CN111725266A - 一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法,所述显示面板包括阵列基板和设置在所述阵列基板上的发光功能层;所述显示面板具有显示区以及与所述显示区相邻设置的传感器采光区;所述阵列基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管阵列;所述发光功能层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述薄膜晶体管阵列与所述发光功能层电连接。本申请提供的显示面板在不开孔的前提下,既能实现屏下识别技术也能实现全面屏显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法。
背景技术
随着科技的不断发展,显示技术领域也一直在持续更新。而采用柔性基板制成的柔性器件有望成为下一代光电子器件的主流设备。全面屏,作为一种全新的显示,由于极高的屏占比,给人们带来全新的视觉体验和感官冲击,成为显示厂商竞相追求的目标。
随着技术的进步,屏下指纹或人脸识别技术解决了Home实体键的隐藏;但是屏下摄像头,当前主流的设计还是U/O CUT,即在实际应用过程中,通常需要在柔性有机发光显示器上形成安装孔。一般的,在显示面板的有效显示区外的非显示区域设置安装孔,这种方式需要将整个摄像头区域的膜层进行开孔,一方面,开孔过程涉及到繁琐的制程,且开孔时切割残留的碳粉易造成临近有效显示区显示不良,造成成品良率低下;另一方面,在非显示区开孔的设计,使得显示区的面积减小,无法实现真正的全面屏。
发明内容
本申请提供一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法,可以避免在显示面板上开孔,在实现屏下识别技术的同时实现全面屏显示。
本申请提供一种显示面板,包括阵列基板和设置在所述阵列基板上的发光功能层;所述显示面板具有显示区以及与所述显示区相邻设置的传感器采光区;
所述阵列基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管阵列;所述发光功能层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述薄膜晶体管阵列与所述发光功能层电连接。
可选的,所述薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,且所述第二薄膜晶体管靠近所述传感器采光区设置;所述发光功能层包括位于所述显示区的第一发光单元和位于所述传感器采光区的第二发光单元;
所述第一薄膜晶体管与所述第一发光单元电连接;所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
可选的,所述显示面板还包括位于所述第二薄膜晶体管上且与所述第二薄膜晶体管电连接的透明电极;所述透明电极从所述显示区延伸至所述传感器采光区,并与所述第二发光单元电连接。
可选的,所述显示面板还包括衬底基板;所述衬底基板包括第一有机层和依次设置在所述第一有机层上的无机层和第二有机层;所述阵列基板和所述发光功能层依次设置在所述第二有机层上;
所述第一有机层位于所述显示区,且所述第一有机层的材料包括黄色聚酰亚胺;所述第二有机层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述第二有机层的材料包括透明聚酰亚胺;所述无机层位于所述显示区和所述传感器采光区。
可选的,所述阵列基板的所述传感器采光区包括多层堆叠设置的无机绝缘层。
本申请还提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板具有显示区以及与所述显示区相邻设置的传感器采光区;
所述制作方法包括以下步骤:
制作阵列基板;其中,所述阵列基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管阵列;
在所述阵列基板上制作发光功能层;其中,所述发光功能层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述薄膜晶体管阵列与所述发光功能层电连接。
可选的,所述薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,且所述第二薄膜晶体管靠近所述传感器采光区设置;所述发光功能层包括位于所述显示区的第一发光单元和位于所述传感器采光区的第二发光单元;
所述第一薄膜晶体管与所述第一发光单元电连接;所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
可选的,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述第二薄膜晶体管和所述第二发光单元之间设置透明电极,以实现所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
可选的,所述制作方法还包括以下步骤:
提供玻璃衬底;
在所述玻璃衬底上形成第一有机层;所述第一有机层的材料包括黄色聚酰亚胺;
在所述第一有机层上形成无机层;所述无机层的材料包括氧化硅和氮化硅中的任意一种;
在所述水氧阻隔层上形成第二有机层;所述第二有机层的材料包括透明聚酰亚胺;所述阵列基板和所述发光功能层依次设置在所述第二有机层上;
去除所述玻璃衬底以及位于所述传感器采光区的第一有机层。
本申请还提供一种显示装置,包括以上所述显示面板,以及设置在所述显示面板的背部的光学传感器;所述光学传感器对应所述传感器采光区设置。
本申请提供的显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法中,显示面板具有显示区和传感器采光区,在显示区和传感器采光区均设有用于发光显示的发光功能层,且将阵列基板中用于控制发光功能层发光显示的薄膜晶体管阵列均设置在显示区,避免在传感器采光区中设置具有遮光作用的金属层和半导体层,提高了传感器采光区的透光效果,使得传感器采光区不需要开孔就可以实现良好的透光功能,避免了开孔导致显示区显示不良,有利于实现屏下识别技术并提高显示面板的良率;并且,显示区和传感器采光区都可以用于显示,可以实现全面屏显示;因此,本申请提供的显示面板在不开孔的前提下,既能实现屏下识别技术也能实现全面屏显示。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图。
图2为图1提供的第一薄膜晶体管的结构示意图。
图3为图1提供的第二薄膜晶体管的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制作方法中制作的衬底基板的结构示意图。
图7为在图6的基础上制作的阵列基板的结构示意图。
图8为在图7的基础上制作的透明电极的结构示意图。
图9为在图8的基础上制作的发光功能层的结构示意图。
图10为在图9的基础上制作的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1至图3所示,本申请实施例提供了一种显示面板1,显示面板1包括衬底基板2,以及依次设置在衬底基板2上的阵列基板3和发光功能层4;显示面板1具有显示区5以及与显示区5相邻设置的传感器采光区6;其中,阵列基板3包括位于显示区5的薄膜晶体管阵列7,以及位于传感器采光区6的多层堆叠设置的无机绝缘层8;发光功能层4位于显示区5和传感器采光区6,且薄膜晶体管阵列7与发光功能层4电连接。
具体的,可以在显示面板1的背部(也就是衬底基板2远离阵列基板3的一侧)对应传感器采光区6设置光学传感器,则光学传感器通过显示面板1的传感器采光区6可以采集光学信号,从而实现屏下光学识别技术。光学传感器包括摄像头、指纹识别传感器、人脸识别传感器或其他传感器。
具体的,薄膜晶体管阵列7包括第一薄膜晶体管9和第二薄膜晶体管10,且第二薄膜晶体管10靠近传感器采光区6设置;发光功能层4包括位于显示区5的第一发光单元11和位于传感器采光区6的第二发光单元12;第一薄膜晶体管9与第一发光单元11电连接,控制第一发光单元11在显示区5发光显示;第二薄膜晶体管10与第二发光单元12电连接,控制第二发光单元12在传感器采光区6发光显示,有利于实现全面屏显示。第一薄膜晶体管9和第一发光单元11的数量相同,且数量为多个,多个第一薄膜晶体管9和多个第一发光单元11一一对应电连接;第二薄膜晶体管10和第二发光单元12的数量相同,且数量为多个,多个第二薄膜晶体管10和多个第二发光单元12一一对应电连接。需要说明的是,本实施例中以一个第一薄膜晶体管9、一个第二薄膜晶体管10以及对应的第一发光单元11和第二发光单元12为例进行具体说明。
具体的,阵列基板3的显示区5包括覆盖在衬底基板2上的缓冲层13,位于缓冲层13上且间隔设置的第一半导体单元14和第二半导体单元15,覆盖在缓冲层13、第一半导体单元14和第二半导体单元15上的第一栅极绝缘层16,位于第一栅极绝缘层16上且分别对应第一半导体单元14和第二半导体单元15设置的第一栅极17和第二栅极18,覆盖在第一栅极绝缘层16、第一栅极17和第二栅极18上的第二栅极绝缘层19,位于第二栅极绝缘层19上且分别对应第一栅极17和第二栅极18设置的第三栅极20和第四栅极21,覆盖在第二栅极绝缘层19、第三栅极20和第四栅极21上的层间绝缘层22,设置在层间绝缘层22上且分别通过第一过孔23和第二过孔24与第一半导体单元14的两侧电连接的第一源极25和第一漏极26,以及设置在层间绝缘层22上且分别通过第三过孔27和第四过孔28与第二半导体单元15的两侧电连接的第二源极29和第二漏极30。
具体的,第一半导体单元14和第二半导体单元15的两侧还可以设置欧姆接触单元31,欧姆接触单元31可以采用在第一半导体单元14两侧以及第二半导体单元15两侧进行重掺杂的方式形成;第一源极25和第一漏极26分别与第一半导体单元14两侧的欧姆接触单元31连接,第二源极29和第二漏极30分别与第二半导体单元15两侧的欧姆接触单元31连接。
其中,第一半导体单元14、第一栅极17、第三栅极20、第一源极25和第一漏极26构成第一薄膜晶体管9;第二半导体单元15、第二栅极18、第四栅极21、第二源极29和第二漏极30构成第二薄膜晶体管10。并且,阵列基板3的显示区5中的缓冲层13、第一栅极绝缘层16、第二栅极绝缘层19和层间绝缘层22均延伸至传感器采光区6,构成多层堆叠设置的无机绝缘层8。需要说明的是,与第一薄膜晶体管9和第二薄膜晶体管10中的半导体单元、栅极、源极和漏极同层设置的半导体层和金属层均设置在显示区5,阵列基板3的传感器采光区6不设置具有遮光作用的半导体层和金属层,有利于提高传感器采光区6的透光性。
具体的,缓冲层13、第一栅极绝缘层16、第二栅极绝缘层19和层间绝缘层22的材料包括氧化硅和氮化硅中的任意一种,有利于提高透光性。第一薄膜晶体管9和第二薄膜晶体管10的结构和材料相同,当然,也可以不完全相同,此处不做限制。
当然,第一薄膜晶体管9和第二薄膜晶体管10的结构还可以是底栅型薄膜晶体管,栅极还可以为单层栅极,此处不做限制。
具体的,显示面板1还包括位于第二薄膜晶体管10上且与第二薄膜晶体管10电连接的透明电极32;透明电极32从显示区5延伸至传感器采光区6,并与第二发光单元12电连接;透明电极32的材料包括氧化铟锡(ITO)。
具体的,阵列基板3还包括覆盖在层间绝缘层22、第一源极25、第一漏极26、第二源极29以及第二漏极30上的平坦层33;在显示区5,平坦层33包括分别对应第一漏极26和第二漏极30设置的第一阳极连接孔34和第二阳极连接孔35;在传感器采光区6,平坦层33包括阳极连接槽36以及与阳极连接槽36相邻设置的平坦层单元37;阳极连接槽36向显示区5延伸且与第二阳极连接孔35连通。透明电极32包括设置在第一阳极连接孔34的第一透明电极单元38,设置在第二阳极连接孔35和阳极连接槽36的第二透明电极单元39,以及设置在平坦层单元37上的第三透明电极单元40;且第一透明电极单元38延伸至平坦层33表面上,第二透明电极单元39与第三透明电极单元40连接。在一实施例中,第一透明电极单元38的表面与第三透明电极单元40的表面在同一平面上。
需要说明的是,为了提高传感器采光区6的透光性,位于传感器采光区6的平坦层33在形成阳极连接槽36和平坦层单元37的基础上,其他区域可以做镂空处理或挖空处理。
具体的,第一发光单元11包括依次设置在第一透明电极单元38上的第一阳极41、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极;第二发光单元12包括依次设置在第三透明电极单元40上的第二阳极42、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二第一发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极。第一薄膜晶体管9的第一漏极26通过第一透明电极单元38与第一发光单元11的第一阳极41电连接,第二薄膜晶体管10的第二漏极30通过第二透明电极单元39和第三透明电极单元40与第二发光单元12的第二阳极42电连接。需要说明的是,第一发光单元11和第二发光单元12的结构和材料均可以相同,当然,第一发光层和第二发光层的发光材料可以不同,此处不做限制。
需要说明的是,第一阳极41和第二阳极42的材料包括金属银或氧化铟锡;当第一阳极41和第二阳极42的材料为氧化铟锡时,可以采用第一透明电极单元38作为第一阳极41,且采用第三透明电极单元40作为第二阳极42,可以节省一道制程,有利于节省成本以及提高生产效率。
具体的,发光功能层4还包括位于平坦层33上的像素定义层43;像素定义层43对应第一阳极41设有第一像素开口,对应第二阳极42设有第二像素开口,且像素定义层43部分覆盖在第一阳极41和第二阳极42上;第一发光单元11的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极位于第一像素开口中;第二发光单元12的第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极位于第二像素开口中。第一发光单元11可以发红光、绿光或蓝光;第二发光单元12也可以发红光、绿光或蓝光。
需要说明的是,为了提高传感器采光区6的透光性,位于传感器采光区6的像素定义层43可以做镂空处理,仅保留第二像素开口周围的像素定义层。
具体的,衬底基板2包括第一有机层46和依次设置在第一有机层46上的无机层47和第二有机层48;且阵列基板3和发光功能层4依次设置在第二有机层48上;其中,第一有机层46位于显示区5,且第一有机层46的材料包括黄色聚酰亚胺(Yellow Polyimide,YPI),第一有机层46的厚度范围为6-10微米,由于YPI材料具有耐高温(通常可到500℃)、低热膨胀系数(CTE=3ppm/℃)、优异的机械强度以及耐弯折性等优势,可以提高显示面板1的可靠性;第二有机层48位于显示区5和传感器采光区6,且第二有机层48的材料包括透明聚酰亚胺(CPI),第二有机层48的厚度范围为6-10微米,由于CPI材料具有较好的光学透过性(λoff=365nm),有利于提高传感器采光区6的透光性;无机层47位于显示区5和传感器采光区6,且无机层47的材料包括氧化硅或氮化硅,可以阻挡水氧。
需要说明的是,若仅采用CPI材料作为柔性衬底基板,可以有效的保证传感器采光区的透光性能,但是,由于CPI材料的热膨胀系数(CTE=20ppm/℃)大,且机械性能弱,厚度大的CPI衬底基板进行后高温制程时,易出现应力不匹配而脱落的问题,而厚度较小的CPI衬底基板性能较差,影响器件可靠性;而YPI材料具有耐高温、低热膨胀系数、优异的机械强度以及耐弯折性等优势,但是YPI成膜后颜色一般为浅黄色到深棕色(依不同单体而不同),导致可见光区短波段透过率接近0(λoff=410nm),不进行开孔时,传感器采光区成像时短波长的光会损失,造成成像失真;因此,本实施例采用YPI材料的第一有机层和CPI材料的第二有机层结合的方式制作衬底基板,使传感器采光区仅保留一层厚度较小的第二有机层;既保证了显示面板的可靠性,又保证了传感器采光区的光透过率,同时,由于YPI材料的价格较低,大大节省了生产成本。
具体的,显示面板1还包括覆盖在阵列基板3和发光功能层4上的封装层44;封装层44可以是薄膜封装层,即包括覆盖在阵列基板3和发光功能层4上的第一无机封装层、位于第一无机封装层上的有机封装层、以及位于第一无机封装层和有机封装层上的第二无机封装层。
本实施例中,显示面板1具有显示区5和传感器采光区6,在显示区5和传感器采光区6均设有用于发光显示的发光功能层4,且将阵列基板3中用于控制发光功能层4发光显示的薄膜晶体管阵列7均设置在显示区5,避免在传感器采光区6中设置具有遮光作用的金属层和半导体层,提高了传感器采光区6的透光效果,使得传感器采光区6不需要开孔就可以实现良好的透光功能,避免了开孔导致显示区显示不良,有利于实现屏下识别技术并提高显示面板1的良率;并且,显示区5和传感器采光区6都设有发光功能层4,实现了全面屏显示;因此,本申请提供的显示面板1在不开孔的前提下,既能实现屏下识别技术也能实现全面屏显示。
如图4所示,本申请实施例还提供了一种显示装置49,显示装置49包括上述实施例中的显示面板1,以及设置在显示面板1的背部的光学传感器50;光学传感器50对应传感器采光区6设置。
具体的,光学传感器50包括摄像头、指纹识别传感器、人脸识别传感器或其他传感器。
本实施例中,显示面板1具有显示区5和传感器采光区6,在显示区5和传感器采光区6均设有用于发光显示的发光功能层4,且将阵列基板3中用于控制发光功能层4发光显示的薄膜晶体管阵列7均设置在显示区5,避免在传感器采光区6中设置具有遮光作用的金属层和半导体层,提高了传感器采光区6的透光效果,使得传感器采光区6不需要开孔就可以为光学传感器50提供有效的光学信号,避免了开孔导致显示区显示不良,实现了屏下识别技术并提高了显示装置49的良率;并且,显示区5和传感器采光区6都设有发光功能层4,可以实现显示装置49全面屏显示;因此,本申请提供的显示装置49在不开孔的前提下,既能实现屏下识别技术也能实现全面屏显示。
本申请实施例还提供了一种显示面板的制作方法,显示面板具有显示区以及与显示区相邻设置的传感器采光区;如图5所示,显示面板的制作方法包括以下步骤:
步骤S501:制作阵列基板;其中,阵列基板包括位于显示区的薄膜晶体管阵列。
具体的,如图1所示,薄膜晶体管阵列7包括第一薄膜晶体管9和第二薄膜晶体管10,且第二薄膜晶体管10靠近传感器采光区6设置。
具体的,如图6所示,步骤S501之前,制作方法还包括以下步骤:
提供玻璃衬底45;
采用涂布的方法在玻璃衬底45上形成第一有机层46;其中,第一有机层46的材料包括黄色聚酰亚胺,第一有机层46的厚度范围为6-10微米;
采用CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)工艺在第一有机层46上形成无机层47;无机层47的材料包括氧化硅和氮化硅中的任意一种;
在水氧阻隔层上形成第二有机层48;第二有机层48的材料包括透明聚酰亚胺,第二有机层48的厚度范围为6-10微米。
具体的,如图2、图3和图7所示,步骤S501,包括以下步骤:
采用CVD工艺在第二有机层48上形成缓冲层13;
在缓冲层13上形成非晶硅(a-Si)层;并对非晶硅层进行去氢、HF(氟化氢)处理、ELA(准分子激光退火)等制程后形成多晶硅(P-Si)层;
采用PEP(Photolithography and Etching Process,光刻和腐蚀工艺)对多晶硅层进行图案化处理,在显示区5形成间隔设置的第一半导体单元14和第二半导体单元15,且将传感器采光区6的多晶硅层全部去除;并对第一半导体单元14的两侧和第二半导体单元15的两侧进行掺杂处理,形成欧姆接触单元31;
采用CVD工艺形成覆盖缓冲层13、第一半导体单元14和第二半导体单元15的第一栅极绝缘层16;
采用PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)工艺在第一栅极绝缘层16上形成第一金属层,并采用PEP工艺对第一金属层图案化处理,在显示区5形成分别对应第一半导体单元14和第二半导体单元15设置的第一栅极17和第二栅极18,且将传感器采光区6的第一金属层全部去除;
采用CVD工艺形成覆盖第一栅极绝缘层16、第一栅极17和第二栅极18的第二栅极绝缘层19;
采用PVD工艺在第二栅极绝缘层19上形成第二金属层,并采用PEP工艺对第二金属层图案化处理,在显示区5形成分别对应第一栅极17和第二栅极18设置的第三栅极20和第四栅极21,且将传感器采光区6的第二金属层全部去除;
在第二栅极绝缘层19、第三栅极20和第四栅极21上形成层间绝缘层22;
形成贯穿层间绝缘层22、第二栅极绝缘层19和第一栅极绝缘层16的第一过孔23、第二过孔24、第三过孔27和第四过孔28;其中,第一过孔23和第二过孔24裸露出第一半导体单元14两侧的欧姆接触单元31,第三过孔27和第四过孔28裸露出第二半导体单元15两侧的欧姆接触单元31;
在层间绝缘层22上沉积第三金属层,且第三金属层填充在第一过孔23、第二过孔24、第三过孔27和第四过孔28内与对应的欧姆接触单元31接触;并对第三金属层图案化处理,形成分别位于第一过孔23、第二过孔24、第三过孔27和第四过孔28中且部分延伸至层间绝缘层22上的第一源极25、第一漏极26、第二源极29和第二漏极30;同时,将传感器采光区6的第三金属层全部去除;第三金属层的材料包括Ti/Al/Ti合金;
在层间绝缘层22、第一源极25、第一漏极26、第二源极29以及第二漏极30上覆盖平坦层33,并对平坦层33图案化处理,在显示区5形成用以分别裸露第一漏极26和第二漏极30的第一阳极连接孔34和第二阳极连接孔35,在传感器采光区6形成与第二阳极连接孔35连通的阳极连接槽36以及与阳极连接槽36相邻设置的平坦层单元37。
具体的,第一半导体单元14、第一栅极17、第三栅极20、第一源极25和第一漏极26构成第一薄膜晶体管9;第二半导体单元15、第二栅极18、第四栅极21、第二源极29和第二漏极30构成第二薄膜晶体管10。并且,阵列基板3的显示区5中的缓冲层13、第一栅极绝缘层16、第二栅极绝缘层19和层间绝缘层22均延伸至传感器采光区6,构成多层堆叠设置的无机绝缘层8。缓冲层13、第一栅极绝缘层16、第二栅极绝缘层19和层间绝缘层22的材料包括氧化硅和氮化硅中的任意一种,有利于提高透光性。
需要说明的是,整个阵列基板制程采用低温LTPS进行,即最高制程温度在400℃左右,可以避免衬底基板脱落,有利于保证显示面板的结构的稳定性。
步骤S502:在阵列基板上制作发光功能层;其中,发光功能层位于显示区和传感器采光区,且薄膜晶体管阵列与发光功能层电连接。
具体的,如图1所示,发光功能层4包括位于显示区5的第一发光单元11和位于传感器采光区6的第二发光单元12;第一薄膜晶体管9与第一发光单元11电连接;第二薄膜晶体管10与第二发光单元12电连接。
在一实施例中,如图8所示,显示面板1的制作方法还包括以下步骤:
在第二薄膜晶体管10和第二发光单元12之间设置透明电极32,以实现第二薄膜晶体管10与第二发光单元12电连接。透明电极32的材料包括氧化铟锡。
具体的,在平坦层33上形成一层透明导电膜层,并对透明导电膜层图案化处理,形成位于第一阳极连接孔34中的第一透明电极单元38,位于第二阳极连接孔35和阳极连接槽36中的第二透明电极单元39,以及位于平坦层单元37上的第三透明电极单元40;且第一透明电极单元38延伸至平坦层33表面上,第二透明电极单元39与第三透明电极单元40连接。第一透明电极单元38、第二透明电极单元39和第三透明电极单元40构成透明电极32。第一薄膜晶体管9通过第一透明电极单元38与第一发光单元11电连接;第二薄膜晶体管10通过第三透明电极单元40与第二发光单元12电连接。
具体的,如图9所示,步骤步骤S502包括以下步骤:
在第一透明电极单元38和第三透明电极单元40上分别形成第一阳极41和第二阳极42;
在平坦层33、第一阳极41和第二阳极42上覆盖像素定义层43,并对像素定义层43图案化处理,以分别对应第一阳极41和第二阳极42形成第一像素开口和第二像素开口,且像素定义层43部分覆盖在第一阳极41和第二阳极42上;
在第一像素开口中的第一阳极41上依次制作第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极,以形成第一发光单元11;且在第二像素开口中的第二阳极42上依次制作第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极,以形成第二发光单元12;其中,第一发光单元11和第二发光单元12构成发光功能层4。
具体的,第一发光单元11可以发红光、绿光或蓝光;第二发光单元12也可以发红光、绿光或蓝光。并且,第一发光单元11和第二发光单元12的结构和材料均可以相同,当然,第一发光层和第二发光层的发光材料可以不同,此处不做限制。
具体的,如图10所示,显示面板1的制作方法还包括以下步骤:
在阵列基板3和发光功能层4上形成封装层44;其中,封装层44可以是薄膜封装层44,即包括覆盖在阵列基板3和发光功能层4上的第一无机封装层44、位于第一无机封装层44上的有机封装层44、以及位于第一无机封装层44和有机封装层44上的第二无机封装层44;
采用激光剥离(laser lift off)技术将玻璃衬底45去除;
采用激光烧灼的方式将位于传感器采光区6的第一有机层46去除。
具体的,形成的显示面板1中,第一有机层46位于显示区5,第二有机层48位于显示区5和传感器采光区6。
本实施例中,显示面板1具有显示区5和传感器采光区6,在显示区5和传感器采光区6均设有用于发光显示的发光功能层4,且将阵列基板3中用于控制发光功能层4发光显示的薄膜晶体管阵列7均设置在显示区5,避免在传感器采光区6中设置具有遮光作用的金属层和半导体层,提高了传感器采光区6的透光效果,使得传感器采光区6不需要开孔就可以实现良好的透光功能,避免了开孔导致显示区显示不良,有利于实现屏下识别技术并提高显示面板1的良率;并且,显示区5和传感器采光区6都设有发光功能层4,实现了全面屏显示;因此,本申请提供的显示面板1在不开孔的前提下,既能实现屏下识别技术也能实现全面屏显示。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板和设置在所述阵列基板上的发光功能层;所述显示面板具有显示区以及与所述显示区相邻设置的传感器采光区;
所述阵列基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管阵列;所述发光功能层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述薄膜晶体管阵列与所述发光功能层电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,且所述第二薄膜晶体管靠近所述传感器采光区设置;所述发光功能层包括位于所述显示区的第一发光单元和位于所述传感器采光区的第二发光单元;
所述第一薄膜晶体管与所述第一发光单元电连接;所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第二薄膜晶体管上且与所述第二薄膜晶体管电连接的透明电极;所述透明电极从所述显示区延伸至所述传感器采光区,并与所述第二发光单元电连接。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括衬底基板;所述衬底基板包括第一有机层和依次设置在所述第一有机层上的无机层和第二有机层;所述阵列基板和所述发光功能层依次设置在所述第二有机层上;
所述第一有机层位于所述显示区,且所述第一有机层的材料包括黄色聚酰亚胺;所述第二有机层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述第二有机层的材料包括透明聚酰亚胺;所述无机层位于所述显示区和所述传感器采光区。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板的所述传感器采光区包括多层堆叠设置的无机绝缘层。
6.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板具有显示区以及与所述显示区相邻设置的传感器采光区;
所述制作方法包括以下步骤:
制作阵列基板;其中,所述阵列基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管阵列;
在所述阵列基板上制作发光功能层;其中,所述发光功能层位于所述显示区和所述传感器采光区,且所述薄膜晶体管阵列与所述发光功能层电连接。
7.如权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,且所述第二薄膜晶体管靠近所述传感器采光区设置;所述发光功能层包括位于所述显示区的第一发光单元和位于所述传感器采光区的第二发光单元;
所述第一薄膜晶体管与所述第一发光单元电连接;所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述第二薄膜晶体管和所述第二发光单元之间设置透明电极,以实现所述第二薄膜晶体管与所述第二发光单元电连接。
9.如权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括以下步骤:
提供玻璃衬底;
在所述玻璃衬底上形成第一有机层;所述第一有机层的材料包括黄色聚酰亚胺;
在所述第一有机层上形成无机层;所述无机层的材料包括氧化硅和氮化硅中的任意一种;
在所述水氧阻隔层上形成第二有机层;所述第二有机层的材料包括透明聚酰亚胺;所述阵列基板和所述发光功能层依次设置在所述第二有机层上;
去除所述玻璃衬底以及位于所述传感器采光区的第一有机层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5任意一项所述显示面板,以及设置在所述显示面板的背部的光学传感器;所述光学传感器对应所述传感器采光区设置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010486403.7A CN111725266A (zh) | 2020-06-01 | 2020-06-01 | 一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 |
US16/980,898 US11522031B2 (en) | 2020-06-01 | 2020-06-30 | Display panel, display device, and manufacturing method of display panel |
PCT/CN2020/099277 WO2021243781A1 (zh) | 2020-06-01 | 2020-06-30 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010486403.7A CN111725266A (zh) | 2020-06-01 | 2020-06-01 | 一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111725266A true CN111725266A (zh) | 2020-09-29 |
Family
ID=72565727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010486403.7A Pending CN111725266A (zh) | 2020-06-01 | 2020-06-01 | 一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111725266A (zh) |
WO (1) | WO2021243781A1 (zh) |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110571252A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置 |
-
2020
- 2020-06-01 CN CN202010486403.7A patent/CN111725266A/zh active Pending
- 2020-06-30 WO PCT/CN2020/099277 patent/WO2021243781A1/zh active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
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