CN102998869B - 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升薄膜晶体管阵列基板的稳定性。该薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。此外，随着显示设备的普及，用户对高色彩质量、高对比度、高可视角度、高响应速度且低功耗的需求越来越普遍，OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入用户的视野，用户对显示器的质量要求也越来越高。而在目前的显示器中，薄膜晶体管阵列基板的稳定性是影响显示器的质量的因素之一。

现有的薄膜晶体管阵列基板，通常采用在源极与数据线之间建立一条连接线的方式实现数据线与薄膜晶体管之间的连接，但是当该连接线DO(DataOpen，数据线断开)时，薄膜晶体管与数据线之间的连接则断开，进而发生故障，造成薄膜晶体管阵列基板稳定性差，良品率低，且修复十分困难。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，设置于所述基板上的栅线和公共电极线，设置于所述栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于所述栅绝缘层上的有源层，设置于所述有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，所述源极与所述有源层相接触，所述漏极与所述有源层相接触，所述漏极与所述像素电极层相接触并电连接，

所述源极包含至少一个第一修复线，所述数据线包含至少一个第二修复线，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当所述源极与所述数据线断开时，所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

所述第一修复线与所述冗余区之间形成有过孔，所述第二修复线与所述冗余区之间形成有过孔。

所述数据线还包括第三修复线，所述第三修复线位于所述公共电极线的上方，以使当所述数据线与所述公共电极线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第三修复线传输信号。

所述数据线还包括第四修复线，所述第四修复线位于所述栅线的上方，以使当所述数据线与所述栅线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第四修复线传输信号。

本发明实施例提供一种显示装置，包括具有上述任意特征的薄膜晶体管阵列基板。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该方法包括：

在基板上形成栅线和公共电极线；

在所述栅线和公共电极线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成包含至少一个第一修复线的源极、漏极、包含至少一个第二修复线的数据线和像素电极层；

其中，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当所述源极与所述数据线断开时，所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

在所述第一修复线与所述冗余区之间形成过孔，在所述第二修复线与所述冗余区之间形成过孔。

所述数据线还包括第三修复线，所述第三修复线位于所述公共电极线的上方，以使当所述数据线与所述公共电极线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第三修复线传输信号。

所述数据线还包括第四修复线，所述第四修复线位于所述栅线的上方，以使当所述数据线与所述栅线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第四修复线传输信号。

本发明实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置，薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。通过该方案，由于在阵列基板上形成了第一修复线、冗余区以及第二修复线，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图一；

图2为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图一；

图3为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图二；

图4为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图二；

图5为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图三；

图6为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构俯视图四；

图7为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图三；

图8为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图四；

图9为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图五；

图10为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图六；

图11为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板结构截面图七；

图12为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板，设置于所述基板上的栅线和公共电极线，设置于所述栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于所述栅绝缘层上的有源层，设置于所述有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，所述源极与所述有源层相接触，所述漏极与所述有源层相接触，所述漏极与所述像素电极层相接触并电连接，所述源极包含至少一个第一修复线，所述数据线包含至少一个第二修复线，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当所述源极与所述数据线断开时，所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

如图1所示，一种薄膜晶体管阵列基板1，包括：

基板10，设置于基板10上的栅线11和公共电极线12，设置于栅线11和公共电极线12上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极15、漏极16、像素电极层17和数据线18，其中，源极15与有源层相接触，漏极16与有源层相接触，漏极16通过过孔101与像素电极层17电连接。

源极15包含至少一个第一修复线150，数据线18包含至少一个第二修复线180，栅线11、公共电极线12、像素电极层17中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区100，以使当源极15与数据线18断开时，源极15通过第一修复线150、冗余区100以及第二修复线180与数据线18连通。

由于图1为薄膜晶体管阵列基板1的俯视图，故图1中未画出设置于栅线11和公共电极线12上的栅绝缘层和设置于栅绝缘层上的有源层。示例性的，源极15可以包含一个第一修复线150，数据线18可以包含一个第二修复线180，冗余区100可以位于像素电极层17。

在形成源极15时，可以将源极15的金属线延长到栅线11以外，那么，当使用激光熔连的方式连接源极15与数据线18时，能够防止栅线11被击穿；在形成数据线18时，可以预留部分区域作为第二修复线180，那么，当使用激光熔连的方式连接源极15与数据线18时，能够防止对数据线18电阻的影响；在形成像素电极层17时，可以在第一修复线150和第二修复线180的上方形成一个与像素电极层17相同膜层的冗余区100，其中，冗余区100和第一修复线150、第二修复线180在空间上交叠。

若不采用激光熔连的方式连接第一修复线150、第二修复线180以及冗余区100，可以在制作薄膜晶体管阵列基板1时，在第一修复线150与冗余区100之间形成过孔101，第二修复线180与冗余区100之间形成有过孔101，从而使数据线和冗余区实现双线并联。如图2所示，当图中的数据线与薄膜晶体管之间的连接发生DO时，即使不采取修复手段，数据线18中通过的电流也能够通过该第二修复线180、冗余区100，第一修复线150传输到源极15实现电路的导通，保证了薄膜晶体管与数据线之间电流导通，在设计上提高了整个基板在该位置上对于DO问题的抗风险能力；若在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中未形成过孔连接，当数据线18和源极15之间的连接线出现DO时，可以采用激光打孔熔接的方式使第一修复线150与冗余区100连接，冗余区100与第二修复线180连接，进而与源极15和数据线18相连。经修复后，电流可以通过第二修复线180、冗余区100、第一修复线150，从数据线18传输到源极15，实现TFT和数据线18的导通，恢复TFT器件的功能，完成修复。

具体的，如图2所示，为图1所描述的薄膜晶体管阵列基板1的a-a处的截面图，其中，在制作薄膜晶体管阵列基板1时，第一修复线150与冗余区100之间形成过孔101，第二修复线180与冗余区100之间形成有过孔101，从而使数据线和冗余区实现双线并联。由于第一修复线150、第二修复线180与冗余区100相连且第一修复线150、第二修复线180与冗余区100均导电，电流可以通过第二修复线180、冗余区100、第一修复线150从数据线18传输到源极15，以实现TFT器件和数据线的导通，由于该连接线的存在，当图1中数据线与薄膜晶体管之间的连接发生DO时，即使不采取修复手段，数据线18中通过的电流也能够通过该第二修复线180、冗余区100，第一修复线150传输到源极15实现电路的导通，保证了薄膜晶体管与数据线之间电流导通，在设计上提高了整个基板在该位置上对于DO问题的抗风险能力。

同样的，如图3所示，为图1所描述的薄膜晶体管阵列基板1的a-a处的截面图，其中包括：栅绝缘层13，设置于栅绝缘层13上的有源层14、第一修复线150、第二修复线180，设置于第一修复线150和第二修复线180上的保护层19，以及设置于保护层19上的冗余区100。当数据线和源极出现DO时，在第二修复线180的上方与第一修复线150的上方通过激光打孔熔接的方式连接第一修复线150、第二修复线180以及冗余区100，经修复后，电流可以通过第一修复线150、冗余区100、第二修复线180从数据线传输到源极，实现TFT和数据线的导通，恢复TFT器件的功能，完成修复。

进一步地，如图4所示，数据线18还包括第三修复线181，第三修复线181位于公共电极线12的上方，由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第三修复线181，实现了数据线和冗余区的双线并联。位于数据线18上的第三修复线181能够降低公共电极线12与数据线18交叠位置发生DO的风险。该交叠位置由于存在高度差，在成膜过程中容易出现膜质不良，从而在刻蚀过程中易发生DO。若数据线18发生DO，由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第三修复线181，实现了双线并联，即使不采取修复手段，数据线18中通过的电流也能够通过第三修复线181实现电路的导通。

由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第三修复线181，实现了数据线和冗余区的双线并联。同样的，当数据线18与公共电极线12的交叠区发生静电击穿时，激光修复只需隔离开数据线或公共电极线上的静电击穿点，数据线18就能通过第三修复线181传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要说明的是，若在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中未形成过孔连接，当公共电极线12与数据线18交叠位置发生DO时，可以采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第三修复线181连接，此时数据线18和第三修复线181就能实现导通。故而当数据线18与公共电极线12的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需先隔离开数据线18或公共电极线12上的静电击穿点，并采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第三修复线181连接，数据线18就能通过第三修复线181传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

进一步地，如图5所示，数据线18还包括第四修复线182，第四修复线182位于栅线11的上方，由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第四修复线182，实现了数据线和冗余区的双线并联。位于数据线18上的第四修复线182能够降低栅线11与数据线18交叠位置发生DO的风险。该交叠位置由于存在高度差，在成膜过程中容易出现膜质不良，从而在刻蚀过程中发生DO。若数据线18在上述位置发生DO，由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第四修复线182，实现了双线并联，即使不采取修复手段，数据线18中通过的电流也能够通过第四修复线182实现电路的导通。

同样的，当数据线18与栅线11的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需隔离开数据线上的静电击穿点，数据线就能通过第四修复线182传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要说明的是，若在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中未形成过孔连接，当栅线11与数据线18交叠位置发生DO时，可以采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第四修复线182连接，此时数据线18和第四修复线182实现导通。当数据线18与栅线11的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需先隔离开数据线18上的静电击穿点，并采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第四修复线182连接，数据线18就能通过第四修复线182传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要补充的是，如图6所示，数据线18可以同时包括第三修复线181和第四修复线182，第三修复线181位于公共电极线12的上方，第四修复线182位于栅线11的上方。若第三修复线与第四修复同时存在，可以通过形成过孔实现双线并联，也可以在后期像素结构形成后，当发现数据线发生断线或者静电击穿问题时，采用激光熔连修复的方法解决。具体实施方式上述实施例已进行了详细的描述，此处不再赘述。

如图7所示，为图6所描述的薄膜晶体管阵列基板1的b-b处的截面图，其中包括：设置于栅线11和公共电极线12上的栅绝缘层13，设置于栅绝缘层13上的有源层14、数据线18，设置于数据线18上的保护层19以及设置于保护层19上的第三修复线和第四修复线及过孔101。若数据线18发生DO，由于在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中已形成过孔连接了数据线18与第三修复线181和第四修复线182，实现了双线并联连接，即使不采取修复手段，数据线18中通过的电流也能够通过第三修复线181和第四修复线182实现电路的导通。

同样的，当数据线18与栅线11或者数据线18与公共电极线12的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需隔离开数据线18上的静电击穿点等，数据线18就能通过第三修复线181与第四修复线182传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要补充的是，若在制作薄膜晶体管阵列基板1的工艺过程中未形成过孔连接了数据线18与第三修复线181和第四修复线182，当栅线11与数据线18交叠位置发生DO或者静电击穿时，可以采用激光打孔熔接的方式使数据线18能通过第三修复线181与第四修复线182传输信号，即可修复DO或者静电击穿的故障，具体实施方式上述实施例已进行了详细的描述，此处不再赘述。

需要补充的是，本发明实施例中提到的第三修复线与第四修复线均优选为像素电极膜层，由于像素电极与数据线一般不在同一膜层，DO或者静电击穿都不可能在并联的两条通路同时发生，故采用本结构可以更好的实现对于DO与静电击穿问题的修复与预防。

需要补充的是，本发明实施例可以适应性地调整漏极与像素电极层之间连接所用的过孔的位置，可以将过孔设置于远离第一修复线、冗余区、第二修复线的区域，以便降低电路金属密度。

进一步地，冗余区100还可以和栅线11位于同一层，在基板上形成栅线11的同时预留出冗余区100，同样能够实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

进一步地，冗余区100还可以和公共电极线12位于同一层，在基板上形成公共电极线12的同时预留出冗余区100，同样能够实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

由于栅线11和公共电极线12位于同一层，下面将两种情况合并进行描述。

如图8所示，为冗余区100和栅线11位于同一层的情况下，图1所描述的薄膜晶体管阵列基板1的a-a处的截面图，在制作薄膜晶体管阵列基板1时，在第一修复线150与冗余区100之间形成过孔101，第二修复线180与冗余区100之间形成有过孔101，由于第一修复线150、第二修复线180与冗余区100相连且第一修复线150、第二修复线180与冗余区100均导电，电流可以通过冗余区100从数据线18传输到源极15，以实现TFT器件和数据线的导通，当数据线和源极的连接线出现DO时，即使不采取修复手段，也能实现薄膜晶体管与数据线之间连接线断线的修复。

需要补充的是，由于冗余区100是在形成栅线的时候就形成的，所以若在数据线形成后检测到连接线出现DO问题，即可立即采用激光打孔熔接技术实现修复，不需要等到薄膜晶体管基板完全形成才修复。

需要补充的是，如图9所示，若不采用过孔的方式连接第一修复线150、第二修复线180以及冗余区100，此时冗余区100和第一修复线150、第二修复线180均不接触。其中包括：冗余区100，设置于冗余区100上的栅绝缘层13，设置于栅绝缘层13上的有源层14，源极15所包含的第一修复线150和数据线18所包含的第二修复线180。当数据线和源极的连接线出现DO时，在第二修复线180的上方与第一修复线150的上方通过激光打孔熔接的方式连接第一修复线150、第二修复线180以及冗余区100，经修复后，电流可以通过第一修复线150、冗余区100、第二修复线180从数据线传输到源极，实现TFT和数据线的导通，恢复TFT器件的功能，完成修复。

示例性的，若不仅仅是用一层冗余区进行薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，如图10所示，在第一修复线150与冗余区100之间形成过孔101，第二修复线180与冗余区100之间形成有过孔101，由于第一修复线150、第二修复线180与冗余区100相连且第一修复线150、第二修复线180与冗余区100均导电，电流可以通过冗余区100从数据线18传输到源极15，以实现TFT器件和数据线的导通。而且像素电极层17形成的冗余区位于保护层19之上，若通过过孔实现双线并联后仍然发生DO，我们还能够通过激光打孔熔接的方式熔接由像素电极层17形成的冗余区实现修复，从而增加了薄膜晶体管的可靠性。

图11采用了两次过孔，实现了像素电极层与栅线多层冗余并联的方式，由此提高了器件的性能。如图11所示，在第一修复线150与冗余区100之间形成过孔101，第二修复线180与冗余区100之间形成有过孔101，电流可以通过冗余区100从数据线18传输到源极15，以实现TFT器件和数据线的导通。同时在像素电极层17和第一修复线150、第二修复线180之间形成过孔，若薄膜晶体管与数据线之间连接线发生DO，即使不采取修复手段，也能实现电路的导通，增加了薄膜晶体管的可靠性。

需要补充的是，本发明实施例不仅仅只限于使用一种冗余区进行薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，该冗余区只要为除数据线膜层以外的导电膜层、过孔采用的导通材料只要为在冗余区膜层形成之后沉积的导电膜层即可，上述位于不同膜层的冗余区，可以根据不同的需求选择任意一种或两种以上组合预留冗余区，即冗余区可以在多个膜层上任意组合使用，从而修复薄膜晶体管与数据线之间的连接。同时，本发明实施例也不仅限于是用一种修复手段，既可以在制作薄膜晶体管阵列基板的工艺过程中形成过孔，保证电路的连通，也可以在发生DO后，使用激光打孔熔接的方式恢复电路的连通，本发明不做限制。

进一步地，该薄膜晶体管阵列基板的制作方法还可用于TN(TwistedNematic，扭曲向列技术)模式及ADS(ADvancedSuperDimensionSwitch，高级超维场转换技术)模式的产品。但对于ADS模式，由于器件本身的设置，存在两层ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)膜层，其中像素电极所在的膜层为第二ITO层，因此，对于ADS模式的像素结构，还可以在其第一ITO电极层上再做一个冗余区，即可实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的断线修复，提升产品的良率，其制作方法与实现方式与上述实施例基本相同，此处不再赘述。

本发明实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板，包括基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。通过该方案，由于在阵列基板上形成了第一修复线、冗余区以及第二修复线，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管显示器装置，包括具有上述任意特征的薄膜晶体管阵列基板。

该薄膜晶体管阵列基板通过基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。

使用该种薄膜晶体管阵列基板的显示器装置能够实现对薄膜晶体管与数据线之间连接线断线的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，从而提升了薄膜晶体管显示器装置的稳定性。

本发明实施例所提供的显示装置，薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。通过该方案，由于在阵列基板上形成了第一修复线、冗余区以及第二修复线，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该方法包括：

在基板上形成栅线和公共电极线；

在所述栅线和公共电极线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成包含至少一个第一修复线的源极、漏极、包含至少一个第二修复线的数据线和像素电极层；

其中，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当所述源极与所述数据线断开时，所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

与上述实施例中的薄膜晶体管阵列基板相对应，如图12所示，薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：

S101、在基板上形成栅线和公共电极线。

S102、在栅线和公共电极线上形成栅绝缘层。

S103、在栅绝缘层上形成有源层。

S104、在有源层上形成包含至少一个第一修复线的源极、漏极、包含至少一个第二修复线的数据线和像素电极层。

其中，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。

在形成源极时，形成一处冗余区作为第一修复线，那么，当使用技术激光打孔熔接连接源极与数据线时，能够防止源极下方的栅线被击穿；在形成数据线时，可以预留部分区域作为第二修复线，那么，当使用技术激光打孔熔接连接源极与数据线时，能够防止对数据线电阻的影响；在形成像素电极层时，可以形成一个与像素电极层相应的冗余区。

栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通，为方便使用现有技术激光修复源极与数据线之间的断线，冗余区和第一修复线、第二修复线存在空间上的交叠。

当数据线和源极的连接线出现DO时，在图1叉号所指示的第一修复线和第二修复线处采用激光打孔熔接的方式使与第一修复线和第二修复线存在空间上交叠的冗余区与第一修复线和第二修复线相连，进而与源极、数据线相连。经修复后，电流可以通过冗余区从数据线传输到源极，实现和数据线的导通，恢复TFT器件的功能，完成修复。

S105、在第一修复线与冗余区之间形成过孔，在第二修复线与冗余区之间形成过孔。

冗余区和第一修复线、第二修复线存在空间上的交叠，当数据线和源极的连接线出现DO时，能够采用激光打孔熔接的方式使冗余区与源极所包含的第一修复线、数据线所包含的第二修复线相连。若不采用激光打孔熔接的方式使冗余区与源极、数据线相连，也可以在制作薄膜晶体管阵列基板时，在第一修复线与冗余区之间形成过孔，第二修复线与冗余区之间形成有过孔，以实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复。

由于第一修复线、第二修复线与冗余区之间形成了过孔，第一修复线、第二修复线与冗余区相连且第一修复线、第二修复线与冗余区均导电，电流可以通过冗余区从数据线传输到源极，数据线与冗余区实现双线并联，若源极与数据线之间连接线发生DO，即使不采取修复手段也能保证TFT器件和数据线的导通。

S106、数据线还包括第三修复线，第三修复线位于公共电极线的上方，以使当数据线与公共电极线之间发生静电击穿或数据线断开时，数据线通过第三修复线传输信号。

数据线还包括第三修复线，第三修复线位于公共电极线的上方，在制作薄膜晶体管阵列基板时，在第三修复线与数据线之间形成过孔，数据线与第三修复线之间实现双线并联，故当数据线与公共电极线的交叠区发生DO或静电击穿时，能够通过修复手段修复故障，通过第三修复线传输信号。

S107、数据线还包括第四修复线，第四修复线位于栅线的上方，以使当数据线与栅线之间发生静电击穿或数据线断开时，数据线通过第四修复线传输信号。

数据线还包括第四修复线，第四修复线位于栅线的上方，在制作薄膜晶体管阵列基板时，在第四修复线与数据线之间形成过孔，数据线与第四修复线之间实现双线并联，故当数据线与栅线的交叠区发生DO或静电击穿时，能够通过修复手段修复故障，通过第四修复线传输信号。

结合步骤S106和S107，对数据线所包含的第三修复线和第四修复线进行说明。

数据线包括第三修复线，第三修复线位于公共电极线的上方，位于数据线上的第三修复线能够降低公共电极线与数据线交叠位置发生DO的风险。若数据线发生DO，由于在制作薄膜晶体管阵列基板的制作薄膜晶体管阵列基板的工艺过程中已形成过孔连接，数据线与第三修复线之间实现双线并联。即使不采取修复手段，数据线中通过的电流也能够通过第三修复线实现电路的导通，另一方面，若第三修复线发生DO，也可以通过数据线实现信号电流的传输，从而达到降低DO发生风险的目的。当数据线18与公共电极线11的交叠区发生静电击穿时，激光修复只需隔离开数据线或公共电极线上的静电击穿点，数据线18就能通过第三修复线181传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要说明的是，若在制作薄膜晶体管阵列基板的工艺过程中未形成过孔连接，当公共电极线与数据线交叠位置发生DO时，可以采用激光打孔熔接的方式使数据线与第三修复线连接，而当数据线与公共电极线的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需先隔离开数据线18或公共电极线12上的静电击穿点，并采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第三修复线181连接，数据线就能通过第三修复线传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。第三修复线的存在可以简化维修工序并提高维修成功率，修复后数据线可通过第三修复线传输信号。

进一步地，数据线还包括第四修复线，第四修复线位于栅线的上方，位于数据线上的第四修复线能够降低栅线与数据线交叠位置发生DO的风险。由于在制作薄膜晶体管阵列基板的工艺过程中已形成过孔连接，第四修复线与数据线双线冗余，若数据线发生DO，即使不采取修复手段，数据线中通过的电流也能够通过第四修复线实现电路的导通，另一方面，若第四修复线发生DO，也可以通过数据线信号电流的传输，从而达到降低DO发生风险的目的。当数据线18与栅线12的交叠区发生静电击穿时，激光修复只需隔离开数据线上的静电击穿点，数据线18就能通过第四修复线182传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。

需要说明的是，若在制作薄膜晶体管阵列基板的工艺过程中未形成过孔连接，当栅线与数据线交叠位置发生DO时，可以采用激光打孔熔接的方式使数据线与第四修复线连接，故当数据线与栅线的交叠区发生静电击穿时，激光修复时只需先隔离开数据线18上的静电击穿点后，并采用激光打孔熔接的方式使数据线18与第四修复线182连接，数据线就能通过第四修复线传输信号，实现对于该位置静电击穿不良的修复。第四修复线的存在可以简化维修工序并提高维修成功率，修复后数据线可通过第四修复线传输信号。

需要补充的是，数据线可以同时包括第三修复线和第四修复线，第三修复线位于公共电极线的上方，第四修复线位于栅线的上方，以使当数据线与公共电极线或栅线的交叠区发生DO或者静电击穿时，在利用激光手段修复后，能够实现对故障的修复，其中，使用第三修复线与第四修复线进行修复的方法在上述实施例中已进行了详细描述，此处不再赘述。

进一步地，该薄膜晶体管阵列基板的制作方法还可用于TN(TwistedNematic，扭曲向列技术)模式及ADS(ADvancedSuperDimensionSwitch，高级超维场转换技术)模式的产品。但对于ADS模式，由于器件本身的设置，存在两层ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)膜层，其中像素电极所在的膜层为第二ITO层，因此，对于ADS模式的像素结构，还可以在其第一ITO层上做一个冗余区，即可实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的断线修复，提升产品的良率，其制作方法与实现方式与上述实施例基本相同，此处不再赘述。

本发明实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，薄膜晶体管阵列基板包括基板，设置于基板上的栅线和公共电极线，设置于栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于栅绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，源极与有源层相接触，漏极与有源层相接触，漏极与像素电极层相接触并电连接，源极包含至少一个第一修复线，数据线包含至少一个第二修复线，栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，以使当源极与数据线断开时，源极通过第一修复线、冗余区以及第二修复线与数据线连通。通过该方案，由于在阵列基板上形成了第一修复线、冗余区以及第二修复线，能够当薄膜晶体管与数据线之间断开时，实现对薄膜晶体管与数据线之间连接的修复，提高了薄膜晶体管阵列基板的良品率，提升了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

本发明实施例提供一种显示装置，具有上述实施例所描述的任意特征的薄膜晶体管阵列基板。该显示装置可以为液晶显示装置，包括相对平行设置的彩膜基板和上述实施例所提出的薄膜晶体管阵列基板，以及填充于所述彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间的液晶；该显示装置也可以为OLED显示装置，包括上述实施例所提出的薄膜晶体管阵列基板，以及蒸镀于该阵列基板之上的有机发光材料及封装盖板。

本发明实施例提供的液晶显示装置，所述液晶显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有显示功能的产品或者部件，本发明不做限制。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，设置于所述基板上的栅线和公共电极线，设置于所述栅线和公共电极线上的栅绝缘层，设置于所述栅绝缘层上的有源层，设置于所述有源层上的源极、漏极、数据线和像素电极层，其中，所述源极与所述有源层相接触，所述漏极与所述有源层相接触，所述漏极与所述像素电极层相接触并电连接，其特征在于，

所述源极包含至少一个第一修复线，所述数据线包含至少一个第二修复线，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区，在制作所述薄膜晶体管阵列基板的过程中，所述第一修复线与所述冗余区之间形成有过孔，所述第二修复线与所述冗余区之间形成有过孔，以使所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线还包括第三修复线，所述第三修复线位于所述公共电极线的上方，以使当所述数据线与所述公共电极线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第三修复线传输信号。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线还包括第四修复线，所述第四修复线位于所述栅线的上方，以使当所述数据线与所述栅线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第四修复线传输信号。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅线和公共电极线；

在所述栅线和公共电极线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成包含至少一个第一修复线的源极、漏极、包含至少一个第二修复线的数据线和像素电极层；

其中，所述栅线、公共电极线、像素电极层中任意一种或两种以上组合包含至少一个相应的冗余区；

所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法还包括：

在所述第一修复线与所述冗余区之间形成过孔，在所述第二修复线与所述冗余区之间形成过孔；以使所述源极通过所述第一修复线、冗余区以及第二修复线与所述数据线连通。

6.根据权利要求5中所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据线还包括第三修复线，所述第三修复线位于所述公共电极线的上方，以使当所述数据线与所述公共电极线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第三修复线传输信号。

7.根据权利要求6中所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据线还包括第四修复线，所述第四修复线位于所述栅线的上方，以使当所述数据线与所述栅线之间发生静电击穿或数据线断开时，所述数据线通过所述第四修复线传输信号。