CN1512830A - 双面板型有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents

双面板型有机电致发光装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种双面板型有源矩阵有机电致发光装置包括沿第一方向设置在第一基板上的栅极线；沿第二方向设置在第一基板上的数据线；沿第二方向设置在第一基板上并与数据线分开的电源线，与栅极线和数据线共同限定一个象素区，电源线和栅极线都是在同一步骤中用相同的材料形成的；在第一基板上靠近栅极线和数据线交叉点设置的开关薄膜晶体管；在第一基板上靠近栅极线和电源线交叉点设置的驱动薄膜晶体管；在第一基板上的象素区内用绝缘材料形成的连接图形；以及在第一基板上设置在象素区内覆盖连接图形、并且用电路将驱动薄膜晶体管互连到有机电致发光二极管的连接电极。

Description

双面板型有机电致发光装置及其制造方法
本申请要求享有2002年12月28日在韩国递交的韩国专利申请P2002-0086106号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及到有机电致发光显示装置及其制造方法，具体涉及到一种有源矩阵电致发光显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，对尺寸小、重量轻并且低功耗的平板显示器的需求不断增加。为此而开发了各种平板显示(FPD)装置，例如有液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场致发光显示装置和电致发光显示(ELD)装置。
ELD装置利用了电致发光现象，在对一种荧光物质施加一定强度电场时发光。按照激发载流子的来源可以将ELD装置划分成无机电致发光显示(IELD)装置和有机电致发光显示(0ELD)装置。OELD装置被广泛应用是因为它能够显示宽范围波长的可见光，并且因为它的亮度高和低电压要求。
另外，由于OELD装置是自身发光的，它具有高对比度并且适合超薄型显示装置。由于其制造工艺简单，环境污染的程度较低。再有，OELD装置的响应时间仅有几微秒(μs)，使得OELD装置适合显示运动图像。另外，OELD装置对视角没有限制，并且在低温状态下是稳定的。由于OELD装置是用5V到15V之间的较低电压驱动的，其驱动电路的制造和设计简单。
OELD装置的结构类似于IELD装置，但是OELD装置的发光原理不同于IELD装置。例如，OELD装置是通过电子和空穴的重组来发光，因而习惯上称其为有机发光二极管(OELD)装置。
近来对平板显示装置普遍采用了具有按矩阵配置布置的多个象素和连接到象素的薄膜晶体管的有源矩阵型ELD装置。对OELD装置也采用了有源矩阵型，并且习惯上称其为有源矩阵OELD装置。
图1是按照现有技术的一种有源矩阵OELD装置的基本象素结构的等效电路图。在图1中，有源矩阵OELD装置的一个象素具有一个开关薄膜晶体管TS、一个驱动薄膜晶体管TD、一个存储电容CST和一个发光二极管(LED)E。开关薄膜晶体管TS和驱动薄膜晶体管TD是由p型多晶硅薄膜晶体管构成的。开关薄膜晶体管TS的栅极连接到栅极线GL，而开关薄膜晶体管TS的源极连接数据线DL。开关薄膜晶体管TS的漏极连接到驱动薄膜晶体管TD的栅极，而驱动薄膜晶体管TD的漏极连接到发光二极管(LED)E的阳极。发光二极管(LED)E的阴极接地，驱动薄膜晶体管TD的源极连接到电源线PL，而存储电容CST连接到开关薄膜晶体管TS的栅极和驱动薄膜晶体管TD的源极。
按照图1的象素结构，如果对栅极线GL施加一个扫描信号，开关薄膜晶体管TS就导通，并通过开关薄膜晶体管TS将一个来自数据线DL的图像信号存入存储电容CST。如果将图像信号提供给驱动薄膜晶体管TD的栅极，驱动薄膜晶体管TD就导通，而发光二极管(LED)E就会发光。通过改变发光二极管(LED)E的电流来控制发光二极管(LED)E的亮度，而存储电容CST的作用是在开关薄膜晶体管TS关断时维持驱动薄膜晶体管TD的栅极电压。例如，由于即使在开关薄膜晶体管TS关断时也能用存储电容CST中的存储电压来驱动驱动薄膜晶体管1D，能够保持流入发光二极管(LED)E的电流，使发光二极管(LED)E维持发光直至接收到下一个图像信号。
图2是按照现有技术的一种有源矩阵OELD装置的基本象素结构的平面图。在图2中，沿着第一方向设置栅极线37，并沿着与栅极线37垂直交叉的第二方向设置数据线51和电源线41，由电源线41和数据线51与栅极线37的交叉点限定一个象素区P，并在栅极线37和数据线51的交叉点近旁设置一个开关薄膜晶体管TS。还要在栅极线37和数据线51的交叉点近旁挨着开关薄膜晶体管TS设置一个驱动薄膜晶体管TD，并将发光二极管的第一电极58连接到驱动薄膜晶体管TD。在电源线41上方设置一个存储电容CST，它是由作为第一存储电极的电容电极34和作为第二存储电极的一部分电源线PL构成的。尽管图2中没有表示，在第一电极58上依次设置有一个有机电致发光层和第二电极。可以将设置有第一电极58的区域当做有机电致发光区。
在图2中，开关薄膜晶体管TS包括从栅极线37伸出的第一栅极35，以及由电容电极34构成的第一半导体层31。驱动薄膜晶体管TD包括第二栅极38和第二半导体层32，第二半导体层32也是由电容电极34和第一半导体层31构成的。
图3是图2中沿III-III线的截面图，表示现有技术的驱动薄膜晶体管、存储电容和发光二极管。在图3中，沿着基板1的整个表面形成一个缓冲层30，驱动薄膜晶体管TD和存储电容CST都设置在缓冲层30上，并在基板1上方形成一个发光二极管E。驱动薄膜晶体管TD包括半导体层32、栅极38、源极50和漏极52。存储电容CST包括电容电极34和电源线41，二者之间设有绝缘子40，其中的电容电极34是在同一加工步骤中用半导体层32相同的材料形成的。驱动薄膜晶体管TD的源极50连接到电源线41，而薄膜晶体管TD的漏极52连接到发光二极管E的第一电极58。
还要在第一电极58上依次形成有机电致发光层64和第二电极66，用第一电极58作为阳极，而第二电极66作为阴极，二者皆包括一种不透明金属材料。第一电极58、有机电致发光层64和第二电极66构成一个发光二极管E。
在图3的0ELD装置中，在导电层元件之间设置有多个绝缘子。例如，缓冲层30也就是第一绝缘子设置在基板1与半导体层32之间，而栅极绝缘子36即第二绝缘子设置在半导体层与栅极38之间。还要在电容电极34和电源线41之间设置第三绝缘子40，在电源线41和源极50之间设置第四绝缘子44，在漏极52和发光二极管E的第一电极58之间设置第五绝缘子54，并在第一电极58和第二电极66之间设置第六绝缘子60。第三到第六绝缘子40、44、54和60还具有接触孔，导电层元件通过接触孔彼此电性连通。
图4A到4I是截面图，表示图3中按照现有技术的有源矩阵0ELD装置的制造步骤。图4A到4I中所示的多个图形是通过光刻工艺形成的，包括光刻胶(PR)涂覆、对准、曝光和采用掩模的显影等步骤。
在图4A中，在沿着基板1的整个表面形成一个缓冲层30之后，在缓冲层30上用第一掩模步骤形成多晶硅的第一和第二半导体层32和34。第一和第二多晶硅半导体层32和34具有岛状形状。
在图4B中，在第一多晶硅层32上依次淀积氮化硅或氧化硅的绝缘子和金属的导电材料，然后用第二掩模构图，在第一多晶硅半导体层32上依次形成栅极绝缘层36和栅极38。然后在第一和第二多晶硅半导体层32和34的暴露部分上掺杂p-型离子或n-型离子等杂质。在掺杂步骤中用栅极38作为掩模，将第一多晶硅半导体层32划分成没有掺杂杂质的有源区32a和掺杂有杂质的漏极和源极区32b和32c。进而用在上面充分掺杂杂质的第二多晶硅半导体层34作为电容电极，而漏极和源极区32b和32c位于有源区32a的两侧。
在图4C中，沿着缓冲层30的整个表面形成第一层间绝缘子40，覆盖栅极38、漏极和源极区32b和32c、以及电容电极34。接着用第三掩模步骤在第一层间绝缘子40上形成金属的电源线41，与电容电极34重叠。由于电源线41是直接形成在电容电极34上方的，它与电容电极34构成一个存储电容，二者之间是第一层间绝缘子40。
在图4D中，在第一层间绝缘子40和电源线41上形成第二层间绝缘子44。然后用第四掩模步骤形成第一、第二和第三接触孔46a、46b和46c，第一接触孔46a暴露出漏极区32b，第二接触孔46b暴露出源极区32c，而第三接触孔46c暴露出电源线41。
在图4E中，用第五掩模步骤在第二层间绝缘子44上形成一个金属层并且构图形成源极50和漏极52。漏极52通过第一接触孔46a接触到漏极区32b，源极50通过第二接触孔46b接触到源极区32c。而源极50通过第三接触孔46c接触到电源线41。
这样就完全形成了具有半导体层32、栅极38、源极50和漏极52的一个驱动薄膜晶体管TD。另外，对应着电源线41和存储电极34的区域构成存储电容CST。尽管图4E中没有表示，但是如图3所示，驱动薄膜晶体管TD的栅极38连接到开关薄膜晶体管TS，而电源线41与数据线51平行设置。
在图4F中，由第六掩模步骤形成的具有第四接触孔56的第一钝化层54形成在第二层间绝缘子44上，同时覆盖源极50和漏极52。第四接触孔56暴露出一部分漏极52。
在图4G中，在第一钝化层54上淀积一种透明导电材料。然后用第七掩模步骤对透明导电材料构图，形成通过第四接触孔56接触到漏极52的第一电极58。
在图4H中，在第一电极58和第一钝化层54的暴露部分上形成第二钝化层60。然后用第八掩模步骤对第二钝化层60构图，形成暴露出一部分第一电极58的一个开口62。第二钝化层60保护驱动薄膜晶体管TD，阻挡空气中可能存在的潮气和粒子。
在图4I中，在第二钝化层60上形成一个有机电致发光层64，通过开口62接触到第一电极58。然后在有机电致发光层64和第二钝化层60的暴露部分上形成第二电极66，整个覆盖基板1。
第二电极66是用不透明金属材料形成的，并且作为阴极，而第一电极58是用透明导电材料形成的，并且作为阳极。为了便于释放电子，第二电极66的材料应该具有小的功函。图4F所示的OELD装置是一种底部发光型OELD装置，从底部方向朝着基板1发光。
图5是按照现有技术的OELD装置的一个截面图。在图5中，在具有彼此面对的内表面的分开的第一和第二基板70和90上有多个子象素区。然后沿着第一基板70的内表面形成包括各个子象素区内的驱动薄膜晶体管(TFT)TD的一个阵列层80，并在阵列层80上的各个象素区内形成连接到驱动TFT TD的第一电极72。接着在第一电极72上交替形成红、绿、蓝有机电致发光(EL)层74，并在有机EL层74上形成第二电极76。这样，第一电极72和第二电极76以及介于二者之间的有机EL层74就构成了一个有机EL二极管E。图5所示的有机EL装置是一种底部发光型OELD装置，有机EL层74发出的光通过第一电极72从第一基板70发出。
在图5中，第二基板90被用作封装基板，并在第二基板90的内部中心部分包括一个凹部92，在凹部92中填充能消除潮气和氧以保护有机EL二极管E的潮气吸附干燥剂94。还要将第二基板90的内表面与第二二电极76分开，在第一和第二基板70和90的外围部分用一种密封剂85粘接第一和第二基板70和90完成封装。
在按照现有技术的OELD装置中，TFT阵列部分和有机电致发光(EL)二极管是在同一基板(即第一基板)上形成的，并将另一个第二基板与第一基板粘接完成封装。然而，若是按此方式在一个基板上形成TFT阵列部分和有机EL二极管，OELD装置的产率就是由TFT的产率和有机EL二极管的产率的乘积来确定的。由于有机EL二极管的产率相对较低，OELD装置的总体产率会受到有机EL二极管产率的限制。例如，即使TFT制造完好，采用大约1000埃()厚度薄膜的OELD装置也会因有机电致发光层的缺陷被判定为次品。这样会导致材料的损失并增加产品成本。
OELD装置一般可以按照用来通过OELD显示图像的发光方向划分成底部发光型和顶部发光型。底部发光型OELD的优点是封装稳定性高并且具有很高的工艺灵活性。然而底部发光型OELD装置不能有效地用作高分辨率装置，因为对在基板上所形成的薄膜晶体管和存储电容进行设置会导致孔径比差。与底部发光型OELD装置相反，顶部发光型OELD装置具有较高的预期使用寿命，因为其具有简单的电路布局，能获得大孔径比。然而，在顶部发光型OELD装置中，阴极一般是形成在有机电致发光层上的。这样，顶部发光型OELD装置的透射比和光学效率会降低，这是因为可供选择用做阴极的材料受到限制。如果在阴极上形成用来避免光透射比降低的薄膜型钝化层，薄膜型钝化层仍然不能阻挡外界空气渗入有机电致发光层。
在形成有机电致发光显示装置的上述过程中需要淀积多个薄膜，并且还需要使用多个掩模的多步光刻工艺。这样会增加掩模工艺的重复处理步骤。由于光刻工艺包括清洗步骤、光刻胶淀积步骤、曝光步骤、显影步骤和蚀刻步骤，因此，只要省略一个掩模步骤就能缩短制造时间并降低产品成本。然而，参照图4A到4I所述的OELD装置需要八个掩模，导致产率下降并增加产品成本。另外，OELD装置需要的掩模越多，制造过程中产生的缺陷就越多。
另外，由于现有技术的有源矩阵OELD装置内部在发光方向上包括薄膜晶体管和存储电容，因此会缩小照明面积并降低孔径比。为了克服这些问题，就要增大电流密度来提高装置的亮度，由此会造成OELD装置的寿命缩短。
发明内容
为此，本发明提出了一种有机发光二极管装置，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种能够改善产量并降低生产成本的有机发光二极管装置。
本发明的另一目的是提供一种具有高分辨率、高孔径比和长寿命的有机发光二极管装置。
本发明的再一目的是提供一种双面板型有机发光二极管装置，其中的TFT阵列和有机发光二极管被分别设置在第一和第二基板中。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，一种双面板型有源矩阵有机电致发光装置包括：沿第一方向设置在第一基板上的栅极线；沿第二方向设置在第一基板上的数据线；沿第二方向设置在第一基板上并与数据线分开的电源线，与栅极线和数据线共同限定一个象素区，电源线和栅极线都是在同一步骤中用相同的材料形成的；在第一基板上靠近栅极线和数据线交叉点设置的开关薄膜晶体管；在第一基板上靠近栅极线和电源线交叉点设置的驱动薄膜晶体管；在第一基板上的象素区内用绝缘材料形成的连接图形；以及在第一基板上设置在象素区内覆盖连接图形、并且用电路将驱动薄膜晶体管互连到有机电致发光二极管的连接电极。
按照另一方面，一种制造双面板型有源矩阵有机电致发光装置的方法包括：在第一基板上对第一金属层进行构图，形成栅极、栅极线、电源线、栅极焊盘和电源焊盘；在第一基板上形成覆盖栅极、栅极焊盘和电源焊盘的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成一个覆盖栅极的半导体层，半导体层包括未掺杂的非晶硅有源层和掺杂的非晶硅欧姆接触层；形成源极和漏极、数据线、第一链接电极和数据焊盘，源极和漏极设置在欧姆接触层上，而数据线、数据焊盘和第一链接电极设置在第一绝缘层上，并且第一链接电极与栅极线交叉；蚀刻源极和漏极电极之间暴露的那部分欧姆接触层，在有源层内形成一个沟道，构成包括栅极、半导体层、源极和漏极的一个薄膜晶体管；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，覆盖薄膜晶体管、数据线和数据焊盘；形成源极接触孔、漏极接触孔、数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔，其中的源极接触孔、漏极接触孔和数据焊盘接触孔穿透第二绝缘层，并且其中的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔穿透第一和第二绝缘层，在第二绝缘层的象素区上用绝缘材料形成一个连接图形，其中的连接图形具有支柱形状，且高度大于薄膜晶体管的相应高度，并且用第三金属层形成连接电极、电源电极、第二链接电极、数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子。
按照再一方面，一种制造双面板型有源矩阵有机电致发光装置的方法包括在第一基板上对第一金属层构图，形成栅极、栅极线、电源线、栅极焊盘和电源焊盘；在第一基板上依次形成第一绝缘层、未掺杂的非晶硅层、掺杂的非晶硅层和第二金属层，覆盖栅极、栅极焊盘和电源焊盘；在第二金属层上形成一种光敏光刻胶；设置在光敏光刻胶上面具有一个半透明部分的第一掩模；采用一种衍射曝光法并用第一掩模同时对未掺杂的非晶硅层、掺杂的非晶硅层和第二金属层进行构图，形成有源层、欧姆接触层、源极、漏极、数据线、第一链接电极和数据焊盘；蚀刻掉源极和漏极电极之间暴露出的那部分欧姆接触层，在有源层中形成一个沟道，从而形成一个包括栅极、有源层、欧姆接触层、源极和漏极的薄膜晶体管；在第一绝缘层上形成第二绝缘层覆盖薄膜晶体管、数据线和数据焊盘；形成源极接触孔、漏极接触孔、数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔，其中的源极接触孔、漏极接触孔和数据焊盘接触孔穿透第二绝缘层，并且其中的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔穿透第一和第二绝缘层；在第二绝缘层的象素区上用绝缘材料形成一个连接图形，其中的连接图形具有支柱形状，且高度大于薄膜晶体管的相应高度；并且用第三金属层形成连接电极、电源电极、第二链接电极、数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是按照现有技术的一种有源矩阵OELD装置的基本象素结构的等效电路图；
图2是按照现有技术的一种有源矩阵OELD装置的基本象素结构的平面图；
图3是图2中沿III-III线的截面图，表示现有技术的驱动薄膜晶体管、存储电容和发光二极管；
图4A到4I是截面图，表示图3中按照现有技术的有源矩阵OELD装置的制造步骤；
图5是按照现有技术的OELD装置的一个截面图；
图6是按照本发明的一例双面板型OELD装置的截面图；
图7是本发明的双面板型有源矩阵OELD装置中下面板的一例基本象素结构的平面图；
图8A到8F是沿着图7中VIII-VIII线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图9A到9F是沿着图7中IX-IX线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图10A到10F是沿着图7中X-X线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图11A到11F是沿着图7中XI-XI线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图12是按照本发明的双面板型有源矩阵OELD装置中下面板的另一例基本象素结构的平面图；
图13A到13E是沿着图12中XIII-XIII线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图14A到14E是沿着图12中XIV-XIV线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图15A到15E是沿着图12中XV-XV线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；
图16A到16E是沿着图12中XVI-XVI线的截面图，表示按照本发明的一例双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺；以及
图17A到17D都是截面图，表示按照本发明采用衍射曝光法形成薄膜晶体管的一例制造工艺。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图6是按照本发明的一例双面板型OELD装置的截面图。在图6中，具有彼此面对的内表面并且分开的第一和第二基板110和150可以有多个子象素区。可以在第一基板110的内表面上形成包括各个子象素区内的驱动薄膜晶体管(TFT)TD的一个阵列层140，并且在阵列层140上的各个子象素区内形成连接到驱动TFT TD的一个连接图形142。连接图形142可以包括导电材料，或是可以具有包括一种绝缘材料和一层或多层导电材料的多层结构，具有足够的厚度用于连接。可以用一个附加连接电极来连接连接图形142和驱动TFT TD。驱动TFT TD包括栅极112、有源层114以及源极和漏极116和118，其中的连接图形142可以连接到漏极118。
还可以在第二基板150的内表面上形成第一电极152，并且在第一电极152上形成的各个子象素区内交替设置红、绿、蓝有机发光层156a、156b和156c。可以在有机EL层160上的各个子象素区P内形成第二电极162，并且可以用单层结构或多层结构形成有机EL层160。在多层结构的情况下，有机EL层160可以包括第一电极152上的第一载流子输送层154，第一载流子输送层154上的一个红、绿、蓝发光层156a、156b和156c，以及各个红、绿、蓝发光层156a、156b和156c上的第二载流子输送层158。例如，若是将第一和第二电极152和162分别作为阳极和阴极，第一载流子输送层154就对应着空穴注入层和空穴输送层，而第二载流子输送层158就对应着电子输送层和电子注入层。可以用第一和第二电极152和162以及介于二者之间的有机EL层160构成一个有机EL二极管E。
在图6中，可以沿着第一和第二基板110和150的外围部分用一种密封剂170将其粘接到一起。这样，连接图形142的顶面就能接触到第二电极162的底面，驱动TFT TD的电流可以通过连接图形142流入第二电极162。按照本发明的有机发光二极管(0ELD)装置可以包括双面板型，其中在各自基板上形成一个阵列层140和一个有机EL二极管E，并且用一个连接图形142的电路将阵列层140互连到有机EL二极管E。由于按照本发明的OELD装置是一种顶部发光型OELD装置，便于设计薄膜晶体管，并能同时获得高分辨率和高孔径比。
图7是本发明的双面板型有源矩阵OELD装置中下面板的一例基本象素结构的平面图。在图7中，一个有源矩阵有机发光二极管(0ELD)装置可以包括反向交错型薄膜晶体管。可以沿第一方向形成栅极线212，并且沿与栅极线212垂直交叉的第二方向形成彼此分开的数据线236和电源线213，在栅极线212与分开的数据线236和电源线213之间限定一个象素区P。可以挨着彼此交叉的栅极线212和数据线236设置一个开关薄膜晶体管(TFT)TS，并且可以包括从栅极线212伸出的开关栅极214，从数据线236伸出的开关源极226，与开关源极226分开的开关漏极230，以及开关栅极214上方具有岛状形状的开关半导体层222。
可以在同一处理步骤中形成电源线213和栅极线212。还可以在电源线213上方形成从漏极230垂直延伸的一个电容电极234。这样就可以用电容电极234和电源线213与电容电极234重叠的那一部分构成一个存储电容CST。
一个驱动TFT TD可以连接到开关TFT TS和电源线213。驱动TFT TD可以包括驱动栅极216、驱动源极228、驱动漏极232和驱动半导体层224。驱动栅极216可以连接到开关漏极230，并且可以在同一制造步骤中用与栅极线212相同的材料形成。驱动源极和漏极228和232能与驱动栅极216的侧部重叠，并且可以用与数据线236相同的材料形成。驱动半导体层224可以具有岛状形状，并且可以设置在驱动源极和漏极228和232之间的驱动栅极216上方。
在图7中，具有岛状形状的电源电极278可以分别通过源极接触孔246和电源接触孔251连接到驱动源极228和电源线213。可以在象素区P内形成将下基板的驱动TFT TD连接到上基板的有机EL二极管的一个连接电极276，并且该连接电极276可以连接到驱动漏极232。可以在同一制造步骤中用相同材料同时形成连接电极276和电源电极278。尽管图7中没有表示，但在图8F中表示了连接电极276可以包括具有支柱形状的下层连接图形，并且可以用绝缘材料制成。
可以分别在数据线236、栅极线212和电源线213的端部形成数据焊盘238、栅极焊盘218和电源焊盘219。进而可以设置一个与数据焊盘238重叠的数据焊盘端子280，可以设置一个与栅极焊盘218重叠的栅极焊盘端子282，还可以设置一个与电源焊盘219重叠的电源焊盘端子284。可以在同一步骤中用相同的材料连同连接电极276一起形成数据焊盘端子、栅极焊盘端子和数据焊盘端子280、282和284。由于电源线213可以用栅极线212形成，可以在栅极线212近旁交叉形成第一链接电极283a和第二链接电极283b，以免在栅极线212与电源线213之间的发生短路。形成的第一链接电极283a可以与栅极线212交叉，并可以在同一处理步骤中用数据线236相同的材料形成。第二链接电极283b可以用连接电极276相同的材料形成，并且可以将第一链接电极283a连接到电源线213。这样就能用沿着相邻象素区P垂直方向的电源线213的电路统一连接第一和第二链接电极283a和283b。
在图7中，由于数据焊盘238和电源焊盘219可以提供不同的信号，可以彼此相对地形成数据焊盘238和电源焊盘219。例如，如果在数据线236的顶端形成数据焊盘238，就可以在电源线213的底端形成电源焊盘219。
以下要参照图8A-8F、9A-9F、10A-10F和11A-11F具体解释用来形成图7中双面板型有源矩阵OELD装置的下面板的一例制造步骤。
图8A到8F是沿着图7中VIII-VIII线的截面图，图9A到9F是沿着图7中IX-IX线的截面图，图10A到10F是沿着图7中X-X线的截面图，而图11A到11F是沿着图7中XI-XI线的截面图，全都用来表示按照本发明的双面板型有源矩阵OELD装置的下面板制造工艺的例子。
在图8A、9A、10A和11A中，可以在一个基板210上形成第一金属层，然后对其进行构图形成栅极216、栅极焊盘218和电源焊盘219。尽管在图8A、9A、10A和11A中没有表示，但在图7中表示了在对第一金属层构图之后也可以在基板210上形成栅极线212和电源线213。按照本发明，第一金属层可以具有低电阻率，例如是铝(Al)。
尽管在图8A、9A、10A和11A中没有表示，在对第一金属层构图时可以采用一个掩模和一种光敏光刻胶。在基板210上形成第一金属层之后，可以在第一金属层上形成一个光刻胶层。然后在光刻胶上面设置掩模，并且可以用掩模执行曝光步骤。这样，在对光刻胶显影并且蚀刻第一金属层之后，就能形成栅极216、栅极焊盘218、电源焊盘219、栅极线212和电源线213。
在图8B、9B、10B和11B中，可以在基板210上依次形成第一绝缘层220、未掺杂的非晶硅(a-Si)层和掺杂的非晶硅(n+a-Si)层，覆盖构图的金属也就是栅极216、栅极焊盘218和电源焊盘219。第一绝缘层220可以作为栅极绝缘子在电路上隔离并保护下层的栅极216、栅极焊盘218、电源焊盘219以及栅极和电源线。然后可以用第二掩模步骤同时对未掺杂和掺杂的非晶硅层构图，在栅极216上方形成一个半导体层224，半导体层224可以包括用未掺杂的非晶硅形成的有源层224a和掺杂的非晶硅形成的欧姆接触层224b。第一绝缘层220还可以包括例如是从氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)构成的组中选择的一种无机材料。
在图8C、9C、10C和11C中，可以在第一绝缘层220上形成第二金属层，然后用第三掩模步骤构图形成数据焊盘238、源极228和漏极232。形成的源极和漏极228和232可以接触到欧姆接触层224b，并且可以跨栅极216彼此分开。在形成源极和漏极228和232的过程中还可以形成数据线236(参见图7)。接着在数据焊盘区内设置与数据线电路连通的数据焊盘238。如上所述，数据焊盘238可以沿着与电源焊盘219相反的方向设置在数据线的端部。第二金属层可以包括具有高化学抗蚀性的金属材料，例如是钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)和钨(W)。
在形成源极和漏极228和232之后，可以用源极和漏极228和232作为掩模消除源极和漏极228和232之间暴露出的那一部分欧姆接触层224b。这样就能暴露出一部分有源层224a，从而在源极和漏极228和232之间形成一个沟道ch。这样就能形成如图8C所示的包括栅极216、半导体层224、源极228和漏极232的一个驱动薄膜晶体管TD。
在图8D、9D、10D和11D中，可以在第一绝缘层220上形成第二绝缘层256，覆盖薄膜晶体管TD和数据焊盘238，并与栅极焊盘218和电源焊盘219重叠。然后用第四掩模步骤对第二绝缘层256构图，从而形成源极接触孔246、漏极接触孔248、数据焊盘接触孔250、栅极焊盘接触孔252和电源焊盘接触孔254。在形成栅极焊盘和电源焊盘接触孔252和254时还可以对下层的第一绝缘层220构图，使得栅极焊盘和电源焊盘接触孔252和254能够同时穿透第一和第二绝缘层220和256。这样，源极接触孔246就能对应着源极228，漏极接触孔248可以对应着漏极232，数据焊盘接触孔250可以对应着数据焊盘238，栅极焊盘接触孔252可以对应着栅极焊盘218，而电源焊盘接触孔254可以对应着电源焊盘219。第二绝缘层256可以包括一种有机材料和一种无机材料，也可以包括多层结构。然而，接触到薄膜晶体管TD的绝缘子可以是无机材料，例如是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)。
在图8E、9E、10E和11E中，可以在第二绝缘层256上的象素区P内形成具有支柱形状的连接图形274，可以用第五掩模对一种有机绝缘材料构图而形成连接图形274，并且其位置可以对应着有机EL二极管的第二电极。连接图形274的高度比薄膜晶体管TD的相应高度要高。
在图8F、9F、10F和11F中，可以在第二绝缘层256上形成第三金属层来覆盖连接图形274，然后用第六掩模步骤构图，从而形成连接电极276、电源电极278、数据焊盘端子280、栅极焊盘端子282和电源焊盘端子284。连接电极276与象素区内的连接图形274重叠，并且可以通过漏极接触孔248接触到漏极232。电源电极278可以通过源极接触孔246接触到源极228，并且如图7所示可以用电路将源极228连接到电源线213。数据焊盘端子280可以通过数据焊盘接触孔250接触到数据焊盘238，栅极焊盘端子282可以通过栅极焊盘接触孔252接触到栅极焊盘218，而电源焊盘284可以通过电源焊盘接触孔254接触到电源焊盘219。
图12是按照本发明的双面板型有源矩阵OELD装置中下面板的另一例基本象素结构的平面图。在图12中，一个有源矩阵OELD装置包括反向交错型薄膜晶体管，可以沿第一方向设置栅极线312，并且沿与栅极线312垂直交叉的第二方向设置彼此分开的数据线336和电源线313。在栅极线312与分开的数据线336和电源线313之间限定一个象素区P。还可以挨着彼此交叉的栅极线312和数据线336设置一个开关薄膜晶体管(TFT)TS，并且可以包括从栅极线312伸出的开关栅极314，从数据线336伸出的开关源极326，与开关源极326分开的开关漏极330，以及设置在开关栅极314上方的开关半导体层322。与图7的下面板不同，图12的半导体层322可以延伸到源极和漏极326和330下面。
在图12中，可以在同一处理步骤中用相同的材料由栅极线312形成电源线313。还可以从漏极330垂直延伸出一个电容电极334，并且可以设置在电源线313上方。这样就可以用电容电极334和电源线313与电容电极334重叠的那一部分构成一个存储电容CST。另外，可以从半导体层322上伸出一个半导体图形321，并可以形成在电容电极334下面，可以在同一构图步骤中形成半导体图形321和电容电极334，使它们具有相同的构图形状。半导体图形321还可以设置在数据线336下面，并与数据线336具有相同的构图形状。
在图12中，一个驱动TFT TD可以连接到开关TFT TS和电源线313，并且可以包括驱动栅极316、驱动源极328、驱动漏极332和驱动半导体层324。驱动栅极316可以连接到开关漏极330，并且可以在同一制造步骤中用栅极线312相同的材料形成。驱动源极和漏极328和332能与驱动栅极316的侧部重叠，并且可以用数据线336相同的材料形成。由于可以在同一处理步骤中用数据线336形成驱动源极和漏极328和332，驱动半导体层324不仅可以设置在驱动栅极316上方，还可以设置在源极和漏极328和332下面。
在图12中，具有岛状形状的电源电极378可以分别通过源极接触孔346和电源接触孔351连接到驱动源极328和电源线313。还可以在象素区P内形成将下基板的驱动TFT TD连接到上基板的有机FL二极管的一个连接电极376，并且可以连接到驱动漏极332。可以在同一制造步骤中用相同材料同时形成连接电极376和电源电极378。尽管图12中没有表示，但在图13F中表示了连接电极376可以包括具有支柱形状的下层连接图形，并且可以用绝缘材料制成。
按照本发明，电源线313的一部分可以用作存储电容CST的第一电容电极，而存储电容CST可以包括从开关漏极330上伸出并作为第二电极的电容电极334。具体地说，电容电极334与电源线313重叠的那一面积可以构成存储电容CST。
在图12中，可以分别在数据线336、栅极线312和电源线313的端部形成数据焊盘338、栅极焊盘318和电源焊盘319。进而可以设置一个与数据焊盘338重叠的数据焊盘端子380，可以设置一个与栅极焊盘318重叠的栅极焊盘端子382，还可以设置一个与电源焊盘319重叠的电源焊盘端子384。可以在同一步骤中用相同的材料连同连接电极376一起形成数据焊盘、栅极焊盘和数据焊盘端子380、382和384。还可以在同一步骤中用数据线336形成数据焊盘338，在其中也可以在数据焊盘338下面按相同的构图形状形成半导体图形321。
同时，由于电源线313可以用栅极线312形成，可以在栅极线312近旁交叉形成第一链接电极383a和第二链接电极383b，以免在栅极线312与电源线313之间的发生短路。形成的第一链接电极383a可以与栅极线312交叉，并可以在同一处理步骤中用数据线336相同的材料形成，其中的半导体图形321也可以设置在第一链接电极383a下面。第二链接电极383b可以用连接电极376相同的材料形成，并且可以将第一链接电极383a连接到电源线313。这样就能用沿着相邻象素区P垂直方向的电源线313的电路统一连接第一和第二链接电极383a和383b。
在图12中，由于数据焊盘338和电源焊盘319可以分别向数据线336和电源线313提供不同的信号，可以在相对于电源焊盘319的一端形成数据焊盘338。例如，如果在数据线336的顶端形成数据焊盘338，就可以在电源线313的底端形成电源焊盘319。
以下要参照图13A-13F、14A-14F、15A-15F和16A-16F具体解释用来形成图12中双面板型有源矩阵OELD装置的下面板的一例制造步骤。
图13A到13E是沿着图12中XIII-XIII线的截面图，图14A到14E是沿着图12中XIV-XIV线的截面图，图15A到15E是沿着图12中XV-XV线的截面图，而图16A到16E是沿着图12中XVI-XVI线的截面图，全都用来表示按照本发明的双面板型有源矩阵OELD装置的下面板的一例制造工艺。
在图13A、14A、15A和16A中，可以在一个基板310上形成第一金属层，然后构图形成栅极316、栅极焊盘318和电源焊盘319。尽管在图13A、14A、15A和16A中没有表示，但在图12中表示了在对第一金属层构图之后也可以在基板310上形成栅极线312和电源线313。按照本发明，第一金属层可以具有低电阻率，例如是铝(Al)。
尽管在图13A、14A、15A和16A中没有表示，在对第一金属层构图时可以采用一个掩模和一种光敏光刻胶。在基板310上形成第一金属层之后，可以在第一金属层上形成一个光敏光刻胶层。然后在光刻胶上方设置掩模，并且可以用掩模执行曝光步骤。这样，在对光刻胶显影并且蚀刻第一金属层之后，就能形成栅极316、栅极焊盘318、电源焊盘319、栅极线312和电源线313。
在图13B、14B、15B和16B中，可以在基板310上依次形成第一绝缘层320、未掺杂的非晶硅(a-Si)层、掺杂的非晶硅(n+a-Si)层和第二金属层，覆盖构图的金属也就是栅极316、栅极焊盘318和电源焊盘319。第一绝缘层320可以作为栅极绝缘子在电路上隔离并保护下层的栅极316、栅极焊盘318、电源焊盘319以及栅极和电源线。
然后，可以用第二掩模步骤同时对未掺杂和掺杂的非晶硅层以及第二金属层构图，以形成在栅极316上方的一个半导体层324，半导体层324上的源极和漏极328和332，以及一个数据焊盘338。进而可以跨栅极线312形成数据线336(图7中)，其中的数据焊盘338可以沿着与电源焊盘319相反的位置设置在数据线的端部。在形成源极和漏极328和332时，可以采用参照图17A-17D解释的衍射曝光法。
由于可以在同一掩模步骤中形成硅层和第二金属层，如图13B中所示，半导体层324可以延伸到源极和漏极328和332下面。如图14B中所示，还可以在数据焊盘338下面设置具有相同构图形状的半导体图形321。第二金属层可以包括具有高化学抗蚀性的金属材料，例如是钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)和钨(W)。半导体层324可以包括用未掺杂的非晶硅形成的有源层324a和掺杂的非晶硅形成的欧姆接触层324b。半导体图形321还可以包括未掺杂的非晶硅图形321a和掺杂的非晶硅图形321b。第一绝缘层320可以包括从氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)构成的组中选择的一种无机材料。同时，可以形成接触到欧姆接触层324b的源极和漏极328和332，并且可以跨栅极316彼此分开。
在形成源极和漏极328和332之后，可以用源极和漏极328和332作为掩模消除源极和漏极328和332之间暴露出的那一部分欧姆接触层324b。这样就能暴露出一部分有源层324a，从而在源极和漏极328和332之间形成一个沟道ch。以下要参照图17A-17D来解释形成沟道ch的细节。这样就能形成如图13C所示的包括栅极316、半导体层324、源极328和漏极332的一个驱动薄膜晶体管TD。
在图13C、14C、15C和16C中，可以沿着第一绝缘层320的整个表面形成第二绝缘层356，覆盖薄膜晶体管TD和数据焊盘338。然后用第三掩模步骤对第一和第二绝缘层320和356构图，从而形成源极接触孔346、漏极接触孔348、数据焊盘接触孔350、栅极焊盘接触孔352和电源焊盘接触孔354。漏极和源极接触孔348和346以及数据焊盘接触孔350能够穿透第二绝缘层356，而栅极焊盘和电源焊盘接触孔352和354能够同时穿透第一和第二绝缘层320和356。源极接触孔346可以对应着源极328，漏极接触孔348可以对应着漏极332，数据焊盘接触孔350可以对应着数据焊盘338，栅极焊盘接触孔352可以对应着栅极焊盘318，而电源焊盘接触孔354可以对应着电源焊盘319。第二绝缘层356还可以是一种有机材料或一种无机材料，也可以包括多层结构。然而，接触到薄膜晶体管TD的绝缘子可以是无机材料，例如是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)。
在图13D、14D、15D和16D中，可以在第二绝缘层356上和象素区P内形成具有支柱形状的连接图形374。可以用第四掩模通过对有机绝缘材料进行构图形成连接图形374，所述连接图形的位置与有机EL二极管的第二电极相对应。此外，连接图形374的高度比薄膜晶体管TD的相应高度要高。
在图13E、14E、15E和16E中，可以在第二绝缘层356上形成第三金属层来覆盖连接图形374，然后用第五掩模步骤构图，从而形成连接电极376、电源电极378、数据焊盘端子380、栅极焊盘端子382和电源焊盘端子384。连接电极376与象素区P内的连接图形374重叠，并且可以通过漏极接触孔348接触到漏极332。电源电极378可以通过源极接触孔346接触到源极328，并且如图12所示可以用电路将源极328连接到电源线313。数据焊盘端子380可以通过数据焊盘接触孔350接触到数据焊盘338，栅极焊盘端子382可以通过栅极焊盘接触孔352接触到栅极焊盘318，而电源焊盘384可以通过电源焊盘接触孔354接触到电源焊盘319。
图17A到17D都是截面图，表示按照本发明采用衍射曝光法形成薄膜晶体管的一例制造工艺。在图17A中，首先可以在基板410上通过对第一金属层构图而形成一个栅极412。然后在基板410上依次形成第一栅极绝缘层414、半导体层416和第二金属层418覆盖栅极412，其中的半导体层416可以包括未掺杂的非晶硅层416a和掺杂的非晶硅层416b。接着在第二金属层418上形成光敏材料的光刻胶420，并且将一个掩模430定位在光刻胶420上方。
光刻胶420可以是正型光敏材料，曝光的部分在显影过程中被除去。掩模430具有第一部分M1、多个第二部分M2和多个第三部分M3。第一部分M1包括半透明部分并可以包括多个缝隙或半透明薄膜，使得只有一半的光可以通过。第一部分M1可以对应着薄膜晶体管的一个沟道区的位置。第二部分M2可以包括在曝光过程中能够完全阻挡光的遮挡部分，并且可以对应着薄膜晶体管的源极和漏极。第三部分M3可以包括允许光完全通过的透明部分，并且对应着象素区。
在光刻胶420上方设置掩模430之后，可以用掩模430对光刻胶420执行曝光。通过第三部分M3的光可以完全照射相应的区域，而通过第一部分M1的光可以减弱地照射相应的区域。
因此，如图17B所示，在光刻胶420显影之后，光刻胶420的完全照射部分会被完全除去，而对应着掩模430的第一部分M1的那一部分会被部分除去。光刻胶420对应着第二部分M2的部分会留在第二金属层418上，从而形成一个在栅极412上方具有一个缺口440的光刻胶图形442。然后蚀刻第二金属层418的曝光部分和该部分下面的半导体层416，从而如图17B所示在光刻胶图形442下面仅仅留下金属和硅图形。
图17C表示灰化(ashing)光刻胶图形442的处理步骤。可以灰化光刻胶图形442，从而除去光刻胶图形442的局部部分达到一定的厚度d，直至暴露出构图的第二金属层418的一个部分。被灰化的光刻胶图形442可以有一个开口444。然后蚀刻掉第二金属层418的曝光部分，这样就能跨栅极412形成彼此分开的源极446和漏极448。
在形成源极446和漏极448之后，可以如图17D所示完全剥离残余的光刻胶图形442。然后除去源极446和漏极448之间的那一部分掺杂的非晶硅层416b，直至暴露出下层未掺杂的非晶硅层416a，从而在未掺杂的非晶硅层416a上形成沟道ch。在除去源极446和漏极448之间的那一部分掺杂的非晶硅层416b时，下层未掺杂的非晶硅层416a可能被局部蚀刻而完全消除沟道ch中掺杂的非晶硅。这样就能将未掺杂的非晶硅层416a用作有源层450a，而将掺杂的非晶硅层416b用作欧姆接触层450b。可以用栅极412、有源层450a、欧姆接触层450b，以及源极和漏极446和448构成一个薄膜晶体管T。按照图17A-17D所示的衍射曝光法，可以在同一掩模步骤中同时形成有源层和欧姆接触层以及源极和漏极。
按照本发明，由于可以在不同基板上形成阵列层和有机EL二极管，能够获得高生产效率，并且能提高制造产率。其次，由于本发明的下面板可供OELD装置使用，能减少对薄膜晶体管的设计限制，并且能够实现高孔径比。第三，由于在OELD装置中能够实现反向交错型薄膜晶体管，可以在相对低温下执行制造步骤，并且可以减少掩模步骤。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的双面板型有机电致发光装置以及制造本发明的双面板型有机电致发光装置的方法作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。

Claims (37)

1.一种双面板型有源矩阵有机电致发光装置包括：
沿第一方向设置在第一基板上的栅极线；
沿第二方向设置在第一基板上的数据线；
沿第二方向设置在第一基板上并与数据线分开的电源线，与栅极线和数据线共同限定一个象素区，电源线和栅极线都是在同一步骤中用相同的材料形成的；
在第一基板上靠近栅极线和数据线交叉点设置的开关薄膜晶体管；
在第一基板上靠近栅极线和电源线交叉点设置的驱动薄膜晶体管；
在第一基板上的象素区内用绝缘材料形成的连接图形；以及
在第一基板上设置在象素区内覆盖连接图形、并且用电路将驱动薄膜晶体管互连到有机电致发光二极管的连接电极。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，有机电致发光二极管设置在面对第一基板的第二基板上。
3.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括跨栅极线形成的第一链接电极，用来互连沿第二方向的电源线，第一链接电极是用和数据线相同的材料形成的。
4.按照权利要求3所述的装置，其特征在于，进一步包括设置在栅极线附近的第二链接电极，用来沿第二方向和第一链接电极一起互连电源线，第二链接电极是在同一处理步骤中用和连接电极相同的材料形成的。
5.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括将电源线互连到驱动薄膜晶体管的电源电极，电源电极是在同一处理步骤中用和连接电极相同的材料形成的。
6.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括栅极线端部的栅极焊盘，数据线端部的数据焊盘，以及电源线端部的电源焊盘，其中数据焊盘设置在与电源焊盘相对的位置。
7.按照权利要求6所述的装置，其特征在于，进一步包括接触到栅极焊盘的栅极焊盘端子，接触到数据焊盘的数据焊盘端子，以及接触到电源焊盘的电源焊盘端子，其中的栅极焊盘端子、数据焊盘端子和电源焊盘端子是在同一处理步骤中用和连接电极相同的材料形成的。
8.按照权利要求6所述的装置，其特征在于，进一步包括数据焊盘下面的半导体图形，并且包括未掺杂的非晶硅的第一图形和掺杂的非晶硅的第二图形。
9.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管包括从栅极线伸出的开关栅极，设置在开关栅极上方的开关半导体层，从数据线延伸到半导体层上面的开关源极，以及在半导体层上方与源极分开的开关漏极。
10.按照权利要求9所述的装置，其特征在于，进一步包括从开关漏极延伸到电源线上面的电容电极。
11.按照权利要求10所述的装置，其特征在于，驱动薄膜晶体管包括连接到开关漏极的驱动栅极，设置在驱动栅极上方的驱动半导体层，连接到电源电极的驱动源极，以及连接到连接电极的驱动漏极。
12.按照权利要求11所述的装置，其特征在于，进一步包括在电容电极、数据线、开关源极和漏极、以及驱动源极和漏极下面的多个半导体图形，其中的各个半导体图形包括由未掺杂的非晶硅图形和掺杂的非晶硅图形构成的一种双层结构。
13.按照权利要求12所述的装置，其特征在于，开关和驱动半导体层包括一个未掺杂的非晶硅有源层和一个掺杂的非晶硅欧姆接触层。
14.一种制造双面板型有源矩阵有机电致发光装置的方法包括：
在第一基板上对第一金属层构图，形成栅极、栅极线、电源线、栅极焊盘和电源焊盘；
在第一基板上形成覆盖栅极、栅极焊盘和电源焊盘的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成一个覆盖栅极的半导体层，半导体层包括未掺杂的非晶硅有源层和掺杂的非晶硅欧姆接触层；
形成源极和漏极、数据线、第一链接电极和数据焊盘，其中源极和漏极设置在欧姆接触层上，而数据线、数据焊盘和第一链接电极设置在第一绝缘层上，并且第一链接电极与栅极线交叉；
蚀刻源极和漏极之间暴露的那部分欧姆接触层，在有源层内形成一个沟道，构成包括栅极、半导体层、源极和漏极的一个薄膜晶体管；
在第一绝缘层上形成第二绝缘层，覆盖薄膜晶体管、数据线和数据焊盘；
形成源极接触孔、漏极接触孔、数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔，其中的源极接触孔、漏极接触孔和数据焊盘接触孔穿透第二绝缘层，并且其中的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔穿透第一和第二绝缘层；
在第二绝缘层的象素区上用绝缘材料形成一个连接图形，其中的连接图形具有支柱形状，且高度大于薄膜晶体管的相应高度；并且
用第三金属层形成连接电极、电源电极、第二链接电极、数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子。
15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，连接电极覆盖连接图形并且通过漏极接触孔接触到漏极。
16.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，电源电极通过源极接触孔接触到源极，并且将薄膜晶体管互连到电源线。
17.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，第二链接电极设置在栅极线附近，并且沿着数据线的第一方向将电源线与第一链接电极互连。
18.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子被设置成分别通过数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔接触到数据焊盘、栅极焊盘和电源焊盘。
19.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，栅极线和电源线的形成包括使用第一掩模，半导体层的形成包括使用第二掩模，源极和漏极的形成包括使用第三掩模，源极和漏极接触孔的形成包括使用第四掩模，连接图形的形成包括使用第五掩模，而连接电极的形成包括使用第六掩模。
20.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，形成源极和漏极的步骤包括在电源线上方形成电容电极，并且其中的电容电极与电源线及第一和第二绝缘层共同构成一个存储电容。
21.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，在面对第一基板的第二基板上进一步包括一个有机电致发光二极管，其中的连接电极用电路将薄膜晶体管互连到有机电致发光二极管。
22.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，栅极线沿着第一方向设置，而数据线和电源线沿第二方向设置，并且彼此分开而限定一个象素区。
23.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，连接图形的绝缘材料包括有机绝缘材料。
24.一种制造双面板型有源矩阵有机电致发光装置的方法包括：
在第一基板上对第一金属层构图，形成栅极、栅极线、电源线、栅极焊盘和电源焊盘；
在第一基板上依次形成第一绝缘层、未掺杂的非晶硅层、掺杂的非晶硅层和第二金属层，覆盖栅极、栅极焊盘和电源焊盘；
在第二金属层上形成一种光敏光刻胶；
在光敏光刻胶上方设置一个具有半透明部分的第一掩模；
采用一种衍射曝光法并用第一掩模同时对未掺杂的非晶硅层、掺杂的非晶硅层和第二金属层构图，形成有源层、欧姆接触层、源极、漏极、数据线、第一链接电极和数据焊盘；
蚀刻掉源极和漏极之间暴露出的那部分欧姆接触层，在有源层中形成一个沟道，从而形成一个包括栅极、有源层、欧姆接触层、源极和漏极的薄膜晶体管；
在第一绝缘层上形成第二绝缘层覆盖薄膜晶体管、数据线和数据焊盘；
形成源极接触孔、漏极接触孔、数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔，其中的源极接触孔、漏极接触孔和数据焊盘接触孔穿透第二绝缘层，并且其中的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔穿透第一和第二绝缘层；
在第二绝缘层的象素区上用绝缘材料形成一个连接图形，其中的连接图形具有支柱形状，且高度大于薄膜晶体管的相应高度；并且
用第三金属层形成连接电极、电源电极、第二链接电极、数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子。
25.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，连接电极覆盖连接图形并且通过漏极接触孔接触到漏极。
26.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，电源电极通过源极接触孔接触到源极，并且将薄膜晶体管互连到电源线。
27.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，第二链接电极设置在栅极线附近，并且将电源线互连到第一链接电极。
28.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，数据焊盘端子、栅极焊盘端子和电源焊盘端子设置成分别通过数据焊盘接触孔、栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔接触到数据焊盘、栅极焊盘和电源焊盘。
29.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，栅极线和电源线的形成包括使用第一掩模，对未掺杂和掺杂的非晶硅层及第二金属层的构图包括使用第二掩模，源极接触孔和漏极接触孔的形成包括使用第三掩模，连接图形的形成包括使用第四掩模，而连接电极的形成包括使用第五掩模。
30.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，对未掺杂和掺杂的非晶硅层及第二金属层的构图步骤包括在电源线上方形成电容电极。
31.按照权利要求30所述的方法，其特征在于，电容电极与电源线及第一和第二绝缘层构成一个存储电容。
32.按照权利要求30所述的方法，其特征在于，对未掺杂和掺杂的非晶硅层及第二金属层的构图步骤在数据线、第一链接电极和数据焊盘下面形成多个半导体图形。
33.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，进一步包括在面对第一基板的第二基板上形成一个有机电致发光二极管，其中的连接电极用电路将薄膜晶体管互连到有机电致发光二极管。
34.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，栅极线沿着第一方向设置，而数据线和电源线沿第二方向设置，并且彼此分开而限定一个象素区。
35.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，连接图形的绝缘材料包括有机绝缘材料。
36.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，光敏光刻胶图形是一种正型光刻胶材料。
37.按照权利要求24所述的方法，其特征在于，源极和漏极设置在欧姆接触层上，并且第一链接电极与栅极线交叉。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102074569A (zh) * 2009-11-10 2011-05-25 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102315277A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 索尼公司 薄膜晶体管和显示装置
CN103339440A (zh) * 2010-10-08 2013-10-02 葛迪恩实业公司 包括光源的中空玻璃（ig）或真空中空玻璃（vig）单元和/或制作其的方法
CN104517996A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104637874A (zh) * 2015-03-16 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法
CN105789121A (zh) * 2016-05-27 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 全反射阵列基板及其制备方法、显示器件
CN108831371A (zh) * 2018-04-03 2018-11-16 友达光电股份有限公司 显示面板
CN109037263A (zh) * 2017-06-09 2018-12-18 美商晶典有限公司 具有透光基材的微发光二极管显示模块及其制造方法
CN109979970A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 乐金显示有限公司 有机发光显示面板及使用其的有机发光显示设备
CN109994525A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW413844B (en) 1998-11-26 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films
US6509616B2 (en) * 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
KR20030086166A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100497095B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100617037B1 (ko) * 2003-12-29 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법
TWI382452B (zh) * 2004-03-19 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及其製造方法
KR100652352B1 (ko) * 2004-05-10 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2006047617A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Hitachi Displays Ltd エレクトロルミネセンス表示装置およびその駆動方法
JP4581692B2 (ja) * 2005-01-11 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 有機発光ダイオード装置、画像形成装置および画像読み取り装置
JP2006107755A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、画像形成装置および画像読み取り装置
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100606772B1 (ko) * 2004-12-02 2006-08-01 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
KR100606969B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR101107252B1 (ko) 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
KR100683791B1 (ko) * 2005-07-30 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR20070041856A (ko) 2005-10-17 2007-04-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4661557B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4939045B2 (ja) * 2005-11-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR101230305B1 (ko) * 2005-12-08 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI339442B (en) 2005-12-09 2011-03-21 Samsung Mobile Display Co Ltd Flat panel display and method of fabricating the same
KR101252083B1 (ko) * 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101251375B1 (ko) * 2005-12-30 2013-04-05 엘지디스플레이 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자
KR100745760B1 (ko) * 2006-02-02 2007-08-02 삼성전자주식회사 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법
KR100733979B1 (ko) * 2006-02-02 2007-07-02 삼성전자주식회사 디스플레이장치
KR100843690B1 (ko) * 2006-04-24 2008-07-04 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자
KR101213103B1 (ko) * 2006-06-30 2013-01-09 엘지디스플레이 주식회사 합착 장치 및 이를 이용한 전계발광소자의 제조방법
KR101289038B1 (ko) * 2006-06-30 2013-07-23 엘지디스플레이 주식회사 합착 장치 및 이를 이용한 전계발광소자의 제조방법
KR100805154B1 (ko) * 2006-09-15 2008-02-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101291845B1 (ko) * 2006-12-13 2013-07-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101293565B1 (ko) * 2007-01-26 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101366162B1 (ko) * 2007-03-20 2014-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조방법
CN101325219B (zh) * 2007-06-15 2010-09-29 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
KR101392162B1 (ko) * 2008-02-15 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
GB0819450D0 (en) * 2008-10-23 2008-12-03 Cambridge Display Tech Ltd Oled driver chiplet integration
KR101107158B1 (ko) * 2009-07-10 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101314787B1 (ko) * 2009-10-01 2013-10-08 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판
KR101333783B1 (ko) * 2009-11-10 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101174881B1 (ko) * 2010-06-11 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20130025717A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101899477B1 (ko) * 2011-11-18 2018-09-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치
KR20150006444A (ko) 2012-04-16 2015-01-16 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 비-균일 다중 양자 우물 구조
US9660043B2 (en) 2012-06-04 2017-05-23 Sensor Electronic Technology, Inc. Ohmic contact to semiconductor layer
WO2013184654A1 (en) * 2012-06-04 2013-12-12 Sensor Electronic Technology, Inc. Ohmic contact to semiconductor layer
US8704232B2 (en) 2012-06-12 2014-04-22 Apple Inc. Thin film transistor with increased doping regions
US9065077B2 (en) 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
US9793439B2 (en) 2012-07-12 2017-10-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Metallic contact for optoelectronic semiconductor device
US8987027B2 (en) 2012-08-31 2015-03-24 Apple Inc. Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes
US9685557B2 (en) 2012-08-31 2017-06-20 Apple Inc. Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process
US8748320B2 (en) 2012-09-27 2014-06-10 Apple Inc. Connection to first metal layer in thin film transistor process
US8999771B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Apple Inc. Protection layer for halftone process of third metal
KR20140042183A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US9201276B2 (en) 2012-10-17 2015-12-01 Apple Inc. Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display
KR102006352B1 (ko) 2012-11-20 2019-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9001297B2 (en) 2013-01-29 2015-04-07 Apple Inc. Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display
US9088003B2 (en) 2013-03-06 2015-07-21 Apple Inc. Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
KR102304725B1 (ko) * 2014-10-16 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102017764B1 (ko) * 2015-04-29 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN111445860B (zh) * 2020-04-30 2021-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法以及电子装置
CN115117135A (zh) * 2022-06-28 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0431299U (zh) * 1990-07-06 1992-03-13
DE69635239T2 (de) * 1995-11-21 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
DE69739955D1 (de) * 1996-02-26 2010-09-16 Idemitsu Kosan Co Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
TW384409B (en) * 1996-06-04 2000-03-11 Sharp Kk Liquid crystal display device
KR100244447B1 (ko) * 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
US6175345B1 (en) * 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JP3466876B2 (ja) * 1997-06-16 2003-11-17 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
JP2000227770A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP4588833B2 (ja) * 1999-04-07 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置および電子機器
KR100316271B1 (ko) * 1999-05-27 2001-12-12 구본준, 론 위라하디락사 전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4942867B2 (ja) * 1999-09-17 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001117509A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置
TW511298B (en) * 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
JP2001177509A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Oki Electric Ind Co Ltd クロック載せ換え方法及び装置
JP2001195009A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP2001318624A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびその作製方法
KR100851156B1 (ko) * 2000-03-07 2008-08-08 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 액티브 구동형 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2001282123A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
KR100720087B1 (ko) * 2000-07-31 2007-05-18 삼성전자주식회사 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
JP2002050764A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
KR20020058269A (ko) * 2000-12-29 2002-07-12 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
GB0107236D0 (en) 2001-03-22 2001-05-16 Microemissive Displays Ltd Method of creating an electroluminescent device
US6548961B2 (en) * 2001-06-22 2003-04-15 International Business Machines Corporation Organic light emitting devices
JP4101511B2 (ja) * 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100435054B1 (ko) * 2002-05-03 2004-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100497095B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100484092B1 (ko) * 2002-12-26 2005-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR100497096B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100551131B1 (ko) 2003-03-07 2006-02-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102074569B (zh) * 2009-11-10 2015-03-25 三星显示有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN102074569A (zh) * 2009-11-10 2011-05-25 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示装置及其制造方法
US8980663B2 (en) 2009-11-10 2015-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN102315277A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 索尼公司 薄膜晶体管和显示装置
CN103339440B (zh) * 2010-10-08 2017-08-04 葛迪恩实业公司 包括光源的中空玻璃（ig）或真空中空玻璃（vig）单元和/或制作其的方法
CN103339440A (zh) * 2010-10-08 2013-10-02 葛迪恩实业公司 包括光源的中空玻璃（ig）或真空中空玻璃（vig）单元和/或制作其的方法
US9935163B2 (en) 2013-10-08 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN104517996B (zh) * 2013-10-08 2018-02-13 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104517996A (zh) * 2013-10-08 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104637874A (zh) * 2015-03-16 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法
US9837477B2 (en) 2015-03-16 2017-12-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and method of manufacturing the same
CN105789121A (zh) * 2016-05-27 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 全反射阵列基板及其制备方法、显示器件
CN109037263A (zh) * 2017-06-09 2018-12-18 美商晶典有限公司 具有透光基材的微发光二极管显示模块及其制造方法
CN109979970A (zh) * 2017-12-28 2019-07-05 乐金显示有限公司 有机发光显示面板及使用其的有机发光显示设备
CN109979970B (zh) * 2017-12-28 2023-05-26 乐金显示有限公司 有机发光显示面板及使用其的有机发光显示设备
CN109994525A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备
CN109994525B (zh) * 2017-12-29 2023-06-13 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备
CN108831371A (zh) * 2018-04-03 2018-11-16 友达光电股份有限公司 显示面板

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