KR20160023971A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제2 화소 내의 유기 발광 다이오드를 구성하는 제1 전극과 연결되며 상기 제1 화소 내의 구동 박막 트랜지스터를 구성하는 소스 전극 위로 연장되어 있는 리페어 라인, 및 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 라인과 상부 게이트 전극이 서로 오버랩되도록 구성되어 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display Device}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 불량 화소의 리페어가 가능한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 엑시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 원리를 이용한 표시 장치이다.
이하, 도면을 참조로 종래의 유기 발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치를 구성하는 하나의 화소의 회로도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 유기 발광 표시 장치를 구성하는 화소는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 전원 라인(VDD), 기준 라인(Ref), 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 센싱 박막 트랜지스터(T3), 커패시터(C), 및 발광 다이오드(OLED)를 포함하여 이루어진다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 상기 게이트 라인(GL)에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급한다.
상기 구동 박막 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 라인(VDD)에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 발광 다이오드(OLED)에 공급한다.
상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차를 센싱하기 위한 것으로서, 이와 같은 문턱 전압 편차의 센싱은 센싱 모드에서 수행한다. 이와 같은 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 상기 게이트 라인(GL)에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 전류를 상기 기준 라인(Ref)으로 공급한다.
상기 커패시터(C)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.
상기 발광 다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에서 공급되는 데이터 전류에 따라 소정의 광을 발광한다. 상기 발광 다이오드(OLED)의 음극은 저전원 라인(VSS)과 연결된다.
이와 같은 종래의 유기 발광 표시 장치를 구성하는 화소는 여러 가지 원인에 의해서 불량이 발생할 수 있다. 예를 들어, 라인이나 전극이 끊어져서 화소 구동이 되지 않아 항상 블랙으로 표시되는 암점 불량이 발생할 수도 있고, 라인이나 전극에 쇼트(short)가 발생하여 항상 화이트로 표시되는 휘점 불량이 발생할 수도 있다.
상기 암점 불량 또는 휘점 불량으로 인해서 표시 품질이 저하되기 때문에, 화소의 불량을 리페어하기 위한 방안이 요구된다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 불량 화소의 리페어가 가능한 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제2 화소 내의 유기 발광 다이오드를 구성하는 제1 전극과 연결되며 상기 제1 화소 내의 구동 박막 트랜지스터를 구성하는 소스 전극 위로 연장되어 있는 리페어 라인, 및 절연층을 사이에 두고 상기 리페어 라인과 상부 게이트 전극이 서로 오버랩되도록 구성되어 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 화소 내의 제1 전극과 연결되며 제1 화소 내의 소스 전극 위로 연장되어 있는 리페어 라인을 형성함으로써 제1 화소가 불량으로 판명된 경우 상기 리페어 라인을 상기 소스 전극과 전기적으로 연결하여 제1 화소를 제2 화소와 동시에 구동할 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 리페어 라인과 오버랩되는 영역에 이중 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성하고, 상기 리페어 라인과 상부 게이트 전극 사이에 절연층을 형성함으로써, 리페어 라인과 상부 게이트 전극 사이에 쇼트 발생을 방지하면서 박막 트랜지스터의 응답속도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치를 구성하는 하나의 화소의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 2개의 화소를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 영역의 평면도이다.
도 5는 도 4의 A-B라인의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 박막 트랜지스터 영역의 평면도이다.
도 7은 도 6의 C-D라인의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 회로도이다. 도 2는 제1열 내지 제4열까지 배열된 4개의 화소로 이루어진 단위 화소를 제1행과 제2행에 각각 도시한 것이다. 상기 제1행의 화소와 상기 제2행의 화소는 제1 센싱 제어 라인(SCL1)을 중심으로 위아래로 구분될 수 있다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2), 제1 및 제2 센싱 제어 라인(SCL1, SCL2), 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, DL4), 제1 및 제2 전원 라인(VDD1, VDD2), 기준 라인(Ref), 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 센싱 박막 트랜지스터(T3), 커패시터(C), 유기 발광 다이오드(OLED), 및 리페어 라인(210)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 전원 라인(VDD1)과 상기 제1 데이터 라인(DL1) 사이에 제1열의 화소가 구성되고, 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 상기 기준 라인(Ref) 사이에 제2열의 화소가 구성되고, 상기 기준 라인(Ref)과 상기 제3 데이터 라인(DL3) 사이에 제3열의 화소가 구성되고, 상기 제4 데이터 라인(DL4)과 상기 제2 전원 라인(VDD2) 사이에 제4열의 화소가 구성된다. 또한, 상기 제1열 내지 제4열 각각에 배열되는 화소는 상기 제1 게이트 라인(GL1), 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1) 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하는 제1행의 화소, 및 상기 제2 게이트 라인(GL2), 상기 제2 센싱 제어 라인(SCL2) 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함하는 제2행의 화소를 포함한다. 이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 2개의 전원 라인(VDD1, VDD2)과 1개의 기준 라인(Ref)을 이용하여 1열 내지 4열까지의 4개의 화소를 구성할 수 있기 때문에 전체 라인 수가 줄어드는 장점이 있다. 즉, 일반적으로 1개의 화소를 구성하기 위해서는 1개의 전원 라인, 1개의 기준 라인, 1개의 데이터 라인, 1개의 게이트 라인, 및 1개의 센싱 제어 라인이 필요하기 때문에 4개의 화소를 구성하기 위해서는 각각 4개의 라인이 필요하게 되지만, 본 발명의 일 실시예에 따르면 4개의 화소를 구성하기 위해서 2개의 전원 라인, 1개의 기준 라인, 4개의 데이터 라인, 4개의 게이트 라인, 및 4개의 센싱 제어 라인이 필요하기 때문에, 전원 라인과 기준 라인의 개수가 줄어들게 된다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 상기 구동 박막 트랜지스터(T2), 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3), 상기 커패시터(C) 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 상기 각각의 화소 내에 구비된다.
상기 단위 화소를 구성하는 4개의 화소는 각각 적색(R), 백색(W), 청색(B), 및 녹색(G)을 발광하는 화소로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이하 각각의 구성에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 게이트 라인(GL2)은 상기 기판(100) 상에서 제1 방향, 예로서 가로 방향으로 배열되어 있다. 상기 제1 게이트 라인(GL1) 및 상기 제2 게이트 라인(GL2)은 각각의 화소 내에 구비되는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)와 연결된다.
상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1) 및 상기 제2 센싱 제어 라인(SCL2)은 상기 기판(100) 상에서 제1 방향, 예로서 가로 방향으로 배열되어 있다. 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 상기 제2 게이트 라인(GL2) 사이에 배열되어 있고, 상기 제2 센싱 제어 라인(SCL2)은 상기 제2 게이트 라인(GL2)과 도시하지 않은 제3 게이트 라인 사이에 배열되어 있다. 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1) 및 상기 제2 센싱 제어 라인(SCL2)은 각각의 화소 내에 구비되는 센싱 박막 트랜지스터(T3)와 연결된다.
상기 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2), 제3 데이터 라인(DL3) 및 제4 데이터 라인(DL4)은 상기 기판(100) 상에서 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있다. 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)은 서로 인접하게 배열되며 따라서 양자 사이에는 동일한 제2 방향으로 다른 배선이 형성되지 않는다. 상기 제3 데이터 라인(DL3)과 제4 데이터 라인(DL4)도 서로 인접하게 배열되며 따라서 양자 사이에는 동일한 제2 방향으로 다른 배선이 형성되지 않는다.
상기 제1 데이터 라인(DL1), 제2 데이터 라인(DL2), 제3 데이터 라인(DL3) 및 제4 데이터 라인(DL4)은 각각의 화소 내에 구비되는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)와 연결된다.
상기 제1 전원 라인(VDD1) 및 상기 제2 전원 라인(VDD2)은 상기 기판(100) 상에서 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있다. 상기 제1 전원 라인(VDD1)과 상기 제2 전원 라인(VDD2) 사이에는 상기 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, DL4) 및 상기 기준 라인(Ref)이 배열되어 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 제1 전원 라인(VDD1)의 좌측 및 상기 제2 전원 라인(VDD2)의 우측에는 각각 이웃하는 화소의 데이터 라인이 배열된다.
상기 제1 전원 라인(VDD1)은 제1열의 화소 및 제2열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 각각 연결된다. 상기 제1 전원 라인(VDD1)은 상기 제1열의 화소와는 인접하게 위치하기 때문에 상기 제1열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 연결되는 것은 용이하다. 그러나, 상기 제1 전원 라인(VDD1)은 상기 제2열의 화소와는 인접하게 위치하지 않기 때문에 상기 제2열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 연결되는 것이 용이하지 않고 따라서 별도의 전원 연결 라인을 통해서 상기 제1 전원 라인(VDD1)과 상기 제2열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2) 사이의 연결이 이루어진다.
상기 제2 전원 라인(VDD2)은 제3열의 화소 및 제4열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 각각 연결된다. 상기 제2 전원 라인(VDD2)은 상기 제4열의 화소와는 인접하게 위치하기 때문에 상기 제4열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 연결되는 것은 용이하다. 그러나, 상기 제2 전원 라인(VDD2)은 상기 제3열의 화소와는 인접하게 위치하지 않기 때문에 상기 제3열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 연결되는 것이 용이하지 않고 따라서 별도의 전원 연결 라인을 통해서 상기 제2 전원 라인(VDD2)과 상기 제3열의 화소 내에 구비되는 구동 박막 트랜지스터(T2) 사이의 연결이 이루어진다.
상기 기준 라인(Ref)은 상기 기판(100) 상에서 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있다. 상기 기준 라인(Ref)은 상기 제2 데이터 라인(DL2)과 상기 제3 데이터 라인(DL3) 사이에 배열되어 있다.
상기 기준 라인(Ref)은 제1열 내지 제4열의 화소 내에 구비되는 센싱 박막 트랜지스터(T3)와 각각 연결된다. 상기 기준 라인(Ref)은 제2열의 화소 및 제3열의 화소와 인접하게 위치하기 때문에 상기 제2열의 화소 및 상기 제3열의 화소 내에 구비되는 센싱 박막 트랜지스터(T3)와 연결되는 것은 용이하다. 그러나, 상기 기준 라인(Ref)은 상기 제1열의 화소 및 상기 제4열의 화소와는 인접하게 위치하지 않기 때문에 상기 제1열의 화소 및 상기 제4열의 화소 내에 구비되는 센싱 박막 트랜지스터(T3)와 연결되는 것이 용이하지 않고 따라서 별도의 기준 연결 라인을 통해서 상기 제1열의 화소 및 상기 제4열의 화소 내에 구비되는 센싱 박막 트랜지스터(T3)와 상기 기준 라인(Ref) 사이의 연결이 이루어진다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 상기 게이트 라인(GL1, GL2)에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, DL4)으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급한다.
상기 구동 박막 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 라인(VDD1, VDD2)에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 발광 다이오드(OLED)에 공급한다.
상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차를 센싱하기 위한 것으로서, 이와 같은 문턱 전압 편차의 센싱은 센싱 모드에서 수행한다. 이와 같은 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 상기 센싱 제어 라인(SCL1, SCL2)에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 전압을 상기 기준 라인(Ref)으로 공급한다.
상기 커패시터(C)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 및 소스 전극에 각각 연결된다.
상기 발광 다이오드(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에서 공급되는 데이터 전류에 따라 소정의 광을 발광한다. 상기 발광 다이오드(OLED)는 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하여 이루어지는데, 상기 제1 전극은 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극과 연결되고, 상기 제2 전극은 저전원 라인(VSS)과 연결된다. 상기 제1 전극은 양극(anode)로 기능하고, 상기 제2 전극은 음극(cathode)로 기능할 수 있다.
상기 리페어 라인(210)은 제2행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)에서부터 제1행의 화소 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T2)까지 연장되어 있다. 보다 구체적으로, 상기 리페어 라인(210)의 일단은 상기 제2행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극과 연결되어 있으며, 상기 리페어 라인(210)의 타단은 상기 제1행의 화소 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극 위로 연장되어 있다. 즉, 상기 리페어 라인(210)의 타단은 무기절연물로 이루어진 보호막을 사이에 두고 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극과 오버랩되어 있다.
따라서, 만약, 상기 제1행의 화소가 불량으로 판명되면 상기 리페어 라인(210)의 타단과 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극 사이에 있는 보호막을 레이저 빔을 이용하여 파괴함으로써 상기 리페어 라인(210)의 타단과 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극을 전기적으로 연결시킨다. 그리하면, 상기 제2 행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극이 상기 리페어 라인(210)을 통해서 상기 제1행의 화소 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극과 전기적으로 연결되며, 그에 따라 상기 제2행의 화소가 구동할 때 상기 제1행의 화소도 함께 구동하게 된다. 즉, 상기 제2행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극에 전류가 흐르게 되면, 그 전류가 상기 제1행의 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 연결된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극에도 흐르게 되어, 결국 제2행의 화소 내의 구비된 발광 다이오드(OLED)와 제1행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)가 동시에 구동하게 되는 것이다. 따라서, 불량 화소인 제1행의 화소가 제2행의 화소와 동시에 구동하기 때문에 제1행의 화소에서 암점 불량 또는 휘점 불량의 문제가 발생하지 않게 된다.
다만, 반드시 도면에 도시된 것으로 한정되는 것은 아니고, 상기 리페어 라인(210)의 일단이 상기 제1행의 화소 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극과 연결되고, 상기 리페어 라인(210)의 타단이 상기 제2행의 화소 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극 위로 연장되도록 구성함으로써, 상기 제2행의 화소가 불량일 경우 상기 제2 행의 화소를 상기 제1행의 화소와 동시에 구동하도록 구성할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 2개의 화소를 구체적으로 도시한 평면도로서, 이는 도 2에 도시된 제1행 및 제1열에 배열된 제1 화소(P1)와 제2행 및 제1열에 배열된 제2 화소(P2)를 도시한 것이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 제1 방향으로 제1 게이트 라인(GL1), 제1 센싱 제어 라인(SCL1), 제2 게이트 라인(GL2), 및 제2 센싱 제어 라인(SCL2)이 형성되어 있고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 제1 전원 라인(VDD1) 및 제1 데이터 라인(DL1)이 형성되어 있다.
상기 제1 게이트 라인(GL1), 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1), 상기 제2 게이트 라인(GL2) 및 상기 제2 센싱 제어 라인(SCL2) 각각은 상기 제1 전원 라인(VDD1) 및 상기 제1 데이터 라인(DL1)과 교차하는 영역에 홀이 형성된다. 상기 홀은 상기 교차하는 영역에서의 중첩 영역을 줄임으로써 양자 사이의 신호 간섭을 감소시키는 역할을 한다.
상기 제1 화소(P1)에는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 센싱 박막 트랜지스터(T3), 및 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)이 형성되어 있다.
상기 제1 화소(P1)에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 제1 게이트 전극(G1), 제1 소스 전극(S1), 및 제1 드레인 전극(D1)을 포함하여 이루어진다. 한편, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 상부 게이트 전극을 추가로 포함함으로써 이중 게이트 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 대해서는 후술하기로 한다.
상기 제1 게이트 전극(G1)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)에서 분기된 구조로 이루어져 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 일 부분이 상기 제1 게이트 전극(G1)으로 기능할 수도 있다. 상기 제1 소스 전극(S1)은 상기 제1 데이터 라인(DL1)에서 분기된 구조로 이루어질 수 있다. 상기 제1 드레인 전극(D1)은 상기 제1 소스 전극(S1)과 마주하고 있다. 상기 제1 드레인 전극(D1)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 게이트 전극(G2)과 연결된다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 소스 전극(S1) 및 상기 제1 드레인 전극(D1)과 각각 연결되면서 전자 이동 채널로 기능하는 액티브층이 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)에 추가로 형성된다.
상기 제1 화소(P1)에 형성된 구동 박막 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 전극(G2), 제2 소스 전극(S2), 및 제2 드레인 전극(D2)을 포함하여 이루어진다. 한편, 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)는 상부 게이트 전극을 추가로 포함함으로써 이중 게이트 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 대해서는 후술하기로 한다.
상기 제2 게이트 전극(G2)은 전술한 바와 같이 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1)의 제1 드레인 전극(D1)과 연결되어 있다. 상기 제2 드레인 전극(D2)은 상기 제1 전원 라인(VDD1)에서 분기된 구조로 이루어질 수 있다. 상기 제2 소스 전극(S2)은 상기 제2 드레인 전극(D2)과 마주하고 있다. 상기 제2 소스 전극(S2)은 후술하는 센싱 박막 트랜지스터(T3)의 제3 소스 전극(S3)으로도 기능한다. 또한, 상기 제2 소스 전극(S2)은 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)과 연결된다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제2 소스 전극(S2) 및 상기 제2 드레인 전극(D2)과 각각 연결되면서 전자 이동 채널로 기능하는 액티브층이 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)에 추가로 형성된다.
상기 제1 화소(P1)에 형성된 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 제3 게이트 전극(G3), 제3 소스 전극(S3), 및 제3 드레인 전극(D3)을 포함하여 이루어진다. 한편, 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)는 상부 게이트 전극을 추가로 포함함으로써 이중 게이트 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 대해서는 후술하기로 한다.
상기 제3 게이트 전극(G3)은 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)의 일 부분으로 이루어질 수 있지만 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)에서 분기된 구조로 이루어질 수도 있다. 상기 제3 소스 전극(S3)은 전술한 바와 같이 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)으로 이루어질 수 있다. 상기 제3 드레인 전극(D3)은 상기 제3 소스 전극(S3)과 마주하고 있으며, 제3 콘택홀(CH3)을 통해서 기준 연결 라인(C_Ref)과 연결된다. 상기 기준 연결 라인(C_Ref)은 상기 제1 방향으로 배열되면서 기준 라인(전술한 도 2의 Ref 참조)과 연결되어 있다. 따라서, 상기 제3 드레인 전극(D3)은 상기 기준 연결 라인(C_Ref)을 경유하여 상기 기준 라인(전술한 도 2의 Ref 참조)과 연결된다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제3 소스 전극(S3) 및 상기 제3 드레인 전극(D3)과 각각 연결되면서 전자 이동 채널로 기능하는 액티브층이 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)에 추가로 형성된다.
상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)은 전술한 바와 같이 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(S2)과 연결되어 있다.
미설명부호 C-VDD는 전원 연결 라인으로서, 이는 상기 제1 전원 라인(VDD1)과 이웃하는 화소 내의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극 사이를 연결하는 라인이다. 따라서, 상기 전원 연결 라인(C-VDD)의 일단은 제4 콘택홀(CH4)을 통해서 상기 제1 전원 라인(VDD1)과 연결되어 있고, 상기 전원 연결 라인(C-VDD)의 타단은 이웃하는 화소 내의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 별도의 콘택홀을 통해서 연결된다.
상기 제2 화소(P2)에는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 센싱 박막 트랜지스터(T3), 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)이 형성되어 있으며, 이들 각각의 구성은 전술한 제1 화소(P1)에서와 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다.
상기 제2 화소(P2) 내에 형성된 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)에는 리페어 라인(210)이 연결되어 있다. 상기 리페어 라인(210)은 상기 제2 화소(P2)의 제1 전극(200)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 리페어 라인(210)은 상기 제2 화소(P2)의 제1 전극(200)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 리페어 라인(210) 형성을 위한 별도의 공정이 추가되지 않는 장점이 있다.
상기 리페어 라인(210)은 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)과 교차하면서 상기 제1 화소(P1) 내의 구동 박막 트랜지스터(T2)까지 연장되어 있다. 특히, 상기 리페어 라인(210)은 상기 제1 화소(P1) 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)과 오버랩되어 있다. 따라서, 전술한 바와 같이, 만약, 상기 제1 화소(P1)가 불량으로 판명되면 상기 리페어 라인(210)과 상기 제1 화소(P1) 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)을 전기적으로 연결함으로써, 상기 제2 화소(P2) 내에 구비된 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200)과 상기 제1 화소(P1) 내에 구비된 구동 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(S2)을 전기적으로 연결시킨다. 그에 따라, 상기 제2 화소(P2)가 구동할 때 상기 제1 화소(P1)도 함께 구동하게 된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 영역의 평면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 화소에서 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터가 이중 게이트 구조로 이루어진 모습을 도시한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 4에서 알 수 있듯이, 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 제1 게이트 전극(G1), 제1 소스 전극(S1), 제1 드레인 전극(D1), 및 제1 상부 게이트 전극(TG1)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 상부 게이트 전극(TG1)은 제5 콘택홀(CH5)을 통해서 제1 게이트 라인(GL1)과 연결되어 있다. 따라서, 상기 제1 게이트 라인(GL1)을 통해서 공급되는 게이트 신호는 하부 게이트로 기능하는 상기 제1 게이트 전극(G1)과 상부 게이트 기능하는 상기 제1 상부 게이트 전극(TG1)에 동시에 인가되며, 그에 따라서 스위칭 박막 트랜지스터(T1)의 응답속도가 향상될 수 있다.
또한, 구동 박막 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 전극(G2), 제2 소스 전극(S2), 제2 드레인 전극(D2), 및 제2 상부 게이트 전극(TG2)을 포함하여 이루어진다. 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2)은 제6 콘택홀(CH6)을 통해서 상기 제2 게이트 라인(G2)과 연결되어 있다. 따라서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 제1 드레인 전극(D1)을 통해서 공급되는 게이트 신호는 하부 게이트로 기능하는 상기 제2 게이트 전극(G2)과 상부 게이트로 기능하는 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2)에 동시에 인가되며, 그에 따라서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 응답속도가 향상될 수 있다.
도 5는 도 4의 A-B라인의 단면도로서, 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 박막 트랜지스터(T2) 및 발광 다이오드(OLED) 영역의 단면 구조에 대해서 설명하기로 한다.
도 5에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 제2 게이트 전극(G2)이 형성되어 있고, 상기 제2 게이트 전극(G2) 상에는 게이트 절연막(110)이 형성되어 있다.
상기 게이트 절연막(110) 상에는 액티브층(120)이 형성되어 있고, 상기 액티브층(120) 상에는 에치 스톱퍼층(130)이 형성되어 있다.
상기 에치 스톱퍼층(130) 상에는 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)이 형성되어 있다. 상기 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)은 상기 에치 스톱퍼층(130)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(120)과 각각 연결되어 있다. 상기 에치 스톱퍼층(130)은 생략이 가능하다.
상기 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2) 상에는 보호막(140)이 형성되어 있다.
상기 보호막(140) 상에는 제2 상부 게이트 전극(TG2), 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200) 및 리페어 라인(210)이 형성되어 있다. 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2), 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200) 및 리페어 라인(210)은 서로 소정 거리를 두고 이격되어 있기 때문에 그들 사이에서 쇼트(short) 문제가 발생하지는 않는다.
상기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200) 및 리페어 라인(210)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200) 및 리페어 라인(210)은 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2)은 상기 제1 전극(200) 및 리페어 라인(210)과는 상이한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2)은 전기전도도가 우수한 불투명 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극(200)은 상기 보호막(140)에 구비된 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 제2 소스 전극(S2)과 연결되어 있다. 한편, 도시하지는 않았지만 상기 제1 전극(200) 상에는 소정 파장의 광을 발광하는 유기 발광층이 형성되고 상기 유기 발광층 상에 제2 전극이 형성된다. 상기 유기 발광층에서 백색(White) 광을 발광할 수 있으며, 이 경우에는 각각의 화소 별로 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 컬러 필터가 추가로 필요하다. 따라서, 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(OLED) 영역, 특히 상기 제1 전극(200) 아래에는 컬러 필터층(150)이 추가로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 제1 전극(200)과 상기 보호막(140) 사이에 컬러 필터층(150)이 추가로 형성되어 있다. 이와 같은 컬러 필터층(150)은 광을 방출하는 발광 다이오드(OLED) 영역에 형성되면 충분하고 따라서 구동 박막 트랜지스터(T2) 영역에는 상기 컬러 필터층(150)이 형성되지 않는다. 즉, 상기 컬러 필터층(150)은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 상부 게이트 전극(TG2), 및 제2 소스 전극(S2)과는 오버랩되지 않는다.
상기 리페어 라인(210)은 상기 보호막(140)을 사이에 두고 상기 제2 소스 전극(S2)과 오버랩되도록 형성되어 있다. 즉, 상기 리페어 라인(210)의 하면 및 상기 제2 소스 전극(S2)의 상면은 무기 절연물로 이루어진 보호막(140)과 접촉하도록 형성되어 있다. 따라서, 레이저 빔 등의 조사에 의해서 상기 보호막(140)을 파괴시킴으로써 상기 리페어 라인(210)과 상기 제2 소스 전극(S2) 사이의 전기적 연결이 가능하게 된다.
한편, 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 보호막(140)과 상기 발광 다이오드(OLED)의 제1 전극(200) 사이에 유기물로 이루어진 평탄화막이 추가로 형성되어 있다. 즉, 종래의 경우 무기물로 이루어진 상기 보호막(140) 상에 유기물로 이루어진 평탄화막이 형성된다. 그러나, 상기 보호막(140) 상에 상기 평탄화막이 추가로 형성되면 레이저 빔을 조사하여 상기 리페어 라인(210)과 상기 제2 소스 전극(S2) 사이의 전기적 연결이 어렵게 된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 보호막(140) 상에 평탄화막을 형성하지 않음으로써 상기 리페어 라인(210)과 상기 제2 소스 전극(S2) 사이의 전기적 연결을 용이하게 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 박막 트랜지스터 영역의 평면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 화소에서 센싱 박막 트랜지스터가 이중 게이트 구조로 이루어진 모습을 도시한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 6에서 알 수 있듯이, 센싱 박막 트랜지스터(T1)는 제3 게이트 전극(G3), 제3 소스 전극(S3), 제3 드레인 전극(D3), 및 제3 상부 게이트 전극(TG3)을 포함하여 이루어진다. 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)은 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 제1 센싱 제어 라인(SCL1)과 연결되어 있다. 따라서, 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)을 통해서 공급되는 게이트 신호는 하부 게이트로 기능하는 상기 제3 게이트 전극(G3)과 상부 게이트로 기능하는 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)에 동시에 인가되며, 그에 따라서 센싱 박막 트랜지스터(T1)의 응답속도가 향상될 수 있다.
상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)의 일단은 제7 콘택홀(CH7)을 통해서 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)과 연결되어 있으며, 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)의 타단은 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역 위로 연장되어 있다. 따라서, 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)은 리페어 라인(210)과 교차하게 된다. 즉, 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)은 상기 리페어 라인(210)과 소정 영역에서 오버랩되며, 그에 따라 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 상기 리페어 라인(210) 사이의 전기적 절연을 위한 절연층이 추가로 필요하게 되는데, 이에 대해서는 상기 센싱 박막 트랜지스터(T3)의 구체적인 단면구조를 도시한 도 7을 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 7은 도 6의 C-D라인의 단면도로서, 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역의 단면 구조에 대해서 설명하기로 한다.
도 7에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 제1 센싱 제어 라인(SCL1)이 형성되어 있다. 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)의 일 부분, 특히 액티브층(120)과 오버랩되는 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)의 일 부분은 하부 게이트로 기능하는 제3 게이트 전극(G3)이 된다.
상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1) 상에는 게이트 절연막(110)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(110) 상에 액티브층(120)이 형성되어 있고, 상기 액티브층(120) 상에 에치 스톱퍼층(130)이 형성되어 있다. 상기 에치 스톱퍼층(130)은 생략이 가능하다.
상기 에치 스톱퍼층(130) 상에는 연결 전극(135), 제3 소스 전극(S3), 및 제3 드레인 전극(D3)이 형성되어 있다.
상기 연결 전극(135)은 상기 게이트 절연막(110)과 상기 에치 스톱퍼층(130)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)과 연결되어 있다. 상기 연결 전극(135)은 상기 제3 소스 전극(S3) 및 제3 드레인 전극(D3)과 동일한 물질로 동일한 층에 동시에 형성될 수 있다.
상기 제3 소스 전극(S3) 및 제3 드레인 전극(D3)은 각각 상기 에치 스톱퍼층(130)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(120)과 연결되어 있다.
상기 연결 전극(135), 제3 소스 전극(S3) 및 제3 드레인 전극(D3) 상에는 보호막(140)이 형성되어 있고, 상기 보호막(140) 상에는 제3 상부 게이트 전극(TG3)이 형성되어 있다.
상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)의 일단은 상기 보호막(140)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 연결 전극(135)과 연결되어 있고, 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)의 타단은 상기 제3 게이트 전극(G3) 및 상기 액티브층(120)과 오버랩되어 있다. 따라서, 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)의 일단은 상기 연결 전극(135)을 통해서 상기 제1 센싱 제어 라인(SCL1)과 연결된다. 이와 같은 구조에 의해서, 상기 제3 게이트 전극(G3)과 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)에 동일한 센싱 제어 신호가 인가될 수 있어 이중 게이트 구조가 이루어진다.
상기 제3 상부 게이트 전극(TG3) 위에는 컬러 필터층(150)이 형성되어 있고, 상기 컬러 필터층(150) 상에는 리페어 라인(210)이 형성되어 있다.
상기 컬러 필터층(150)은 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 상기 리페어 라인(210)을 절연시키기 위해서 형성된다. 따라서, 상기 컬러 필터층(150)은 상기 리페어 라인(210)과 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3) 사이에만 형성되면 충분하다. 즉, 상기 컬러 필터층(150)은 상기 리페어 라인(210)과 오버랩되는 영역에만 형성될 수도 있다. 그러나, 공정 마진 등을 고려할 때 도시된 바와 같이 상기 컬러 필터층(150)은 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역 전체에 형성될 수 있다.
한편, 전술한 도 5를 참조하면, 구동 박막 트랜지스터(T2) 영역에서는 리페어 라인(210)과 제2 상부 게이트 전극(TG2)이 서로 오버랩되지 않고 서로 이격되는 위치에 형성되어 있기 때문에, 상기 리페어 라인(210)과 상기 제2 상부 게이트 전극(TG2) 사이를 절연시킬 필요가 없고, 그에 따라 구동 박막 트랜지스터(T2) 영역에는 컬러 필터층(150)이 형성되지 않는다.
그에 반하여, 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역에서는 리페어 라인(210)과 제3 상부 게이트 전극(TG3)이 서로 오버랩되어 있기 때문에, 상기 리페어 라인(210)과 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3) 사이를 절연시킬 필요가 있고, 그에 따라 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역에는 컬러 필터층(150)이 형성된 것이다.
상기 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역에 형성되는 컬러 필터층(150)은 전술한 도 5에서 발광 다이오드 영역(OLED)에 형성되는 컬러 필터층(150)과 동일한 색상의 컬러 필터를 포함할 수 있지만 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드(OLED) 영역에 형성되는 컬러 필터층(150)을 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 상기 리페어 라인(210)을 절연시키기 위한 컬러 필터층(150)으로 이용함으로써, 별도의 추가 공정 없이 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 상기 리페어 라인(210)을 절연시킬 수 있는 장점이 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 다른 절연물질을 이용하여 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 상기 리페어 라인(210)을 절연시키는 것도 가능하다.
한편, 본 발명의 일 실시예는 상기 제3 상부 게이트 전극(TG3)과 리페어 라인(210)의 절연이 필요한 영역의 일 예로서 센싱 박막 트랜지스터(T3) 영역을 도시한 것이다. 다만, 경우에 따라서, 센싱 박막 트랜지스터(T3) 이외의 다른 박막 트랜지스터가 상부 게이트 전극를 구비하고 그 상부 게이트 전극과 리페어 라인(210)이 서로 오버랩된다면, 그 경우에도 상부 게이트 전극과 리페어 라인(210) 사이에 컬러 필터층이 형성된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 GL: 게이트 라인
DL: 데이터 라인 VDD: 전원 라인
Ref: 기준 라인 T1: 스위칭 박막 트랜지스터
T2: 구동 박막 트랜지스터 T3: 센싱 박막 트랜지스터
200: 제1 전극 210: 리페어 라인

Claims (12)

  1. 기판 상에 구비된 제1 화소 및 제2 화소;
    상기 제1 화소 내에 구비되며 소스 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터;
    상기 제2 화소 내에 구비되며 제1 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드;
    상기 제2 화소 내의 제1 전극과 연결되며 상기 제1 화소 내의 상기 소스 전극 위로 연장되어 있는 리페어 라인;
    상기 리페어 라인과 오버랩되는 상부 게이트 전극; 및
    상기 상부 게이트 전극과 상기 리페어 라인 사이에 구비된 절연층을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 컬러 필터층으로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 컬러 필터층은 상기 유기 발광 다이오드의 제1 전극 아래에 추가로 구비되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 컬러 필터층은 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과는 오버랩되지 않는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터는 제2 게이트 전극과 제2 상부 게이트 전극을 추가로 포함하여 이루어지고, 상기 구동 박막 트랜지스터의 제2 상부 게이트 전극과 상기 리페어 라인은 보호막 상에서 서로 이격되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극의 상면 및 상기 리페어 라인의 하면은 무기 절연물로 이루어진 보호막과 접촉하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 리페어 라인과 상기 제1 전극은 동일한 물질로 동일한 층에서 서로 일체로 되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상부 게이트 전극은 그 아래에 구비된 하부 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 하부 게이트 전극은 상기 리페어 라인과 교차하는 센싱 제어 라인으로 이루어진 유기 발광 표시 장치.
  10. 기판 상에 제1 방향으로 차례로 배열된 제1 게이트 라인, 제1 센싱 제어 라인, 제2 게이트 라인, 및 제2 센싱 제어 라인;
    상기 기판 상에 제2 방향으로 차례로 배열된 제1 전원 라인, 제1 데이터 라인, 제2 데이터 라인, 기준 라인, 제3 데이터 라인, 제4 데이터 라인, 및 제2 전원 라인;
    상기 제1 게이트 라인 및 상기 제1 데이터 라인과 각각 연결된 제1 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 제1 전원라인과 연결된 제1 구동 박막 트랜지스터, 상기 제1 센싱 제어 라인과 연결된 제1 센싱 박막 트랜지스터, 및 상기 제1 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 제1 유기 발광 다이오드를 포함하는 제1 화소;
    상기 제2 게이트 라인 및 상기 제1 데이터 라인과 각각 연결된 제2 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 제1 전원라인과 연결된 제2 구동 박막 트랜지스터, 상기 제2 센싱 제어 라인과 연결된 제2 센싱 박막 트랜지스터, 및 상기 제2 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 제1 전극을 구비한 제2 유기 발광 다이오드를 포함하는 제2 화소; 및
    상기 제2 화소에 구비된 제1 전극과 연결되며 상기 제1 화소에 구비된 제1 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 위로 연장되어 있는 리페어 라인을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 화소에 구비된 제1 센싱 박막 트랜지스터는 상기 리페어 라인과 오버랩되는 상부 게이트 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 상부 게이트 전극과 상기 리페어 라인 사이에는 절연층이 구비되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 센싱 박막 트랜지스터 및 상기 제2 센싱 박막 트랜지스터는 각각 기준 연결 라인을 통해서 상기 기준 라인과 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 게이트 라인 및 상기 제2 데이터 라인과 각각 연결된 제3 스위칭 박막 트랜지스터, 전원 연결 라인을 통해서 상기 제1 전원라인과 연결된 제3 구동 박막 트랜지스터, 상기 제1 센싱 제어 라인과 연결된 제3 센싱 박막 트랜지스터, 및 상기 제3 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 제3 유기 발광 다이오드를 포함하는 제3 화소를 추가로 포함하는 유기 발광 표시 장치.
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