降低畫素開口 曰本斷線修復之習知技術，有如 習知技術的=』裝5置4:公！=揭：。第7圖所示係 關與第6圖相同構成邻"八 、、，、固旦素的結構圖，相 進行說明。在μ㈣㈣’並就其差異性 .^ ^ Α 在第7圖中，34係儲存電容電極，35係掃γ綠 .:邛’ 36係雷射照射部，37係非晶矽層。在第7 ^、' 藉由：2ΓΓΓ ’在掃描線1上發生斷線的情況i， 容電極心接；部36 V:線部35便透過儲存電 :技：:、將掃描線的斷線藉由將儲存電容電極當；^ 進惟就影像信號線的斷線救濟則並未有任=而 =f夕，將修復中所採用的儲存電容電 復）影像信號線斷線上頗為困難。 攻濟（修 本發明有鑑上述諸項問題點，其 加製造步驟，且不致降低開口率的前提：：在便可在；^象 576941 五、發明說明（3) 信號線之斷線，並提昇製造良率。 【發明概述】 本發明之第一顯示裝罟 性基板上；儲存電容線，並二、· &掃描線，形成於絕緣 信號線，隔著絕緣膜並交^ =丨忒掃描線而所形成；影像 線；以及畫素電極，被該掃=成該掃描線與該儲存電容 像信號線所圍繞；其特徵在:4儲存電容線、及該影 容線與該影像信號線之交叉邮八在—個畫素内的該儲存電 存電容線與該影像信號線重疊：：：的區域中’設有該儲 上述-個畫素内的上述= = = -顯示裝置中，於 之重…，係由從上述線與上述影像信號線 一邊延伸的儲存電容線延長部，愈上=上述畫素電極周圍 的。 〃上迷影像信號線所形成 本發明的第三顯示裝置係在上述繁一 + 中，上述儲存電容線或儲存電容 2 一或第二顯示裝置 號線的重疊區域係在一個畫素内，，部，、與上述影像信 上。 、 夕1成一個處所以 一本發明的第四顯示裝置係在上述裳一 =裝^上述儲存電容線或儲存電容至第三之任一顯 影像信號線的重疊區域係具有 、、、延長部，與上述 積。 4/Zmx 以上的面 本發明的第-顯示裝置之製造方 专该顯示裝置包 2066-4950-PF(N).ptd 第6頁 576941 五、發明說明（4) 括：掃描線’形成於絕緣性基板上；儲存電容線，並行於 該掃描線而所形成；影像信號線，隔著絕緣膜並交又而' 成該掃描線與該儲存電容線；以及晝素電極，被該掃栌》 線、該儲存電容線、及該影像信號線所圍繞；其特徵= 包括：在一個畫素内的該儲存電容線與該影像信號線之、 叉部分以外的區域中’形成該儲存電容線與該影像 的重疊區域的步驟。 σ化線 本發明的第二顯示裝置之製造方法係在上述第一 f置之製造方法中’於上述一個晝素内的上述儲存電容= 與上述影像信號線之交叉部分以外的區域中，形成上辟 存電容線與上述影像信號線之重疊區域的步驟， =γ ，由從上述儲存電容線沿上述畫素電極周圍一邊延伸』 存電容線延長部，與上述影像信號線的重疊區域之+驟1 本發明的第三顯示裝置之製造方法係在上述二〃楚 一顯不裝置之製造方法中，形成上述儲存電 二第 容線延長部，與上述影像信號線的重疊區域的步^ = ^， 線或儲存電容線延長部，與上述影像信號 === 步驟。 丨里f區域的 一本發明的第四顯示裝置之製造方法係在上述 三之任一顯示裝置之製造方法中，形成上述二第 儲存電容線延長部，與上述影像信號線的重疊诚=1或 驟，係在由上述儲存電容線或儲存電容線延長二1 7 、、 影像信號線所重疊區域中，形成至少4 /、上述 以上重

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576941 五、發明說明（5) 疊部的步驟。 本發明的第一顯示裝置之斷線修復方法，該顯示裝置 包括：掃描線，形成於絕緣性基板上；儲存電容線，並行 於該掃描線而所形成；影像信號線，隔著絕緣膜並交又而 形成該掃描線與該儲存電容線；以及晝素電極，被該掃描 線、該儲存電容線、及該影像信號線所圍繞；其特徵在於 包括··在一個晝素内的該儲存電容線與該影像信號線之交 叉部分以外的區域中，形成由從該儲存電容線沿該晝素電 極^圍一邊延伸的儲存電容線延長部，與該影像信號線的 重疊區域之步驟；在該儲存電容線延長部與該影像信號線 的重疊區域中，將該儲存電容線延長部與該影像信號線予 j j接的步驟；以及在該儲存電容線延長部與該影像信號 ί ^ Ϊ疊區域之中，將最靠近該儲存電容線的區域，盘該 儲存電容線之間予以切斷的步驟。 顧- ^ Ϊ明的第二顯示裝置之斷線修復方法係在上述第- 盥上述旦Μ* π I ^成上述儲存電容線延長部 破線之重疊區域的步驟，係包括在-個書素 :述iiii:個處所以上由上述儲存電容線延長部了： 上迷〜像彳5號線所重疊區域的步驟。 興 本發明的第三顯示裝置之斷 J第:顯示裝置之斷線修復方法第- 射照射而將上述儲存電容線延長部盘二：包含利用雷 /、上述衫像信號線予以

2066-4950-PF(N).ptd 第8頁 延長部與上述影像信號線予以連接上述儲存電容線 576941 五、發明說明（6) 連接的步驟。 至第ϊ m四顯示裝置之斷線修復方法係在上述第- 容示裝置之斷線修復方法中，於上述儲存電 、上述影像信號線的相連接的區域中，_胃a 近上述儲存電容線的區域與上述儲存m取罪 的步驟，係、包括利用帝射昭M :玉谷線之間予u切斷 部與上述影像信號線：連接的區域長 電容線的區域虚上、十，冲六=战中將取罪近上述儲存 本發明的第ΐί電容線之間予以切斷的步驟。 顯示裝置之二之斷線修復方法係在上述第-部與上述景仿。1 ί 中，取代於上述儲存電容線延長 存電容線的區域的區域中I最靠近上述儲 中，而改為於ϊ述以r的步驟 相連接的區域中，將& A 、、’ °卩/、上述影像信號線的 蓋與上述儲存電容ϊΐΓ:;ί述容線的區域，與涵 電ί以:一邊相對向邊延伸的儲； 上述影像信號線的相連接的^ ’l :存電谷線延長部與 容線的區域，與涵蓋與上辻將最靠近上述儲存電 儲存電容線，並沿上述書線之間且並行於上述 對向邊延伸的儲存電容&延由f與5玄畫素電極周圍一邊相 利用雷射照射，而將最部予以切斷的步驟’係包括 取罪近上述儲存電容線的區域，與涵

2066-4950-PF(N).ptd 第9頁 576941 五、發明說明（7) 蓋與上述儲存電容線之間且並 上述晝素電極與該晝素電極周圍二f儲存電容線，並沿 電容線延伸部予以切斷的步驟。 目對向邊延伸的儲存 【發明較佳實施形態】

實施形熊J 本餐明之第一貫施形態利用 ^ 稱「TFT」）的主動矩陣型液晶用薄膜電曰曰體（以下 平面圖。第2圖所示係說明影像/置之大約一個晝素的 第-平面圖。第3圖所示係;、像圖修J方法的 係說明影像信號線之斷線修復方法的第二平面圖。圖所不 在第1圖〜第4圖中，1係驅動TF τ 圍-：延伸的儲存電容線延長部，5係沿畫素電極素周電圍極—周 邊延伸之儲存電容線延長部的突起部，6係畫素電極，7 源極，8係汲極’9係半導體膜，1〇係連接畫素電極盥汲極 的接觸冑，11係沿畫素電極周目—彡延伸之儲#電容線： 延長部4的突起部5與影像信號線2的重疊部，丨2係儲存電 容線及儲存電容線延伸部，與畫素電極的重疊部（儲存電 容形成部），1 3係沿與畫素電極周圍一邊相對向邊延伸之 儲存電容線的延長部，1 4係影像信號線的斷線部，丨5係雷 射照射部，1 6係絕緣性基板，丨7係閘絕緣膜，丨8係層間絕 緣膜，1 9係熔融金屬，2 0係切斷部，2 1儲存電容線延長部 與晝素電極的切斷部。

五 發明說明（8) 第1圖所示係採用依書辛 電容線延長部間之重叠部一，及儲存電容線、與儲存 方式）的大約一個晝素所、儲存電容之方式（共通Cs 驟，參照第1圖〜第—3圖進：：：圖。首先，針對其製造步 成構成掃描線1與儲存電容 \在絕緣性基板1 6上，形 膜係採用由經添加如A1、P、第一導電膜。第一層導電 其他物質的合金等所構成的=、Ta、Mo、或該等之外的 驟對第—層導電膜施行化處理接*，：用照相製版步 存電容線3。此儲存電容線案3=/而形成掃描線1與儲 内的儲存電容線3與影像信號線2圖所^不，在一個晝素 形成沿畫素電極周圍一邊。延:申J :部：外的區域中， 設置該儲存電容線延長ί4的?^1電容線延長部4，並 與後述影像信號線2形成重對該突起部5依 行圖案化處理。 成重4域（重疊部⑴之方式，施 復範: 3Γ:1广=使斷線修 土方向的端部附近分別各設置；二個位mm:: ，延伸的儲存電容線延長部13之;ΐ電：圖-案= 2後，利用電聚CVD等成膜裝置，連續形成閘 、、:導體膜9、歐姆接觸膜（未圖示）。閘絕緣膜j 7係: 用如S1 Nx、S1 〇x、s 1 〇x Ny、或該等層積膜。半導體膜係 用非晶石夕U-Sl)、多晶价Sl)fe此外，歐姆接：上

五、發明說明（9) 採用在a-Si滕：$ n-p —Si。然後我卜Si膜中微量摻雜如磷（P)等的n-a-Si、 觸膜依乾i ^ ’利用照相製版步驟，對半導體膜與歐姆接 垃^ X 刻處理施行圖案化處理。 按者，形成视 層導電膜可按H構成影像信號線2的第二層導電膜。第二 之外的1仙队^由經添加如A1、Cr、Cu、Ta、Mo '或該等 屬膜者？或在i Ϊ J金等所構成的薄膜、層積不同種之金 版步驟對影像传=向上組;不同者。然後，利用照相製 圖案化處：：二！施行圖案化處理。在此影像信號線的 ^ ^ ^ 叹定為同時形成源極7、汲極8 〇 ，，，利用電漿CVD等成膜裝置，形成層間絕緣膜 ^ f ，利用照相製版步驟對該層間絕緣膜1 8施行圖案 :處理.°層間絕、緣膜U如同問絕緣膜17，乃採用如SiNx Γ =〇x、Si〇xNy、或該等層積膜。藉由此層間絕緣膜18的圖 案化處理而形成接觸窗1{)，並透過該接觸fl〇而將没極8 與後述的晝素電極6予以電導通。 然後，在層間絕緣膜18上，形成構成晝素電極6之如 ITO、Sn〇2等透明金屬的導電性薄膜，並藉由照相製版步 驟，對該導電性薄膜依被掃描線丨、儲存電容線3及影像信 號線2所包園之方式施行圖案化處理，而完成形成TFT等的 絕緣性基板（以下稱「陣列基板」）。 在如上述的，列基板製造步驟中，隨影像信號線之形 成或圖案化處理中的異物等之產生，便有產生如第2圖所 示的影像信號線之斷線部14的情況。該斷線部係在陣列基 板的各製造少驟中’利用影像檢查裝置等檢查而發現的。

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通常，當在影像信號線中 、 路起至該斷線部之間雖有被的=清况時，在從驅動電 路起離該斷線部較遠的區域中' :並3座，是從驅動電 致線缺陷不良而造成|y & . 政、’ ? μ著該電位，導 ^ ^ 又氣乂良率降低的問題。 所以，為修復上述斷線，如 極周圍-邊延伸的儲存電 土圖所：，在沿畫素電 信號線2間的重疊部u之各自 ^起部5，與影傢 雷射照射部15上，而如第3 : 土中，精由f雷射照射在 儲存電容線延長部4盥麥俨；，：*用熔岫金屬1 9導通

外，雷射光的照射方向^可從陣^ i、0本卜1 ·0 6 #m。此 線側）、或陳列莫此北糸了從陣列基板表面側（影像信號 該★射光的昭射\板/面側（儲存電容線側）的任何一者。 最度係當照射於如上述金屬膜的情況時， ，好輸出始、度在lx 1〇2〜lx 1〇4j/m2範圍。雷射照射 雷射光照射範圍，最好為亩p 9 的 定性觀點而言，最Siii: 就連接電阻的穩 究錄^口旦素電極周圍一邊延伸的儲存電 eft長犬起部，與影像信號線間的重疊部，分別昭 射3〜4個位置處。 …、

沿畫素電極周圍一邊延伸的儲存電容線延長部4之突 起部5二\與影像信號線2間的重疊部丨丨所需大小，雖依存於 影像信號線2線寬、以及儲存電容線與影像信號線之圖案 化處理時的對位精度等而變化，雖該重疊部面積若至少在 2 m X 5 # m以上程度的話便可連接，但是若該重疊部面積 具有至少4 // m X丨〇 # m以上（重疊部）的話，即便上述儲存

/6941 五、發明說明（11) 電谷線與影像信號線間產生對位誤 · :可：上述直徑一程度的雷射光確實最的照二=，亦 所’而可形成更穩定的連接與更確 ：3 4個處 較佳狀況。 筏/、文峰貝的斷線修復，故屬於 健/· ί ί ’如第4圖所示’在沿畫素電極周圍-邊延伸的 二1 L谷線延長部4之突起部5 ’與影像信號線2間的】最 3。之丄气接的區域中，利用雷射照射最靠近儲存電容且線 電容Vs丄：ΐ 2 $線3間的切斷部2〇(延*部4係從儲存 ί;ί=:部斷線。藉此，便可防止供應S 广線之電&，與供應給影像信號線之電位形成短路現 此外，雖最好依該雷射照射而產±的

;上述的切斷部20處’但是實際上若利用雷射照射；S :::’在雷射照射部中，沿晝素電極周圍-邊 、堵存電容線延長部4，畫素電極6將導通，且 ΐί3/Λ素電極6亦將導通，結果便將造成影像信號線ί ，存，谷線間產生短路的情況。此情況下，如第4圖之儲 存電容線延長部與晝素電極的切斷部21所示般，沿 極周圍-邊延伸的儲存電容線延長部4之突起部5，作 k號線2間相連接的區域中，藉由將最靠近該儲存電容緯冬 的區域，與涵蓋與儲存電容線間的切斷部2〇 ,且並行於儲 存電容線，並涵蓋沿畫素電極6與該畫素電極周圍一邊相 對向邊延伸的儲存電容線延伸部在内予以切斷，便可 的防止影像信號線與儲存電容線間的短路現象。此貫

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I，晝素電位將形成影像信號線電位，結果雖該畫素將形 从點缺陷’但是因為可將上述隨影像信號線斷線而所產生 的致命線缺陷不良，改變為輕微的點缺陷，因此可提昇顯 不裝置的製造良率。 ’ ,=者，為防止隨對上述切斷部2 0的雷射照射，而造成 ‘ L號線與儲存電谷線間的短路現象，亦可如第4圖中Κ 所示，在切斷部20中，依畫素電極6不致重叠的方式進行 圖案化處理。此情況下，晝素電極β係依去除切斷部2 〇， 且在對切斷部2 〇的雷射照射時，該畫素電極6具有未導通 儲存電容線3，與沿畫素電極周圍一邊延伸之儲存電容線 延長部4的間隔程度方式施行圖案化處理。藉由此種結構 的話，隨雷射照射而所產生的切斷僅為切斷部2 〇，而可防 止影像信號線與儲存電容線間的短路現象，且該畫素亦將 不致形成點缺陷不良，可獲得顯示品質優越的液晶顯示裝 置。 ' 藉由上述結構與步驟，便不致產生影像信號線與儲存 電容線間的短路等不良現象，且不致增加製造步驟，可修 復影像信號線的斷線。 再者，在本實施形態中，雖針對沿畫素電極周圍一邊 延伸的儲存電容線延長部4之突起部，與影像信號線間的 重疊部11，設置於二個位置處的例子進行說明，但是並不 僅限於此，亦可設於三個以上位置處，甚至於在一個畫素 内，將上述重疊部儘可能放大的僅形成於單一位置處，如 此仍可修復影像信號線的斷線。即便在該一個晝素内，僅

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於單一個位置處形成 乂上迷重疊部11的情況下 4圖中的切斷部20或儲在 F ’仍可確保第 批如… ^各土 辟存電容線延長部4，與奎|千斤h 斷部21，並在罪近傲六+ 思素電極的切 $非^辟存電容線3附處， 延長部4與影像信號後2去舌β αα广丄 成錯存電容線 〜深Z禾重豐的區域，且麵 止影像信號線與儲存雷交给叫从t 、、、乂由切斷便可防 實施形熊2 生。 所示 面圖 便賦 22係 沿畫 部。 在影 部， 重疊 施形 ί ΐίτ之—/ 態，利用第5圖進行說明。第5 係抓：T F Τ之主動矩陣型液晶顯示裝置：全：5 。在第5圖中，相關與第i圖〜第4圖相 旦素^

予相同編號1就其差異性進行說明门：；的部分 影像信號線之突起部，23係影像信料中，’ 素電極周圍-邊延伸的儲存電容線延 第5圖不同於上述第一實施形態的…乃’在之於重二 像，線上形成突起部22，而形成影像信號線突起 與沿畫素電極周圍—邊延伸之儲存電容線延長部 部23。相關本實施形態的製造步驟，因為；二 態，因此不再贅述。 步

如上述結構，之後如同第一實施形態，在影像 犬起部與沿晝素電極周圍一邊延伸的儲存電容線延長^間 =重疊部23中，對雷射照射部丨5施行雷射照射，俾使 #號線2與儲存電容線延長部4相連接。然後，如同第」 施形態，再將沿晝素電極周圍一邊延伸的儲存電容線 部，與影像信號線之突起部相連接的區域中，藉由將土 近儲存電容線之區域與該儲存電容線間的切斷部2〇予以=

576941 五、發明說明（14) 斷，或者如第5圖所示的儲存雷交 的切斷部21所示般，# j +二線之長部與畫素電極間 線，並包含畫素電極斷A20/並行於儲存電容 邊延伸的儲存電容線延長部予V切周：一邊之相對向 線與儲存電容線間的短路現象 Τ可防止影像信號 施形態相同的效果。 ““。错此’便可達第-實 在切同形態，如第5圖之R所示般，亦可 ΐί:案化:理ΐ,ί電極6未重疊之方式，對畫素電極6 2〇，且在對。部依去除切斷部 容線延長部4的間隔程度方式施行s f =伸^存電 結構的話，如同第一實施形態，隨雷射照。精由此種 斷僅為切斷部20，而可防止影像俨沪绩^枝而所產生的切 短路現象，且该畫素亦將不致形成點缺】 不品質優越的液晶顯示裝置。 又 T獲付”、、頁 再者，相關影像信號線之突起部，與沿佥 - $延伸的儲存電容線延長部間的重疊部23 ;積：； -貫施形態般’僅要至少在…“门【 好至少在4 // m X 1 0 # m以上。 的活便了，最 再者，雖將影像信號線之突起部，與沿 二邊=伸的儲存電容線延長部間的重疊部23 ;如 2 : 施形態般，舉依儘可能使斷線修復範圍變較 -個畫素内’⑨沿影像信號線長度方向的端；附近；別： 2066-4950-PF(N).ptd 576941 五、發明說明（15) ------- 設置於一個位置處，總計形成於二個位置處的例子，但是 並不僅限於此，亦可設置三個位置以上，甚至於在一個: 素内’將上述重疊部儘可能放大的僅形成於單一位置處旦 如此仍可修復影像信號線的斷線。即便在該一個書素^， 僅於^ 一個位置處形成上述重疊部23的情況下，^可確保 第一實施形態之第4圖中的切斷部2 0或儲存電容線延長部” 4，與晝素電極的切斷部21，並在靠近儲存電容線3附^^ 處，形成儲存電容線延長部4與影像信號線2未重疊的區 域，且經由切斷便可防止影像信號線與儲存 ^二 « 路現象發生。 冰间的短 2者，在上述第一、第二實施形態中，雖針對掃描 ，儲存電容線由同一層導電膜所形成的例子進行說明，但 是並不僅限於由此層所構成，即便掃描線與儲存電容線係 5 3層ί導電膜所形成的情況，亦仍可適用於具有影像 托號線，及隔著絕緣膜而交叉之儲存電容線的所謂顯示裝 置，此乃理所當然可行之事。 鹿-Ϊ Ϊ二在ί 一、第二實施形態中，雖針對採用液晶的 ^ <仃說明，但是並不僅限於採用液晶的顯示裝 ^ 採用如電激發光（electroluminescence，EL)元

Sequential)等者，亦仍可適用於具有影 #二虮、、’，及隔著絕緣膜而交叉之儲存電容線的所謂顯示 裝置。 絕泠：ί t ?明之第一顯示裝置係包括··掃描線，形成於 土 ’儲存電容線，並行於該掃描線而所形成；

576941 五、發明說明（16) 指號線，隔著絕緣膜並交叉而形成該掃描線與該儲存 二谷線’以及晝素電極’被該掃描線、該儲存電容線、及 二影？信號線所圍繞；其特徵在於：纟一個晝素内的該儲 /電谷線與该影像信號線之交叉部分以外的區域中，設有 该儲存電容線與該影像信號線重疊的區域。因此，便可無 須追加製造步驟，並可修復影像信號線的斷線。. …、 因為本發明的第二顯示裝置係在上述第一顯示裝置 :，於上述一個晝素内的上述儲存電容線與上述影像信號 ίΐί叉Π以外的區域中’上述儲存電容線與上述影像 ，唬‘之重噎區域，係由從上述儲存電容線沿上述畫素電 邊ΞΤ的儲存電容線延長部，與上述影像；號線 所形成的。因此，便可盔須诘铋制、生止_ 信號線的斷線。 追力&造步驟’並可修復影像 :為第三顯示裝置係在上述第一或第二顯示 裝置中，上述儲存電容線或儲存電容線延 像信號線的重疊區域係在一個圭辛 〇 ”上述衫 以上…，便可無須追加少形成二個處所 線的斷線。 ㈣’並可修復t彡像信號 因為=明的第四顯示裝置係在上 -顯示裝置中’上述儲存電容線或儲之： 上述影像信號線的重疊區域係具有至小革谷線延長部，與 的面積。因此，便更穩定的將影像二/mx 10 以上 接，並可更進行確實的修復。 σ〜、、友之斷線予以連 因為本發明的第一顯示裝 我置之1造方法，該顯示裝置

2066-4950-PF(N).ptd 第19頁 ^/6941 五、發明說明（17) Π:: t線’形成於絕緣性基板上；儲存電容線，並行 幵:：：二：：所形成；影像信號線，隔著絕緣膜並交又而 線、該儲存電容線、及，r線及畫素破該掃描 包括：在一個書素内號線所圍’繞；其特徵在於 又部分以外的區域；=存電容線與該影像信號線之交 的重疊區域的步驟。因此f儲存電容線與該影像信號線 並可修復影像信號線：：線置須追加製造步驟’ 顯示H ί:Ϊ 3;顯示裝置之製造方法係在上述第- 容線與上述影像信I線之=上述—個畫素内的上述儲存電 述儲存電容線與上i景,俨ΐ J :分以外的區域中’形成上 括形成由從上.,f按六=铋彳δ唬線之重疊區域的步驟，係包 的儲存電容線ί長m沿土述畫素電極周圍-邊延伸 驟。因此，便可獲得無須追 =:^坟之步 號線之斷線的顯示裝置。“乂驟，並可修设影像信 戍第因ί本ΓΓί三顯示襄置之製造方法係在上述第- ίΐ:，不裝置之製造方法中，形成上述儲存電容線戍儲 #肖# y ^ 这〜认化唬線的重疊區域的步驟， 形成二個處所以上由上述儲存 延長部，與上述影像信號線所重疊區 域的步驟。因此，便可獲得無須追加 影像信號線之斷線的顯示裝置。、二，’ ，、，ϋ >復 製诰牛驟，* 了政冷！你 因此，便可獲得無須追加

Ik V驟並可修復影像信號、線之斷線的顯示裝置。 第20頁 2066-4950-· PF(N).ptd 五、發明說明（18) 至第因^ f發明的第四顯示裝置之製造方法係在上述第一 線或：存製造方法中：形成上述儲存電容 步驟，係在由上、十-j與上述影像線的重疊區域的 重= = 叠區域[形成至少“mxl°"m以上 斷線予以連接，“审便可獲侍更穩疋的將影像信號線之 K 丁 Λ逆接，並可更進行確實修復的顯示裝置。 ^本發明的第一顯示裝置之斷線修復方*，該顯示 二匕祜.知描線’形成於絕緣性基板上；儲存 又I 5 ί知描線而所形成；影像信號線’隔著絕緣膜並交 ^成该掃描線與該儲存電容線；以及晝素電極，被該 在一個晝素内的該儲存電容線與該影像信： 去^刀以外的區域中，形成由從該儲存電容線沿該晝 線一邊延伸的儲存電容線延長部’與該影像信號 2的重噠區域之步驟；在該儲存電容線延長部與該影 ^線的重疊區域中’將該儲存電容線延長部與該影像信號 連接的㈣；以及在該儲存電容、線延長部與該影像 。唬線的重疊區域之中，將最靠近該儲存電容線的區域， 與該儲存電容線之間予以切斷的步驟。因此，便可獲得無 須追加製造步驟，並可防止影像信號線與儲存電容^間^、 短路現象，且可修復影像信號線之斷線的顯示裝置。 因為本發明的第二顯示裝置之斷線修復方法係在上述 第一顯示裝置之斷線修復方法中，形成上述儲存電容線延

576941 五、發明說明（19) 長部與上述影 晝素内，至少 部，與上述影 得無須追加製 裝置。 因為本發 像"ίέ號線之重疊區 形成~個處所以上 像信號線所重疊區 造步驟，並可修復 戈的步驟，係包括 由上述儲在括在一個 Η ^ ^儲存電容線延長 域的步驟。因此 影像作狀& 更了獲 唬線之斷線的顯示 第一或 線延長 容線延 用雷射 予以連 可修復 因 第一至 存電容 最靠近 切斷的 延長部 儲存電 驟。因 ί虎線與 斷線的 因 第一顯 第二顯 部與上 長部與 照射而 接的步 影像信 為本發 第三中 線延長 上述儲 步驟， 與上述 谷線的 此，便 儲存電 顯示裝 為本發 示裝置 明的第三 示裝置之 述影像信 上述影像 將上述儲 驟。因此 號線之斷 明的第四 任一顯示 部與上述 存電容線 係包括利 影像信號 區域與上 可獲得無 容線間的 置。 明的第五 之斷線修 顯示裝置 斷線修復 號線的重 信號線予 存電容線 ，便可獲 線的顯示 顯示裝置 裝置之斷 影像信號 的區域與 用雷射照 線相連接 述儲存電 須追加製 短路現象 顯示裝置 復方法中 之斷線修 方法中， 疊區域中 以連接的 延長部與 得無須追 裝置。 之斷線修 線修復方 線的相連 上述儲存 射，而在 的區域中 容線之間 造步驟， ，且可修 復方法係在上述 於上述儲存電容 ，將上述儲存電 步驟，係包含利 上述影像信號線 加製造步驟，並 復方法 法中， 接的區 電容線 上述儲 ，將最 予以切 並可防 復影像 係在上述 於上述儲 域中，將 之間予以 存電容線 靠近上述 斷的步 止影像信 信號線之 之斷線修復方法係在上述 ，取代於上述儲存電容線

576941 五、發明說明（20) 延長部與上述影像信號線 ^^— 述儲存電容線的區域盥上述，的區域中，將最靠近上 驟中’而改為於上述儲存之間予以切斷的步 的相連接的區域中，將最靠近上述儲土述影像信號線 涵盍與上述儲存電容線之間且並子，谷線的區域，與 =巧素電極與該畫素」==容線’並 存電容線延伸部予以切斷的步驟因ί相對向邊延伸的館 加製造步驟，並可防止 ，便可獲得無須追 現象，且可修復影像 f ‘二=始/、儲存電容線間的短路 因為本發明的線之斷線的顯示裝置。 第五顯示裝置之斷線；復=㊁之：：修復方法係在上述 部與上述影像信號線的相連接的區域ί述儲存f容線延長 存電容線的區域，與涵二二，將最靠近上述儲 上述储存電容線，並沿上電容線之間且並行於 邊相對向邊延伸的亟與该晝素電極周圍— 包括利用雷射2儲=予以切斷的步驟，係

並沿上述晝素並行於上述儲存電容線， 儲存電容線延伸部予"旦素電極周圍—邊相對向邊延伸的 追加製造步驟切斷的！驟。因此，便可獲得無S 路現象，且可修復=止影像仏唬線與儲存電容線間的短 乜设影像信號線之斷線的顯示裝置。 姐 2066-4950-PF(N).ptd 第23頁 576941 圖式簡單說明 第1圖係本發明第一實施形態的顯示裝置之大約一個 晝素的平面圖。 第2圖係說明本發明第一實施形態的影像信號線之斷 線修復方法的第一平面圖。 第3圖係第2圖的A-A剖視圖。 第4圖係說明本發明第一實施形態的影像信號線之斷 線修復方法的第二平面圖。 第5圖係本發明第二實施形態的顯示裝置之大約一個 畫素的平面圖。 第6圖係習知技術之液晶顯示裝置，大約一個畫素平 面圖。 第7圖係習知技術之液晶顯示裝置，大約一個晝素平 面圖。 【符號說明】 1，1 a，1 b掃描線 2, 15, 30a，30b，31a，31b，33, 36 雷射照射部 3儲存電容線 5，2 2 突起部 7 源極 9半導體膜 11，2 3 重疊部 1 4，3 5 斷線部 1 7 閘絕緣膜 1 9 熔融金屬 i 2, 2a，2b影像信號線 4儲存電容線延長部 6晝素電極 8 汲極 10, 27a，27b 接觸窗 12, 13 延伸部 1 6 絕緣性基板 1 8層間絕緣膜

2066-4950-PF(N).ptd 第24頁 576941 圖式簡單說明 2 0，2 1，3 2 切斷部 2 5 閘極 2 8 第二導電性電極 3 7非晶矽層 24, 34儲存電容電極 2 6 通道保護膜 2 9 第三導電性電極 _

2066-4950-PF(N).ptd 第25頁

Claims (1)

1. 576941ί 公告本

   六、申請專利範圍 1. 一種顯示 掃描線’形 儲存電容線 影像信號線 儲存電容線；以 晝素電極， 號線所圍繞； 其特徵在於 在一個晝素 的區域 部分以外 疊的區域 2 ·如 畫素内的 區域中， 從該儲存 延長部， 3 ·如 電容線或 係在一個 4 ·如 電容線或 係具有至5. 一 知描 申請專 該儲存 該儲存 電容線 與該影 申請專 儲存電 晝素内 申請專 儲存電 少 4 /zm 種顯示 線，形 裝置，包括： 成於絕緣性基板上； ，並打於該掃描線而所形 ，隔著絕緣膜並交又而形 及被該掃描線、該儲存電容 内的該儲存電容線與該影 中，設有該儲存電容線與 利範圍第1項之顯示裝置， 電容線與該影像信號線之 電容線與該影像信號線之 沿該晝素電極周圍一邊延 像彳§ 5虎線所形成的。 利範圍第1或2項之顯示裝 容線延長部，與該影像信 ，至少形成二個處所以上 利範圍第1或2項之顯示裝 容線延長部，與該影像信 X 10//m以上的面積。 裝置之製造方法，該顯禾 成於絕緣性基板上； 成； 成该掃描線與該 線、及該影像信 像信號線之交叉 3亥影像信號線重 其中於該一個 交叉部分以外的 重疊區域，係由 伸的儲存電容線 置，其中該儲存 號線的重疊區域 〇 置，其中該儲存 號線的重疊區域 裝置包括：

   2066-4950-PF(N).ptd 第26頁 六、申請專利範圍 儲存電容線，並行於 影像信號線，隔著絕；線而所形成； 节 儲存電容線；以及 、、水腸並父又而形成該掃描線與該 晝素電極，被該掃描、 號線所圍繞； Ί 该儲存電容線、及該影像饴 其特徵在於包括： 在一個晝素内的該綠 部分以外的區域中，幵彡成▲子Y谷線與該影像信號線之交又 重疊區域的步驟。》或該儲存電容線與該影像信號線的 6·如申請專利範圍第5 中於該一個晝素内的兮健六、之.、、、員不裝置之製仏方法，其 ^ ^ α ^ ^ ^ '"儲存電容線與該影像信號線之交叉 口Ρ刀U外的區域中，形忐 ^ 曹聶F代沾丰_ , 成4儲存電容線與該影像信號線之 t ^ « 11 ' ^ ’係包括形成由從該儲存電容線沿該晝素 伸的儲存電容線延長 該 的重疊區域之步驟。 7 ·如申請專利範圍第5 其中形成該儲存電容或;=顯示裝置之製造方法， 波:線：重逢區域的步驟，係包括在一個晝素内，至少形成 影像信號線所重疊區域的=或儲存電容線延長部’與該 8·如巾請專利範圍第5或6項之顯示裝置之製造方法， 〃中形成㈣存電谷線或儲存電容線延長部，與該影像作 號線的重疊區域的步驟，係在由該儲存電容線或儲存電^ 線延長部’與該影像信號線所重疊區域中，形成至少4㈣

   576941

   六、申請專利範圍 X 10//m以上重疊部的步驟。 9 · 一種顯示裝置之斷線修復方法，該顯示裝置包括· 掃描線，形成於絕緣性基板上； 儲存電容線，並行於該掃描線而所形成； 影像“號線，隔著絕緣膜並交叉而形成該掃描線與兮 儲存電容線；以及 人 畫素電極，被該掃描線、該儲存電容線、及該影像作 號線所圍繞； " 其特徵在於包括： 在一個畫素内的該儲存電容線與該影像信號線之交又 部分以外的區域中，形成由從該儲存電容線沿該晝素電極 周圍一邊延伸的儲存電容線延長部，與該影像信號線的重 疊區域之步驟； 在该儲存電容線延長部與該影像信號線的重叠區域 中’將該儲存電容線延長部與該影像信號線予以連接的步 驟；以及 在β儲存電容線延長部與該影像信號線的重疊區域之 中’將最靠近該儲存電容線的區域，與該儲存電容線之間 予以切斷的步驟。

   1 0 ·如申請專利範圍第9項之顯米裝置之斷線修復方 法’其中形成該儲存電容線延長部與該影像信號線之重 區域的步驟，係包括在—個畫素内，至少形成二個處所 上由戎儲存電容線延長部，與該影像信號線所重疊區域 步驟。

   2066-4950-PF(N).ptd 第28頁 六、申請專利範圍 之顯示裝置之斷線修復 與該影像信號線的重叠 該影像信號線予以連接 該儲存電容線延長部與 之顯示裝置之斷線修復 與該影像信號線的相連 線的區域與該儲存電容 用雷射照射，而在該儲 連接的區域中，將最靠 容線之間予以切斷的步 1 1 ·如申請專利範圍第9或丨〇項 =法，其中於該儲存電容線延長部 區域中，將该儲存電容線延長部與 的步驟，係包含利用雷射照射而將 該影像信號線予以連接的步驟。 、12·如申請專利範圍第9或1〇項 方法，其中於該儲存電容線延長部 接的區域中，將最靠近該儲存電容 線之，予以切斷的步驟，係包括利 存電容線延長部與該影像信號線相 近該儲存電容線的區域與該儲存 驟。 13·如申請專利範圍第9項之顯示裝置之斷線修復方 的f ^ 士將忒儲存電容線延長部與該影像信號線的相連接 、二$ 、，將最罪近該儲存電容線的區域與該儲存電容線 之間予以切斷的步驟，取代改為： 於忒儲2電容線延長部與該影像信號線的相連接的區 ^ 將最罪近該儲存電容線的區域，與涵蓋與該儲存電 容線之間且並行於該儲存電容線，並沿該畫素電極與該晝 素電極周圍一邊相對向邊延伸的儲存電容線延伸部予以 斷的步驟。 1 4·如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置之斷線修復方 法i其中於該儲存電容線延長部與該影像信號線的相連接 的區或中將最罪近該儲存電容線的區域，與涵蓋與該儲

   576941 六、申請專利範圍 存電容線之間且並行於該儲存電容線，並沿該晝素電極與 該晝素電極周圍一邊相對向邊延伸的儲存電容線延伸部予 以切斷的步驟，係包括利用雷射照射，而將最靠近該儲存 電容線的區域，與涵蓋與該儲存電容線之間且並行於該儲 存電容線，並沿該晝素電極與該晝素電極周圍一邊相對向 邊延伸的儲存電容線延伸部予以切斷的步驟。

   2066-4950-PF(N).ptd 第30頁