CN112992919B - 显示背板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。制作显示背板的方法包括：提供薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板具有挖孔区，挖孔区用于形成通孔；在薄膜晶体管阵列基板的表面上形成第一有机隔离柱，且第一有机隔离柱位于挖孔区的外侧；形成无机氧化物阻断结构，无机氧化物阻断结构覆盖第一有机隔离柱远离薄膜晶体管阵列基板的至少一部分表面、第一有机隔离柱远离挖孔区的侧面，以及薄膜晶体管阵列基板的部分表面；去除第一有机隔离柱。由此，无机氧化物阻断结构可以有效地阻断显示区的有机发光材料吸收环境中的水氧，避免显示区出现黑斑；而且，在制作过程中均不会产生金属颗粒，进而可以避免部分像素发光异常的不良现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及显示背板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示屏占比不断的提高，挖孔屏成为提升屏占比的重要方案，尤其是柔性OLED挖孔屏，但是，在挖孔屏制作的过程中，孔(Hole)周边位置的有机EL发光材料容易吸收环境中的水分，导入到屏幕显示区域后造成黑斑不良。
因此，关于挖孔屏的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制作显示背板的方法，该方法可以有效阻止环境中的水氧延伸至显示区的有机EL发光材料，或者有效解决部分像素发光异常的问题。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种制作显示背板的方法。根据本发明的实施例，制作显示背板的方法包括：S100：提供薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有挖孔区，所述挖孔区用于形成通孔；S200：在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成第一有机隔离柱，且所述第一有机隔离柱位于所述挖孔区的外侧；S300：形成无机氧化物阻断结构，所述无机氧化物阻断结构覆盖所述第一有机隔离柱远离所述薄膜晶体管阵列基板的至少一部分表面、所述第一有机隔离柱远离所述挖孔区的侧面，以及所述薄膜晶体管阵列基板的部分表面；S400：去除所述第一有机隔离柱。由此，上述无机氧化物阻断结构的形成，在后续形成通孔之后，可以有效地阻断显示区的有机发光材料吸收环境中的水氧，进而避免显示区出现黑斑等不良现象；而且，在无机材料形成的无机氧化物阻断结构的形成过程中，由有机材料形成的第一有机隔离柱的形成和去除的过程中，以及后续湿刻刻蚀形成阳极的过程中均不会产生金属颗粒(比如银颗粒)等副产物，进而可以避免由金属颗粒而造成的部分像素发光异常(暗点)的不良现象；再者，上述制备方法简单，工艺成熟，便于工业化生产，且成品率较高，不会增加制作成本和工艺时长。
根据本发明的实施例，制作显示背板的方法还包括：在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成与所述第一有机隔离柱间隔设置的第二有机隔离柱，且所述第二有机隔离柱位于所述第一有机隔离柱远离所述挖孔区的一侧，其中，所述无机氧化物阻断结构覆盖所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的至少一部分表面、所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱之间暴露的所述薄膜晶体管阵列基板的表面以及所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱相对设置的两个侧面。
根据本发明的实施例，在步骤S400中，还包括去除所述第二有机隔离柱，其中，通过灰化工艺去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱。
根据本发明的实施例，所述灰化工艺满足以下条件至少之一：采用氧气作为工作气体；气流量为500～1500sccm；气压为3～15mTorr，射频功率中，Source功率为10～20kW，Bias功率为0kW。
根据本发明的实施例，所述无机氧化物阻断结构与所述显示背板中的覆盖薄膜晶体管的无机绝缘层通过一次构图工艺形成。
根据本发明的实施例，形成所述无机氧化物阻断结构和去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的步骤包括：在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成阻断层，且所述阻断层覆盖所述第一有机隔离柱和/或所述第二有机隔离柱；在所述阻断层的表面上形成图案化的光刻胶；对未被所述光刻胶覆盖的所述阻断层进行蚀刻，得到所述无机氧化物阻断结构和所述无机绝缘层；在去除所述光刻胶之前，去除所述第一有机隔离柱和/或所述第二有机隔离柱。
根据本发明的实施例，所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的高度为1.0～1.5微米。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种由前面所述方法制作的显示背板。根据本发明的实施例，所述显示背板包括：薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有通孔；无机氧化物阻断结构，所述无机氧化物阻断结构设置在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上，且位于所述通孔的周围，其中，所述无机氧化物阻断结构包括依次连接的第一阻断顶壁、第一侧壁和底壁，所述第一阻断顶壁和所述底壁在垂直方向上间隔设置，且所述底壁位于所述薄膜晶体管阵列基板的表面上，所述第一阻断顶壁在水平方向上由所述第一侧壁远离所述底壁的一端向远离所述底壁的方向延伸。由此，上述无机氧化物阻断结构的设置，可以有效地阻断通孔周围的有机发光材料吸收环境中的水氧后蔓延至显示区，进而避免显示区出现黑斑等不良现象；而且，可以避免部分像素发光异常(暗点)的不良现象。
根据本发明的实施例，所述无机氧化物阻断结构还包括：第二侧壁，所述第二侧壁的一端与所述底壁远离所述第一侧壁的一端连接；第二阻断顶壁，所述第二阻断顶壁与所述第二侧壁远离所述底壁的一端连接，且在垂直方向上与所述底壁间隔设置，在水平方向上由所述第二侧壁另一端向远离所述底壁的方向延伸。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，所述显示装置包括前面所述的显示背板。由此，该显示装置显示效果较佳，显示区不易出现黑斑或部分像素发光异常等不良现象。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再详细赘述。
附图说明
图1是现有技术中显示背板的结构示意图。
图2是现有技术中显示背板的结构示意图。
图3是本发明一个实施例中制作显示背板的方法流程图。
图4是本发明一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图5是本发明另一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图6是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图7是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图8是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图9是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图10是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图11是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图12是本发明又一个实施例中制作显示背板的结构示意图。
图13是本发明又一个实施例中显示背板的俯视图图。
图14是本发明又一个实施例中显示背板的结构示意图。
图15是本发明又一个实施例中显示背板的结构示意图。
图16是本发明又一个实施例中显示背板的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
本发明是发明人是基于以下的认识和发现获得的：
制作挖孔屏时，为了阻止通孔周围的显示区的有机发光材料吸收环境中的水氧，参照图1和图2，发明人在用于形成通孔的挖孔区周围形成阻断结构100，该阻断结构包括依次层叠设置的第一结构101、第二结构102、第三结构103，且第一结构101、第二结构102、第三结构103呈“工”字形设置，即第一结构101和第三结构103在衬底10上的正投影大于第二结构102在衬底10上的正投影，在后续形成有机EL发光材料层130时，“工”字形的阻断结构100可以将有机EL发光材料层130隔断(如图2所示)，以防水氧向显示区扩散。但是发明人发现，上述结构的挖孔屏的部分像素发光异常(具有暗点)，发明人经过深入研究发现，由于阻断结构100是与薄膜晶体管中的源漏极通过一次构图工艺形成，即源极80和漏极90也是包括三层层叠设置的结构(依次为钛/铝/钛三层结构)，其中，第一源层81、第一漏层91和第一结构101同一次工艺形成，第二源层82、第二漏层92和第二结构102同一次工艺形成，第三源层83、第三漏层93和第三结构103同一次工艺形成，所以第一结构101、第二结构102和第三结构103的材料分别为钛、铝、钛。在后续湿刻刻蚀形成阳极120(阳极120通常为依次层叠的ITO、Ag、ITO三层结构)时，阻断结构100会与湿刻的刻蚀液接触，并与刻蚀液中的金属离子发生置换反应生成金属颗粒(比如第二结构102的材料金属铝与刻蚀液中的银离子发生置换反应，生成银颗粒)，该金属颗粒会可能会转移至显示区，从而导致前面所述的部分像素发光异常(产生暗点)等不良现象。
基于上述问题，发明人研究发现，采用无机氧化物制作阻断结构，可以避免金属颗粒的产生，进而避免部分像素产生暗点的不良现象。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供了一种制作显示背板的方法。根据本发明的实施例，参照图3，制作显示背板的方法包括：
S100：提供薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板具有挖孔区S，挖孔区S用于形成通孔。
在一些实施例中，参照图4，薄膜晶体管阵列基板的具体结构包括衬底10，设置在衬底10表面上的有源层50，设置在衬底10的表面上且覆盖有源层50的第一栅绝缘层20，设置在第一栅绝缘层20远离衬底10的表面上的第一栅极60，设置在第一栅绝缘层20的表面上且覆盖第一栅极60的第二栅绝缘层30，设置在第二栅绝缘层30远离衬底的表面上的第二栅极70，设置在第二栅绝缘层30远离衬底10的表面上且覆盖第二栅极70的层间介质层40，设置在层间介质层40远离衬底10的表面上的源极80和漏极90，其中源极80和漏极90分别通过过孔与有源层50接触连接。本领域技术人员可以理解，上述结构的薄膜晶体管阵列基板只是一些实施例中的具体结构，并非是对本发明的薄膜晶体管阵列基板具体结构的限定。
其中，形成上述各层结构的材料和方法没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，形成衬底10的材料包括但不限于玻璃、聚酰亚胺等；形成第一栅绝缘层20、第二栅绝缘层30和层间介质层40的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；形成有源层的材料包括但不限于非晶硅、低温多晶硅、聚噻吩、六噻吩、铟镓锌氧化物(非晶IGZO)等材料；形成第一栅极60和第二栅极70的材料包括但不限于银、铝、铜、钼、ITO、AZO等材料；上述源极80和漏极90可以为单层结构，也可以为多层结构，如图4所示，源极80和漏极90均由三层层叠设置的结构构成，在一些实施例中，该三层结构的材料分别为钛、铝、钛。
进一步的，薄膜晶体管阵列基板还可以包括阻挡层和缓冲层，其中阻挡层设置在衬底靠近有源层的表面上，缓冲层设置在阻挡层远离衬底的表面上。如此，可以进一步提升显示背板的使用性能。其中，形成阻挡层的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅等材料，形成缓冲层的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
S200：在薄膜晶体管阵列基板的表面上(即图4和图5中层间介质层40远离衬底10的表面上)形成第一有机隔离柱151，且第一有机隔离柱151位于挖孔区S的外侧，结构示意图参照图5。
其中，第一有机隔离柱的具体形状、形成方法和具体材料没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，比如第一有机隔离柱的具体形状可以为三棱柱状、四棱柱状、六棱柱状等形状；形成第一有机隔离柱的材料包括但不限于亚克力；形成第一有机隔离柱的具体方法包括：先通过气相沉积、或涂覆等方法形成一整层有机层，之后通过干刻或灰化进行图案化，得到第一有机隔离柱，在这过程中无需使用湿刻刻蚀，进而可以避免金属颗粒的产生，进而避免造成暗点不良。
S300：形成无机氧化物阻断结构160，无机氧化物阻断结构160覆盖第一有机隔离柱151远离薄膜晶体管阵列基板的至少一部分表面、第一有机隔离柱151远离挖孔区S的侧面，以及薄膜晶体管阵列基板的部分表面(即图5中层间介质层40远离衬底10的表面上，本领域技术人员可以理解，此处是指的第一有机隔离柱151远离挖孔区S一侧且与挖孔区S紧挨着设置的部分薄膜晶体管阵列基板的表面)，结构示意图参照图6。由此，在由无机材料形成的无机氧化物阻断结构的形成过程中无需采用湿刻刻蚀，采用干刻刻蚀即可，而且在后续湿刻可使形成阳极时，无机氧化物阻断结构也不会刻蚀液发生副反应，从而避免产生金属颗粒(比如银颗粒)等副产物，进而可以避免由金属颗粒而造成的部分像素发光异常(暗点)的不良现象。
根据本发明的实施例，为了更好的防止水氧蔓延至挖孔区周围的显示区内，参照图7，制作显示背板的方法还包括：在薄膜晶体管阵列基板的表面上形成与第一有机隔离柱151间隔设置的第二有机隔离柱152，且第二有机隔离柱152位于第一有机隔离柱151远离挖孔区S的一侧，其中，无机氧化物阻断结构160覆盖第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152的至少一部分表面、第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152之间暴露的薄膜晶体管阵列基板的表面以及第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152相对设置的两个侧面。由此，可以在无机氧化物阻断结构的两侧均可以将后续在此处形成的有机EL发光材料层隔断开，以防水氧由此处形成的有机EL发光材料层蔓延至显示区。
根据本发明的实施例，第一有机隔离柱和第二有机隔离柱的高度为1.0～1.5微米，比如1.0微米、1.2微米、1.3微米、1.4微米、1.5微米。由此，可以得到适宜高度的无机氧化物阻断结构，进而有效地将有机EL发光材料层隔断开；若高度小于1.0微米，则无机氧化物阻断结构的顶壁和底壁之间的间距较小，可能无法起到完全阻断有机EL发光材料层(其厚度约为0.2微米)的效果；若高度大于1.5微米，则无机氧化物阻断结构的稳定性相对较差。
其中，第二有机隔离柱的具体形状、形成方法、形成材料等要求与第一有机隔离柱的上述要求相同，在此不再一一赘述。
S400：去除第一有机隔离柱151(参照图8)，或去除第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152(参照图9)。
根据本发明的实施例，通过灰化工艺去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱。由此，由此，采用灰化工艺，不会引入金属颗粒等副产物，而且可以通过控制工艺参数，在灰化的过程中不会伤害到无机氧化物阻断结构。
根据本发明的实施例，所述灰化工艺满足以下条件至少之一：采用氧气作为工作气体；气流量为500～1500sccm(比如500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm、1200sccm、1300sccm、1400sccm、1500sccm)；气压为3～15mTorr(比如为3mTorr、5mTorr、7mTorr、9mTorr、11mTorr、13mTorr、15mTorr)，射频功率中，Source功率为10～20kW(比如10kW、12kW、14kW、16kW、18kW、20kW)，Bias功率为0kW。由此，仅采用氧气作为工作气体，可以有效降低或避免灰化工艺对无机氧化阻断结构的损伤，而上述气流量、气压和功率可以有效的保证将隔离柱灰化去除，Bias功率为0kW，可以进一步降低物理性刻蚀(即灰化工艺)对无机氧化阻断结构的损伤。其中，进行灰化工艺的灰化设备可采用与进行干刻刻蚀相同的设备，只是工艺参数不同，其中，本领域技术人员熟知，Source功率和Bias功率是灰化设备中的两种功率。
根据本发明的实施例，上述制作显示背板的方法中，无机氧化物阻断结构的形成，在后续形成通孔之后，可以有效地阻断通孔边缘的有机EL发光材料层从环境中吸收的水氧扩散至显示区的有机EL发光材料层，进而避免显示区出现黑斑等不良现象；而且，在无机材料形成的无机氧化物阻断结构的形成过程中，以及由有机材料形成的第一有机隔离柱的形成和去除的过程中均不会产生金属颗粒(比如银颗粒)等副产物，进而可以避免由金属颗粒而造成的部分像素发光异常(暗点)的不良现象；再者，上述制备方法简单，工艺成熟，便于工业化生产，且成品率较高，不会增加制作成本和工艺时长。
根据本发明的实施例，参照图10(图中以包括第一有机隔离柱和第二有机隔离柱为例)，无机氧化物阻断结构与显示背板中的覆盖薄膜晶体管的无机绝缘层(PVX)通过一次构图工艺形成。由此，无机氧化物阻断结构与显示背板中的固有结构同工艺形成，如此不会增加制作显示背板的工艺步骤和制作时长。
根据本发明的实施例，参照图10和图11，形成无机氧化物阻断结构和去除第一有机隔离柱和第二有机隔离柱的步骤包括：
S310：在薄膜晶体管阵列基板的表面上形成阻断层161，且阻断层161覆盖第一有机隔离柱151和/或第二有机隔离柱152，具体的，阻断层161覆盖第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152远离薄膜晶体管阵列基板的表面，以及第一有机隔离柱151和第二有机隔离柱152的侧面；
S320：在阻断层161的表面上形成图案化的光刻胶170；
S330：对未被光刻胶覆盖的阻断层161进行蚀刻，得到无机氧化物阻断结构160和无机绝缘层162。其中，无机绝缘层的设置，可以保护薄膜晶体管中的源漏极在后续的制作工艺中不被水氧或刻蚀液侵蚀；
S340：在去除所述光刻胶170之前，去除第一有机隔离柱151和/或第二有机隔离柱152(即先去除第一有机隔离柱151和/或第二有机隔离柱152，再去除光刻胶170)，结构示意图参照图11(图11中以包括第一有机隔离柱和第二有机隔离柱为例)。由此，在灰化去除隔离柱的过程中，光刻胶的存在可以有效保护显示区的结构不受损伤。
根据本发明的实施例，参照图12(图12中以包括第一有机隔离柱和第二有机隔离柱为例)，制作显示背板的方法还包括：形成平坦层110，平坦层110设置在无机绝缘层162远离衬底10的一侧；形成阳极120，阳极120设置在平坦层110远离衬底10的一侧，并通过过孔与漏极90或源极80电连接；形成像素界定层140，像素接顶层140设置在阳极120远离衬底10的一侧，并具有开口；形成有机EL发光材料层130，有机EL发光材料层130设置在开口中、无机氧化物阻断结构160远离衬底10的表面上、以及氧化物阻断结构160两侧的薄膜晶体管阵列基板的部分表面上。由图12可以看出，无机氧化物阻断结构160的设置，可以将挖孔区S和显示区AA的有机EL发光材料层130阻隔开，以避免挖孔区S周围的有机EL发光材料层130吸收环境的水氧之后将其蔓延至显示区的有机EL发光材料层130。
在本发明的实施例中，形成无机氧化物阻断结构160的材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机氧化物。由此，上述材料来源广泛，成本较低，而且，稳定较好，在灰化去除隔离柱时，可以保持较佳的稳定性。
根据本发明的实施例，制作显示背板的步骤还包括形成阴极、封装薄膜层(图中未示出)等结构的步骤，在形成封装薄膜层之后，利用激光沿挖孔区S的边缘(即图12中无机氧化物阻断结构160与挖孔区S之间的虚线)进行激光切割，将挖孔区S挖掉，以形成通孔。形成通孔之后，通孔边缘的有机EL发光材料层容易吸收环境中的水氧，但是本申请的阻断结构可以将通孔边缘的有机EL发光材料层与显示区AA中的有机EL发光材料层隔断，进而避免了水氧的扩散，以保证显示背板良好的显示质量。
根据本发明的实施例，通孔180的具体形状没有限制要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活设置。在一些实施例中，通孔180的具体形状包括但不限于圆形通孔(参照图13，图13中AA表示显示区，190即为通孔180的周围区域(即通孔的外侧)，用于设置无机氧化物阻断结构160的区域)、方形通孔、三角形通孔椭圆形通孔等各种形状。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种由前面所述方法制作的显示背板。根据本发明的实施例，参照图13和图14(图14为图13中沿BB’的截面图)，显示背板包括：薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板具有通孔180；无机氧化物阻断结构160，无机氧化物阻断结构160设置在薄膜晶体管阵列基板的表面上，且位于通孔180的周围(即位于显示区AA和通孔180之间)，其中，无机氧化物阻断结构160包括依次连接的第一阻断顶壁1611、第一侧壁1613和底壁1612，第一阻断顶壁1611和底壁1612在垂直方向上间隔设置，且底壁1612位于薄膜晶体管阵列基板的表面上，第一阻断顶壁1611在水平方向上由第一侧壁1613远离底壁1612的一端向远离底壁1612的方向延伸。由此，上述无机氧化物阻断结构的设置，在第一阻断顶壁1611处可以有效地阻断通孔周围的有机EL发光材料吸收环境中的水氧蔓延到显示区，进而避免显示区出现黑斑等不良现象；而且，可以避免部分像素发光异常(暗点)的不良现象。
根据本发明的实施例，参照图15，无机氧化物阻断结构160还包括：第二侧壁1614，第二侧壁1614的一端与底壁1612远离第一侧壁1613的一端连接；第二阻断顶壁1615，第二阻断顶壁1615与第二侧壁1614远离底壁1612的一端连接，且在垂直方向上与底壁1612间隔设置，在水平方向上由第二侧壁1614另一端向远离底壁1612的方向延伸。由此，在第二阻断顶壁1615和第以阻断顶壁1611均可以阻断水氧的蔓延，进而更有保障第地防止水氧蔓延至显示区。
在一些实施例中，参照图14和15，薄膜晶体管阵列基板的具体结构包括衬底10，设置在衬底10表面上的有源层50，设置在衬底10的表面上且覆盖有源层50的第一栅绝缘层20，设置在第一栅绝缘层20远离衬底10的表面上的第一栅极60，设置在第一栅绝缘层20的表面上且覆盖第一栅极60的第二栅绝缘层30，设置在第二栅绝缘层30远离衬底的表面上的第二栅极70，设置在第二栅绝缘层30的表面上且覆盖第二栅极70的层间介质层40，设置在层间介质层40远离衬底10的表面上的源极80和漏极90，其中源极80和漏极90分别通过过孔与有源层50接触连接。本领域技术人员可以理解，上述结构的薄膜晶体管阵列基板只是一些实施例中的具体结构，并非是对本发明的薄膜晶体管阵列基板具体结构的限定。
本领域技术人员可以理解，该显示背板可以通过前面所述的制作显示背板的方法制作得到，其中，对无机氧化物阻断结构、薄膜晶体管阵列基板等结构的要求与前面所述的一致，在此不再一一赘述。
根据本发明的实施例，参照图16，显示背板还包括：平坦层110，平坦层110设置在无机绝缘层162远离衬底10的一侧；阳极120，阳极120设置在平坦层110远离衬底10的一侧，并通过过孔与漏极90或源极80电连接；像素界定层140，像素接顶层140设置在阳极120远离衬底10的一侧，并具有开口；有机EL发光材料层130，有机EL发光材料层130设置在开口中、无机氧化物阻断结构160远离衬底10的表面上、以及氧化物阻断结构160两侧的薄膜晶体管阵列基板的部分表面上。由图16可以看出，无机氧化物阻断结构160的设置，可以将通孔180边缘的有机EL发光材料层130和显示区AA的有机EL发光材料层130阻隔开，以避免通孔180周围的有机EL发光材料层130吸收环境的水氧之后将其扩散至显示区的有机EL发光材料层130。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，所述显示装置包括前面所述的显示背板。由此，该显示装置显示效果较佳，显示区不易出现黑斑或部分像素发光异常等不良现象。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再详细赘述。
根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择，比如，该显示装置的具体种类包括但不限于手机、电视、笔记本、iPad、游戏机、kindle等一切具有显示功能的设备和装置。
本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的显示背板，还包括常规显示装置所必备的结构或部件，以手机为例，除了显示背板，还包括玻璃盖板、壳体、触控模组、音频模组、照相模组CPU等必备的结构或部件。
文中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (9)
1.一种制作显示背板的方法，其特征在于，包括：
S100：提供薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有挖孔区，所述挖孔区用于形成通孔；
S200：在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成第一有机隔离柱，且所述第一有机隔离柱位于所述挖孔区的外侧；
S300：形成无机氧化物阻断结构，所述无机氧化物阻断结构覆盖所述第一有机隔离柱远离所述薄膜晶体管阵列基板的至少一部分表面、所述第一有机隔离柱远离所述挖孔区的侧面，以及所述薄膜晶体管阵列基板的部分表面；
S400：去除所述第一有机隔离柱，
还包括：在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成与所述第一有机隔离柱间隔设置的第二有机隔离柱，且所述第二有机隔离柱位于所述第一有机隔离柱远离所述挖孔区的一侧，
其中，所述无机氧化物阻断结构覆盖所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的至少一部分表面、所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱之间暴露的所述薄膜晶体管阵列基板的表面以及所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱相对设置的两个侧面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S400中，还包括去除所述第二有机隔离柱，其中，通过灰化工艺去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰化工艺满足以下条件至少之一：
采用氧气作为工作气体；
气流量为500～1500sccm；
气压为3～15mTorr，
射频功率中，Source功率为10～20kW，Bias功率为0kW。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机氧化物阻断结构与所述显示背板中的覆盖薄膜晶体管的无机绝缘层通过一次构图工艺形成。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述无机氧化物阻断结构和去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的步骤包括：
在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上形成阻断层，且所述阻断层覆盖所述第一有机隔离柱和/或所述第二有机隔离柱；
在所述阻断层的表面上形成图案化的光刻胶；
对未被所述光刻胶覆盖的所述阻断层进行蚀刻，得到所述无机氧化物阻断结构和所述无机绝缘层；
在去除所述光刻胶之前，去除所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一有机隔离柱和所述第二有机隔离柱的高度为1.0～1.5微米。
7.一种由权利要求1～6中任一项所述方法制作的显示背板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有通孔；
无机氧化物阻断结构，所述无机氧化物阻断结构设置在所述薄膜晶体管阵列基板的表面上，且位于所述通孔的周围，其中，所述无机氧化物阻断结构包括依次连接的第一阻断顶壁、第一侧壁和底壁，所述第一阻断顶壁和所述底壁在垂直方向上间隔设置，且所述底壁位于所述薄膜晶体管阵列基板的表面上，所述第一阻断顶壁在水平方向上由所述第一侧壁远离所述底壁的一端向远离所述底壁的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的显示背板，其特征在于，所述无机氧化物阻断结构还包括：
第二侧壁，所述第二侧壁的一端与所述底壁远离所述第一侧壁的一端连接；
第二阻断顶壁，所述第二阻断顶壁与所述第二侧壁远离所述底壁的一端连接，且在垂直方向上与所述底壁间隔设置，在水平方向上由所述第二侧壁另一端向远离所述底壁的方向延伸。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的显示背板。
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