TWI514561B - 主動式矩陣有機發光二極體 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)，特別是關於一種被應用在顯示面板上，具有N型薄膜電晶體的主動式矩陣有機發光二極體。
主動式矩陣有機發光二極體(active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)是一種應用於行動裝置、電視和其它顯示面板之顯示技術，其主動式矩陣意指背板之像素定址技術。於習知技藝中，有機發光二極體(OLED)通常包含陰極層、電子傳輸層(ETL)、發光層(EML)、電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)以及陽極層。
如第1a圖所示之標準型有機發光二極體(normal OLED)，其可被製作於基板或是薄膜電晶體(TFT)上，包含電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層以及電洞注入層之層狀結構亦可稱為有機主動層。如第2a圖所示係為標準型有機發光二極體之畫素電路製作於N型薄膜電晶體上，而應用該畫素電路之影像顯示器通常具有「影像殘存」(image sticking)之缺陷。
是故，一種以相反順序製作之倒置型有機發光二極體(inverted OLED)亦被發展出來，如第1b圖所示，先在基板上形成陰極，接著以不同於標準型之相反順序製作其有機主動層，最後製作陽極於有機主動層上。如第2b圖中係為
倒置型有機發光二極體之畫素電路製作於N型薄膜電晶體上。
目前在製造倒置型有機發光二極體仍有許多技術上的困難。由於在製作順序中最先形成的陰極通常使用低功函數之材料，其化學活性高容易被氧化，而在製作順序中最後形成的陽極之濺鍍製程亦會損傷下層之有機主動層。再者，第1b圖中所示之倒置型有機發光二極體相較於第1a圖中所示的標準型有機發光二極體，需要較高的操作電壓，而較高的操作電壓會降低有機發光二極體的使用壽命。
標準型有機發光二極體和倒置型有機發光二極體皆應用在顯示面板上。如第3圖所示之典型的顯示面板，顯示面板1具有顯示區域100，且顯示區域100具有許多畫素10形成陣列。顯示區域接收由資料驅動器200傳送之資料訊號，以及由閘極驅動器300傳送之閘極線訊號。每一個畫素10陣列具有複數個彩色次畫素。如第4圖所示，畫素10陣列具有三個彩色次畫素20R、20G、20B分別接受來自資料線221、222、223以及來自閘極線231的閘極線訊號。其中資料線224是對應於下一行的畫素，而閘極線232是對應於下一列的畫素。在習知技術中每一個彩色次畫素包含如第2a圖或第2b圖中所示的一個畫素電路。
本發明之一態樣係提供一種在基板上製作有機發光二極體結構的方法，其中該基板具有一開關結構，該開關結構包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一源極、一閘極、
以及一汲極。該方法包含以下步驟：形成一第一絕緣層在該開關結構上；形成一第一電極層於部分之該第一絕緣層上；形成一第二絕緣層於該第一電極層和另一部分之該第一絕緣層上；提供一第一開口，其穿透該第二絕緣層以露出部分之該第一電極層；以及提供一第二開口，其穿透該第一絕緣層和該第二絕緣層以露出部分之該汲極；形成一有機主動層，其通過該第一開口而覆蓋於所露出的部分該第一電極層上；以及形成一第二電極層於該第二絕緣層和該有機主動層上，以使部分之該第二電極層和該有機主動層電性連接，進而與該第一電極層形成一發光二極體，而另一部分之該第二電極層透過第二開口和露出的該汲極電性連接。
根據本發明之不同實施例，該開關結構包含：一第一金屬層，配置於部分該基板上，以形成該閘極；一第三絕緣層，配置於該基板以及該第一金屬層上；一半導體層，其配置於該第一金屬層上方之部分該第三絕緣層上，以形成一通道層；以及一第二金屬層，配置於該第三絕緣層上，以分別形成該汲極和該源極在該第一金屬層上方，且該汲極和該源極分別電性連接於該通道層，在該通道層和該汲極之間、以及該通道層和該源極之間有一保護層。
根據本發明的不同實施例，該有機主動層包含：
一電子傳輸層，其相鄰於該第二電極層、一電洞傳輸層，其相鄰於該第一電極層、一發光層，其位於該電子傳輸層及該電洞傳輸層之間、以及一電洞注入層，其位於該電洞傳輸層及該第一電極層之間。
根據本發明的不同實施例，該製作有機發光二極體結構的方法更包含配置一個或多個間隙子於該第二絕緣層上。
根據本發明的一個實施例，該開關結構包含：一半導體層，配置於部分該基板上以形成一通道層；一第三絕緣層，覆蓋於該基板及該半導體層；一第一金屬層，配置於部分該第三絕緣層上，以形成該閘極；一第四絕緣層，覆蓋該第一金屬層以及其他部分之該第三絕緣層，其中一第一開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第一部分、以及一第二開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層一第二部分；以及一第二金屬層，配置於該第四絕緣層之一第一部分與一第二部分，以分別形成該汲極和該源極，且該汲極通過該第一開口而與露出的該通道層之第一部分電性連接，而該源極通過該第二開口與露出的該通道層之該第二部分電性連接。
本發明之另一態樣係提供一有機發光二極體結構，包含：一開關結構位於一基板上，其中該開關結構包含一薄
膜電晶體，該薄膜電晶體包含一源極、一閘極、以及一汲極；一第一絕緣層，配置於該開關結構上；一第一電極層，配置於部分之該第一絕緣層上；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極層和另一部分之該第一絕緣層，其中一第一開口穿透該第二絕緣層，以露出部分之該第一電極層、以及一第二開口穿透該第一絕緣層和該第二絕緣層，以露出部分之該汲極；一有機主動層，通過該第一開口而配置於露出之部分之該第一電極層上；以及一第二電極層，配置於該第二絕緣層以及該有機主動層上，以使部分之該第二電極層與該有機主動層電性連接，且另一部分之該第二電極層之透過該第二開口與露出之該汲極電性連接。
根據本發明之不同實施例，該開關結構包含：一第一金屬層，配置於部分該基板上以形成該閘極；一第三絕緣層，覆蓋該基板以及該第一金屬層；一半導體層，配置於該第一金屬層上方之部分該第三絕緣層上，以形成一通道層；以及一第二金屬層，配置於該第三絕緣層上，用以分別形成該汲極和該源極於該第一金屬層上方，該汲極和該源極分別和該通道層具有電性連接。根據本發明之不同實施例，該開關結構更包含一保護層，其位於該通道層和該汲極之間、以及該通道層和該源極之間。
根據本發明的不同實施例，該有機主動層包含：
一電子傳輸層，其鄰接於該第二電極層、一電洞傳輸層，其鄰接於該第一電極層、一發光層，其配置於該電子傳輸層及該電洞傳輸層之間、以及一電洞注入層，其配置於該電洞傳輸層及該第一電極層之間。
根據本發明之不同實施例，該有機發光二極體結構更包含一或多個間隙子，其配置於該第二絕緣層上。
根據本發明之不同實施例，該開關結構包含：一半導體層，其配置於部分該基板上以形成一通道層；一第三絕緣層，覆蓋該基板以及該半導體層；一第一金屬層，其配置於該第三絕緣層上，以形成該閘極；一第四絕緣層，覆蓋該第一金屬層以及其他部分之該第三絕緣層上，其中一第一開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第一部分、以及一第二開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第二部分；以及一第二金屬層，其配置於該第四絕緣層之一第一部分與第二部分上，以分別形成該汲極和該源極，且該汲極通過該第一開口與露出的該通道層之該第一部分電性連接，而該源極通過該第二開口與露出的該通道層之第二部分電性連接。
本發明之又一態樣係提供一種顯示面板，該顯示面板包含：一基板；以及複數個有機發光二極體結構，配置於該基板上，其中
每個該有機發光二極體結構包含：一開關結構配置於一基板上，該開關結構包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一源極、一閘極、以及一汲極；一第一絕緣層，配置於該開關結構上；一第一電極層，其配置於部分該第一絕緣層上；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極層和另一部分該第一絕緣層，其中一第一開口穿透該第二絕緣層，以露出部分之該第一電極層、以及一第二開口穿透該第一絕緣層和該第二絕緣層，以露出部分該汲極；一有機主動層，其通過該第一開口配置於露出的部分該第一電極層上；一第二電極層，配置於該第二絕緣層以及該有機主動層上，其中部分該第二電極層與該有機主動層電性連接，且另一部分該第二電極層透過該第二開口與露出的部分該汲極電性連接；以及一或多個間隙子，其位於該第二絕緣層上，其中該有機主動層包含：一電子傳輸層，其相鄰於該第二電極層；一電洞傳輸層，其相鄰於該第一電極層；一發光層，其配置於該電子傳輸層和該電洞傳輸層之間；以及一電洞注入層，其配置於該電洞傳輸層和該第一電極層之間。
根據本發明的一實施例，該開關結構包含：一第一金屬層，配置於該基板之一部分上，以形成該閘極；一第三絕緣層，覆蓋該基板和該第一金屬層；一半導體層，配置於該第一金屬層上方之部分該第三絕緣層上，以形成一通道層；一第二金屬層，配置於該第三絕緣層上，以分別形成該汲極和該源極於該第一金屬層上方，該汲極和該源極分別和該通道層具有電性連接；以及一保護層，配置於該通道層和該汲極之間、以及該通道層和該源極之間。
根據本發明之一實施例，該開關結構包含：一半導體層，配置於部分該基板上，以形成一通道層；一第三絕緣層，覆蓋該基板及該半導體層；一第一金屬層，配置於部分之該第三絕緣層上，以形成該閘極；一第四絕緣層，覆蓋該第一金屬層和其他部分之該第三絕緣層上，其中一第一開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第一部分、以及一第二開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層一第二部分；以及一第二金屬層，配置於該第四絕緣層之一第一部分與一第二部分上，以分別形成該汲極和該源極，且該汲極通過該第一開口與露出的該通道層之該第一部分電性連接，而該源極通過該第二開口與露出的該通道層之該第二部分
電性連接。
為讓本發明之上述特徵和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉比較例與實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明之目的及優點，藉由下列實施例中伴隨圖式與元件符號之詳細敘述後，將更為顯著。
為了使本發明內容之敘述更加詳盡與完備，可參照所附之圖式及以下所述各種實施例，圖式中相同之號碼代表相同或相似之元件，並且為求清楚說明，元件之大小或厚度可能誇大顯示，並未依照原尺寸作圖。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。然而，應瞭解到所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。這些實務上的細節不應用以限制本發明。
本發明中之「上」、「下」、「前」、「後」等用語，均為便於說明根據本發明之實施例中元件的相對位置或時間順序所採的描述，而非用限制之目的。而結構運作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的範圍。
本發明提供一種畫素元件之製造流程。如第2b圖所示，有機發光二極體之陰極係連接至N型電晶體之汲極(D)。如第5c圖所示，N型薄膜電晶體40包含閘極22、汲極36以及源極38。薄膜電晶體40進一步包含通道層32
以及保護層34。如第5i、5k圖所示，有機發光二極體60包含陽極層62、陰極層66以及配置於陽極層62和陰極層66之間的有機主動層64。陰極層66和N型薄膜電晶體40之汲極36電性連接。有機主動層64如第1a圖中有機發光二極體所示，有機主動層64可包含配置於陽極層上的電洞注入層(HIL)、配置於電洞注入層上的電洞傳輸層(HTL)、配置於電洞傳輸層上的發光層(EML)以及位於發光層和陰極層之間的電子傳輸層(ETL)。
相較於第2a圖中所示之畫素電路，第2b圖中所示之畫素電路其具有可以減少或消除殘影(image sticking)現象之優點。本發明所提供之畫素結構係依據第2b圖所示之畫素電路。
本發明提供一種畫素電路，其被製作於基板20上，基板20可為硬質基材或可撓式基板，硬質基材例如玻璃基板。根據本發明之實施例，第一金屬層22配置於部分之基材20上，以形成薄膜電晶體40之閘極，參見第5a圖到第5c圖。絕緣層24配置於基材20和第一金屬層22上(見第5b圖)。N型半導體層32配置於第一金屬層22之上方之部分絕緣層24上，以形成薄膜電晶體40之通道層。N型半導體層32可由例如氧化物半導體、矽半導體或有機物半導體所組成。氧化物半導體可包含氧化鋅、氧化銦、氧化鎵、氧化錫或氧化鍺等其中之一或多者。矽半導體可包含結晶型半導體或非晶型半導體。保護層34其配置於通道層32之一部分上。提供第二金屬層，其置於該絕緣層24之一部分、通道層32、以及保護層34上，以分別形成薄膜電晶
體40之汲極36以及源極38(見第5c圖)。如第5d圖所示，平坦化層50，其置於絕緣層24和薄膜電晶體40上，完全覆蓋電晶體以提供與基板20之上表面實質平行的平坦表面。平坦化層50可由有機材料、有機及無機複合材料，如矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鈦氧化物以及鋁氧化物所組成。
如第5e圖和第5f圖所示，導電層配置於部分平坦化層50上，以形成有機發光二極體60(見第5i圖)之陽極層62，以及另一絕緣層52配置於陽極層62之頂部以及剩餘部份之平坦層50上。導電層(陽極層62)係氧化銦錫(ITO)、銀、鋁、氧化銦錫(IZO)或該等之組合所組成。如第5g圖所示，製作穿透絕緣層52之第一開口152，以露出部分之陽極層62，藉此定義發光二極體60之有效發光區。另製作穿透絕緣層52和平坦化層50之第二開口150，以露出部分汲極36。二個或二個以上之間隙子70配置於絕緣層52之頂部，以保護畫素結構不被位於上方的基材(圖示中未繪出)損傷。有機主動層64配置於露出的部分陽極層62上，如圖5h所示。為完成畫素結構，電性連接層66配置於有機主動層64之頂部上，作為發光二極體60之陰極層，同時亦作為由發光二極體60到薄膜電晶體40之汲極36的電性連接者，如第5i圖所示。
值得注意的是，因為間隙子70具有較寬的底部，可搭配用以沉積導電層66之沉積罩，使得導電層66不會沉積到間隙子70上方，如此便避免了導電層66與其相鄰畫素之間的電性連接。或者，亦可以藉由沉積導電性之薄膜於
絕緣層52、有機主動層64、以及間隙子70之上，然後再將導電性之薄膜以圖案化製作成所需的形狀，以作為導電層66。根據本發明之另一實施例，間隙子具有較寬之頂部，如第5j圖及第5k圖所示。因為間隙子71具有如第5j圖及第5k圖所示之形狀，使配置導電層66之沉積製程可在真空下進行。因為間隙子71具有較寬之頂部，所以就算沉積導電層時在間隙子之頂部沉積有導電層，當導電層66沉積後，在相鄰畫素之間亦不會形成連續之導電路徑。又或者，導電層66可經由細金屬罩(fine metal mask,FMM)進行沉積、以噴墨方式(inkjet printing,IJP)印刷、或以雷射致熱顯影(laser-induced thermal imaging,LITI)方式製作。
在本發明之不同實施例中，配置於基材20上的第一層為N型半導體層32，其形成薄膜電晶體之通道層，如第6a圖所示。然後第一絕緣層24配置於基板20上，以覆蓋通道層32(見第6b圖)，第一金屬層22配置於部分絕緣層24上，以形成薄膜電晶體之閘極，如第6c圖所示。接著第二絕緣層26配置於第一絕緣層24上，以覆蓋第一金屬層22，如第6d圖所示。如第6e圖所示，製作第一開口161，其穿透第一絕緣層24和第二絕緣層26，以露出通道層32之第一部分，以及製作第二開口162，其亦穿透第一絕緣層24和第二絕緣層26，以露出通道層32之第二部分。如第6f圖所示，第二金屬層通過第一開口161配置於露出的通道層32之第一部分，以形成薄膜電晶體41之汲極36；而第二金屬層通過第二開口162配置於露出的通道層32之第二部分，以形成薄膜電晶體41之源極38。平坦化層50
配置於第二絕緣層26以及薄膜電晶體41上，其完全覆蓋該電晶體，如第6g圖所示。
如第6h圖和第6i圖所示，導體層配置於部分平坦化層50上，以作為發光二極體60(見第6m圖和第6n圖)之陽極層62，以及第三絕緣層52配置於陽極層62之頂部以及剩餘部份之平坦化層50之上。如第6j圖所示，製作第一開口152穿透第三絕緣層52，形成陽極層62之露出部分並將其定義為發光二極體60之有效發光區。製作第二開口150穿透第三絕緣層52和平坦化層60，使汲極36具有一露出部分。二個或二個以上之具有較寬的頂部之間隙子71配置於第三絕緣層52之頂部(見第6k圖)，以保護畫素結構而不被位於其上方之基材損害(圖未繪製)。有機主動層64配置於陽極層62之露出部分上，如第61圖所示。為完成畫素結構，電性連接層66配置於有機主動層64之頂部，以作為發光二極體60之陰極層，同時亦作為由發光二極體60至薄膜電晶體41之汲極36的電性連接者，如第6m圖所示。或者，一個或多個具有較寬的底部之間隙子70配置於該絕緣層52之頂部，如第6n圖所示。
值得注意的是，間隙子70、71可由配置於第三絕緣層52上之光阻材料所組成。舉例來說，間隙子70可由正型光阻材料所組成，而間隙子71則可由負型光阻所組成。更進一步來說，有機主動層64以及電性連接層66可經由數種方法製作，舉例來說，有機主動層64以及電性連接層66可透過細金屬罩(fine metal mask,FMM)以陰影罩方法(shadow-mask method)進行沉積、或以噴墨方式(inkjet
printing,IJP)印刷製作。有機主動層64以及電性連接層66亦可由雷射致熱顯影(laser-induced thermal imaging,LITI)方法製作。保護層34(第5c圖)、絕緣層26(第6d圖)、以及絕緣層50(第5f圖及第6i圖)可由有機材料、有機和無機之複合材料、矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鈦氧化物、以及鋁氧化物所組成。汲極36和源極38(第5c圖)可經由第二金屬層沉積於絕緣層24之後，以蝕刻第二金屬層之方式製作。為了保護通道層(N型半導體層)32不至於被過度蝕刻，在部分之通道層32上提供保護層34，如第5c圖所示。
綜上所述，本發明提供層狀之有機發光二極體(OLED)結構，其中在有機發光二極體之各層，實質上相互平行。有機發光二極體於平坦層上製作，平坦層之頂部表面與基材平行。據此，有機發光二極體之每一層的主要部份，可以均勻厚度製作，使有機發光二極體發出均勻亮度。更進一步來說，既然有機發光二極體之頂部絕緣層為平坦化之平面，間隙子亦能以統一之高度，製作於絕緣層之頂部，以保護畫素結構不被其位於上方之基材損害。當有機發光二極體應用於主動式矩陣有機發光二極體顯示器時，每一個有機發光二極體結構均具有開關元件，如薄膜電晶體(TFT)，作為啟動或關閉有機發光二極體之用。根據本發明之不同實施例，平坦化層完整覆蓋開關元件，甚至，部分之平坦化層亦被頂部絕緣層所覆蓋。有機發光二極體之陽極形成於平坦化層上，並未與薄膜電晶體具有電性連接。據此，為了使有機發光二極體之先前形成之陰極，與薄膜
電晶體之汲極具有電性連接，故製作開口，其穿透頂部絕緣層以及平坦化層，使得汲極具有露出的部分，有機發光二極體之陰極和薄膜電晶體之汲極，透過開口而具有電性連接。據此，本發明之有機發光二極體係以標準型有機發光二極體之順序被製作，而其實際操作方式卻如同倒置型有機發光二極體。
有機發光二極體結構更包含一或多個間隙子，其形成於第二絕緣層上。間隙子可為多種形狀，舉例來說，可為具有較寬的頂部或為具有較寬的底部，亦可頂部與底部之寬度相同。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧顯示面板
10‧‧‧畫素陣列
100‧‧‧顯示區域
200‧‧‧資料驅動器
300‧‧‧閘極驅動器
221‧‧‧資料線
222‧‧‧資料線
223‧‧‧資料線
224‧‧‧資料線
231‧‧‧閘極線
232‧‧‧閘極線
20R‧‧‧彩色次畫素
20G‧‧‧彩色次畫素
20B‧‧‧彩色次畫素
20‧‧‧基板
22‧‧‧閘極
32‧‧‧通道層
34‧‧‧保護層
36‧‧‧汲極
38‧‧‧源極
40‧‧‧N型薄膜電晶體
41‧‧‧薄膜電晶體
50‧‧‧平坦化層
60‧‧‧有機發光二極體
62‧‧‧陽極層
64‧‧‧有機主動層
66‧‧‧陰極層
70‧‧‧間隙子
71‧‧‧間隙子
150‧‧‧第二開口
152‧‧‧第一開口
161‧‧‧第一開口
24‧‧‧絕緣層
26‧‧‧第二絕緣層
162‧‧‧第二開口
本案之上述和其他態樣、特徵及其他優點參照說明書內容並配合附加圖式得到更清楚的了解，其中：第1a圖 係為一般有極發光二極體。
第1b圖 係為倒置型有機發光二極體。
第2a圖 係具有第1a圖中之標準型有機發光二極體的典型畫素內電路。
第2b圖 係具有第1b圖中之倒置型有機發光二極體的典型畫素內電路。
第3圖係典型顯示面板之示意圖，其具有顯示區域，
其畫素內部使用有機發光二極體。
第4圖示意一個畫素之示意圖，該畫素具有三色之次畫素。
第5a圖至第5k圖 顯示根據本發明之實施例，製作具有N型薄膜電晶體之有機發光二極體之流程。
第6a圖至第6n圖 顯示根據本發明之另一實施例，製作具有N型薄膜電晶體之有機發光二極體之流程。
20‧‧‧基板
22‧‧‧閘極
24‧‧‧絕緣層
32‧‧‧通道層
34‧‧‧保護層
36‧‧‧汲極
38‧‧‧源極
50‧‧‧平坦化層
52‧‧‧絕緣層
60‧‧‧有機發光二極體
62‧‧‧陽極層
64‧‧‧有機主動層
66‧‧‧陰極層
70‧‧‧間隙子
Claims (20)
- 一種在一基板上製作一有機發光二極體的方法，包含：提供一開關結構於該基板上，其中該開關結構包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一源極、一閘極、以及一汲極；形成一第一絕緣層於該開關結構上；形成一第一電極層於部分之該第一絕緣層上；形成一第二絕緣層於該第一電極層和另一部分之該第一絕緣層上；形成一第一開口，其穿透該第二絕緣層，以露出部分之該第一電極層，以及形成一第二開口，其穿透該第一絕緣層和第二絕緣層，以露出部分之該汲極；形成一有機主動層，其通過該第一開口而覆蓋於所露出的部分該第一電極層上；以及形成一第二電極層於該第二絕緣層和該有機主動層上，以使部分之該第二電極層和該有機主動層電性連接，進而與該第一電極層形成一發光二極體，而另一部分之該第二電極層透過該第二開口和露出的部分該汲極電性連接。
- 如請求項1所述之方法，更包含：配置一個或多個間隙子於該第二絕緣層上。
- 如請求項2所述之方法，其中該一個或多個間隙子具有 一較寬的底部。
- 如請求項2所述之方法，其中該一個或多個間隙子具有一較寬的頂部。
- 如請求項3所述之方法，其中形成該第二電極層之步驟包含：形成一導電層於該一個或多個間隙子、該第二絕緣層、以及該有機主動層之上；以及圖案化該導電層以形成該第二電極層於該第二絕緣層和該有機主動層之上。
- 如請求項4所述之方法，其中形成該第二電極層之步驟包含：形成一導電層於該一個或多個間隙子、該第二絕緣層、以及該有機主動層之上，以形成該第二電極層。
- 如請求項1所述之方法，其中該有機主動層包含：一電子傳輸層，其相鄰於該第二電極層；一電洞傳輸層，其相鄰於該第一電極層；以及一發光層，其位於該電子傳輸層和該電洞傳輸層之間。
- 如請求項7所述之方法，其中該有機主動層更包含一電洞注入層，其位於該電洞傳輸層與該第一電極層之間。
- 一種有機發光二極體結構，包含：一開關結構位於一基板上，其中該開關結構包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一源極、一閘極、以及一汲極；一第一絕緣層，配置於該開關結構上；一第一電極層，配置於部分該第一絕緣層上；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極層以及另一部分該第一絕緣層，其中一第一開口穿透該第二絕緣層，以露出部分之該第一電極層、以及一第二開口穿透該第一絕緣層以及該第二絕緣層，以露出部分之該汲極；一有機主動層，通過該第一開口而配置於露出之部分該第一電極層上；以及一第二電極層，配置於該第二絕緣層以及該有機主動層上，以使部分該第二電極層與該有機主動層電性連接，且另一部分之該第二電極層透過該第二開口與露出的部分該汲極電性連接。
- 如請求項9所述之有機發光二極體結構，其中該開關結構包含：一第一金屬層，配置於部分該基板上，以形成該閘極；一第三絕緣層，配置於該基板以及該第一金屬層上；一半導體層，配置於該第一金屬層上方之部分該第三絕緣層上，以形成一通道層；以及一第二金屬層，配置於不同部分之該第三絕緣層上，用 以分別形成該汲極和該源極在該第一金屬層上方，且該汲極和該源極分別電性連接於該通道層。
- 如請求項10所述之有機發光二極體結構，其中該開關結構更包含：一保護層，其位於部分該汲極和該通道層之間以及部分該源極和該通道層之間。
- 如請求項9所述之有機發光二極體結構，其中該有機主動層包含：一電子傳輸層，其相鄰於該第二電極層；一電洞傳輸層，其相鄰於該第一電極層；以及一發光層，其配置於該電子傳輸層及該電洞傳輸層之間。
- 如請求項12所述之有機發光二極體結構，其中該有機主動層更包含：一電洞注入層，其位於該電洞傳輸層和該第一電極層之間。
- 如請求項9所述之有機發光二極體結構，更包含：一個或多個間隙子，配置於該第二絕緣層上，其中該間隙子具有一較寬的頂部。
- 如請求項9所述之有機發光二極體結構，更包含：一個或多個間隙子，配置於該第二絕緣層上，其中該間隙子具有一較寬的底部。
- 如請求項9所述之有機發光二極體結構，其中該開關結構包含：一半導體層，配置於部分該基板上以形成一通道層；一第三絕緣層，覆蓋該基板以及該半導體層；一第一金屬層，配置於部分該第三絕緣層上，以形成該閘極於該通道層上方；一第四絕緣層，覆蓋該第一金屬層以及其他部分之該第三絕緣層，其中一第三開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第一部分、以及一第四開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第二部分；以及一第二金屬層，配置於該通道層之該第一部分與該第二部分上，以分別形成該汲極和該源極，且該汲極通過該第三開口與露出的該通道層之該第一部分電性連接，而該源極通過該第四開口與露出的該通道層之該第二部分電性連接。
- 一種顯示面板，其包含；一基板；以及複數個有機發光二極體結構，配置於該基板上，其中每 個該有機發光二極體結構包含：一開關結構配置於該基板上，該開關結構包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一源極、一閘極、以及一汲極；一第一絕緣層，配置於該開關結構上；一第一電極層，配置於部分該第一絕緣層上；一第二絕緣層，覆蓋該第一電極層和另一部分該第一絕緣層，其中一第一開口穿透該第二絕緣層，以露出部分之該第一電極層、以及一第二開口穿透該第一絕緣層和該第二絕緣層，以露出部分該汲極；一有機主動層，其通過該第一開口配置於露出的部份該第一電極層上；一第二電極層，配置於該第二絕緣層以及該有機主動層上，其中部分該第二電極層與該有機主動層電性連接，且另一部分該第二電極層透過該第二開口與露出的部分該汲極電性連接；以及一個或多個間隙子，其位於該第二絕緣層上，其中，該有機主動層包含：一電子傳輸層，其相鄰於該第二電極層；一電洞傳輸層，其相鄰於該第一電極層；一發光層，配置於該電子傳輸層和該電洞傳輸層之間；以及一電洞注入層，配置於該電洞傳輸層和該第一電極層之間。
- 如請求項17所述之顯示面板，其中該開關結構包含；一第一金屬層，配置於該基板之一部分上以形成該閘極；一第三絕緣層，覆蓋該基板和該第一金屬層；一半導體層，配置於該第一金屬層上方之部分該第三絕緣層上，以形成一通道層；一第二金屬層，配置於該第三絕緣層上，以分別形成該汲極和該源極於該第一金屬層上方，該汲極和該源極分別和該通道層具有電性連接；以及一保護層，配置於該通道層和部分該汲極之間、以及該通道層和部分該源極之間。
- 如請求項17所述之顯示面板，其中該開關結構包含：一半導體層，配置於部分該基板上，以形成一通道層；一第三絕緣層，覆蓋該基板以及該半導體層；一第一金屬層，配置於部分該第三絕緣層上，以形成該閘極；一第四絕緣層，覆蓋該第一金屬層和其他部分之該第三絕緣層上，其中一第三開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層之一第一部分、以及一第四開口穿透該第四絕緣層和該第三絕緣層，以露出該通道層一第二部分；以及一第二金屬層，配置於該通道層之該第一部分與該第二 部分上，以分別形成該汲極和該源極，且該汲極通過該第三開口與露出的該通道層之該第一部分電性連接，而該源極通過該第四開口與露出的該通道層之該第二部分電性連接。
- 如請求項17所述之顯示面板，其中該一個或多個間隙子具有一頂部面積以及一底部面積，該底部面積係為大於或小於該頂部面積。
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Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
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| CN108428802B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其封装方法、oled装置 |
| TWI678009B (zh) * | 2018-06-22 | 2019-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
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| CN110098344B (zh) * | 2019-04-09 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN110212104A (zh) * | 2019-05-21 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 电致发光显示装置 |
| CN110911467B (zh) * | 2019-12-05 | 2023-04-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1577914A (zh) * | 2003-07-28 | 2005-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板及制造方法 |
| TWI238545B (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-21 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof |
| TW200824114A (en) * | 2006-11-17 | 2008-06-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure of active matrix organic light emitting diode and fabrication method thereof |
| US20080284327A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-11-20 | Tae-Wook Kang | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| US20100001633A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Byoung-June Lee | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| US20110003414A1 (en) * | 2008-08-26 | 2011-01-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and fabricating method thereof |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7122398B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-10-17 | Nanosolar, Inc. | Manufacturing of optoelectronic devices |
| US20080048191A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Hyun Chul Son | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
| KR100807557B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| US8183766B2 (en) | 2007-03-07 | 2012-05-22 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of organic electroluminescent display panel and method of making the same |
| TWI340466B (en) * | 2007-03-07 | 2011-04-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure of organic electroluminescent display panel and method of making the same |
| KR101482162B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2015-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101319096B1 (ko) * | 2009-02-24 | 2013-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법 |
| US8183561B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-05-22 | Au Optronics Corporation | OLED panel with broadened color spectral components |
-
2012
- 2012-04-03 US US13/438,071 patent/US8648337B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-30 TW TW102103529A patent/TWI514561B/zh active
- 2013-03-04 CN CN201310067781.1A patent/CN103280539B/zh active Active
- 2013-03-05 EP EP13772118.9A patent/EP2834849B1/en active Active
- 2013-03-05 WO PCT/CN2013/000231 patent/WO2013149495A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI238545B (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-21 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof |
| CN1577914A (zh) * | 2003-07-28 | 2005-02-09 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板及制造方法 |
| US20080284327A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-11-20 | Tae-Wook Kang | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| TW200824114A (en) * | 2006-11-17 | 2008-06-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure of active matrix organic light emitting diode and fabrication method thereof |
| US20100001633A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Byoung-June Lee | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same |
| US20110003414A1 (en) * | 2008-08-26 | 2011-01-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and fabricating method thereof |
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