CN107454981A - 阵列基板及阵列基板的制造方法 - Google Patents

阵列基板及阵列基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107454981A
CN107454981A CN201680015886.4A CN201680015886A CN107454981A CN 107454981 A CN107454981 A CN 107454981A CN 201680015886 A CN201680015886 A CN 201680015886A CN 107454981 A CN107454981 A CN 107454981A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
array base
base palte
insulating barrier
perforation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201680015886.4A
Other languages
English (en)
Inventor
袁泽
余晓军
古普塔阿米特
赵继刚
魏鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Royole Technologies Co Ltd filed Critical Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Publication of CN107454981A publication Critical patent/CN107454981A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Abstract

一种阵列基板以及阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括基板(110)、信号传输线(120)、栅极(130)、第一绝缘层(140)、有源层(150)、第一电极(1601)、第二电极(1602)以及第三电极(200)，其中，第一绝缘层(140)包括第一绝缘部和第二绝缘部，覆盖所述信号传输线(120)的所述第一绝缘部与覆盖所述栅极(130)的所述第二绝缘部之间设有隔离槽(1401)，所述隔离槽(1401)可以释放第一绝缘层(140)中的内应力，从而防止脆性的第一绝缘层(140)在内应力的作用下容易破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板(110)、第一绝缘层(140)等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。其中，隔离槽(1401)和用于连接第一电极(1601)和信号传输线(120)的第一通孔(1402)可以经过一次光罩和刻蚀工艺一起形成，简化阵列基板的工艺步骤，降低生产成本。

Description

阵列基板及阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制造方法。
背景技术
随着薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为一种开关元件广泛应用于液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激光显示(Organic Light-EmittingDiode，OLED)等电子显示器件中。薄膜晶体管一般包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极等部分，其中，高质量的栅极绝缘层是实现薄膜晶体管的好的电稳定性、较小的漏电流等重要参数的关键。栅极绝缘层主要通过无机非金属材料，(例如，SiOx、SiNx等)采用等离子体化学气相沉积的方法制备。由于栅极绝缘层本身特性以及制备条件的限制，通常栅极绝缘层内部具有内应力，脆性的SiOx、SiNx等材料制备的栅极绝缘层在内应力的作用下容易破裂；尤其，在柔性显示器中，内应力的存在也会导致薄膜晶体管中柔性基板、栅极绝缘层等层结构的变形。
发明内容
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的信号传输线和栅极、覆盖所述信号传输线和所述栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及第一金属层，其中，所述栅极与所述信号传输线之间设有间隙；所述绝缘层上开设隔离槽和通孔，所述第一金属层通过所述通孔与所述信号传输线导通，所述隔离槽设于所述信号传输线与所述栅极之间。
结合第一方面，在第一方面第一种实现中，所述阵列基板还包括有机层，所述有机层设于所述绝缘层上，且填充所述隔离槽。
结合第一方面第一种实现，在第一方面第二种实现中，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层与所述有源层的两端导通，形成源极和漏极。
结合第一方面第二种实现，在第一方面第三种实现中，所述第一金属层和所述第二金属层为一体结构。
结合第一方面第三种实现，在第一方面第四种实现中，所述阵列基板还包括无机层，所述无机层覆盖所述有源层和所述绝缘层；所述无机层开设有第一贯孔、第二贯孔、第三贯孔及第四贯孔；所述第一贯孔与所述通孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第二贯孔与所述隔离槽连通；所述第三贯孔及所述第四贯孔分别对应所述有源层的两端设置，用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。
结合第一方面第四种实现，在第一方面第五种实现中，所述有机层覆盖所述无机层；所述有机层开设第五贯孔、第六贯孔以及第七贯孔，其中，所述第五贯孔对应所述第一贯孔设置且与所述第一贯孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第六贯孔对应所述第三贯孔设置且与所述第三贯孔连通；所述第七贯孔对应所述第四贯孔设置且与所述第四贯孔连通；所述第六贯孔和所述第七贯孔用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。
结合第一方面第二种实现，在第一方面第六种实现中，所述有机层背离所述基板的表面与所述绝缘层背离所述基板的端面齐平。
结合第一方面第二至六种实现，在第一方面第七种实现中，所述阵列基板还包括保护层以及像素电极，所述保护层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，并开设第二通孔；所述第二通孔对应所述源极设置；所述像素电极覆盖所述保护层，并通过所述第二通孔与所述源极导通。
结合第一方面第二种实现，在第一方面第八种实现中，所述阵列基板还包括无无机层和像素电极，所述无机层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，且对应所述源极开设第八贯孔；所述有机层覆盖所述无机层，且对应所述第八贯孔开设有第三通孔；所述像素电极覆盖所述有机层，且通过所述第八贯孔和所述第三通孔与所述源极导通。
结合第一方面第把种实现，在第一方面第九种实现中，所述无机层还对应所述隔离槽开设第九贯孔，所述第九贯孔与所述隔离槽连通。
结合第一方面，以及第一方面第一至九种实现，在第一方面第十种实现中，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基板，所述信号传输线和所述栅极设置在所述缓冲层上。
结合第一方面第十种实现，在第一方面第十一种实现中，所述缓冲层对应所述隔离槽开设凹槽，所述凹槽与所述隔离槽连通，所述凹槽的高度小于或等于所述缓冲层的厚度。
结合第一方面，在第一方面第十二种实现中，所述隔离槽平行于所述阵列基板的卷曲轴。
相较于现有技术，本发明的阵列基板通过在绝缘层上设置隔离槽，该隔离槽可以释放绝缘层中的内应力，从而防止脆性的绝缘层在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板、绝缘层等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，该阵列基板的绝缘层上还可以包括填充隔离槽的有机层，可以平坦化阵列基板的结构，提高阵列基板的柔韧性；阵列基板还可以包括覆盖所述有源层的无机层，可以在等离子蚀刻形成所述通孔和隔离槽时，保护所述有源层避免所述有源层与等离子体接触；阵列基板还可以包括保护层，该保护层可以阻隔外接空气中的氧气，防止第一金属层和第二金属层的氧化，且可起支撑作用，稳固所述阵列基板的结构。
第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在基板上形成信号传输线和栅极，所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；
在所述信号传输线和所述栅极上形成绝缘层；
蚀刻所述绝缘层形成隔离槽以及蚀刻所述绝缘层形成通孔以显露所述信号传输线；
在所述绝缘层上覆盖有机层，其中所述有机层填充所述隔离槽和通孔；以及
去除所述通孔中的有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线。
结合第二方面，在第二方面的第一种实现中，所述在所述绝缘层上覆盖有机层之前还包括：
在所述绝缘层上形成有源层；
所述去除所述通孔中的所述有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线还包括：
去除所述有源层上的部分有机层以显露所述有源层，在所述有机层和所述有源层上沉积第二金属层形成源极和漏极。
结合第二方面第一种实现，在第二方面的第二种实现中，所述方法还包括：
在所述有源层和所述绝缘层上形成无机层；
所述蚀刻所述绝缘层形成隔离槽以及蚀刻所述绝缘层形成通孔以显露部分所述数据线还包括：刻蚀所述无机层；
所述去除所述有源层上的部分所述有机层以显露所述有源层还包括：去除所述有源层上的部分所述无机层。
结合第二方面第二种实现，在第二方面的第三种实现中，所述第一金属层导通所述源极，所述方法还包括：
在所述第一金属层和所述第二金属层上形成保护层；
图案化所述保护层显露所述漏极；以及
在所述保护层、所述源极和所述漏极上沉积导电层，形成像素电极，所述漏极与所述像素电极导通。
结合第二方面第一种实现，在第二方面的第四种实现中，所述方法还包括：
刻蚀所述有机层显露所述源极或漏极；以及
在所述有机层上沉积导电层，形成像素电极，所述源极或漏极与所述像素电极导通。
结合第二方面，在第二方面的第五种实现中，所述在所述绝缘层上覆盖有机层之后，所述方法还包括：
去除部分所述的绝缘层上的所述有机层以显露所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成有源层；
所述去除所述通孔中的所述有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线还包括：在所述有机层和所述有源层上沉积第二金属层形成源极和漏极。
结合第二方面第五种实现，在第二方面的第六种实现中，所述方法还包括：
在所述第一金属层、所述有机层和所述第二金属层上形成保护层；
刻蚀所述保护层显露所述源极；以及
在所述源极和保护层上沉积导电层，形成像素电极，所述源极与所述像素电极导通。
结合第二方面，以及第二方面第一至六种实现，在第二方面的第七种实现中，所述在基板上形成信号传输线和栅极包括：
在基板上沉积缓冲层，在所述缓冲层上形成所述信号传输线和所述栅极。
结合第二方面第七种实现，在第二方面的第八种实现中，所述蚀刻所述绝缘层形成隔离槽还包括：部分刻蚀对应所述隔离槽的所述缓冲层。
相对于现有技术，本发明提供的阵列基板的制备方法通过在基板上形成信号传输线和栅极，所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述信号传输线和所述栅极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成有源层，蚀刻所述绝缘层形成隔离槽以及蚀刻所述绝缘层形成通孔以显露所述信号传输线；在所述绝缘层上覆盖有机层，其中所述有机层填充所述隔离槽和通孔，以及去除所述通孔中的有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线。其中，隔离槽和用于连接信号传输线的通孔可以经过一次光罩和刻蚀工艺一起形成，简化阵列基板的工艺步骤，且形成的隔离槽可以释放绝缘层中的内应力，从而防止脆性的绝缘层在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板、绝缘层等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，本发明提供的阵列基板的制备方法中，有机层还可以平坦化阵列基板的结构；覆盖所述有源层的无机层可以在等离子蚀刻形成所述通孔和隔离槽时，保护所述有源层避免所述有源层与等离子体接触，提高阵列基板的电学性能；阵列基板还可以包括有机层可阻隔环境中的氧气，防止阵列基板内部各个电极的氧化，且可起支撑作用，稳固所述阵列基板的结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第一状态下的剖面结构示意图；
图2为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第二状态下的剖面结构示意图；
图3为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第三状态下的剖面结构示意图；
图4为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第四状态下的剖面结构示意图；
图5为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第五状态下的剖面结构示意图；
图6为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第六状态下的剖面结构示意图；
图7为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第七状态下的剖面结构示意图；
图8为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第八状态下的剖面结构示意图；
图9为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第九状态下的剖面结构示意图；
图10为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第十状态下的剖面结构示意图；
图11是本发明一较佳实施方式的阵列基板中隔离槽分布的结构示意图；
图12为本发明第一种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图；
图13A～图13G为本发明第一种较佳实施方式的阵列基板的制备方法中各制备步骤的示意图；
图14为本发明第二种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图；
图15A～图15H为本发明第二种较佳实施方式的阵列基板的制备方法中各制备步骤的示意图；
图16为本发明第三种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图。
图17A～图17H为本发明第三种较佳实施方式的阵列基板的制备方法中各制备步骤的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1，图1为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第一状态下的剖面结构示意图，所述阵列基板包括：
基板110、设于所述基板110上的信号传输线120和栅极130、覆盖所述信号传输线120和所述栅极130的绝缘层140、设于所述绝缘层140上的有源层150以及第一金属层160，其中，所述栅极130与所述信号传输线120之间设有间隙；所述绝缘层140上开设隔离槽1401和通孔1402，所述第一金属层160通过所述通孔1402与所述信号传输线120导通，所述隔离槽1401设于所述信号传输线120与所述栅极130之间。
相较于现有技术，本发明的阵列基板通过在绝缘层140上设置隔离槽1401，该隔离槽1401可以释放绝缘层140中的内应力，从而防止脆性的绝缘层140在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板110、绝缘层140等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
请参见图2，图2为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第二状态下的剖面结构示意图。本发明实施例中，所述阵列基板还包括有机层170，所述有机层170设于所述绝缘层140上，且填充所述隔离槽1401。
在本实施方式中，所述隔离槽1401内填充柔性绝缘材料，该绝缘柔性材料可以是高分子材料，所述柔性绝缘材料不影响所述阵列基板的柔韧性，且可以起支撑作用；而且，有机层170可以平坦化阵列基板的结构，使得隔离槽的设置，不带来阵列基板结构中台阶结构的增加，且有机层170可以使得整个阵列基板的结构更加稳固，提高阵列基板弯曲柔性的性能。
请参见图3，图3为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第三状态下的剖面结构示意图。本发明实施例中，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层与所述有源层150的两端导通，形成源极1601和漏极1602。
可选地，所述第一金属层160和所述第二金属层为一体结构，减少所述阵列基板中外引脚的设置。
可选地，所述阵列基板还包括无机层180，请参阅图4，图4为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第四状态下的剖面结构示意图。所述无机层180覆盖所述有源层150和所述绝缘层140；所述无机层180开设有第一贯孔、第二贯孔、第三贯孔及第四贯孔；所述第一贯孔与所述通孔1402连通，用于导通所述信号传输线120与所述第一金属层160；所述第二贯孔与所述隔离槽1401连通；所述第三贯孔及所述第四贯孔分别对应所述有源层150的两端设置，用于导通所述有源层150与所述源极1601和所述漏极1602。
可选地，所述有机层170覆盖所述无机层180；所述有机层170开设第五贯孔、第六贯孔以及第七贯孔，其中，所述第五贯孔对应所述第一贯孔设置且与所述第一贯孔连通，用于导通所述信号传输线120与所述第一金属层160；所述第六贯孔对应所述第三贯孔设置且与所述第三贯孔连通；所述第七贯孔对应所述第四贯孔设置且与所述第四贯孔连通；所述第六贯孔和所述第七贯孔用于导通所述有源层150与所述源极1601和所述漏极1602。
其中，无机层180的材料可以是在等离子蚀刻形成所述通孔1402和隔离槽1401时，保护所述有源层150避免所述有源层150与等离子体接触。
请参阅5，图5为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第五状态下的剖面结构示意图。所述有机层170背离所述基板110的表面与所述绝缘层140背离所述基板110的端面齐平。
在本实施方式中，所述阵列基板还包括保护层190以及像素电极，请参阅图6以及图7，图6为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第六状态下的剖面结构示意图。图7为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第七状态下的剖面结构示意图。所述保护层190覆盖所述第一金属层160和所述第二金属层，并开设第二通孔1402；所述第二通孔1402对应所述源极1601设置；所述像素电极覆盖所述保护层190，并通过所述第二通孔1402与所述源极1601导通。
可以理解，本发明中，保护层190可以是有机绝缘层140材料，如树脂、高分子材料等，所述像素电极200为透明导电膜，如氧化铟锡膜(ITO膜)等。
请参阅8，图8为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第八状态下的剖面结构示意图。本发明实施例中，所述阵列基板还包括无机层180和像素电极，所述无机层180覆盖所述第一金属层160和所述第二金属层，且对应所述源极1601开设第八贯孔；所述有机层170覆盖所述无机层180，且对应所述第八贯孔开设有第三通孔1402；所述像素电极覆盖所述有机层170，且通过所述第八贯孔和所述第三通孔1402与所述源极1601导通。
可以理解，本实施方式中所述无机层180的材料可以是无机绝缘材料，如：HfO2、ZrO2、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料中的任意一种或者多种，可以保护被无机层180覆盖的各个电极。
可选地，请参阅9，图9为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第九状态下的剖面结构示意图，所述无机层180还对应所述隔离槽1401开设第九贯孔，所述第九贯孔与所述隔离槽1401连通。
在本实施方式中，所述阵列基板还包括缓冲层210，所述缓冲层210覆盖所述基板110，所述信号传输线120和所述栅极130设置在所述缓冲层210上。请参阅10，图10为本发明一较佳实施方式的阵列基板在第十状态下的剖面结构示意图。
可选地，所述缓冲层210对应所述隔离槽1401开设凹槽，所述凹槽与所述隔离槽1401连通，所述凹槽的高度小于或等于所述缓冲层210的厚度。
在本实施方式中，所述隔离槽1401平行于所述阵列基板的卷曲轴。从而提高阵列基板的柔韧性，使得阵列基板可获得更大的弯曲度。
可以理解，隔离槽可以是长方体结构，梯形体结构、半圆柱体结构等，隔离槽的可以位于阵列基板中各个像素单元中，也可以按预设规律分布于某些像素单元中。优选地，隔离槽平行于阵列基板的卷曲轴，请参阅图11，图11是本发明一较佳实施方式的阵列基板中隔离槽分布的结构示意图，图11为从阵列基板沉积薄膜的表面的俯视时，阵列基板中隔离槽的分布的结构示意图，图11所示的，阵列基板可以包括多个像素单元，比如第一像素单元1101、第二像素单元1102、第三像素单元1103、第四像素单元1104等，每一个像素单元包含控制该像素单元开关状态的薄膜晶体管，阵列基板中各个薄膜晶体管可以是如图1-10所示的阵列基板的结构单元，隔离槽1105可以是长方体结构，阵列基板的卷曲轴平行于隔离槽1105的长边，隔离槽1105也可以设置于阵列基板的边缘，沿卷取轴方向上的各个像素单元的中隔离槽1105可以连通，也可以间隔设置。
可以理解，本发明中，基板110可以是玻璃基板，也可以是高分子材料制备的柔性基板；信号传输线120可以是数据线，也可以是电压线；本发明中信号传输线120和栅极130的材料包括Pt、Au、Al、Cu、Ti、Ag、Sc、Y、Cr、Ni、Mo、Al、ITO等材料中的任意一种或者多种；所述绝缘层140的材料可以是HfO2、ZrO2、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料中的任意一种或者多种；所述有源层150包括沟道层、第一掺杂区及第二掺杂区，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区均与所述沟道层接触，且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区间隔设置。所述第一金属层160或第二金属层的材料可以包括Pt、Au、Al、Cu、Ti、Ag、Sc、Y、Cr、Ni、Mo、Al、ITO等材料中的任意一种或者多种，所述第一电极150可以与所述第二电极160或所述第三电极170通过外引脚电连接，所述第一金属层160和所述第二金属层也可以是一体结构。
相较于现有技术，本发明的阵列基板通过在绝缘层140上设置隔离槽1401，该隔离槽1401可以释放绝缘层140中的内应力，从而防止脆性的绝缘层140在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中基板110、绝缘层140等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，该阵列基板的绝缘层140上还可以包括填充隔离槽的有机层150，可以平坦化阵列基板的结构，提高阵列基板的柔韧性；阵列基板还可以包括覆盖所述有源层150的无机层180，可以在等离子蚀刻形成所述通孔1402和隔离槽1401时，保护所述有源层150避免所述有源层150与等离子体接触；阵列基板还可以包括保护层190，该保护层190可以阻隔外接空气中的氧气，防止第一金属层160和第二金属层的氧化，且可起支撑作用，稳固所述阵列基板的结构。
请参阅图12，图12为本发明第一种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图，请一并参见图13A～13G，所述阵列基板的制备方法包括：
步骤S1210：在基板110上形成信号传输线120和栅极130，所述信号传输线120和所述栅极130之间设有间隙。可参见图13A。
具体地，可以通过物理气相沉积的方法在基板110上沉积金属层，如金(Au)层，通过光罩及蚀刻工艺，图案化该金属层，形成信号传输线120和栅极130。
在本实施方式中，所述步骤S120之后，所述方法还包括：形成缓冲层210，所述缓冲层210设置在所述基板110的第一表面，所述信号传输线120设置在所述缓冲层210背离所述基板110的表面；所述栅极130设置在所述缓冲层210背离所述基板110的表面。
可以理解，所述缓冲层210可以是无机绝缘材料也可以是高分子绝缘材料。形成缓冲层210的方法可以是化学气相沉积或物理气相沉积等方法。
可以理解，信号传输线120和栅极130的材质可以是，Pt、Au、Al、Cu、Ti、Ag、Sc、Y、Cr、Ni、Mo、Al、ITO等材料中的任意一种或者多种。
步骤S1220：在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140。
具体地，可参见图13B，可以通过物理气相沉积的方法在所述信号传输线120和所述栅极130上沉积一层绝缘层140，该绝缘层140的材料可以是HfO2、ZrO2、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料中的任意一种或者多种。
步骤S1230：在所述绝缘层140上形成有源层150。可参见图13C。
具体地，有源层150为半导体材料，所述有源层150包括沟道层、第一掺杂区及第二掺杂区，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区均与所述沟道层接触，且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区间隔。所述有源层150的制备技术为现有技术，本发明不在赘述。
步骤S1240：蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120。可参见图13D，具体地，可以通过光罩以及蚀刻工艺图案化所述绝缘层140，形成隔离槽1401和通孔1402。
具体地，在所述绝缘层140背离所述衬底的表面涂布光刻胶层；图案化所述光刻胶层，移除覆盖所述绝缘层140的部分光刻胶层；以剩余的光刻胶层为掩膜对所述绝缘层140进行等离子蚀刻，形成如图13D所示的隔离槽1401和通孔1402。剥离剩余的所述光刻胶层。在本实施方式中，可以用丙酮等有机溶剂来剥离剩余的所述光刻胶层。
步骤S1250：在所述绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401和通孔1402，可参见图13E。
具体地，可以通过物理气相沉积、化学气相沉积或旋涂等方法在所述绝缘层140上覆盖一层有机层170，该有机层170的材质可以是高分子材料。
步骤S1260：去除所述通孔1402中的有机层170，可参见图13F，并在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120，可参见图13G所述的阵列基板。
具体地，可以通过光罩及蚀刻工艺，对该有机层170进行湿法蚀刻，去除通孔1402中的有机层170；当有机层170为光敏有机材料时，也可以光罩对该有机层170部分曝光，去除通孔1402中的有机层170，形成图形化的有机层170。再通过物理气相沉积法，在通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120。
在本实施方式中，步骤S1260还可以包括：去除所述有源层150上的部分有机层170以显露所述有源层150，在所述有机层170和所述有源层150上沉积第二金属层形成源极1601和漏极1602。可参见图3所示的阵列基板。具体地，可以通过光罩及蚀刻工艺，对有源层150上的有机层170使用湿法蚀刻，去除部分有机层170以显露所述有源层150；当有机层170为光敏有机材料时，也可以光罩对该有机层170部分曝光，去除通孔1402中的有机层170以显露所述有源层150，形成图形化的有机层170。优选地，对应有源层150的两端进行刻蚀或曝光处理，漏出所述有源层150的所述第一掺杂区及所述第二掺杂区。
具体地，可以在所述有源层150的表面或有机层170的表面，形成第二金属层，再通过光罩以及蚀刻工艺图案化所述第二金属层，形成源极1601和漏极1602。可参见图5所述的阵列基板。
其中的，第一金属层160和第二金属层可以一体成型，其中，第一金属层160可以导通源极1601。可参见图3所述的阵列基板。具体地，可以在所述通孔1402中沉积第一金属层160，图案化第一金属层160形成所述源极1601和所述漏极1602，其中，所述源极1601导通所述信号传输线120。
在本实施方式中，步骤S1230或步骤S1240之后，该阵列基板的制造方法还可以包括：在所述有源层150和所述绝缘层140上形成无机层180；步骤S1240还包括：刻蚀所述无机层180使得通孔1402贯穿无机层180。步骤S1260还包括：去除所述有源层150上的部分所述无机层180，以露出所述有源层150的所述第一掺杂区及所述第二掺杂区，可参见图4所示的阵列基板。
需要说明的是，该无机层180可以是HfO2、ZrO2、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料中的任意一种或者多种。
可选地，步骤S1260之后，该阵列基板的制造方法还可以包括：在所述第一金属层160和所述第二金属层上形成保护层190；图案化所述保护层190，形成过孔，显露所述漏极1602；在所述保护层190、所述源极1601和所述漏极1602上沉积导电层200，形成像素电极，所述漏极1602与所述像素电极导通。可参见图6或图8所示的阵列基板。
需要说明的是，该保护层190可以是高分子、橡胶等材料。可以利用光罩及湿法蚀刻工艺图案化该保护层190，形成过孔，显露所述漏极1602。可以通过物理气相沉积法在所述保护层190、所述源极1601和所述漏极1602上沉积导电层200，形成像素电极，所述漏极1602与所述像素电极导通，其中，所述导电层200为透明导电薄膜，如，锡掺杂三氧化铟(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)等。
应当理解，本发明中刻蚀可以包括干刻蚀以及湿刻蚀，所述干蚀刻的气体可以是为CF4，SF6或CL2和O2的混合气体，所示湿蚀刻的液体可以是为草酸，硫酸，盐酸，或草酸、硫酸及盐酸的混合液。
应该理解，在本发明中，所述图案化即是指构图工艺，可包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影，等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
通过本发明实施例阵列基板的制造方法形成的显示器件，可以为：液晶面板、液晶电视、液晶显示器、OLED面板、OLED电视、电子纸、数码相框、手机等。
相对于现有技术，本发明提供的阵列基板的制备方法通过在基板110上形成信号传输线120和栅极130，所述信号传输线120和所述栅极130之间设有间隙；在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140；在所述绝缘层140上形成有源层150，蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120；在所述绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401和通孔1402，以及去除所述通孔1402中的有机层170，并在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120。其中，隔离槽1401和用于连接信号传输线120的通孔1402可以经过一次光罩和刻蚀工艺一起形成，简化阵列基板的工艺步骤，且形成的隔离槽1401可以释放绝缘层140中的内应力，从而防止脆性的绝缘层140在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中柔性基板110、绝缘层140等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，本发明提供的阵列基板的制备方法中，有机层170还可以平坦化阵列基板的结构；覆盖所述有源层150的无机层180可以在等离子蚀刻形成所述通孔1402和隔离槽1401时，保护所述有源层150避免所述有源层150与等离子体接触，提高阵列基板的电学性能；阵列基板还可以包括有机层170可阻隔环境中的氧气，防止阵列基板内部各个电极的氧化，且可起支撑作用，稳固所述阵列基板的结构。
请参阅图14，图14为本发明第二种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图，请一并参阅图15A～15H，所述阵列基板的制备方法包括：
步骤S1410，在基板110上形成信号传输线120和栅极130，所述信号传输线120和所述栅极130之间设有间隙。请参照图15A。
步骤S1420：在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140。请参照图15B。
步骤S1430：在所述绝缘层140上形成有源层150。请参照图15C。
步骤S1440：蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120，请参照图15D。
步骤S1450：在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120，以及在所述有源层150上沉积第二金属层，并图案化所述第二金属层，形成源极1601和漏极1602。请参阅图15E。
步骤S1460：在所述第一金属层160以及所述第二金属层绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401，请参阅图15F。
本实施方式中，步骤S1460之后，该方法还可以包括：刻蚀所述有机层170显露所述源极1601，请参阅图15G；在所述源极1601和所述有机层170上沉积导电层200，形成像素电极，所述源极1601或漏极1602与所述像素电极导通，请参阅图15H。
本实施方式中，步骤S1450之后，还可以包括：在第一金属层160和第二金属层上覆盖无机层180。请参阅图9。
可以理解，图14所述的阵列基板的制造方法中各个膜层的制备可以参考图12所述的阵列基板的制造方法，本发明不在赘述。
相对于现有技术，本发明提供的阵列基板的制备方法通过在基板110上形成间隔设置的信号传输线120和栅极130，在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140、有源层150，蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120；在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120，以及在所述有源层150上沉积第二金属层，并图案化所述第二金属层，形成源极1601和漏极1602，在所述第一金属层160以及所述第二金属层绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401。该方法中，隔离槽1401和用于连接信号传输线120的通孔1402可以经过一次光罩和刻蚀工艺一起形成，简化阵列基板的工艺步骤，且形成的隔离槽1401可以释放绝缘层140中的内应力，从而防止脆性的绝缘层140在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中基板110、绝缘层140等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，本发明提供的阵列基板的制备方法，可以包括覆盖所述第一金属层160和第二金属的无机层180，防止金属的氧化。
请参阅图16，图16为本发明第三种较佳实施方式的阵列基板的制备方法的流程图，请一并参考图17A～17H所述阵列基板的制备方法包括：
步骤S1610：在基板110上形成信号传输线120和栅极130，所述信号传输线120和所述栅极130之间设有间隙。请参照图17A。
步骤S1620：在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140，请参照图17B。
步骤S1630：蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120，请参照图17C。
步骤S1640：在所述绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401和通孔1402，请参照图17D。
步骤S1650：去除部分所述的绝缘层140上的所述有机层170以显露所述绝缘层140，请参照图17E。
步骤S1660：在所述绝缘层140上形成有源层150；请参照图17F。
步骤S1670：去除所述通孔1402中的有机层170，并在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120。
具体地，去除通孔1402中的有机层170，以漏出信号传输线120。请参照图17G。
本实施方式中，在所述有机层170和所述有源层150上沉积第二金属层形成源极1601和漏极1602。请参照图17H。
本实施方式中，在所述第一金属层160、所述有机层170和所述第二金属层上形成保护层190；刻蚀所述保护层190显露所述源极1601；以及，在所述源极1601和保护层190上沉积导电层200，形成像素电极，所述源极1601与所述像素电极导通。请参照图7。
可以理解，图16所述的阵列基板的制造方法中各个膜层的制备可以参考图12所述的阵列基板的制造方法，本发明不在赘述。
相较于现有技术，本发明的阵列基板的制造方法中通过
在基板110上形成间隔设置的信号传输线120和栅极130，在所述信号传输线120和所述栅极130上形成绝缘层140，蚀刻所述绝缘层140形成隔离槽1401以及蚀刻所述绝缘层140形成通孔1402以显露所述信号传输线120，在所述绝缘层140上覆盖有机层170，其中所述有机层170填充所述隔离槽1401和通孔1402，去除部分所述的绝缘层140上的所述有机层170以显露所述绝缘层140，形成平坦化的有机层170，可以起到支撑作用，在所述绝缘层140上形成有源层150，去除所述通孔1402中的有机层170，并在所述通孔1402中沉积第一金属层160导通所述信号传输线120。其中，用于隔离槽1401和通孔1402可以经过一次光罩和刻蚀工艺同时形成，简化阵列基板的工艺步骤，且形成的隔离槽1401可以释放绝缘层140中的内应力，从而防止脆性的绝缘层140在内应力的作用下破裂，减少薄膜晶体管中基板110、栅极130绝缘层140等层结构的变形，提高阵列基板的柔韧性。
而且，保护层190可阻隔环境中的氧气，防止阵列基板内部各个电极的氧化，且可起支撑作用，稳固所述阵列基板的结构。
本发明实施例中所使用的技术术语仅用于说明特定实施例而并不旨在限定本发明。在本文中，单数形式“一”、“该”及“所述”用于同时包括复数形式，除非上下文中明确另行说明。进一步地，在说明书中所使用的用于“包括”和/或“包含”是指存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或构件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或构件。
在所附权利要求中对应结构、材料、动作以及所有装置或者步骤以及功能元件的等同形式(如果存在的话)旨在包括结合其他明确要求的元件用于执行该功能的任何结构、材料或动作。本发明的描述出于实施例和描述的目的被给出，但并不旨在是穷举的或者将被发明限制在所公开的形式。在不偏离本发明的范围和精神的情况下，多种修改和变形对于本领域的一般技术人员而言是显而易见的。本发明中所描述的实施例能够更好地揭示本发明的原理与实际应用，并使本领域的一般技术人员可了解本发明。
本发明中所描述的流程图仅仅为一个实施例，在不偏离本发明的精神的情况下对此图示或者本发明中的步骤可以有多种修改变化。比如，可以不同次序的执行这些步骤，或者可以增加、删除或者修改某些步骤。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (22)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的信号传输线和栅极、覆盖所述信号传输线和所述栅极的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及第一金属层，其中，所述栅极与所述信号传输线之间设有间隙；所述绝缘层上开设隔离槽和通孔，所述第一金属层通过所述通孔与所述信号传输线导通，所述隔离槽设于所述信号传输线与所述栅极之间。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括有机层，所述有机层设于所述绝缘层上，且填充所述隔离槽。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属层，所述第二金属层与所述有源层的两端导通，形成源极和漏极。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层为一体结构。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括无机层，所述无机层覆盖所述有源层和所述绝缘层；所述无机层开设有第一贯孔、第二贯孔、第三贯孔及第四贯孔；所述第一贯孔与所述通孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第二贯孔与所述隔离槽连通；所述第三贯孔及所述第四贯孔分别对应所述有源层的两端设置，用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层覆盖所述无机层；所述有机层开设第五贯孔、第六贯孔以及第七贯孔，其中，所述第五贯孔对应所述第一贯孔设置且与所述第一贯孔连通，用于导通所述信号传输线与所述第一金属层；所述第六贯孔对应所述第三贯孔设置且与所述第三贯孔连通；所述第七贯孔对应所述第四贯孔设置且与所述第四贯孔连通；所述第六贯孔和所述第七贯孔用于导通所述有源层与所述源极和所述漏极。
7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层背离所述基板的表面与所述绝缘层背离所述基板的端面齐平。
8.如权利要求3-7所述的任一一项阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层以及像素电极，所述保护层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，并开设第二通孔；所述第二通孔对应所述源极设置；所述像素电极覆盖所述保护层，并通过所述第二通孔与所述源极导通。
9.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括无无机层和像素电极，所述无机层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，且对应所述源极开设第八贯孔；所述有机层覆盖所述无机层，且对应所述第八贯孔开设有第三通孔；所述像素电极覆盖所述有机层，且通过所述第八贯孔和所述第三通孔与所述源极导通。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层还对应所述隔离槽开设第九贯孔，所述第九贯孔与所述隔离槽连通。
11.如权利要求1-9所述的任一一项阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基板，所述信号传输线和所述栅极设置在所述缓冲层上。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层对应所述隔离槽开设凹槽，所述凹槽与所述隔离槽连通，所述凹槽的高度小于或等于所述缓冲层的厚度。
13.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离槽平行于所述阵列基板的卷曲轴。
14.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括，
在基板上形成信号传输线和栅极，所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；
在所述信号传输线和所述栅极上形成绝缘层；
蚀刻所述绝缘层形成隔离槽以及蚀刻所述绝缘层形成通孔以显露所述信号传输线；
在所述绝缘层上覆盖有机层，其中所述有机层填充所述隔离槽和通孔；以及
去除所述通孔中的有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线。
15.如权利要求14所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上覆盖有机层之前还包括：
在所述绝缘层上形成有源层；
所述去除所述通孔中的所述有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线还包括：
去除所述有源层上的部分有机层以显露所述有源层，在所述有机层和所述有源层上沉积第二金属层形成源极和漏极。
16.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述有源层和所述绝缘层上形成无机层；
所述蚀刻所述绝缘层形成隔离槽以及蚀刻所述绝缘层形成通孔以显露部分所述数据线还包括：刻蚀所述无机层；
所述去除所述有源层上的部分所述有机层以显露所述有源层还包括：去除所述有源层上的部分所述无机层。
17.如权利要求16所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层导通所述源极，所述方法还包括：
在所述第一金属层和所述第二金属层上形成保护层；
图案化所述保护层显露所述漏极；以及
在所述保护层、所述源极和所述漏极上沉积导电层，形成像素电极，所述漏极与所述像素电极导通。
18.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述有机层显露所述源极或漏极；以及
在所述有机层上沉积导电层，形成像素电极，所述源极或漏极与所述像素电极导通。
19.如权利要求14所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上覆盖有机层之后，所述方法还包括：
去除部分所述的绝缘层上的所述有机层以显露所述绝缘层；
在所述绝缘层上形成有源层；
所述去除所述通孔中的所述有机层，并在所述通孔中沉积第一金属层导通所述信号传输线还包括：在所述有机层和所述有源层上沉积第二金属层形成源极和漏极。
20.如权利要求19所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一金属层、所述有机层和所述第二金属层上形成保护层；
刻蚀所述保护层显露所述源极；以及
在所述源极和保护层上沉积导电层，形成像素电极，所述源极与所述像素电极导通。
21.如权利要求14-19所述的任一一项阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成信号传输线和栅极包括：
在基板上沉积缓冲层，在所述缓冲层上形成所述信号传输线和所述栅极。
22.如权利要求21所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述绝缘层形成隔离槽还包括：部分刻蚀对应所述隔离槽的所述缓冲层。
CN201680015886.4A 2016-07-25 2016-07-25 阵列基板及阵列基板的制造方法 Withdrawn CN107454981A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/091528 WO2018018353A1 (zh) 2016-07-25 2016-07-25 阵列基板及阵列基板的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107454981A true CN107454981A (zh) 2017-12-08

Family

ID=60485338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680015886.4A Withdrawn CN107454981A (zh) 2016-07-25 2016-07-25 阵列基板及阵列基板的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6752354B2 (zh)
KR (1) KR102221442B1 (zh)
CN (1) CN107454981A (zh)
WO (1) WO2018018353A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461881A (zh) * 2018-03-20 2018-08-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种ltcc基板微波信号的传输结构及其制造方法
CN109658826A (zh) * 2018-11-06 2019-04-19 Oppo广东移动通信有限公司 柔性屏和电子设备
CN110941124A (zh) * 2019-12-02 2020-03-31 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
CN111656427A (zh) * 2018-01-31 2020-09-11 夏普株式会社 显示装置
WO2020199756A1 (zh) * 2019-04-01 2020-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及显示装置
CN112992919A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN113451329A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 深圳市柔宇科技有限公司 柔性基板及可拉伸电子装置
CN112992919B (zh) * 2019-12-16 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060145156A1 (en) * 2002-11-14 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method manufacturing thereof
CN101169565A (zh) * 2006-10-25 2008-04-30 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN104393019A (zh) * 2014-11-07 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN105097839A (zh) * 2015-07-20 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105304721A (zh) * 2014-06-16 2016-02-03 元太科技工业股份有限公司 基板结构及其制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279615A (ja) * 1995-04-04 1996-10-22 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置の製造方法
US6861670B1 (en) * 1999-04-01 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having multi-layer wiring
KR100615235B1 (ko) * 2004-08-05 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터군들 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
JP2009239110A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置および電子機器
KR20110134685A (ko) * 2010-06-09 2011-12-15 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102366701B1 (ko) * 2014-10-22 2022-02-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 박막 트랜지스터 기판 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
KR20180107167A (ko) * 2016-07-25 2018-10-01 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 어레이 기판의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060145156A1 (en) * 2002-11-14 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method manufacturing thereof
CN101169565A (zh) * 2006-10-25 2008-04-30 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN105304721A (zh) * 2014-06-16 2016-02-03 元太科技工业股份有限公司 基板结构及其制作方法
CN104393019A (zh) * 2014-11-07 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN105097839A (zh) * 2015-07-20 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种绝缘层、阵列基板及其制作方法、显示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111656427A (zh) * 2018-01-31 2020-09-11 夏普株式会社 显示装置
CN111656427B (zh) * 2018-01-31 2022-02-22 夏普株式会社 显示装置
CN108461881A (zh) * 2018-03-20 2018-08-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种ltcc基板微波信号的传输结构及其制造方法
CN108461881B (zh) * 2018-03-20 2020-03-27 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种ltcc基板微波信号的传输结构及其制造方法
CN109658826A (zh) * 2018-11-06 2019-04-19 Oppo广东移动通信有限公司 柔性屏和电子设备
WO2020199756A1 (zh) * 2019-04-01 2020-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及显示装置
CN110941124A (zh) * 2019-12-02 2020-03-31 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
CN110941124B (zh) * 2019-12-02 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
WO2021109193A1 (zh) * 2019-12-02 2021-06-10 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
CN112992919A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN112992919B (zh) * 2019-12-16 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN113451329A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 深圳市柔宇科技有限公司 柔性基板及可拉伸电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018018353A1 (zh) 2018-02-01
JP2019525238A (ja) 2019-09-05
KR102221442B1 (ko) 2021-02-26
KR20190022855A (ko) 2019-03-06
JP6752354B2 (ja) 2020-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107454981A (zh) 阵列基板及阵列基板的制造方法
KR102008902B1 (ko) 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR102211863B1 (ko) 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법
EP3333922B1 (en) Organic luminescence unit and manufacturing method therefor
US10656478B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN108807470A (zh) 触控显示屏的制作方法
CN106129063B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US9882172B2 (en) OLED backplane and fabrication method thereof
CN111508976A (zh) 基板及其制备方法、显示装置
KR20060019976A (ko) 유기 박막트랜지스터 및 액정표시소자의 제조방법
CN102290440A (zh) 晶体管及其制造方法
EP2983204B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN110085601A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、终端设备
CN107636823A (zh) 阵列基板的制造方法
CN106025100A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法
CN101162710A (zh) 薄膜晶体管基底的制造方法
CN103558722B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR100662787B1 (ko) 유기 박막트랜지스터와 그 제조방법, 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법
CN105304639A (zh) 薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN105990231B (zh) 薄膜电晶体基板的制造方法
US20210183907A1 (en) Semiconductor devices
CN106953025B (zh) 有机发光显示装置的制造方法
KR101232063B1 (ko) 표시 기판의 제조 방법
KR100752211B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
CN106128960A (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20171208

WW01 Invention patent application withdrawn after publication