CN110690225A - 阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置，所述阵列基板包括衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层；其中，所述源漏电极层中间隔设有多条数据线，所述第一金属层中间隔设有多条修复线，所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段，所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置，并与所述数据线绝缘隔开，在所述数据线出现断点时，修复子线段与所述断点的两端连接，便于完成对数据线断点的修复，同时将修复线设置于第一金属层，减少修复线所占用阵列基板的空间，简化阵列基板的膜层结构。

Description

阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置。
背景技术
有源矩阵发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)因其独特的优势，得到快速的发展。AMOLED所搭配的阵列基板，主流为低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)阵列基板，LTPS阵列基板在制作过程中，难于确保所形成的大面积的多晶硅半导体的均一性，具体体现为阈值电压漂移。为解决AMOLED LTPS多晶硅均一性差的问题，AMOLED LTPS阵列基板亚像素驱动电路需采用像素补偿电路，以此抵消阈值电压漂移带来的影响。
现主流像素补偿电路为7T1C设计，为形成此驱动电路，需多晶硅层图形、第一金属层图形、第二金属层图形、源漏电极层图形以及导电层间的绝缘层，此补偿电路正常工作需要扫描信号、电源电压信号、数据信号、发光信号、电源高压信号和电源低压信号。其中扫描信号和发光信号通常为阵列基板行驱动(Gate on Array,GOA)结构的双边驱动，对信号线断路容忍度高，即扫描信号和发光信号单一断点一般不会产生不良。对于数据线，为单边输入信号，且每一根信号线传输信号不相同，数据线不能相互交联。因此，数据线对断线敏感，若存在断点，远离信号输入端必定会产生不良。另外，对于数据线和其他导电层可能存在短路，可以把短路点两端切断，再按照断线方式维修即可，但是对于数据线短路或者断路，均需要额外的修复线辅助维修。
综上所述，现有阵列基板像素补偿电路中的数据线存在断点修复困难的问题。故，有必要提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置，用于解决现有阵列基板像素补偿电路中的数据线存在断点修复困难的问题。
本揭示实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层；
其中，所述源漏电极层中间隔设有多条数据线，所述第一金属层中间隔设有多条修复线，所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段，所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置，并与所述数据线绝缘隔开。
根据本揭示一实施例，当所述数据线出现断点时，位于所述断点两侧的所述修复子线段与所述断点的两个端部连接。
根据本揭示一实施例，所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素电极，每一条所述修复线对应一列所述子像素电极，所述修复子线段位于相邻两个所述子像素电极形成的间隙内。
根据本揭示一实施例，同一条所述修复线上的任意相邻两个所述修复子线段之间间隔至少一个所述子像素电极。
根据本揭示一实施例，位于同一条所述修复线上的所述修复子线段的延伸方向相同。
根据本揭示一实施例，所述阵列基板还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述第一金属层与所述源漏电极层之间，当所述数据线出现断点时，所述修复子线段通过贯穿所述层间绝缘层的第一连通孔与所述断点的两个端部连接。
根据本揭示一实施例，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层中间隔设置有多条扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉设置。
根据本揭示一实施例，所述阵列基板还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第二金属层与所述衬底基板之间，所述第一金属层与所述多晶硅层的交叠区域设置有第二连通孔，所述数据线通过所述第二连通孔与所述多晶硅层相连接。
本揭示实施例提供一种阵列基板的数据线断点修补方法，应用于上述的阵列基板，所述修补方法包括：
查找数据线断点的位置；
将所述修复线上位于所述断点两端的所述修复子线段分别与所述断点的两个端部相连接，使得所述数据线处于导通状态。
本揭示实施例还提供一种显示装置，包括如上述的阵列基板。
本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例通过在第一金属层间隔设置多条修复线，所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段，所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层的投影位置，并与所述数据线绝缘隔开，在所述数据线出现断点时，修复子线段与所述断点的两端连接，便于完成对数据线断点的修复，同时将修复线设置于第一金属层，减少修复线所占用阵列基板的空间，简化阵列基板的膜层结构。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例一提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本揭示实施例一提供的阵列基板的结构示意图；
图3为本揭示实施例二提供的阵列基板的结构示意图；
图4为本揭示实施例三提供的阵列基板数据线断点的修补方法的流程示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：
实施例一：
本揭示实施例提供一种阵列基板，下面结合图1进行详细说明。
如图1所示，图1为本揭示实施例提供的阵列基板100的结构示意图，所述阵列基板100包括：衬底基板(图中未示出)、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层GE1和源漏电极层SD。其中，所述源漏电极层SD中间隔设有多条数据线Data，所述第一金属层GE1中间隔设有多条修复线100，所述修复线100上间隔设有至少两个修复子线段111，所述修复子线段111从所述修复线110延伸至所述数据线Data沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层GE1上的投影位置，并与所述数据线Data绝缘隔开。
在本实施例中，所述修复线110及其修复子线段111用于修复所述数据线Data的断点，保持数据线Data的连通。当所述数据线Data出现断点120时，位于所述断点120两侧的所述修复子线段111与所述断点120的两个端部连，使得所述修复线110以及所述修复子线段111成为数据线Data的一部分，从而有效完成对数据线Data断点120的修复，保证数据线Data的导通。
具体地，所述修复子线段111与所述断点120的两个端部连接的方式包括激光镭射焊接连接，如图1所示，断点120两侧的圆点为焊接点130。当然在其他的实施例中，也可以采用其他的连接修复方式，在此不做具体限制。同时，所述修复子线段111的数量也不限于两个，也可以为3个或者多个。
如图1所示，所述阵列基板100包括阵列排布的多个子像素电极140，每一条所述修复线110对应一列所述子像素电极140，所述修复子线段111位于相邻两个所述子像素电极140形成的间隙内，每一条所述数据线Data同样对应于一列所述子像素电极140，用于传输数据至整列像素单元。
在本实施例中，同一条所述修复线110上的任意相邻两个所述修复子线段111之间间隔一个所述子像素电极140。由于数据线Data和修复线110的修复子线段111存在交叠区域，在线路导通的情况下，交叠区域所产生耦合电容不利于数据线Data中数据的传输，因此需要通过降低数据线Data与修复子线段111的交叠区域的面积。
如图2所示，图2为本揭示实施例所提供的另一种修复子线段的排列方式，所述修复线110上任意相邻两个所述修复子线段111之间间隔两个所述子像素电极140，通过减少修复子线段111的数量，减少修复子线段111与数据线Data的交叠区域面积，从而减小交叠区域的耦合电容。当然，在其他的实施例中，同一所述修复线110上任意相邻两个修复子线段111之间还可以间隔两个以上所述子像素电极140。
在本实施例中，所述阵列基板包括阵列排布的多个像素补偿电路，即包括多条数据线以及多条修复线，为保证数据线Data的修复质量，位于同一条所述修复线110上的所述修复子线段111的延伸方向相同，均延伸至像素补偿电路中数据线Data沿阵列基板100厚度方向在第一金属层GE1上的投影位置，并与所述投影位置重叠。
本揭示实施例通过在第一金属层GE1间隔设置多条修复线110，所述修复线110上间隔设有至少两个修复子线段111，所述修复子线段111从所述修复线110延伸至所述数据线Data沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层GE1的投影位置，并与所述数据线Data绝缘隔开，在所述数据线Data出现断点时，修复子线段111与所述断点120的两端连接，便于完成对数据线Data断点的修复，同时将修复线110设置于第一金属层GE1，减少修复线110所占用阵列基板的空间，简化阵列基板的膜层结构。
实施例二：
本揭示实施例提供一种阵列基板，下面结合图3进行详细说明。
如图3所示，图3为本揭示实施例所提供的阵列基板200的结构示意图，所述阵列基板200包括衬底基板(图中未示出)以及形成于所述衬底基板上如图3所示的7T1C像素补偿电路，图3仅表述出所述像素补偿电路的第n级，所述像素补偿电路包括多条间隔设置的数据线Data和修复线210，所述修复线210上间隔设有至少两个修复子线段211，所述修复子线段211从所述修复线210延伸至所述数据线Data沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层GE1上的投影位置，并与所述数据线Data绝缘隔开。
具体地，所述修复线210设置于所述第一金属层GE1中，所述数据线Data设置于所述源漏电极层中，所述第一金属层GE1设置于所述衬底基板上，所述数据线Data设置于所述第一金属层GE1远离所述衬底基板的一侧上。
在本实施例中，所述阵列基板200还包括层间绝缘层(图中未示出)，所述层间绝缘层设置于所述第一金属层GE1与所述源漏电极层SD之间，当所述数据线Data出现断点时，所述修复子线段211通过贯穿所述层间绝缘层的第一连通孔与所述断点的两个端部连接，使得所述修复线210以及修复子线段211成为数据线Data的一部分，从而有效完成对数据线Data断点的修复，保证数据线Data的导通。
具体地，所述修复子线段211与所述断点的两个端部连接的方式包括激光镭射焊接连接，当然在其他的实施例中，也可以采用其他的连接修复方式，在此不做具体限制。同时，所述修复子线段211的数量也不限于两个，也可以为3个或者多个。
在本实施例中，所述阵列基板200包括阵列排布的多个子像素电极(图中未示出)，每一条所述修复线210对应一列所述子像素电极，所述修复子线段211位于相邻两个所述子像素电极形成的间隙内，每一条所述数据线Data同样对应于一列所述子像素电极，用于传输数据至整列像素单元。
在本实施例中，同一条所述修复线210上的任意相邻两个所述修复子线段211之间间隔一个所述子像素电极。由于数据线Data和修复线210的修复子线段211存在交叠区域，在线路导通的情况下，交叠区域所产生耦合电容不利于数据线Data中数据的传输，需要通过降低数据线Data与修复子线段211的交叠区域的面积，因此在其他的实施例中，同一条所述修复线210上的任意相邻两个所述修复子线段211之间还可以间隔两个或者两个以上的所述子像素电极。
如图3所示，所述像素驱动电路还包括间隔设置的多条电源高压信号线VDD和工作电压信号线VI，所述电源高压信号线VDD和所述工作电压信号线VI均设置于所述第一金属层中。
所述衬底基板200还包括第二金属层GE2，所述第二金属层GE2设置于所述第一金属层GE1与所述衬底基板之间，所述第二金属层GE2中间隔设置有多条扫描线以及发光控制信号线EM。其中，每一级所述像素补偿电路中均包括第(n-1)级扫描线Scan(n-1)、第(n)级扫描线Scan(n)以及第(x)级扫描线Scan(x)，所述多条扫描线与所述多条信号线交叉设置。
如图3所示，所述阵列基板还包括多晶硅层Poly，由下至上依次为衬底基板、多晶硅层Poly、第二金属层GE2、第一金属层GE1以及源漏电极层SD。所述多晶硅层Poly上刻蚀形成有多晶硅图案，所述多晶硅图案与所述扫描线、所述发光控制信号线以及所述多条信号线交叉设置。所述第一金属层GE1与所述多晶硅层Poly的交叠区域设置有第二连通孔，所述数据线Data通过所述第二连通孔与所述多晶硅层Poly相连接。所述电源高压信号线VDD和工作电压信号线VI也通过其他连通孔与所述多晶硅层Poly上的多晶硅图案相连接。
本揭示实施例通过在第一金属层GE1间隔设置多条修复线210，所述修复线210上间隔设有至少两个修复子线段211，所述修复子线段211从所述修复线210延伸至所述数据线Data沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层GE1的投影位置，并与所述数据线Data绝缘隔开，在所述数据线Data出现断点时，修复子线段211与所述断点220的两端连接，便于完成对数据线Data断点的修复，同时将修复线210设置于第一金属层GE1，并将边缘在第一金属层形成的工作电压信号线VI用源漏电极层SD上的信号线和多晶硅层Poly的多晶硅图案代替，减少修复线210所占用阵列基板的空间，简化阵列基板200的膜层结构。
本揭示实施例还提供一种显示装置，包括如上述实施例所述的阵列基板，且所述显示装置能够实现与上述实施例所述的阵列基板相同的技术效果，此处不再赘述。
实施例三：
本揭示实施例还提供一种阵列基板的数据线断点修补方法，应用于如上述实施例所提供的阵列基板，下面结合图1和图4进行详细说明。如图4所示，图4为本揭示实施例所提供的阵列基板的数据线断点修补方法的流程示意图，所述方法包括：
步骤S10：查找数据线断点的位置；
步骤S20：将所述修复线上位于所述断点两端的所述修复子线段分别与所述断点的两个端部相连接，使得所述数据线处于导通状态。
在本实施例中，当阵列基板100的数据线Data出现断点120时，查找出断点120位于数据线Data的具体位置。所述修复线110上间隔设置有多个修复子线段111，位于所述断点120两侧的所述修复子线段111与所述断点120的两个端部连，使得所述修复线110以及所述修复子线段111成为数据线Data的一部分，从而有效完成对数据线Data断点120的修复，保证数据线Data的导通。
在本实施例中，所述修复子线段211与所述断点120的两个端部连接的方式包括激光镭射焊接连接，当然在其他的实施例中，也可以采用其他的连接修复方式，在此不做具体限制。
本揭示实施例提供的阵列基板的数据线断点修补方法中，通过将数据线上的修复子线段与数据线断点的两端焊接起来，使得修复线以及修复子线段成为数据线的一部分，使得数据线导通，所述方法可以有效完成对数据线断点的修补，并且修补过程简单，修补成功率高。
综上所述，虽然本揭示以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层；
其中，所述源漏电极层中间隔设有多条数据线，所述第一金属层中间隔设有多条修复线，所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段，所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置，并与所述数据线绝缘隔开。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述数据线出现断点时，位于所述断点两侧的所述修复子线段与所述断点的两个端部连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素电极，每一条所述修复线对应一列所述子像素电极，所述修复子线段位于相邻两个所述子像素电极形成的间隙内。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，同一条所述修复线上的任意相邻两个所述修复子线段之间间隔至少一个所述子像素电极。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于同一条所述修复线上的所述修复子线段的延伸方向相同。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述第一金属层与所述源漏电极层之间，当所述数据线出现断点时，所述修复子线段通过贯穿所述层间绝缘层的第一连通孔与所述断点的两个端部连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层中间隔设置有多条扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉设置。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第二金属层与所述衬底基板之间，所述第一金属层与所述多晶硅层的交叠区域设置有第二连通孔，所述数据线通过所述第二连通孔与所述多晶硅层相连接。
9.一种阵列基板的数据线断点修补方法，其特征在于，应用于权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，所述修补方法包括：
查找数据线断点的位置；
将所述修复线上位于所述断点两端的所述修复子线段分别与所述断点的两个端部相连接，使得所述数据线处于导通状态。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。
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