JP2003043951A - 表示装置および表示装置の製造方法ならびに表示装置の断線修復方法 - Google Patents
表示装置および表示装置の製造方法ならびに表示装置の断線修復方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示装置において、製造工程を増加させるこ
となく映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上
させる。 【解決手段】 絶縁性基板上に形成された走査線１と、
前記走査線と並行に形成された蓄積容量線３と、前記走
査線１および前記映像信号線３と絶縁膜を介して交差し
て形成された映像信号線２と、前記走査線１、前記蓄積
容量線３および前記映像信号線２とに囲まれた画素電極
６とを備えた表示装置であって、１画素内における前記
蓄積容量線３と前記映像信号線２との交差部以外の領域
において、前記蓄積容量線３と前記映像信号線２とが重
なる領域１１を有することを特徴とする。
となく映像信号線の断線を修復し、製造歩留まりを向上
させる。 【解決手段】 絶縁性基板上に形成された走査線１と、
前記走査線と並行に形成された蓄積容量線３と、前記走
査線１および前記映像信号線３と絶縁膜を介して交差し
て形成された映像信号線２と、前記走査線１、前記蓄積
容量線３および前記映像信号線２とに囲まれた画素電極
６とを備えた表示装置であって、１画素内における前記
蓄積容量線３と前記映像信号線２との交差部以外の領域
において、前記蓄積容量線３と前記映像信号線２とが重
なる領域１１を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、映像信号線の断線
修復が可能な表示装置および表示装置の製造方法ならび
に表示装置の断線修復方法に関するものであり、とくに
液晶表示装置に適用して好適なものである。
修復が可能な表示装置および表示装置の製造方法ならび
に表示装置の断線修復方法に関するものであり、とくに
液晶表示装置に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正
する方法として、たとえば特開平９−６１８５２号公報
が開示されている。図６は従来技術の液晶表示装置にお
ける略１画素の平面図である。図６において、１ａ、１
ｂは走査線、２ａ、２ｂは映像信号線、６は画素電極、
７はソース電極、８はドレイン電極、１４は映像信号線
の断線部、２４は蓄積容量電極（第１の導電性電極）、
２５はゲート電極、２６はチャネル保護膜（絶縁層）、
２７ａ、２７ｂはコンタクトホール、２８は第２の導電
性電極、２９は第３の導電性電極、３０ａ、３０ｂ、３
１ａ、３１ｂはレーザ照射部、３２は切断部、３３はレ
ーザ照射部を示している。
装置などの表示装置において、映像信号線の断線を修正
する方法として、たとえば特開平９−６１８５２号公報
が開示されている。図６は従来技術の液晶表示装置にお
ける略１画素の平面図である。図６において、１ａ、１
ｂは走査線、２ａ、２ｂは映像信号線、６は画素電極、
７はソース電極、８はドレイン電極、１４は映像信号線
の断線部、２４は蓄積容量電極（第１の導電性電極）、
２５はゲート電極、２６はチャネル保護膜（絶縁層）、
２７ａ、２７ｂはコンタクトホール、２８は第２の導電
性電極、２９は第３の導電性電極、３０ａ、３０ｂ、３
１ａ、３１ｂはレーザ照射部、３２は切断部、３３はレ
ーザ照射部を示している。
【０００３】図６において、映像信号線２ａにおける断
線が走査線１ｂとの交差部において生じた場合（断線部
１４）について説明する。この場合、符号３１ａ、３１
ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像
信号線２ａの分岐部分と第３の導電性電極２９とを電気
的に短絡し、第３の導電性電極２９と蓄積容量電極２４
とを電気的に短絡する。また、符号３０ａ、３０ｂで示
すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線
２ａと第２の導電性電極２８とを電気的に短絡し、第２
の導電性電極２８と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡
する。また、符号３２で示す箇所にレーザ光を照射し、
蓄積容量電極２４と画素電極６とを切り離す。さらに、
符号３３で示す箇所にレーザ光を照射し、薄膜トランジ
スタのドレイン電極８とゲート電極２５とを電気的に短
絡する。上記の処理によって、図６において一連の矢符
で示すような経路が形成され、蓄積容量電極２４を映像
信号線の一部として利用し、映像信号線の断線の修復が
可能になるというものである。
線が走査線１ｂとの交差部において生じた場合（断線部
１４）について説明する。この場合、符号３１ａ、３１
ｂで示すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像
信号線２ａの分岐部分と第３の導電性電極２９とを電気
的に短絡し、第３の導電性電極２９と蓄積容量電極２４
とを電気的に短絡する。また、符号３０ａ、３０ｂで示
すレーザ照射部２箇所にレーザ光を照射し、映像信号線
２ａと第２の導電性電極２８とを電気的に短絡し、第２
の導電性電極２８と蓄積容量電極２４とを電気的に短絡
する。また、符号３２で示す箇所にレーザ光を照射し、
蓄積容量電極２４と画素電極６とを切り離す。さらに、
符号３３で示す箇所にレーザ光を照射し、薄膜トランジ
スタのドレイン電極８とゲート電極２５とを電気的に短
絡する。上記の処理によって、図６において一連の矢符
で示すような経路が形成され、蓄積容量電極２４を映像
信号線の一部として利用し、映像信号線の断線の修復が
可能になるというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術においては、映像信号線の修復は可能であ
るが、映像信号線修復用のパターンを設ける必要があ
り、そのためマスク枚数が増加し、製造工程数が増加し
てしまうという問題があった。さらには、該修復用パタ
ーンを形成するための領域が必要となり、それによって
画素の開口率を低下させてしまうという問題もあった。
た従来の技術においては、映像信号線の修復は可能であ
るが、映像信号線修復用のパターンを設ける必要があ
り、そのためマスク枚数が増加し、製造工程数が増加し
てしまうという問題があった。さらには、該修復用パタ
ーンを形成するための領域が必要となり、それによって
画素の開口率を低下させてしまうという問題もあった。
【０００５】また、蓄積容量線を用いた断線の修復の従
来技術としては、たとえば特開平９−３２５３５４号公
報も開示されている。図７は該従来技術の液晶表示装置
における略１画素の構成図であり、図６と同じ構成部分
については同一符号を付しており、差異について説明す
る。図７において、３４は蓄積容量電極、３５は走査線
の断線部、３６はレーザ照射部、３７は非晶質シリコン
層を示している。図７において、断線部３５において走
査線１に断線が生じた場合、レーザ照射部３６にレーザ
を打ち込むことによって、断線部３５は蓄積容量電極３
４を介してバイパス接続され、断線が修復されるという
ものである。しかしながら、該従来技術は走査線の断線
を蓄積容量用電極をバイパスして救済するものであり、
映像信号線の断線の救済については何ら触れられていな
い。また、修復に用いる蓄積容量電極３４は画素電極６
にコンタクトホールによって接続されており、さらには
該蓄積容量電極により映像信号線の断線を救済（修復）
することは困難であった。
来技術としては、たとえば特開平９−３２５３５４号公
報も開示されている。図７は該従来技術の液晶表示装置
における略１画素の構成図であり、図６と同じ構成部分
については同一符号を付しており、差異について説明す
る。図７において、３４は蓄積容量電極、３５は走査線
の断線部、３６はレーザ照射部、３７は非晶質シリコン
層を示している。図７において、断線部３５において走
査線１に断線が生じた場合、レーザ照射部３６にレーザ
を打ち込むことによって、断線部３５は蓄積容量電極３
４を介してバイパス接続され、断線が修復されるという
ものである。しかしながら、該従来技術は走査線の断線
を蓄積容量用電極をバイパスして救済するものであり、
映像信号線の断線の救済については何ら触れられていな
い。また、修復に用いる蓄積容量電極３４は画素電極６
にコンタクトホールによって接続されており、さらには
該蓄積容量電極により映像信号線の断線を救済（修復）
することは困難であった。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、製造工程を増加させることなく、かつ開口
率を低下させることなく、映像信号線の断線を修復し、
製造歩留まりを向上させることを目的としている。
のであって、製造工程を増加させることなく、かつ開口
率を低下させることなく、映像信号線の断線を修復し、
製造歩留まりを向上させることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の表示装置
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置であっ
て、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線
との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と前記
映像信号線とが重なる領域を有することを特徴とするも
のである。
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置であっ
て、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信号線
との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と前記
映像信号線とが重なる領域を有することを特徴とするも
のである。
【０００８】本発明の第２の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記１画素内における前記蓄積容量線
と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記
蓄積容量線と前記映像信号線とが重なる領域は、前記蓄
積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とにより形成
されることを特徴とするものである。
示装置において、前記１画素内における前記蓄積容量線
と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記
蓄積容量線と前記映像信号線とが重なる領域は、前記蓄
積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とにより形成
されることを特徴とするものである。
【０００９】本発明の第３の表示装置は、上記第１また
は２の表示装置において、前記蓄積容量線または蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域は、１画
素内において少なくとも２箇所以上形成されることを特
徴とするものである。
は２の表示装置において、前記蓄積容量線または蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域は、１画
素内において少なくとも２箇所以上形成されることを特
徴とするものである。
【００１０】本発明の第４の表示装置は、上記第１乃至
３のいずれかの表示装置において、前記蓄積容量線また
は蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
は、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積を有するこ
とを特徴とするものである。
３のいずれかの表示装置において、前記蓄積容量線また
は蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
は、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積を有するこ
とを特徴とするものである。
【００１１】本発明の第１の表示装置の製造方法は、絶
縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に
形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信
号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線
と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線
とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の製造方法で
あって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信
号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と
前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含むこ
とを特徴とするものである。
縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に
形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信
号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線
と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線
とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の製造方法で
あって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信
号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と
前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含むこ
とを特徴とするものである。
【００１２】本発明の第２の表示装置の製造方法は、上
記第１の表示装置の製造方法において、前記１画素内に
おける蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領
域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重な
る領域を形成する工程は、前記蓄積容量線から前記画素
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含
むことを特徴とするものである。
記第１の表示装置の製造方法において、前記１画素内に
おける蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領
域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重な
る領域を形成する工程は、前記蓄積容量線から前記画素
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含
むことを特徴とするものである。
【００１３】本発明の第３の表示装置の製造方法は、上
記第１または２の表示装置の製造方法において、前記蓄
積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記
蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を
含むことを特徴とするものである。
記第１または２の表示装置の製造方法において、前記蓄
積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記
蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を
含むことを特徴とするものである。
【００１４】本発明の第４の表示装置の製造方法は、上
記第１乃至３のいずれかの表示装置の製造方法におい
て、前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映
像信号線とが重なる領域を形成する工程は、前記蓄積容
量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重
なる領域において、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の
重なり部を形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
記第１乃至３のいずれかの表示装置の製造方法におい
て、前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映
像信号線とが重なる領域を形成する工程は、前記蓄積容
量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重
なる領域において、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の
重なり部を形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
【００１５】本発明の第１の表示装置の断線修復方法
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修
復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前
記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積
容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量
線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のう
ち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容
量線との間を切断する工程とを含むことを特徴とするも
のである。
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修
復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前
記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積
容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量
線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のう
ち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容
量線との間を切断する工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【００１６】本発明の第２の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を
形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延
長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇
所以上形成する工程を含むことを特徴とするものであ
る。
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を
形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延
長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇
所以上形成する工程を含むことを特徴とするものであ
る。
【００１７】本発明の第３の表示装置の断線修復方法
は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法におい
て、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重な
る領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含む
ことを特徴とするものである。
は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法におい
て、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重な
る領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含む
ことを特徴とするものである。
【００１８】本発明の第４の表示装置の断線修復方法
は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方
法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接
した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、
レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最
も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工
程を含むことを特徴とするものである。
は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方
法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接
した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、
レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最
も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工
程を含むことを特徴とするものである。
【００１９】本発明の第５の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の
延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前
記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線と
の間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電
極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換え
たことを特徴とするものである。
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の
延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前
記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線と
の間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電
極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換え
たことを特徴とするものである。
【００２０】本発明の第６の表示装置の断線修復方法
は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行
に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する
辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する
工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と
前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容
量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含
み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画
素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴と
するものである。
は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行
に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する
辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する
工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と
前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容
量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含
み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画
素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴と
するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の第１の実
施の形態を図１〜図４により説明する。図１は本発明の
第１の実施の形態における薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表
示装置の略１画素の平面図であり、図２は、映像信号線
の断線修復方法を説明する第１の平面図、図３は図２に
おけるＡ−Ａ断面図、図４は映像信号線の断線修復方法
を説明する第２の平面図である。
施の形態を図１〜図４により説明する。図１は本発明の
第１の実施の形態における薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス型液晶表
示装置の略１画素の平面図であり、図２は、映像信号線
の断線修復方法を説明する第１の平面図、図３は図２に
おけるＡ−Ａ断面図、図４は映像信号線の断線修復方法
を説明する第２の平面図である。
【００２２】図１〜図４において、１はＴＦＴのゲート
を駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線、３は
蓄積容量線、４は画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部、５は画素電極の周囲の一辺に
沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部、
６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９
は半導体膜、１０は画素電極とドレイン電極とを接続す
るコンタクトホール、１１は画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部
５と映像信号線２との重なり部、１２は蓄積容量線およ
び蓄積容量線の延長部と画素電極との重なり部（蓄積容
量形成部）、１３は画素電極の周囲の一辺と対向する辺
に沿って延在された蓄積容量線の延長部、１４は映像信
号線の断線部、１５はレーザ照射部、１６は絶縁性基
板、１７はゲート絶縁膜、１８は層間絶縁膜、１９は溶
融した金属、２０は切断部、２１は蓄積容量線の延長部
と画素電極の切断部を示している。
を駆動する走査線（ゲート線）、２は映像信号線、３は
蓄積容量線、４は画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部、５は画素電極の周囲の一辺に
沿って延在された蓄積容量線の延長部における突起部、
６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９
は半導体膜、１０は画素電極とドレイン電極とを接続す
るコンタクトホール、１１は画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線３の延長部４における突起部
５と映像信号線２との重なり部、１２は蓄積容量線およ
び蓄積容量線の延長部と画素電極との重なり部（蓄積容
量形成部）、１３は画素電極の周囲の一辺と対向する辺
に沿って延在された蓄積容量線の延長部、１４は映像信
号線の断線部、１５はレーザ照射部、１６は絶縁性基
板、１７はゲート絶縁膜、１８は層間絶縁膜、１９は溶
融した金属、２０は切断部、２１は蓄積容量線の延長部
と画素電極の切断部を示している。
【００２３】図１は蓄積容量を、画素電極と蓄積容量線
および蓄積容量線の延長部との重なり部で形成する方式
（共通Ｃｓ方式）を用いた略１画素を表す平面図を示し
ており、まずその製造工程について図１〜図３を参照し
ながら説明する。絶縁性基板１６上に、走査線１および
蓄積容量線３となる第１層の導電膜を成膜する。第１層
の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、
Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる
薄膜が用いられる。つぎに写真製版工程により第１層の
導電膜をパターニングすることにより走査線１および蓄
積容量線３を形成する。この蓄積容量線３は、図１に示
されるように、１画素内における蓄積容量線３と映像信
号線２との交差部以外の領域において、画素電極の周囲
の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４が形成
され、さらに該蓄積容量線の延長部４から突起部５を有
し、かつ該突起部５が後述する映像信号線２と重なる領
域（重なり部１１）を形成するようにパターニングされ
る。
および蓄積容量線の延長部との重なり部で形成する方式
（共通Ｃｓ方式）を用いた略１画素を表す平面図を示し
ており、まずその製造工程について図１〜図３を参照し
ながら説明する。絶縁性基板１６上に、走査線１および
蓄積容量線３となる第１層の導電膜を成膜する。第１層
の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、
Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる
薄膜が用いられる。つぎに写真製版工程により第１層の
導電膜をパターニングすることにより走査線１および蓄
積容量線３を形成する。この蓄積容量線３は、図１に示
されるように、１画素内における蓄積容量線３と映像信
号線２との交差部以外の領域において、画素電極の周囲
の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部４が形成
され、さらに該蓄積容量線の延長部４から突起部５を有
し、かつ該突起部５が後述する映像信号線２と重なる領
域（重なり部１１）を形成するようにパターニングされ
る。
【００２４】本実施の形態においては上記重なり部１１
は、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画
素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそ
れぞれ１箇所ずつの計２箇所形成している。さらに、上
記画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部１３が形成されるようパターニン
グされている。
は、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるように、１画
素内における映像信号線の長手方向に沿う端部近傍にそ
れぞれ１箇所ずつの計２箇所形成している。さらに、上
記画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部１３が形成されるようパターニン
グされている。
【００２５】その後、プラズマＣＶＤなどの成膜装置に
より、ゲート絶縁膜１７、半導体膜９、オーミックコン
タクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲート絶縁膜１
７としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれ
らの積層膜が用いられる。半導体膜９は、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）など
が用いられる。さらにオーミックコンタクト膜にはａ−
Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを微量にドーピング
したｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用いられる。そして
写真製版工程により半導体膜およびオーミックコンタク
ト膜をドライエッチングなどによりパターニングする。
より、ゲート絶縁膜１７、半導体膜９、オーミックコン
タクト膜（図示せず）を連続形成する。ゲート絶縁膜１
７としては、ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれ
らの積層膜が用いられる。半導体膜９は、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）など
が用いられる。さらにオーミックコンタクト膜にはａ−
Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜に燐（Ｐ）などを微量にドーピング
したｎ−ａ−Ｓｉ、ｎ−ｐ−Ｓｉが用いられる。そして
写真製版工程により半導体膜およびオーミックコンタク
ト膜をドライエッチングなどによりパターニングする。
【００２６】つぎに、映像信号線２となる第２層の導電
膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層した
もの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いること
ができる。そして写真製版工程により映像信号線をパタ
ーニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソ
ース電極７、ドレイン電極８も同時に形成されるように
する。
膜を成膜する。第２層の導電膜としては、たとえばＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添
加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層した
もの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いること
ができる。そして写真製版工程により映像信号線をパタ
ーニングする。この映像信号線のパターニングの際、ソ
ース電極７、ドレイン電極８も同時に形成されるように
する。
【００２７】つぎに、プラズマＣＶＤなどの成膜装置に
より、層間絶縁膜１８を形成する。そして写真製版工程
により該層間絶縁膜１８をパターニングする。層間絶縁
膜１８としては、ゲート絶縁膜１７と同様にＳｉＮｘ，
ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられ
る。この層間絶縁膜１８のパターニングにより、コンタ
クトホール１０が形成され、ドレイン電極８と後述する
画素電極６とが該コンタクトホール１０を介して電気的
に導通可能となる。
より、層間絶縁膜１８を形成する。そして写真製版工程
により該層間絶縁膜１８をパターニングする。層間絶縁
膜１８としては、ゲート絶縁膜１７と同様にＳｉＮｘ，
ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられ
る。この層間絶縁膜１８のパターニングにより、コンタ
クトホール１０が形成され、ドレイン電極８と後述する
画素電極６とが該コンタクトホール１０を介して電気的
に導通可能となる。
【００２８】そして、層間絶縁膜１８上に画素電極６と
なるたとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導
電性薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を
走査線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって
囲まれるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが
形成された絶縁性基板（以下、アレイ基板と称する）が
完成する。
なるたとえばＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明金属である導
電性薄膜を成膜し、写真製版工程により該導電性薄膜を
走査線１、蓄積容量線３および映像信号線２とによって
囲まれるようにパターニングすることで、ＴＦＴなどが
形成された絶縁性基板（以下、アレイ基板と称する）が
完成する。
【００２９】以上のようなアレイ基板製造工程中、映像
信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生に
より、図２のように映像信号線の断線１４が生じる場合
がある。該断線は、アレイ基板の各製造工程中における
画像検査装置などによる検査によって発見される。通
常、映像信号線に断線が生じた場合、駆動回路側から該
断線部までは当該電位は供給されるものの、駆動回路側
から該断線部より遠い領域には当該電位が供給されず、
線欠陥不良となって製造歩留まりの低下をもたらしてい
た。
信号線の成膜またはパターニング中の異物などの発生に
より、図２のように映像信号線の断線１４が生じる場合
がある。該断線は、アレイ基板の各製造工程中における
画像検査装置などによる検査によって発見される。通
常、映像信号線に断線が生じた場合、駆動回路側から該
断線部までは当該電位は供給されるものの、駆動回路側
から該断線部より遠い領域には当該電位が供給されず、
線欠陥不良となって製造歩留まりの低下をもたらしてい
た。
【００３０】よって、上記断線を修復するために、図２
に示すように、画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線
２との重なり部１１のそれぞれの領域において、レーザ
照射部１５にレーザを照射することで、図３に示すよう
に、溶融した金属１９によって蓄積容量線の延長部４と
映像信号線２とを導通させる。このレーザ光は、ＹＡＧ
レーザまたはエキシマレーザであること、さらに該レー
ザ光の波長は０．１〜１．０６μｍであることが好まし
い。またレーザ光の照射方向はアレイ基板の表面側（映
像信号線側）またはアレイ基板の裏面側（蓄積容量線
側）からのどちらからでもよい。また、該レーザ光の照
射強度は、上記のように金属膜に照射する場合、出力密
度１×１０ 2〜１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好
ましい。さらにレーザ照射部１５のレーザ光の照射範囲
としては直径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性
の面から、上記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との
重なり部１１のそれぞれに３〜４箇所程度照射すること
が好ましい。
に示すように、画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線
２との重なり部１１のそれぞれの領域において、レーザ
照射部１５にレーザを照射することで、図３に示すよう
に、溶融した金属１９によって蓄積容量線の延長部４と
映像信号線２とを導通させる。このレーザ光は、ＹＡＧ
レーザまたはエキシマレーザであること、さらに該レー
ザ光の波長は０．１〜１．０６μｍであることが好まし
い。またレーザ光の照射方向はアレイ基板の表面側（映
像信号線側）またはアレイ基板の裏面側（蓄積容量線
側）からのどちらからでもよい。また、該レーザ光の照
射強度は、上記のように金属膜に照射する場合、出力密
度１×１０ 2〜１×１０4Ｊ／ｍ2の範囲であることが好
ましい。さらにレーザ照射部１５のレーザ光の照射範囲
としては直径２μｍ程度が好ましく、接続抵抗の安定性
の面から、上記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部における突起部と映像信号線との
重なり部１１のそれぞれに３〜４箇所程度照射すること
が好ましい。
【００３１】画素電極の周囲の一辺に沿って延在された
蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２
との重なり部１１の必要な大きさは、映像信号線２の線
幅および蓄積容量線と映像信号線とのパターニング時の
位置合わせ精度などに依存し変化するが、該重なり部の
面積は少なくとも２μｍ×５μｍ以上程度であれば接続
可能ではあるが、該重なり部の面積が少なくとも４μｍ
×１０μｍ以上の面積（重なり部）を有していると、上
記蓄積容量線と映像信号線との位置合わせ誤差（最大１
μｍ程度）が生じても、上記直径２μｍ程度のレーザ光
を３〜４箇所程度確実に照射することができ、より安定
した接続およびより確実な断線の修復が可能となり、好
ましい。
蓄積容量線の延長部４における突起部５と映像信号線２
との重なり部１１の必要な大きさは、映像信号線２の線
幅および蓄積容量線と映像信号線とのパターニング時の
位置合わせ精度などに依存し変化するが、該重なり部の
面積は少なくとも２μｍ×５μｍ以上程度であれば接続
可能ではあるが、該重なり部の面積が少なくとも４μｍ
×１０μｍ以上の面積（重なり部）を有していると、上
記蓄積容量線と映像信号線との位置合わせ誤差（最大１
μｍ程度）が生じても、上記直径２μｍ程度のレーザ光
を３〜４箇所程度確実に照射することができ、より安定
した接続およびより確実な断線の修復が可能となり、好
ましい。
【００３２】次に、図４に示すように画素電極の周囲の
一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４におけ
る突起部５と映像信号線２とが重なり部１１において接
続された領域のうち、蓄積容量線３と最も近接した領域
と、蓄積容量線３との間である切断部２０（延長部４が
蓄積容量線３から分岐した部位）をレーザ照射によって
切断する。これにより、蓄積容量線に供給される電位
と、映像信号線に供給される電位とが短絡されることを
防止することができる。
一辺に沿って延在された蓄積容量線３の延長部４におけ
る突起部５と映像信号線２とが重なり部１１において接
続された領域のうち、蓄積容量線３と最も近接した領域
と、蓄積容量線３との間である切断部２０（延長部４が
蓄積容量線３から分岐した部位）をレーザ照射によって
切断する。これにより、蓄積容量線に供給される電位
と、映像信号線に供給される電位とが短絡されることを
防止することができる。
【００３３】また、好ましくは該レーザ照射による切断
は上述したように切断部２０のみであることが望ましい
が、実際にレーザ照射によって切断部２０を切断する
と、レーザ照射部において画素電極の周囲の一辺に沿っ
て延在された蓄積容量線の延長部４と画素電極６とが導
通し、かつ蓄積容量線３と画素電極６とが導通してしま
い、結果として映像信号線と蓄積容量線とが短絡してし
まう場合がある。この場合は、図４の蓄積容量線の延長
部と画素電極の切断部２１に示すように画素電極の周囲
の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における
突起部と映像信号線とが接続された領域のうち、該蓄積
容量線と最も近接した領域と、蓄積容量線との間である
切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極
６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映
像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止することが
できる。この場合、画素電位は映像信号線電位となり、
結果的に該画素は点欠陥となってしまうが、上記映像信
号線の断線による致命的な線欠陥不良を軽微な点欠陥不
良に変更することができ、表示装置の製造歩留りの向上
が可能となる。
は上述したように切断部２０のみであることが望ましい
が、実際にレーザ照射によって切断部２０を切断する
と、レーザ照射部において画素電極の周囲の一辺に沿っ
て延在された蓄積容量線の延長部４と画素電極６とが導
通し、かつ蓄積容量線３と画素電極６とが導通してしま
い、結果として映像信号線と蓄積容量線とが短絡してし
まう場合がある。この場合は、図４の蓄積容量線の延長
部と画素電極の切断部２１に示すように画素電極の周囲
の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部における
突起部と映像信号線とが接続された領域のうち、該蓄積
容量線と最も近接した領域と、蓄積容量線との間である
切断部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極
６と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映
像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止することが
できる。この場合、画素電位は映像信号線電位となり、
結果的に該画素は点欠陥となってしまうが、上記映像信
号線の断線による致命的な線欠陥不良を軽微な点欠陥不
良に変更することができ、表示装置の製造歩留りの向上
が可能となる。
【００３４】また、上記切断部２０へのレーザ照射によ
る映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止するために、
図４のＲに示されるように、切断部２０において画素電
極６が重ならないように画素電極６をパターニングして
もよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切
断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量
線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するよ
うにパターニングする。このような構成とすることによ
り、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映
像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が
点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表
示装置を得ることができる。
る映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止するために、
図４のＲに示されるように、切断部２０において画素電
極６が重ならないように画素電極６をパターニングして
もよい。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切
断部２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量
線３および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するよ
うにパターニングする。このような構成とすることによ
り、レーザ照射による切断は切断部２０のみでよく、映
像信号線と蓄積容量線との短絡を防止し、かつ該画素が
点欠陥不良となることもなく、表示品質の良好な液晶表
示装置を得ることができる。
【００３５】上記の構成および工程により、映像信号線
と蓄積容量線との短絡などの不都合を生じることなく、
かつ製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線
を修復可能となる。
と蓄積容量線との短絡などの不都合を生じることなく、
かつ製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線
を修復可能となる。
【００３６】また、本実施の形態においては、画素電極
の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部に
おける突起部と映像信号線との重なり部１１を２箇所設
けた例について示しているが、それに限定されることな
く、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能
な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することで
も映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１
箇所のみ上記重なり部１１を形成した場合においても、
図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画
素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍
に、蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とが重ならな
い領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容
量線との短絡を防止することができる。
の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部に
おける突起部と映像信号線との重なり部１１を２箇所設
けた例について示しているが、それに限定されることな
く、３箇所以上設けてもよく、さらには１画素内で可能
な限り大きく上記重なり部を１箇所のみ形成することで
も映像信号線の断線が修復可能となる。該１画素内で１
箇所のみ上記重なり部１１を形成した場合においても、
図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部と画
素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近傍
に、蓄積容量線の延長部４と映像信号線２とが重ならな
い領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容
量線との短絡を防止することができる。
【００３７】実施の形態２．本発明の第２の実施の形態
を図５により説明する。図５はＴＦＴを用いたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の略１画素を表す平面図で
ある。図５において、図１〜図４と同じ構成部分につい
ては同一符号を付しており、差異について説明する。図
５において、２２は映像信号線における突起部、２３は
映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部であ
る。図５は、上記第１の実施の形態とは異なり、映像信
号線に突起部２２を形成することで、映像信号線の突起
部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量
線の延長部との重なり部２３を形成している。本実施の
形態の製造工程については、第１の実施の形態と同様で
あるので、説明を省略する。
を図５により説明する。図５はＴＦＴを用いたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の略１画素を表す平面図で
ある。図５において、図１〜図４と同じ構成部分につい
ては同一符号を付しており、差異について説明する。図
５において、２２は映像信号線における突起部、２３は
映像信号線における突起部と画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線の延長部との重なり部であ
る。図５は、上記第１の実施の形態とは異なり、映像信
号線に突起部２２を形成することで、映像信号線の突起
部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量
線の延長部との重なり部２３を形成している。本実施の
形態の製造工程については、第１の実施の形態と同様で
あるので、説明を省略する。
【００３８】上記のような構成とし、その後第１の実施
の形態と同様に、映像信号線における突起部と画素電極
の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と
の重なり部２３において、レーザ照射部１５にレーザ照
射し、映像信号線２と蓄積容量線の延長部４を接続させ
る。そして、第１の実施の形態と同様に、画素電極の周
囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像
信号線の突起部とが接続された領域のうち、蓄積容量線
と最も近接した領域と、該蓄積容量線との間である切断
部２０を切断することで、または図５の蓄積容量線の延
長部と画素電極の切断部２１に示されるように、該切断
部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と
該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信
号線と蓄積容量線との短絡を防止する。これによって、
第１の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
の形態と同様に、映像信号線における突起部と画素電極
の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と
の重なり部２３において、レーザ照射部１５にレーザ照
射し、映像信号線２と蓄積容量線の延長部４を接続させ
る。そして、第１の実施の形態と同様に、画素電極の周
囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部と映像
信号線の突起部とが接続された領域のうち、蓄積容量線
と最も近接した領域と、該蓄積容量線との間である切断
部２０を切断することで、または図５の蓄積容量線の延
長部と画素電極の切断部２１に示されるように、該切断
部２０を含み、かつ蓄積容量線と並行に、画素電極６と
該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部を含めて切断することで、映像信
号線と蓄積容量線との短絡を防止する。これによって、
第１の実施の形態と同様な効果を奏することができる。
【００３９】また、第１の実施の形態と同様に、図５の
Ｒに示されるように、切断部２０において画素電極６が
重ならないように画素電極６をパターニングしてもよ
い。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部
２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３
および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するように
パターニングする。このような構成とすることにより、
第１の実施の形態と同様に、レーザ照射による切断は切
断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡
を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、
表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
Ｒに示されるように、切断部２０において画素電極６が
重ならないように画素電極６をパターニングしてもよ
い。この場合、画素電極６は切断部２０を除き、切断部
２０へのレーザ照射時に、該画素電極６が蓄積容量線３
および画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部４と導通しない程度の間隔を有するように
パターニングする。このような構成とすることにより、
第１の実施の形態と同様に、レーザ照射による切断は切
断部２０のみでよく、映像信号線と蓄積容量線との短絡
を防止し、かつ該画素が点欠陥不良となることもなく、
表示品質の良好な液晶表示装置を得ることができる。
【００４０】さらに、映像信号線における突起部と画素
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部との重なり部２３の面積についても、第１の実施の形
態と同様に、少なくとも２μｍ×５μｍ以上であればよ
く、好ましくは少なくとも４μｍ×１０μｍ以上である
ことが望ましい。
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部との重なり部２３の面積についても、第１の実施の形
態と同様に、少なくとも２μｍ×５μｍ以上であればよ
く、好ましくは少なくとも４μｍ×１０μｍ以上である
ことが望ましい。
【００４１】本実施の形態においては、映像信号線の突
起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部との重なり部２３を上記第１の実施の形態
と同様に、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるよう
に、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部
近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所設けた例について
示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上
設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上
記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の
断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重
なり部２３を形成した場合においても、第１の実施の形
態の図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部
と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近
傍に、映像信号線の突起部２２と画素電極の周囲の一辺
に沿って延在された蓄積容量線の延長部４とが重ならな
い領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容
量線との短絡を防止することができる。
起部と画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部との重なり部２３を上記第１の実施の形態
と同様に、出来るだけ断線の修復範囲が広くなるよう
に、１画素内における映像信号線の長手方向に沿う端部
近傍にそれぞれ１箇所ずつの計２箇所設けた例について
示しているが、それに限定されることなく、３箇所以上
設けてもよく、さらには１画素内で可能な限り大きく上
記重なり部を１箇所のみ形成することでも映像信号線の
断線が修復可能となる。該１画素内で１箇所のみ上記重
なり部２３を形成した場合においても、第１の実施の形
態の図４における切断部２０または蓄積容量線の延長部
と画素電極の切断部２１を確保すべく、蓄積容量線３近
傍に、映像信号線の突起部２２と画素電極の周囲の一辺
に沿って延在された蓄積容量線の延長部４とが重ならな
い領域を形成し、切断することで、映像信号線と蓄積容
量線との短絡を防止することができる。
【００４２】また、上記第１、第２の実施の形態におい
ては、走査線と蓄積容量線とが同一層の導電膜で形成さ
れる例について説明を行っているが、この層構成に限定
されることなく、走査線と蓄積容量線が異なる層の導電
膜で形成される場合であっても、映像信号線と絶縁膜を
介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置
に適用しても、何ら差し支えないことは勿論である。
ては、走査線と蓄積容量線とが同一層の導電膜で形成さ
れる例について説明を行っているが、この層構成に限定
されることなく、走査線と蓄積容量線が異なる層の導電
膜で形成される場合であっても、映像信号線と絶縁膜を
介して交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置
に適用しても、何ら差し支えないことは勿論である。
【００４３】さらに、第１、第２の実施の形態において
は、液晶を用いた表示装置についての説明を行っている
が、液晶を用いた表示装置に限定されることなく、エレ
クトロルミネセンス素子、フィールドシーケンシャルな
どを用いたものであっても、映像信号線と絶縁膜を介し
て交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適
用可能である。
は、液晶を用いた表示装置についての説明を行っている
が、液晶を用いた表示装置に限定されることなく、エレ
クトロルミネセンス素子、フィールドシーケンシャルな
どを用いたものであっても、映像信号線と絶縁膜を介し
て交差する蓄積容量線とを備えたあらゆる表示装置に適
用可能である。
【００４４】
【発明の効果】本発明の第１の表示装置は、絶縁性基板
上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成され
た蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信号線と絶
縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走
査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれ
た画素電極とを備えた表示装置であって、１画素内にお
ける前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の
領域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重
なる領域を有することを特徴としているので、製造工程
を増加させることなく、映像信号線の断線を修復するこ
とが可能となる。
上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成され
た蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信号線と絶
縁膜を介して交差して形成された映像信号線と、前記走
査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線とに囲まれ
た画素電極とを備えた表示装置であって、１画素内にお
ける前記蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の
領域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重
なる領域を有することを特徴としているので、製造工程
を増加させることなく、映像信号線の断線を修復するこ
とが可能となる。
【００４５】本発明の第２の表示装置は、上記第１の表
示装置において、前記１画素内における前記蓄積容量線
と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記
蓄積容量線と前記映像信号線とが重なる領域は、前記蓄
積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とにより形成
されることを特徴としているので、製造工程を増加させ
ることなく、映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
示装置において、前記１画素内における前記蓄積容量線
と前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記
蓄積容量線と前記映像信号線とが重なる領域は、前記蓄
積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在さ
れた蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とにより形成
されることを特徴としているので、製造工程を増加させ
ることなく、映像信号線の断線を修復することが可能と
なる。
【００４６】本発明の第３の表示装置は、上記第１また
は２の表示装置において、前記蓄積容量線または蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域は、１画
素内において少なくとも２箇所以上形成されることを特
徴としているので、製造工程を増加させることなく、映
像信号線の断線を修復することが可能となる。
は２の表示装置において、前記蓄積容量線または蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域は、１画
素内において少なくとも２箇所以上形成されることを特
徴としているので、製造工程を増加させることなく、映
像信号線の断線を修復することが可能となる。
【００４７】本発明の第４の表示装置は、上記第１乃至
３のいずれかの表示装置において、前記蓄積容量線また
は蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
は、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積を有するこ
とを特徴としているので、映像信号線の断線をより安定
して接続可能となり、より確実に修復することが可能と
なる。
３のいずれかの表示装置において、前記蓄積容量線また
は蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
は、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の面積を有するこ
とを特徴としているので、映像信号線の断線をより安定
して接続可能となり、より確実に修復することが可能と
なる。
【００４８】本発明の第１の表示装置の製造方法は、絶
縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に
形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信
号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線
と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線
とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の製造方法で
あって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信
号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と
前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含むこ
とを特徴としているので、製造工程を増加させることな
く、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に
形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記映像信
号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信号線
と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信号線
とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の製造方法で
あって、１画素内における前記蓄積容量線と前記映像信
号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容量線と
前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含むこ
とを特徴としているので、製造工程を増加させることな
く、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
【００４９】本発明の第２の表示装置の製造方法は、上
記第１の表示装置の製造方法において、前記１画素内に
おける蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領
域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重な
る領域を形成する工程は、前記蓄積容量線から前記画素
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含
むことを特徴としているので、製造工程を増加させるこ
となく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得る
ことができる。
記第１の表示装置の製造方法において、前記１画素内に
おける蓄積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領
域において、前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重な
る領域を形成する工程は、前記蓄積容量線から前記画素
電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程を含
むことを特徴としているので、製造工程を増加させるこ
となく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得る
ことができる。
【００５０】本発明の第３の表示装置の製造方法は、上
記第１または２の表示装置の製造方法において、前記蓄
積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記
蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を
含むことを特徴としているので、製造工程を増加させる
ことなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得
ることができる。
記第１または２の表示装置の製造方法において、前記蓄
積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程は、１画素内において前記
蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが重なる領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を
含むことを特徴としているので、製造工程を増加させる
ことなく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得
ることができる。
【００５１】本発明の第４の表示装置の製造方法は、上
記第１乃至３のいずれかの表示装置の製造方法におい
て、前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映
像信号線とが重なる領域を形成する工程は、前記蓄積容
量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重
なる領域において、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の
重なり部を形成する工程を含むことを特徴としているの
で、映像信号線の断線をより安定して接続可能となり、
より確実に修復可能な表示装置を得ることができる。
記第１乃至３のいずれかの表示装置の製造方法におい
て、前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映
像信号線とが重なる領域を形成する工程は、前記蓄積容
量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重
なる領域において、少なくとも４μｍ×１０μｍ以上の
重なり部を形成する工程を含むことを特徴としているの
で、映像信号線の断線をより安定して接続可能となり、
より確実に修復可能な表示装置を得ることができる。
【００５２】本発明の第１の表示装置の断線修復方法
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修
復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前
記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積
容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量
線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のう
ち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容
量線との間を切断する工程とを含むことを特徴としてい
るので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と
蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復
可能な表示装置を得ることができる。
は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と
並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線および前記
映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成された映像信
号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および前記映像信
号線とに囲まれた画素電極とを備えた表示装置の断線修
復方法であって、１画素内における前記蓄積容量線と前
記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積
容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域
を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とを接続する工程と、前記蓄積容量
線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域のう
ち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容
量線との間を切断する工程とを含むことを特徴としてい
るので、製造工程を増加させることなく、映像信号線と
蓄積容量線との短絡を防止し、映像信号線の断線を修復
可能な表示装置を得ることができる。
【００５３】本発明の第２の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を
形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延
長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇
所以上形成する工程を含むことを特徴としているので、
製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修
復可能な表示装置を得ることができる。
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる領域を
形成する工程は、１画素内において前記蓄積容量線の延
長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇
所以上形成する工程を含むことを特徴としているので、
製造工程を増加させることなく、映像信号線の断線を修
復可能な表示装置を得ることができる。
【００５４】本発明の第３の表示装置の断線修復方法
は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法におい
て、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重な
る領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含む
ことを特徴としているので、製造工程を増加させること
なく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得るこ
とができる。
は、上記第１または２の表示装置の断線修復方法におい
て、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重な
る領域において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とを接続する工程は、レーザ照射により前記蓄積容
量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程を含む
ことを特徴としているので、製造工程を増加させること
なく、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得るこ
とができる。
【００５５】本発明の第４の表示装置の断線修復方法
は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方
法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接
した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、
レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最
も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工
程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加さ
せることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止
し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
は、上記第１乃至３のいずれかの表示装置の断線修復方
法において、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線
とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接
した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程は、
レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記映像
信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最
も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工
程を含むことを特徴としているので、製造工程を増加さ
せることなく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を防止
し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
【００５６】本発明の第５の表示装置の断線修復方法
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の
延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前
記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線と
の間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電
極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換え
たことを特徴としているので、製造工程を増加させるこ
となく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止
し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
は、上記第１の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を切断する工程を、前記蓄積容量線の
延長部と前記映像信号線とが接続された領域のうち、前
記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線と
の間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電
極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部とを切断する工程に置き換え
たことを特徴としているので、製造工程を増加させるこ
となく、映像信号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止
し、映像信号線の断線を修復可能な表示装置を得ること
ができる。
【００５７】本発明の第６の表示装置の断線修復方法
は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行
に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する
辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する
工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と
前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容
量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含
み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画
素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴と
しているので、製造工程を増加させることなく、映像信
号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線
の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
は、上記第５の表示装置の断線修復方法において、前記
蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領
域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記
蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行
に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する
辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する
工程は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と
前記映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容
量線と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含
み、かつ前記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画
素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄
積容量線の延長部とを切断する工程を含むことを特徴と
しているので、製造工程を増加させることなく、映像信
号線と蓄積容量線との短絡を確実に防止し、映像信号線
の断線を修復可能な表示装置を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における表示装置の
略１画素の平面図である。
略１画素の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における映像信号線
の断線修復方法を説明する第１の平面図である。
の断線修復方法を説明する第１の平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における映像信号線
の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
の断線修復方法を説明する第２の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における表示装置の
略１画素の平面図である。
略１画素の平面図である。
【図６】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平
面図である。
面図である。
【図７】従来技術の液晶表示装置における略１画素の平
面図である。
面図である。
１ａ、１ｂ 走査線
２ａ、２ｂ 映像信号線
３ 蓄積容量線
４ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量
線の延長部 ５ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量
線の延長部における突起部 ６ 画素電極 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ 半導体膜 １０ コンタクトホール １１ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部 １２ 画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部
との重なり部（蓄積容量形成部） １３ 画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部 １４ 映像信号線の断線部 １５ レーザ照射部 １６ 絶縁性基板 １７ ゲート絶縁膜 １８ 層間絶縁膜 １９ 溶融した金属 ２０ 切断部 ２１ 蓄積容量線の延長部と画素電極との切断部 ２２ 映像信号線の突起部 ２３ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部と映像信号線の突起部との重なり部 ２４ 蓄積容量電極（第１の導電性電極） ２５ ゲート電極 ２６ チャネル保護膜（絶縁層） ２７ａ、２７ｂ コンタクトホール ２８ 第２の導電性電極 ２９ 第３の導電性電極 ３０ａ、３０ｂ レーザ照射部 ３１ａ、３１ｂ レーザ照射部 ３２ 切断部 ３３ レーザ照射部 ３４ 蓄積容量電極 ３５ 走査線の断線部 ３６ レーザショット部 ３７ 非晶質シリコン層
線の延長部 ５ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容量
線の延長部における突起部 ６ 画素電極 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ 半導体膜 １０ コンタクトホール １１ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部における突起部と映像信号線との重なり部 １２ 画素電極と蓄積容量線および蓄積容量線の延長部
との重なり部（蓄積容量形成部） １３ 画素電極の周囲の一辺と対向する辺に沿って延在
された蓄積容量線の延長部 １４ 映像信号線の断線部 １５ レーザ照射部 １６ 絶縁性基板 １７ ゲート絶縁膜 １８ 層間絶縁膜 １９ 溶融した金属 ２０ 切断部 ２１ 蓄積容量線の延長部と画素電極との切断部 ２２ 映像信号線の突起部 ２３ 画素電極の周囲の一辺に沿って延在された蓄積容
量線の延長部と映像信号線の突起部との重なり部 ２４ 蓄積容量電極（第１の導電性電極） ２５ ゲート電極 ２６ チャネル保護膜（絶縁層） ２７ａ、２７ｂ コンタクトホール ２８ 第２の導電性電極 ２９ 第３の導電性電極 ３０ａ、３０ｂ レーザ照射部 ３１ａ、３１ｂ レーザ照射部 ３２ 切断部 ３３ レーザ照射部 ３４ 蓄積容量電極 ３５ 走査線の断線部 ３６ レーザショット部 ３７ 非晶質シリコン層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ａ
(72)発明者 中山 明男
熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株
式会社アドバンスト・ディスプレイ内
Ｆターム(参考） 2H088 FA14 HA02 HA04 HA08 MA20
2H092 HA06 JA24 JA46 JB64 JB69
KA05 KA12 KA18 MA08 MA12
MA47 NA16 NA29 PA01
5C094 AA42 AA43 AA48 BA03 BA27
BA43 CA19 DA13 DB04 EA04
EA10 FA01 FB12 FB15 GB10
JA08
5F110 AA27 BB01 CC07 EE02 EE03
EE04 FF02 FF03 FF04 FF30
GG02 GG13 GG15 GG45 HK02
HK03 HK04 HK09 HK14 HK16
HK25 HK35 HL07 NN02 NN22
NN23 NN24 NN35 NN72 NN73
QQ09
5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 HH12
HH14 KK05
Claims (14)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された走査線と、前
記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線
および前記映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成さ
れた映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および
前記映像信号線とに囲まれた画素電極と、を備えた表示
装置であって、１画素内における前記蓄積容量線と前記
映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容
量線と前記映像信号線とが重なる領域を有することを特
徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記１画素内における前記蓄積容量線と
前記映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄
積容量線と前記映像信号線とが重なる領域は、前記蓄積
容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿って延在され
た蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とにより形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域は、１画素内におい
て少なくとも２箇所以上形成されることを特徴とする請
求項１または２記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域は、少なくとも４μ
ｍ×１０μｍ以上の面積を有することを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 絶縁性基板上に形成された走査線と、前
記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線
および前記映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成さ
れた映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および
前記映像信号線とに囲まれた画素電極と、を備えた表示
装置の製造方法であって、１画素内における前記蓄積容
量線と前記映像信号線との交差部以外の領域において、
前記蓄積容量線と前記映像信号線とが重なる領域を形成
する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記１画素内における蓄積容量線と前記
映像信号線との交差部以外の領域において、前記蓄積容
量線と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程
は、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程を含むことを特徴とする請
求項５記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、
１画素内において前記蓄積容量線または蓄積容量線の延
長部と前記映像信号線とが重なる領域を少なくとも２箇
所以上形成する工程を含むことを特徴とする請求項５ま
たは６記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域を形成する工程は、
前記蓄積容量線または蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが重なる領域において、少なくとも４μｍ×１０
μｍ以上の重なり部を形成する工程を含むことを特徴と
する請求項５乃至７のいずれかに記載の表示装置の製造
方法。 - 【請求項９】 絶縁性基板上に形成された走査線と、前
記走査線と並行に形成された蓄積容量線と、前記走査線
および前記映像信号線と絶縁膜を介して交差して形成さ
れた映像信号線と、前記走査線、前記蓄積容量線および
前記映像信号線とに囲まれた画素電極と、を備えた表示
装置の断線修復方法であって、１画素内における前記蓄
積容量線と前記映像信号線との交差部以外の領域におい
て、前記蓄積容量線から前記画素電極の周囲の一辺に沿
って延在された蓄積容量線の延長部と前記映像信号線と
が重なる領域を形成する工程と、前記蓄積容量線の延長
部と前記映像信号線とが重なる領域において、前記蓄積
容量線の延長部と前記映像信号線とを接続する工程と、
前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続され
た領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、
前記蓄積容量線との間を切断する工程と、を含むことを
特徴とする表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１０】 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが重なる領域を形成する工程は、１画素内におい
て前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが重なる
領域を少なくとも２箇所以上形成する工程を含むことを
特徴とする請求項９記載の表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１１】 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが重なる領域において、前記蓄積容量線の延長部
と前記映像信号線とを接続する工程は、レーザ照射によ
り前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とを接続す
る工程を含むことを特徴とする請求項９または１０記載
の表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１２】 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も
近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程
は、レーザ照射により、前記蓄積容量線の延長部と前記
映像信号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線
と最も近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断す
る工程を含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいず
れかに記載の表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１３】 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も
近接した領域と、前記蓄積容量線との間を切断する工程
を、前記蓄積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続
された領域のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域
と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線
と並行に、前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対
向する辺に沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切
断する工程に置き換えたことを特徴とする請求項９記載
の表示装置の断線修復方法。 - 【請求項１４】 前記蓄積容量線の延長部と前記映像信
号線とが接続された領域のうち、前記蓄積容量線と最も
近接した領域と、前記蓄積容量線との間を含み、かつ前
記蓄積容量線と並行に、前記画素電極と該画素電極の周
囲の一辺と対向する辺に沿って延在された蓄積容量線の
延長部とを切断する工程は、レーザ照射により、前記蓄
積容量線の延長部と前記映像信号線とが接続された領域
のうち、前記蓄積容量線と最も近接した領域と、前記蓄
積容量線との間を含み、かつ前記蓄積容量線と並行に、
前記画素電極と該画素電極の周囲の一辺と対向する辺に
沿って延在された蓄積容量線の延長部とを切断する工程
を含むことを特徴とする請求項１３記載の表示装置の断
線修復方法。
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