CN1577914A

CN1577914A - 有机发光二极管显示面板及制造方法

Info

Publication number: CN1577914A
Application number: CN 03143669
Authority: CN
Inventors: 李信宏
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2003-07-28
Filing date: 2003-07-28
Publication date: 2005-02-09
Anticipated expiration: 2023-07-28
Also published as: CN100420028C

Abstract

本发明公开一种有机发光二极管显示面板及制造方法。数据线及扫描线形成于基板上，并交迭于一交错区。薄膜晶体管形成于基板上，并具有一源极/漏极。储存电容形成于基板上，并位于薄膜晶体管及交错区之间，储存电容及薄膜晶体管之间具有一显示区域。保护层形成于基板之上，并覆盖薄膜晶体管、储存电容、数据线、扫描线及交错区，保护层具有一接触孔。阳极形成于显示区域内的保护层上，并藉由接触孔与源极/漏极电连接。间隔物可形成于显示区域之外的保护层之上。

Description

有机发光二极管显示面板及制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板及制造方法，且特别涉及一种具有间隔物(spacer)或间隔物护层的有机发光二极管显示面板及制造方法。

背景技术

OLED显示面板可以通过电流驱动(current driven)或电压驱动(voltagedriven)的方式而自行发光，不需如液晶显示面板(liquid crystal display panel，LCD panel)一般，须于后方加上背光源。所以，OLED显示面板具有自发光、广视角及可全彩化等优点。其中，OLED显示面板更可被应用于移动电话及个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等可移植性电子装置上，成为现今极具潜力的显示面板。

请参照图1A，其示出传统的OLED显示器的剖面图。在图1A中，OLED显示器100包括OLED显示面板104、玻璃盖102及密封胶(sealant)106，OLED显示面板104具有一基板108及一半导体结构110，半导体结构110形成于基板108之上。一般业者会使用一”ㄇ”字型的玻璃盖102或金属盖罩住半导体结构110，并以密封胶106黏接玻璃盖102的两端及基板108的上表面，使得OLED显示面板104被封装成一OLED显示器100。一般而言，半导体结构110至少包括数条扫描线(scan lines)及数条数据线(data lines)，扫描线及数据线定义出数个像素(pixels)，由于各像素内的结构相同，故在此以单一像素为例来说明OLED显示面板104的较详细的剖面结构。

请参照图1B，其示出图1A的OLED显示面板的单一像素的结构剖面图。在图1B中，OLED显示面板104至少包括扫描线122、数据线124、薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)126、储存电容(storage capacitor，C_s)128、外围线路接垫(pad)130、阳极(anode)132及保护层(passivationlayer)133。扫描线122及数据线124交迭于一交错区(x-over)144，薄膜晶体管126形成于基板108上，并具有一源极/漏极(source/drain)126a。储存电容128形成于基板108上，并位于薄膜晶体管126及交错区144之间，储存电容128及薄膜晶体管126之间具有一显示区域146。外围线路接垫130形成于基板108上，并位于储存电容128及交错区144之间。保护层133形成于基板108之上，并覆盖薄膜晶体管126、储存电容128、外围线路接垫130、数据线124、扫描线122及交错区144。保护层133具有一接触孔，用以于工艺中暴露部分的源极/漏极126a。阳极132形成于显示区域146内的保护层133上，并藉由上述的接触孔与源极/漏极126a电连接。

在阳极132及保护层133之上另可依序形成一空穴注入层(holeinjection layer)、一空穴传输层(hole transport layer)、一有机发光层(organicemission layer)、一电子传输层(electron transport layer)及一阴极(cathode)。当阳极132及阴极被施加一电压时，空穴传输层及电子传输层将分别提供空穴及电子给有机发光层。当空穴及电子于有机发光层中结合时，位于显示区域146上的有机发光层将可以发出光线至外界中。

目前OLED显示面板104都是利用密封胶106与玻璃盖102或金属盖进行封装，而密封胶106只支撑玻璃盖102的边缘，且玻璃盖102的中央区域及半导体结构110之间具有一间距。在OLED显示面板追求大尺寸的趋势潮流下，上述的封装方式会导致OLED显示面板上的大尺寸的玻璃盖的中央区域产生下陷的现象，以致于压伤下方的OLED显示面板。

因此，Akira Ebisawa，Kouji Yasukawa，Hiroyuki Endo等人于美国专利No.6,259,304 B1中公开一种OLED显示面板的封装技术，如图2所示。在图2中，OLED显示器200包括OLED显示面板204、封装板(sealing sheet)202及间隔物(spacer)206。OLED显示面板204包括一基板208及一半导体结构210，且半导体结构210形成于基板208上。OLED显示面板204藉由间隔物(spacer)206与一封装板(sealing sheet)202封装成一OLED显示器200。间隔物206以艾萨克布的方式配置于半导体结构210的外侧的基板208上。在OLED显示器200中，间隔物206的高度大于半导体结构210的高度。然而，间隔物206有可能在撒布的过程中会落在OLED显示面板204的显示区域内，落于显示区域内的间隔物将于封装板202与基板208结合时压伤OLED显示面板204，导致OLED显示面板204产生短路现象，影响OLED显示面板204的运作性能。此外，此专利所公开的封装方式亦会导致OLED显示面板204上的大尺寸的封装板202的中央区域产生下陷的现象，以致于压伤下方的OLED显示面板204。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在于提供一种有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)显示面板及制造方法，其形成间隔物或间隔物护层的设计，可以增加OLED显示面板的结构的抗压性，避免其结构被上方的封装板、玻璃盖或金属盖压伤，以维持OLED显示面板的良好运作。

根据本发明的目的，提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法。首先，提供一基板。接着，形成一薄膜晶体管、一储存电容、一数据线及一扫描线于基板上。数据线与扫描线交迭于一交错区，储存电容位于薄膜晶体管及交错区之间，薄膜晶体管及储存电容之间具有一显示区域，薄膜晶体管具有一源极/漏极。然后，形成一保护层，以覆盖薄膜晶体管、储存电容、数据线、扫描线及交错区，保护层具有至少一接触孔。接着，形成一阳极于显示区域内的保护层上，阳极藉由接触孔与源极/漏极电连接。然后，形成一间隔物于显示区域之外的保护层之上。

根据本发明的再一目的，提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法。首先，提供一基板。接着，形成一薄膜晶体管、一储存电容、一数据线及一扫描线于基板上。其中，数据线与扫描线交迭于一交错区，储存电容位于薄膜晶体管及交错区之间，薄膜晶体管及储存电容之间具有一显示区域，薄膜晶体管具有一源极/漏极。然后，形成一间隔物护层于基板之上，以覆盖薄膜晶体管、储存电容、扫描线、数据线及交错区，间隔物护层具有一接触孔。接着，形成一阳极于显示区域内的间隔物护层上，阳极藉由此接触孔与源极/漏极电连接。

根据本发明的另一目的，提出一种有机发光二极管显示面板，至少包括基板、数据线、扫描线、薄膜晶体管、储存电容、保护层、阳极及间隔物。数据线及扫描线形成于基板上，并交迭于一交错区。薄膜晶体管形成于基板上，并具有一源极/漏极。储存电容形成于基板上，并位于薄膜晶体管及交错区之间，储存电容及薄膜晶体管之间具有一显示区域。保护层形成于基板之上，并覆盖薄膜晶体管、储存电容及交错区，保护层具有一接触孔。阳极形成于显示区域内的保护层上，并藉由接触孔与源极/漏极电连接。间隔物可形成于显示区域之外的保护层之上。

根据本发明的又一目的，提出一种有机发光二极管显示面板，至少包括基板、扫描线、数据线、薄膜晶体管、储存电容、间隔物护层及阳极。数据线及扫描线形成于基板上，数据线及扫描线交迭于一交错区。薄膜晶体管形成于基板上，并具有一源极/漏极。储存电容形成于基板上，并位于薄膜晶体管及交错区之间，储存电容及薄膜晶体管之间具有一显示区域。间隔物护层形成于基板之上，并覆盖薄膜晶体管、储存电容、数据线、扫描线及交错区，间隔物护层具有一接触孔。阳极形成于显示区域内的间隔物护层上，并藉由接触孔与源极/漏极电连接。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中：

图1A示出传统的有机发光二极管显示器的剖面图；

图1B示出图1A的有机发光二极管显示面板的单一像素的结构剖面图；

图2示出美国专利No.6,259,304 B1中所公开的具有封装板、间隔物及有机发光二极管显示面板的有机发光二极管显示器的剖面图；

图3A～3C示出依照本发明的实施例一的具有间隔物的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程剖面图；

图4A～4D示出依照本发明的实施例二的具有间隔物的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程剖面图；

图5A～5D示出依照本发明的实施例三的具有间隔物护层的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程剖面图；

图6示出本发明的具有间隔物护层的有机发光二极管显示面板的部分剖面图；

图7示出依照本发明的实施例四的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图；

图8示出依照本发明的实施例五的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图；

图9示出依照本发明的实施例六的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图；以及

图10示出依照本发明的实施例七的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图。

附图中的附图标记说明如下：

100、200：有机发光二极管(OLED)显示器

102：玻璃盖

104、204、304、404、504、704、804、904、984：OLED显示面板

106：密封胶

108、208、308、508、708、808、908、986：基板

110、210：半导体结构 122、322：扫描线

124、324：数据线

126、326、526、726、826、926、988：薄膜晶体管(TFT)

126a、326a：源极/漏极 128、328：储存电容

130、330：外围线路接垫

132、332、532、732、832、932、994：阳极

133、333、990：保护层 144、344：交错区

146、346：显示区域 202：封装板

206：间隔物 352：正光致抗蚀剂层

352a、452a：间隔物 354：掩模

452、552：间隔物材料层

454、554：图案化光致抗蚀剂层

526a：漏极 526b：源极

552a、652、752、852、952、996：间隔物护层

562：栅极 564：栅极绝缘层

568：非晶硅沟道层 570：N+欧姆接触层

992：平坦化层

具体实施方式

本发明特别设计一有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板及制造方法，其形成间隔物(spacer)或间隔物护层的设计，可以增加OLED显示面板的抗压性，避免其结构被上方的封装板、玻璃盖或金属盖压伤，以维持OLED显示面板的良好运作。

实施例一

请参照图3A～3C，其示出依照本发明的实施例一的具有间隔物的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程剖面图。首先，形成有机发光二极管显示面板的电路组件。在图3A中，提供一基板308，且基板308之上可形成一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)326、一储存电容(storagecapacitor，C_s)328、一外围线路接垫(pad)330、一数据线(data line)324及一扫描线(scan line)322。其中，数据线324及扫描线322交迭于一交错区(x-over)344，储存电容328位于薄膜晶体管326及交错区344之间，外围线路接垫330位于储存电容328及交错区344之间。此外，薄膜晶体管326及储存电容328之间具有一显示区域(display area)346，且薄膜晶体管326具有一源极/漏极(source/drain)326a。

然后，形成一保护层(passivation layer)333于基板308之上，保护层333覆盖薄膜晶体管326、储存电容328、外围线路接垫330、扫描线322、数据线324及交错区344。保护层333具有至少一接触孔(contact hole)，用以于工艺中暴露部分的源极/漏极326a。接着，形成一阳极(anode)332于显示区域346内的保护层333上，并藉由接触孔与源极/漏极326a电连接。

形成有机发光二极管显示面板的间隔物，包括以下步骤。在图3A中，还形成一正光致抗蚀剂层352或一负光致抗蚀剂层于保护层333之上，正光致抗蚀剂层352或负光致抗蚀剂层覆盖阳极332。然后，以一掩模354定义正光致抗蚀剂层352的图案并曝光，如图3B所示，或以另一掩模定义负光致抗蚀剂层的图案并曝光。接着，以一显影剂去除部分的正光致抗蚀剂层352或部分的负光致抗蚀剂层，以形成一间隔物352a于显示区域346之外的保护层333之上，例如间隔物352a形成于薄膜晶体管326之上，如图3C所示。当然，本发明亦可形成间隔物于储存电容328、扫描线322、数据线324或交错区344之上。

在间隔物352a及保护层333之上另可依序形成一空穴注入层(holeinjection layer)、一空穴传输层(hole transport layer)、一有机发光层(organicemission layer)、一电子传输层(electron transport layer)及一阴极(cathode)。

实施例二

请参照图4A～4D，其示出依照本发明的实施例二的具有间隔物的OLED显示面板的制造方法的流程剖面图。本实施例的图4A与实施例一的图3A不同之处在于，本实施例以蒸镀法、溅镀法、化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)法或旋转涂布(spin coating)法形成一间隔物材料层452于保护层333之上，间隔物材料层452覆盖阳极332。至于图4A的其它结构皆与实施例一的图3A所示的结构相同，其工艺也相同，在此不再赘述。接着，形成一图案化光致抗蚀剂层454于间隔物材料层452上，其为以上光致抗蚀剂、曝光及显影的方式完成，如图4B所示。

然后，以干蚀刻法或湿蚀刻法去除所暴露的部分的间隔物材料层452，以形成一间隔物452a于显示区域346之外的保护层333之上，例如间隔物452a形成于薄膜晶体管326之上，如图4C所示。当然，本发明亦可以形成间隔物于储存电容328、扫描线322、数据线324或交错区344之上。接着，以一光致抗蚀剂剥离剂(stripper)去除图案化光致抗蚀剂层454，如图4D所示。

此外，在间隔物452a及保护层333之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

实施例三

请参照图5A～5D，其示出依照本发明的实施例三的具有间隔物护层的OLED显示面板的制造方法的流程剖面图。在图5A中，首先，提供一基板508。接着，形成一栅极562于基板508上。然后，形成一栅极绝缘层564、一非晶硅(α-Si)沟道层568及一重掺杂N型(N+)欧姆接触层570于基板508之上。其中，栅极绝缘层564覆盖栅极562，非晶硅沟道层568形成于栅极绝缘层564上。N+欧姆接触层570形成于非晶硅沟道层568上，非晶硅沟道层568及N+欧姆接触层570位于栅极562的上方。接着，形成一阳极532于N+欧姆接触层570的一侧外的栅极绝缘层564上。然后，形成一漏极526a及一源极526b于栅极绝缘层564之上，漏极526a及源极526b覆盖N+欧姆接触层570，漏极526a与阳极532电连接。其中，栅极562、栅极绝缘层564、非晶硅沟道层568、N+欧姆接触层570、漏极526a及源极526b构成一薄膜晶体管526。需要注意的是，扫描线、数据线及储存电容形成于基板508之上，只是本实施例的图式没有显示而已，在此稍加说明一下。

接着，形成一间隔物材料层552于栅极绝缘层564之上，以覆盖薄膜晶体管526及阳极532，并形成一图案化光致抗蚀剂层554于对应到薄膜晶体管526的部分的间隔物材料层552上，如图5B所示。然后，去除所暴露的部分的间隔物材料层552，以形成一间隔物护层552a于阳极532之外的栅极绝缘层564之上，并覆盖薄膜晶体管526，如图5C所示。接着，以一光致抗蚀剂剥离剂去除图案化光致抗蚀剂层554，如图5D所示。此外，在间隔物护层552a及阳极532之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

然而，本领域技术人员亦可以明了本发明的技术并不局限在此。例如，本发明亦可以在实施例一及实施例二中的形成一薄膜晶体管326、一储存电容328、一数据线324及一扫描线322于基板308上的步骤后，直接形成一间隔物护层652于基板308之上，此间隔物护层652覆盖薄膜晶体管326、储存电容328、数据线324、扫描线322及交错区344，如图6所示。其中，间隔物护层652具有一接触孔。然后，阳极332形成显示区域346内的间隔物护层652上，并藉由此接触孔与薄膜晶体管326的源极/漏极326a电连接。

实施例四

请参照图7，其示出依照本发明的实施例四的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图。在图7中，OLED显示面板704属于低温多晶硅(lowtemperature poly silicon，LTPS)OLED显示面板，OLED显示面板704包括一基板708、一薄膜晶体管726、一阳极732及一间隔物护层752。薄膜晶体管726形成于基板708上，间隔物护层752形成于基板708之上，并覆盖薄膜晶体管726。其中，间隔物护层752具有一接触孔，用以于OLED显示面板704的工艺中暴露薄膜晶体管726的一端。阳极732形成于部分的间隔物护层752上，并覆盖部分的薄膜晶体管726，阳极732藉由此接触孔与薄膜晶体管726的一端电连接。当然，本发明亦可以在阳极732所在的显示区域以外的基板708的上方形成至少一间隔物。此外，在间隔物护层752及阳极732之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

实施例五

请参照图8，其示出依照本发明的实施例五的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图。在图8中，OLED显示面板804亦属于LTPS OLED显示面板，OLED显示面板804包括一基板808、一薄膜晶体管826、一阳极832及一间隔物护层852。薄膜晶体管826形成于基板808上，阳极832形成于基板808之上，阳极832与薄膜晶体管826的一端电连接。此外，阳极832相对于薄膜晶体管826的位置比图7的阳极732相对于薄膜晶体管726的位置还要低。间隔物护层852形成于基板808之上，并覆盖薄膜晶体管826及阳极832的两端，以暴露部分的阳极832。当然，本发明亦可以在阳极832所在的显示区域以外的基板808的上方形成至少一间隔物。此外，在间隔物护层852及阳极832之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

实施例六

请参照图9，其示出依照本发明的实施例六的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图。在图9中，OLED显示面板904亦属于LTPS OLED显示面板，OLED显示面板904包括一基板908、一薄膜晶体管926、一阳极932及一间隔物护层952。薄膜晶体管926及阳极932形成于基板908上，阳极932与薄膜晶体管926的一端电连接。此外，阳极932相对于薄膜晶体管926的位置比图8的阳极832相对于薄膜晶体管826的位置还要低。间隔物护层952形成于基板908之上，并覆盖薄膜晶体管926及阳极932的两端，以暴露部分的阳极932。当然，本发明亦可以在阳极932所在的显示区域以外的基板908的上方形成间隔物。此外，在间隔物护层952及阳极932之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

实施例七

请参照图10，其示出依照本发明的实施例七的具有间隔物护层的OLED显示面板的部分剖面图。在图10中，OLED显示面板984属于LTPSOLED显示面板，OLED显示面板984包括一基板986、一薄膜晶体管988、一保护层990、一平坦化层992、一阳极994及一间隔物护层996。薄膜晶体管988形成于基板986上，保护层990形成于基板986之上，并覆盖部分的薄膜晶体管988。平坦化层992形成于保护层990上，且平坦化层992及保护层990具有相贯通的一接触孔，此接触孔用以于工艺中暴露薄膜晶体管988的一端。阳极994形成于部分的平坦化层992，并藉由此接触孔与薄膜晶体管988的一端电连接。间隔物护层996形成于平坦化层992之上，并覆盖阳极994的两端，以暴露部分的阳极994。当然，本发明亦可以在阳极994所在的显示区域以外的基板986的上方形成间隔物。此外，在间隔物护层996及阳极994之上另可依序形成一空穴注入层、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层及一阴极。

本发明藉由上述实施例所公开的OLED显示面板及制造方法，具有下列优点：

1.形成间隔物的设计，可以增加OLED显示面板的抗压性，避免于与玻璃盖或金属盖封装时被玻璃盖或金属盖压伤其内部结构，维持OLED显示面板的良好运作。

2.形成间隔物护层的设计，可被整合于TFT工艺中，以作为护层用，能够省略传统的保护层的工艺。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例公开如上，但是其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围当以所附权利要求所确定的为准。

Claims

1.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，至少包括：

提供一基板；

形成一薄膜晶体管、一储存电容、一数据线及一扫描线于该基板上，其中，该数据线与该扫描线交迭于一交错区，该储存电容位于该薄膜晶体管及该交错区之间，该薄膜晶体管及该储存电容之间具有一显示区域，该薄膜晶体管具有一源极/漏极；

形成一保护层，以覆盖该薄膜晶体管、该储存电容、该数据线、该扫描线及该交错区，该保护层具有至少一接触孔；

形成一阳极于该显示区域内的该保护层上，该阳极藉由该接触孔与该源极/漏极电连接；以及

形成一间隔物于该显示区域之外的该保护层之上。

2.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

形成一间隔物于该薄膜晶体管之上。

3.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

形成一间隔物于该储存电容之上。

4.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

形成一间隔物于该交错区之上。

5.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

形成一间隔物于该数据线或该扫描线之上。

6.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

形成一光致抗蚀剂层于该保护层之上，以覆盖该阳极；

以一掩模定义该光致抗蚀剂层的图案并曝光；以及

以一显影剂去除部分的该光致抗蚀剂层，并形成一间隔物于该显示区域之外的该保护层之上。

7.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤另包括：

以蒸镀法、溅镀法、化学气相沉积法或旋转涂布法形成一间隔物材料层于该保护层之上，该间隔物材料层覆盖该阳极；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该间隔物材料层上；

以干蚀刻法或湿蚀刻法去除所暴露的部分的该间隔物材料层，并形成一间隔物于该显示区域之外的该保护层之上；以及

以一光致抗蚀剂剥离剂去除该图案化光致抗蚀剂层。

8.如权利要求1所述的方法，其中上述形成一间隔物的步骤后另包括：

形成一空穴注入层于该保护层之上，以覆盖该间隔物及该阳极；

形成一空穴传输层于该空穴注入层上；

形成一有机发光层于该空穴传输层上；

形成一电子传输层于该有机发光层上；以及

形成一阴极于该电子传输层上。

9.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，至少包括：

提供一基板；

形成一薄膜晶体管、一储存电容、一数据线及一扫描线于该基板上，其中该数据线与该扫描线交迭于一交错区，该储存电容位于该薄膜晶体管及该交错区之间，该薄膜晶体管及该储存电容之间具有一显示区域，该薄膜晶体管具有一源极/漏极；

形成一间隔物护层于该基板之上，以覆盖该薄膜晶体管、该储存电容、该扫描线、该数据线及该交错区，该间隔物护层具有一接触孔；以及

形成一阳极于该显示区域内的该间隔物护层上，该阳极藉由该接触孔与该源极/漏极电连接。

10.如权利要求9所述的方法，其中上述形成一阳极的步骤后另包括：

形成一空穴注入层于该间隔物护层及该阳极之上；

形成一空穴传输层于该空穴注入层上；

形成一有机发光层于该空穴传输层上；

形成一电子传输层于该有机发光层上；以及

形成一阴极于该电子传输层上。

11.一种有机发光二极管显示面板，至少包括：

一基板；

一数据线及一扫描线，形成于该基板上，该数据线及该扫描线交迭于一交错区；

一薄膜晶体管，形成于该基板上，并具有一源极/漏极；

一储存电容，形成于该基板上，并位于该薄膜晶体管及该交错区之间，该储存电容及该薄膜晶体管之间具有一显示区域；

一保护层，形成于该基板之上，并覆盖该薄膜晶体管、该储存电容及该交错区，该保护层具有一接触孔；

一阳极，形成于该显示区域内的该保护层上，并藉由该接触孔与该源极/漏极电连接；以及

一间隔物，形成于该显示区域之外的该保护层之上。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该间隔物形成于该薄膜晶体管之上。

13.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该间隔物形成于该储存电容之上。

14.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该间隔物形成于该交错区之上。

15.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该间隔物的材质为光致抗蚀剂。

16.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该间隔物的材质为间隔物材料。

17.如权利要求11所述的有机发光二极管显示面板，其中该有机发光二极管显示面板另包括：

一空穴注入层，形成于该保护层之上，并覆盖该间隔物及该阳极；

一空穴传输层，形成于该空穴注入层上；

一有机发光层，形成于该空穴传输层上；

一电子传输层，形成于该有机发光层上；以及

一阴极，形成于该电子传输层上。

18.一种有机发光二极管显示面板，至少包括：

一基板；

一薄膜晶体管，形成于该基板上，并具有一源极/漏极；

一间隔物护层，形成于该基板之上，并覆盖该薄膜晶体管、该储存电容、该数据线、该扫描线及该交错区，该间隔物护层具有一接触孔；以及

一阳极，形成于该显示区域内的该间隔物护层上，并藉由该接触孔与该源极/漏极电连接。

19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示面板，其中该有机发光二极管显示面板另包括：

一空穴注入层，形成于该间隔物护层及该阳极之上；

一空穴传输层，形成于该空穴注入层上；

一有机发光层，形成于该空穴传输层上；

一电子传输层，形成于该有机发光层上；以及

一阴极，形成于该电子传输层上。