CN103021940B - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该阵列基板的制造方法中，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。本发明的技术方案能够避免出现过孔连接断路或电阻过大等不良，提升阵列基板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
在TFT-LCD（薄膜晶体管-液晶显示器）阵列基板的制备工艺中，过孔形成是一项很重要的内容，需要通过过孔将不同层的金属连接在一起，或将同一层金属连接在一起，过孔工艺的优劣直接影响到阵列基板的良率以及最终显示装置的显示效果。
现有的制备工艺中，都是利用构图工艺一次形成过孔，然后再在形成有过孔的阵列基板上沉积导电层以连接不同层的金属，当过孔的深度比较大时，某些特定位置过孔处的金属连接状况会不够理想，容易出现断路或电阻过大等不良，影响阵列基板的生产良率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够避免出现过孔连接断路或电阻过大等不良，提升阵列基板的生产良率。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种阵列基板的制造方法，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。
进一步地，所述过孔包括栅金属层过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成栅金属层的图形时，利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
进一步地，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。
进一步地，所述过孔包括公共电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成公共电极的图形时，利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
进一步地，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应公共电极过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述公共电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述公共电极过孔与所述凸起连接。
进一步地，所述过孔包括像素电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成数据金属层的图形时，利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起。
进一步地，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上形成栅电极和栅线；
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层的图形；
在形成有所述有源层的图形的基板上形成由数据金属层组成的源电极、漏电极和数据线的图形，并利用所述数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上形成钝化层；
在所述钝化层上形成由透明导电层组成的像素电极，所述像素电极通过所述像素过孔与所述凸起连接。
本发明实施例还提供了一种以上述方法制造的阵列基板，所述阵列基板的金属层图形包括形成在对应过孔位置的凸起。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在对应过孔位置制备相应的凸起，这样在通过过孔连接不同层或者同一层的金属层时，可以利用该凸起完成导电连接，该凸起能够优化过孔处的金属连接状况，可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现，使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
附图说明
图1为本发明实施例一在基板上沉积栅金属层和光刻胶之后的结构示意图；
图2为本发明实施例一进行第一次曝光显影和刻蚀之后的结构示意图；
图3为本发明实施例一进行光刻胶灰化之后的结构示意图；
图4为本发明实施例一进行第二次刻蚀之后的结构示意图；
图5为本发明实施例一沉积栅绝缘层之后的结构示意图；
图6为本发明实施例一沉积有源层之后的结构示意图；
图7为本发明实施例一沉积数据金属层之后的结构示意图；
图8为本发明实施例一沉积钝化层之后的结构示意图；
图9为本发明实施例一形成过孔后的结构示意图；
图10为本发明实施例一沉积透明导电层之后的结构示意图。
附图标记
1 基板 2 栅金属层
3 栅绝缘层 4 有源层
5 数据金属层 6 钝化层
7 透明导电层 8 光刻胶
9 凸起 10 过孔
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例针对现有技术中当过孔的深度比较大时，某些特定位置过孔处的金属连接状况会不够理想，容易出现断路或电阻过大等不良，影响阵列基板的生产良率的问题，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够避免出现过孔连接断路或电阻过大等不良，提升阵列基板的生产良率。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。
进一步地，所述过孔包括栅金属层过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成栅金属层的图形时，利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
进一步地，上述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。
进一步地，所述过孔包括公共电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成公共电极的图形时，利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
进一步地，上述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应公共电极过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述公共电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述公共电极过孔与所述凸起连接。
进一步地，所述过孔包括像素电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成数据金属层的图形时，利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起。
进一步地，上述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上形成栅电极和栅线；
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层的图形；
在形成有所述有源层的图形的基板上形成由数据金属层组成的源电极、漏电极和数据线的图形，并利用所述数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上形成钝化层；
在所述钝化层上形成由透明导电层组成的像素电极，所述像素电极通过所述像素过孔与所述凸起连接。
本发明实施例还提供了一种以上述方法制造的阵列基板，所述阵列基板的金属层图形包括形成在对应过孔位置的凸起。
本发明的阵列基板及其制造方法，在对应过孔位置制备相应的凸起，这样在通过过孔连接不同层或者同一层的金属层时，可以利用该凸起完成导电连接，该凸起能够优化过孔处的金属连接状况，可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现，使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
下面结合具体的实施例对本发明的阵列基板及其制造方法进行详细介绍：
实施例一
阵列基板的边角区域往往容易积累静电，因此在阵列基板的边角区域需要设置ESD（Electro-Static discharge）结构，以释放积累的静电。在ESD结构中，需要利用透明导电层通过栅金属层过孔将栅金属层和数据金属层连接起来，在阵列基板中，栅金属层和透明导电层间隔有栅绝缘层和钝化层，因此，栅金属层过孔的深度比较大，如果采用现有的阵列基板制备工艺，栅金属层过孔处的金属连接状况可能会不够理想，容易出现断路或电阻过大等不良。为了解决上述问题，本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在形成栅金属层的图形时，利用构图工艺在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
进一步地，如图1~图10所示，本实施例的阵列基板的制造方法包括以下步骤：
步骤a：提供一基板1，如图1所示，在基板1上依次沉积栅金属层2和光刻胶8；
步骤b：如图2所示，在曝光之后，经过第一次刻蚀形成栅金属层2的图形，具体地，该步骤的刻蚀方式为湿刻；
步骤c：如图3所示，对光刻胶8进行灰化；
步骤d：如图4所示，经过第二次刻蚀利用栅金属层2在对应栅金属层过孔的位置形成凸起9，具体地，该步骤的刻蚀方式为湿刻；
步骤e：如图5所示，在经过步骤d的基板1上沉积栅绝缘层3；
步骤f：如图6所示，在经过步骤e的基板1上沉积有源层4；
步骤g：如图7所示，在经过步骤f的基板1上沉积数据金属层5；
步骤h：如图8所示，在经过步骤g的基板1上沉积钝化层6；
步骤i：如图9所示，在经过步骤h的基板1经过刻蚀形成栅金属层过孔10，由图8可以看出，栅金属层过孔10形成在与凸起9对应的位置。具体地，该步骤的刻蚀方式为干刻；
步骤j：如图10所示，在经过步骤i的基板1上沉积透明导电层7，通过透明导电层7可以使得栅金属层2和数据金属层5之间连接起来，形成ESD结构，其中，透明导电层7可以采用ITO或IZO。
经过上述步骤a～j之后形成的结构如图10所示，在基板1上形成有栅金属层2的图形，栅金属层2的图形包括有对应过孔的凸起9，透明导电层7可以通过该凸起9完成栅金属层2和数据金属层5之间的连接，优化过孔处的金属连接状况。本实施例通过在栅金属层过孔位置制备出相应的凸起，在透明导电层连接时可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现，使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
实施例二
在阵列基板中，为了使公共电压信号更加稳定，往往需要形成公共电极的矩阵结构，即利用透明导电层通过公共电极过孔将不同像素的公共电极连接起来。在水平电场模式的阵列基板中，公共电极一般由栅金属层形成，栅金属层和透明导电层间隔有栅绝缘层和钝化层，因此，过孔的深度比较大，如果采用现有的阵列基板制备工艺，过孔处的金属连接状况可能会不够理想，容易出现断路或电阻过大等不良。为了解决上述问题，本实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在形成栅金属层的图形时，利用构图工艺在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
进一步地，本实施例的阵列基板的制造方法包括以下步骤：
步骤a：提供一基板，在基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
步骤b：在曝光之后，经过第一次刻蚀形成栅金属层的图形，该栅金属层的图形包括有公共电极。具体地，该步骤的刻蚀方式为湿刻；
步骤c：对光刻胶进行灰化；
步骤d：经过第二次刻蚀利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起，具体地，该步骤的刻蚀方式为湿刻；
步骤e：在经过步骤d的基板上沉积栅绝缘层；
步骤f：在经过步骤e的基板上沉积有源层；
步骤g：在经过步骤f的基板上沉积数据金属层；
步骤h：在经过步骤g的基板上沉积钝化层；
步骤i：在经过步骤的基板经过刻蚀形成公共电极过孔，公共电极过孔对应公共电极设置，形成在与凸起对应的位置。具体地，该步骤的刻蚀方式为干刻；
步骤j：在经过步骤i的基板上沉积透明导电层，通过透明导电层可以使得不同像素的公共电极连接起来，形成公共电极的矩阵结构，其中，透明导电层可以采用ITO或IZO。
本实施例通过在公共电极过孔位置制备出相应的凸起，这样在通过公共电极过孔连接不同的公共电极时，可以利用该凸起完成导电连接，优化过孔处的金属连接状况，在透明导电层连接时可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现，使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
当过孔的深度比较大时，均可以利用本发明的技术方案在对应过孔的位置利用金属层形成凸起，进一步地，当过孔的深度不是很大的时候，也可以利用本发明的技术方案来优化过孔处的金属连接状况，比如在阵列基板中，像素电极通过像素电极过孔与漏电极连接，可以利用数据金属层在形成漏电极、源电极和数据线的同时，在对应像素电极过孔的位置由数据金属层形成凸起，这样在形成像素电极时，可以利用该凸起完成像素电极与漏电极之间的连接，可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现，使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板，所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起，所述凸起在垂直于基板方向上的高度大于所述金属层的图形其它区域的高度，所述凸起用于连接所述金属层的图形和在形成所述金属层的图形之后形成的导电层图形；
其中，所述凸起为利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成；或利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成；或利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述过孔包括栅金属层过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成栅金属层的图形时，利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述过孔包括公共电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成公共电极的图形时，利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶；
经过刻蚀形成栅金属层的图形，对光刻胶进行灰化，保留对应公共电极过孔位置处的光刻胶；
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述公共电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层；
在所述钝化层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述公共电极过孔与所述凸起连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述过孔包括像素电极过孔，所述在形成金属层的图形时，利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括：
在形成数据金属层的图形时，利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括：
提供一基板，在所述基板上形成栅电极和栅线；
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层的图形；
在形成有所述有源层的图形的基板上形成由数据金属层组成的源电极、漏电极和数据线的图形，并利用所述数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起；
在形成有所述凸起的基板上形成钝化层；
在所述钝化层上形成由透明导电层组成的像素电极，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述凸起连接。
8.一种以权利要求1-7中任一项所述方法制造的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的金属层图形包括形成在对应过孔位置的凸起，所述凸起在垂直于基板方向上的高度大于所述金属层的图形其它区域的高度，所述凸起用于连接所述金属层的图形和在形成所述金属层的图形之后形成的导电层图形。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |