CN102629050B - 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法 - Google Patents

一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102629050B
CN102629050B CN201110219983.4A CN201110219983A CN102629050B CN 102629050 B CN102629050 B CN 102629050B CN 201110219983 A CN201110219983 A CN 201110219983A CN 102629050 B CN102629050 B CN 102629050B
Authority
CN
China
Prior art keywords
district
data line
repair
line
pixel electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110219983.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102629050A (zh
Inventor
吴松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201110219983.4A priority Critical patent/CN102629050B/zh
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to KR1020127029772A priority patent/KR101456353B1/ko
Priority to JP2014523187A priority patent/JP2014527195A/ja
Priority to PCT/CN2012/079529 priority patent/WO2013017087A1/zh
Priority to EP16157389.4A priority patent/EP3043204B1/en
Priority to EP12778191.2A priority patent/EP2741133B1/en
Priority to US13/698,871 priority patent/US10068813B2/en
Publication of CN102629050A publication Critical patent/CN102629050A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102629050B publication Critical patent/CN102629050B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

本发明公开了一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法，涉及液晶显示领域，用以提高液晶显示面板的良率。所述像素结构，包括：栅线和数据线，以及由所述栅线和所述数据线限定的像素单元；所述像素单元中形成有薄膜晶体管、公共电极以及与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极；并且，所述像素单元在与一条数据线相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区和第二修复区；在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线的图案相重叠，且无公共电极图案。本发明提供的方案适用于液晶显示面板的生产。

Description

一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法。
背景技术
在液晶显示面板的制造过程中，修复断线是提高良率的一个重要手段。现有技术中一般采用在液晶显示面板的四周布设数据修复线的结构，以方便数据线断线修复。
高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。
。常规的AD-SDS型液晶显示面板的像素结构如图1所示，包括：栅线11和数据线12，以及由栅线11和数据线12限定的像素单元20；在所述像素单元20中形成有薄膜晶体管13、公共电极14和像素电极15。若该液晶显示面板中的一条数据线是断线，则可以参考图2对该数据线断线进行修复；修复的过程具体如下：利用激光焊接将该数据线断线的首尾两端分别与数据修复线41连接起来，从而达到修复该数据线断线的目的。
但是，上述修复断线的方法会受到数据修复线条数的限制，一般情况下在液晶显示面板中会布设1～2条数据修复线，用以修复1～2条数据线断线；如果一液晶显示面板中数据线断线过多，则该液晶显示面板就只能废弃，从而影响产品的良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法，用以提高液晶显示面板的良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种像素结构，包括：栅线和数据线，以及由所述栅线和所述数据线限定的像素单元；所述像素单元中形成有薄膜晶体管、公共电极以及与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极；并且，所述像素单元在与一条数据线相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区和第二修复区；在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线的图案相重叠，且无公共电极图案。
一种液晶显示面板，包括：彩膜基板和阵列基板，在所述阵列基板上形成有像素结构；所述像素结构包括：栅线和数据线，以及由所述栅线和所述数据线限定的像素单元；所述像素单元中形成有薄膜晶体管、公共电极以及与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极；并且，所述像素单元在与一条数据线相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区和第二修复区；在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线的图案相重叠，且无公共电极图案。
一种液晶显示面板中数据线断线的方法，包括：
a1、确定数据线断点的位置；
a2、采用激光焊接方法，将该数据线断点一侧的第一修复区的像素电极和数据线连接起来，并且将该数据线断点另一侧的第二修复区的像素电极和数据线连接起来。
一种液晶显示面板中栅线断线的方法，包括：
b1、确定栅线断点的位置；
b2、采用激光焊接方法，将该栅线断点一侧的第三修复区的像素电极和数据线连接起来，并且将该栅线断点另一侧的薄膜晶体管的漏极和该栅线连接起来。
一种液晶显示面板中数据线断线的方法，包括：
c1、确定数据线断点的位置；
c2、采用激光焊接方法，将该数据线断点一侧的第一修复区的像素电极和数据线连接起来，并且将该数据线断点另一侧的第二修复区的像素电极和数据线连接起来；或者，
采用激光焊接方法，将该数据线断点一侧的第四修复区的像素电极和数据线连接起来，并且将该数据线断点另一侧的第五修复区的像素电极和数据线连接起来。
一种液晶显示面板中栅线断线的方法，包括：
d1、确定栅线断点的位置；
d2、采用激光焊接方法，将该栅线断点一侧的薄膜晶体管的漏极和该栅线连接起来；采用激光切割方法，将该栅线断点另一侧的数据线在靠近该栅线的两修复区的两端切断；采用激光焊接的方法，分别将所述两修复区的像素电极和数据线连接起来，并将与该数据线相连的薄膜晶体管的漏极与该栅线连接起来；
d3、采用激光焊接方法，将该数据线与数据修复线连接起来。
本发明实施例提供的一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法，在每一像素单元中都形成有第一修复区和第二修复区；在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和数据线的图案相重叠，且无公共电极图案；这就使得任一数据线上出现断点，都可以通过该断点两侧的修复区将这条数据线断线修复；本发明提供的方案对数据线断线的条数没有限制，即使数据线断线的条数比较多也可以一一修复，从而提高液晶显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要形成有的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中液晶显示面板的像素结构的示意图；
图2为现有技术中修复数据线断线的方法示意图；
图3为实施例一提供的一种液晶显示面板的像素结构示意图；
图4为实施例一提供的另一种液晶显示面板的像素结构示意图；
图5为修复形成有图4所示像素结构的液晶显示面板中的数据线断线的方法示意图；
图6为修复形成有图4所示像素结构的液晶显示面板中的栅线断线的方法示意图；
图7为实施例二提供的一种液晶显示面板的像素结构示意图；
图8为修复形成有图7所示像素结构的液晶显示面板中的数据线断线的方法示意图；
图9为修复形成有图7所示像素结构的液晶显示面板中的栅线断线的方法示意图。
附图标记：
11-栅线，12-数据线，13-薄膜晶体管，14-公共电极，15-像素电极；20-像素单元；30-断点；41-数据修复线；51-第一修复区，52-第二修复区，53-第三修复区，54-第四修复区，55-第五修复区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
为提高液晶显示面板的良率，如图3所示，本发明实施例提供了一种像素结构，包括：栅线11和数据线12，以及由所述栅线11和所述数据线12限定的像素单元20；所述像素单元20中形成有薄膜晶体管13、公共电极14以及与所述薄膜晶体管13的漏极相连的像素电极15；并且，所述像素单元20在与一条数据线12相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区51和第二修复区52；在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极1 5和该数据线12的图案相重叠包括：在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
需要说明的是，图3所示的像素结构，是以像素单元20在与右边的一条数据线12相邻的两个角的位置形成有第一修复区51和第二修复区52为例进行说明的；但是图3所示的像素结构并非唯一，例如，像素单元20可以在与左边的一条数据线12相邻的两个角的位置形成第一修复区和第二修复区。
进一步的，如图4所示，所述像素单元20还在与一条栅线11相邻且非薄膜晶体管13所在位置的一个角的位置，形成有第三修复区53；在该第三修复区53，所述像素电极15和该栅线11的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在该第三修复区53，所述像素电极15和该栅线11的图案相重叠包括：在该第三修复区53所述像素电极15形成有突起图案，且该突起图案和栅线11的图案相重叠。
可以将图3和图4所示的像素结构应用于液晶显示面板的生产。本发明实施例还提供了应用图3和图4所示像素结构的液晶显示面板。
参考图3所示的像素结构，本发明提供一种液晶显示面板，包括：彩膜基板和阵列基板，在所述阵列基板上形成有像素结构；所述像素结构包括：栅线11和数据线12，以及由所述栅线11和所述数据线12限定的像素单元20；所述像素单元20中形成有薄膜晶体管13、公共电极14以及与所述薄膜晶体管13的漏极相连的像素电极15；并且，所述像素单元20在与一条数据线12相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区51和第二修复区52；在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12的图案相重叠包括：在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
进一步的，参考图4所示的像素结构，所述像素单元20还在与一条栅线11相邻且非薄膜晶体管13所在位置的一个角的位置，形成有第三修复区53；在该第三修复区53，所述像素电极15和该栅线11的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在该第三修复区53，所述像素电极15和该栅线11的图案相重叠包括：在该第三修复区53所述像素电极15形成有突起图案，且该突起图案和栅线11的图案相重叠。
形成有图3所示像素结构的液晶显示面板只能修复数据线12断线，而形成有图4所示像素结构的液晶显示面板既可以修复数据线12断线，也可以修复栅线11断线。下面针对形成有图4所示像素结构的液晶显示面板，分别介绍修复数据线12断线以及栅线11断线的方法。对于形成有图3所示像素结构的液晶显示面板修复数据线12断线的方法也可以参考以下介绍的方法。
首先，参考图5介绍一种修复液晶显示面板中数据线12断线的方法，包括：
a1、确定数据线断点30的位置；
a2、采用激光焊接方法，将该数据线断点30一侧的第一修复区51的像素电极15和数据线12连接起来，并且将该数据线断点30另一侧的第二修复区52的像素电极15和数据线12连接起来。
其中，激光焊接的位置在本发明所有实施例中都是用黑色圆点或黑色椭圆点表示。
通过步骤a2，使得数据线断点30上侧的数据线和像素电极15相连，并且该数据线断点30下侧的数据线也和像素电极15相连，从而使得数据线断线通过像素电极得以修复。
另外，参考图6介绍一种修复液晶显示面板中栅线11断线的方法，包括：
b1、确定栅线断点30的位置；
b2、采用激光焊接方法，将该栅线11断点一侧的第三修复区53的像素电极15和数据线12连接起来，并且将该栅线11断点另一侧的薄膜晶体管13的漏极和该栅线11连接起来。
通过步骤b2，使得栅线断点30左侧的栅线和薄膜晶体管的漏极相连，薄膜晶体管的漏极通过过孔和像素电极相连，并且栅线断点30右侧的栅线也和像素电极相连，从而使得栅线断线通过像素电极得以修复。
本发明实施例提供的方案可以利用第一修复区和第二修复区修复数据线断线，进一步的可以利用第三修复区修复栅线断线；本发明提供的方案对数据线断线以及栅线断线的条数没有限制，即使数据线断线或栅线断线的条数比较多也可以一一修复，从而提高液晶显示面板的良率。
实施例二：
本发明实施例提供了另一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括：彩膜基板和阵列基板，在所述阵列基板上形成有像素结构；参考图7，所述像素结构包括：栅线11和数据线12，以及由所述栅线11和所述数据线12限定的像素单元20；所述像素单元20中形成有薄膜晶体管13、公共电极14以及与所述薄膜晶体管13的漏极相连的像素电极15；并且，所述像素单元20在与一条数据线12相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区51和第二修复区52；在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12的图案相重叠包括：在所述第一修复区51和第二修复区52，所述像素电极15和该数据线12均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
进一步的，所述液晶显示面板中形成有数据修复线41；对于数据修复线41的布线可以参考图2，与现有技术中的布线无异。
参考图7，所述像素单元20还在与另一条数据线12相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第四修复区54和第五修复区55；在所述第四修复区54和第五修复区55，所述像素电极15和所述另一条数据线12的图案相重叠，且无公共电极14图案。
优选的，所述在所述第四修复区54和第五修复区55，所述像素电极15和所述另一条数据线12的图案相重叠包括：在所述第四修复区54和所述第五修复区55，所述像素电极15和所述另一条数据线12均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
图7所示的像素结构中，所述一条数据线12为像素单元20右边的数据线，所述另一条数据线12为该像素单元20左边的数据线。
针对形成有图7所示像素结构的液晶显示面板，下面参考图8提供一种修复其数据线12断线的方法，包括：
c1、确定数据线断点30的位置；
c2、采用激光焊接方法，将该数据线断点30一侧的第一修复区51的像素电极15和数据线12连接起来，并且将该数据线12断点另一侧的第二修复区52的像素电极15和数据线12连接起来。
其中，步骤c2或者可以为：采用激光焊接方法，将该数据线12断点一侧的第四修复区54的像素电极15和数据线12连接起来，并且将该数据线12断点另一侧的第五修复区55的像素电极15和数据线12连接起来。对于这种修复数据线12断线的方法，在修复过程中的激光焊接的位置虽然没有在图中标识，但通过上述描述本领域技术人员可以明确找到激光焊接的位置。
步骤c2的两种方法都是将数据线断点30两侧的数据线通过像素电极连接起来，从而使得数据线断线得以修复。
针对形成有图7所示像素结构的液晶显示面板，下面参考图9提供一种修复其栅线11断线的方法，包括：
d1、确定栅线断点30的位置；
d2、采用激光焊接方法，将该栅线断点30一侧的薄膜晶体管13(图9中为左侧像素单元中的薄膜晶体管)的漏极和该栅线11连接起来；
采用激光切割方法，将该栅线11断点另一侧的数据线12在靠近该栅线11的两修复区的两端切断；参考图9标识的激光切割的位置(在图中用空白的矩形标识)，靠近该栅线11的两修复区为，此工序将数据线12在这两修复区的两端切断。
采用激光焊接的方法，分别将所述两修复区(图9中为第二修复区52和第五修复区55)的像素电极15和数据线12连接起来，并将与该数据线12相连的薄膜晶体管13(图9中为右侧像素单元中的薄膜晶体管)的漏极与该栅线11连接起来；
通过步骤d2，使得栅线断点30两侧的栅线利用两个像素单元中的像素电极以及所述两个像素单元中间所切断的一段数据线连接起来，从而可以修复栅线断线。但由于切割数据线，而造成了数据线上的断点，故还需要通过步骤d3修复该切断的数据线。
d3、采用激光焊接方法，将该数据线12与所述数据修复线41连接起来。
具体的可以参考图2，将该切断的数据线12的首尾两端分别和数据修复线41相连，从而修复该切断的数据线。
需要说明的是，步骤d2和步骤d3无先后次序；并且步骤d2中的各工序也无先后次序。
本发明实施例提供的方案可以利用第一修复区和第二修复区(或者第四修复区和第五修复区)修复数据线断线，进一步的可以结合数据修复线修复栅线断线；本发明提供的方案对数据线断线的条数没有限制，即使数据线断线或栅线11断线的条数比较多也可以一一修复，从而提高液晶显示面板的良率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种液晶显示面板，包括：彩膜基板和阵列基板，在所述阵列基板上形成有像素结构；所述像素结构包括：栅线和数据线，以及由所述栅线和所述数据线限定的像素单元；所述像素单元中形成有薄膜晶体管、公共电极以及与所述薄膜晶体管的漏极相连的像素电极；其特征在于，所述像素单元在与一条数据线相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第一修复区和第二修复区；在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线的图案相重叠，且无公共电极图案；
所述液晶显示面板中形成有数据修复线；
所述像素单元还在与另一条数据线相邻的两个角的位置分别形成有一个修复区，为第四修复区和第五修复区；在所述第四修复区和第五修复区，所述像素电极和所述另一条数据线的图案相重叠，且无公共电极图案。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线的图案相重叠包括：在所述第一修复区和第二修复区，所述像素电极和该数据线均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在所述第四修复区和第五修复区，所述像素电极和所述另一条数据线的图案相重叠包括：在所述第四修复区和所述第五修复区，所述像素电极和所述另一条数据线均形成有突起图案，且两者的突起图案相重叠。
4.一种修复权利要求1-3任一项所述的液晶显示面板中栅线断线的方法，其特征在于，包括：d1、确定栅线断点的位置；
d2、采用激光焊接方法，将该栅线断点一侧的薄膜晶体管的漏极和该栅线连接起来；采用激光切割方法，将该栅线断点另一侧的数据线在靠近该栅线的两修复区的两端切断；采用激光焊接的方法，分别将所述两修复区的像素电极和数据线连接起来，并将与该数据线相连的薄膜晶体管的漏极与该栅线连接起来；
d3、采用激光焊接方法，将该数据线与数据修复线连接起来。
CN201110219983.4A 2011-08-02 2011-08-02 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法 Active CN102629050B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110219983.4A CN102629050B (zh) 2011-08-02 2011-08-02 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
JP2014523187A JP2014527195A (ja) 2011-08-02 2012-08-01 アレイ基板、液晶ディスプレイ・パネル及びその断線の修復方法
PCT/CN2012/079529 WO2013017087A1 (zh) 2011-08-02 2012-08-01 阵列基板、液晶显示面板及其修复断线的方法
EP16157389.4A EP3043204B1 (en) 2011-08-02 2012-08-01 Array substrate, liquid crystal display panel and broken-line repairing method thereof
KR1020127029772A KR101456353B1 (ko) 2011-08-02 2012-08-01 어레이 기판, ｌｃｄ 패널 및 이들의 단선을 리페어하는 방법
EP12778191.2A EP2741133B1 (en) 2011-08-02 2012-08-01 Array substrate, liquid crystal display panel and method of repairing broken lines of liquid crystal display panel
US13/698,871 US10068813B2 (en) 2011-08-02 2012-08-01 Array substrate, liquid crystal display panel and broken-line repairing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110219983.4A CN102629050B (zh) 2011-08-02 2011-08-02 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102629050A CN102629050A (zh) 2012-08-08
CN102629050B true CN102629050B (zh) 2014-06-11

Family

ID=46587332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110219983.4A Active CN102629050B (zh) 2011-08-02 2011-08-02 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10068813B2 (zh)
EP (2) EP3043204B1 (zh)
JP (1) JP2014527195A (zh)
KR (1) KR101456353B1 (zh)
CN (1) CN102629050B (zh)
WO (1) WO2013017087A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102132458B1 (ko) 2013-08-21 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102117614B1 (ko) 2013-10-18 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 기판의 신호선 리페어 방법
CN205910472U (zh) * 2016-08-22 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107479290A (zh) * 2017-09-21 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置
CN108287442B (zh) * 2018-02-06 2021-11-16 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板的修复方法和阵列基板
CN109164654B (zh) * 2018-09-27 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1782826A (zh) * 2004-12-02 2006-06-07 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
CN101430438A (zh) * 2008-12-08 2009-05-13 上海广电光电子有限公司 液晶显示面板的像素结构及其修复方法
CN101581840A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器及其修复断线的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0980470A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｔｆｔ基板の配線欠陥修復方法
JP3287985B2 (ja) * 1995-10-30 2002-06-04 シャープ株式会社 液晶パネル及びその欠陥修正方法
KR100283733B1 (ko) * 1995-10-16 2001-03-02 마찌다 가쯔히꼬 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법
KR100244181B1 (ko) * 1996-07-11 2000-02-01 구본준 액정표시장치의리페어구조및그를이용한리페어방법
JP3680527B2 (ja) * 1997-01-31 2005-08-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
JPH11138449A (ja) 1997-11-07 1999-05-25 Tomoaki Goto 平面研削盤用砥石・ホルダ組立体及び砥石セグメント
KR100313245B1 (ko) * 1999-08-25 2001-11-07 구본준, 론 위라하디락사 리페어 기능을 갖는 액정표시소자
JP4584387B2 (ja) * 1999-11-19 2010-11-17 シャープ株式会社 表示装置及びその欠陥修復方法
KR100796749B1 (ko) * 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR20030027203A (ko) * 2001-09-14 2003-04-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
KR100779013B1 (ko) * 2002-12-30 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 게이트 라인 오픈 리페어 방법
KR20040062139A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 리페어 방법
JP2004264726A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置、並びにその欠陥修復方法及びそれを含む製造方法
JP4535791B2 (ja) 2004-06-28 2010-09-01 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置用基板及び該基板の補修方法
TW200617547A (en) * 2004-11-19 2006-06-01 Innolux Display Corp A liquid crystal display device
CN2769951Y (zh) * 2004-12-17 2006-04-05 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
TWI299426B (en) * 2005-10-28 2008-08-01 Innolux Display Corp Method for repairing tft substrate
US7649580B2 (en) * 2007-01-11 2010-01-19 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display panel and repairing method thereof
CN101614916B (zh) * 2008-06-25 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法
KR101571775B1 (ko) 2009-03-09 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 어레이 기판의 리페어 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1782826A (zh) * 2004-12-02 2006-06-07 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
CN101581840A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器及其修复断线的方法
CN101430438A (zh) * 2008-12-08 2009-05-13 上海广电光电子有限公司 液晶显示面板的像素结构及其修复方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3043204B1 (en) 2017-07-05
CN102629050A (zh) 2012-08-08
WO2013017087A1 (zh) 2013-02-07
EP3043204A3 (en) 2016-08-10
US10068813B2 (en) 2018-09-04
KR20130042489A (ko) 2013-04-26
EP2741133B1 (en) 2016-06-29
EP2741133A4 (en) 2015-06-10
EP2741133A1 (en) 2014-06-11
JP2014527195A (ja) 2014-10-09
US20130155342A1 (en) 2013-06-20
EP3043204A2 (en) 2016-07-13
KR101456353B1 (ko) 2014-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102629050B (zh) 一种像素结构、液晶显示面板及其修复断线的方法
US20150185513A1 (en) Array substrate, method for repairing broken line of the array substrate, and display device
CN102937767B (zh) 阵列基板、显示装置和阵列基板的制作方法
CN102722058B (zh) 一种液晶阵列基板及其制造方法、修复方法
US20080036936A1 (en) Liquid Crystal Display Device
CN104730790B (zh) 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
WO2014205856A1 (zh) 一种线路修补结构及修补方法
CN102468308A (zh) 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN103885262A (zh) Tft-lcd阵列基板及其数据线断线的修复方法
CN104407481A (zh) 阵列基板、信号线不良的检测方法、显示面板及显示装置
CN102629043B (zh) 薄膜晶体管像素结构及其修复方法
CN103226268A (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN102650784A (zh) 一种阵列基板、液晶显示器件及其修复方法
CN104536218A (zh) 阵列基板及液晶显示器
CN203277384U (zh) 一种阵列基板及显示装置
JP2018508031A (ja) アレイ基板とその断線補修方法
CN105405852A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2015100836A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示面板及液晶显示面板的修复方法
CN102629062B (zh) 显示面板及其讯号线的修复方法
CN102778792B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示器
CN104362152B (zh) 一种阵列基板的制备方法
CN108957804A (zh) 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
CN101652805B (zh) 显示装置、显示装置的制造方法
CN106647081B (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN110764328B (zh) 显示基板及其维修方法、和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant