TWI418883B - 修補方法以及主動元件陣列基板 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種主動元件陣列基板，且特別是有關於一種主動元件陣列基板之修補方法。
針對多媒體社會之急速進步，多半受惠於半導體元件或人機顯示裝置的飛躍性進步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優異的顯示品質與其經濟性，一直獨佔近年來的顯示器市場。然而，對於個人在桌上操作多數終端機/顯示器裝置的環境，或是以環保的觀點切入，若以節省能源的潮流加以預測陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問題，而對於輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無法有效提供解決之道。因此，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之薄膜電晶體液晶顯示面板(TFT-LCD panel)已逐漸成為市場主流，其中又以高解析度之薄膜電晶體液晶顯示面板備受關注。
在高解析度之薄膜電晶體液晶顯示面板中，掃描線數量的增加已成為趨勢，但為了顧及面板之開口率(aperture ratio)，在一般的高解析度之薄膜電晶體液晶顯示面板中，並無用以修補掃描線斷線之修補線設計，因此當掃描線發生斷線瑕疵(open defect)時，面板多半需報廢，造成成本的大幅提高。
本發明提供一種主動元件陣列基板之修補方法以及經過修補後之主動元件陣列基板。
本發明提供一種修補方法，其適於修補一主動元件陣列基板。主動元件陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條資料線、多個主動元件、多個畫素電極以及多條共通線，至少其中一條掃描線具有一斷線瑕疵(open defect)，掃描線與資料線彼此交錯以於基板上定義出多個子畫素區域，主動元件與其中一條掃描線以及其中一條資料線電性連接，各個畫素電極位於其中一個子畫素區域內，並與其中一個主動元件電性連接。此修補方法包括：切除鄰近於斷線瑕疵的其中一條共通線，以形成一與共通線電性絕緣之切除區塊；以及令切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接，以使切除區塊與具有斷線瑕疵之掃描線電性連接。
在本發明之一實施例中，前述之主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，源極與其中一條資料線電性連接，汲極與其中一個畫素電極電性連接，而令切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接的方法包括：令切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件之二汲極焊接。
在本發明之一實施例中，令切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接的方法包括雷射焊接(laser welding)。
在本發明之一實施例中，切除鄰近於斷線瑕疵的其中一條共通線的方法包括雷射切除製程(laser cutting)。
本發明提供一種主動元件陣列基板，其包括一基板、多條掃描線、多條資料線、多個主動元件、多個畫素電極以及多條共通線。掃描線配置於基板上，且至少其中一條掃描線具有一斷線瑕疵。資料線配置於基板上，掃描線與資料線彼此交錯以於基板上定義出多個子畫素區域。主動元件配置於基板上，並與其中一條掃描線以及其中一條資料線電性連接。畫素電極配置於基板上，各個畫素電極位於其中一個子畫素區域內，並分別與其中一個主動元件電性連接。共通線配置於基板上，至少其中一條共通線具有一鄰近於斷線瑕疵的切除區塊，其中切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接，以使切除區塊與具有斷線瑕疵之掃描線電性連接。
在本發明之一實施例中，前述之各個主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，源極與其中一條資料線電性連接，而汲極與其中一個畫素電極電性連接。
在本發明之一實施例中，前述之切除區塊以及具有斷線瑕疵之掃描線與斷線瑕疵兩側的二主動元件的二汲極焊接。
在本發明之一實施例中，前述之各個汲極分別與其中一條共通線重疊。
在本發明之一實施例中，前述之共通線位於畫素電極下方。
基於上述，由於本發明將部分的共通線切除以作為修補線之用，因此本發明之修補方法可以在不影響開口率的情況下，對主動元件陣列基板進行修補。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之主動元件陣列基板的示意圖，而圖2為圖1之主動元件陣列基板經過修補之後的示意圖。請同時參照圖1與圖2，本實施例之修補方法適於修補圖1中的主動元件陣列基板100，以提昇主動元件陣列基板100的製造良率提昇。如圖1所示，主動元件陣列基板100包括一基板110、多條掃描線120、多條資料線130、多個主動元件140、多個畫素電極150以及多條共通線160，掃描線120與資料線130彼此交錯以於基板110上定義出多個子畫素區域R，主動元件140與其中一條掃描線120以及其中一條資料線130電性連接，各個畫素電極150位於其中一個子畫素區域R內，並與其中一個主動元件140電性連接。此外，本實施例之共通線160例如係位於畫素電極150下方，以與畫素電極150耦合形成儲存電容。
在本實施例中，主動元件140具有一閘極140G、一源極140S以及一汲極140D，源極140S與其中一條資料線130電性連接，汲極140D與其中一個畫素電極150電性連接。
由圖1與圖2可清楚得知，本實施例之主動元件陣列基板100中不具有額外的修補線(repair line)，因此本實施例之主動元件陣列基板100具有高開口率。
當掃描線120因製程控制不當或是其他因素而產生斷線瑕疵D時，透過本實施例之修補方法能夠在不影響開口率的情況下，有效地降低面板報廢的機率，進而降低製造成本。以下將搭配圖2針對主動元件陣列基板100’之修補方法作進一步的說明。
請參照圖2，當其中一條或多條掃描線120因製程控制不當或是其他因素而產生斷線瑕疵D時，本實施例以斷線瑕疵D附近的其中一條共通線160作為修補線，以使具有斷線瑕疵D的一條或多條掃描線120能夠恢復正常功能。舉例而言，本實施例可先切除鄰近於斷線瑕疵D的共通線160，以形成一與共通線160電性絕緣之切除區塊C，之後，透過焊接的方式使切除區塊C與斷線瑕疵D兩側的二主動元件140電性連接，並透過焊接的方式使具有斷線瑕疵D之掃描線120與斷線瑕疵D兩側的二主動元件140電性連接。在經過上述的焊接之後，切除區塊C會與具有斷線瑕疵D之掃描線120電性連接。值得注意的是，在本發明之其他實施例中，亦可先進行焊接的動作，再進行切除的動作，同樣可以達到相同的修補效果。
由圖2可以清楚得知，為了形成與共通線160電性絕緣之切除區塊C，本實施例沿著切除線C1、C2、C3、C4進行雷射切除製程，以使切除區塊C能夠與共通線160分離。詳言之，沿著切除線C1、C2進行的雷射切除製程主要是用以將共通線160切斷。此外，由於共通線160彼此之間係透過多個橋接導體BR電性連接，故沿著切除線C3、C4進行的雷射切除製程主要是用以切斷部分的橋接導體BR。在沿著切除線C1、C2、C3、C4進行完雷射切除製程之後，切除區塊C便可以被當作修補線來使用。為了使藉由掃描線120傳遞的訊號不受到斷線瑕疵D的影響，本實施例在焊接點W1與W3處將切除區塊C與汲極140D焊接，在焊接點W2與W4處將汲極140D與掃描線120焊接。如此一來，藉由訊號便可透過切除區塊C以及具有斷線瑕疵D之掃描線120來共同傳遞。舉例而言，前述之焊接例如是透過雷射焊接的方式來達成。
值得注意的是，在其他可行的實施例中，沿著列方向延伸的共通線160可以在週邊區域直接電性連接，無須使用到橋接導體BR，此時，沿著切除線C3、C4進行的雷射切除製程便可以省略。
由於切除區塊C是透過二主動元件140之汲極140D與具有斷線瑕疵D之掃描線120電性連接，因此本實施例需進一步沿著切除線C5、C6進行雷射切割製程，以使斷線瑕疵D兩側的二主動元件140(即源極140S)與對應的資料線130電性絕緣。如此一來，資料線130所傳遞的訊號便不會被傳遞到具有斷線瑕疵D之掃描線120上。
請參照圖2，經過前述之修補方法修補之後的主動元件陣列基板100’包括一基板110、多條掃描線120、多條資料線130、多個主動元件140、多個畫素電極150以及多條共通線160。掃描線120配置於基板110上，且至少其中一條掃描線120具有一斷線瑕疵D。資料線130配置於基板110上，掃描線120與資料線130彼此交錯以於基板110上定義出多個子畫素區域R。主動元件140配置於基板110上，並與其中一條掃描線120以及其中一條資料線130電性連接。畫素電極150配置於基板110上，各個畫素電極150位於其中一個子畫素區域R內，並與其中一個主動元件140電性連接。共通線160配置於基板110上，至少其中一條共通線160具有一鄰近於斷線瑕疵D的切除區塊C，其中切除區塊C以及具有斷線瑕疵D之掃描線120與斷線瑕疵D兩側的二主動元件140焊接，以使切除區塊C與具有斷線瑕疵D之掃描線120電性連接。詳言之，切除區塊C與汲極140D係於焊接點W1與W3處彼此焊接，而汲極140D與掃描線120係於焊接點W2與W4處彼此焊接。
由圖2可知，為了方便焊接(焊接點W1與焊接點W3)的進行，各個汲極140D例如分別與其中一條共通線160重疊。當然，本發明不限定汲極140D必須與共通線160重疊，本發明亦可已透過其他方式使汲極140D與共通線160電性連接，如雷射化學氣相沈積(laser CVD)等。
基於上述，由於本發明將部分的共通線切除以作為修補線之用，因此本發明之修補方法可以在不影響開口率的情況下，對主動元件陣列基板進行修補。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100’‧‧‧主動元件陣列基板
110‧‧‧基板
120‧‧‧掃描線
130‧‧‧資料線
140‧‧‧主動元件
140G‧‧‧閘極
140S‧‧‧源極
140D‧‧‧汲極
150‧‧‧畫素電極
160‧‧‧共通線
D‧‧‧斷線瑕疵
C‧‧‧切除區塊
R‧‧‧子畫素區域
C1、C2、C3、C4、C5、C6‧‧‧切除線
W1、W2、W3、W4‧‧‧焊接點
BR‧‧‧橋接導體
圖1為本發明一實施例之主動元件陣列基板的示意圖。
圖2為圖1之主動元件陣列基板經過修補之後的示意圖。
100’．．．主動元件陣列基板
110．．．基板
120．．．掃描線
130．．．資料線
140．．．主動元件
140G．．．閘極
140S．．．源極
140D．．．汲極
150．．．畫素電極
160．．．共通線
D．．．斷線瑕疵
C．．．切除區塊
R．．．子畫素區域
C1、C2、C3、C4、C5、C6．．．切除線
W1、W2、W3、W4．．．焊接點
BR．．．橋接導體
Claims (7)
- 一種修補方法，適於修補一主動元件陣列基板，該主動元件陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條資料線、多個主動元件、多個畫素電極以及多條共通線，至少其中一條掃描線具有一斷線瑕疵(open defect)，該些掃描線與該些資料線彼此交錯以於該基板上定義出多個子畫素區域，該些主動元件分別與其中一條掃描線以及其中一條資料線電性連接，各該主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，該閘極與其中一條掃描線電性連接，該源極與其中一條資料線電性連接，而該汲極與其中一個畫素電極電性連接，各該畫素電極位於其中一個子畫素區域內，而該修補方法包括：切除鄰近於該斷線瑕疵的其中一條共通線，以形成一與該些共通線電性絕緣之切除區塊；以及令該切除區塊以及具有該斷線瑕疵之該掃描線與該斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接，其中該二主動元件的該些汲極重疊於該切除區塊，而該兩主動元件的該些汲極與該切除區塊銲接於該些汲極所在之處，以使該切除區塊與具有該斷線瑕疵之該掃描線電性連接。
- 如申請專範圍第1項所述之修補方法，其中令該切除區塊以及具有該斷線瑕疵之該掃描線與該斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接的方法包括雷射焊接。
- 如申請專範圍第1項所述之修補方法，其中該切除鄰近於該斷線瑕疵的其中一條共通線的方法包括雷射切除製程。
- 一種主動元件陣列基板，包括：一基板；多條掃描線，配置於該基板上，其中至少其中一條掃描線具有一斷線瑕疵；多條資料線，配置於該基板上，其中該些掃描線與該些資料線彼此交錯以於該基板上定義出多個子畫素區域；多個主動元件，配置於該基板上，並分別與其中一條掃描線以及其中一條資料線電性連接，各該主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，該閘極與其中一條掃描線電性連接，該源極與其中一條資料線電性連接，而該汲極與其中一個畫素電極電性連接；多個畫素電極，配置於該基板上，其中各該畫素電極位於其中一個子畫素區域內；以及多條共通線，配置於該基板上，至少其中一條共通線具有一鄰近於該斷線瑕疵的切除區塊，其中該切除區塊以及具有該斷線瑕疵之該掃描線與該斷線瑕疵兩側的二主動元件焊接，其中該二主動元件的該些汲極重疊於該切除區塊，而該兩主動元件的該些汲極與該切除區塊銲接於該些汲極所在之處，以使該切除區塊與具有該斷線瑕疵之該掃描線電性連接。
- 如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板，其中具有該斷線瑕疵之該掃描線與該斷線瑕疵兩側的該二主動元件的該二汲極焊接。
- 如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板，其中各該汲極分別與其中一條共通線重疊。
- 如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板，其中該些共通線位於該些畫素電極下方。
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