CN101086564A - 显示基板及其修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供显示基板及其修复方法，该显示基板包括信号线、保护层和修复线。保护层覆盖所述信号线从而保护所述信号线并具有形成在其中的修复槽。修复线形成在所述修复槽中并电连接至所述信号线从而修复所述信号线的电连接故障。所述修复槽连接所述信号线的沿所述信号线的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。所述电连接故障发生在所述第一和第二区域之间。所述修复线被防止受到损坏，并且显示质量得到改善。

Description

显示基板及其修复方法
技术领域
本发明涉及显示基板及修复显示基板的方法，更具体地，涉及其电连接故障可以修复从而改善显示质量的显示基板及修复显示基板的方法，由此防止对修复线的损坏。
背景技术
各种电子设备诸如移动电话、数码相机、笔记本电脑和监视器包括显示图像的显示设备。显示设备的例子包括阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)和电致发光(EL)显示器。
利用液晶的光电属性显示图像的LCD设备是平板显示器。与诸如CRT和PDP的显示设备相比，LCD设备具有诸如重量轻、功耗低、及驱动电压低等特性。
LCD设备可包括利用液晶的透光性显示图像的LCD面板及设置在LCD面板之下来给LCD面板提供光的背光组件。
LCD面板可包括阵列基板、相对基板和置于阵列基板与相对基板之间的液晶层。阵列基板包括信号线、电连接到信号线的薄膜晶体管(TFT)、覆盖并保护信号线和TFT的保护层及电连接到TFT的像素电极。
阵列基板的信号线会具有诸如短路或短接故障的电连接故障。当产生电连接故障时，LCD面板的显示质量恶化。因此，必须修复具有电连接故障的信号线。
修复信号线的传统方法是在保护层上形成修复线。修复线电连接到信号线从而修复电连接故障。
然而，保护层上的修复线在清洗阵列基板时易遭受损坏。
发明内容
本发明的示例性实施例提供能够防止修复线被损坏从而改善显示质量的显示基板及其修复方法。
在本发明的示例性实施例中，显示基板包括信号线、保护层和修复线。保护层覆盖所述信号线从而保护所述信号线并具有形成在其中的修复槽。修复线形成在所述修复槽中并电连接至所述信号线从而修复所述信号线的电连接故障。所述修复槽可连接所述信号线的沿所述信号线的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。所述电连接故障发生在所述第一和第二区域之间。
例如，所述保护层可包括第一子保护层和形成在所述第一子保护层上的第二子保护层，并且所述修复槽可形成在所述第二子保护层处。第一连接孔和第二连接孔可形成在所述第一子保护层处从而电连接所述修复线至所述信号线。
在本发明的示例性实施例中，提供一种修复显示基板的方法。在该方法中，去除覆盖信号线的保护层的部分从而形成修复槽。在所述修复槽中形成修复线从而修复电连接故障，所述修复线电连接到所述信号线。所述修复槽可连接所述信号线的沿所述信号线的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。所述电连接故障位于所述第一和第二区域之间。
例如，可以除去所述保护层的对应于所述第一和第二区域的部分从而形成第一连接孔和第二连接孔，通过所述第一连接孔和第二连接孔暴露所述信号线的一部分。在所述修复槽中形成所述修复线，所述修复线通过所述第一和第二连接孔电连接到所述信号线。
根据本发明的示例性实施例，修复线形成在形成于保护层处的修复槽中。结果，可防止所述修复线受到损坏，并且改善了显示质量。
附图说明
从下面结合附图的描述中可以更详细地理解本发明的示例性实施例，附图中：
图1是平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板；
图2是图1所示的显示基板的放大平面图；
图3是沿图2的线I-I′取得的横截面视图；
图4是沿图2的线II-II′取得的横截面视图；
图5是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板；
图6是沿图5的线III-III′取得的横截面视图；
图7是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板；
图8是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板；
图9至11和13是平面图及图12是横截面视图，用于示出修复根据本发明示例性实施例的显示基板的方法；及
图14和15是平面图，示出了修复根据本发明示例性实施例的显示基板的方法。
具体实施方式
现在将参照附图更完整地说明本发明的示例性实施例。然而，本发明能够以很多不同方式实施，并且不应解释为局限于这里提出的实施例。
图1是平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板。
参照图1，显示基板100包括多条栅极线GL、多条数据线DL、薄膜晶体管TFT、像素电极PE和修复线RL1。
栅极线GL沿图1中的列方向排布并沿第一方向D1延伸。数据线DL沿图1中的行方向排布，交叉栅极线GL，并沿基本垂直于第一方向D1的第二方向D2延伸。多个像素通过相邻的栅极线GL和相邻的数据线DL定义。基于栅极线GL和数据线DL交叉处产生短接故障来说明显示基板100。
薄膜晶体管TFT和像素电极PE形成在每个像素中。薄膜晶体管TFT电连接到栅极线GL和数据线DL从而栅极信号和数据信号施加到薄膜晶体管TFT。像素电极PE电连接到薄膜晶体管TFT从而像素电极PE通过薄膜晶体管TFT控制。
修复线RL1电连接到栅极线GL或数据线DL来修复短接故障。修复线RL1可包括例如导电材料诸如钨(W)、钼(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、和/或铁(Fe)。图2是图1所示的显示基板的放大平面图。图3是沿图2的线I-I′取得的横截面视图。
参照图1至3，显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130和像素电极PE。
透明基板110具有平板形状并包括透明材料例如玻璃、石英、蓝宝石和/或透明合成树脂。
栅极线GL形成在透明基板110上。栅极绝缘层120形成在透明基板110上从而覆盖栅极线GL。数据线DL形成在栅极绝缘层120上并电连接到栅极线GL。
薄膜晶体管TFT可包括例如栅极电极GE、有源层AL、源极电极SE、漏极电极DE和欧姆接触层OL。
栅极电极GE从栅极线GL沿第二方向D2延伸。有源层AL形成在栅极电极GE上。具体地，有源层AL形成在栅极绝缘层120上从而交叉栅极电极GE。有源层AL可包括半导体材料例如非晶硅(a-Si)。
源极电极SE从数据线DL沿第一方向D1延伸，并与有源层AL的部分交迭。漏极电极DE与源极电极SE间隔开预定距离并沿第一方向D1延伸。漏极电极DE与有源层AL的部分交迭。
欧姆接触层OL形成在有源层AL和源极电极SE之间、及有源层AL和漏极电极DE之间。例如，欧姆接触层OL可包括高离子掺杂的非晶硅(例如n+a-Si)。
保护层130形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。保护层130防止薄膜晶体管TFT被物理或化学地损坏。
保护层130可包括第一子保护层132和第二子保护层134。第一子保护层132形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。可用于第一子保护层132的材料的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。第二子保护层134形成在第一子保护层132上从而平坦化显示基板100的表面，并可包括有机材料。供选地，第二子保护层134可包括滤色器。第一子保护层132的厚度可以为约0.05至约0.15μm，第二子保护层134的厚度可以是约4至约5μm。
形成接触孔136从而暴露漏极电极DE的部分。保护层130的部分被去除来形成接触孔136。
像素电极PE形成在第二子保护层134上。像素电极PE通过接触孔136电连接到漏极电极DE。可用于像素电极PE的材料的例子可包括透明导电材料诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、和/或非晶氧化铟锡(a-ITO)。
图4是沿图2的线II-II′取得的横截面视图。
短路故障10产生于栅极线GL和数据线DL交叉处。
修复槽134a形成在第二子保护层134处。修复槽134a具有预定形状，连接第一区域AR1至与第一区域AR1沿数据线DL的纵向方向间隔开的第二区域AR2。短接故障10布置在第一和第二区域AR1和AR2之间。
第一连接孔132a和第二连接孔132b形成在第一子保护层132处。第一连接孔132a形成在第一区域AR1中从而暴露部分数据线DL。第二连接孔132b形成在第二区域AR2中从而暴露部分数据线DL。
第一断开槽CH1和第二断开槽CH2形成在保护层130和数据线DL处从而断开数据线DL。具体地，第一断开槽CH1形成在短接故障10和第一连接孔132a之间，第二断开槽CH2形成在短接故障10和第二连接孔132b之间。
第一和第二断开槽CH1和CH2断开数据线DL从而将数据线DL分成交叉数据线DLa、第一非交叉数据线DLb和第二非交叉数据线DLc。例如，绝缘材料可设置在每个第一和第二断开槽CH1和CH2中。
修复槽134a不交迭第一和第二断开槽CH1和CH2。例如，修复槽134a可具有‘U’形，如图2所示。
修复线RL1形成在修复槽134a中且在第一子保护层132上。修复线RL1通过第一连接孔132a电连接到第一非交叉数据线DLb，且通过第二连接孔132b电连接到第二非交叉数据线DLc。这样，修复线RL1电连接第一和第二非交叉数据线DLb和DLc从而修复短接故障10。
修复线RL1形成在与第一和第二断开槽CH1和CH2间隔开的修复槽134a中，如图2所示。结果，可以弥补短接故障10，并且可以防止修复线RL1在显示基板100的清洗工艺期间被损坏。
保护层130可包括第一和第二子保护层132和134。在供选实施例中，保护层130可具有单层结构，其中修复槽134a不穿过保护层130，且保护层130的下部分设置在修复槽134a和数据线DL上。结果，修复线RL1可形成在保护层130的下部分上。
形成修复线RL1来修复数据线DL的短接故障10。供选地，可形成修复线RL1来修复栅极线GL的短接故障。例如，修复槽134a可具有预定形状，连接沿栅极线GL的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。短接故障10布置在第一和第二区域之间。类似第一和第二连接孔132a和132b的连接孔可分别暴露栅极线GL的部分。类似修复线RL1的修复线可电连接栅极线GL的断开的部分至彼此。
本发明的实施例结合液晶显示(LCD)设备进行了描述。然而，本发明不局限于LCD设备，并且可以在例如等离子体显示面板(PDP)和有机电致发光显示器中实施。
图5是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板。图6是沿图5的线III-III′取得的横截面视图。
参照图5和6，显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130、像素电极PE、修复线RL2和绝缘材料140。
显示基板100与图1至4所示的显示基板基本相同，除了关于例如保护层130、绝缘材料140和修复线RL2。短接故障10产生在栅极线GL和数据线DL交叉处。
保护层130形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。保护层130可包括第一子保护层132和第二子保护层134。接触孔136形成在薄膜晶体管TFT的漏极电极DE上从而暴露漏极电极DE的部分。
修复槽134b形成在第二子保护层134处。修复槽134b具有预定形状，连接沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开的第一区域AR1和第二区域AR2。短接故障10布置在第一和第二区域AR1和AR2之间。例如，修复槽134b可具有直线形状，并且修复槽134b的纵向方向可与数据线DL的纵向方向基本相同。
第一连接孔132a和第二连接孔132b形成在第一子保护层132处，且第一和第二连接孔132a和132b分别设置在第一和第二区域AR1和AR2中。
第一断开槽CH1形成在短接故障10和第一连接孔132a之间，第二断开槽CH2形成在短接故障10和第二连接孔132b之间。
第一和第二断开槽CH1和CH2将数据线DL分成交叉数据线DLa、第一非交叉数据线DLb和第二非交叉数据线DLc。例如，绝缘材料140设置在每个第一和第二断开槽CH1和CH2中。
修复线RL2形成在修复槽134b中并通过第一和第二连接孔132a和132b电连接第一和第二非交叉数据线DLb和DLc至彼此。结果，修复线RL2可修复短接故障10。
修复槽134b交迭第一和第二断开槽CH1和CH2。然而，绝缘材料140设置在第一和第二断开槽CH1和CH2中。结果，可防止修复线RL2通过第一和第二断开槽CH1和CH2电连接到数据线DL。
修复线RL2电连接断开的数据线DL。供选地，修复线RL2可连接断开的栅极线GL。
图7是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板。
参照图7，显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130、像素电极PE和修复线RL3。
显示基板100与图1至4所示的显示基板基本相同，除了关于例如保护层130和修复线RL3。短接故障20产生在数据线DL中。
保护层130形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。保护层130可包括第一子保护层132和第二子保护层134。接触孔136形成在薄膜晶体管TFT的漏极电极DE上从而暴露漏极电极DE的部分。
修复槽134c形成在第二子保护层134处。修复槽134c具有预定形状，连接沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开预定长度的第一区域和第二区域。短接故障20布置在第一和第二区域之间。例如，修复槽134c可具有直线形状，并且修复槽134c的纵向方向可与数据线DL的纵向方向基本相同。
第一连接孔132a和第二连接孔132b形成在第一子保护层132处，且第一和第二连接孔132a和132b分别设置在第一和第二区域中。
修复线RL3形成在修复槽134c中。修复线RL3通过第一连接孔132a电连接到第一区域中的数据线DL，并通过第二连接孔132b电连接到第二区域中的数据线DL。修复线RL3电连接第一区域中的数据线DL和第二区域中的数据线DL。结果，修复线RL3可修复短接故障20。
图8是放大平面图，示出了根据本发明示例性实施例的显示基板。
参照图8，显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130、像素电极PE和修复线RL4。
显示基板100与图1至4所示的显示基板基本相同，除了关于例如保护层130和修复线RL4。短接故障30产生在栅极线GL中。
保护层130形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。保护层130可包括第一子保护层132和第二子保护层134。接触孔136形成在薄膜晶体管TFT的漏极电极DE上从而暴露漏极电极DE的部分。
修复槽134d形成在第二子保护层134处。修复槽134d具有预定形状，连接沿栅极线GL的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。短接故障30布置在第一和第二区域之间。例如，修复槽134c可具有直线形状，并且修复槽134d的纵向方向可与栅极线GL的纵向方向基本相同。
第一连接孔132a和第二连接孔132b形成在第一子保护层132处，且分别设置在第一和第二区域中。
修复线RL4形成在修复槽134d中。修复线RL4通过第一连接孔132a电连接到第一区域中的栅极线GL，并通过第二连接孔132b电连接到第二区域中的栅极线GL。修复线RL4电连接第一区域中的栅极线GL和第二区域中的栅极线GL。结果，修复线RL4可修复短接故障30。
图9、10、11和13是平面图且图12是横截面视图，用于示出修复根据本发明示例性实施例的显示基板的方法。
图9是平面图，示出了具有电连接故障的显示基板的部分。
参照图1、3和9，显示基板100包括电连接故障10。例如，显示基板100可以是用于LCD设备的阵列基板。显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130和像素电极PE。
透明基板110具有平板形状。栅极线GL形成在透明基板110上。栅极绝缘层120形成在透明基板110上从而覆盖栅极线GL。数据线DL形成在栅极绝缘层120上并与栅极线GL电绝缘。薄膜晶体管TFT电连接到栅极线GL和数据线DL，并包括例如栅极电极GE、有源层AL、源极电极SE、漏极电极DE和欧姆接触层OL。
保护层130形成在栅极绝缘层120上从而覆盖数据线DL和薄膜晶体管TFT。保护层130可包括第一子保护层132和第二子保护层134。可用于第一子保护层132的材料的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。第二子保护层134可包括有机材料。供选地，第二子保护层134可包括滤色器。
像素电极PE形成在保护层130上并通过形成在保护层130处的接触孔136电连接到漏极电极DE。
短路故障10产生于栅极线GL和数据线DL交叉处。
图10是平面图，示出了修复槽的形成。
参照图10，修复槽134a形成在保护层130处。激光束照射到保护层130上。结果，保护层130的部分被去除从而形成修复槽134a。激光束的例子可包括连续波(continuous wave：CW)激光束。激光束的波长可以为约340至约360nm。
具体地，第二子保护层134的部分可以被去除从而第一子保护层132的部分被暴露。
修复槽134a具有预定形状，连接沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开预定长度的第一区域和第二区域。短接故障10布置在第一和第二区域之间。例如，修复槽134a可具有如图10所示的‘U’形。
图11是用于示出第一连接部分和第二连接部分的形成的平面图。图12是沿图11的线IV-IV′取得的横截面视图。
参照图11和12，短接故障10布置在第一区域AR1和沿数据线DL的纵向方向与第一区域AR1间隔开的第二区域AR2之间。第一连接孔132a和第二连接孔132b分别形成在第一和第二区域AR1和AR2中。激光束照射到第一和第二区域AR1和AR2上从而形成第一和第二连接孔132a和132b。数据线DL的部分通过第一和第二连接孔132a和132b暴露。该激光束可与用于形成修复槽134a的激光束基本相同。激光束照射到通过修复槽134a暴露的第一和第二区域AR1和AR2中的第一子保护层132上，从而形成第一和第二连接孔132a和132b。
当保护层130具有单层结构时，激光束可照射到保护层130上从而形成修复槽134a使得保护层130的下部分设置在数据线DL和修复槽134a之间。然后，激光束可照射到设置在修复槽134a下面的第一和第二区域AR1和AR2中的保护层130的下部分上，从而形成第一和第二连接孔132a和132b。
第一连接部分SR1和第二连接部分SR2形成在第一和第二连接孔132a和132b中。第一和第二连接部分SR1和SR2分别接触数据线DL的暴露部分。可用于第一和第二连接部分SR1和SR2的材料的例子包括导电材料诸如钨(W)、钼(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、和/或铁(Fe)。
第一和第二连接部分SR1和SR2可通过激光化学气相沉积(CVD)方法形成。激光CVD方法部分地照射激光束到目标上从而在激光束照射处沉积气化材料。该激光束可与用于形成修复槽134a的激光束基本相同。
图13是用于示出修复槽中修复线的形成和第一断开槽及第二断开槽的形成从而断开数据线的平面图。
参照图13，修复线RL1形成在修复槽134a中。修复线RL1可通过激光CVD方法形成。激光束照射到修复槽134a上从而在修复槽134a中沉积修复线RL1。该激光束可与用于形成修复槽134a的激光束基本相同。用于修复线RL1的材料可与可用于第一和第二连接部分SR1和SR2的材料基本相同。
形成第一断开槽CH1和第二断开槽CH2来断开数据线DL。激光束沿基本垂直于数据线DL的纵向方向的第一方向D1照射到数据线DL上从而形成第一和第二断开槽CH1和CH2。该激光束可以是脉冲激光束。例如，脉冲激光束的波长可以为大约1063nm、大约532nm、或大约355nm。
第一断开槽CH1形成在短接故障10和第一连接孔132a之间，第二断开槽CH2形成在短接故障10和第二连接孔132b之间。第一和第二断开槽CH1和CH2不与修复槽134a交迭。数据线DL被分成交叉数据线DLa、第一非交叉数据线DLb和第二非交叉数据线DLc。
修复线RL1形成在修复槽134a中，并电连接通过第一和第二断开槽CH1和CH2彼此电绝缘的第一和第二非交叉数据线DLb和DLc。结果，修复线RL1可修复短接故障10。
第一和第二断开槽CH1和CH2形成之后，显示基板100可通过清洗工艺清洗。而且，配向膜可形成在显示基板100上。
修复线RL1不形成在保护层130上，而是在修复槽134a中。这样，可以防止修复线RL1在显示基板100的清洗工艺中被损坏。
修复线RL1形成之后形成第一和第二断开槽CH1和CH2。供选地，第一和第二断开槽CH1和CH2可在形成修复线RL1之前形成。
修复线RL1弥补数据线DL的短接故障10。然而，修复线RL1可不同地定位(例如，连接栅极线GL的部分)并用于修复栅极线GL的短接故障。
图14和15是平面图，示出了修复根据本发明示例性实施例的显示基板的方法。该显示基板与图5和6所示的显示基板基本相同。
显示基板100包括电连接故障10。例如，显示基板100可以是用于LCD设备的阵列基板。显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130和像素电极PE。短接故障10产生在栅极线GL与数据线DL交叉处。
图14是用于示出第一断开槽和第二断开槽的形成及绝缘材料在第一和第二断开槽中的沉积的平面图。
参照图14，形成第一和第二断开槽CH1和CH2来断开数据线DL。激光束沿基本垂直于数据线DL的纵向方向的第一方向D1照射到数据线DL上从而断开数据线DL。该激光束可以是脉冲激光束。
第一和第二断开槽CH1和CH2分别形成在沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开的第一区域和第二区域中。短接故障10布置在第一和第二区域之间。结果，数据线DL被分成交叉数据线DLa、第一非交叉数据线DLb和第二非交叉数据线DLc。
绝缘材料140设置在第一和第二断开槽CH1和CH2中。绝缘材料140可通过激光CVD方法沉积。绝缘材料140的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。
图15是平面图，用于示出保护层处修复槽的形成和修复线的形成。
参照图15，修复槽134b形成在显示基板100的保护层130处。激光束照射到保护层130上来去除保护层130的部分从而形成修复槽134b。激光束的例子可包括连续波(continuous wave：CW)激光束。激光束的波长可以为约340至约360nm。
修复槽134b可具有预定形状，连接沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域。短接故障10布置在第一和第二区域之间。例如，修复槽134b可具有直线形状，且修复槽134b的纵向方向可与数据线DL的纵向方向基本相同。修复槽134b交迭第一和第二断开槽CH1和CH2。
第一连接孔132a和第二连接孔132b分别形成在第一和第二区域中。激光束照射到第一和第二区域上从而形成第一和第二连接孔132a和132b。数据线DL的部分通过第一和第二连接孔132a和132b暴露。该激光束可与用于形成修复槽134b的激光束基本相同。
第一断开孔CH1设置在第一连接孔132a与短接故障10之间。第二断开孔CH2设置在第二连接孔132b和短接故障10之间。
第一连接部分和第二连接部分分别形成在第一和第二连接孔132a和132b中从而接触数据线DL的暴露部分。修复线RL2形成在修复槽134b中。第一和第二连接部分及修复线RL2可通过激光CVD方法形成。第一和第二连接部分及修复线RL2可包括例如导电材料诸如钨(W)、钼(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、和/或铁(Fe)。
绝缘材料140设置在第一和第二断开槽CH1和CH2中。结果，可防止修复线RL2通过第一和第二断开槽CH1和CH2电连接到数据线DL。
修复线RL2弥补数据线DL的短接故障10。供选地，修复线RL2可不同地定位(例如，沿栅极线GL的长度)并用于修复栅极线GL的短接故障。
下面参照图7说明根据本发明的示例性实施例的显示基板的修复方法。参照图7，显示基板100包括电连接故障20。显示基板100可以是用于LCD设备的阵列基板。显示基板100包括透明基板110、栅极线GL、栅极绝缘层120、数据线DL、薄膜晶体管TFT、保护层130和像素电极PE。数据线DL具有短接故障20。
修复槽134c形成在保护层130处。具体地，激光束照射到保护层130上来去除保护层130的部分从而形成修复槽134c。修复槽134c具有预定形状，连接沿数据线DL的纵向方向彼此间隔开预定长度的第一区域和第二区域。短接故障20布置在第一和第二区域之间。例如，修复槽134c可具有直线形状，且修复槽134c的纵向方向与数据线DL的纵向方向基本相同。
第一连接孔132a和第二连接孔132b分别形成在第一和第二区域中。激光束照射到第一和第二区域上从而形成第一和第二连接孔132a和132b。数据线DL的部分通过第一和第二连接孔132a和132b暴露。
第一连接部分和第二连接部分分别形成在第一和第二连接孔132a和132b中从而接触数据线DL的暴露部分。修复线RL3形成在修复槽134c中。第一和第二连接部分及修复线RL3可通过激光CVD方法形成。可用于第一和第二连接部分及修复线RL3的材料的例子可包括导电材料，诸如钨(W)、钼(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、和/或铁(Fe)。
用于形成修复槽134c及第一和第二连接孔132a和132b的激光束可与用于形成修复线RL3的激光束基本相同。激光束的例子可包括CW激光束。激光束的波长可以为大约340至大约360nm。
当修复槽134c及第一和第二连接孔132a和132b利用激光束形成时，可防止被沉积的材料在气态流进腔中。
参照图8，修复线RL4可用来修复栅极线GL的短接故障30。
修复线不形成在保护层130上而是在通过去除保护层的部分形成的修复槽中。这样，可防止修复线在显示基板的清洗期间被损坏，并且可以改善显示基板的显示质量。
尽管参照附图描述了本发明的说明性实施例，应当理解本发明不应局限于这些精确实施例，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下本领域技术人员可在其中完成各种修改和变型。所有这些修改和变型意图包括在权利要求所定义的本发明的范围内。

Claims (27)

1.一种显示基板，包括：
信号线；
保护层，覆盖所述信号线，其中所述保护层包括形成在其中的修复槽；及
修复线，形成在所述修复槽中并电连接至所述信号线从而修复所述信号线的电连接故障。
2.如权利要求1的显示基板，其中所述修复槽连接所述信号线的沿所述信号线的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域，并且所述电连接故障位于所述第一和第二区域之间。
3.如权利要求2的显示基板，其中所述保护层包括第一子保护层和形成在所述第一子保护层上的第二子保护层，并且所述修复槽形成在所述第二子保护层处。
4.如权利要求3的显示基板，其中第一连接孔和第二连接孔形成在所述第一子保护层处从而电连接所述修复线至所述信号线。
5.如权利要求4的显示基板，其中所述第一子保护层是钝化层，且所述第二子保护层是有机绝缘层或滤色器。
6.如权利要求4的显示基板，其中所述电连接故障包括短接故障，所述修复槽具有直线形状，且所述修复槽的纵向方向与所述信号线的纵向方向基本相同。
7.如权利要求4的显示基板，其中所述信号线包括栅极线或数据线之一，
所述电连接故障包括所述栅极线和所述数据线交叉处产生的短接故障，及
所述信号线具有设置在所述第一连接孔和所述电连接故障之间的第一断开槽、及设置在所述第二连接孔和所述电连接故障之间的第二断开槽从而断开所述信号线。
8.如权利要求7的显示基板，其中所述第一和第二断开槽在所述修复线形成之后形成，且所述第一和第二断开槽与所述修复槽间隔开。
9.如权利要求8的显示基板，其中所述修复槽具有基本‘U’形。
10.如权利要求7的显示基板，还包括设置在所述第一和第二断开槽的每个中的绝缘材料。
11.如权利要求10的显示基板，其中所述修复槽具有直线形状，且所述修复槽的纵向方向与所述信号线的纵向方向基本相同。
12.如权利要求11的显示基板，还包括：
薄膜晶体管，通过所述保护层覆盖并电连接到所述信号线；及
像素电极，形成在所述保护层上并电连接到所述薄膜晶体管。
13.一种修复显示基板的方法，该方法包括：
去除覆盖信号线的保护层的部分从而形成修复槽；及
在所述修复槽中形成修复线从而修复电连接故障，所述修复线电连接到所述信号线。
14.如权利要求13的方法，其中所述修复槽连接所述信号线的沿所述信号线的纵向方向彼此间隔开预定距离的第一区域和第二区域，并且所述电连接故障位于所述第一和第二区域之间。
15.如权利要求14的方法，其中形成所述修复线包括：
去除所述保护层的对应于所述第一和第二区域的部分从而形成第一连接孔和第二连接孔，通过所述第一连接孔和第二连接孔暴露所述信号线的一部分；及
在所述修复槽中形成所述修复线，所述修复线通过所述第一和第二连接孔电连接到所述信号线。
16.如权利要求15的方法，其中所述保护层包括第一子保护层和形成在所述第一子保护层上的第二子保护层，并且所述修复槽形成在所述第二子保护层处，且所述第一和第二连接孔形成在所述第一子保护层处。
17.如权利要求16的方法，其中所述第一子保护层是钝化层，且所述第二子保护层是有机绝缘层或滤色器。
18.如权利要求14的方法，其中所述修复线通过激光化学气相沉积(CVD)方法形成。
19.如权利要求18的方法，其中所述修复槽利用与用于所述激光CVD方法的激光束基本相同的激光束形成。
20.如权利要求19的方法，其中所述激光束是连续波激光束。
21.如权利要求20的方法，其中所述激光束的波长为大约340nm至大约360nm。
22.如权利要求14的方法，其中所述电连接故障包括短接故障，所述修复槽具有直线形状，且所述修复槽的纵向方向与所述信号线的纵向方向基本相同。
23.如权利要求14的方法，还包括在所述信号线中形成第一断开槽和第二断开槽从而断开所述信号线，其中所述信号线包括栅极线或数据线之一，所述电连接故障包括所述栅极线和所述数据线交叉处产生的短接故障且设置在所述第一和第二断开槽之间。
24.如权利要求23的方法，其中所述第一和第二断开槽利用脉冲激光束形成。
25.如权利要求23的方法，其中所述第一和第二断开槽在所述修复线形成之后形成，且所述第一和第二断开槽与所述修复槽间隔开。
26.如权利要求23的方法，还包括在所述第一和第二断开槽中设置绝缘材料，其中所述第一和第二断开槽在形成所述修复线之前形成。
27.如权利要求26的方法，其中所述修复槽具有直线形状，且所述修复槽的纵向方向与所述信号线的纵向方向基本相同。
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