JP2001147649A - 表示装置及びその欠陥修復方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表示装置の製造工程において発生した層間短絡
や同層短絡などの欠陥を従来よりも高い成功率で容易に
修復して良品化することができる表示装置及びその欠陥
修復方法を提供することを目的とする。 【解決手段】１回目のレーザ照射として、ドレインバス
ライン２２０がゲートバスライン２１８を完全に覆って
いる部分にスリットＳ１を形成してレーザ照射を行い、
図５（ｂ）に示すように、層間短絡２９０の隣にドレイ
ンバスライン２２０の交差部を２つに裂くようなゲート
バスライン２１８の幅よりも長い切断部を形成する。次
に図５（ｃ）に示すように、第２回目及び第３回目のレ
ーザ照射として、それぞれスリットＳ２、Ｓ３でドレイ
ンバスライン２２０内の切断部（Ｓ１で示す）両端部を
切断して、ドレインバスライン２２０の層間短絡２９０
を孤立させる。
や同層短絡などの欠陥を従来よりも高い成功率で容易に
修復して良品化することができる表示装置及びその欠陥
修復方法を提供することを目的とする。 【解決手段】１回目のレーザ照射として、ドレインバス
ライン２２０がゲートバスライン２１８を完全に覆って
いる部分にスリットＳ１を形成してレーザ照射を行い、
図５（ｂ）に示すように、層間短絡２９０の隣にドレイ
ンバスライン２２０の交差部を２つに裂くようなゲート
バスライン２１８の幅よりも長い切断部を形成する。次
に図５（ｃ）に示すように、第２回目及び第３回目のレ
ーザ照射として、それぞれスリットＳ２、Ｓ３でドレイ
ンバスライン２２０内の切断部（Ｓ１で示す）両端部を
切断して、ドレインバスライン２２０の層間短絡２９０
を孤立させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置及びその
欠陥修復方法に係り、特に、液晶表示装置の製造工程に
おいて発生した層間短絡や同層短絡などの欠陥を従来よ
りも高い成功率で容易に修復（リペア）して良品化した
液晶表示装置及びその欠陥修復方法に関する。
欠陥修復方法に係り、特に、液晶表示装置の製造工程に
おいて発生した層間短絡や同層短絡などの欠陥を従来よ
りも高い成功率で容易に修復（リペア）して良品化した
液晶表示装置及びその欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３０はアクティブマトリクス型液晶表
示装置の構成の一例を示している。液晶パネルはＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）等が形成されたＴＦＴ基板２００
とカラーフィルタ（ＣＦ）等が形成されたＣＦ基板２０
４の２枚のガラス基板を対向させてその間に液晶２０４
を封止して貼り合わせた構造を有している。
示装置の構成の一例を示している。液晶パネルはＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）等が形成されたＴＦＴ基板２００
とカラーフィルタ（ＣＦ）等が形成されたＣＦ基板２０
４の２枚のガラス基板を対向させてその間に液晶２０４
を封止して貼り合わせた構造を有している。
【０００３】図３１はＴＦＴ基板２００上に形成された
素子の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２００上に
は、図中左右に延びるゲートバスライン２１８が平行に
複数形成され、それらに交差して図中上下に延びるドレ
インバスライン２２０が平行に複数形成されている。複
数のゲートバスライン２１８とドレインバスライン２２
０とで囲まれた各領域が画素領域となる。画素領域内に
はＴＦＴ２２２と透明電極材料からなる表示電極２２４
が形成されている。各ＴＦＴ２２２のドレイン電極は隣
接するドレインバスライン２２０に接続され、ゲート電
極は隣接するゲートバスライン２１８に接続され、ソー
ス電極は表示電極２２４に接続されている。基板面に対
して表示電極２２４下方にはゲートバスライン２１８と
平行に蓄積容量バスライン２２６が形成されている。こ
れらのＴＦＴ２２２や各バスライン２１８、２２０、２
２６は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→
レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥
離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成され
る。
素子の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２００上に
は、図中左右に延びるゲートバスライン２１８が平行に
複数形成され、それらに交差して図中上下に延びるドレ
インバスライン２２０が平行に複数形成されている。複
数のゲートバスライン２１８とドレインバスライン２２
０とで囲まれた各領域が画素領域となる。画素領域内に
はＴＦＴ２２２と透明電極材料からなる表示電極２２４
が形成されている。各ＴＦＴ２２２のドレイン電極は隣
接するドレインバスライン２２０に接続され、ゲート電
極は隣接するゲートバスライン２１８に接続され、ソー
ス電極は表示電極２２４に接続されている。基板面に対
して表示電極２２４下方にはゲートバスライン２１８と
平行に蓄積容量バスライン２２６が形成されている。こ
れらのＴＦＴ２２２や各バスライン２１８、２２０、２
２６は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→
レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥
離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成され
る。
【０００４】図３０に戻り、液晶２０４を封止してＣＦ
基板２０４と対向配置されたＴＦＴ基板２００には、複
数のゲートバスライン２１８を駆動するドライバＩＣが
実装されたゲート駆動回路２０６と、複数のドレインバ
スライン２２０を駆動するドライバＩＣが実装されたド
レイン駆動回路２０８とが設けられている。これらの駆
動回路２０６、２０８は、制御回路２１６から出力され
た所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定
のゲートバスライン２１８あるいはドレインバスライン
２２０に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２００
の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２１２が配置
され、偏光板２１２のＴＦＴ基板２００と反対側の面に
はバックライトユニット２１４が取り付けられている。
一方、ＣＦ基板２０４のＣＦ形成面と反対側の面には、
偏光板２１２とクロスニコルに配置された偏光板２１０
が貼り付けられている。
基板２０４と対向配置されたＴＦＴ基板２００には、複
数のゲートバスライン２１８を駆動するドライバＩＣが
実装されたゲート駆動回路２０６と、複数のドレインバ
スライン２２０を駆動するドライバＩＣが実装されたド
レイン駆動回路２０８とが設けられている。これらの駆
動回路２０６、２０８は、制御回路２１６から出力され
た所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定
のゲートバスライン２１８あるいはドレインバスライン
２２０に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２００
の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２１２が配置
され、偏光板２１２のＴＦＴ基板２００と反対側の面に
はバックライトユニット２１４が取り付けられている。
一方、ＣＦ基板２０４のＣＦ形成面と反対側の面には、
偏光板２１２とクロスニコルに配置された偏光板２１０
が貼り付けられている。
【０００５】ＴＦＴ２２２の構造には、基板面に対して
ゲート電極上部にソース／ドレイン電極が形成された逆
スタガ型や、ソース／ドレイン電極上部にゲート電極が
形成されたスタガ型あるいはプレーナ型等がある。図３
２は、代表的な逆スタガ型ＴＦＴを備えた画素領域の概
略構成を示している。図３２（ａ）は、基板面に向かっ
て見た画素領域を表し、図３２（ｂ）は、図３２（ａ）
のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ断面を示している。また、
図３２（ｃ）は、図３２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断したゲ
ートバスライン２１８（又は蓄積容量バスライン２２
６）とドレインバスラインの交差領域の断面を示してい
る。
ゲート電極上部にソース／ドレイン電極が形成された逆
スタガ型や、ソース／ドレイン電極上部にゲート電極が
形成されたスタガ型あるいはプレーナ型等がある。図３
２は、代表的な逆スタガ型ＴＦＴを備えた画素領域の概
略構成を示している。図３２（ａ）は、基板面に向かっ
て見た画素領域を表し、図３２（ｂ）は、図３２（ａ）
のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ断面を示している。また、
図３２（ｃ）は、図３２（ａ）のＢ−Ｂ線で切断したゲ
ートバスライン２１８（又は蓄積容量バスライン２２
６）とドレインバスラインの交差領域の断面を示してい
る。
【０００６】図３２に示すように、ＴＦＴ２２２は、ゲ
ートバスライン２１８とドレインバスライン２２０との
交差位置近傍に形成されている。ＴＦＴ２２２のドレイ
ン電極２３０はドレインバスライン２２０から引き出さ
れ、その端部が、ゲートバスライン２１８上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコンで形成された
動作半導体層２３２と、その上に形成されたチャネル保
護膜２４２の一端辺側に位置するように形成されてい
る。
ートバスライン２１８とドレインバスライン２２０との
交差位置近傍に形成されている。ＴＦＴ２２２のドレイ
ン電極２３０はドレインバスライン２２０から引き出さ
れ、その端部が、ゲートバスライン２１８上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコンで形成された
動作半導体層２３２と、その上に形成されたチャネル保
護膜２４２の一端辺側に位置するように形成されてい
る。
【０００７】一方、ソース電極２２８は動作半導体層２
３２及びチャネル保護膜２４２上の他端辺側に位置する
ように形成されている。このような構成においてチャネ
ル保護膜２４２直下のゲートバスライン２１８領域が当
該ＴＦＴ２２２のゲート電極として機能するようになっ
ている。
３２及びチャネル保護膜２４２上の他端辺側に位置する
ように形成されている。このような構成においてチャネ
ル保護膜２４２直下のゲートバスライン２１８領域が当
該ＴＦＴ２２２のゲート電極として機能するようになっ
ている。
【０００８】また、図３２（ｂ）に示すように、ゲート
バスライン２１８上にはゲート絶縁膜２４０が形成さ
れ、チャネルを構成する動作半導体層２３２はゲートバ
スライン２１８直上のゲート絶縁膜２４０上に形成され
ている。また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる補助容
量バスライン２２６が形成されている。補助容量バスラ
イン２２６の上層には絶縁膜２４０を介して画素毎に蓄
積容量電極２３６が形成されている。ソース電極２２８
および蓄積容量電極２３６の上層には透明電極からなる
画素電極２２４が形成されている。画素電極２２４は、
その下方に形成した保護膜２４４に設けられたコンタク
トホール２３４を介してソース電極２２８と電気的に接
続されている。また画素電極２２４は、コンタクトホー
ル２３８を介して蓄積容量電極２３６と電気的に接続さ
れている。
バスライン２１８上にはゲート絶縁膜２４０が形成さ
れ、チャネルを構成する動作半導体層２３２はゲートバ
スライン２１８直上のゲート絶縁膜２４０上に形成され
ている。また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる補助容
量バスライン２２６が形成されている。補助容量バスラ
イン２２６の上層には絶縁膜２４０を介して画素毎に蓄
積容量電極２３６が形成されている。ソース電極２２８
および蓄積容量電極２３６の上層には透明電極からなる
画素電極２２４が形成されている。画素電極２２４は、
その下方に形成した保護膜２４４に設けられたコンタク
トホール２３４を介してソース電極２２８と電気的に接
続されている。また画素電極２２４は、コンタクトホー
ル２３８を介して蓄積容量電極２３６と電気的に接続さ
れている。
【０００９】以上説明したＴＦＴ構造は逆スタガ型であ
るが、例えばスタガ型やプレーナ型では最下層にドレイ
ン電極があり、ゲート電極はその上部にあるという逆の
構造になっている。いずれの構造にせよここで留意すべ
きは各メタル層が絶縁膜を介して積層されて交差してい
る点である。
るが、例えばスタガ型やプレーナ型では最下層にドレイ
ン電極があり、ゲート電極はその上部にあるという逆の
構造になっている。いずれの構造にせよここで留意すべ
きは各メタル層が絶縁膜を介して積層されて交差してい
る点である。
【００１０】図３３はメタル層間が何らかの原因で短絡
した場合の従来のリペア方法を示している。図３３
（ａ）は、基板面に向かって見た画素領域を表し、図３
３（ｂ）は、図３３（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を
示している。また、図３４は、ＴＦＴ基板２００に形成
されたリペア配線を示している。ここで、図３０乃至図
３２を用いて説明した構成要素と同一の機能作用を有す
るものには同一の符号を付してその説明は省略する。
した場合の従来のリペア方法を示している。図３３
（ａ）は、基板面に向かって見た画素領域を表し、図３
３（ｂ）は、図３３（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を
示している。また、図３４は、ＴＦＴ基板２００に形成
されたリペア配線を示している。ここで、図３０乃至図
３２を用いて説明した構成要素と同一の機能作用を有す
るものには同一の符号を付してその説明は省略する。
【００１１】図３３（ａ）、（ｂ）は、蓄積容量バスラ
イン２２６とドレインバスライン２２０とがゲート絶縁
膜２４０を貫通して層間短絡２９０を生じている状態を
示している。層間短絡２９０があると当該ドレインバス
ライン２２０に所定の電圧が印加されなくなるため線状
の表示欠陥が発生する。この表示欠陥を修復するために
レーザを用いたリペアが行われる。
イン２２６とドレインバスライン２２０とがゲート絶縁
膜２４０を貫通して層間短絡２９０を生じている状態を
示している。層間短絡２９０があると当該ドレインバス
ライン２２０に所定の電圧が印加されなくなるため線状
の表示欠陥が発生する。この表示欠陥を修復するために
レーザを用いたリペアが行われる。
【００１２】このリペア方法は、第１に、欠陥画素のド
レイン電極２３０と層間短絡２９０との間の切断位置３
００のドレインバスライン２２０をレーザ光の照射によ
り切断する。第２に、層間短絡２９０と次の画素のドレ
イン電極２３０との間の切断位置３０１のドレインバス
ライン２２０をレーザ光の照射により切断する。これに
より層間短絡２９０の短絡箇所を孤立させる。
レイン電極２３０と層間短絡２９０との間の切断位置３
００のドレインバスライン２２０をレーザ光の照射によ
り切断する。第２に、層間短絡２９０と次の画素のドレ
イン電極２３０との間の切断位置３０１のドレインバス
ライン２２０をレーザ光の照射により切断する。これに
より層間短絡２９０の短絡箇所を孤立させる。
【００１３】第３に、図３４に示すように予めＴＦＴ基
板２００上にリペア用に設けられている予備配線（リペ
ア配線）３０２、３０３を用いて、切断されたドレイン
バスライン２２０にドレイン駆動回路２０８からの所定
の電圧が印加されるようにする。
板２００上にリペア用に設けられている予備配線（リペ
ア配線）３０２、３０３を用いて、切断されたドレイン
バスライン２２０にドレイン駆動回路２０８からの所定
の電圧が印加されるようにする。
【００１４】図３４に示す表示領域（ａ）内で平行且つ
等間隔に形成された複数のドレインバスライン２２０は
引き出し配線部（ｂ）で収束し、端子部（ｃ）において
ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）実装によりドライバＩＣがＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌ
ｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に搭載されたＴ
ＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）に
接続されている。
等間隔に形成された複数のドレインバスライン２２０は
引き出し配線部（ｂ）で収束し、端子部（ｃ）において
ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）実装によりドライバＩＣがＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌ
ｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に搭載されたＴ
ＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）に
接続されている。
【００１５】リペア配線３０２は、表示領域（ａ）のド
レイン駆動回路２０８側端部で複数のドレインバスライ
ン２２０と絶縁膜を介して交差するように形成され、複
数のドレインバスライン２２０と共に引き出し配線部
（ｂ）を通って端子部（ｃ）においてＴＣＰに接続され
ている。リペア配線３０２はゲートバスライン２１８形
成用メタルを用いて形成され、通常は絶縁膜２４０によ
りドレインバスライン２２０と絶縁されている。
レイン駆動回路２０８側端部で複数のドレインバスライ
ン２２０と絶縁膜を介して交差するように形成され、複
数のドレインバスライン２２０と共に引き出し配線部
（ｂ）を通って端子部（ｃ）においてＴＣＰに接続され
ている。リペア配線３０２はゲートバスライン２１８形
成用メタルを用いて形成され、通常は絶縁膜２４０によ
りドレインバスライン２２０と絶縁されている。
【００１６】あるドレインバスライン２２０に層間短絡
２９０による欠陥が発生したら、当該ドレインバスライ
ン２２０とリペア配線３０２との交差領域３０４にレー
ザ光を照射して両配線メタルを溶融して接続し導通をと
る。なお、このリペア時のレーザ光照射条件は、後述の
図１（ｂ）の（ＩＩＩ）に示すレーザ強度である。
２９０による欠陥が発生したら、当該ドレインバスライ
ン２２０とリペア配線３０２との交差領域３０４にレー
ザ光を照射して両配線メタルを溶融して接続し導通をと
る。なお、このリペア時のレーザ光照射条件は、後述の
図１（ｂ）の（ＩＩＩ）に示すレーザ強度である。
【００１７】リペア配線３０２はプリント基板２５０を
通ってゲート駆動回路２０６側から駆動回路の非実装側
のリペア配線３０３と接続されている。駆動回路の非実
装側のリペア配線３０３もゲートバスライン２１８形成
用メタルを用いて形成され、絶縁膜２４０を介して複数
のドレインバスライン２２０に交差して形成されてい
る。リペア時には、層間短絡２９０を生じているドレイ
ンバスライン２２０とリペア配線３０２との交差領域３
０４にレーザ光を照射すると共に、当該ドレインバスラ
イン２２０とリペア配線３０３との交差領域３０５にも
レーザ光を照射することで両者を溶融して接続し導通を
とる。このようにして、層間短絡２９０の短絡個所を切
断したドレインバスライン２２０に対してドレイン駆動
回路２０８の反対側からも所定の電圧を印加して線状の
表示欠陥の発生を防止するリペアが行われる。
通ってゲート駆動回路２０６側から駆動回路の非実装側
のリペア配線３０３と接続されている。駆動回路の非実
装側のリペア配線３０３もゲートバスライン２１８形成
用メタルを用いて形成され、絶縁膜２４０を介して複数
のドレインバスライン２２０に交差して形成されてい
る。リペア時には、層間短絡２９０を生じているドレイ
ンバスライン２２０とリペア配線３０２との交差領域３
０４にレーザ光を照射すると共に、当該ドレインバスラ
イン２２０とリペア配線３０３との交差領域３０５にも
レーザ光を照射することで両者を溶融して接続し導通を
とる。このようにして、層間短絡２９０の短絡個所を切
断したドレインバスライン２２０に対してドレイン駆動
回路２０８の反対側からも所定の電圧を印加して線状の
表示欠陥の発生を防止するリペアが行われる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】１つのパネル内に生じ
た複数の欠陥をどれだけ救済できるかは、リペア配線３
０２、３０３の本数によって決まる。しかし、パネルの
狭額緑化が要求されている現状において、リペア配線３
０２、３０３の増加は基板上のリペア配線３０２、３０
３の面積の増大を招来するため好ましくない。またリペ
ア配線３０２、３０３とドレインバスライン２２０との
交差部で余計な容量が構成されるため、ドレイン駆動回
路２０８の負荷が増大してしまう点もリペア配線を増や
せない一因となっている。また例えば、パネル内に２本
のリペア配線を配置しても、３本以上のドレインバスラ
インで層間短絡が生じてしまえば完全なリペアはできな
くなり不良パネルとなってしまう。また、層間短絡だけ
でなくドレインバスライン２２０の断線不良や同層短絡
でもリペア配線を必要とする場合が多く、それらの欠陥
が重なって生じた場合には層間短絡を生じたドレインバ
スラインが１本だけでも不良パネルとなる可能性があ
る。
た複数の欠陥をどれだけ救済できるかは、リペア配線３
０２、３０３の本数によって決まる。しかし、パネルの
狭額緑化が要求されている現状において、リペア配線３
０２、３０３の増加は基板上のリペア配線３０２、３０
３の面積の増大を招来するため好ましくない。またリペ
ア配線３０２、３０３とドレインバスライン２２０との
交差部で余計な容量が構成されるため、ドレイン駆動回
路２０８の負荷が増大してしまう点もリペア配線を増や
せない一因となっている。また例えば、パネル内に２本
のリペア配線を配置しても、３本以上のドレインバスラ
インで層間短絡が生じてしまえば完全なリペアはできな
くなり不良パネルとなってしまう。また、層間短絡だけ
でなくドレインバスライン２２０の断線不良や同層短絡
でもリペア配線を必要とする場合が多く、それらの欠陥
が重なって生じた場合には層間短絡を生じたドレインバ
スラインが１本だけでも不良パネルとなる可能性があ
る。
【００１９】また、レーザ光照射によるリペアの接続成
功の確率は必ずしも１００％ではない。メタル材料にも
よるがレーザ条件を最適化しても６０〜８０％程度の確
率しか得られない。レーザ光照射位置を増加してもせい
ぜい９０％程度の確率に止まり、残り１０％分は不良パ
ネルが発生してしまう。
功の確率は必ずしも１００％ではない。メタル材料にも
よるがレーザ条件を最適化しても６０〜８０％程度の確
率しか得られない。レーザ光照射位置を増加してもせい
ぜい９０％程度の確率に止まり、残り１０％分は不良パ
ネルが発生してしまう。
【００２０】また、レーザ光照射による従来の接続リペ
アは１箇所の層間短絡でパネル内の多数の場所にレーザ
光を照射する必要があり、非常に手間がかかり且つレー
ザ光照射位置のアドレスを間違えるような作業ミスを誘
発するという問題も有している。
アは１箇所の層間短絡でパネル内の多数の場所にレーザ
光を照射する必要があり、非常に手間がかかり且つレー
ザ光照射位置のアドレスを間違えるような作業ミスを誘
発するという問題も有している。
【００２１】また、上述のように従来は図３４における
表示領域（ａ）での断線等を想定してリペア配線３０
２、３０３が配置されている。一方、近年の狭額縁化の
要求に伴い、引き出し配線部（ｂ）における配線幅、配
線間隔は狭くせざるを得ず配線の断線や短絡などの不良
が発生し易くなっている。このため、引き出し配線部
（ｂ）での不良にも対応できる修復方法が望まれてい
る。
表示領域（ａ）での断線等を想定してリペア配線３０
２、３０３が配置されている。一方、近年の狭額縁化の
要求に伴い、引き出し配線部（ｂ）における配線幅、配
線間隔は狭くせざるを得ず配線の断線や短絡などの不良
が発生し易くなっている。このため、引き出し配線部
（ｂ）での不良にも対応できる修復方法が望まれてい
る。
【００２２】本発明の目的は、表示装置の製造工程にお
いて発生した層間短絡や同層短絡などの欠陥を従来より
も高い成功率で容易に修復して良品化することができる
表示装置及びその欠陥修復方法を提供することにある。
いて発生した層間短絡や同層短絡などの欠陥を従来より
も高い成功率で容易に修復して良品化することができる
表示装置及びその欠陥修復方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に画
素領域が形成された表示装置の欠陥修復方法において、
複数の導電層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対
してレーザ光を照射して、前記積層領域に層間短絡ある
いは同層短絡が生じないように前記積層領域近傍の上層
の導電層だけを選択的に除去する工程を含むことを特徴
とする欠陥修復方法によって達成される。
素領域が形成された表示装置の欠陥修復方法において、
複数の導電層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対
してレーザ光を照射して、前記積層領域に層間短絡ある
いは同層短絡が生じないように前記積層領域近傍の上層
の導電層だけを選択的に除去する工程を含むことを特徴
とする欠陥修復方法によって達成される。
【００２４】また、上記目的は、基板上に画素領域が形
成された表示装置の欠陥修復方法において、複数の導電
層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対してレーザ
光を照射して、前記積層領域の前記複数の導電層を層間
短絡しないように除去する工程を含むことを特徴とする
欠陥修復方法によって達成される。
成された表示装置の欠陥修復方法において、複数の導電
層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対してレーザ
光を照射して、前記積層領域の前記複数の導電層を層間
短絡しないように除去する工程を含むことを特徴とする
欠陥修復方法によって達成される。
【００２５】本発明によれば、リペア配線を用いずに層
間短絡をリペアできる。レーザの出力パワーを最適化す
ることで積層部において一方のみを溶解・蒸発させる、
あるいは両方のメタルを溶解かつ接続しないように蒸発
させることができる。
間短絡をリペアできる。レーザの出力パワーを最適化す
ることで積層部において一方のみを溶解・蒸発させる、
あるいは両方のメタルを溶解かつ接続しないように蒸発
させることができる。
【００２６】さらに上記目的は、基板上に画素領域が形
成された表示装置の欠陥修復方法において、ゲートバス
ラインに生じた断線部に対し、前記ゲートバスラインと
絶縁膜を介して形成されたＴＦＴのドレイン電極、ソー
ス電極、あるいは画素電極や蓄積容量バスラインを、レ
ーザ光の局所的な照射により分離あるいは接続してバイ
パス路を形成することにより前記断線部を修復すること
を特徴とする欠陥修復方法によって達成される。
成された表示装置の欠陥修復方法において、ゲートバス
ラインに生じた断線部に対し、前記ゲートバスラインと
絶縁膜を介して形成されたＴＦＴのドレイン電極、ソー
ス電極、あるいは画素電極や蓄積容量バスラインを、レ
ーザ光の局所的な照射により分離あるいは接続してバイ
パス路を形成することにより前記断線部を修復すること
を特徴とする欠陥修復方法によって達成される。
【００２７】またさらに上記目的は、複数のバスライン
が表示領域内に形成された表示装置において、前記表示
領域から前記複数のバスラインの各端子に至る間の引き
出し配線部で生じた断線を修復する、複数の引き出し配
線に接続可能なリペア配線を有していることを特徴とす
る表示装置によって達成される。
が表示領域内に形成された表示装置において、前記表示
領域から前記複数のバスラインの各端子に至る間の引き
出し配線部で生じた断線を修復する、複数の引き出し配
線に接続可能なリペア配線を有していることを特徴とす
る表示装置によって達成される。
【００２８】また、上記目的は、複数のバスラインが表
示領域内に形成された表示装置において、前記バスライ
ンの引き出し配線部の上層又は下層に絶縁膜を介して積
層された補助配線を有していることを特徴とする表示装
置によって達成される。
示領域内に形成された表示装置において、前記バスライ
ンの引き出し配線部の上層又は下層に絶縁膜を介して積
層された補助配線を有していることを特徴とする表示装
置によって達成される。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態による
表示装置の欠陥修復方法を図１乃至図７を用いて説明す
る。まず、本実施の形態による欠陥修復方法の概略を図
１及び図２を用いて説明する。なお、従来の技術で説明
した図３０乃至図３３に示した構成と同一の機能作用を
有する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略
する。
表示装置の欠陥修復方法を図１乃至図７を用いて説明す
る。まず、本実施の形態による欠陥修復方法の概略を図
１及び図２を用いて説明する。なお、従来の技術で説明
した図３０乃至図３３に示した構成と同一の機能作用を
有する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略
する。
【００３０】図１は、リペアに用いるＹＡＧレーザの出
力強度と、絶縁膜を介して上下層に積層された２つのメ
タル層の状態との関係を示している。図１（ａ）は横軸
にレーザの出力強度をとり、縦軸に２つのメタル層の接
続率をとったグラフである。２つのメタル層の接続率に
基づいてレーザの出力強度をＩ〜ＩＶの５段階の領域に
分けている。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）のグラフ
に基づいてレーザの出力強度をＩ〜ＩＶの５段階の領域
に分けた場合における、それぞれの領域での２つのメタ
ル層の状態を示す基板断面を示している。
力強度と、絶縁膜を介して上下層に積層された２つのメ
タル層の状態との関係を示している。図１（ａ）は横軸
にレーザの出力強度をとり、縦軸に２つのメタル層の接
続率をとったグラフである。２つのメタル層の接続率に
基づいてレーザの出力強度をＩ〜ＩＶの５段階の領域に
分けている。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）のグラフ
に基づいてレーザの出力強度をＩ〜ＩＶの５段階の領域
に分けた場合における、それぞれの領域での２つのメタ
ル層の状態を示す基板断面を示している。
【００３１】図１（ｂ）に示す被リペア基板は、厚さ
０．７ｍｍのガラス基板からなるＴＦＴ基板２００上に
第１のメタル層（導電層）としてゲートバスライン２１
８（又は蓄積容量バスライン２２６）が形成され、その
上にゲート絶縁膜２４０が形成されている。第１のメタ
ル層は、厚さ１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）と厚さ
５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）がこの順に積層されて形成さ
れている。ゲート絶縁膜２４０は、厚さ３５０ｎｍのシ
リコン窒化膜（ＳｉＮ）で形成されている。
０．７ｍｍのガラス基板からなるＴＦＴ基板２００上に
第１のメタル層（導電層）としてゲートバスライン２１
８（又は蓄積容量バスライン２２６）が形成され、その
上にゲート絶縁膜２４０が形成されている。第１のメタ
ル層は、厚さ１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）と厚さ
５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）がこの順に積層されて形成さ
れている。ゲート絶縁膜２４０は、厚さ３５０ｎｍのシ
リコン窒化膜（ＳｉＮ）で形成されている。
【００３２】ゲート絶縁膜２４０上には第１のメタル層
と交差する第２のメタル層（導電層）であるドレインバ
スライン２２０が形成され、基板上部全面には保護膜２
４４が形成されている。第２のメタル層は、厚さ２０ｎ
ｍのＴｉ、厚さ７５ｎｍのＡｌ、厚さ８０ｎｍのＴｉが
この順に積層されて形成されている。保護膜２４４は、
厚さ３３０ｎｍのＳｉＮで形成されている。
と交差する第２のメタル層（導電層）であるドレインバ
スライン２２０が形成され、基板上部全面には保護膜２
４４が形成されている。第２のメタル層は、厚さ２０ｎ
ｍのＴｉ、厚さ７５ｎｍのＡｌ、厚さ８０ｎｍのＴｉが
この順に積層されて形成されている。保護膜２４４は、
厚さ３３０ｎｍのＳｉＮで形成されている。
【００３３】図１（ａ）のグラフにおける領域Ｉの範囲
の弱い強度のレーザ光ＥをＴＦＴ基板２００表面に照射
した状態を図１（ｂ）の（Ｉ）に示す。レーザの出力が
極めて弱い領域Ｉでは上層の第２のメタル層を十分に溶
融することができないため、第２のメタル層の上層が一
部だけ蒸発する程度であり第２のメタル層を断線分離す
ることはできない。
の弱い強度のレーザ光ＥをＴＦＴ基板２００表面に照射
した状態を図１（ｂ）の（Ｉ）に示す。レーザの出力が
極めて弱い領域Ｉでは上層の第２のメタル層を十分に溶
融することができないため、第２のメタル層の上層が一
部だけ蒸発する程度であり第２のメタル層を断線分離す
ることはできない。
【００３４】次に、図１（ａ）のグラフにおいて領域Ｉ
より少し強い強度の領域ＩＩの範囲のレーザ光ＥをＴＦ
Ｔ基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（Ｉ
Ｉ）に示す。領域ＩＩでは上層の第２のメタル層だけが
溶融・蒸発し、断線分離できる。このときレーザ光Ｅの
照射エネルギは第２のメタル層の破壊だけで消費される
ため、下層のゲート絶縁膜２４０や第１のメタル層（２
１８、２２６）は影響なく状態は変化しない。
より少し強い強度の領域ＩＩの範囲のレーザ光ＥをＴＦ
Ｔ基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（Ｉ
Ｉ）に示す。領域ＩＩでは上層の第２のメタル層だけが
溶融・蒸発し、断線分離できる。このときレーザ光Ｅの
照射エネルギは第２のメタル層の破壊だけで消費される
ため、下層のゲート絶縁膜２４０や第１のメタル層（２
１８、２２６）は影響なく状態は変化しない。
【００３５】次に、図１（ａ）のグラフにおいて領域Ｉ
Ｉより強い強度の領域ＩＩＩの範囲のレーザ光ＥをＴＦ
Ｔ基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（ＩＩ
Ｉ）に示す。領域ＩＩＩでは、上層の第２のメタル層だ
けでなく下層の第１のメタル層も溶融・蒸発し、一部が
再付着して両メタルが混ざり合うため、第１及び第２の
メタル層が接続される可能性が高くなる。
Ｉより強い強度の領域ＩＩＩの範囲のレーザ光ＥをＴＦ
Ｔ基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（ＩＩ
Ｉ）に示す。領域ＩＩＩでは、上層の第２のメタル層だ
けでなく下層の第１のメタル層も溶融・蒸発し、一部が
再付着して両メタルが混ざり合うため、第１及び第２の
メタル層が接続される可能性が高くなる。
【００３６】次に、図１（ａ）のグラフにおいて領域Ｉ
Ｉより強い強度の領域ＩＶの範囲のレーザ光ＥをＴＦＴ
基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（ＩＶ）
に示す。レーザ出力がさらに強くなる領域ＩＶでは、第
１及び第２のメタル層とも溶融・蒸発するが、強い照射
エネルギにより蒸発の割合が増えてくるため第１及び第
２のメタル層の接続の確率は低下する。
Ｉより強い強度の領域ＩＶの範囲のレーザ光ＥをＴＦＴ
基板２００表面に照射した状態を図１（ｂ）の（ＩＶ）
に示す。レーザ出力がさらに強くなる領域ＩＶでは、第
１及び第２のメタル層とも溶融・蒸発するが、強い照射
エネルギにより蒸発の割合が増えてくるため第１及び第
２のメタル層の接続の確率は低下する。
【００３７】以上説明したレーザ光強度の領域Ｉ〜ＩＶ
のうち、本実施の形態では領域ＩＩ又は領域ＩＶを用い
てレーザ光照射による欠陥リペアを行う点に特徴を有し
ている。なお、実際のレーザの出力値は照射対象となる
メタルや絶縁膜の材料・材質・厚み・形状などで大きく
変化するため、一概にレーザ出力値の数値範囲を限定す
ることはできない。しかし、通常の一般的な材料の組み
合わせによるＴＦＴ基板において、通常のレーザリペア
装置で領域ＩＩ又は領域ＩＶを使用することが可能であ
る。図２は、あるＴＦＴ基板上の上層メタルだけを除去
できる成功率（％）を縦軸にとり、レーザ出力（相対
値）を横軸にとったグラフである。上層メタルを切断で
きない除去成功率０％の低いレーザ出力を１００として
実験を行うと、レーザ出力の相対値１６０では成功率７
８％、相対値２０５では成功率９６％、そして相対値２
５０で成功率１００％となる。さらにレーザ出力を大き
くして相対値２９５になると成功率は６９．２％に落
ち、相対値３４０で成功率５０％となり、相対値４４０
で成功率は０％となる。すなわち、レーザ出力の相対値
が１６０より低い範囲は領域Ｉとし、相対値２９５より
高い範囲は領域ＩＩＩ以上として、相対値１６０〜２９
５の範囲を領域ＩＩとして使用できることが分かる。
のうち、本実施の形態では領域ＩＩ又は領域ＩＶを用い
てレーザ光照射による欠陥リペアを行う点に特徴を有し
ている。なお、実際のレーザの出力値は照射対象となる
メタルや絶縁膜の材料・材質・厚み・形状などで大きく
変化するため、一概にレーザ出力値の数値範囲を限定す
ることはできない。しかし、通常の一般的な材料の組み
合わせによるＴＦＴ基板において、通常のレーザリペア
装置で領域ＩＩ又は領域ＩＶを使用することが可能であ
る。図２は、あるＴＦＴ基板上の上層メタルだけを除去
できる成功率（％）を縦軸にとり、レーザ出力（相対
値）を横軸にとったグラフである。上層メタルを切断で
きない除去成功率０％の低いレーザ出力を１００として
実験を行うと、レーザ出力の相対値１６０では成功率７
８％、相対値２０５では成功率９６％、そして相対値２
５０で成功率１００％となる。さらにレーザ出力を大き
くして相対値２９５になると成功率は６９．２％に落
ち、相対値３４０で成功率５０％となり、相対値４４０
で成功率は０％となる。すなわち、レーザ出力の相対値
が１６０より低い範囲は領域Ｉとし、相対値２９５より
高い範囲は領域ＩＩＩ以上として、相対値１６０〜２９
５の範囲を領域ＩＩとして使用できることが分かる。
【００３８】次に、領域ＩＶを用いてレーザ照射を行い
層間短絡をリペアする例について図３を用いて説明す
る。図３（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
のほぼ中央に層間短絡２９０が生じている状態を示して
いる。この場合には、領域ＩＶの出力強度で層間短絡２
９０にレーザ光を照射する。その際、ドレインバスライ
ン２２０やゲートバスライン２１８を断線させないよう
に、レーザ光照射領域を限定するスリットＳを用いて層
間短絡２９０だけを取り囲むようにしてレーザ光を照射
する。レーザ光強度が弱く実際には領域ＩＩＩ程度であ
るとドレインバスライン２２０とゲートバスライン２１
８が接続されてしまうが、スリットＳを調整して照射領
域を微少に大きくしてから再照射すると接続を切れる可
能性が高くなる。また、テスタ等で短絡抵抗を測定しな
がらレーザ光を繰り返し照射し、抵抗の測定値が十分大
きくなるまでレーザ光の繰り返し照射を続けることで確
実かつ容易にリペアできる。図３（ｂ）は、層間短絡２
９０をリペアした状態を示している。層間短絡２９０は
消失して代わりにほぼスリットＳの形状でガラス基板表
面まで貫通した穴が形成され、また、ドレインバスライ
ン２２０とゲートバスライン２１８との短絡は生じてい
ない。
層間短絡をリペアする例について図３を用いて説明す
る。図３（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
のほぼ中央に層間短絡２９０が生じている状態を示して
いる。この場合には、領域ＩＶの出力強度で層間短絡２
９０にレーザ光を照射する。その際、ドレインバスライ
ン２２０やゲートバスライン２１８を断線させないよう
に、レーザ光照射領域を限定するスリットＳを用いて層
間短絡２９０だけを取り囲むようにしてレーザ光を照射
する。レーザ光強度が弱く実際には領域ＩＩＩ程度であ
るとドレインバスライン２２０とゲートバスライン２１
８が接続されてしまうが、スリットＳを調整して照射領
域を微少に大きくしてから再照射すると接続を切れる可
能性が高くなる。また、テスタ等で短絡抵抗を測定しな
がらレーザ光を繰り返し照射し、抵抗の測定値が十分大
きくなるまでレーザ光の繰り返し照射を続けることで確
実かつ容易にリペアできる。図３（ｂ）は、層間短絡２
９０をリペアした状態を示している。層間短絡２９０は
消失して代わりにほぼスリットＳの形状でガラス基板表
面まで貫通した穴が形成され、また、ドレインバスライ
ン２２０とゲートバスライン２１８との短絡は生じてい
ない。
【００３９】次に、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行い
層間短絡をリペアする場合について図４及び図５を用い
て説明する。図４はＴＦＴ基板２００の断面を示してお
り、ＴＦＴ基板２００上にゲートバスライン２１８が形
成され、ゲート絶縁膜２４０を介してドレインバスライ
ン２２０が交差している状態を示している。また、図４
（ａ）、（ｂ）は本実施の形態による領域ＩＩを用いた
正しいレーザ照射を示し、図４（ｃ）、（ｄ）は本実施
の形態によらない、誤ったレーザ照射の例を示してい
る。
層間短絡をリペアする場合について図４及び図５を用い
て説明する。図４はＴＦＴ基板２００の断面を示してお
り、ＴＦＴ基板２００上にゲートバスライン２１８が形
成され、ゲート絶縁膜２４０を介してドレインバスライ
ン２２０が交差している状態を示している。また、図４
（ａ）、（ｂ）は本実施の形態による領域ＩＩを用いた
正しいレーザ照射を示し、図４（ｃ）、（ｄ）は本実施
の形態によらない、誤ったレーザ照射の例を示してい
る。
【００４０】図４（ａ）はドレインバスライン２２０が
ゲートバスライン２１８を完全に覆っている部分に領域
ＩＩの強度のレーザ光Ｅを照射することを示している。
こうすることにより、図４（ｂ）に示すように、レーザ
光Ｅが直接ゲートバスライン２１８に照射されるのを防
止してドレインバスライン２２０だけを溶融・蒸発させ
ることができる。
ゲートバスライン２１８を完全に覆っている部分に領域
ＩＩの強度のレーザ光Ｅを照射することを示している。
こうすることにより、図４（ｂ）に示すように、レーザ
光Ｅが直接ゲートバスライン２１８に照射されるのを防
止してドレインバスライン２２０だけを溶融・蒸発させ
ることができる。
【００４１】一方、図４（ｃ）はドレインバスライン２
２０とゲートバスライン２１８との双方に領域ＩＩの強
度のレーザ光Ｅを照射することを示している。この場合
には、レーザ光Ｅがゲートバスライン２１８にも照射さ
れ、ドレインバスライン２２０だけでなくゲートバスラ
イン２１８も溶融・蒸発する。その結果、図４（ｄ）に
示すように、ドレインバスライン２２０とゲートバスラ
イン２１８の短絡が生じてしまう危険がある。
２０とゲートバスライン２１８との双方に領域ＩＩの強
度のレーザ光Ｅを照射することを示している。この場合
には、レーザ光Ｅがゲートバスライン２１８にも照射さ
れ、ドレインバスライン２２０だけでなくゲートバスラ
イン２１８も溶融・蒸発する。その結果、図４（ｄ）に
示すように、ドレインバスライン２２０とゲートバスラ
イン２１８の短絡が生じてしまう危険がある。
【００４２】次に、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行い
層間短絡をリペアする例について図５を用いて説明す
る。図５（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
であってドレインバスライン２２０端部近傍に層間短絡
２９０が生じている状態を示している。
層間短絡をリペアする例について図５を用いて説明す
る。図５（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
であってドレインバスライン２２０端部近傍に層間短絡
２９０が生じている状態を示している。
【００４３】従来のリペア用レーザ光照射装置は長方形
の照射エリアのスリットＳを調整して照射エリアの大き
さを変えて照射することができるようになっている。従
って、１回目のレーザ照射として、図４を用いて説明し
たようにドレインバスライン２２０がゲートバスライン
２１８を完全に覆っている部分にスリットＳ１を形成し
て領域ＩＩの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ
照射により、図５（ｂ）に示すように、層間短絡２９０
の隣にドレインバスライン２２０の交差部を２つに裂く
ようなゲートバスライン２１８の幅よりも長い切断部を
形成する。次に図５（ｃ）に示すように、第２回目及び
第３回目の領域ＩＩの出力範囲のレーザ照射として、そ
れぞれスリットＳ２、Ｓ３でドレインバスライン２２０
内の切断部（Ｓ１で示す）両端部を切断して、ドレイン
バスライン２２０の層間短絡２９０を孤立化する。な
お、レーザ照射の順序は上記と逆でももちろんよい。
の照射エリアのスリットＳを調整して照射エリアの大き
さを変えて照射することができるようになっている。従
って、１回目のレーザ照射として、図４を用いて説明し
たようにドレインバスライン２２０がゲートバスライン
２１８を完全に覆っている部分にスリットＳ１を形成し
て領域ＩＩの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ
照射により、図５（ｂ）に示すように、層間短絡２９０
の隣にドレインバスライン２２０の交差部を２つに裂く
ようなゲートバスライン２１８の幅よりも長い切断部を
形成する。次に図５（ｃ）に示すように、第２回目及び
第３回目の領域ＩＩの出力範囲のレーザ照射として、そ
れぞれスリットＳ２、Ｓ３でドレインバスライン２２０
内の切断部（Ｓ１で示す）両端部を切断して、ドレイン
バスライン２２０の層間短絡２９０を孤立化する。な
お、レーザ照射の順序は上記と逆でももちろんよい。
【００４４】また、図６に示すように、コの字状（図６
（ａ）のＳ４参照）あるいは円弧状（図６（ｂ）のＳ５
参照）等のスリットＳを用いるようにすれば、１回のレ
ーザ光照射で欠陥修復を完了させることができる。
（ａ）のＳ４参照）あるいは円弧状（図６（ｂ）のＳ５
参照）等のスリットＳを用いるようにすれば、１回のレ
ーザ光照射で欠陥修復を完了させることができる。
【００４５】次に、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行い
同層短絡をリペアする例について図７を用いて説明す
る。図７（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
近傍で２本のドレインバスライン２２０間に同層短絡２
９１が生じている状態を示している。図７（ａ）に示す
例では、同層短絡２９１左方のドレインバスライン２２
０との接続領域近傍が、ゲートバスライン２１８を完全
に覆っている。従って、当該領域にスリットＳを合わ
せ、ドレインバスライン２２０に沿って同層短絡２９１
が切断されるような形状にスリットＳを調整して領域Ｉ
Ｉの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ照射によ
り、図７（ｂ）に示すように、下層のゲートバスライン
２１８にレーザ光を照射することなく、同層短絡２９１
をスリットＳ６領域で分断して２本のドレインバスライ
ン２２０間の短絡を回避できる。
同層短絡をリペアする例について図７を用いて説明す
る。図７（ａ）はＴＦＴ基板２００面上を示し、ゲート
バスライン２１８とドレインバスライン２２０の交差部
近傍で２本のドレインバスライン２２０間に同層短絡２
９１が生じている状態を示している。図７（ａ）に示す
例では、同層短絡２９１左方のドレインバスライン２２
０との接続領域近傍が、ゲートバスライン２１８を完全
に覆っている。従って、当該領域にスリットＳを合わ
せ、ドレインバスライン２２０に沿って同層短絡２９１
が切断されるような形状にスリットＳを調整して領域Ｉ
Ｉの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ照射によ
り、図７（ｂ）に示すように、下層のゲートバスライン
２１８にレーザ光を照射することなく、同層短絡２９１
をスリットＳ６領域で分断して２本のドレインバスライ
ン２２０間の短絡を回避できる。
【００４６】次に、図７（ｃ）は図７（ａ）と同様にＴ
ＦＴ基板２００面上を示し、ゲートバスライン２１８と
ドレインバスライン２２０の交差部近傍で２本のドレイ
ンバスライン２２０間に同層短絡２９１が生じている状
態を示している。但し、図７（ｃ）に示す例では、同層
短絡２９１はゲートバスライン２１８を完全に覆ってい
る領域を有していない。この場合には、図５を用いて説
明した例と同様に１回目のレーザ照射として、図中左側
のドレインバスライン２２０上のゲートバスライン２１
８を完全に覆っている領域にスリットＳ７を形成して領
域ＩＩの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ照射
により、図７（ｂ）に示すように、図中左側のドレイン
バスライン２２０の交差部を２つに裂くようなゲートバ
スライン２１８の幅よりも長い切断部Ｓ７が形成され
る。次に、第２回目及び第３回目の領域ＩＩの出力範囲
のレーザ照射として、それぞれスリットＳ８、Ｓ９でド
レインバスライン２２０内の切断部Ｓ７両端部を切断し
て、下層のゲートバスライン２１８にレーザ光を照射す
ることなく、同層短絡２９１を左側のドレインバスライ
ン２２０と分離して２本のドレインバスライン２２０間
の短絡を回避できる。なお、レーザ照射の順序は上記と
逆でももちろんよい。
ＦＴ基板２００面上を示し、ゲートバスライン２１８と
ドレインバスライン２２０の交差部近傍で２本のドレイ
ンバスライン２２０間に同層短絡２９１が生じている状
態を示している。但し、図７（ｃ）に示す例では、同層
短絡２９１はゲートバスライン２１８を完全に覆ってい
る領域を有していない。この場合には、図５を用いて説
明した例と同様に１回目のレーザ照射として、図中左側
のドレインバスライン２２０上のゲートバスライン２１
８を完全に覆っている領域にスリットＳ７を形成して領
域ＩＩの出力範囲のレーザ照射を行う。このレーザ照射
により、図７（ｂ）に示すように、図中左側のドレイン
バスライン２２０の交差部を２つに裂くようなゲートバ
スライン２１８の幅よりも長い切断部Ｓ７が形成され
る。次に、第２回目及び第３回目の領域ＩＩの出力範囲
のレーザ照射として、それぞれスリットＳ８、Ｓ９でド
レインバスライン２２０内の切断部Ｓ７両端部を切断し
て、下層のゲートバスライン２１８にレーザ光を照射す
ることなく、同層短絡２９１を左側のドレインバスライ
ン２２０と分離して２本のドレインバスライン２２０間
の短絡を回避できる。なお、レーザ照射の順序は上記と
逆でももちろんよい。
【００４７】以上説明した本実施の形態によるリペア方
法と基板上にリペア配線を形成する従来のリペア方法と
を組み合わせて用いることもできる。この場合には、本
実施の形態において１００％の成功確率でなくても十分
な効果を得ることができる。すなわち、例えば２本まで
リペア可能なようにリペア配線を２本形成したパネルに
３箇所の層間短絡が存在した場合、３箇所に対して本実
施の形態によるリペア方法を適用し、１箇所でも成功す
れば残りの２箇所についてはドレインバスライン２２０
を切断してリペア配線に接続する従来のリペア方法を用
いることができるからである。さらに本実施の形態によ
れば、従来の接続リペアに比べて欠陥部にレーザ光を照
射するだけなので作業が容易でミスを誘発することもな
く、断線、層間短絡、同層短絡といった欠陥を従来より
も高い成功確率で且つ容易にリペアできるようになる。
法と基板上にリペア配線を形成する従来のリペア方法と
を組み合わせて用いることもできる。この場合には、本
実施の形態において１００％の成功確率でなくても十分
な効果を得ることができる。すなわち、例えば２本まで
リペア可能なようにリペア配線を２本形成したパネルに
３箇所の層間短絡が存在した場合、３箇所に対して本実
施の形態によるリペア方法を適用し、１箇所でも成功す
れば残りの２箇所についてはドレインバスライン２２０
を切断してリペア配線に接続する従来のリペア方法を用
いることができるからである。さらに本実施の形態によ
れば、従来の接続リペアに比べて欠陥部にレーザ光を照
射するだけなので作業が容易でミスを誘発することもな
く、断線、層間短絡、同層短絡といった欠陥を従来より
も高い成功確率で且つ容易にリペアできるようになる。
【００４８】次に、本発明の第２の実施の形態による表
示装置の欠陥修復方法を図８乃至図１０を用いて説明す
る。本実施の形態では、ゲートバスラインに断線が生じ
た場合におけるリペア方法について説明する。なお、第
１の実施の形態と同一の機能作用を奏する構成要素には
同一の符号を付してその説明は省略する。
示装置の欠陥修復方法を図８乃至図１０を用いて説明す
る。本実施の形態では、ゲートバスラインに断線が生じ
た場合におけるリペア方法について説明する。なお、第
１の実施の形態と同一の機能作用を奏する構成要素には
同一の符号を付してその説明は省略する。
【００４９】本実施の形態は、ゲートバスライン２１８
に生じた断線部２９２に対し、ゲートバスライン２１８
上層に絶縁膜２４０を介して形成されているＴＦＴのド
レイン電極２３０、ソース電極２２８、あるいは画素電
極２２４や蓄積容量バスライン２２６を、レーザ光の局
所的な照射により分離あるいは接続してバイパス路を形
成することによりゲートバスライン２１８の断線部２９
２に対するリペアを行う点に特徴を有している。
に生じた断線部２９２に対し、ゲートバスライン２１８
上層に絶縁膜２４０を介して形成されているＴＦＴのド
レイン電極２３０、ソース電極２２８、あるいは画素電
極２２４や蓄積容量バスライン２２６を、レーザ光の局
所的な照射により分離あるいは接続してバイパス路を形
成することによりゲートバスライン２１８の断線部２９
２に対するリペアを行う点に特徴を有している。
【００５０】以下、具体的に実施例を用いて説明する。 （実施例１）図８は、基板面に向かって見た複数の画素
領域を表しており、個々の画素の構造は図３２に示した
ものと同一である。この図８において、図中ほぼ中央を
横切るゲートバスライン２１８ａが断線部２９２で断線
している。
領域を表しており、個々の画素の構造は図３２に示した
ものと同一である。この図８において、図中ほぼ中央を
横切るゲートバスライン２１８ａが断線部２９２で断線
している。
【００５１】まず、ドレイン電極２３０ｂとドレインバ
スライン２２０ｂとの接続部とドレインバスライン２２
０ｂとゲートバスライン２１８ａの交差部との間の切断
位置３１０にレーザ光を照射してレインバスライン２２
０ｂを切断する。次いで、ドレインバスライン２２０ａ
から延びてゲートバスライン２１８ａ上に位置するドレ
イン電極２３０ａの根元部の切断位置３１２にレーザ光
を照射して切断する。次いで、蓄積容量バスライン２２
６ａに沿って、ドレインバスライン２２０ａとそれに隣
接する画素電極２２４ａとの間の切断位置３１３及びド
レインバスライン２２０ｂとそれに隣接する画素電極２
２４ｂとの間の切断位置３１４、さらに、切断位置３１
３と３１４との間の蓄積容量バスライン２２６ａのほぼ
中央領域の切断位置３１５に対してレーザ光を照射し
て、蓄積容量バスラインの一部を画素電極２２４ａの上
半分及び蓄積容量電極２３６の一部と共に切り離す。こ
れにより、切断位置３１０と切断位置３１５とにより第
１の孤立配線２２１が形成され、切断位置３１３、３１
４、３１５とにより第２の孤立配線２２７が形成され
る。なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバス
ライン２２０ｂとの交差部が層間短絡しないようにレー
ザ光の強度を制御して切断位置３１５に照射する必要が
ある。ところがレーザ光強度の制御はスポット照射では
比較的容易だが切断位置３１５のような連続する線状に
なると困難になり蓄積容量バスライン２２６ａとドレイ
ンバスライン２２０ｂとが短絡してしまう場合が生じ得
る。蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバスライン
２２０ｂとの交差部に層間短絡が生じると、第１の孤立
配線２２１から先のドレインバスライン２２０ｂを従来
と同様のリペア配線で救済しても正常なドレイン信号が
供給されなくなってしまう。これを確実に防止するた
め、切断位置３１５に関して第１の孤立配線２２１と反
対側の切断位置３１１にレーザ光を照射して、蓄積容量
バスライン２２６ａと切断位置３１５から先のドレイン
バスライン２２０ｂとを確実に断線させておく。
スライン２２０ｂとの接続部とドレインバスライン２２
０ｂとゲートバスライン２１８ａの交差部との間の切断
位置３１０にレーザ光を照射してレインバスライン２２
０ｂを切断する。次いで、ドレインバスライン２２０ａ
から延びてゲートバスライン２１８ａ上に位置するドレ
イン電極２３０ａの根元部の切断位置３１２にレーザ光
を照射して切断する。次いで、蓄積容量バスライン２２
６ａに沿って、ドレインバスライン２２０ａとそれに隣
接する画素電極２２４ａとの間の切断位置３１３及びド
レインバスライン２２０ｂとそれに隣接する画素電極２
２４ｂとの間の切断位置３１４、さらに、切断位置３１
３と３１４との間の蓄積容量バスライン２２６ａのほぼ
中央領域の切断位置３１５に対してレーザ光を照射し
て、蓄積容量バスラインの一部を画素電極２２４ａの上
半分及び蓄積容量電極２３６の一部と共に切り離す。こ
れにより、切断位置３１０と切断位置３１５とにより第
１の孤立配線２２１が形成され、切断位置３１３、３１
４、３１５とにより第２の孤立配線２２７が形成され
る。なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバス
ライン２２０ｂとの交差部が層間短絡しないようにレー
ザ光の強度を制御して切断位置３１５に照射する必要が
ある。ところがレーザ光強度の制御はスポット照射では
比較的容易だが切断位置３１５のような連続する線状に
なると困難になり蓄積容量バスライン２２６ａとドレイ
ンバスライン２２０ｂとが短絡してしまう場合が生じ得
る。蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバスライン
２２０ｂとの交差部に層間短絡が生じると、第１の孤立
配線２２１から先のドレインバスライン２２０ｂを従来
と同様のリペア配線で救済しても正常なドレイン信号が
供給されなくなってしまう。これを確実に防止するた
め、切断位置３１５に関して第１の孤立配線２２１と反
対側の切断位置３１１にレーザ光を照射して、蓄積容量
バスライン２２６ａと切断位置３１５から先のドレイン
バスライン２２０ｂとを確実に断線させておく。
【００５２】次に、第１の孤立配線２２１とゲートバス
ライン２１８ａの交差部の２箇所の接続位置３１６にレ
ーザ光を照射して、当該交差部で第１の孤立配線２２１
とゲートバスライン２１８ａとを短絡させる。さらに、
根元部が切断されたドレイン電極２３０ａに対向して位
置するソース電極２２８ａとゲートバスライン２１８ａ
とを２箇所の接続位置３１７にレーザ光を照射して、ゲ
ートバスライン２１８ａとソース電極２２８ａとを短絡
させる。次に、第２の孤立配線（蓄積容量電極２３６の
一部を含む）２２７に対して２箇所の接続位置３１８に
レーザ光を照射して、画素電極２２４ａの上半分と第２
の孤立配線２２７とを短絡させる。さらに、接続位置３
１９にレーザ光を照射して第２の孤立配線２２７と第１
の孤立配線２２１とを短絡させる。
ライン２１８ａの交差部の２箇所の接続位置３１６にレ
ーザ光を照射して、当該交差部で第１の孤立配線２２１
とゲートバスライン２１８ａとを短絡させる。さらに、
根元部が切断されたドレイン電極２３０ａに対向して位
置するソース電極２２８ａとゲートバスライン２１８ａ
とを２箇所の接続位置３１７にレーザ光を照射して、ゲ
ートバスライン２１８ａとソース電極２２８ａとを短絡
させる。次に、第２の孤立配線（蓄積容量電極２３６の
一部を含む）２２７に対して２箇所の接続位置３１８に
レーザ光を照射して、画素電極２２４ａの上半分と第２
の孤立配線２２７とを短絡させる。さらに、接続位置３
１９にレーザ光を照射して第２の孤立配線２２７と第１
の孤立配線２２１とを短絡させる。
【００５３】これにより、ソース電極２２８ａ、画素電
極２２４ａ、第２の孤立配線２２７、及び第２の孤立配
線２２１が電気的に接続される。断線したゲートバスラ
イン２１８ａは断線の一端がソース電極２２８ａと電気
的に接続され、他端は第２の孤立配線２２１に電気的に
接続されている。従って、ゲートバスライン２１８ａ
は、半分に切断された画素電極２２４ａのある画素領域
以外に対してゲートパルスを供給できるようになる。ま
た、第２の孤立配線２２１を形成するために断線したド
レインバスライン２２０ｂについては、従来と同様のリ
ペア配線により救済することにより、ドレインバスライ
ン２２０ｂに接続された全画素を正常に駆動することが
できる。このように本実施の形態によれば、ゲートバス
ラインに断線が生じても、全体で１画素を犠牲にするだ
けでリペアを行うことができるようになる。
極２２４ａ、第２の孤立配線２２７、及び第２の孤立配
線２２１が電気的に接続される。断線したゲートバスラ
イン２１８ａは断線の一端がソース電極２２８ａと電気
的に接続され、他端は第２の孤立配線２２１に電気的に
接続されている。従って、ゲートバスライン２１８ａ
は、半分に切断された画素電極２２４ａのある画素領域
以外に対してゲートパルスを供給できるようになる。ま
た、第２の孤立配線２２１を形成するために断線したド
レインバスライン２２０ｂについては、従来と同様のリ
ペア配線により救済することにより、ドレインバスライ
ン２２０ｂに接続された全画素を正常に駆動することが
できる。このように本実施の形態によれば、ゲートバス
ラインに断線が生じても、全体で１画素を犠牲にするだ
けでリペアを行うことができるようになる。
【００５４】（実施例２）図９は、基板面に向かって見
た複数の画素領域を表しており、個々の画素の構造は図
８に示したものと同一である。この図９において、図中
ほぼ中央を横切るゲートバスライン２１８ａがほぼ１画
素領域分の長さを有する断線部２９３で断線している。
た複数の画素領域を表しており、個々の画素の構造は図
８に示したものと同一である。この図９において、図中
ほぼ中央を横切るゲートバスライン２１８ａがほぼ１画
素領域分の長さを有する断線部２９３で断線している。
【００５５】まず、ドレインバスライン２２０ｂ上のド
レイン電極２３０ｂの接続位置とドレインバスライン２
２０ｂとゲートバスライン２１８ａの交差部との間の切
断位置３３０にレーザ光を照射してドレインバスライン
２２０ｂを切断する。次に、ドレインバスライン２２０
ａに接続されたドレイン電極２３０ａよりドレイン駆動
回路に近い切断位置３３２にレーザ光を照射してドレイ
ンバスライン２２０ａを切断する。次いで、蓄積容量バ
スライン２２６ａに沿って、ドレインバスライン２２０
ａとドレインバスライン２２０ｂの両外側であって、隣
接する画素電極２２４に接触しない領域の切断位置３３
４、３３５及び、切断位置３３４と３３５との間の蓄積
容量バスライン２２６ａのほぼ中央領域の切断位置３３
６に対してレーザ光を照射し、ドレインバスライン２２
０ａから分離した第１の孤立配線３５０とドレインバス
ライン２２０ｂから分離した第２の孤立配線３５１とを
形成する。また、蓄積容量バスライン２２６ａの一部を
画素電極２２４ａの上半分及び蓄積容量電極２３６の一
部と共に切り離して第３の孤立配線３５２を形成する。
なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバスライ
ン２２０ａとの交差部、あるいは蓄積容量バスライン２
２６ａとドレインバスライン２２０ｂとの交差部で万一
層間短絡が生じた場合を考慮して、切断位置３３６に関
して第１の孤立配線３５０と反対側の切断位置３３７に
レーザ光を照射して蓄積容量バスライン２２６ａと切断
位置３３７から先のドレインバスライン２２０ａとを確
実に断線させておく。同様に、切断位置３３６に関して
第２の孤立配線３５１と反対側の切断位置３３８にレー
ザ光を照射して蓄積容量バスライン２２６ａと切断位置
３３８から先のドレインバスライン２２０ｂとを確実に
断線させておく。
レイン電極２３０ｂの接続位置とドレインバスライン２
２０ｂとゲートバスライン２１８ａの交差部との間の切
断位置３３０にレーザ光を照射してドレインバスライン
２２０ｂを切断する。次に、ドレインバスライン２２０
ａに接続されたドレイン電極２３０ａよりドレイン駆動
回路に近い切断位置３３２にレーザ光を照射してドレイ
ンバスライン２２０ａを切断する。次いで、蓄積容量バ
スライン２２６ａに沿って、ドレインバスライン２２０
ａとドレインバスライン２２０ｂの両外側であって、隣
接する画素電極２２４に接触しない領域の切断位置３３
４、３３５及び、切断位置３３４と３３５との間の蓄積
容量バスライン２２６ａのほぼ中央領域の切断位置３３
６に対してレーザ光を照射し、ドレインバスライン２２
０ａから分離した第１の孤立配線３５０とドレインバス
ライン２２０ｂから分離した第２の孤立配線３５１とを
形成する。また、蓄積容量バスライン２２６ａの一部を
画素電極２２４ａの上半分及び蓄積容量電極２３６の一
部と共に切り離して第３の孤立配線３５２を形成する。
なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレインバスライ
ン２２０ａとの交差部、あるいは蓄積容量バスライン２
２６ａとドレインバスライン２２０ｂとの交差部で万一
層間短絡が生じた場合を考慮して、切断位置３３６に関
して第１の孤立配線３５０と反対側の切断位置３３７に
レーザ光を照射して蓄積容量バスライン２２６ａと切断
位置３３７から先のドレインバスライン２２０ａとを確
実に断線させておく。同様に、切断位置３３６に関して
第２の孤立配線３５１と反対側の切断位置３３８にレー
ザ光を照射して蓄積容量バスライン２２６ａと切断位置
３３８から先のドレインバスライン２２０ｂとを確実に
断線させておく。
【００５６】次に、第１の孤立配線３５０とゲートバス
ライン２１８ａの交差部の２箇所の接続位置３２０にレ
ーザ光を照射して、当該交差部で第１の孤立配線３５０
とゲートバスライン２１８ａとを短絡させる。さらに、
第２の孤立配線３５１とゲートバスライン２１８ａの交
差部の２箇所の接続位置３２１にレーザ光を照射して、
当該交差部で第２の孤立配線３５１とゲートバスライン
２１８ａとを短絡させる。
ライン２１８ａの交差部の２箇所の接続位置３２０にレ
ーザ光を照射して、当該交差部で第１の孤立配線３５０
とゲートバスライン２１８ａとを短絡させる。さらに、
第２の孤立配線３５１とゲートバスライン２１８ａの交
差部の２箇所の接続位置３２１にレーザ光を照射して、
当該交差部で第２の孤立配線３５１とゲートバスライン
２１８ａとを短絡させる。
【００５７】さらに、接続位置３２２にレーザ光を照射
して第１の孤立配線３５０と第３の孤立配線３５２とを
短絡させ、接続位置３２３にレーザ光を照射して第２の
孤立配線３５１と第３の孤立配線３５２とを短絡させ
る。
して第１の孤立配線３５０と第３の孤立配線３５２とを
短絡させ、接続位置３２３にレーザ光を照射して第２の
孤立配線３５１と第３の孤立配線３５２とを短絡させ
る。
【００５８】これにより、第１乃至第３の孤立配線３５
０、３５２、３５１が電気的に接続される。断線したゲ
ートバスライン２１８ａは断線の一端が第１の孤立配線
３５０と電気的に接続され、他端は第２の孤立配線３５
１に電気的に接続されている。従って、ゲートバスライ
ン２１８ａは、半分に切断された画素電極２２４ａのあ
る画素領域以外に対してゲートパルスを供給できるよう
になる。また、第２の孤立配線３５１を形成するために
断線したドレインバスライン２２０ｂについては、従来
と同様のリペア配線により救済することにより、ドレイ
ンバスライン２２０ｂに接続された全画素を正常に駆動
することができる。このように本実施の形態によれば、
ゲートバスラインに断線が生じても、全体で１画素を犠
牲にするだけでリペアを行うことができるようになる。
０、３５２、３５１が電気的に接続される。断線したゲ
ートバスライン２１８ａは断線の一端が第１の孤立配線
３５０と電気的に接続され、他端は第２の孤立配線３５
１に電気的に接続されている。従って、ゲートバスライ
ン２１８ａは、半分に切断された画素電極２２４ａのあ
る画素領域以外に対してゲートパルスを供給できるよう
になる。また、第２の孤立配線３５１を形成するために
断線したドレインバスライン２２０ｂについては、従来
と同様のリペア配線により救済することにより、ドレイ
ンバスライン２２０ｂに接続された全画素を正常に駆動
することができる。このように本実施の形態によれば、
ゲートバスラインに断線が生じても、全体で１画素を犠
牲にするだけでリペアを行うことができるようになる。
【００５９】（実施例３）図１０は、基板面に向かって
見た複数の画素領域を表しており、個々の画素の構造は
図８に示したものと同一である。この図１０において、
図中ほぼ中央を横切るゲートバスライン２１８ａはドレ
インバスライン２２０ｂの下方の断線部２９３で断線し
ている。
見た複数の画素領域を表しており、個々の画素の構造は
図８に示したものと同一である。この図１０において、
図中ほぼ中央を横切るゲートバスライン２１８ａはドレ
インバスライン２２０ｂの下方の断線部２９３で断線し
ている。
【００６０】まず、ドレインバスライン２２０ｂに接続
されたドレイン電極２３０ｂよりドレイン駆動回路側の
切断位置３４０にレーザ光を照射してドレインバスライ
ン２２０ｂを切断する。次いで、ドレインバスライン２
２０ａから延びてゲートバスライン２１８ａ上に位置す
るドレイン電極２３０ａの根元部の切断位置３４２にレ
ーザ光を照射して切断する。次いで、蓄積容量バスライ
ン２２６ａに沿って、ドレインバスライン２２０ａとそ
れに隣接する画素電極２２４ａとの間の切断位置３４４
及びドレインバスライン２２０ｂとそれに隣接する画素
電極２２４ｂとの間の切断位置３４５、さらに、切断位
置３４４と３４５との間の蓄積容量バスライン２２６ａ
のほぼ中央領域の切断位置３４６に対してレーザ光を照
射して、蓄積容量バスラインの一部を画素電極２２４ａ
の上半分及び蓄積容量電極２３６の一部と共に切り離
す。これにより、切断位置３４０と切断位置３４６とに
より第１の孤立配線３５２が形成され、切断位置３４
４、３４５、３４６とにより第２の孤立配線３５４が形
成される。なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレイ
ンバスライン２２０ｂとの交差部で万一層間短絡が生じ
た場合を考慮して、切断位置３４６に関して第１の孤立
配線３５２と反対側の切断位置３４７にレーザ光を照射
して蓄積容量バスライン２２６ａと切断位置３４７から
先のドレインバスライン２２０ｂとを確実に断線させて
おく。
されたドレイン電極２３０ｂよりドレイン駆動回路側の
切断位置３４０にレーザ光を照射してドレインバスライ
ン２２０ｂを切断する。次いで、ドレインバスライン２
２０ａから延びてゲートバスライン２１８ａ上に位置す
るドレイン電極２３０ａの根元部の切断位置３４２にレ
ーザ光を照射して切断する。次いで、蓄積容量バスライ
ン２２６ａに沿って、ドレインバスライン２２０ａとそ
れに隣接する画素電極２２４ａとの間の切断位置３４４
及びドレインバスライン２２０ｂとそれに隣接する画素
電極２２４ｂとの間の切断位置３４５、さらに、切断位
置３４４と３４５との間の蓄積容量バスライン２２６ａ
のほぼ中央領域の切断位置３４６に対してレーザ光を照
射して、蓄積容量バスラインの一部を画素電極２２４ａ
の上半分及び蓄積容量電極２３６の一部と共に切り離
す。これにより、切断位置３４０と切断位置３４６とに
より第１の孤立配線３５２が形成され、切断位置３４
４、３４５、３４６とにより第２の孤立配線３５４が形
成される。なお、蓄積容量バスライン２２６ａとドレイ
ンバスライン２２０ｂとの交差部で万一層間短絡が生じ
た場合を考慮して、切断位置３４６に関して第１の孤立
配線３５２と反対側の切断位置３４７にレーザ光を照射
して蓄積容量バスライン２２６ａと切断位置３４７から
先のドレインバスライン２２０ｂとを確実に断線させて
おく。
【００６１】次に、ドレイン電極２３０ｂとゲートバス
ライン２１８ａとを２箇所の接続位置３２４にレーザ光
を照射して、ゲートバスライン２１８ａとドレイン電極
２３０ｂ及びそれに接続する第１の孤立配線３５２とを
短絡させる。さらに、根元部が切断されたドレイン電極
２３０ａに対向して位置するソース電極２２８ａとゲー
トバスライン２１８ａとを２箇所の接続位置３２５にレ
ーザ光を照射して、ゲートバスライン２１８ａとソース
電極２２８ａとを短絡させる。次に、第２の孤立配線
（蓄積容量電極２３６の一部を含む）３５４に対して２
箇所の接続位置３２６にレーザ光を照射して、画素電極
２２４ａの上半分と第２の孤立配線３５４とを短絡させ
る。さらに、接続位置３２７にレーザ光を照射して第２
の孤立配線３５４と第１の孤立配線３５２とを短絡させ
る。
ライン２１８ａとを２箇所の接続位置３２４にレーザ光
を照射して、ゲートバスライン２１８ａとドレイン電極
２３０ｂ及びそれに接続する第１の孤立配線３５２とを
短絡させる。さらに、根元部が切断されたドレイン電極
２３０ａに対向して位置するソース電極２２８ａとゲー
トバスライン２１８ａとを２箇所の接続位置３２５にレ
ーザ光を照射して、ゲートバスライン２１８ａとソース
電極２２８ａとを短絡させる。次に、第２の孤立配線
（蓄積容量電極２３６の一部を含む）３５４に対して２
箇所の接続位置３２６にレーザ光を照射して、画素電極
２２４ａの上半分と第２の孤立配線３５４とを短絡させ
る。さらに、接続位置３２７にレーザ光を照射して第２
の孤立配線３５４と第１の孤立配線３５２とを短絡させ
る。
【００６２】これにより、ソース電極２２８ａ、画素電
極２２４ａ、第２の孤立配線３５４、及び第２の孤立配
線３５２が電気的に接続される。断線したゲートバスラ
イン２１８ａは断線の一端がソース電極２２８ａと電気
的に接続され、他端は第２の孤立配線３５２に接続され
たドレイン電極２３０ｂに電気的に接続されている。従
って、ゲートバスライン２１８ａは、半分に切断された
画素電極２２４ａの画素領域と、第２の孤立配線３５２
に接続されたドレイン電極２３０ｂの画素領域以外に対
してゲートパルスを供給できるようになる。また、第２
の孤立配線３５２を形成するために断線したドレインバ
スライン２２０ｂについては、従来と同様のリペア配線
で救済することにより、画素電極２２４ｂの画素以外の
ドレインバスライン２２０ｂに接続された残りの画素に
対して正常に駆動することができる。このように本実施
の形態によれば、ゲートバスラインに断線が生じても、
全体で２画素を犠牲にするだけでリペアを行うことがで
きるようになる。
極２２４ａ、第２の孤立配線３５４、及び第２の孤立配
線３５２が電気的に接続される。断線したゲートバスラ
イン２１８ａは断線の一端がソース電極２２８ａと電気
的に接続され、他端は第２の孤立配線３５２に接続され
たドレイン電極２３０ｂに電気的に接続されている。従
って、ゲートバスライン２１８ａは、半分に切断された
画素電極２２４ａの画素領域と、第２の孤立配線３５２
に接続されたドレイン電極２３０ｂの画素領域以外に対
してゲートパルスを供給できるようになる。また、第２
の孤立配線３５２を形成するために断線したドレインバ
スライン２２０ｂについては、従来と同様のリペア配線
で救済することにより、画素電極２２４ｂの画素以外の
ドレインバスライン２２０ｂに接続された残りの画素に
対して正常に駆動することができる。このように本実施
の形態によれば、ゲートバスラインに断線が生じても、
全体で２画素を犠牲にするだけでリペアを行うことがで
きるようになる。
【００６３】次に、本発明の第３の実施の形態による表
示装置及びその欠陥修復方法を図１１乃至図２２を用い
て説明する。本実施の形態では、図３４に示したゲート
バスライン２１８あるいはドレインバスライン２２０の
引き出し配線部（ｂ）に断線が生じた場合におけるリペ
ア方法に関し、複数のバスラインが表示領域内で平行に
形成された表示装置において、表示領域から複数のバス
ラインの外部接続端子部に至る間の引き出し配線部で生
じた断線を修復するリペア配線を有していることを特徴
としている。以下、実施例に基づいて説明する。なお、
第１及び第２の実施の形態と同一の機能作用を奏する構
成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。 （実施例１）
示装置及びその欠陥修復方法を図１１乃至図２２を用い
て説明する。本実施の形態では、図３４に示したゲート
バスライン２１８あるいはドレインバスライン２２０の
引き出し配線部（ｂ）に断線が生じた場合におけるリペ
ア方法に関し、複数のバスラインが表示領域内で平行に
形成された表示装置において、表示領域から複数のバス
ラインの外部接続端子部に至る間の引き出し配線部で生
じた断線を修復するリペア配線を有していることを特徴
としている。以下、実施例に基づいて説明する。なお、
第１及び第２の実施の形態と同一の機能作用を奏する構
成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。 （実施例１）
【００６４】図１１はＴＦＴ基板２００に形成されたド
レインバスライン２２０の引き出し配線部（ｂ）の一部
及びその近傍を示している。図１２は、図１１のＡ−Ａ
線で切断した断面を示している。図１１に示すように、
表示領域（ａ）内で平行に形成された複数のドレインバ
スライン２２０は、引き出し配線部（ｂ）において角度
を曲げられて端子部（ｃ）の各外部接続端子４０２にそ
れぞれ接続されている。この引き出し配線部（ｂ）の領
域を包含するように、引き出し配線部（ｂ）近傍の表示
領域（ａ）から端子部（ｃ）に渡ってリペア配線４００
が配置されている。リペア配線４００は、ＴＦＴ基板２
００面から見て表示領域（ａ）及び端子部（ｃ）の両側
で複数のドレインバスライン２２０と交差する２本の配
線を有し、これら２本の配線は引き出し配線部（ｂ）端
部で接続されている。
レインバスライン２２０の引き出し配線部（ｂ）の一部
及びその近傍を示している。図１２は、図１１のＡ−Ａ
線で切断した断面を示している。図１１に示すように、
表示領域（ａ）内で平行に形成された複数のドレインバ
スライン２２０は、引き出し配線部（ｂ）において角度
を曲げられて端子部（ｃ）の各外部接続端子４０２にそ
れぞれ接続されている。この引き出し配線部（ｂ）の領
域を包含するように、引き出し配線部（ｂ）近傍の表示
領域（ａ）から端子部（ｃ）に渡ってリペア配線４００
が配置されている。リペア配線４００は、ＴＦＴ基板２
００面から見て表示領域（ａ）及び端子部（ｃ）の両側
で複数のドレインバスライン２２０と交差する２本の配
線を有し、これら２本の配線は引き出し配線部（ｂ）端
部で接続されている。
【００６５】リペア配線４００は、図１２に示すよう
に、ガラス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバス
ライン形成用メタルでゲートバスライン２１８の形成と
同時に形成される。リペア配線４００は、ドレインバス
ライン２２０に対してゲート絶縁膜２４０を介して積層
構造を有しており、複数のドレインバスライン２２０と
電気的に絶縁されている。
に、ガラス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバス
ライン形成用メタルでゲートバスライン２１８の形成と
同時に形成される。リペア配線４００は、ドレインバス
ライン２２０に対してゲート絶縁膜２４０を介して積層
構造を有しており、複数のドレインバスライン２２０と
電気的に絶縁されている。
【００６６】例えば、図１１に示すように、あるドレイ
ンバスライン２２０が引き出し配線部（ｂ）で断線４０
４を生じた場合には、当該ドレインバスライン２２０と
リペア配線４００との交差領域４０６、４０８にレーザ
光を照射して当該ドレインバスライン２２０とリペア配
線４００とを溶融して短絡させる。こうすることによ
り、引き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２
０の断線が生じても容易に修復することができるように
なる。
ンバスライン２２０が引き出し配線部（ｂ）で断線４０
４を生じた場合には、当該ドレインバスライン２２０と
リペア配線４００との交差領域４０６、４０８にレーザ
光を照射して当該ドレインバスライン２２０とリペア配
線４００とを溶融して短絡させる。こうすることによ
り、引き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２
０の断線が生じても容易に修復することができるように
なる。
【００６７】図１３は本実施例の変形例を示している。
図３４に示した従来のリペア配線３０２、３０３に対し
て、さらに端子部（ｃ）近傍にドレインバスライン２２
０と絶縁膜を介して交差するリペア配線４１０を形成す
る。リペア配線４１０はリペア配線３０２、３０３に接
続されている。このような構成にすることにより、表示
領域（ａ）でのドレインバスライン２２０の断線に対し
ては、従来と同様に交差領域３０４と３０５（あるい
は、３０６と３０５）にレーザ光を照射して修復し、引
き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２０の断
線に対しては、本実施例のとおり交差領域３０４と３０
６にレーザ光を照射して修復することができる。この構
成によれば、従来のパネルにリペア配線４１０を追加す
るだけで済むので極めて容易に実現することができる。
図３４に示した従来のリペア配線３０２、３０３に対し
て、さらに端子部（ｃ）近傍にドレインバスライン２２
０と絶縁膜を介して交差するリペア配線４１０を形成す
る。リペア配線４１０はリペア配線３０２、３０３に接
続されている。このような構成にすることにより、表示
領域（ａ）でのドレインバスライン２２０の断線に対し
ては、従来と同様に交差領域３０４と３０５（あるい
は、３０６と３０５）にレーザ光を照射して修復し、引
き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２０の断
線に対しては、本実施例のとおり交差領域３０４と３０
６にレーザ光を照射して修復することができる。この構
成によれば、従来のパネルにリペア配線４１０を追加す
るだけで済むので極めて容易に実現することができる。
【００６８】次に、本実施例によるリペア配線４００に
より隣接するドレインバスライン２２０が同層短絡４１
２を生じた場合のリペアについて図１４を用いて説明す
る。図１４に示すように、２枚の基板を貼り合わせるシ
ール剤４１８の塗布位置に同層短絡４１２が発生した場
合には、シール剤４１８が邪魔になりレーザ光を同層短
絡４１２に直接照射して切断することができない。そこ
で、レーザ光の照射が可能な切断位置４１４及び４１６
で一方のドレインバスライン２２０を切断する。次い
で、当該ドレインバスライン２２０とリペア配線４００
との交差領域４０６、４０８にレーザ光を照射して当該
ドレインバスライン２２０とリペア配線４００とを溶融
して短絡させる。こうすることにより、引き出し配線部
（ｂ）でドレインバスライン２２０の同層短絡が生じて
も容易に修復することができる。
より隣接するドレインバスライン２２０が同層短絡４１
２を生じた場合のリペアについて図１４を用いて説明す
る。図１４に示すように、２枚の基板を貼り合わせるシ
ール剤４１８の塗布位置に同層短絡４１２が発生した場
合には、シール剤４１８が邪魔になりレーザ光を同層短
絡４１２に直接照射して切断することができない。そこ
で、レーザ光の照射が可能な切断位置４１４及び４１６
で一方のドレインバスライン２２０を切断する。次い
で、当該ドレインバスライン２２０とリペア配線４００
との交差領域４０６、４０８にレーザ光を照射して当該
ドレインバスライン２２０とリペア配線４００とを溶融
して短絡させる。こうすることにより、引き出し配線部
（ｂ）でドレインバスライン２２０の同層短絡が生じて
も容易に修復することができる。
【００６９】（実施例２）本実施例は、図１５に示すよ
うに、引き出し配線部（ｂ）での欠陥が２箇所で生じて
も対処できるように、リペア配線４００の外側にさらに
リペア配線４２０を設けて交差領域４２２、４２４にレ
ーザ光を照射することにより、２本のドレインバスライ
ン２２０を救済できる点に特徴を有している。引き出し
配線部（ｂ）にリペア配線を複数本設けることで、引き
出し配線部（ｂ）内で複数の欠陥が発生しても救済可能
となる。
うに、引き出し配線部（ｂ）での欠陥が２箇所で生じて
も対処できるように、リペア配線４００の外側にさらに
リペア配線４２０を設けて交差領域４２２、４２４にレ
ーザ光を照射することにより、２本のドレインバスライ
ン２２０を救済できる点に特徴を有している。引き出し
配線部（ｂ）にリペア配線を複数本設けることで、引き
出し配線部（ｂ）内で複数の欠陥が発生しても救済可能
となる。
【００７０】（実施例３）本実施例は、図１６に示すよ
うに、リペア配線４００が３つに電気的に絶縁されて形
成されている点に特徴を有している。すなわち、引き出
し配線部（ｂ）近傍の表示領域（ａ）にはリペア配線４
００ａが形成され、端子部（ｃ）にはりペア配線４００
ｂが形成されている。これらリペア配線４００ａ、４０
０ｂはゲートバスライン２１８の形成と同時に形成され
ている。これに対し、リペア配線４００ａ、４００ｂと
絶縁膜を介して交差するように引き出し配線部（ｂ）に
リペア配線４００ｃが形成されている。
うに、リペア配線４００が３つに電気的に絶縁されて形
成されている点に特徴を有している。すなわち、引き出
し配線部（ｂ）近傍の表示領域（ａ）にはリペア配線４
００ａが形成され、端子部（ｃ）にはりペア配線４００
ｂが形成されている。これらリペア配線４００ａ、４０
０ｂはゲートバスライン２１８の形成と同時に形成され
ている。これに対し、リペア配線４００ａ、４００ｂと
絶縁膜を介して交差するように引き出し配線部（ｂ）に
リペア配線４００ｃが形成されている。
【００７１】例えば、図１６に示すように、あるドレイ
ンバスライン２２０が引き出し配線部（ｂ）で断線４０
４を生じた場合には、当該ドレインバスライン２２０と
リペア配線４００ａ、４００ｂとの交差領域４０８、４
０６にレーザ光を照射して当該ドレインバスライン２２
０とリペア配線４００ａ、４００ｂとを溶融して短絡さ
せる。これと共に、リペア配線４００ｃとリペア配線４
００ａ、４００ｂとの交差領域４２８、４２６にレーザ
光を照射してリペア配線４００ｃとリペア配線４００
ａ、４００ｂとを溶融して短絡させる。
ンバスライン２２０が引き出し配線部（ｂ）で断線４０
４を生じた場合には、当該ドレインバスライン２２０と
リペア配線４００ａ、４００ｂとの交差領域４０８、４
０６にレーザ光を照射して当該ドレインバスライン２２
０とリペア配線４００ａ、４００ｂとを溶融して短絡さ
せる。これと共に、リペア配線４００ｃとリペア配線４
００ａ、４００ｂとの交差領域４２８、４２６にレーザ
光を照射してリペア配線４００ｃとリペア配線４００
ａ、４００ｂとを溶融して短絡させる。
【００７２】こうすることにより、ドレインバスライン
２２０と交差するリペア配線の線長が短くなるため、リ
ペアしない場合はドレインバスライン２２０に加わる容
量を減少させることができる。その結果、ドレイン駆動
回路２０８の駆動能力を小さくすることができる。
２２０と交差するリペア配線の線長が短くなるため、リ
ペアしない場合はドレインバスライン２２０に加わる容
量を減少させることができる。その結果、ドレイン駆動
回路２０８の駆動能力を小さくすることができる。
【００７３】（実施例４）本実施例は、図１７に示すよ
うに、引き出し配線部（ｂ）での欠陥が２箇所で生じて
も対処できるように、リペア配線４００（４００ａ、４
００ｂ、４００ｃ）の外側にさらに同様の構成のリペア
配線４２０（４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ）を設けて
交差領域４２２、４２４及び交差領域４３０、４３４に
レーザ光を照射することにより、２本のドレインバスラ
イン２２０を救済できる点に特徴を有している。引き出
し配線部（ｂ）にリペア配線を複数本設けることで、引
き出し配線部（ｂ）内で複数の欠陥が発生しても救済可
能となる。
うに、引き出し配線部（ｂ）での欠陥が２箇所で生じて
も対処できるように、リペア配線４００（４００ａ、４
００ｂ、４００ｃ）の外側にさらに同様の構成のリペア
配線４２０（４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ）を設けて
交差領域４２２、４２４及び交差領域４３０、４３４に
レーザ光を照射することにより、２本のドレインバスラ
イン２２０を救済できる点に特徴を有している。引き出
し配線部（ｂ）にリペア配線を複数本設けることで、引
き出し配線部（ｂ）内で複数の欠陥が発生しても救済可
能となる。
【００７４】（実施例５）図１８は、図１３に対応させ
た引き出し配線部（ｂ）近傍の模式図である。複数のド
レインバスライン２２０をいくつかのブロックに分け
て、ブロックごとにリペア配線４００α、４００
β、．．．を構成する。各ブロック間でのリペア配線は
絶縁されている。こうすることにより、ブロック単位で
引き出し配線部（ｂ）の断線を救済することができるよ
うになる。
た引き出し配線部（ｂ）近傍の模式図である。複数のド
レインバスライン２２０をいくつかのブロックに分け
て、ブロックごとにリペア配線４００α、４００
β、．．．を構成する。各ブロック間でのリペア配線は
絶縁されている。こうすることにより、ブロック単位で
引き出し配線部（ｂ）の断線を救済することができるよ
うになる。
【００７５】（実施例６）図１９は、図１３に対応させ
た引き出し配線部（ｂ）近傍の模式図である。本実施例
では、実施例５に対して、全てのドレインバスライン２
２０と交差するリング状のリペア配線４００を配置する
点に特徴を有している。こうすることにより、引き出し
配線部（ｂ）での断線４４０、４４２が１つのリング内
の何処で２本発生しても救済可能である。この場合、交
差領域３０４、３０６、４３６、４３８にレーザ光を照
射してドレインバスライン２２０とリペア配線４００と
を接続し、さらに交差領域３０４と４３６の内側近傍の
切断位置４４４、４４６でリペア配線４００のリングを
切断し、またさらに交差領域３０６、４３８の内側近傍
の切断位置４４８、４５０でリペア配線４００のリング
を切断する。このようにすれば、実施例５のリペア配線
４００α、４００β、．．．では、ブロック単位で１本
まで救済可能であったが、本実施例ではリング内のいず
れで欠陥が発生しても救済可能になるので救済の自由度
が高い。また、余分な配線を交差領域３０４、３０６、
４３６、４３８近傍で切断できるのでリペア配線による
抵抗と容量を減少できる。
た引き出し配線部（ｂ）近傍の模式図である。本実施例
では、実施例５に対して、全てのドレインバスライン２
２０と交差するリング状のリペア配線４００を配置する
点に特徴を有している。こうすることにより、引き出し
配線部（ｂ）での断線４４０、４４２が１つのリング内
の何処で２本発生しても救済可能である。この場合、交
差領域３０４、３０６、４３６、４３８にレーザ光を照
射してドレインバスライン２２０とリペア配線４００と
を接続し、さらに交差領域３０４と４３６の内側近傍の
切断位置４４４、４４６でリペア配線４００のリングを
切断し、またさらに交差領域３０６、４３８の内側近傍
の切断位置４４８、４５０でリペア配線４００のリング
を切断する。このようにすれば、実施例５のリペア配線
４００α、４００β、．．．では、ブロック単位で１本
まで救済可能であったが、本実施例ではリング内のいず
れで欠陥が発生しても救済可能になるので救済の自由度
が高い。また、余分な配線を交差領域３０４、３０６、
４３６、４３８近傍で切断できるのでリペア配線による
抵抗と容量を減少できる。
【００７６】（実施例７）本実施例は、図２０に示すよ
うに、静電気障害防止のために設けられているショート
リング４５４に接続配線４５２を介してリペア配線４０
０が接続されている点に特徴を有している。こうするこ
とによりＴＦＴ基板２００上に素子を形成するアレイ工
程中で静電気が発生しても、ドレインバスライン２２０
とリペア配線４００との交差部で静電破壊による短絡が
発生することを未然に防止できる。なお、パネルが完成
した後には、ショートリング４５４はスクライブライン
４５６で切断されて切り落とされるため、ドレインバス
ライン２２０とリペア配線４００とは電気的に分離され
る。
うに、静電気障害防止のために設けられているショート
リング４５４に接続配線４５２を介してリペア配線４０
０が接続されている点に特徴を有している。こうするこ
とによりＴＦＴ基板２００上に素子を形成するアレイ工
程中で静電気が発生しても、ドレインバスライン２２０
とリペア配線４００との交差部で静電破壊による短絡が
発生することを未然に防止できる。なお、パネルが完成
した後には、ショートリング４５４はスクライブライン
４５６で切断されて切り落とされるため、ドレインバス
ライン２２０とリペア配線４００とは電気的に分離され
る。
【００７７】（実施例８）図２１はＴＦＴ基板２００に
形成されたゲートバスライン２１８の引き出し配線部
（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２２は、図
２１のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。図２１に
示すように、表示領域（ａ）内で平行に形成された複数
のゲートバスライン２１８は、引き出し配線部（ｂ）に
おいて角度を曲げられて端子部（ｃ）の各外部接続端子
４６２にそれぞれ接続されている。この引き出し配線部
（ｂ）の領域を包含するように、引き出し配線部（ｂ）
近傍の表示領域（ａ）から端子部（ｃ）に渡ってリペア
配線４６０が配置されている。
形成されたゲートバスライン２１８の引き出し配線部
（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２２は、図
２１のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。図２１に
示すように、表示領域（ａ）内で平行に形成された複数
のゲートバスライン２１８は、引き出し配線部（ｂ）に
おいて角度を曲げられて端子部（ｃ）の各外部接続端子
４６２にそれぞれ接続されている。この引き出し配線部
（ｂ）の領域を包含するように、引き出し配線部（ｂ）
近傍の表示領域（ａ）から端子部（ｃ）に渡ってリペア
配線４６０が配置されている。
【００７８】リペア配線４６０は、ＴＦＴ基板２００面
から見て表示領域（ａ）及び端子部（ｃ）の両側でゲー
トバスライン２１８と交差する２本の配線を有し、これ
ら２本の配線は引き出し配線部（ｂ）端部で接続されて
いる。リペア配線４６０は、図２２に示すように、ガラ
ス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバスライン２
１８上にゲート絶縁膜２４０を介して積層構造を有して
おり、複数のゲートバスライン２１８と電気的に絶縁さ
れている。リペア配線４６０は、ドレインバスライン２
２０の形成用メタルでドレインバスライン２２０の形成
と同時に形成される。
から見て表示領域（ａ）及び端子部（ｃ）の両側でゲー
トバスライン２１８と交差する２本の配線を有し、これ
ら２本の配線は引き出し配線部（ｂ）端部で接続されて
いる。リペア配線４６０は、図２２に示すように、ガラ
ス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバスライン２
１８上にゲート絶縁膜２４０を介して積層構造を有して
おり、複数のゲートバスライン２１８と電気的に絶縁さ
れている。リペア配線４６０は、ドレインバスライン２
２０の形成用メタルでドレインバスライン２２０の形成
と同時に形成される。
【００７９】例えば、図２１に示すように、あるゲート
バスライン２１８が引き出し配線部（ｂ）で断線４６４
を生じた場合には、当該ゲートバスライン２１８とリペ
ア配線４６０との交差領域４６６、４６８にレーザ光を
照射して当該ゲートバスライン２１８とリペア配線４６
０とを溶融して短絡させる。こうすることにより、引き
出し配線部（ｂ）でのゲートバスライン２１８の断線が
生じても容易に修復することができるようになる。
バスライン２１８が引き出し配線部（ｂ）で断線４６４
を生じた場合には、当該ゲートバスライン２１８とリペ
ア配線４６０との交差領域４６６、４６８にレーザ光を
照射して当該ゲートバスライン２１８とリペア配線４６
０とを溶融して短絡させる。こうすることにより、引き
出し配線部（ｂ）でのゲートバスライン２１８の断線が
生じても容易に修復することができるようになる。
【００８０】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、引き出し配線部に断線が発生しても救済が可能とな
り、パネル製造の歩留まりを向上させることができる。
さらに新たに設けるリペア配線は、ドレインバスライン
２２０あるいはゲートバスライン２１８と同一の工程で
形成するので製造工程が増加することもない。
ば、引き出し配線部に断線が発生しても救済が可能とな
り、パネル製造の歩留まりを向上させることができる。
さらに新たに設けるリペア配線は、ドレインバスライン
２２０あるいはゲートバスライン２１８と同一の工程で
形成するので製造工程が増加することもない。
【００８１】次に、本発明の第４の実施の形態による表
示装置及びその欠陥修復方法を図２３乃至図２９を用い
て説明する。本実施の形態では、引き出し配線部におけ
る配線の断線や短絡等に対応させた欠陥修復方法につい
て説明する。近年、液晶パネルはパソコンや携帯情報端
末の表示デバイスとして広く用いられている。市場から
は低コスト化の要求が日々大きくなっており、製造現場
としては歩留まりを向上する必要が急務となっている。
従来技術の図３４に示すように、端子部（ｃ）から表示
領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）の配線は、１レ
イヤの単層または積層メタルを用いていたが、成膜工程
中に混入するゴミ等により断線が発生することがあり、
歩留り低下の一因となっている。各バスラインにおいて
も近年の高精細・大画面化により微細なパターンが増加
し、不良発生の確率が高まったのみならず、駆動時のラ
イン抵抗差が線欠陥として見えてしまうなど、冗長構成
をとるにしても因難であるという事情がある。
示装置及びその欠陥修復方法を図２３乃至図２９を用い
て説明する。本実施の形態では、引き出し配線部におけ
る配線の断線や短絡等に対応させた欠陥修復方法につい
て説明する。近年、液晶パネルはパソコンや携帯情報端
末の表示デバイスとして広く用いられている。市場から
は低コスト化の要求が日々大きくなっており、製造現場
としては歩留まりを向上する必要が急務となっている。
従来技術の図３４に示すように、端子部（ｃ）から表示
領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）の配線は、１レ
イヤの単層または積層メタルを用いていたが、成膜工程
中に混入するゴミ等により断線が発生することがあり、
歩留り低下の一因となっている。各バスラインにおいて
も近年の高精細・大画面化により微細なパターンが増加
し、不良発生の確率が高まったのみならず、駆動時のラ
イン抵抗差が線欠陥として見えてしまうなど、冗長構成
をとるにしても因難であるという事情がある。
【００８２】本実施の形態は、ＬＣＤパネルの端子部
（ｃ）から表示領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）
における配線構造として、絶縁膜を介して一部又は全部
が重畳配置された補助導電性薄膜パターンを形成する点
に特徴を有している。この補助導電性薄膜パターンは、
電気的に独立しているか、あるいは一端がコンタクトホ
ールを介して電気的に接続されている。仮に端子部
（ｃ）から表示領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）
の配線の途中で断線不良が発生した場合、補助導電性薄
膜パターンと当該配線をレーザ光の照射により接続する
ことで、他の正常なバスラインと殆ど変わらない小さな
抵抗差で配線を救済して液晶パネルの製造歩留りを向上
させることができる。
（ｃ）から表示領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）
における配線構造として、絶縁膜を介して一部又は全部
が重畳配置された補助導電性薄膜パターンを形成する点
に特徴を有している。この補助導電性薄膜パターンは、
電気的に独立しているか、あるいは一端がコンタクトホ
ールを介して電気的に接続されている。仮に端子部
（ｃ）から表示領域（ａ）に至る引き出し配線部（ｂ）
の配線の途中で断線不良が発生した場合、補助導電性薄
膜パターンと当該配線をレーザ光の照射により接続する
ことで、他の正常なバスラインと殆ど変わらない小さな
抵抗差で配線を救済して液晶パネルの製造歩留りを向上
させることができる。
【００８３】以下、実施例に基づき説明する。本実施の
形態において、第１乃至第３の実施の形態と同一の機能
作用を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明
は省略する。
形態において、第１乃至第３の実施の形態と同一の機能
作用を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明
は省略する。
【００８４】（実施例１）図２３（ａ）はＴＦＴ基板２
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２３
（ｂ）は、図２３（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示
している。図２３に示すように、表示領域（ａ）内で平
行に形成された複数のドレインバスライン２２０（図２
３では１本のみ表示している）は、引き出し配線部
（ｂ）において角度を曲げられて端子部（ｃ）の各外部
接続端子４０２にそれぞれ接続されている。
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２３
（ｂ）は、図２３（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示
している。図２３に示すように、表示領域（ａ）内で平
行に形成された複数のドレインバスライン２２０（図２
３では１本のみ表示している）は、引き出し配線部
（ｂ）において角度を曲げられて端子部（ｃ）の各外部
接続端子４０２にそれぞれ接続されている。
【００８５】ドレインバスライン２２０の外部接続端子
４０２は、第２のメタル層であるドレインバスライン２
２０を端子直前まで引き出し、コンタクトホール６０
０、６０２によりＩＴＯ膜６０４を介して第１のメタル
層であるパッド６０６に繋ぎ替えている。ドレインバス
ライン２２０の配線引回しは第２のメタル層のみで行っ
ており、第１のメタル層が干渉することはない。従っ
て、第１のメタル層を第２のメタル層であるドレインバ
スライン２２０の下部に補助配線５００として形成する
ことが可能である。
４０２は、第２のメタル層であるドレインバスライン２
２０を端子直前まで引き出し、コンタクトホール６０
０、６０２によりＩＴＯ膜６０４を介して第１のメタル
層であるパッド６０６に繋ぎ替えている。ドレインバス
ライン２２０の配線引回しは第２のメタル層のみで行っ
ており、第１のメタル層が干渉することはない。従っ
て、第１のメタル層を第２のメタル層であるドレインバ
スライン２２０の下部に補助配線５００として形成する
ことが可能である。
【００８６】補助配線５００は、図２３（ｂ）に示すよ
うに、ガラス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバ
スライン形成用メタルでゲートバスライン２１８の形成
と同時に形成される。補助配線５００は、ドレインバス
ライン２２０に対してゲート絶縁膜２４０を介して積層
構造を有しており、ドレインバスライン２２０と電気的
に絶縁されて電気的にフローティング状態であり、その
ままでは用を成さない。
うに、ガラス基板であるＴＦＴ基板２００上のゲートバ
スライン形成用メタルでゲートバスライン２１８の形成
と同時に形成される。補助配線５００は、ドレインバス
ライン２２０に対してゲート絶縁膜２４０を介して積層
構造を有しており、ドレインバスライン２２０と電気的
に絶縁されて電気的にフローティング状態であり、その
ままでは用を成さない。
【００８７】本実施例では、この補助配線５００を引き
出し配線部（ｂ）の全てのドレインバスライン２２０の
下層に形成している。図２３（ｃ）に示すように、成膜
工程若しくはフォトリソグラフィ工程の最中に異物が付
着してドレインバスライン２２０が断線した場合、従来
であれば、欠陥パネルとして廃棄するしかなかったが、
本実施例においては、補助配線５００が下部に設置され
ているため、断線したドレインバスライン２２０の断線
部５０２両端の２箇所のレーザ照射位置５０４にレーザ
光を照射して当該ドレインバスライン２２０と補助配線
５００とを溶融して短絡させる。こうすることにより、
引き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２０に
断線が生じても容易に修復することができる。以上説明
した構成及び欠陥修復方法は、ゲートバスライン２１８
側の引き出し配線部（ｂ）についても同様に適用可能で
ある。この場合には、第１のメタル層がゲートバスレイ
ン２１８であり、第２のメタル層が補助配線５００とな
る。
出し配線部（ｂ）の全てのドレインバスライン２２０の
下層に形成している。図２３（ｃ）に示すように、成膜
工程若しくはフォトリソグラフィ工程の最中に異物が付
着してドレインバスライン２２０が断線した場合、従来
であれば、欠陥パネルとして廃棄するしかなかったが、
本実施例においては、補助配線５００が下部に設置され
ているため、断線したドレインバスライン２２０の断線
部５０２両端の２箇所のレーザ照射位置５０４にレーザ
光を照射して当該ドレインバスライン２２０と補助配線
５００とを溶融して短絡させる。こうすることにより、
引き出し配線部（ｂ）でのドレインバスライン２２０に
断線が生じても容易に修復することができる。以上説明
した構成及び欠陥修復方法は、ゲートバスライン２１８
側の引き出し配線部（ｂ）についても同様に適用可能で
ある。この場合には、第１のメタル層がゲートバスレイ
ン２１８であり、第２のメタル層が補助配線５００とな
る。
【００８８】（実施例２）図２４（ａ）はＴＦＴ基板２
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２４
（ｂ）は、図２４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面を示
している。図２４に示す構造の基本構成は図２３に示す
ものと同様であるが、補助配線５００の一端を予めドレ
インバスライン２２０と接続しておく点が特徴である。
具体的には、図２４（ａ）、（ｂ）に示すように、ドレ
インバスライン２２０の外部接続端子４０２は、第２の
メタル層であるドレインバスライン２２０を端子直前ま
で引き出し、コンタクトホール６００、６０２によりＩ
ＴＯ膜６０４を介して第１のメタル層であるパッド６０
６に繋ぎ替えている。また、補助配線５００の一端がパ
ッド６０６と接続されている。
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２４
（ｂ）は、図２４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面を示
している。図２４に示す構造の基本構成は図２３に示す
ものと同様であるが、補助配線５００の一端を予めドレ
インバスライン２２０と接続しておく点が特徴である。
具体的には、図２４（ａ）、（ｂ）に示すように、ドレ
インバスライン２２０の外部接続端子４０２は、第２の
メタル層であるドレインバスライン２２０を端子直前ま
で引き出し、コンタクトホール６００、６０２によりＩ
ＴＯ膜６０４を介して第１のメタル層であるパッド６０
６に繋ぎ替えている。また、補助配線５００の一端がパ
ッド６０６と接続されている。
【００８９】これにより、図２３の構成では断線部５０
２両端にレーザ光を照射しなければならないのに対し、
本実施例では表示領域側の１箇所のレーザ照射位置５０
４だけにレーザ光を照射して接続することにより断線の
救済が可能となる。従ってリペア作業の工数を大幅に低
減させることができる。断線部分だけ接続されるため正
常なバスラインとの抵抗差も抑えることが可能である。
なお、本実施例では、端子部（ｃ）側でドレインバスラ
イン２２０と補助配線５００とのコンタクトを行ってい
るが、表示領域（ａ）側端部でコンタクトを行ってもよ
い。
２両端にレーザ光を照射しなければならないのに対し、
本実施例では表示領域側の１箇所のレーザ照射位置５０
４だけにレーザ光を照射して接続することにより断線の
救済が可能となる。従ってリペア作業の工数を大幅に低
減させることができる。断線部分だけ接続されるため正
常なバスラインとの抵抗差も抑えることが可能である。
なお、本実施例では、端子部（ｃ）側でドレインバスラ
イン２２０と補助配線５００とのコンタクトを行ってい
るが、表示領域（ａ）側端部でコンタクトを行ってもよ
い。
【００９０】（実施例３）図２５（ａ）はＴＦＴ基板２
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２５
（ｂ）は、図２５（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示
している。本実施例は、レーザ照射時の作業性改善に関
するもので、構成自体は図２４と同様である。補助配線
５００の端部をレーザ照射する際に、補助配線５００の
線幅が細いため誤って補助配線５００自体を切断してし
まう可能性がある。そこで本実施例では、レーザ照射部
分の配線の一部をパッド６０８として拡大することで、
配線自体の切断の懸念をなくしてリペア作業性を向上さ
せている。配線全体を太くせずにパッド６０８を設けた
のは、隣接パターンとの間での短絡発生を極力排除する
と共にバスライン配線とコモン電極との間の寄生容量に
よる負荷を増加させないためである。
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２５
（ｂ）は、図２５（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面を示
している。本実施例は、レーザ照射時の作業性改善に関
するもので、構成自体は図２４と同様である。補助配線
５００の端部をレーザ照射する際に、補助配線５００の
線幅が細いため誤って補助配線５００自体を切断してし
まう可能性がある。そこで本実施例では、レーザ照射部
分の配線の一部をパッド６０８として拡大することで、
配線自体の切断の懸念をなくしてリペア作業性を向上さ
せている。配線全体を太くせずにパッド６０８を設けた
のは、隣接パターンとの間での短絡発生を極力排除する
と共にバスライン配線とコモン電極との間の寄生容量に
よる負荷を増加させないためである。
【００９１】（実施例４）図２６（ａ）はＴＦＴ基板２
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２６
（ｂ）は、図２６（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面を示
している。本実施例は、レーザ照射時の作業性改善に関
するもので、構成自体は図２４と同様である。本実施例
では、ＴＦＴ基板２００のガラス基板側により近い第１
のメタル層の線幅（ｘ）を、第２のメタル層の線幅
（ｙ）より多少細く形成している点に特徴を有してい
る。
００に形成されたドレインバスライン２２０の引き出し
配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示している。図２６
（ｂ）は、図２６（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面を示
している。本実施例は、レーザ照射時の作業性改善に関
するもので、構成自体は図２４と同様である。本実施例
では、ＴＦＴ基板２００のガラス基板側により近い第１
のメタル層の線幅（ｘ）を、第２のメタル層の線幅
（ｙ）より多少細く形成している点に特徴を有してい
る。
【００９２】端子配線の断線欠陥のリペア作業をパネル
完成後に行う場合、通常は図２６（ｂ）に示すように、
ＴＦＴアレイの存在するＴＦＴ基板２００の裏面側から
リペア用レーザ６１０によりレーザ光の照射を行う。Ｃ
Ｆ基板側からのレーザ光照射は、ＢＭ（ブラックマトリ
クス）に視界を遮られたり、液晶等の障害物によりレー
ザ光強度が減衰し易いという問題があるためである。
完成後に行う場合、通常は図２６（ｂ）に示すように、
ＴＦＴアレイの存在するＴＦＴ基板２００の裏面側から
リペア用レーザ６１０によりレーザ光の照射を行う。Ｃ
Ｆ基板側からのレーザ光照射は、ＢＭ（ブラックマトリ
クス）に視界を遮られたり、液晶等の障害物によりレー
ザ光強度が減衰し易いという問題があるためである。
【００９３】このとき、レーザを照射する部位は、誤っ
て断線を作らないために配線の端部で行うが、第１のメ
タル層で形成された補助配線５００の配線幅（ｘ）が第
２のメタル層で形成されたドレインバスライン２２０の
線幅（ｙ）より広い場合には、レーザ光の照射位置が目
視で確認できないためリペア精度が低下する可能性があ
る。補助配線５００とドレインバスライン２２０の線幅
が同じだと都合がよいが、メタルのエッチング残渣の問
題があるため実現するのは困難である。そこで、本実施
例のように第１のメタル層の線幅（ｘ）を、第２のメタ
ル層の線幅（ｙ）より多少細く形成することにでリペア
接続時の成功率を向上させることができる。
て断線を作らないために配線の端部で行うが、第１のメ
タル層で形成された補助配線５００の配線幅（ｘ）が第
２のメタル層で形成されたドレインバスライン２２０の
線幅（ｙ）より広い場合には、レーザ光の照射位置が目
視で確認できないためリペア精度が低下する可能性があ
る。補助配線５００とドレインバスライン２２０の線幅
が同じだと都合がよいが、メタルのエッチング残渣の問
題があるため実現するのは困難である。そこで、本実施
例のように第１のメタル層の線幅（ｘ）を、第２のメタ
ル層の線幅（ｙ）より多少細く形成することにでリペア
接続時の成功率を向上させることができる。
【００９４】（実施例５）本実施例は、図２７に示すよ
うに、静電気障害防止のために設けられているショート
リング４５４、４５５に接続配線４５２、４５３を介し
てドレインバスライン２２０と補助配線５００が接続さ
れている点に特徴を有している。電気的にフローティン
グのパターンは経験上、工程途中の静電気破壊が起こり
やすいことが分かっており、ショートリングに接続する
ことで局所的に発生した電荷を逃がすことでパターンの
破壊を防止することができる。こうすることによりＴＦ
Ｔ基板２００上に素子を形成するアレイ工程中で静電気
が発生しても、ドレインバスライン２２０と補助配線５
００との交差部で静電破壊による短絡が発生することを
未然に防止できる。なお、パネルが完成した後には、シ
ョートリング４５４、４５５はスクライブライン４５６
で切断されて切り落とされるため、ドレインバスライン
２２０と補助配線５００とは電気的に分離される。
うに、静電気障害防止のために設けられているショート
リング４５４、４５５に接続配線４５２、４５３を介し
てドレインバスライン２２０と補助配線５００が接続さ
れている点に特徴を有している。電気的にフローティン
グのパターンは経験上、工程途中の静電気破壊が起こり
やすいことが分かっており、ショートリングに接続する
ことで局所的に発生した電荷を逃がすことでパターンの
破壊を防止することができる。こうすることによりＴＦ
Ｔ基板２００上に素子を形成するアレイ工程中で静電気
が発生しても、ドレインバスライン２２０と補助配線５
００との交差部で静電破壊による短絡が発生することを
未然に防止できる。なお、パネルが完成した後には、シ
ョートリング４５４、４５５はスクライブライン４５６
で切断されて切り落とされるため、ドレインバスライン
２２０と補助配線５００とは電気的に分離される。
【００９５】（実施例６）図２８は、本実施形態の上記
実施例１乃至５を組み合わせた構成を示している。図２
８（ａ）は、ドレインバスライン２２０の引き出し配線
部近傍を示し、図２８（ｂ）はゲートバスライン２１８
の引き出し配線部近傍を示している。ドレインバスライ
ン２２０側とゲートバスライン２１８側では、途中で繋
ぎ替えを行わなければ別レイヤで配線されるため端子の
構造が異なる。図２８においても端子の引き回しが異な
るが冗長配線が存在するため、ドレインバスライン２２
０側とゲートバスライン２１８側でほぼ同様の端子構造
をとり、異なるのは補助配線５００の層構成のみとな
る。本構造により、ドレインバスライン２２０側とゲー
トバスライン２１８側両方に配線の断線に対する冗長構
造を提供することが可能になるのみならず、端子設計ル
ールをほぼ同様にできるという利点も生じる。
実施例１乃至５を組み合わせた構成を示している。図２
８（ａ）は、ドレインバスライン２２０の引き出し配線
部近傍を示し、図２８（ｂ）はゲートバスライン２１８
の引き出し配線部近傍を示している。ドレインバスライ
ン２２０側とゲートバスライン２１８側では、途中で繋
ぎ替えを行わなければ別レイヤで配線されるため端子の
構造が異なる。図２８においても端子の引き回しが異な
るが冗長配線が存在するため、ドレインバスライン２２
０側とゲートバスライン２１８側でほぼ同様の端子構造
をとり、異なるのは補助配線５００の層構成のみとな
る。本構造により、ドレインバスライン２２０側とゲー
トバスライン２１８側両方に配線の断線に対する冗長構
造を提供することが可能になるのみならず、端子設計ル
ールをほぼ同様にできるという利点も生じる。
【００９６】（実施例７）本実施例では、図２９を用い
てより具体的な構造について説明する。図２９（ａ）は
ＴＦＴ基板２００に形成されたドレインバスライン２２
０の引き出し配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示して
いる。図２９（ｂ）は、図２９（ａ）のＡ−Ａ線で切断
した断面を示している。
てより具体的な構造について説明する。図２９（ａ）は
ＴＦＴ基板２００に形成されたドレインバスライン２２
０の引き出し配線部（ｂ）の一部及びその近傍を示して
いる。図２９（ｂ）は、図２９（ａ）のＡ−Ａ線で切断
した断面を示している。
【００９７】本実施例におけるバスライン形成材料は、
ゲートバスライン２１８がＡｌ／ＭｏＮ／Ｍｏ、ドレイ
ンバスライン２２０がＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ／Ｍｏであ
り、導電体としては抵抗の低いＡｌの膜厚を基準に考え
ると、抵抗に寄与する膜厚はどちらも２００ｎｍとな
り、シート抵抗はどちらも０．２Ω／□程度になり、配
線幅が同じであれば、配線抵抗は等しいことになる。例
えば２１インチＳＸＧＡ（１２８０×１０２４ライン）
クラスのＬＣＤパネルであれば配線幅が２０μｍ程度と
なることから、抵抗は表示領域を含めて１５ｋΩ程度と
なる。補助配線５００も同様のシート抵抗を有するが、
通常はこの補助配線５００は電気伝導には寄与しないた
め、正常ラインに対して抵抗を変動させる要因にはなら
ない。
ゲートバスライン２１８がＡｌ／ＭｏＮ／Ｍｏ、ドレイ
ンバスライン２２０がＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ／Ｍｏであ
り、導電体としては抵抗の低いＡｌの膜厚を基準に考え
ると、抵抗に寄与する膜厚はどちらも２００ｎｍとな
り、シート抵抗はどちらも０．２Ω／□程度になり、配
線幅が同じであれば、配線抵抗は等しいことになる。例
えば２１インチＳＸＧＡ（１２８０×１０２４ライン）
クラスのＬＣＤパネルであれば配線幅が２０μｍ程度と
なることから、抵抗は表示領域を含めて１５ｋΩ程度と
なる。補助配線５００も同様のシート抵抗を有するが、
通常はこの補助配線５００は電気伝導には寄与しないた
め、正常ラインに対して抵抗を変動させる要因にはなら
ない。
【００９８】さらに、レーザ光の照射による接続により
生じるコンタクト抵抗は０．２Ω程度であり全体として
見た場合の抵抗としては無視してよい大きさである。ま
た、これら抵抗の変動が表示に与える影響は、前述のパ
ネルでライン抵抗の分布が５％以内であれば、線欠陥と
して見えることはないことが実験的に確認できている。
仮にこのバスライン部に断線欠陥が生じた場合、そのバ
スラインは断線してしまっているので抵抗は無限大であ
る。ここで補助配線５００をレーザリペア作業で断線部
分を迂回できるように繋ぐ。これによりバスラインの端
子部からレーザリペアによる接続部までの距離が変化し
たとしても両者の配線抵抗は等しく配線抵抗の変化は生
じない。
生じるコンタクト抵抗は０．２Ω程度であり全体として
見た場合の抵抗としては無視してよい大きさである。ま
た、これら抵抗の変動が表示に与える影響は、前述のパ
ネルでライン抵抗の分布が５％以内であれば、線欠陥と
して見えることはないことが実験的に確認できている。
仮にこのバスライン部に断線欠陥が生じた場合、そのバ
スラインは断線してしまっているので抵抗は無限大であ
る。ここで補助配線５００をレーザリペア作業で断線部
分を迂回できるように繋ぐ。これによりバスラインの端
子部からレーザリペアによる接続部までの距離が変化し
たとしても両者の配線抵抗は等しく配線抵抗の変化は生
じない。
【００９９】従って、断線リペア作業で繋ぎ替えを実施
しても、その繋ぎ替え実施ラインの抵抗と、正常部の抵
抗がほぼ同じとなるため、画素信号が表示領域に達する
までの電圧降下分がほぼ等しい。従って、レーザによる
接続を実施したラインが欠陥として見えてしまうことも
ない。また、抵抗の異なる配線材を用いる場合において
も、膜厚や配線幅を調整することで抵抗差が小さくなる
ようにすることで、同様の効果が期待できる。
しても、その繋ぎ替え実施ラインの抵抗と、正常部の抵
抗がほぼ同じとなるため、画素信号が表示領域に達する
までの電圧降下分がほぼ等しい。従って、レーザによる
接続を実施したラインが欠陥として見えてしまうことも
ない。また、抵抗の異なる配線材を用いる場合において
も、膜厚や配線幅を調整することで抵抗差が小さくなる
ようにすることで、同様の効果が期待できる。
【０１００】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、プロセスの大幅な変更なしに、液晶パネルの端子部
から表示領域に至る引き回し配線部の断線不良の救済が
可能になり、製造歩留りを向上させることができる。具
体的には、仮にあるバスラインにゴミ等が付着すること
により、パターンの断線が発生したとすると、通常であ
ればそのパネルは不良で廃棄処分となるが、本構成にお
いては、レーザ接続を行うことにより、別レイヤのメタ
ル配線を通して配線としての機能を復元することが可能
であり、また断線欠陥の数の影響も受けないため、複数
本の断線欠陥のリペアも可能であり不良パネルの救済が
できる。
ば、プロセスの大幅な変更なしに、液晶パネルの端子部
から表示領域に至る引き回し配線部の断線不良の救済が
可能になり、製造歩留りを向上させることができる。具
体的には、仮にあるバスラインにゴミ等が付着すること
により、パターンの断線が発生したとすると、通常であ
ればそのパネルは不良で廃棄処分となるが、本構成にお
いては、レーザ接続を行うことにより、別レイヤのメタ
ル配線を通して配線としての機能を復元することが可能
であり、また断線欠陥の数の影響も受けないため、複数
本の断線欠陥のリペアも可能であり不良パネルの救済が
できる。
【０１０１】また、正常なバスラインにおいては、補助
配線５００は他の配線に何ら影響を及ぼすことはなく、
断線発生バスラインのみレーザ照射による接続を行うた
め当該配線での電流パスは一つのルートしか形成されな
い。そのため、リペア部と正常部のバスラインの抵抗差
が殆どなく、この抵抗差により薄い線欠陥として見える
こともない。さらに、レーザ接続を行うのは、１本の断
線に付き接続部分１箇所のみで済むのでリペア作業工数
も少なくて済む。
配線５００は他の配線に何ら影響を及ぼすことはなく、
断線発生バスラインのみレーザ照射による接続を行うた
め当該配線での電流パスは一つのルートしか形成されな
い。そのため、リペア部と正常部のバスラインの抵抗差
が殆どなく、この抵抗差により薄い線欠陥として見える
こともない。さらに、レーザ接続を行うのは、１本の断
線に付き接続部分１箇所のみで済むのでリペア作業工数
も少なくて済む。
【０１０２】また、下層のメタルを上層のメタルより小
さく形成することで、線の境界が外部から目視で確認で
きるようになり、リペア作業を容易にして且つ配線途中
でリペアを行うことが可能になるという効果も生じる。
本来の配線パターンとリペア用の配線パターンの抵抗を
概ね同じにすることが可能であれば、リペア時のバスラ
イン間での抵抗差はより小さく抑えることが可能であり
表示品位に対するマージンを稼ぐことが可能となる。
さく形成することで、線の境界が外部から目視で確認で
きるようになり、リペア作業を容易にして且つ配線途中
でリペアを行うことが可能になるという効果も生じる。
本来の配線パターンとリペア用の配線パターンの抵抗を
概ね同じにすることが可能であれば、リペア時のバスラ
イン間での抵抗差はより小さく抑えることが可能であり
表示品位に対するマージンを稼ぐことが可能となる。
【０１０３】さらに、リペア用配線パターンであり補助
配線５００を独立パターンにすると、工程内での静電気
によりパターン破壊が生じる可能性が高くなるが、一方
が端子を介してパネル外のマザーガラスに設けられる共
通接続パターン（ショートリング）に接続することによ
り、パネル工程中での静電気破壊からバスライン配線及
び補助配線５００を守ることができ、このパターンを設
置したことによる不良も発生し難いという効果も生じ
る。
配線５００を独立パターンにすると、工程内での静電気
によりパターン破壊が生じる可能性が高くなるが、一方
が端子を介してパネル外のマザーガラスに設けられる共
通接続パターン（ショートリング）に接続することによ
り、パネル工程中での静電気破壊からバスライン配線及
び補助配線５００を守ることができ、このパターンを設
置したことによる不良も発生し難いという効果も生じ
る。
【０１０４】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴ
をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明はこれに
限らず、他の表示装置、例えば、ダイオード素子（ＭＩ
Ｍ）等の非線型素子を用いたアクティブマトリクス型の
液晶表示装置やパッシブ型の液晶表示装置、あるいはＥ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やＰＤＰ（プ
ラズマディスプレイ装置）等種々の表示装置及びその欠
陥修復方法に適用することが可能である。
変形が可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴ
をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明はこれに
限らず、他の表示装置、例えば、ダイオード素子（ＭＩ
Ｍ）等の非線型素子を用いたアクティブマトリクス型の
液晶表示装置やパッシブ型の液晶表示装置、あるいはＥ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やＰＤＰ（プ
ラズマディスプレイ装置）等種々の表示装置及びその欠
陥修復方法に適用することが可能である。
【０１０５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、表示装置
の製造工程において発生した層間短絡や同層短絡などの
欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良品化す
ることができる表示装置及びその欠陥修復方法を実現で
きる。
の製造工程において発生した層間短絡や同層短絡などの
欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良品化す
ることができる表示装置及びその欠陥修復方法を実現で
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法を説明する図である。
陥修復方法を説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法を説明する図である。
陥修復方法を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法において、領域ＩＶを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
陥修復方法において、領域ＩＶを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする例について説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする際の変形例について説明する図
である。
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い層間短絡をリペアする際の変形例について説明する図
である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い同層短絡をリペアする例について説明する図である。
陥修復方法において、領域ＩＩを用いてレーザ照射を行
い同層短絡をリペアする例について説明する図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法における実施例１の概略を示す図である。
陥修復方法における実施例１の概略を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による表示装置の欠
陥修復方法における実施例２の概略を示す図である。
陥修復方法における実施例２の概略を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による表示装置の
欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図である。
欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
【図１２】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
【図１３】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例１の変形例を示す図
である。
びその欠陥修復方法における実施例１の変形例を示す図
である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例１の他の変形例を示
す図である。
びその欠陥修復方法における実施例１の他の変形例を示
す図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例２の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例２の概略を示す図で
ある。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図で
ある。
【図１７】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例４の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例４の概略を示す図で
ある。
【図１８】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例５の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例５の概略を示す図で
ある。
【図１９】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例６の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例６の概略を示す図で
ある。
【図２０】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例７の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例７の概略を示す図で
ある。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例８の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例８の概略を示す図で
ある。
【図２２】本発明の第３の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例８の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例８の概略を示す図で
ある。
【図２３】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例１の概略を示す図で
ある。
【図２４】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例２の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例２の概略を示す図で
ある。
【図２５】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例３の概略を示す図で
ある。
【図２６】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例４の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例４の概略を示す図で
ある。
【図２７】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例５の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例５の概略を示す図で
ある。
【図２８】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例６の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例６の概略を示す図で
ある。
【図２９】本発明の第４の実施の形態による表示装置及
びその欠陥修復方法における実施例７の概略を示す図で
ある。
びその欠陥修復方法における実施例７の概略を示す図で
ある。
【図３０】液晶表示装置の概略の構成を示す図である。
【図３１】液晶表示装置の素子部の等価回路を示す図で
ある。
ある。
【図３２】液晶表示装置の素子部の概略の構成を示す図
である。
である。
【図３３】液晶表示装置における従来のリペア方法を示
す図である。
す図である。
【図３４】液晶表示装置における従来のリペア方法を示
す図である。
す図である。
２００ ＴＦＴ基板 ２０２ ＣＦ基板 ２０４ 液晶 ２０６ ゲート駆動回路 ２０８ ドレイン駆動回路 ２１０、２１２ 偏光板 ２１４ バックライトユニット ２１６ 制御回路 ２１８ ゲートバスライン ２２０ ドレインバスライン ２２４ 画素電極 ２２６ 蓄積容量バスライン ２２８ ソース電極 ２３０ ドレイン電極 ２３２ 動作半導体層 ２３４、２３８ コンタクトホール ２３６ 蓄積容量電極 ２４０ ゲート絶縁膜 ２４２ チャネル保護膜 ２４４ 保護膜 ２９０ 層間短絡 ２９１ 同層短絡 ３００、３０１、３１０、３１１、３１２、３１３、３
１４、３１５ 切断位置 ３０２、３０３ リペア配線 ３０４、３０５ 交差領域 ３１６、３１７、３１、３１９、３２０ 接続位置 ３２１、３２２、３２３ 接続位置 ３２４、３２５、３２６、３２７ 接続位置 ３３０、３３２、３３４、３３５、３３６、３３７、３
３８ 切断位置 ３４０、３４２、３４４、３４５、３４６、３４７ 切
断位置 ４００、４１０、４２０、４６０ リペア配線 ４０２、４６２ 外部接続端子 ４０４ 断線 ４０６、４０８、４２６、４２８、４３６、４３８、４
６６、４６８ 交差領域 ４１２ 同層短絡 ４１８ シール剤 ４４８、４５０ 切断位置 ４５４、４５５ ショートリング ４５６ スクライブライン ５００ 補助配線 ５０２ 断線部 ５０４ レーザ照射位置 ６００、６０２ コンタクトホール ６０４ ＩＴＯ膜 ６０６、６０８ パッド ６１０ リペア用レーザ
１４、３１５ 切断位置 ３０２、３０３ リペア配線 ３０４、３０５ 交差領域 ３１６、３１７、３１、３１９、３２０ 接続位置 ３２１、３２２、３２３ 接続位置 ３２４、３２５、３２６、３２７ 接続位置 ３３０、３３２、３３４、３３５、３３６、３３７、３
３８ 切断位置 ３４０、３４２、３４４、３４５、３４６、３４７ 切
断位置 ４００、４１０、４２０、４６０ リペア配線 ４０２、４６２ 外部接続端子 ４０４ 断線 ４０６、４０８、４２６、４２８、４３６、４３８、４
６６、４６８ 交差領域 ４１２ 同層短絡 ４１８ シール剤 ４４８、４５０ 切断位置 ４５４、４５５ ショートリング ４５６ スクライブライン ５００ 補助配線 ５０２ 断線部 ５０４ レーザ照射位置 ６００、６０２ コンタクトホール ６０４ ＩＴＯ膜 ６０６、６０８ パッド ６１０ リペア用レーザ
フロントページの続き (72)発明者 松原 邦夫 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 加藤 真也 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 田口 善久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 浅田 勝滋 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 林 省吾 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 JB72 JB73 KA12 KA16 KA18 MA47 NA25 NA29 4E068 AC00 DA09 5F110 AA27 BB01 EE01 EE03 EE04 EE15 5G435 AA17 EE33 FF05 HH12 HH14 KK05 KK10
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に画素領域が形成された表示装置の
欠陥修復方法において、 複数の導電層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対
してレーザ光を照射して、前記積層領域に層間短絡ある
いは同層短絡が生じないように前記積層領域近傍の上層
の導電層だけを選択的に除去する工程を含むことを特徴
とする欠陥修復方法。 - 【請求項２】基板上に画素領域が形成された表示装置の
欠陥修復方法において、 複数の導電層が絶縁層を挟んで積層された積層領域に対
してレーザ光を照射して、前記積層領域の前記複数の導
電層を層間短絡しないように除去する工程を含むことを
特徴とする欠陥修復方法。 - 【請求項３】基板上に画素領域が形成された表示装置の
欠陥修復方法において、 ゲートバスラインに生じた断線部に対し、前記ゲートバ
スラインと絶縁膜を介して形成されたＴＦＴのドレイン
電極、ソース電極、あるいは画素電極や蓄積容量バスラ
インを、レーザ光の局所的な照射により分離あるいは接
続してバイパス路を形成することにより前記断線部を修
復することを特徴とする欠陥修復方法。 - 【請求項４】複数のバスラインが表示領域内に形成され
た表示装置において、 前記表示領域から前記複数のバスラインの各端子に至る
間の引き出し配線部で生じた断線を修復する、複数の引
き出し配線に接続可能なリペア配線を有していることを
特徴とする表示装置。 - 【請求項５】複数のバスラインが表示領域内に形成され
た表示装置において、 前記バスラインの引き出し配線部の上層又は下層に絶縁
膜を介して積層された補助配線を有していることを特徴
とする表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32980499A JP4584387B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
| KR1020000041585A KR100765926B1 (ko) | 1999-11-19 | 2000-07-20 | 표시 장치 및 그 결함 복구 방법 |
| TW089114657A TW487895B (en) | 1999-11-19 | 2000-07-21 | Display and method for repairing defects thereof |
| US09/627,194 US6856374B1 (en) | 1999-11-19 | 2000-07-27 | Display and method for repairing defects thereof |
| US10/968,292 US7187423B2 (en) | 1999-11-19 | 2004-10-19 | Display and method for repairing defects thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32980499A JP4584387B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001147649A true JP2001147649A (ja) | 2001-05-29 |
| JP4584387B2 JP4584387B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=18225444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32980499A Expired - Lifetime JP4584387B2 (ja) | 1999-11-19 | 1999-11-19 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6856374B1 (ja) |
| JP (1) | JP4584387B2 (ja) |
| KR (1) | KR100765926B1 (ja) |
| TW (1) | TW487895B (ja) |
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| CN110928091A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-03-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其修复方法、显示装置 |
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