CN110941124B - 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板。阵列基板包括第一金属层具有相对设置第一面以及第二面，绝缘层设置在第一面，非晶硅层设置在绝缘层远离第一金属层的一面，非晶硅掺杂层设置在所述非晶硅层远离绝缘层的一面，第二金属层包括第一部分和第二部分，第一部分设置在非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面，第二部分设置在所述第一面且与第一金属层接触，保护层设置在第一金属层和第二金属层上，保护层与第一金属层接触的位置设有第一过孔，保护层与第一部分接触的位置设有第二过孔，第一透明电极穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接，第二透明电极穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。本申请使得透明电极层不容易断裂。

Description

一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
技术领域
本申请涉及面板制造技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板。
背景技术
LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器。当前液晶显示面板的周边布线技术中经常需要由透明电电极层向第二金属层或第一金属层传输电讯号，通常的办法是利用透明电极过孔来实现。由于第一金属层和透明电极层之间存在着绝缘层、非晶硅层、第二金属层、保护层，故而此孔的深度特别深，很容易导致第二金属层边缘爬坡处的透明电极层断裂。
因此，提供一种新的阵列基板使得透明电极层不容易断裂，降低深浅孔接触电阻，为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板板。使得透明电极层不容易断裂。
本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
第一金属层，具有相对设置第一面以及第二面；
绝缘层，设置在所述第一面；
非晶硅层，设置在所述绝缘层远离所述第一金属层的一面；
非晶硅掺杂层，设置在所述非晶硅层远离所述绝缘层的一面；
第二金属层，所述第二金属层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面，所述第二部分设置在所述第一面且与所述第一金属层接触；
保护层，设置在所述第一金属层和所述第二金属层上，所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，所述保护层与所述第一部分接触的位置设有第二过孔；
第一透明电极，穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接；
第二透明电极，穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。
在一些实施例中，所述第一金属层采用的材料为铜，所述第二金属层采用的材料为铝。
在一些实施例中，所述第一金属层的第一面还设有第二部分，所述第一透明电极和第二透明电极位于所述第二部分的两侧。
在一些实施例中，还包括玻璃基板，所述玻璃基板设置在所述第一金属层的第二面。
在一些实施例中，所述第一透明电极包括第一段和第二段，所述第一段位于所述保护层表面，所述第二段伸入所述第一过孔与所述第一金属层接触，所述第二透明导电极包括第三段和第四段，所述第三段位于所述保护层表面，所述第四段伸入所述第二过孔与所述第一部分接触。
本申请实施例还挺一种阵列基板的制程方法，包括：
提供第一金属层；
在第一金属层上设置绝缘层；
在所述绝缘层上设置非晶硅层；
在导电沟道层上设置非晶硅掺杂层；
对所述绝缘层、非晶硅层以及非晶硅掺杂层进行图案化蚀刻，在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面以及所述第一金属层上设置第二金属层；
在所述第一金属层和所述第二金属层上设有保护层，在所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，在所述保护层与所述第二金属层接触的位置设有第二过孔；
将第一透明电极穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接；
将第二透明电极穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。
在一些实施例中，所述第一金属层采用的材料为铜，所述第二金属层采用的材料为铝。
在一些实施例中，所述第一透明电极包括第一段和第二段，所述第一段位于所述保护层表面，所述第二段伸入所述第一过孔与所述第一金属层接触，所述第二透明导电极包括第三段和第四段，所述第三段位于所述保护层表面，所述第四段伸入所述第二过孔与所述第一部分接触。
在一些实施例中，玻璃基板设置在所述第一金属层的第二面。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括以上所述的阵列基板。
本申请实施例中，阵列基板包括第一金属层具有相对设置第一面以及第二面；绝缘层设置在所述第一面；非晶硅层设置在所述绝缘层远离所述第一金属层的一面；非晶硅掺杂层设置在所述非晶硅层远离所述绝缘层的一面；所述第二金属层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面，所述第二部分设置在所述第一面且与所述第一金属层接触；保护层设置在所述第一金属层和所述第二金属层上，所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，所述保护层与所述第一部分接触的位置设有第二过孔，第一透明电极穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接；第二透明电极穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。由于采用本申请结构，第一金属层与第二金属层直接接触，故而可以实现第一金属层和第二金属层电性连接，此外，通过第一透明电极和第二透明电极分别穿过较浅的第一过孔和第二过孔，从而实现第一透明电极与第一金属层和第二透明电极与第二金属层电性连接，因为第一过孔和第二过孔只是穿过了保护层，因此过孔较浅，因此，第一透明电极和第二透明电极伸入过孔时不容易断裂。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的另一个结构示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板制程方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种阵列基板100、阵列基板100制程方法以及显示面板。以下对阵列基板100做详细介绍。
请参阅图1和图2所示，图1为本申请实施例提供的阵列基板100的结构示意图。图2为本申请实施例提供的阵列基板100的另一个结构示意图。其中，本申请实施例提供一种阵列基板100，阵列基板100包括第一金属层20、绝缘层30、非晶硅层40、非晶硅掺杂层50、第二金属层60、保护层70、第一透明电极81以及第二透明电极82。第一金属层20具有相对设置第一面20a以及第二面20b。绝缘层30设置在所述第一面20a。非晶硅层40设置在所述绝缘层30远离所述第一金属层20的一面。非晶硅掺杂层50设置在所述非晶硅层40远离所述绝缘层30的一面。所述第二金属层60包括第一部分61和第二部分62，所述第一部分61设置在所述非晶硅掺杂层50远离非晶硅层40的一面，所述第二部分62设置在所述第一面20a且与所述第一金属层接触。保护层70设置在所述第一金属层20和所述第二金属层60上，所述保护层70与所述第一金属层20接触的位置设有第一过孔71，所述保护层70与所述第一部分61接触的位置设有第二过孔72。第一透明电极81穿过所述第一过孔71与所述第一金属层20连接。第二透明电极82穿过所述第二过孔72与所述第二金属层60连接。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
其中，阵列基板100还包括玻璃基板10，所述玻璃基板10设置在所述第一金属层20的第二面20b。
其中，所述第一透明电极81包括第一段811和第二段812，所述第一段811与第二段812连接，所述第一段811位于所述保护层70表面，所述第二段812伸入所述第一过孔71与所述第一金属层20接触，所述第二透明导电极82包括第三段821和第四段822，所述第三段821位于所述保护层70表面，所述第四段822伸入所述第二过孔72与所述第一部分61接触。
本申请实施例中，第一金属层20具有相对设置第一面20a以及第二面20b。绝缘层30设置在所述第一面20a。导电沟道层40设置在所述绝缘层30远离所述第一金属层20的一面。非晶硅层50设置在所述导电沟道层40远离所述绝缘层30的一面。第二金属层60，设置在所述非晶硅层50远离导电沟道层40的一面。保护层70设置在所述第一金属层20和所述第二金属层60上，所述保护层70与所述第一金属层20接触的位置设有第一过孔71，所述保护层70与所述第二金属层60接触的位置设有第二过孔72。第一透明电极81穿过所述第一过孔71与所述第一金属层20连接。第二透明电极82穿过所述第二过孔72与所述第二金属层60连接。由于本申请结构，第一金属层20与第二金属层60直接接触，故而可以实现第一金属层20和第二金属层60电性连接，此外，通过第一透明电极81和第二透明电极82分别穿过较浅的第一过孔71和第二过孔72，从而实现实现第一透明电极与第一金属层20和第二透明电极与第二金属层60电性连接，因为第一过孔71和第二过孔72只是穿过了保护层70，因此过孔较浅，因此，第一透明电极81和第二透明电极82伸入过孔时不容易断裂。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的阵列基板制程方法的流程示意图。其中，本申请实施例提供一种阵列基板的制程方法，包括：
101、提供第一金属层。
102、在第一金属层上设置绝缘层。
103、在所述绝缘层上设置非晶硅层。
104、在导电沟道层上设置非晶硅掺杂层。
105、对所述绝缘层、非晶硅层以及非晶硅掺杂层进行图案化蚀刻，在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面以及所述第一金属层上设置第二金属层。
106、在所述第一金属层和所述第二金属层上设有保护层，在所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，在所述保护层与所述第二金属层接触的位置设有第二过孔。
107、将第一透明电极穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接。
108、将第二透明电极穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。
其中，第一金属层和第二金属层为两种不同的金属材料。具体的，所述第一金属层采用的材料为铜，所述第二金属层采用的材料为铝。在第二金属层蚀刻的过程中，虽然第一金属层与第二金属层均可与蚀刻液接触，但是由于第一金属层与第二金属层的材质不同，第二金属层的酸无法蚀刻第一金属层，从而可以形成第二金属层的图形而对第一金属层层无影响。
其中，所述玻璃基板设置在所述第一金属层的第二面。
其中，所述第一透明电极包括第一段和第二段，所述第一段与第二段连接，所述第一段位于所述保护层表面，所述第二段伸入所述第一过孔与所述第一金属层接触，所述第二透明导电极包括第三段和第四段，所述第三段位于所述保护层表面，所述第四段伸入所述第二过孔与所述第一部分接触。
由于本采用申请的方法，第一金属层与第二金属层直接接触，故而可以实现第一金属层和第二金属层电性连接，此外，通过第一透明电极和第二透明电极分别穿过较浅的第一过孔和第二过孔，从而实现实现第一透明电极与第一金属层和第二透明电极与第二金属层电性连接，因为第一过孔和第二过孔只是穿过了保护层，因此过孔较浅，因此，第一透明电极和第二透明电极伸入过孔时不容易断裂。
本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板包括上述所述的阵列基板。由于阵列基板已经在上述实施例中做了详细描述。在此，不再过多赘述。
以上对本申请实施例提供的一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一金属层，具有相对设置第一面以及第二面；
绝缘层，设置在所述第一面；
非晶硅层，设置在所述绝缘层远离所述第一金属层的一面；
非晶硅掺杂层，设置在所述非晶硅层远离所述绝缘层的一面；
第二金属层，所述第二金属层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面，所述第二部分设置在所述第一面且与所述第一金属层接触；
保护层，设置在所述第一金属层和所述第二金属层上，所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，所述保护层与所述第一部分接触的位置设有第二过孔；
第一透明电极，穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接；
第二透明电极，穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层采用的材料为铜，所述第二金属层采用的材料为铝。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极和第二透明电极位于所述第二部分的两侧。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括玻璃基板，所述玻璃基板设置在所述第一金属层的第二面。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极包括第一段和第二段，所述第一段位于所述保护层表面，所述第二段伸入所述第一过孔与所述第一金属层接触，所述第二透明电极包括第三段和第四段，所述第三段位于所述保护层表面，所述第四段伸入所述第二过孔与所述第一部分接触。
6.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：
提供第一金属层，所述第一金属层具有相对设置第一面以及第二面；
在第一金属层上设置绝缘层；
在所述绝缘层上设置非晶硅层；
在导电沟道层上设置非晶硅掺杂层；
对所述绝缘层、非晶硅层以及非晶硅掺杂层进行图案化蚀刻，在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面以及所述第一金属层上设置第二金属层；
在所述第一金属层和所述第二金属层上设有保护层，在所述保护层与所述第一金属层接触的位置设有第一过孔，在所述保护层与所述第二金属层接触的位置设有第二过孔；
将第一透明电极穿过所述第一过孔与所述第一金属层连接；
将第二透明电极穿过所述第二过孔与所述第二金属层连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制程方法，其特征在于，所述第一金属层采用的材料为铜，所述第二金属层采用的材料为铝。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制程方法，其特征在于，所述第二金属层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述非晶硅掺杂层远离非晶硅层的一面，所述第二部分设置在所述第一面且与所述第一金属层接触，所述第一透明电极包括第一段和第二段，所述第一段位于所述保护层表面，所述第二段伸入所述第一过孔与所述第一金属层接触，所述第二透明电极包括第三段和第四段，所述第三段位于所述保护层表面，所述第四段伸入所述第二过孔与所述第一部分接触。
9.根据权利要求6至8任一项所述的阵列基板的制程方法，其特征在于，玻璃基板设置在所述第一金属层的第二面。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
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