CN107479290A - 一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置，涉及显示技术领域，可对阵列基板中数据线和/或扫描线的断线进行修复，且对阵列基板中像素单元的正常发光影响很小，显著提高了面板的生产良率。该阵列基板包括：衬底基板、扫描线、数据线、像素单元、TFT和像素电极；每行像素单元位于相邻两条扫描线之间；与除最后一条扫描线之外的每条扫描线相连的多个延伸部；每行像素单元中的像素电极与靠近的上一条扫描线上连接的延伸部一一对应，且延伸部在垂直于衬底基板的板面的方向上与靠近的像素电极有重叠区域；每行像素单元中的TFT的栅极与靠近的下一条扫描线相连；在连接有延伸部的扫描线中，栅极与延伸部分别位于扫描线长度方向上的两侧。

Description

一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置。
背景技术
阵列基板是液晶显示面板中的核心组成之一，如图1所示，传统的阵列基板包括：多条数据线(Data Line)101与扫描线(Gate Line)102，二者交叉设置限定出多个像素单元，位于每个像素单元中的像素电极104以及与数据线和扫描线电性连接的薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)；其中，TFT源极105电性连接数据线101，TFT漏极106连接像素电极104，TFT栅极107电性连接扫描线102。扫描线102向TFT提供扫描信号，数据线101向TFT提供数据信号，以控制显示面板的显示画面。阵列基板中还包括有与扫描线102平行设置的公共电极线(Common)103，公共电极线103靠近扫描线102，像素电极104与同侧的公共电极线103之间具有重叠的区域，二者重叠部分以及之间的绝缘介质构成了存储电容Cs，以维持像素电极在进行下一次扫描时的正常充放电。这种存储电容的设计方式称为Cs on Common，即存储电容设计在公共电极线上。
在上述设计中，由于每行像素单元中额外增加了一条公共电极线，降低了像素区的有效面积，导致显示面板的开口率减低。
为了提高显示面板的开口率，现有的另一种设计方式为，将阵列基板中的公共电极线去除以增加像素区的有效面积；同时，为了不影响存储电容对像素电极的正常充放电，需要将扫描线与像素电极之间设计出相重叠的区域，即扫描线与像素电极二者重叠部分以及之间的绝缘介质构成了存储电容Cs，这种存储电容的设计方式称为Cs on Gate，即存储电容设计在扫描线上。
阵列基板与彩膜基板(或盖板)对合形成大尺寸的液晶面板母板，对液晶面板母板进行切割工艺以形成应用显示产品中的单个面板(Single Panel)后，需要对单个面板进行检测工序(Cell Test)，以对面板质量进行判定，并对面板中的信号线的断线类不良进行收集并予以修复以提高面板良率。
针对存储电容的设计方式为Cs on Gate的阵列基板，由于像素电极的同侧没有无公共电极线，当对单个面积进行成盒厚的点灯检测发现面板存在数据线断线时，只能采用设置在有效显示区域之外的外围修复线(Repair Line)对发生断线的数据线进行修复。
这种修复方法主要存在以下问题：
其一、修复数量有限：由于阵列基板中位于有效显示区域之外的空间面积有限，因此所能设计的修复线数量是有限的，一般仅有2根左右，导致能够修复的发生断线的数据线也有限，使数据线的修复受修复线数量的限制；
其二，可修复断线的种类单一：受限于目前外围修复线的设计方式，只能修复数据线断线，对扫描线断线则无法进行修复；
其三，存在信号延迟现象：采用外围修复线修复时电信号传输路径过长，导致断线两端的信号不一致。
因此针对上述存储电容为Cs on Gate设计方式，有必要设计一种可修复数据线及扫描线断线的阵列基板。
发明内容
鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及其断线修复方法、显示装置，可对阵列基板中数据线和/或扫描线的断线进行修复，且对阵列基板中像素单元的正常发光影响很小，显著提高了面板的生产良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的多条扫描线与多条数据线；所述扫描线与所述数据线交叉限定出阵列排布的多个像素单元；位于每个像素单元中的薄膜晶体管和像素电极；所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电性连接；每行所述像素单元位于相邻两条所述扫描线之间；所述阵列基板还包括：与除最后一条所述扫描线之外的每条所述扫描线相连的多个延伸部；其中，每行所述像素单元中的所述像素电极与靠近的上一条所述扫描线上连接的所述延伸部一一对应，且所述延伸部在垂直于所述衬底基板的板面的方向上与靠近的所述像素电极有重叠区域；每行所述像素单元中的所述薄膜晶体管的栅极与靠近的下一条所述扫描线相连；在连接有所述延伸部的所述扫描线中，所述栅极与所述延伸部分别位于所述扫描线长度方向上的两侧。
可选的，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距。
可选的，相对于所述衬底基板，所述扫描线位于所述数据线下方。
另一方面、本发明实施例提供了一种如上述任一项所述的阵列基板的断线修复方法，所述断线修复方法包括：当所述阵列基板中的数据线和/或扫描线发生断线时，确定断线位置；当所述数据线发生断线时，根据所述断线位置确定未能接收到所述数据线信号的第一个像素单元；通过第一修复扫描线，以及所述第一个像素单元中的薄膜晶体管、所述像素电极将所述断线位置沿所述数据线长度方向上的两端进行电性连接，切割所述第一个像素电极中的所述薄膜晶体管的栅极与对应扫描线的连接区域，并对所述第一修复扫描线靠近于所述第一个像素单元的区域进行部分切割，以使所述第一修复扫描线能传输信号；其中，所述第一修复扫描线为与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线；当所述扫描线发生断线时，根据所述断线位置确定能接收到所述扫描线信号的最后一个像素单元、与所述最后一个像素单元相邻且在所述扫描线长度方向上的相邻像素单元；通过第二修复扫描线、所述第二修复扫描线上相连的延伸部，以及所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极，以及所述相邻像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将所述断线位置沿所述扫描线长度方向上的两端进行电性连接，分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域，并对所述第二修复扫描线在靠近于所述最后一个像素单元中的所述像素电极和所述相邻像素单元中的所述像素电极的区域进行部分切割，以使所述第二修复扫描线能传输信号；其中，所述第二修复扫描线为发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线。
可选的，所述通过第一修复扫描线，以及所述第一个像素单元中的薄膜晶体管、所述像素电极将所述断线位置沿所述数据线长度方向上的两端进行电性连接，切割所述第一个像素电极中的所述薄膜晶体管的栅极与对应扫描线的连接区域，并对所述第一修复扫描线靠近于所述第一个像素单元的区域进行部分切割，以使所述第一修复扫描线能传输信号；其中，所述第一修复扫描线为与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线的步骤包括：确定与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线为第一修复扫描线；将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分；其中，所述第一修复扫描线第一部分为所述第一修复扫描线上与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第一修复扫描线第二部分用于传输所述第一修复扫描线上的信号；熔接所述第一个像素单元中的所述像素电极与对应的所述延伸部在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域，以及所述第一修复扫描线第一部分上与所述数据线交叉的区域；分别熔接所述第一个像素单元中的所述薄膜晶体管的源极、漏极与对应的栅极；切割所述第一个像素单元中的所述薄膜晶体管的所述栅极与对应扫描线的连接区域。
可选的，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距；所述将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分；其中，所述第一修复扫描线第一部分为所述第一修复扫描线上与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第一修复扫描线第二部分用于传输所述第一修复扫描线上的信号的步骤包括：确定所述第一修复扫描线上与发生断线的所述数据线交叉的镂空区域为第一镂空区域、沿所述第一修复扫描线长度方向上且靠近于所述第一个像素单元的下一个镂空区域为第二镂空区域；利用所述第一镂空区域和所述第二镂空区域作为切割标识，将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分。
可选的，所述通过第二修复扫描线、所述第二修复扫描线上相连的延伸部，以及所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极，以及所述相邻像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将所述断线位置沿所述扫描线长度方向上的两端进行电性连接，分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域，并对所述第二修复扫描线在靠近于所述最后一个像素单元中的所述像素电极和所述相邻像素单元中的所述像素电极的区域进行部分切割，以使所述第二修复扫描线能传输信号；其中，所述第二修复扫描线为发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线的步骤包括：确定发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线为第二修复扫描线；将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分；其中，所述第二修复扫描线第一部分为所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第二修复扫描线第二部分用于传输所述第二修复扫描线上的信号；分别熔接所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极与对应的所述延伸部在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域；分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域；分别熔接所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的漏极与对应的栅极。
可选的，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距；所述将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分；其中，所述第二修复扫描线第一部分为所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第二修复扫描线第二部分用于传输所述第二修复扫描线上的信号的步骤包括：确定所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元中的所述薄膜晶体管的源极对应的数据线、位于所述最后一个像素单元与所述相邻像素单元之间的数据线、所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极对应的数据线交叉的镂空区域分别为第三镂空区域、第四镂空区域、第五镂空区域；利用所述第三镂空区域、所述第四镂空区域、所述第五镂空区域作为切割标识，将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分。
可选的，所述切割为采用激光进行切割；和/或，所述熔接为采用激光进行熔接。
再一方面、本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板，或者包括采用上述所述的断线修复方法修复后的阵列基板。
基于此，通过本发明实施例提供的上述阵列基板，当该阵列基板上发生数据线和/或扫描线断线不良时，利用上述阵列基板中每行像素单元中的像素电极与靠近的上一条扫描线上连接的延伸部一一对应且存在重叠区域，并且其中的TFT栅极与靠近的下一条扫描线相连巧妙设计，以阵列基板中原有的扫描线作为修复线，利用像素电极与扫描线上构成存储电容的延伸部重叠的区域可有效修复任何位置的数据线断线，且无数量的限制；同样的，利用像素电极与扫描线上构成存储电容的延伸部重叠的区域可有效修复除第一条扫描线之外的任何位置的扫描线断线，且无数量的限制，从而有效修复了数据线和/或扫描线断线，同时不影响作为修复线的扫描线的正常使用，对阵列基板上其他区域的像素单元影响极小，仅牺牲一个或两个像素单元即可避免整个面板出现报废不良问题，提高了显示产品的生产良率。
并且，由于作为修复线的扫描线是均匀分布在上述阵列基板中的，故采用上述修复方式克服了现有技术中采用外围修复线修复时由于电信号传输路径过长，导致断线两端的信号不一致存在的信号延迟现象，进一步提高了显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种Cs on Common设计的阵列基板局部结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
图3为本发明实施例1提供的一种阵列基板修复原理示意图；
图4为图3中第一修复扫描线的切割方式示意图；
图5为本发明实施例2提供的一种阵列基板修复原理示意图；
图6为图5中第二修复扫描线的切割方式示意图。
附图1标记：101-数据线；102-扫描线；103-公共电极线；104-像素电极；105-TFT源极；106-TFT栅极；107-TFT漏极；
附图2标记：201-数据线；202-扫描线；203-镂空区域；204-延伸部；205-像素电极；206-TFT源极；207-TFT栅极；208-TFT漏极；
附图3标记：301-数据线；302-扫描线；303-镂空区域；3031-第一镂空区域；3032-第二镂空区域；304-延伸部；305-像素电极；306-TFT源极；307-TFT栅极；308-TFT漏极；309-信号传输方向；310-断线位置；311-激光切割；312-激光熔接；P1-第一个像素单元；S1-第一修复扫描线；S11-第一修复扫描线第一部分；S12-第一修复扫描线第二部分；
附图4标记：401-数据线；402-扫描线；403-镂空区域；4031-第三镂空区域；4032-第四镂空区域；4033-第五镂空区域；404-延伸部；405-像素电极；406-TFT源极；407-TFT栅极；408-TFT漏极；409-信号传输方向；410-断线位置；411-激光切割；412-激光熔接；P1-最后一个像素单元；P2-相邻像素单元；S2-第二修复扫描线；S21-第二修复扫描线第一部分；S22-第二修复扫描线第二部分。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
例如，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，仅是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上/上方”、“下/下方”、“行/行方向”以及“列/列方向”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。例如在某些情况下，涉及“行方向”的实施例可以在“列方向”的情况下实施等等，相反亦如此。将本专利所述方案进行90°旋转或镜像后亦属本专利权利范畴。
如图2所示，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板(图中未示意出)；位于衬底基板上的多条扫描线202与多条数据线201；扫描线202与数据线201交叉限定出阵列排布的多个像素单元；位于每个像素单元中的薄膜晶体管TFT和像素电极205；TFT源极206与数据线201相连，TFT漏极208与像素电极205电性连接；每行像素单元位于相邻两条扫描线之间；上述阵列基板还包括：与除最后一条扫描线202之外的每条扫描线202相连的多个延伸部204；其中，每行像素单元中的像素电极205与靠近的上一条扫描线202上连接的延伸部204一一对应，且延伸部204在垂直于衬底基板的板面的方向上与靠近的像素电极205有重叠区域；每行像素单元中的TFT栅极207与靠近的下一条扫描线202相连；在连接有延伸部204的扫描线202中，TFT栅极207与延伸部204分别位于扫描线202长度方向上的两侧。
需要说明的是，第一、上述阵列基板中当然还包括有隔离不同导电层的绝缘层，例如隔离TFT栅极207与TFT源极206、TFT漏极208的栅极绝缘层等结构层。上述TFT中当然还包括有有源层等结构。
由于本发明实施例并未涉及对阵列基板中绝缘层部分以及TFT的具体结构的改进，故上述图2中未体现出各绝缘层及TFT中的有源层，具体结构可沿用现有技术，本发明实施例对此不作限定。
第二、在上述阵列基板中，所谓“上一条扫描线202”和“下一条扫描线202”的命名是基于上述图2纸面中从上往下或从下往上排序的顺序。
第三、本领域技术人员应当理解，像素电极205与延伸部204的重叠区域即构成存储电容Cs，像素电极205未与延伸部204重叠的区域即作为上述阵列基板应用于显示面板后的开口区域，即透射背光以进行显示，故延伸部204的面积必然是小于像素电极205的面积的。并且，像素电极205在衬底基板上的正投影可以完全覆盖延伸部204在衬底基板上的正投影，或者，像素电极205在衬底基板上的正投影也可覆盖延伸部204在衬底基板上的正投影的一部分，具体设计可根据存储电容Cs容量的设计需求灵活调整，本发明实施例对此不作限定。
第四、由于每行像素单元中的像素电极205与靠近的上一条扫描线202上连接的延伸部204一一对应且存在重叠区域，并且每行像素单元中的TFT栅极207与靠近的下一条扫描线202相连。当数据线201发生断线时，根据断线位置确定未能接收到数据线201信号的第一个像素单元；通过与第一个像素单元中的像素电极205对应的延伸部204相连的一条扫描线202，以及第一个像素单元中的TFT、像素电极205将断线位置沿数据线201长度方向上的两端进行电性连接，切断第一个像素电极中的TFT栅极207与对应扫描线202的连接，并对上述作为修复线的与第一个像素单元中的像素电极205对应的延伸部204相连的一条扫描线202靠近于第一个像素单元的区域进行部分切割，以使作为修复线的该扫描线202能正常传输信号。
当扫描线202发生断线后，首先根据断线位置确定能接收到发生断线的扫描线202上的扫描线信号的最后一个像素单元、与最后一个像素单元相邻且在扫描线202长度方向上的相邻像素单元；通过发生断线的扫描线202在靠近于最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线202及其上的延伸部204，以及最后一个像素单元中的TFT、像素电极205，以及相邻像素单元中的TFT、像素电极205将断线位置沿扫描线202长度方向上的两端进行电性连接，分别切断最后一个像素单元和相邻像素单元中的TFT源极206与对应数据线201的连接，并对发生断线的扫描线202在靠近于最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线202(即作为修复线)在靠近于最后一个像素单元中的像素电极205和相邻像素单元中的像素电极205的区域进行部分切割，以使作为修复线的上述扫描线202能正常传输信号。
基于此，通过本发明实施例提供的上述阵列基板，当该阵列基板上发生数据线和/或扫描线断线不良时，利用上述阵列基板中每行像素单元中的像素电极与靠近的上一条扫描线上连接的延伸部一一对应且存在重叠区域，并且其中的TFT栅极与靠近的下一条扫描线相连巧妙设计，以阵列基板中原有的扫描线作为修复线，利用像素电极与扫描线上构成存储电容的延伸部重叠的区域可有效修复任何位置的数据线断线，且无数量的限制；同样的，利用像素电极与扫描线上构成存储电容的延伸部重叠的区域可有效修复除第一条扫描线之外的任何位置的扫描线断线，且无数量的限制，从而有效修复了数据线和/或扫描线断线，同时不影响作为修复线的扫描线的正常使用，对阵列基板上其他区域的像素单元影响极小，仅牺牲一个或两个像素单元即可避免整个面板出现报废不良问题，提高了显示产品的生产良率。
并且，由于作为修复线的扫描线是均匀分布在上述阵列基板中的，故采用上述修复方式克服了现有技术中采用外围修复线修复时由于电信号传输路径过长，导致断线两端的信号不一致存在的信号延迟现象，进一步提高了显示品质。
在上述基础上，进一步的，为便于作为上述扫描线202作为修复线时的切割，本发明实施例优选的，参考图2所示，扫描线202在与数据线201的交叉区域上具有镂空区域203；其中，该镂空区域203与扫描线202沿长度方向上的两侧均有间距。
即上述镂空区域203沿垂直于扫描线202长度方向的宽度小于该扫描线202的线宽，且位于扫描线202的中间，以使当该扫描线202作为修复线进行切割后，还能正常进行信号传输。
其中，镂空区域203与扫描线202两侧边缘的间距可以相同也可以不同。考虑到简化制备工艺，可以将上述镂空区域203设置为与扫描线202两侧边缘的间距相同。并且，镂空区域203可以不限于扫描线202在与数据线201的交叉区域上，还也可以沿扫描线202长度方向上向两侧延伸(即图中的左右方向)，以便于对其进行切割。
进一步的，由于上述修复方式需要利用像素电极与扫描线上构成存储电容的延伸部重叠的区域进行熔接，为便于对延伸部与像素电极进行熔接工艺(例如采用激光熔接)，本发明实施例优选的，相对于衬底基板，扫描线位于数据线下方。
本发明实施例进一步提供了一种上述阵列基板的断线修复方法，该阵列基板具体可以为对盒后形成的显示面板中的阵列基板。
该断线修复方法包括：
当阵列基板中的数据线和/或扫描线发生断线时，确定断线位置；
当数据线发生断线时，根据断线位置确定未能接收到数据线信号的第一个像素单元；
通过第一修复扫描线，以及第一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将断线位置沿数据线长度方向上的两端进行电性连接，切割第一个像素电极中的薄膜晶体管的栅极与对应扫描线的连接区域，并对第一修复扫描线靠近于第一个像素单元的区域进行部分切割，以使第一修复扫描线能传输信号；其中，第一修复扫描线为与第一个像素单元中的像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线；
当扫描线发生断线时，根据断线位置确定能接收到扫描线信号的最后一个像素单元、与最后一个像素单元相邻且在扫描线长度方向上的相邻像素单元；
通过第二修复扫描线、第二修复扫描线上相连的延伸部，以及最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极，以及相邻像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将断线位置沿扫描线长度方向上的两端进行电性连接，分别切割最后一个像素单元和相邻像素单元中的薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域，并对第二修复扫描线在靠近于最后一个像素单元中的像素电极和相邻像素单元中的像素电极的区域进行部分切割，以使第二修复扫描线能传输信号；其中，第二修复扫描线为发生断线的扫描线在靠近于最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线。
下面提供两个具体实施例，用于详细描述上述的修复过程。
实施例1
如图3和图4所示所示，提供一种数据线发生断线的具体修复过程。
步骤S11、当阵列基板中的数据线301发生断线时首先确定断线位置310，根据断线位置310确定未能接收到发生断线的该条数据线301的数据线信号的第一个像素单元P1，并确定与该第一个像素单元P1中的像素电极305对应的延伸部304相连的一条扫描线302为第一修复扫描线S1；
步骤S12、将第一修复扫描线S1分别沿扫描线302长度方向和沿垂直于扫描线302长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分S11和第一修复扫描线第二部分S12；其中，第一修复扫描线第一部分S11为第一修复扫描线S1上与第一个像素单元P1中的像素电极305对应的延伸部304相连的部分；第一修复扫描线第二部分S12为第一修复扫描线S1切割后剩余的部分，用于传输第一修复扫描线S1上的信号；
步骤S13、熔接第一个像素单元P1中的像素电极305与对应的延伸部304在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域，以及第一修复扫描线第一部分S11上与数据线301交叉的区域；
步骤S14、分别熔接第一个像素单元P1中的TFT源极306、TFT漏极308与对应的TFT栅极307；
步骤S15、切割第一个像素单元P1中的TFT栅极307与对应扫描线202的连接区域。
需要说明的是，上述的熔接工艺示例的为采用激光进行熔接(或称为熔接)，使熔接的部分穿透二者之间的绝缘介质直接连接在一起，实现电性连接。上述的切割工艺示例的为采用激光进行切割。激光切割311的方向和激光熔接312的位置参考图3所示。
其中，激光熔接312的焊接点包括但不限于图中所示例出的数量，只需保证相互熔接的两个结构能够充分地熔接在一起实现电性连接即可。
在上述步骤S12至步骤S15中，各熔接与切割的工艺在先后顺序上没有限定，步骤S12至步骤S15可以依次或同时进行，本发明实施例对此不作限定。
在发生断线的数据线301上，断线位置沿数据线301长度方向上的两端通过以下结构：数据线301与第一修复扫描线第一部分S11相熔接的部分、第一修复扫描线第一部分S11连接的延伸部304与第一个像素单元P1中的像素电极305相熔接的部分、以及第一个像素单元P1中TFT源极306与对应的TFT栅极307相熔接的部分、TFT漏极308与对应的TFT栅极307相熔接的部分进行电性连接，信号传输方向309如图中虚线箭头所示。
当一条数据线301发生断线后，采用上述方法对对盒后的显示面板进行修复后，仅牺牲修复前未能接收到发生断线的该条数据线301的数据线信号的第一个像素单元P1，即这一像素单元不能进行正常显示，即可对整条数据线301进行修复，避免整个面板出现报废不良问题，显著提高了显示产品的生产良率。
在上述基础上，为便于切割工艺的进行，上述扫描线302在与数据线301的交叉区域上具有镂空区域303；其中，镂空区域303与扫描线302沿长度方向上的两侧均有间距。
参考图3所示，上述步骤S12具体包括如下步骤：
确定第一修复扫描线S1上与发生断线的数据线301交叉的镂空区域303为第一镂空区域3031、沿第一修复扫描线S1长度方向上且靠近于第一个像素单元P1的下一个镂空区域303为第二镂空区域3032；
利用第一镂空区域3031和第二镂空区域3032作为切割标识，将第一修复扫描线S1分别沿扫描线长度方向和沿垂直于扫描线302长度方向进行切割，形成参考图4所示的第一修复扫描线第一部分S11和第一修复扫描线第二部分S12。
实施例2
如图5和图6所示所示，提供一种扫描线发生断线的具体修复过程。
步骤S21、当阵列基板中的扫描线402发生断线时首先确定断线位置410。根据断线位置410确定能接收到发生断线的扫描线402上的扫描线信号的最后一个像素单元P1、与最后一个像素单元P1相邻且在扫描线402长度方向上的相邻像素单元P2。并确定发生断线的扫描线402在靠近于最后一个像素单元P1一侧的前一条未发生断线的扫描线402为第二修复扫描线S2；
步骤S22、将第二修复扫描线S2分别沿扫描线402长度方向和沿垂直于扫描线402长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分S21和第二修复扫描线第二部分S22；其中，第二修复扫描线第一部分S21为第二修复扫描线S2上分别与最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的像素电极405对应的延伸部404相连的部分；第二修复扫描线第二部分S22为该第二修复扫描线S2上切割后的剩余部分，用于传输第二修复扫描线S2上的信号；
步骤S23、分别熔接最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的像素电极405与对应的延伸部404在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域；
步骤S24、分别切割最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的TFT源极406与对应数据线401的连接区域；
步骤S25、分别熔接最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的TFT漏极406与对应的栅极408。
需要说明的是，上述的熔接工艺示例的为采用激光进行熔接(或称为熔接)，使熔接的部分穿透二者之间的绝缘介质直接连接在一起，实现电性连接。上述的切割工艺示例的为采用激光进行切割。激光切割411的方向和激光熔接412的位置参考图5所示。
其中，激光熔接412的焊接点包括但不限于图中所示例出的数量，只需保证相互熔接的两个结构能够充分地熔接在一起实现电性连接即可。
在上述步骤S22至步骤S25中，各熔接与切割的工艺在先后顺序上没有限定，步骤S22至步骤S25可以依次或同时进行，本发明实施例对此不作限定。
在发生断线的扫描线402上，断线位置沿扫描线402长度方向上的两端通过以下结构：最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的TFT漏极406与对应的栅极408的熔接部分、最后一个像素单元P1和相邻像素单元P2中的像素电极405与对应的延伸部404在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域相熔接的部分、以及第二修复扫描线第一部分S21进行电性连接，信号传输方向409如图中虚线箭头所示。
当一条扫描线402发生断线后，采用上述方法对对盒后的显示面板进行修复后，仅牺牲修复前未能接收到发生断线的该条扫描线402上的扫描线信号的最后一个像素单元P1以及与该像素单元相邻且在扫描线402长度方向上的下一个相邻像素单元P2，即这两个像素单元不能进行正常显示，即可对整条描线402进行修复，避免整个面板出现报废不良问题，显著提高了显示产品的生产良率。
在上述基础上，为便于切割工艺的进行，上述扫描线402在与数据线401的交叉区域上具有镂空区域403；其中，镂空区域303与扫描线402沿长度方向上的两侧均有间距。
参考图5所示，上述步骤S22具体包括如下步骤：
确定第二修复扫描线S2上分别与最后一个像素单元P1中的TFT源极406对应的数据线401、位于最后一个像素单元P1与相邻像素单元P2之间的数据线401、相邻像素单元P2中的TFT源极406对应的数据线401交叉的镂空区域403分别为第三镂空区域4031、第四镂空区域4032、第五镂空区域4033；
利用第三镂空区域4031、第四镂空区域4032、第五镂空区域4033作为切割标识，将第二修复扫描线S2分别沿扫描线402长度方向和沿垂直于扫描线402长度方向进行切割，形成参考图6所示的第二修复扫描线第一部分S21和第二修复扫描线第二部分S22。
在上述基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板，或者采用上述断线修复方法修复后的阵列基板。上述显示装置具体可以是液晶显示装置，可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的多条扫描线与多条数据线；所述扫描线与所述数据线交叉限定出阵列排布的多个像素单元；位于每个像素单元中的薄膜晶体管和像素电极；所述薄膜晶体管的源极与所述数据线相连，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电性连接；其特征在于，每行所述像素单元位于相邻两条所述扫描线之间；所述阵列基板还包括：与除最后一条所述扫描线之外的每条所述扫描线相连的多个延伸部；
其中，每行所述像素单元中的所述像素电极与靠近的上一条所述扫描线上连接的所述延伸部一一对应，且所述延伸部在垂直于所述衬底基板的板面的方向上与靠近的所述像素电极有重叠区域；
每行所述像素单元中的所述薄膜晶体管的栅极与靠近的下一条所述扫描线相连；
在连接有所述延伸部的所述扫描线中，所述栅极与所述延伸部分别位于所述扫描线长度方向上的两侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相对于所述衬底基板，所述扫描线位于所述数据线下方。
4.一种如权利要求1至3任一项所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述断线修复方法包括：
当所述阵列基板中的数据线和/或扫描线发生断线时，确定断线位置；
当所述数据线发生断线时，根据所述断线位置确定未能接收到所述数据线信号的第一个像素单元；
通过第一修复扫描线，以及所述第一个像素单元中的薄膜晶体管、所述像素电极将所述断线位置沿所述数据线长度方向上的两端进行电性连接，切割所述第一个像素电极中的所述薄膜晶体管的栅极与对应扫描线的连接区域，并对所述第一修复扫描线靠近于所述第一个像素单元的区域进行部分切割，以使所述第一修复扫描线能传输信号；其中，所述第一修复扫描线为与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线；
当所述扫描线发生断线时，根据所述断线位置确定能接收到所述扫描线信号的最后一个像素单元、与所述最后一个像素单元相邻且在所述扫描线长度方向上的相邻像素单元；
通过第二修复扫描线、所述第二修复扫描线上相连的延伸部，以及所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极，以及所述相邻像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将所述断线位置沿所述扫描线长度方向上的两端进行电性连接，分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域，并对所述第二修复扫描线在靠近于所述最后一个像素单元中的所述像素电极和所述相邻像素单元中的所述像素电极的区域进行部分切割，以使所述第二修复扫描线能传输信号；其中，所述第二修复扫描线为发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线。
5.根据权利要求4所述的断线修复方法，其特征在于，所述通过第一修复扫描线，以及所述第一个像素单元中的薄膜晶体管、所述像素电极将所述断线位置沿所述数据线长度方向上的两端进行电性连接，切割所述第一个像素电极中的所述薄膜晶体管的栅极与对应扫描线的连接区域，并对所述第一修复扫描线靠近于所述第一个像素单元的区域进行部分切割，以使所述第一修复扫描线能传输信号；其中，所述第一修复扫描线为与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线的步骤包括：
确定与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的一条扫描线为第一修复扫描线；
将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分；其中，所述第一修复扫描线第一部分为所述第一修复扫描线上与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第一修复扫描线第二部分用于传输所述第一修复扫描线上的信号；
熔接所述第一个像素单元中的所述像素电极与对应的所述延伸部在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域，以及所述第一修复扫描线第一部分上与所述数据线交叉的区域；
分别熔接所述第一个像素单元中的所述薄膜晶体管的源极、漏极与对应的栅极；
切割所述第一个像素单元中的所述薄膜晶体管的所述栅极与对应扫描线的连接区域。
6.根据权利要求5所述的断线修复方法，其特征在于，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距；
所述将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分；其中，所述第一修复扫描线第一部分为所述第一修复扫描线上与所述第一个像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第一修复扫描线第二部分用于传输所述第一修复扫描线上的信号的步骤包括：
确定所述第一修复扫描线上与发生断线的所述数据线交叉的镂空区域为第一镂空区域、沿所述第一修复扫描线长度方向上且靠近于所述第一个像素单元的下一个镂空区域为第二镂空区域；
利用所述第一镂空区域和所述第二镂空区域作为切割标识，将所述第一修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第一修复扫描线第一部分和第一修复扫描线第二部分。
7.根据权利要求4所述的断线修复方法，其特征在于，所述通过第二修复扫描线、所述第二修复扫描线上相连的延伸部，以及所述最后一个像素单元中的薄膜晶体管、像素电极，以及所述相邻像素单元中的薄膜晶体管、像素电极将所述断线位置沿所述扫描线长度方向上的两端进行电性连接，分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域，并对所述第二修复扫描线在靠近于所述最后一个像素单元中的所述像素电极和所述相邻像素单元中的所述像素电极的区域进行部分切割，以使所述第二修复扫描线能传输信号；其中，所述第二修复扫描线为发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线的步骤包括：
确定发生断线的所述扫描线在靠近于所述最后一个像素单元一侧的前一条未发生断线的扫描线为第二修复扫描线；
将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分；其中，所述第二修复扫描线第一部分为所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第二修复扫描线第二部分用于传输所述第二修复扫描线上的信号；
分别熔接所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极与对应的所述延伸部在垂直于衬底基板的板面的方向上的重叠区域；
分别切割所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的薄膜晶体管的源极与对应数据线的连接区域；
分别熔接所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的漏极与对应的栅极。
8.根据权利要求7所述的断线修复方法，其特征在于，所述扫描线在与所述数据线的交叉区域上具有镂空区域；其中，所述镂空区域与所述扫描线沿长度方向上的两侧均有间距；
所述将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分；其中，所述第二修复扫描线第一部分为所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元和所述相邻像素单元中的所述像素电极对应的延伸部相连的部分；所述第二修复扫描线第二部分用于传输所述第二修复扫描线上的信号的步骤包括：
确定所述第二修复扫描线上分别与所述最后一个像素单元中的所述薄膜晶体管的源极对应的数据线、位于所述最后一个像素单元与所述相邻像素单元之间的数据线、所述相邻像素单元中的所述薄膜晶体管的源极对应的数据线交叉的镂空区域分别为第三镂空区域、第四镂空区域、第五镂空区域；
利用所述第三镂空区域、所述第四镂空区域、所述第五镂空区域作为切割标识，将所述第二修复扫描线分别沿所述扫描线长度方向和沿垂直于所述扫描线长度方向进行切割，形成第二修复扫描线第一部分和第二修复扫描线第二部分。
9.根据权利要求4所述的断线修复方法，其特征在于，
所述切割为采用激光进行切割；
和/或，
所述熔接为采用激光进行熔接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至3任一项所述的阵列基板，或者包括采用权利要求4至9任一项所述的断线修复方法修复后的阵列基板。
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