CN110568678A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板,该显示面板的像素电极包括像素电极本体和像素电极延伸部,像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,像素电极延伸部与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接;这样在子像素单元出现亮点时,通过镭射将该子像素单元的像素电极与对应像素电路断开,再用镭射将该像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极连接发光,解决了现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
如图1所示,目前已有的面板亮点均是修复为暗点,将图示虚线框处进行镭射断开,此时出现问题的像素电极变为暗点,使得面板修复效果有限。
所以,现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板,用于解决现有显示面板存在的亮点修复效果有限的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示面板,其包括:
基板;
驱动电路层,形成于所述基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,所述信号电极为源极电极或漏极电极;
像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,所述像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部;所述像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,所述像素电极延伸部位于遮光区内;以及
修复线层,图案化形成修复线;
绝缘层,位于所述修复线层和所述像素电极层之间;
其中,所述像素电极延伸部与所述修复线在所述基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,所述像素电极延伸部通过所述修复线与其他子像素单元的信号电极电连接。
在本发明提供的显示面板中,所述显示面板包括阵列设置的子像素单元,在重合区域的绝缘层被打通时,所述像素电极延伸部通过所述修复线与相邻子像素单元的信号电极电连接。
在本发明提供的显示面板中,所述修复线的两端分别与两个子像素单元的像素电极延伸部绝缘设置、且在基板上投影重合。
在本发明提供的显示面板中,所述绝缘层形成有连接过孔,所述修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板上投影重合,另一端通过所述连接过孔与另一个子像素单元的像素电极延伸部电连接。
在本发明提供的显示面板中,所述绝缘层形成有连接过孔,所述修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板上投影重合,另一端直接与另一个子像素单元的信号电极连接。
在本发明提供的显示面板中,所述显示面板为液晶显示面板,所述液晶显示面板包括层叠设置的基板、遮光层、缓冲层、驱动电路层,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层、第一金属层、第一间绝缘层、第二金属层、第二间绝缘层、源漏极层、平坦化层、像素电极层以及配向膜层,所述修复线层设置于所述基板和所述平坦化层之间。
在本发明提供的显示面板中,所述遮光层和修复线层同层设置,所述修复线层图案化形成修复线、以及对应薄膜晶体管位置的遮光层。
在本发明提供的显示面板中,所述源漏极层和修复线层同层设置,所述修复线层图案化形成修复线、以及薄膜晶体管的源极和漏极。
在本发明提供的显示面板中,所述显示面板为OLED显示面板,所述OLED显示面板包括层叠设置的基板、遮光层、缓冲层、驱动电路层,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层、第一金属层、第一间绝缘层、第二金属层、第二间绝缘层、源漏极层、平坦化层、像素定义层、像素电极层、发光功能层、公共电极层以及封装层,所述修复线层设置于所述基板和所述封装层之间。
在本发明提供的显示面板中,所述公共电极层和修复线层同层设置,所述公共电极层图案化形成修复线以及公共电极,所述修复线与所述公共电极绝缘。
在本发明提供的显示面板中,所述像素定义层图案化形成突出区域,所述突出区域用于定义发光区域;所述像素电极延伸部位于突出区域内。
在本发明提供的显示面板中,所述像素电极延伸部与所述像素电极本体一体设置,且位于所述像素定义层与所述平坦化层之间。
在本发明提供的显示面板中,所述像素电极延伸部与所述像素电极本体分体设置,且平铺在所述突出区域的顶面、所述突出区域的对应发光区域的斜坡,与所述像素电极本体连接。
本发明的有益效果为:本发明提供一种显示面板,显示面板包括基板、驱动电路层、像素电极层、修复线层和绝缘层,所述驱动电路层形成于所述基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,所述信号电极为源极电极或漏极电极,所述像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,所述像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部,所述像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,所述像素电极延伸部位于遮光区内,所述修复线层图案化形成修复线,所述绝缘层位于所述修复线层和所述像素电极层之间,其中,所述像素电极延伸部与所述修复线在所述基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,所述像素电极延伸部通过所述修复线与其他子像素单元的信号电极电连接;这样在子像素单元出现亮点时,通过镭射将该子像素单元的像素电极与对应像素电路断开,再用镭射将该像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极连接发光,解决了现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有显示面板的俯视示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的第一种截面示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的第二种截面示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的第三种截面示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的第四种截面示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的第五种截面示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的第六种截面示意图;
图8为本发明实施例提供的显示面板的第七种截面示意图;
图9为本发明实施例提供的显示面板的第一种俯视示意图;
图10为本发明实施例提供的显示面板的第八种截面示意图;
图11为本发明实施例提供的显示面板的第九种截面示意图;
图12为本发明实施例提供的显示面板的第十种截面示意图;
图13为本发明实施例提供的显示面板的第十一种截面示意图;
图14为本发明实施例提供的显示面板的第十二种截面示意图。
图15为本发明实施例提供的显示面板的第二种俯视示意图;
图16为本发明实施例提供的显示面板的第三种俯视示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
针对现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题,本发明实施例可以解决这个问题。
如图9所示,本发明的截面图示意图的剖面位置为A-A1。
本发明提供的显示面板,如图2所示,虚线框处为当该子像素出现亮点时需要镭射击穿的绝缘层的位置,显示面板包括基板101、驱动电路层102、像素电极层103、修复线层104和绝缘层,驱动电路层102形成于基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,信号电极为源极电极或漏极电极,像素电极层103,图案化形成子像素单元的像素电极,像素电极包括电连接的像素电极本体202和像素电极延伸部201,像素电极本体202位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,修复线层104图案化形成修复线,绝缘层位于修复线层104和像素电极层103之间,其中,像素电极延伸部201与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部201通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接。
在本实施例中,显示面板包括基板、驱动电路层、像素电极层、修复线层和绝缘层,驱动电路层形成于基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,信号电极为源极电极或漏极电极,像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部,像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,修复线层图案化形成修复线,绝缘层位于修复线层和像素电极层之间,其中,像素电极延伸部与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接;这样在子像素单元出现亮点时,通过镭射将该子像素单元的像素电极与对应像素电路断开,再用镭射将该像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极连接发光,解决了现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
在一种实施例中,如图2,源漏极层409和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、以及薄膜晶体管的源极和漏极。
在一种实施例中,如图3所示,绝缘层形成有连接过孔k1,修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部201在基板上投影重合,另一端通过连接过孔k1与另一个子像素单元的像素电极延伸部201电连接。
在一种实施例中,如图4所示,修复线层104包括第一修复线层1041和第二修复线层1042,第一修复线层1041和第二修复线层1042通过修复线过孔连接,并图案化形成修复线。
在一种实施例中,如图5所示,遮光层401和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、以及对应薄膜晶体管位置的遮光层401。
在一种实施例中,修复线的两端分别与两个子像素单元的像素电极延伸部201绝缘设置、且在基板上投影重合。
在一种实施例中,绝缘层形成有连接过孔,修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板101上投影重合,另一端直接与另一个子像素单元的信号电极连接。
在一种实施例中,修复线的部分区域作为遮光层。
在一种实施例中,如图6所示,有源层404和修复线层104同层设置,有源层图案化形成修复线层104。
在一种实施例中,如图7所示,第一金属层406和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、低温多晶硅薄膜晶体管的栅极以及存储电容的第一电极板。
在一种实施例中,如图8所示,第二金属层408和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、金属半导体氧化物薄膜晶体管的栅极以及存储电容的第二电极板。
在一种实施例中,如图9所示,显示面板包括阵列设置的子像素单元,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与相邻子像素单元的信号电极电连接。
在一种实施例中,如图9所示,显示面板包括阵列设置的像素单元,像素单元包括多种不同发光颜色的子像素单元;在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与相邻像素单元中相同发光颜色的子像素单元的信号电极电连接。
在一种实施例中,显示面板为液晶显示面板,液晶显示面板包括层叠设置的基板101、遮光层401、缓冲层402、驱动电路层102,驱动电路层102包括层叠设置的有源层404、栅极绝缘层403、第一金属层406、第一间绝缘层405、第二金属层408、第二间绝缘层407、源漏极层409、平坦化层410、像素电极层105以及配向膜层,修复线层104设置于基板101和平坦化层410之间。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于基板101和遮光层401之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于遮光层401和缓冲层402之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于缓冲层402和栅极绝缘层403之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于栅极绝缘层403和第一间绝缘层405之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于第一间绝缘层405和第二间绝缘层407之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,修复线层104设置于第二间绝缘层407和平坦化层410之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,如图10所示,显示面板为OLED显示面板,OLED显示面板包括层叠设置的基板101、遮光层401、缓冲层402、驱动电路层102,驱动电路层包括层叠设置的有源层404、栅极绝缘层403、第一金属层406、第一间绝缘层405、第二金属层408、第二间绝缘层407、源漏极层409、平坦化层410、像素定义层105、像素电极层103、发光功能层、公共电极层以及封装层,修复线层设置于基板和封装层之间。
在一种实施例中,如图10所示,在OLED显示面板中,显示面板包括像素定义层,像素电极延伸部201设置于像素定义层上,像素电极延伸部201需要镭射穿透像素定义层才能与修复线电连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,显示面板包括像素定义层,像素电极延伸部201与像素电极本体202一体设置,且位于像素定义层105与平坦化层410之间,像素电极延伸部201不需要镭射穿透像素定义层才能与修复线电连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,公共电极层和修复线层同层设置,公共电极层图案化形成修复线以及公共电极,修复线与公共电极绝缘。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,像素定义层105图案化形成突出区域,突出区域用于定义发光区域;像素电极延伸部201位于突出区域内。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,像素电极延伸部与像素电极本体分体设置,且平铺在突出区域的顶面、突出区域的对应发光区域的斜坡,与像素电极本体连接。
在一种实施例中,如图10,修复线层为源漏极层409延伸形成,像素电极延伸部与修复线层在基板上的投影有重合。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线位于突出区域内。
在一种实施例中,如图11,所示,遮光层401和修复线层同层设置,遮光层401图案化形成修复线层。
在一种实施例中,如图12,有源层404和修复线层同层设置,有源层404图案化形成修复线层。
在一种实施例中,如图13,第一金属层406和修复线层同层设置,第一金属层406图案化形成修复线层第二金属层408和修复线层同层设置,第二金属层408图案化形成修复线层。
在一种实施例中,如图14,第二金属层408和修复线层同层设置,第二金属层408图案化形成修复线层。
在一种实施例中,修复线与驱动薄膜晶体管的信号电极连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于基板101和遮光层401之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于遮光层401和缓冲层402之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于缓冲层402和栅极绝缘层403之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于栅极绝缘层403和第一间绝缘层405之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于第一间绝缘层405和第二间绝缘层407之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于第二间绝缘层407和源漏极层409之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,修复线层104设置于源漏极层409和平坦化层410之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,修复线一端连接待修复像素电极延伸部201,另一端与同行像素电极的延伸部在基板101上投影重合,同行像素包括同一个像素和不同像素。
在一种实施例中,如图15所示,像素电极延伸部201靠近下一个像素电极的发光区设置,在OLED显示面板中,像素电极延伸部201靠近下一个像素电极发光区,这样设置像素电极延伸部201才能达到好的连接效果。
在一种实施例中,如图15所示,修复线整层呈条状设置,修复线和所有像素电极延伸部在基板上的投影都重合。
在一种实施例中,如图16所示,以两个相对设置的像素为例,可以分为六个子像素的像素电极,分别为第一像素电极301、第二像素电极302、第三像素电极303、第四像素电极304、第五像素电极305、第六像素电极306,还包括像素电路307。
在一种实施例中,第一像素电极301通过修复线与第二像素电极302相连,第一像素电极301和第二像素电极302都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第二像素电极302像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第二像素电极302像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第二像素电极302通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第三像素电极303相连,第一像素电极301和第三像素电极303都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第三像素电极303通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第四像素电极304相连,第一像素电极301和第四像素电极304属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第四像素电极304通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第五像素电极305相连,第一像素电极301和第五像素电极305属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第五像素电极305通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第六像素电极306相连,第一像素电极301和第六像素电极306属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第六像素电极306通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第三像素电极303相连,第一像素电极301和第三像素电极303都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第三像素电极303通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第四像素电极304相连,第一像素电极301和第四像素电极304属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第四像素电极304通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第五像素电极305相连,第一像素电极301和第五像素电极305属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第五像素电极305通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示面板中,第一像素电极301通过修复线与第六像素电极306相连,第一像素电极301和第六像素电极306属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第六像素电极306通过修复线连接。
本发明提供的显示装置,包括显示面板,如图2所示,虚线框处为当该子像素出现亮点时需要镭射击穿的绝缘层的位置,显示面板包括基板101、驱动电路层102、像素电极层103、修复线层104和绝缘层,驱动电路层102形成于基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,信号电极为源极电极或漏极电极,像素电极层103,图案化形成子像素单元的像素电极,像素电极包括电连接的像素电极本体202和像素电极延伸部201,像素电极本体202位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,修复线层104图案化形成修复线,绝缘层位于修复线层104和像素电极层103之间,其中,像素电极延伸部201与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部201通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接。
在本实施例中,提供一种显示装置,包括显示面板,显示面板包括基板、驱动电路层、像素电极层、修复线层和绝缘层,驱动电路层形成于基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,信号电极为源极电极或漏极电极,像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部,像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,修复线层图案化形成修复线,绝缘层位于修复线层和像素电极层之间,其中,像素电极延伸部与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接;这样在子像素单元出现亮点时,通过镭射将该子像素单元的像素电极与对应像素电路断开,再用镭射将该像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极连接发光,解决了现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
在一种实施例中,在显示装置中,如图2,源漏极层409和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、以及薄膜晶体管的源极和漏极。
在一种实施例中,在显示装置中,如图3所示,绝缘层形成有连接过孔k1,修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部201在基板上投影重合,另一端通过连接过孔k1与另一个子像素单元的像素电极延伸部201电连接。
在一种实施例中,在显示装置中,如图4所示,修复线层104包括第一修复线层1041和第二修复线层1042,第一修复线层1041和第二修复线层1042通过修复线过孔连接,并图案化形成修复线。
在一种实施例中,在显示装置中,如图5所示,遮光层401和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、以及对应薄膜晶体管位置的遮光层401。
在一种实施例中,修复线的两端分别与两个子像素单元的像素电极延伸部201绝缘设置、且在基板上投影重合。
在一种实施例中,绝缘层形成有连接过孔,修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板101上投影重合,另一端直接与另一个子像素单元的信号电极连接。
在一种实施例中,在显示装置中,修复线的部分区域作为遮光层。
在一种实施例中,在显示装置中,如图6所示,有源层404和修复线层104同层设置,有源层图案化形成修复线层104。
在一种实施例中,在显示装置中,如图7所示,第一金属层406和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、低温多晶硅薄膜晶体管的栅极以及存储电容的第一电极板。
在一种实施例中,在显示装置中,如图8所示,第二金属层408和修复线层104同层设置,修复线层104图案化形成修复线、金属半导体氧化物薄膜晶体管的栅极以及存储电容的第二电极板。
在一种实施例中,在显示装置中,如图9所示,显示面板包括阵列设置的子像素单元,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与相邻子像素单元的信号电极电连接。
在一种实施例中,在显示装置中,如图9所示,显示面板包括阵列设置的像素单元,像素单元包括多种不同发光颜色的子像素单元;在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与相邻像素单元中相同发光颜色的子像素单元的信号电极电连接。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,液晶显示面板包括层叠设置的基板101、遮光层401、缓冲层402、驱动电路层102,驱动电路层102包括层叠设置的有源层404、栅极绝缘层403、第一金属层406、第一间绝缘层405、第二金属层408、第二间绝缘层407、源漏极层409、平坦化层410、像素电极层105以及配向膜层,修复线层104设置于基板101和平坦化层410之间。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于基板101和遮光层401之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于遮光层401和缓冲层402之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于缓冲层402和栅极绝缘层403之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于栅极绝缘层403和第一间绝缘层405之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于第一间绝缘层405和第二间绝缘层407之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,修复线层104设置于第二间绝缘层407和平坦化层410之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图10所示,显示面板为OLED显示面板,OLED显示面板包括层叠设置的基板101、遮光层401、缓冲层402、驱动电路层102,驱动电路层包括层叠设置的有源层404、栅极绝缘层403、第一金属层406、第一间绝缘层405、第二金属层408、第二间绝缘层407、源漏极层409、平坦化层410、像素定义层105、像素电极层103、发光功能层、公共电极层以及封装层,修复线层设置于基板和封装层之间。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图10所示,显示面板包括像素定义层,像素电极延伸部201设置于像素定义层上,像素电极延伸部201需要镭射穿透像素定义层才能与修复线电连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,显示面板包括像素定义层,像素电极延伸部201与像素电极本体202一体设置,且位于像素定义层105与平坦化层410之间,像素电极延伸部201不需要镭射穿透像素定义层才能与修复线电连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,公共电极层和修复线层同层设置,公共电极层图案化形成修复线以及公共电极,修复线与公共电极绝缘。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,像素定义层105图案化形成突出区域,突出区域用于定义发光区域;像素电极延伸部201位于突出区域内。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,像素电极延伸部与像素电极本体分体设置,且平铺在突出区域的顶面、突出区域的对应发光区域的斜坡,与像素电极本体连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图10,修复线层为源漏极层409延伸形成,像素电极延伸部与修复线层在基板上的投影有重合。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线位于突出区域内。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图11,所示,遮光层401和修复线层同层设置,遮光层401图案化形成修复线层。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图12,有源层404和修复线层同层设置,有源层404图案化形成修复线层。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图13,第一金属层406和修复线层同层设置,第一金属层406图案化形成修复线层第二金属层408和修复线层同层设置,第二金属层408图案化形成修复线层。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图14,第二金属层408和修复线层同层设置,第二金属层408图案化形成修复线层。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线位于突出区域内。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于基板101和遮光层401之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于遮光层401和缓冲层402之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于缓冲层402和栅极绝缘层403之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于栅极绝缘层403和第一间绝缘层405之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于第一间绝缘层405和第二间绝缘层407之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于第二间绝缘层407和源漏极层409之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,修复线层104设置于源漏极层409和平坦化层410之间,在一个像素电极出现亮点时,通过镭射的方式使出现像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,通过镭射的方式使出现亮点像素电极的像素电极延伸部201和修复线层104处的修复线电连接,像素电极的像素电极延伸部201和出现亮点像素电极的像素电极延伸部201通过修复线层104处的修复线连接,使出现亮点故障的像素电极恢复发光。
在一种实施例中,修复线一端连接待修复像素电极延伸部201,另一端与同行像素电极的延伸部在基板101上投影重合,同行像素包括同一个像素和不同像素。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,如图15所示,像素电极延伸部201靠近下一个像素电极的发光区设置,在OLED显示面板中,像素电极延伸部201靠近下一个像素电极发光区,这样设置像素电极延伸部201才能达到好的连接效果。
在一种实施例中,在显示装置中,如图15所示,修复线整层呈条状设置,修复线和所有像素电极延伸部在基板上的投影都重合。
在一种实施例中,在显示装置中,如图16所示,以两个相对设置的像素为例,可以分为六个子像素的像素电极,分别为第一像素电极301、第二像素电极302、第三像素电极303、第四像素电极304、第五像素电极305、第六像素电极306,还包括像素电路307。
在一种实施例中,在显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第二像素电极302相连,第一像素电极301和第二像素电极302都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第二像素电极302像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第二像素电极302像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第二像素电极302通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第三像素电极303相连,第一像素电极301和第三像素电极303都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第三像素电极303通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第四像素电极304相连,第一像素电极301和第四像素电极304属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第四像素电极304通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第五像素电极305相连,第一像素电极301和第五像素电极305属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第五像素电极305通过修复线连接。
在一种实施例中,在液晶显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第六像素电极306相连,第一像素电极301和第六像素电极306属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第六像素电极306通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第三像素电极303相连,第一像素电极301和第三像素电极303都属于第一像素,属于像素内共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第三像素电极303像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第三像素电极303通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第四像素电极304相连,第一像素电极301和第四像素电极304属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第四像素电极304像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第四像素电极304通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第五像素电极305相连,第一像素电极301和第五像素电极305属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第五像素电极305像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第五像素电极305通过修复线连接。
在一种实施例中,在OLED显示装置中,第一像素电极301通过修复线与第六像素电极306相连,第一像素电极301和第六像素电极306属于对应设置的两个像素,属于像素间的共用像素电路307,此时修复线设置在第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201膜层下方,在第一像素电极301出现亮点时,通过镭射第一像素电极301像素电极延伸部201和第六像素电极306像素电极延伸部201,使第一像素电极301和第六像素电极306通过修复线连接。
根据上述实施例可知:
本发明提供一种显示面板和显示装置,显示面板包括基板、驱动电路层、像素电极层、修复线层和绝缘层,驱动电路层形成于基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,信号电极为源极电极或漏极电极,像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部,像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,像素电极延伸部位于遮光区内,修复线层图案化形成修复线,绝缘层位于修复线层和像素电极层之间,其中,像素电极延伸部与修复线在基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极电连接;这样在子像素单元出现亮点时,通过镭射将该子像素单元的像素电极与对应像素电路断开,再用镭射将该像素电极延伸部通过修复线与其他子像素单元的信号电极连接发光,解决了现有显示面板存在亮点修复效果有限的技术问题。
综上,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
驱动电路层,形成于所述基板上,形成有驱动薄膜晶体管的信号电极,所述信号电极为源极电极或漏极电极;
像素电极层,图案化形成子像素单元的像素电极,所述像素电极包括电连接的像素电极本体和像素电极延伸部;所述像素电极本体位于发光区内、且通过像素信号线与对应子像素单元的信号电极电连接,所述像素电极延伸部位于遮光区内;以及
修复线层,图案化形成修复线;
绝缘层,位于所述修复线层和所述像素电极层之间;
其中,所述像素电极延伸部与所述修复线在所述基板上的投影部分重合,在重合区域的绝缘层被打通时,所述像素电极延伸部通过所述修复线与其他子像素单元的信号电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列设置的子像素单元,在重合区域的绝缘层被打通时,所述像素电极延伸部通过所述修复线与相邻子像素单元的信号电极电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述修复线的两端分别与两个子像素单元的像素电极延伸部绝缘设置、且在基板上投影重合。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层形成有连接过孔,所述修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板上投影重合,另一端通过所述连接过孔与另一个子像素单元的像素电极延伸部电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层形成有连接过孔,所述修复线的一端与一个子像素单元的像素电极延伸部在基板上投影重合,另一端直接与另一个子像素单元的信号电极连接。
6.根据权利要求1至5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板,所述液晶显示面板包括层叠设置的基板、遮光层、缓冲层、驱动电路层,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层、第一金属层、第一间绝缘层、第二金属层、第二间绝缘层、源漏极层、平坦化层、像素电极层以及配向膜层,所述修复线层设置于所述基板和所述平坦化层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层和修复线层同层设置,所述修复线层图案化形成修复线、以及对应薄膜晶体管位置的遮光层。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极层和修复线层同层设置,所述修复线层图案化形成修复线、以及薄膜晶体管的源极和漏极。
9.根据权利要求1至5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板,所述OLED显示面板包括层叠设置的基板、遮光层、缓冲层、驱动电路层,所述驱动电路层包括层叠设置的有源层、栅极绝缘层、第一金属层、第一间绝缘层、第二金属层、第二间绝缘层、源漏极层、平坦化层、像素定义层、像素电极层、发光功能层、公共电极层以及封装层,所述修复线层设置于所述基板和所述封装层之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极层和修复线层同层设置,所述公共电极层图案化形成修复线以及公共电极,所述修复线与所述公共电极绝缘。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层图案化形成突出区域,所述突出区域用于定义发光区域;所述像素电极延伸部位于突出区域内。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极延伸部与所述像素电极本体一体设置,且位于所述像素定义层与所述平坦化层之间。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极延伸部与所述像素电极本体分体设置,且平铺在所述突出区域的顶面、所述突出区域的对应发光区域的斜坡,与所述像素电极本体连接。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910919408.1A CN110568678B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 显示面板 |
US16/626,325 US11605651B2 (en) | 2019-09-26 | 2019-11-14 | Display panel and display device |
PCT/CN2019/118381 WO2021056752A1 (zh) | 2019-09-26 | 2019-11-14 | 显示面板以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910919408.1A CN110568678B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110568678A true CN110568678A (zh) | 2019-12-13 |
CN110568678B CN110568678B (zh) | 2021-01-01 |
Family
ID=68782755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910919408.1A Active CN110568678B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11605651B2 (zh) |
CN (1) | CN110568678B (zh) |
WO (1) | WO2021056752A1 (zh) |
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CN111403422A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa电路、goa膜层结构、goa膜层结构制备方法和显示面板 |
CN111446265A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-07-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
CN111446265B (zh) * | 2020-05-08 | 2024-01-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
CN111627925A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-09-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素布局及具有该像素布局的显示面板 |
US11735600B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-08-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Pixel layout and display panel having pixel layout |
CN111627925B (zh) * | 2020-05-19 | 2023-10-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素布局及具有该像素布局的显示面板 |
CN112349205A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法和显示面板 |
WO2022204863A1 (zh) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、显示面板及显示装置 |
CN114333695A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、修复方法及显示装置 |
WO2023164977A1 (zh) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其修复方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210358961A1 (en) | 2021-11-18 |
WO2021056752A1 (zh) | 2021-04-01 |
US11605651B2 (en) | 2023-03-14 |
CN110568678B (zh) | 2021-01-01 |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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