CN108351572A - 阵列基板及其修复方法 - Google Patents

阵列基板及其修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108351572A
CN108351572A CN201680001075.9A CN201680001075A CN108351572A CN 108351572 A CN108351572 A CN 108351572A CN 201680001075 A CN201680001075 A CN 201680001075A CN 108351572 A CN108351572 A CN 108351572A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
signal line
layer
array substrate
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680001075.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108351572B (zh
Inventor
王明
汪军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN108351572A publication Critical patent/CN108351572A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108351572B publication Critical patent/CN108351572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请公开了一种阵列基板，该阵列基板包括：第一信号线层，其具有多行第一信号线；第二信号线层，其具有多列第二信号线，多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；第一绝缘层和第二绝缘层，其位于第一信号线层和第二信号线层之间，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；修复线，其位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，修复线对应于多列第二信号线中的一条；以及第一过孔和第二过孔，其延伸穿过第二绝缘层；所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。

Description

阵列基板及其修复方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和显示设备、及其修复方法和制造方法。
背景技术
显示面板包括各种各样的信号线，例如，数据线、栅线和触控线。这些信号线提供显示面板的图像显示功能所必须的电压信号。例如，数据线为显示面板中的子像素提供数据信号，而栅线为显示面板中各行子像素提供栅极扫描信号。当信号线损坏(例如，开路)时，无法将电压信号发送至受损信号线。结果，沿着受损信号线的各子像素无法接收用于图像显示的电压信号，导致暗线缺陷。类似地，当在相邻信号线之间存在短路(例如，数据-栅短路)时，出现图像显示缺陷。
发明内容
在一方面，本公开提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：第一信号线层，其包括多行第一信号线；第二信号线层，其包括多列第二信号线，多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；第一绝缘层和第二绝缘层，其位于第一信号线层和第二信号线层之间，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；修复线，其位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；以及第一过孔和第二过孔，其延伸穿过第二绝缘层；其中所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
可选地，所述修复线实质上平行于多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
可选地，所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉，并且第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧。
可选地，所述修复线在阵列基板上的投影实质上与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠。
可选地，所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开。
可选地，所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧；第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；并且第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开。
可选地，其中阵列基板包括位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的多条修复线；以及多个第一过孔和多个第二过孔，其对应于所述多条修复线；其中多个第一过孔中的每个延伸穿过第二绝缘层；多个第二过孔中的每个延伸穿过第二绝缘层；并且多条修复线中的每条分别经由相应的一对第一过孔和第二过孔电连接至第二信号线。
可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。
可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。
在另一方面，本公开提供了一种对本文描述的阵列基板中的多列第二信号线中的相应一条第二信号线与多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线之间的信号线短路进行修复的方法，所述方法包括：将多列第二信号线中的相应一条第二信号线与多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线电断开。
可选地，电断开步骤包括在第一切割位置和第二切割位置处切割多列第二信号线中的相应一条第二信号线；第一切割位置在阵列基板上的投影位于第一过孔和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影之间；并且第二切割位置在阵列基板上的投影位于第二过孔和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影之间。
可选地，所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧；第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开；并且第一切割位置和第二切割位置在阵列基板上的投影分别与第三部分在阵列基板上的投影重叠。
可选地，信号线短路为栅线和数据线之间的数据-栅短路；并且多列第二信号线中的相应一条第二信号线和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线为选自栅线和数据线的两条不同的信号线。
在另一方面，本公开提供了一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：形成第一信号线层，其包括多行第一信号线；和形成第二信号线层，其包括多列第二信号线，多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；形成第一绝缘层和第二绝缘层，其位于第一信号线层和第二信号线层之间，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；形成修复线，其位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；以及形成第一过孔和第二过孔，其延伸穿过第二绝缘层；其中所述修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
可选地，所述方法包括顺序地：在基底基板上形成包括多行第一信号线的第一信号线层；在第一信号线层的远离基底基板的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离第一信号线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和在第二绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多列第二信号线的第二信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。
可选地，所述方法包括顺序地：在基底基板上形成包括多列第二信号线的第二信号线层；在第二信号线层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；在第二绝缘层的远离第二信号线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层；和在第一绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多行第一信号线的第一信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。
可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。
可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。
在另一方面，本公开提供了一种通过本文描述的方法修复的阵列基板。
在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其包括本文描述的或通过本文描述的方法制造的或通过本文描述的方法修复的阵列基板。
在另一方面，本公开提供了包括本文描述的显示面板的显示设备。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出常规阵列基板的结构的示图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的阵列基板的结构的示图。
图3是图2中的阵列基板沿着A-A'方向的截面图。
图4是根据本公开的一些实施例中的具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板的截面图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的修复线的结构的示图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的阵列基板的结构的示图。
图7是图6中的阵列基板沿着B-B'方向的截面图。
图8是根据本公开的一些实施例中的具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板的截面图。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的对阵列基板中的数据- 栅短路进行修复的方法的示图。
图10是示出根据本公开的一些实施例中的对阵列基板中的数据 -栅短路进行修复的方法的示图。
图11A至图11E示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的处理。
图12A至图12E示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的处理。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。应当注意的是，以下一些实施例的描述仅为了示意和说明的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽的或者受限于所公开的精确形式。
图1是示出常规阵列基板的结构的示图。参考图1，常规阵列基板包括具有多行栅线GL的栅线层和具有多列数据线DL的数据线层；多行栅线GL和多列数据线DL彼此交叉以定义多个子像素。如图1 所示，常规阵列基板容易出现多个缺陷，包括信号线开路OC(例如，数据线开路和栅线开路)和数据-栅短路SC。一旦该阵列基板已经制造，这些缺陷就特别难以修复。例如，对信号线开路OC进行修复通常涉及在信号线的开路部分处化学沉积金属，从而重新连接敞开的信号线。常规修复方法复杂且昂贵，导致较高的制造成本。
因此，本申请尤其提供了阵列基板、具有该阵列基板的显示面板和显示设备、及其修复方法和制造方法，实质上避免了由于现有技术的限制和缺点导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种新颖的阵列基板，其具有：包括多行第一信号线的第一信号线层；包括多列第二信号线的第二信号线层；位于第一信号线层和第二信号线层之间的第一绝缘层和第二绝缘层；位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的修复线，所述修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；和延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔。所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。可选地，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧。
第一信号线和第二信号线可以为阵列基板中彼此交叉的任何适当信号线。适当信号线的示例包括但不限于：栅线、数据线、公共电极信号线和触控信号线。可选地，第一信号线层为栅线层，其具有多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其具有多列数据线。可选地，第一信号线层为数据线层，其具有多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其具有多列栅线。可选地，第一信号线层为公共电极信号线层，其具有多行公共电极信号线；并且第二信号线层为数据线层，其具有多列数据线。可选地，第一信号线层为数据线层，其具有多行数据线；并且第二信号线层为公共电极信号线层，其具有多列公共电极信号线。可选地，第一信号线层位于第二信号线层的靠近基底基板的一侧。可选地，第二信号线层位于第一信号线层的靠近基底基板的一侧。
在一些实施例中，所述修复线为数据线修复线。可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。可选地，所述阵列基板为具有底栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述阵列基板包括：基底基板；位于基底基板上的包括多行栅线的栅线层；位于栅线层的远离基底基板一侧的第一绝缘层；位于第一绝缘层的远离栅线层的一侧的修复线；位于修复线的远离第一绝缘层的一侧的第二绝缘层；延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和位于第二绝缘层的远离修复线的一侧的包括多列数据线的数据线层；多行栅线与多列数据线交叉以定义多个子像素。所述数据线修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。
在一些实施例中，所述修复线为数据线修复线。可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。可选地，所述阵列基板为具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述阵列基板包括：基底基板；位于基底基板上的具有多列数据线的数据线层；位于数据线层的远离基底基板一侧的第二绝缘层；延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；位于第二绝缘层的远离数据线层的一侧的修复线；位于修复线的远离第二绝缘层的一侧的第一绝缘层；和位于第一绝缘层的远离修复线的一侧的包括多行栅线的栅线层；多行栅线与多列数据线交叉以定义多个子像素。所述数据线修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。
在一些实施例中，所述修复线为栅线修复线。可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线，并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。可选地，所述阵列基板为具有底栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述阵列基板包括：基底基板；位于基底基板上的包括多列栅线的栅线层；位于栅线层的远离基底基板一侧的第二绝缘层；延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；位于第二绝缘层的远离栅线层的一侧的修复线；位于修复线的远离第二绝缘层的一侧的第一绝缘层；和位于第一绝缘层的远离修复线的一侧的包括多行数据线的数据线层；多列栅线与多行数据线交叉以定义多个子像素。所述栅线修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列栅线中的相应一条栅线。
在一些实施例中，所述修复线为栅线修复线。可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线，并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。可选地，所述阵列基板为具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述阵列基板包括：基底基板；位于基底基板上的具有多行数据线的数据线层；位于数据线层的远离基底基板一侧的第一绝缘层；位于第一绝缘层的远离数据线层的一侧的修复线；位于修复线的远离第一绝缘层的一侧的第二绝缘层；延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和位于第二绝缘层的远离修复线的一侧的包括多列栅线的栅线层；多列栅线与多行数据线交叉以定义多个子像素。所述栅线修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列栅线中的相应一条栅线。
所述阵列基板可以包括位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的多条修复线。例如，所述阵列基板可以包括每子像素一条修复线。可选地，所述阵列基板包括每像素一条修复线，每个像素包括多个子像素。可选地，所述阵列基板包括每多个子像素一条修复线，例如，每2、 3、4、6、8或更多子像素一条修复线。可选地，所述阵列基板包括每多个像素一条修复线，例如，每2、4、8、10或更多像素一条修复线。
相应地，所述阵列基板包括与多条修复线相对应的多个第一过孔和多个第二过孔。多个第一过孔中的每一个延伸穿过第二绝缘层；并且多个第二过孔中的每一个延伸穿过第二绝缘层。多条修复线中的每一条分别经由相应的一对第一过孔和第二过孔电连接至第二信号线。
在一些实施例中，修复线位于子像素间区域中。可选地，修复线可以部分地位于子像素间区域中。如这里使用的那样，子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域、或者有机发光显示器中与发光层对应的区域。可选地，像素可以包括与该像素中的若干子像素对应的若干分离发光区域。可选地，子像素区域为红色子像素的发光区域。可选地，子像素区域为绿色子像素的发光区域。可选地，子像素区域为蓝色子像素的发光区域。可选地，子像素区域为白色子像素的发光区域。如这里使用的那样，子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域、或者有机发光显示器中与像素定义层对应的区域。可选地，子像素间区域为同一像素中的相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域为来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域为红色子像素的子像素区域和相邻绿色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域为红色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域为绿色子像素的子像素区域和相邻蓝色子像素的子像素区域之间的区域。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的阵列基板的结构的示图。参考图2，实施例的阵列基板包括具有多行栅线GL的栅线层和具有多列数据线DL的数据线层，多行栅线GL和多列数据线DL彼此交叉以定义多个子像素。每个子像素包括具有有源层AL的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电连接至源电极S和漏电极D。源电极S电连接至数据线DL。图2中的阵列基板还包括修复线RL，其经由第一过孔 V1和第二过孔V2电连接至数据线DL。
图3是图2中的阵列基板沿着A-A'方向的截面图。参考图3，该阵列基板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有：位于基底基板BS 上的栅电极G；位于栅电极G的远离基底基板BS的一侧的第一绝缘层GI1；位于第一绝缘层GI1的远离栅电极G的一侧的第二绝缘层 GI2；位于第二绝缘层GI2的远离第一绝缘层GI1的一侧的有源层AL；以及位于有源层AL的远离第二绝缘层GI2的一侧的源电极S和漏电极D。该实施例的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。所述阵列基板还包括位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间的修复线RL。具体地，所述阵列基板包括：位于基底基板BS上的栅线层(包括图3的栅电极G)；位于栅线层的远离基底基板BS的一侧的第一绝缘层GI1；位于第一绝缘层GI1的远离栅线层的一侧的修复线RL；位于修复线 RL的远离第一绝缘层GI1的一侧的第二绝缘层GI2；延伸穿过第二绝缘层GI2的第一过孔(图3中未示出)和第二过孔V2；和位于第二绝缘层GI2的远离修复线RL的一侧的数据线层DL。修复线RL分别经由第一过孔和第二过孔V2电连接至数据线DL。
图4是根据本公开的一些实施例中的具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板的截面图。参考图4，该阵列基板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有：位于基底基板BS上的有源层AL；位于有源层AL的远离基底基板BS的一侧的源电极S和漏电极D；位于源电极S和漏电极D的远离基底基板BS的一侧的第二绝缘层GI2；位于第二绝缘层 GI2的远离源电极S和漏电极D的一侧的第一绝缘层GI1；以及位于第一绝缘层GI1的远离第二绝缘层GI2的一侧的栅电极G。该实施例的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。所述阵列基板还包括位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间的修复线RL。具体地，该阵列基板包括：位于基底基板BS上的数据线层DL；位于数据线层DL的远离基底基板BS的一侧的第二绝缘层GI2；延伸穿过第二绝缘层GI2的第一过孔(图4中未示出)和第二过孔V2；位于第二绝缘层GI2的远离数据线层DL的一侧的修复线RL；位于修复线RL的远离第二绝缘层GI2的一侧的第一绝缘层GI1；和位于第一绝缘层GI1的远离修复线RL的一侧的栅线层(包括图4中的栅电极G)。修复线RL分别经由第一过孔和第二过孔V2电连接至数据线DL。
修复线可以制成各种适当形状和尺寸。例如，修复线可以实质上与相应的数据线重叠。具有这种修复线的阵列基板的开口率与不具有修复线的阵列基板(例如，常规阵列基板)的开口率实质上相同。可选地，修复线可以部分地与相应的数据线重叠。图5是示出根据本公开的一些实施例中的修复线的结构的示图。参考图5，整个修复线 RL实质上平行于相应的数据线DL。修复线RL与栅线GL交叉。如图 5所示，第一过孔V1和第二过孔V2在阵列基板上的投影位于与修复线RL交叉的栅线GL的两侧。
参考图5，实施例中的修复线RL包括第一部分P1、第二部分P2 和第三部分P3。第一过孔V1在阵列基板上的投影实质上与第一部分 P1和相应数据线DL在阵列基板上的投影重叠。第二过孔V2在阵列基板上的投影实质上与第二部分P2和相应数据线DL在阵列基板上的投影重叠。第三部分P3在阵列基板上的投影与相应数据线DL在阵列基板上的投影隔开。可选地，第三部分P3在阵列基板上的投影与相应数据线DL在阵列基板上的投影部分地重叠。通过这种设计，可以切割相应的数据线DL而不会不小心切割到下方的修复线RL。
修复线可为其他构造。图6是示出根据本公开的一些实施例中的阵列基板的结构的示图。参考图6，修复线RL实质上平行于相应的数据线DL，并且与栅线GL交叉。第一过孔V1和第二过孔V2在阵列基板上的投影位于与修复线RL交叉的栅线GL的两侧。如图6所示，实施例中的修复线RL在阵列基板上的投影实质上与相应数据线DL 在阵列基板上的投影重叠。通过这种设计，阵列基板的开口率不会由于增加了修复线而降低。
各种适当导电材料和各种适当制造方法可用于制作修复线。例如，可以在基板上沉积导电材料(例如，通过溅射、气相沉积、溶液涂覆、或旋转涂布)；并进行图案化(例如，通过诸如湿法蚀刻工艺之类的光刻)来形成修复线。用于制作修复线的适当导电材料的示例包括但不限于：各种金属材料，比如纳米银、钼、铝、银、铬、钨、钛、钽、铜、以及包含其的合金或薄片；和各种导电金属氧化物，比如铟锡氧化物。
图7是图6中的阵列基板沿着B-B'方向的截面图。参考图7，该阵列基板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有：位于基底基板BS 上的栅电极G；位于栅电极G的远离基底基板BS的一侧的第一绝缘层GI1；位于第一绝缘层GI1的远离栅电极G的一侧的第二绝缘层 GI2；位于第二绝缘层GI2的远离第一绝缘层GI1的一侧的有源层AL；以及位于有源层AL的远离第二绝缘层GI2的一侧的源电极S和漏电极D。该实施例的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。所述阵列基板还包括位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间的修复线RL。实施例中的修复线RL在阵列基板上的投影实质上与相应数据线DL在阵列基板上的投影重叠。具体地，所述阵列基板包括：位于基底基板BS 上的栅线层(包括图7的栅电极G)；位于栅线层的远离基底基板BS 的一侧的第一绝缘层GI1；位于第一绝缘层GI1的远离栅线层的一侧的修复线RL；位于修复线RL的远离第一绝缘层GI1的一侧的第二绝缘层GI2；延伸穿过第二绝缘层GI2的第一过孔(图7中未示出)和第二过孔V2；和位于第二绝缘层GI2的远离修复线RL的一侧的数据线层DL。修复线RL分别经由第一过孔和第二过孔V2电连接至数据线DL，并且其在阵列基板上的投影实质上与相应数据线DL在阵列基板上的投影重叠。
图8是根据本公开的一些实施例中的具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板的截面图。参考图8，该阵列基板包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有：位于基底基板BS上的有源层AL；位于有源层AL的远离基底基板BS的一侧的源电极S和漏电极D；位于源电极S和漏电极D的远离基底基板BS的一侧的第二绝缘层GI2；位于第二绝缘层 GI2的远离源电极S和漏电极D的一侧的第一绝缘层GI1；以及位于第一绝缘层GI1的远离第二绝缘层GI2的一侧的栅电极G。该实施例的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。所述阵列基板还包括位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间的修复线RL。具体地，该阵列基板包括：位于基底基板BS上的数据线层DL；位于数据线层DL的远离基底基板BS的一侧的第二绝缘层GI2；延伸穿过第二绝缘层GI2的第一过孔(图8中未示出)和第二过孔V2；位于第二绝缘层GI2的远离数据线层DL的修复线RL；位于修复线RL的远离第二绝缘层GI2 的第一绝缘层GI1；和位于第一绝缘层GI1的远离修复线RL的一侧的栅线层(包括图8中的栅电极G)。修复线RL分别经由第一过孔和第二过孔V2电连接至数据线DL，并且其在阵列基板上的投影实质上与相应数据线DL在阵列基板上的投影重叠。
在一些实施例中,该阵列基板包括：具有多个第一行的栅线的栅线层；具有多个第二行的公共电极信号线的公共电极信号线层；和包括多列数据线的数据线层。可选地，栅线层和公共电极信号线层位于同一层。可选地，多个第一行的栅线和多个第二行的公共电极信号线实质上彼此平行。多个第一行的栅线和多列数据线彼此交叉以定义多个子像素。此外，多个第二行的公共电极信号线和多列数据线彼此交叉。可选地，多个第一行的栅线和多个第二行的公共电极信号线布置在阵列基板的子像素间区域中。该阵列基板还包括位于数据线层与具有栅线层和公共电极信号线层的同一层之间的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于数据线层的靠近具有栅线层和公共电极信号线层的同一层的一侧。该阵列基板还包括：位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的修复线，修复线对应于多列数据线中的一条数据线；和延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔。所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。可选地，修复线与多个第一行的栅线中的一条栅线和多个第二行的公共电极信号线中的一条公共电极信号线交叉。多个第一行的栅线中的与修复线交叉的那条栅线和多个第二行的公共电极信号线中的与修复线交叉的那条公共电极信号线在阵列基板上的投影均位于第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影之间。可选地，如上所述，修复线包括第一部分、第二部分和第三部分。可选地，第一切割位置和第二切割位置在阵列基板上的投影分别与第三部分在阵列基板上的投影重叠。
在另一方面，本公开提供了一种对本文描述的阵列基板中的信号线短路进行修复的方法。在一些实施例中，该阵列基板包括：包括多行第一信号线的第一信号线层；包括多列第二信号线的第二信号线层；位于第一信号线层和第二信号线层之间的第一绝缘层和第二绝缘层；位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的修复线，所述修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；和延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔。所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。可选地，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧。可选地，所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；并且第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧。
在一些实施例中，所述方法是对阵列基板中的多列第二信号线中的相应一条第二信号线和多行第一信号线中的与修复线交叉的那条第一信号线之间的信号线短路进行修复的方法。所述方法包括：将多列第二信号线中的相应一条第二信号线与多行第一信号线中的与修复线交叉的那条第一信号线电断开。各种适当方法可以用于将多列第二信号线中的相应一条第二信号线与多行第一信号线中的与修复线交叉的那条第一信号线电断开。可选地，信号线短路为彼此交叉的数据线和栅线之间的数据-栅短路。可选地，信号线短路可以为选自栅线、数据线、公共电极信号线和触控信号线中的两条不同信号线之间的短路。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的对阵列基板中的数据- 栅短路进行修复的方法的示图。参考图9，栅线GL和数据线DL彼此交叉，形成交叉部分，并且修复线RL与栅线GL交叉。在交叉部分处，出现数据-栅短路SC。在该实施例中，修复线RL实质上与数据线DL重叠。在一些实施例中，将短路中涉及到的数据线和栅线电断开的步骤包括：在第一切割位置CP1和第二切割位置CP2处切割数据线DL。如图9所示，第一切割位置CP1在阵列基板上的投影位于第一过孔 V1和栅线GL(其与修复线RL交叉)在阵列基板上的投影之间。第二切割位置CP2在阵列基板上的投影位于第二过孔V2和栅线GL在阵列基板上的投影之间。在将数据线DL在第一切割位置CP1和第二切割位置CP2处切割之后，解决了数据-栅短路问题，这是因为短路部分不再电连接至数据线DL。数据线DL仍然能够正常工作，这是因为修复线经由第一过孔V1和第二过孔V2将数据线DL的其他各部分电连接，使数据信号绕过短路部分。
图10是示出根据本公开的一些实施例中的对阵列基板中的数据 -栅短路进行修复的方法的示图。参考图10，栅线GL和数据线DL彼此交叉，形成交叉部分，并且修复线RL与栅线GL交叉。在交叉部分处，出现数据-栅短路SC。在该实施例中，修复线RL包括第一部分P1、第二部分P2和第三部分P3。第一过孔V1和第二过孔V2在阵列基板上的投影位于栅线GL(其与修复线RL交叉)在阵列基板上的投影的两侧。第一过孔V1在阵列基板上的投影实质上与第一部分P1 和数据线DL在阵列基板上的投影重叠。第二过孔V2在阵列基板上的投影实质上与第二部分P2和数据线DL在阵列基板上的投影重叠。在一些实施例中，将短路中涉及到的数据线和栅线电断开的步骤包括：在第一切割位置CP1和第二切割位置CP2处切割数据线DL。第三部分P3在阵列基板上的投影与数据线DL在阵列基板上的投影隔开。如图10所示，第一切割位置CP1和第二切割位置CP2在阵列基板上的投影分别与第三部分P3在阵列基板上的投影重叠。在将数据线DL 在第一切割位置CP1和第二切割位置CP2处切割之后，解决了数据- 栅短路问题，这是因为短路部分不再电连接至数据线DL。数据线DL 仍然能够正常工作，这是因为修复线经由第一过孔V1和第二过孔V2 将数据线DL的其他各部分电连接，使数据信号绕过短路部分。由于修复线RL的第三部分P3与数据线隔开，当在第一切割位置CP1和第二切割位置CP2处对数据线进行切割时，将不会不小心切割到修复线 RL。
在一些实施例中,该阵列基板包括：具有多个第一行的栅线的栅线层；具有多个第二行的公共电极信号线的公共电极信号线层；和具有多列数据线的数据线层。可选地，栅线层和公共电极信号线层位于同一层。可选地，多个第一行的栅线和多个第二行的公共电极信号线实质上彼此平行。多个第一行的栅线和多列数据线彼此交叉以定义多个子像素。此外，多个第二行的公共电极信号线和多列数据线彼此交叉。可选地，多个第一行的栅线和多个第二行的公共电极信号线布置在阵列基板的子像素间区域中。该阵列基板还包括位于数据线层与具有栅线层和公共电极信号线层的同一层之间的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于数据线层的靠近具有栅线层和公共电极信号线层的同一层的一侧。该阵列基板还包括：位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的修复线，修复线对应于多列数据线中的一条数据线；和延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔。所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。可选地，修复线和多列数据线中的一条数据线与多个第一行的栅线中的一条栅线和多个第二行的公共电极信号线中的一条公共电极信号线交叉。多个第一行的栅线中的与修复线交叉的那条栅线和多个第二行的公共电极信号线中的与修复线交叉的那条公共电极信号线在阵列基板上的投影均位于第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影之间。在一些实施例中，对这种阵列基板中的信号线短路进行修复的方法包括：在第一切割位置和第二切割位置处对与修复线对应的数据线进行切割。第一切割位置在阵列基板上的投影位于第一过孔和多个第二行的公共电极信号线中的与所述修复线交叉的那条公共电极信号线在阵列基板上的投影之间。第二切割位置在阵列基板上的投影位于第二过孔和多个第一行的栅线中的与所述修复线交叉的那条栅线在阵列基板上的投影之间。可选地，如上所述，修复线包括第一部分、第二部分和第三部分。可选地，第一切割位置和第二切割位置在阵列基板上的投影分别与第三部分在阵列基板上的投影重叠。
在另一方面，本公开提供了一种制造阵列基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：形成第一信号线层，其具有多行第一信号线；和形成第二信号线层，其具有多列第二信号线，多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；形成第一绝缘层和第二绝缘层，其位于第一信号线层和第二信号线层之间，第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；形成修复线，其位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；以及形成第一过孔和第二过孔，其延伸穿过第二绝缘层。所述修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
第一信号线和第二信号线可以为阵列基板中彼此交叉的任何适当信号线。适当信号线的示例包括但不限于：栅线、数据线、公共电极信号线和触控信号线。可选地，第一信号线层为栅线层，其具有多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其具有多列数据线。可选地，第一信号线层为数据线层，其具有多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其具有多列栅线。可选地，第一信号线层为公共电极信号线层，其具有多行公共电极信号线；并且第二信号线层为数据线层，其具有多列数据线。可选地，第一信号线层为数据线层，其具有多行数据线；并且第二信号线层为公共电极信号线层，其具有多列公共电极信号线。可选地，第一信号线层位于第二信号线层的靠近基底基板的一侧。可选地，第二信号线层位于第一信号线层的靠近基底基板的一侧。
在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成具有多行第一信号线的第一信号线层；在第一信号线层的远离基底基板的一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离第一信号线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和在第二绝缘层的远离修复线的一侧形成具有多列第二信号线的第二信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。可选地，第一信号线层为栅线层,并且第二信号线层为数据线层。可选地，第一信号线层为数据线层,并且第二信号线层为栅线层。
在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成具有多列第二信号线的第二信号线层；在第二信号线层上形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；在第二绝缘层的远离第二信号线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层；和在第一绝缘层的远离修复线的一侧形成具有多行第一信号线的第一信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。可选地，第一信号线层为栅线层,并且第二信号线层为数据线层。可选地，第一信号线层为数据线层,并且第二信号线层为栅线层。
图11A至图11E示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的处理。图12A至图12E示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的处理。参考图11A和图12A,实施例的方法包括：在基底基板BS上形成栅线层GL(包括栅电极G)；和随后在栅线层GL(包括栅电极G)的远离基底基板BS的一侧形成第一绝缘层GI1。所述方法还包括：在第一绝缘层GI1的远离栅线层GL的一侧形成修复线RL (图11B、图12B)；并随后在修复线RL的远离第一绝缘层GI1的一侧形成第二绝缘层GI2。修复线RL形成为与栅线GL交叉。随后，所述方法包括：在第二绝缘层GI2的远离第一绝缘层GI1的一侧形成有源层AL；和形成延伸穿过第二绝缘层GI2的第一过孔V1和第二过孔 V2。第一过孔V1和第二过孔V2在阵列基板上的投影位于栅线GL的投影的两侧。第一过孔V1和第二过孔V2使修复线RL暴露。参考图 11D和图12D,所述方法还包括:在有源层AL的远离第二绝缘层GI2 的一侧形成漏电极D和源电极S；和在第二绝缘层GI2的远离修复线 RL的一侧形成数据线层DL。可选地，漏电极、源电极和数据线层在同一工艺中形成，例如，利用同一掩膜板。数据线DL分别经由第一过孔V1和第二过孔V2电连接至修复线RL。与修复线RL对应的数据线DL同栅线GL交叉。源电极S电连接至数据线DL。在图11E和图 12E中，在数据线层DL、漏电极D和源电极S上形成钝化层PVX。所述方法还包括：在钝化层PVX的远离基底基板BS的一侧形成像素电极层PE。
在一些实施例中，所述修复线为数据线修复线。可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线，并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。可选地，所述阵列基板为具有底栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述方法包括：在基底基板上形成包括多行栅线的栅线层；在位于栅线层的远离基底基板一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离栅线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和在第二绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多列数据线的数据线层。多行栅线形成为与多列数据线交叉，从而定义多个子像素。数据线修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。
在一些实施例中，所述修复线为数据线修复线。可选地，第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线，并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。可选地，所述阵列基板为具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述方法包括：在基底基板上形成具有多列数据线的数据线层；在数据线层的远离基底基板一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；在第二绝缘层的远离数据线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层；和在第一绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多行栅线的栅线层。多行栅线形成为与多列数据线交叉，从而定义多个子像素。数据线修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列数据线中的相应一条数据线。
在一些实施例中，所述修复线为栅线修复线。可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线，并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。可选地，所述阵列基板为具有底栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述方法包括：在基底基板上形成包括多列栅线的栅线层；在栅线层的远离基底基板一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；在第二绝缘层的远离栅线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层；和在第一绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多行数据线的数据线层。多列栅线形成为与多行数据线交叉，从而定义多个子像素。栅线修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列栅线中的相应一条栅线。
在一些实施例中，所述修复线为栅线修复线。可选地，第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线，并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。可选地，所述阵列基板为具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板。可选地，所述方法包括：在基底基板上形成包括多行数据线的数据线层；在数据线层的远离基底基板一侧形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离数据线层的一侧形成修复线；在修复线的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和在第二绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多列栅线的栅线层。多列栅线形成为与多行数据线交叉，从而定义多个子像素。栅线修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列栅线中的相应一条栅线。
在一些实施例中，所述方法包括：在第一绝缘层和第二绝缘层之间形成多条修复线。可选地，所述方法包括：在阵列基板中每子像素形成一条修复线。可选地，所述方法包括：在阵列基板中每像素形成一条修复线，每个像素包括多个子像素。可选地，所述方法包括：每多个子像素形成一条修复线，例如，每2、3、4、6、8或更多子像素一条修复线。可选地，所述方法包括：每多个像素形成一条修复线，例如，每2、4、8、10或更多像素形成一条修复线。
相应地，所述方法包括：形成与多条修复线相对应的多个第一过孔和多个第二过孔。多个第一过孔中的每一个形成为延伸穿过第二绝缘层，从而使修复线暴露。多个第二过孔中的每一个形成为延伸穿过第二绝缘层，从而使修复线暴露。多条修复线中的每一条形成为分别经由相应的一对第一过孔和第二过孔电连接至第二信号线。
在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其具有本文描述的或通过本文描述的方法制造的阵列基板。
在另一方面，本公开提供了具有本文描述的显示面板的显示设备。适当显示设备的示例包括但不限于：液晶显示面板、电子纸、有机发光显示面板、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (20)

1.一种阵列基板，包括：
第一信号线层，其包括多行第一信号线；第二信号线层，其包括多列第二信号线；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；
第一绝缘层和第二绝缘层，其位于第一信号线层和第二信号线层之间；第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；
修复线，其位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的，所述修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；和
第一过孔和第二过孔，其延伸穿过第二绝缘层；
其中所述修复线分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述修复线实质上平行于多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；并且
第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述修复线在阵列基板上的投影实质上与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；
第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；
第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；并且
第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述修复线与多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；
第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧；
第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；
第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；并且
第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，包括位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的多条修复线；以及
多个第一过孔和多个第二过孔，其对应于所述多条修复线；
其中多个第一过孔中的每一个延伸穿过第二绝缘层；多个第二过孔中的每一个延伸穿过第二绝缘层；并且
多条修复线中的每一条分别经由相应的一对第一过孔和第二过孔电连接至第二信号线。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。
10.一种显示面板，包括根据权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
11.一种显示设备，包括权利要求10所述的显示面板。
12.一种对权利要求3所述的阵列基板中的多列第二信号线中的相应一条第二信号线和多行第一信号线中的与修复线交叉的那条第一信号线之间的信号线短路进行修复的方法，包括：
将多列第二信号线中的相应一条第二信号线与多行第一信号线中的与修复线交叉的那条第一信号线电断开。
13.根据权利要求12所述的方法，其中电断开步骤包括在第一切割位置和第二切割位置处切割多列第二信号线中的所述相应一条第二信号线；
第一切割位置在阵列基板上的投影位于第一过孔和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影之间；并且
第二切割位置在阵列基板上的投影位于第二过孔和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影之间。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述修复线与所述多行第一信号线中的一条第一信号线交叉；所述修复线包括第一部分、第二部分和第三部分；
第一过孔和第二过孔在阵列基板上的投影位于多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线在阵列基板上的投影的两侧；
第一过孔在阵列基板上的投影实质上与第一部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；
第二过孔在阵列基板上的投影实质上与第二部分和多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影重叠；
第三部分在阵列基板上的投影与多列第二信号线中的相应一条第二信号线在阵列基板上的投影隔开；并且
第一切割位置和第二切割位置在阵列基板上的投影分别与第三部分在阵列基板上的投影重叠。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述信号线短路为栅线和数据线之间的数据-栅短路；并且
多列第二信号线中的所述相应一条第二信号线和多行第一信号线中的与所述修复线交叉的那条第一信号线为选自栅线和数据线的两条不同的信号线。
16.一种制造阵列基板的方法，包括：
形成第一信号线层，其包括多行第一信号线；并且形成第二信号线层，其包括多列第二信号线；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素；
在第一信号线层和第二信号线层之间形成第一绝缘层和第二绝缘层；第一绝缘层位于第二绝缘层的靠近第一信号线层的一侧；
在第一绝缘层和第二绝缘层之间形成修复线，所述修复线对应于多列第二信号线中的一条第二信号线；和
形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；
其中所述修复线形成为分别经由第一过孔和第二过孔电连接至多列第二信号线中的相应一条第二信号线。
17.根据权利要求16所述的方法，包括顺序地：
在基底基板上形成第一信号线层，其包括多行第一信号线；
在第一信号线层的远离基底基板的一侧形成第一绝缘层；
在第一绝缘层的远离第一信号线层的一侧形成修复线；
在修复线的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；
形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；和
在第二绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多列第二信号线的第二信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。
18.根据权利要求16所述的方法，包括顺序地：
在基底基板上形成第二信号线层，其包括多列第二信号线；
在第二信号线层上形成第二绝缘层；
形成延伸穿过第二绝缘层的第一过孔和第二过孔；
在第二绝缘层的远离第二信号线层的一侧形成修复线；
在修复线的远离第二绝缘层的一侧形成第一绝缘层；和
在第一绝缘层的远离修复线的一侧形成包括多行第一信号线的第一信号线层；多行第一信号线与多列第二信号线交叉以定义多个子像素。
19.根据权利要求16所述的方法，其中第一信号线层为栅线层，其包括多行栅线；并且第二信号线层为数据线层，其包括多列数据线。
20.根据权利要求16所述的方法，其中第一信号线层为数据线层，其包括多行数据线；并且第二信号线层为栅线层，其包括多列栅线。
CN201680001075.9A 2016-10-14 2016-10-14 阵列基板及其修复方法 Active CN108351572B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/102099 WO2018068298A1 (en) 2016-10-14 2016-10-14 Array substrate and repairing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108351572A true CN108351572A (zh) 2018-07-31
CN108351572B CN108351572B (zh) 2021-10-01

Family

ID=61906071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680001075.9A Active CN108351572B (zh) 2016-10-14 2016-10-14 阵列基板及其修复方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10276603B2 (zh)
EP (1) EP3526643B1 (zh)
CN (1) CN108351572B (zh)
WO (1) WO2018068298A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192700A (zh) * 2018-10-15 2019-01-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板的断线修复方法
CN109884829A (zh) * 2018-12-29 2019-06-14 成都中电熊猫显示科技有限公司 Goa显示面板修复线配置方法、显示面板及显示装置
CN110568678A (zh) * 2019-09-26 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN110690225A (zh) * 2019-09-02 2020-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置
CN111736400A (zh) * 2020-07-13 2020-10-02 福州京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112965273A (zh) * 2020-10-27 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板及显示面板修补方法
CN113703237A (zh) * 2021-08-18 2021-11-26 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的暗点化修补方法及显示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107665863B (zh) * 2016-07-29 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
KR20210037062A (ko) * 2019-09-26 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
CN113851421A (zh) 2020-06-28 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 基板及其维修方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101051645A (zh) * 2007-04-29 2007-10-10 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN101086564A (zh) * 2006-06-09 2007-12-12 三星电子株式会社 显示基板及其修复方法
US7978278B2 (en) * 2007-10-18 2011-07-12 Hannstar Display Corporation Display apparatus and repair method thereof
US8227977B2 (en) * 2008-08-14 2012-07-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect
US20130328020A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Yul-Kyu Lee Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured according to the repairing method
US8610840B2 (en) * 2010-12-30 2013-12-17 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel
CN105527736A (zh) * 2016-02-15 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100679518B1 (ko) * 2000-07-13 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2004054069A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Advanced Display Inc 表示装置及び表示装置の断線修復方法
CN100454556C (zh) 2006-07-05 2009-01-21 友达光电股份有限公司 修补结构与主动元件阵列基板
TWI409558B (zh) * 2010-07-30 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示面板及其訊號線修補方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101086564A (zh) * 2006-06-09 2007-12-12 三星电子株式会社 显示基板及其修复方法
CN101051645A (zh) * 2007-04-29 2007-10-10 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
US7978278B2 (en) * 2007-10-18 2011-07-12 Hannstar Display Corporation Display apparatus and repair method thereof
US8227977B2 (en) * 2008-08-14 2012-07-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Structure for repairing a line defect of an organic light emitting display and a method of repairing the defect
US8610840B2 (en) * 2010-12-30 2013-12-17 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel
US20130328020A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Yul-Kyu Lee Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured according to the repairing method
CN105527736A (zh) * 2016-02-15 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109192700A (zh) * 2018-10-15 2019-01-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板的断线修复方法
CN109884829A (zh) * 2018-12-29 2019-06-14 成都中电熊猫显示科技有限公司 Goa显示面板修复线配置方法、显示面板及显示装置
CN110690225A (zh) * 2019-09-02 2020-01-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置
CN110568678A (zh) * 2019-09-26 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN111736400A (zh) * 2020-07-13 2020-10-02 福州京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112965273A (zh) * 2020-10-27 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板及显示面板修补方法
CN112965273B (zh) * 2020-10-27 2023-03-17 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板及显示面板修补方法
CN113703237A (zh) * 2021-08-18 2021-11-26 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的暗点化修补方法及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20180294289A1 (en) 2018-10-11
EP3526643B1 (en) 2021-08-11
EP3526643A1 (en) 2019-08-21
EP3526643A4 (en) 2020-03-25
US10276603B2 (en) 2019-04-30
WO2018068298A1 (en) 2018-04-19
CN108351572B (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108351572A (zh) 阵列基板及其修复方法
US11411064B2 (en) Display device comprising sub-pixels separated by through holes and having specified orientations
US10403845B2 (en) Top-emissive organic light-emitting diode display
EP3098853B1 (en) Organic light emitting display apparatus
CN104681589B (zh) 大面积有机发光二极管显示器
EP2939286B1 (en) Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN104681581B (zh) 显示装置的显示面板
US8853686B2 (en) Flat panel display device with oxide thin film transistor and method for fabricating the same
TW201003591A (en) Planar light emission type display device
CN104049430B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN108022957A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20030038591A1 (en) Organic electroluminescence display panel and fabrication method thereof
CN104880873B (zh) 像素结构、显示面板和像素结构的制作方法
CN105607306A (zh) 制造显示基板的方法、修复显示基板的方法和显示基板
CN105280649B (zh) 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
KR20150077758A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그를 이용한 액정표시장치
KR102320187B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN106502474A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN103489923B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板
CN103913916B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏
CN109416492A (zh) 液晶显示装置
CN103926761A (zh) 一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法
CN104766868A (zh) 阵列基板及显示面板
CN106098709A (zh) 阵列基板、显示装置
CN102998866B (zh) 阵列基板、显示装置及制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant